本發(fā)明是關(guān)于一種晶圓的彎曲的評(píng)價(jià)方法與使用此評(píng)價(jià)方法的晶圓的選別方法。

背景技術(shù)：

習(xí)知在使用光刻技術(shù)制造半導(dǎo)體組件與液晶組件等組件時(shí)，原版(以下也稱光罩)的圖案透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)而在涂抹有感光劑的感光基板(以下也稱晶圓)上曝光并進(jìn)行轉(zhuǎn)印。

近年隨著組件的高積體化的加速度漸漸增加，而使伴隨感光基板的細(xì)微加工技術(shù)的進(jìn)展也頗為顯著。作為形成此細(xì)微加工技術(shù)的中心的曝光裝置有鏡面投影對(duì)準(zhǔn)曝光器(mirror projection aligner)、縮小投影曝光器(分檔器)、掃描儀(Scanner)等。鏡面投影對(duì)準(zhǔn)曝光器是對(duì)具有圓弧狀的曝光區(qū)域的等倍的鏡面光學(xué)系統(tǒng)在掃描原版與感光基板的同時(shí)并進(jìn)行曝光的等倍投影曝光裝置。分檔器則是借由折射光學(xué)系統(tǒng)而在感光基板上形成原版的圖案圖像，并以重復(fù)步進(jìn)方式將感光基板進(jìn)行曝光之縮小投影曝光裝置。掃描儀則是同步掃瞄原版的同時(shí)掃描感光基板并進(jìn)行曝光之縮小投影曝光裝置。

進(jìn)行曝光時(shí)，雖是將光罩重疊于晶圓來(lái)進(jìn)行曝光，使用分檔器進(jìn)行晶圓的曝光時(shí)，由于進(jìn)行多次的拍攝的曝光會(huì)使重疊的位置產(chǎn)生偏差，也就是會(huì)產(chǎn)生覆蓋(overlay)不良的問(wèn)題。為了防止此覆蓋不良的發(fā)生，于是便有了目前的各種裝置或方法的提案。

在專利文獻(xiàn)1，提出投影曝光裝置在每次拍攝中會(huì)將光罩圖案的影像與晶圓上的預(yù)定區(qū)域進(jìn)行位置重疊，并在晶圓上形成光罩圖案，并將晶圓載臺(tái)在每次拍攝以步進(jìn)移動(dòng)使其移動(dòng)至既定的預(yù)定位置的裝置。另外，在專利文獻(xiàn)2，提出在每次拍攝進(jìn)行精確定位后執(zhí)行曝光的方法。在這些專利文獻(xiàn)中，第二次之后的拍攝地點(diǎn)雖然是根據(jù)第一次拍攝的圖像位置而予以定位，但實(shí)際上則是對(duì)一部分的校準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行確認(rèn)，如果是在正常的位置上，則剩余的拍攝便不進(jìn)行校準(zhǔn)動(dòng)作，因此會(huì)有無(wú)法充分防止覆蓋不良發(fā)生的問(wèn)題。

為了解決此種問(wèn)題，在專利文獻(xiàn)3提出每次拍攝均進(jìn)行校準(zhǔn)動(dòng)作的方法，并提出進(jìn)行芯片間校準(zhǔn)(die-by-die alignment)的方法。然而，以這種方式在每次拍攝進(jìn)行校準(zhǔn)的操作非常繁雜，另外也會(huì)有生產(chǎn)率下降等問(wèn)題。

另外，此些專利文獻(xiàn)也并沒(méi)有特定出覆蓋不良的發(fā)生原因。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)平6-204415號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)平11-204419號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本特開(kāi)平11-265844號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

晶圓的形狀主要分為平坦度(Flatness)與彎曲，平坦度是內(nèi)面平整狀態(tài)的表面形狀，即厚度非均勻性。另一方面，彎曲是不進(jìn)行內(nèi)面吸附，處于自由狀態(tài)的表面形狀。

習(xí)知用于光蝕處理中的晶圓所重視的是平坦度，這是由于在進(jìn)行曝光時(shí)晶圓被吸附在載臺(tái)上而修正彎曲，而使平坦度成為此時(shí)的表面形狀的緣故。這是因?yàn)樵谶M(jìn)行曝光時(shí)要在載臺(tái)上吸附晶圓來(lái)修正彎曲致使平坦度被當(dāng)作是表面形狀。

分檔器中晶圓的吸附為一般借由真空吸附來(lái)進(jìn)行，吸附晶圓1的基座2如圖6a所示，是由以真空拉引晶圓的凹槽部與固定晶圓的凸部3(插針夾頭)所構(gòu)成，借由晶圓1吸附于平的插針夾頭3上而修正彎曲，而可想到內(nèi)面形狀也是與插針夾頭3同樣變平。

然而實(shí)際上，由于即使進(jìn)行吸附也無(wú)法如同圖6般修正等于或小于插針夾頭3的節(jié)距的周期(寬度)的彎曲，因而晶圓內(nèi)面無(wú)法完全的變平。另外，借由吸附所修正的彎曲僅限于晶圓內(nèi)面與插針夾頭接觸的一部分，其地點(diǎn)根據(jù)分檔器而有所不同。即，隨著分檔器之不同，對(duì)于晶圓的形狀的修正部分也會(huì)相異。

分檔器中插針夾頭的形狀與節(jié)距為廠商的專有技術(shù)，根據(jù)廠商與開(kāi)發(fā)時(shí)間會(huì)有所不同。并且，由于組件廠商將各種的分檔器分為混合與搭配來(lái)使用，為了制作一個(gè)組件會(huì)以數(shù)臺(tái)相異的分檔器來(lái)進(jìn)行光蝕處理。

如果是平常內(nèi)面在平的狀態(tài)下進(jìn)行光蝕處理，即使晶圓發(fā)生彎曲，由于在每個(gè)步驟也會(huì)進(jìn)行晶圓的形狀修正，所以不會(huì)產(chǎn)生圖案的歪斜。然而，實(shí)際上在上述的每個(gè)步驟中由于必須使用節(jié)距相異的插針夾頭的分檔器，另外也由于在每個(gè)步驟中因?yàn)榻栌上喈惖姆謾n器而使晶圓的形狀被修正的部分都不同，會(huì)有本來(lái)制成直線的配線發(fā)生變形或扭曲，晶圓的形狀扭曲，結(jié)果發(fā)生覆蓋不良的問(wèn)題。

為了解決以上問(wèn)題，本發(fā)明的目的為提供一種晶圓的彎曲的評(píng)價(jià)方法，導(dǎo)入能夠顯示于吸附晶圓時(shí)因插針夾頭的節(jié)距差異所產(chǎn)生的彎曲的修正程度的差的新參數(shù)，并且使用此新參數(shù)評(píng)價(jià)晶圓的彎曲。另外一個(gè)目的為提供一種晶圓的選別方法，于光蝕處理中使用上述的評(píng)價(jià)方法選出未發(fā)生覆蓋不良的晶圓。

為解決以上的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種晶圓的彎曲的評(píng)價(jià)方法，包含：第一步驟，測(cè)量未吸附的自由狀態(tài)的晶圓的彎曲；以及第二步驟，使用該經(jīng)測(cè)量的晶圓的彎曲的數(shù)據(jù)，求出于通過(guò)晶圓面內(nèi)的任意的點(diǎn)P的直線上以該點(diǎn)P作為中心而與該點(diǎn)P相隔距離a的點(diǎn)Q¹與點(diǎn)Q²的兩點(diǎn)之間的晶圓彎曲量A，以及求出于同一直在線以該點(diǎn)P作為中心而與該點(diǎn)P相隔不同于距離a的距離b的點(diǎn)R¹與點(diǎn)R²的兩點(diǎn)之間的晶圓彎曲量B，根據(jù)該晶圓彎曲量A與該晶圓彎曲量B計(jì)算出于該點(diǎn)P中晶圓彎曲量的差，并根據(jù)所計(jì)算出的該晶圓彎曲量的差而評(píng)價(jià)晶圓的彎曲。

借由此評(píng)價(jià)方法，自未吸附的自由狀態(tài)的晶圓的彎曲，導(dǎo)入顯示于吸附晶圓時(shí)因插針夾頭的節(jié)距差異所產(chǎn)生的彎曲的修正程度的差的新參數(shù)，而能使用此新參數(shù)來(lái)評(píng)價(jià)晶圓的彎曲。

另外此時(shí)，較佳地該距離a及該距離b為在0.5～12.5mm之間，且(距離a-距離b)≧5mm。

借由此距離，更加能計(jì)算出晶圓的彎曲與插針夾頭的節(jié)距的差異所反映的晶圓彎曲量的差。

另外此時(shí)，該晶圓彎曲量，能夠自與該點(diǎn)P相間隔預(yù)定距離的兩點(diǎn)處的晶圓內(nèi)面的高度設(shè)為0時(shí)的該點(diǎn)P處的晶圓表面的高度來(lái)求得。

另外此時(shí)，較佳地，該晶圓彎曲量的差的計(jì)算，至少于與晶圓面內(nèi)的中心以直角相交的X軸、Y軸上的多個(gè)任意的點(diǎn)，計(jì)算出晶圓彎曲量的差。

如此一來(lái)，能更正確的對(duì)晶圓全面的彎曲進(jìn)行評(píng)價(jià)。

并且本發(fā)明更提供一種晶圓的選別方法，系求出以上述之晶圓的彎曲的評(píng)價(jià)方法所求出的晶圓彎曲量的差與光蝕處理的覆蓋不良的有無(wú)發(fā)生的相關(guān)關(guān)系，根據(jù)該相關(guān)關(guān)系而選出未發(fā)生覆蓋不良的晶圓。

借由此選別方法，能輕易的在光蝕處理中選出未發(fā)生覆蓋不良的晶圓。

通過(guò)上述本發(fā)明的晶圓的彎曲的評(píng)價(jià)方法，根據(jù)未吸附的自由狀態(tài)的晶圓的彎曲，導(dǎo)入顯示于吸附晶圓時(shí)因插針夾頭的節(jié)距差異所產(chǎn)生彎曲修正的程度的差的新參數(shù)，并能使用此新參數(shù)評(píng)價(jià)晶圓的彎曲。并且能借由求出本發(fā)明的評(píng)價(jià)方法所求出的晶圓彎曲量的差與光蝕處理的覆蓋不良的有無(wú)發(fā)生的相關(guān)關(guān)系，能輕易的在光蝕處理中選出未發(fā)生覆蓋不良的晶圓。

附圖簡(jiǎn)要說(shuō)明

圖1為顯示本發(fā)明的晶圓的彎曲的評(píng)價(jià)方法的一例的流程圖。

圖2為顯示本發(fā)明的晶圓的彎曲的評(píng)價(jià)方法的插針夾頭彎曲的計(jì)算方法的一例的說(shuō)明圖。

圖3為顯示本發(fā)明的晶圓的彎曲的評(píng)價(jià)方法的對(duì)晶圓全面進(jìn)行插針夾頭彎曲的計(jì)算的一例的說(shuō)明圖。

圖4-1為顯示本發(fā)明的實(shí)施例的樣品1的晶圓全體的彎曲的量測(cè)結(jié)果的曲線圖。

圖4-2為顯示本發(fā)明的實(shí)施例的樣品2的晶圓全體的彎曲的量測(cè)結(jié)果的曲線圖。

圖4-3為顯示本發(fā)明的實(shí)施例的樣品3的晶圓全體的彎曲的量測(cè)結(jié)果的曲線圖。

圖5-1為本發(fā)明的實(shí)施例的樣品1的依照插針夾頭彎曲(20/10與20/5)的計(jì)算結(jié)果所繪制出的曲線圖。

圖5-2為本發(fā)明的實(shí)施例的樣品2的依照插針夾頭彎曲(20/10與20/5)的計(jì)算結(jié)果所繪制出的曲線圖。

圖5-3為本發(fā)明的實(shí)施例的樣品3的依照插針夾頭彎曲(20/10與20/5)的計(jì)算結(jié)果所繪制出的曲線圖。

圖6為顯示吸附于插針夾頭時(shí)的晶圓的形狀的說(shuō)明圖。

圖7為顯示插針夾頭的節(jié)距與晶圓形狀的修正部分的關(guān)系的說(shuō)明圖。

圖8為顯示插針夾頭的節(jié)距與晶圓的延伸的關(guān)系的說(shuō)明圖。

圖9為表示晶圓吸附時(shí)的延伸量X與晶圓的彎曲量Y之間的關(guān)系的說(shuō)明圖。

具體實(shí)施方式

如上所述，近年由于在使用分檔器的光蝕處理中發(fā)生了覆蓋不良的問(wèn)題，于是防止覆蓋不良的發(fā)生成為了課題。

本發(fā)明人著重于光蝕處理中所使用晶圓的形狀，了解到雖然在習(xí)知光蝕處理中有想到借由吸附晶圓內(nèi)面而使內(nèi)面變平，然而實(shí)際其內(nèi)面卻不會(huì)完全變平。

此為雖然能以吸附來(lái)進(jìn)行修正較插針夾頭的節(jié)距為長(zhǎng)的周期(寬度)的晶圓彎曲，較插針夾頭的節(jié)距為短的周期的晶圓彎曲卻無(wú)法借由吸附來(lái)進(jìn)行修正的緣故。

也就是說(shuō)，以不同插針夾頭的節(jié)距的分檔器來(lái)進(jìn)行光蝕處理的狀況下，由于彎曲會(huì)有被修正的位置與不被修正的位置，因此會(huì)如圖7般隨著插針夾頭3的節(jié)距不同而使得晶圓1的形狀的修正位置有所差異。即，根據(jù)彎曲的形狀會(huì)使得圖案伸展和收縮。

另外例如圖8所示，在以吸附于20mm節(jié)距的插針夾頭3所修正出的晶圓1的形狀，以及以吸附于10mm節(jié)距的插針夾頭3所修正出的晶圓1的形狀中，由于后者更加扁平，因此自上方看到的展開(kāi)圖其面積會(huì)變廣，于是會(huì)發(fā)生與晶圓1變形同樣的現(xiàn)象，此被認(rèn)為是覆蓋不良的發(fā)生原因。

另外，在此如圖9般對(duì)晶圓的彎曲量與吸附晶圓時(shí)的延伸量的變化進(jìn)行假設(shè)，并依此計(jì)算出發(fā)生覆蓋不良狀況的彎曲量。圖9中的X為延伸量，Y為彎曲量。

再者，最新的組件芯片的最小電路寬度為20-10nm，假設(shè)其線的寬度，如有一半以上的伸展和收縮，即為覆蓋不良，并對(duì)發(fā)生20nm、10nm、5nm的伸展?fàn)顩r的晶圓的彎曲量進(jìn)行估算。

(1)無(wú)吸附→以節(jié)距25mm的插針夾頭來(lái)進(jìn)行吸附的狀況

延伸量X晶圓的彎曲量Y

20nm 32μm

10nm 22μm

5nm 16μm

(2)自節(jié)距25mm的插針夾頭變更為節(jié)距12.5mm的插針夾頭的狀況

延伸量X晶圓的彎曲量Y

20nm 16μm

10nm 11μm

5nm 7.9μm

(3)自節(jié)距25mm的插針夾頭變更為節(jié)距8.3mm的插針夾頭的狀況

延伸量X晶圓的彎曲量Y

20nm 13μm

10nm 9.1μm

5nm 6.5μm

(4)自節(jié)距25mm的插針夾頭變更為節(jié)距6.25mm的插針夾頭的狀況

延伸量X晶圓的彎曲量Y

20nm 7.9μm

10nm 5.6μm

5nm 4.0μm

實(shí)際上由于彎曲為復(fù)雜的形狀，因此雖然考慮到即使是比求出的彎曲量更小的彎曲也會(huì)成為覆蓋不良的原因，但如上述計(jì)算結(jié)果所示，只要在節(jié)距25mm之中有數(shù)μm的凹凸，便會(huì)發(fā)生5nm以上的伸展之緣故，所以認(rèn)定為是覆蓋不良的原因。

從以上得知，本發(fā)明人想到在使用不同插針夾頭的節(jié)距的分檔器來(lái)吸附晶圓時(shí)，如果因插針夾頭的節(jié)距的差異所造成的晶圓的彎曲的修正度的差異變小，就不容易發(fā)生覆蓋不良，而發(fā)現(xiàn)到借由導(dǎo)入顯示因插針夾頭的節(jié)距差異所造成的彎曲的修正程度的差異的新參數(shù)，能對(duì)覆蓋不良相關(guān)的晶圓的彎曲進(jìn)行評(píng)價(jià)，從而完成本發(fā)明。

即，本發(fā)明為一種晶圓的彎曲的評(píng)價(jià)方法，包含：

第一步驟，測(cè)量未吸附的自由狀態(tài)的晶圓的彎曲；以及第二步驟，使用該經(jīng)測(cè)量的晶圓的彎曲的數(shù)據(jù)，求出于通過(guò)晶圓面內(nèi)的任意的點(diǎn)P的直線上以該點(diǎn)P作為中心而與該點(diǎn)P相隔距離a的點(diǎn)Q¹與點(diǎn)Q²的兩點(diǎn)之間的晶圓彎曲量A，以及求出于同一直在線以該點(diǎn)P作為中心而與該點(diǎn)P相隔不同于距離a的距離b的點(diǎn)R¹與點(diǎn)R²的兩點(diǎn)之間的晶圓彎曲量B，根據(jù)該晶圓彎曲量A與該晶圓彎曲量B計(jì)算出于該點(diǎn)P中晶圓彎曲量的差，并根據(jù)所計(jì)算出的該晶圓彎曲量的差而評(píng)價(jià)晶圓的彎曲。

以下詳細(xì)說(shuō)明關(guān)于本發(fā)明，但本發(fā)明并未被限定于此。

圖1為顯示本發(fā)明的晶圓的彎曲的評(píng)價(jià)方法的一例的流程圖。

在本發(fā)明的晶圓的彎曲的評(píng)價(jià)方法中，首先作為第一步驟(Ⅰ)，測(cè)量未吸附的自由狀態(tài)的晶圓的彎曲。其次作為第二步驟(Ⅱ)，計(jì)算出晶圓面內(nèi)的任意的點(diǎn)之中晶圓彎曲量的差。其次作為第三步驟(Ⅲ)，根據(jù)計(jì)算出的插針夾頭彎曲來(lái)評(píng)價(jià)晶圓的彎曲。

以下詳細(xì)說(shuō)明各步驟。

＜第一步驟＞

在本發(fā)明的晶圓的彎曲的評(píng)價(jià)方法的第一步驟中，測(cè)量未吸附的自由狀態(tài)的晶圓的彎曲(圖1(Ⅰ))。

作為晶圓并無(wú)特別限定，例如一般用于光蝕處理中的單晶硅晶圓能適合用于本發(fā)明。

另外，晶圓的彎曲的測(cè)量，能使用已知可測(cè)量未吸附的自由狀態(tài)的晶圓的彎曲的裝置或方法來(lái)測(cè)量。

＜第二步驟＞

在本發(fā)明的晶圓的彎曲的評(píng)價(jià)方法的第二步驟中，使用上述第一步驟所測(cè)量出的晶圓的彎曲的數(shù)據(jù)，求出于通過(guò)晶圓面內(nèi)的任意的點(diǎn)P的直線上以該點(diǎn)P作為中心而與該點(diǎn)P相隔距離a的點(diǎn)Q¹與點(diǎn)Q²的兩點(diǎn)之間的晶圓彎曲量A，以及求出于同一直在線以該點(diǎn)P作為中心而與該點(diǎn)P相隔不同于距離a的距離b的點(diǎn)R¹與點(diǎn)R²的兩點(diǎn)之間的晶圓彎曲量B，根據(jù)該晶圓彎曲量A與該晶圓彎曲量B計(jì)算出于該點(diǎn)P中晶圓彎曲量的差(插針夾頭彎曲)(圖2(Ⅱ))。

以下，同時(shí)參考圖2并進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明插針夾頭彎曲的計(jì)算方法。

首先，求出于通過(guò)晶圓面內(nèi)的任意的點(diǎn)P的直線上以點(diǎn)P作為中心而與點(diǎn)P相隔距離a的點(diǎn)Q¹與點(diǎn)Q²的兩點(diǎn)之間的晶圓彎曲量A(參考圖2(i))。

此時(shí)，例如晶圓彎曲量A如圖2所示，能夠自將與點(diǎn)P相隔距離a的點(diǎn)Q¹與點(diǎn)Q²的兩點(diǎn)之間的晶圓內(nèi)面的高度設(shè)為0時(shí)的點(diǎn)P處的晶圓表面的高度(圖中的箭頭處)來(lái)求得。

再者，也得以將點(diǎn)Q¹與點(diǎn)Q²的兩點(diǎn)的晶圓內(nèi)面的高度設(shè)為0，根據(jù)點(diǎn)P的晶圓內(nèi)面的高度求得晶圓彎曲量A，晶圓彎曲量A與后述的晶圓彎曲量B也得以根據(jù)相同的基準(zhǔn)來(lái)進(jìn)行計(jì)算。

接下來(lái)，求出與點(diǎn)P、點(diǎn)Q¹、點(diǎn)Q²于同一直在線以點(diǎn)P作為中心而與點(diǎn)P相隔不同于距離a的距離b的點(diǎn)R¹與點(diǎn)R²的兩點(diǎn)之間的晶圓彎曲量B(參考圖2(i))。

此晶圓彎曲量B也能以與晶圓彎曲量A相同的方式進(jìn)行計(jì)算。

接下來(lái)，根據(jù)上述所求出的晶圓彎曲量A與晶圓彎曲量B計(jì)算出于點(diǎn)P中晶圓彎曲量的差(插針夾頭彎曲)(參考圖2(iii))

據(jù)此得以計(jì)算出插針夾頭彎曲＝(晶圓彎曲量A)-(晶圓彎曲量B)。

再者，本說(shuō)明書中，于插針夾頭彎曲之后有時(shí)會(huì)記載有插針夾頭的節(jié)距的狀況。

此時(shí)，由于點(diǎn)Q¹與點(diǎn)Q²的兩點(diǎn)之間的距離(2a)以及點(diǎn)R¹與點(diǎn)R²的兩點(diǎn)之間的距離(2b)與插針夾頭的節(jié)距相當(dāng)，因此記載為“插針夾頭彎曲2a/2b”。例如，將距離a設(shè)為10mm、距離b設(shè)為5mm時(shí)的插針夾頭彎曲為“插針夾頭彎曲20/10”。

如圖2的(i)般以大的周期平滑地變化形狀的插針夾頭彎曲的小的晶圓，例如即使以20mm節(jié)距的插針夾頭來(lái)吸附，或是以5mm節(jié)距的插針夾頭來(lái)吸附，其表面形狀不容易變化。因此，即使晶圓全體的彎曲值變大覆蓋不良也不容易發(fā)生。另一方面，如圖2的(ii)般以短的周期變化形狀的插針夾頭彎曲的大的晶圓，由于根據(jù)節(jié)距的差異使得表面形狀的變化變大，因此容易發(fā)生覆蓋不良。

較佳地，距離a及距離b為在0.5～12.5mm之間，且(距離a-距離b)≧5mm。

為了使其適用于現(xiàn)在分檔器、掃描儀的主流拍攝面積為35×25mm，因此將插針夾頭的節(jié)距定為1～25mm，當(dāng)然距離a以及距離b并非限定于此范圍內(nèi)。

另外，由于借由(距離a-距離b)≧5mm，而使Q¹、Q²間的距離與R¹與R²間的距離的差變大，而能反映出晶圓的彎曲進(jìn)而計(jì)算出插針夾頭彎曲。

另外較佳的，插針夾頭彎曲的計(jì)算，至少于與晶圓面內(nèi)的中心以直角相交的X軸、Y軸上的多個(gè)任意的點(diǎn)，計(jì)算出插針夾頭彎曲。借由X軸、Y軸上的多個(gè)位置計(jì)算出插針夾頭彎曲，能更正確的對(duì)晶圓全面的彎曲進(jìn)行評(píng)價(jià)。另外，也能相對(duì)于X軸、Y軸而計(jì)算出對(duì)角方向的直線上的插針夾頭彎曲。

另外，于晶圓全面進(jìn)行插針夾頭彎曲的計(jì)算，能更正確的對(duì)晶圓全面的彎曲進(jìn)行評(píng)價(jià)。此時(shí)較佳地，計(jì)算出縱向橫向1～20mm間隔的直線上的插針夾頭彎曲。圖3是顯示以晶圓全面計(jì)算出縱向橫向20mm間隔的直線上的插針夾頭彎曲的例子。

另外，以同一直在線的多個(gè)位置而計(jì)算出插針夾頭彎曲時(shí)，例如以1mm的間隔進(jìn)行插針夾頭彎曲的計(jì)算，能更正確的對(duì)晶圓的彎曲進(jìn)行評(píng)價(jià)。當(dāng)然此間隔并非限定于1mm，也可以是任意的間隔。

以下，更具體的說(shuō)明本發(fā)明的評(píng)價(jià)方法。

1.在自由狀態(tài)下測(cè)量晶圓的彎曲。

2.求出任意的點(diǎn)的插針夾頭彎曲。

不吸附晶圓并根據(jù)1所求出的自由的狀態(tài)的彎曲來(lái)求出晶圓的內(nèi)面吸附于分檔器時(shí)的插針夾頭間所產(chǎn)生的彎曲量。

3.將X軸、Y軸的任意的點(diǎn)的兩側(cè)10mm的點(diǎn)(20mm間隔的狀況；即a＝10mm)的內(nèi)面高度設(shè)為0的狀況，直接以當(dāng)下的晶圓形狀而求出任意的點(diǎn)的表面高度A(晶圓彎曲量)。

4.同樣的將兩側(cè)2.5mm的點(diǎn)(5mm間隔的狀況；即b＝2.5mm)的內(nèi)面高度設(shè)為0的狀況而求出任意的點(diǎn)的表面高度B(晶圓彎曲量)。

5.上述3、4以1mm節(jié)距對(duì)X軸、Y軸全區(qū)域進(jìn)行求出。

6.將高度A與高度B的差定為其點(diǎn)的插針夾頭彎曲20/5，如果數(shù)值大的狀況即稱為插針夾頭的節(jié)距改變的狀況的差為大，能評(píng)價(jià)為容易發(fā)生覆蓋不良的晶圓(圖1(Ⅲ))。

并且，本發(fā)明提供一種晶圓的選別方法，求出以上述晶圓的彎曲的評(píng)價(jià)方法所求出的插針夾頭彎曲與光蝕處理的覆蓋不良的有無(wú)發(fā)生的相關(guān)關(guān)系，根據(jù)該相關(guān)關(guān)系而選出未發(fā)生覆蓋不良的晶圓。

借由此選別方法，能輕易的在光蝕處理中選出未發(fā)生覆蓋不良的晶圓。

通過(guò)上述本發(fā)明的晶圓的彎曲的評(píng)價(jià)方法，根據(jù)未吸附的自由狀態(tài)的晶圓的彎曲，導(dǎo)入顯示于吸附晶圓時(shí)因插針夾頭的節(jié)距差異所產(chǎn)生的彎曲的修正程度的差的新參數(shù)，并能使用此新參數(shù)評(píng)價(jià)晶圓的彎曲。并且借由求出本發(fā)明的評(píng)價(jià)方法所求出的晶圓彎曲量的差與光蝕處理的覆蓋不良的有無(wú)發(fā)生的相關(guān)關(guān)系，能輕易的在光蝕處理中選出未發(fā)生覆蓋不良的晶圓。

實(shí)施例

以下使用實(shí)施例具體說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并未被限定于此。

[實(shí)施例]

準(zhǔn)備三個(gè)直徑300mm的硅晶圓樣品(分別定為樣品1～3)，使用神戶制鋼科研所(KOBELCO RESEARCH INSTITUTE,INC.)的SBW-330測(cè)量未吸附的自由狀態(tài)的晶圓的彎曲。再者，晶圓的彎曲系以通過(guò)晶圓中心的4條線(X軸、Y軸、以及相對(duì)X軸、Y軸對(duì)角方向的直線)來(lái)進(jìn)行測(cè)量，其測(cè)量結(jié)果顯示于圖4-1～3。

如圖4-1所示，樣品1的晶圓全體的彎曲約為-24～18μm，如圖4-2所示，樣品2的晶圓全體的彎曲約為-45～45μm，如圖4-3所示，樣品3的晶圓全體的彎曲約為-18～15μm。

接下來(lái)，對(duì)于上述經(jīng)測(cè)量的晶圓的彎曲之樣品1～3，計(jì)算出插針夾頭彎曲20/10與插針夾頭彎曲20/5。再者，于通過(guò)缺口到晶圓中心的直線上的端點(diǎn)到端點(diǎn)以1mm間隔來(lái)進(jìn)行計(jì)算而求出插針夾頭彎曲。

將計(jì)算出的樣品1～3的插針夾頭彎曲20/10與插針夾頭彎曲20/5顯示于圖5-1～3。

如圖5-1所示，樣品1的插針夾頭彎曲20/10與插針夾頭彎曲20/5其絕對(duì)值在約0.45μm以下，如圖5-2所示，樣品2的插針夾頭彎曲20/10與插針夾頭彎曲20/5其絕對(duì)值在約0.50μm以下，如圖5-3所示，樣品3的插針夾頭彎曲20/10與插針夾頭彎曲20/5其絕對(duì)值在約0.30μm以下。

接下來(lái)，使用樣品1～3實(shí)際進(jìn)行光蝕處理當(dāng)中，雖然在樣品1與樣品2發(fā)生了覆蓋不良，但在樣品3并未發(fā)生覆蓋不良。

如上所述，雖然樣品2的晶圓全體的彎曲與其他兩個(gè)的樣品相比為大，樣品1與樣品3的晶圓全體的彎曲為同等程度，因此可以得知要從晶圓全體的彎曲中選出不會(huì)發(fā)生覆蓋不良的晶圓(樣品3)是很困難的。

另一方面，如果借由導(dǎo)入本發(fā)明的評(píng)價(jià)方法之使用插針夾頭彎曲的評(píng)價(jià)方法，由于能夠區(qū)別出上述其插針夾頭彎曲為大的樣品1與樣品2，與插針夾頭彎曲為小的樣品3，因此能輕易選出不發(fā)生覆蓋不良的晶圓(樣品3)。

通過(guò)上述本發(fā)明的評(píng)價(jià)方法，借由導(dǎo)入顯示于吸附晶圓時(shí)因插針夾頭的節(jié)距差異所產(chǎn)生的彎曲的修正程度的差的新參數(shù)，由于能評(píng)價(jià)與覆蓋不良相關(guān)之晶圓的彎曲，而清楚得知自求出的晶圓彎曲量的差，能輕易的選出未發(fā)生覆蓋不良的晶圓。

此外，本發(fā)明并未被限定于上述實(shí)施例，上述實(shí)施例為例示，凡具有與本發(fā)明的申請(qǐng)專利范圍所記載的技術(shù)思想實(shí)質(zhì)上相同的構(gòu)成，能得到同樣的作用效果者，皆被包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。