一種抗彎曲光纖耦合器及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種抗彎曲光纖耦合器的制造方法，包括去除光纖涂覆層、抗彎曲光纖與常規(guī)光纖的接續(xù)、熔融拉錐及固定于基板、一次封裝和二次封裝等步驟。一種抗彎曲光纖耦合器，其包括兩根光纖，每根光纖包括設(shè)置在中間的長(zhǎng)度為10~15mm的常規(guī)光纖，還包括設(shè)置在該常規(guī)光纖兩端的抗彎曲光纖，兩根常規(guī)光纖相互熔融在一起，形成兩頭大中間小的耦合錐體，再由防水膠將所述耦合錐體固定于石英基板內(nèi)。本發(fā)明的一種抗彎曲光纖耦合器及其制造方法，能大幅度地縮小光纖耦合器模塊的尺寸。
【專利說(shuō)明】一種抗彎曲光纖耦合器及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明專利涉及光通訊、光傳感及測(cè)試應(yīng)用的光無(wú)源器件，尤其是一種抗彎曲光纖耦合器及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在光纖耦合器的組裝工藝中，其模塊盒的尺寸取決于光纖耦合器大小和光纖的彎曲直徑，而光纖I禹合器的常規(guī)大小為45?54mm,若以腐蝕方式或小火頭方式來(lái)縮短拉錐長(zhǎng)度，其所做成的器件大小約為30?40mm左右，但仍受到常規(guī)光纖彎曲半徑太大的限制，其模塊盒長(zhǎng)度大小也只能減少15_左右，而本發(fā)明所做成的抗彎曲光纖耦合器，其器件長(zhǎng)度雖維持不變，但因采用了抗彎曲的光纖，其彎曲半徑可大幅縮小，可由常規(guī)光纖的彎曲半徑60mm降至5?15_，視所采用的抗彎曲光纖種類而定，如此所制造出的抗彎曲光纖耦合器，可組裝在60x40x10mm的模塊盒內(nèi)，比組裝常規(guī)光纖稱合器所需模塊盒100x80x10mm小許多，大大提高通信機(jī)房空間的利用率。
[0003]在過(guò)去一直未克服抗彎曲光纖在拉錐時(shí)額外損耗大的問(wèn)題，所以很難制造出抗彎曲光纖耦合器，本發(fā)明采用一小段常規(guī)光纖來(lái)代替抗彎曲光纖，其間以熔接機(jī)做接續(xù)，由于抗彎曲光纖的模場(chǎng)直徑能跟常規(guī)光纖兼容，所以其跟常規(guī)光纖的接續(xù)損耗很小，經(jīng)專業(yè)的技術(shù)員調(diào)整熔接參數(shù)之后，每一接點(diǎn)的損耗可小于0.05dB,因此可具體實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種抗彎曲光纖耦合器及其制造方法，能大幅度地縮小光纖耦合器模塊的尺寸。
[0005]本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問(wèn)題的:一種抗彎曲光纖耦合器的制造方法，包括以下步驟:
[0006]步驟1.去除光纖涂覆層:分別去除抗彎曲光纖涂覆層和一小段待耦合區(qū)域的常規(guī)光纖涂覆層，并擦拭干凈；
[0007]步驟2.做接續(xù):在一小段常規(guī)光纖的兩端分別與抗彎曲光纖做接續(xù)，然后將接續(xù)好的光纖線取出并保持干凈；
[0008]步驟3.熔融拉錐及固定于基板:將兩根經(jīng)步驟2接續(xù)好的光纖線進(jìn)行打絞或平行緊靠，使常規(guī)光纖的待耦合區(qū)域相互緊靠，并固定在拉錐夾具上，再加熱熔融待耦合區(qū)域并向兩端拉伸，使兩根常規(guī)光纖相互熔融在一起，形成兩頭大中間小的耦合錐體，再用防水膠將所述耦合錐體固定于石英基板內(nèi)；
[0009]步驟4.一次封裝:用玻璃管或熱縮管套住石英基板并熱縮，然后于兩端以另一種防水膠封口，以完成一次封裝的半成品；
[0010]步驟5.二次封裝:將所完成一次封裝半成品放入一金屬管內(nèi)，在一次封裝半成品與金屬管內(nèi)壁之間，以及一次封裝半成品的左右兩邊填充硅膠，使一次封裝半成品完全密封于整個(gè)金屬管內(nèi)，如此完成一抗彎曲光纖耦合器。[0011]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述步驟I中抗彎曲光纖是指同時(shí)滿足ITU-T G652D和ITU-T G.657A2/B2的抗彎曲光纖。
[0012]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述步驟I中抗彎曲光纖是指同時(shí)滿足ITU-T G652D和ITU-T G.657B3的抗彎曲光纖。
[0013]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述步驟2中是采用一小段常規(guī)光纖來(lái)代替抗彎曲光纖做熔融拉錐，其長(zhǎng)度為10?15mm。
[0014]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述步驟4中接續(xù)點(diǎn)是封裝在石英基板內(nèi)，以膠固定確保其機(jī)械強(qiáng)度。
[0015]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，步驟2中在一小段常規(guī)光纖的兩端分別以熔接機(jī)跟抗彎曲光纖做接續(xù)。
[0016]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，步驟3中，用火焰或加熱器加熱熔融待耦合區(qū)域并向兩端拉伸，使兩根常規(guī)光纖相互熔融在一起。
[0017]—種抗彎曲光纖稱合器，其包括兩根光纖，每根光纖包括設(shè)置在中間的長(zhǎng)度為10?15mm的常規(guī)光纖,還包括設(shè)置在該常規(guī)光纖兩端的抗彎曲光纖,兩根常規(guī)光纖相互熔融在一起，形成兩頭大中間小的耦合錐體，再由防水膠將所述耦合錐體固定于石英基板內(nèi)；
[0018]由玻璃管或熱縮管套住石英基板，然后于兩端以另一種防水膠封口，以完成一次封裝的半成品，一次封裝半成品設(shè)置在一金屬管內(nèi)，在一次封裝半成品與金屬管內(nèi)壁之間，以及一次封裝半成品的左右兩邊設(shè)置硅膠，使一次封裝半成品完全密封于整個(gè)金屬管內(nèi)。
[0019]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，抗彎曲光纖是指同時(shí)滿足ITU-T G652D和ITU-TG.657A2/B2的抗彎曲光纖。
[0020]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，抗彎曲光纖是指同時(shí)滿足ITU-T G652D和ITU-TG.657B3的抗彎曲光纖。
[0021]本發(fā)明的有益效果是:
[0022]本發(fā)明采用一小段常規(guī)光纖來(lái)代替抗彎曲光纖，其間以熔接機(jī)做接續(xù)，以克服抗彎曲光纖本身在拉錐時(shí)不易耦合、額外損耗大的問(wèn)題，如此所制造出的抗彎曲光纖耦合器，可組裝在60x40x10mm的模塊盒內(nèi)，比組裝常規(guī)光纖稱合器所需模塊盒100x80x10mm小許多，大大提高通信機(jī)房空間的利用率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1為常規(guī)光纖耦合器結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0024]圖2為本發(fā)明抗彎曲光纖耦合器結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0025]圖3為完成溶融拉維及固定基板之半成品說(shuō)明圖；
[0026]圖4為完成一次封裝半成品說(shuō)明圖；
[0027]圖5為完成二次封裝成品說(shuō)明圖。
[0028]圖中各部件名稱如下:
[0029]la, lb, lc, Id 是指同時(shí)滿足 ITU-T G652D 和 ITU-T G.657A2/B2 (例 Corning LBLFiber)或ITU-T G.657B3 (這三個(gè)帶有英文的簡(jiǎn)稱是國(guó)際光纖的標(biāo)準(zhǔn)名稱)的抗彎曲光纖(例 Corning ZBL Fiber)。[0030]
【權(quán)利要求】
1.一種抗彎曲光纖耦合器的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟1.去除光纖涂覆層:分別去除抗彎曲光纖涂覆層和一小段待耦合區(qū)域的常規(guī)光纖涂覆層，并擦拭干凈； 步驟2.做接續(xù):在一小段常規(guī)光纖的兩端分別與抗彎曲光纖做接續(xù)，然后將接續(xù)好的光纖線取出并保持干凈； 步驟3.熔融拉錐及固定于基板:將兩根經(jīng)步驟2接續(xù)好的光纖線進(jìn)行打絞或平行緊靠，使常規(guī)光纖的待耦合區(qū)域相互緊靠，并固定在拉錐夾具上，再加熱熔融待耦合區(qū)域并向兩端拉伸，使兩根常規(guī)光纖相互熔融在一起，形成兩頭大中間小的耦合錐體，再用防水膠將所述耦合錐體固定于石英基板內(nèi)； 步驟4.一次封裝:用玻璃管或熱縮管套住石英基板并熱縮，然后于兩端以另一種防水膠封口，以完成一次封裝的半成品； 步驟5.二次封裝:將所完成一次封裝半成品放入一金屬管內(nèi)，在一次封裝半成品與金屬管內(nèi)壁之間，以及一次封裝半成品的左右兩邊填充硅膠，使一次封裝半成品完全密封于整個(gè)金屬管內(nèi)，如此完成一抗彎曲光纖耦合器。
2.如權(quán)利要求1所述的抗彎曲光纖耦合器的制造方法，其特征在于:所述步驟I中抗彎曲光纖是指同時(shí)滿足ITU-T G652D和ITU-T G.657 A2/B2的抗彎曲光纖。
3.如權(quán)利要求1所述的抗彎曲光纖耦合器的制造方法，其特征在于:所述步驟I中抗彎曲光纖是指同時(shí)滿 足ITU-T G652D和ITU-T G.657 B3的抗彎曲光纖。
4.如權(quán)利要求1所述的抗彎曲光纖耦合器的制造方法，其特征在于:所述步驟2中是采用一小段常規(guī)光纖來(lái)代替抗彎曲光纖做熔融拉錐，其長(zhǎng)度為l(Tl5mm。
5.如權(quán)利要求1所述的抗彎曲光纖耦合器的制造方法，其特征在于:所述步驟4中接續(xù)點(diǎn)是封裝在石英基板內(nèi)，以膠固定確保其機(jī)械強(qiáng)度。
6.如權(quán)利要求1所述的抗彎曲光纖耦合器的制造方法，其特征在于:步驟2中在一小段常規(guī)光纖的兩端分別以熔接機(jī)跟抗彎曲光纖做接續(xù)。
7.如權(quán)利要求1所述的抗彎曲光纖耦合器的制造方法，其特征在于:步驟3中，用火焰或加熱器加熱熔融待耦合區(qū)域并向兩端拉伸，使兩根常規(guī)光纖相互熔融在一起。
8.一種抗彎曲光纖稱合器，其特征在于:其包括兩根光纖，每根光纖包括設(shè)置在中間的長(zhǎng)度為10-15_的常規(guī)光纖，還包括設(shè)置在該常規(guī)光纖兩端的抗彎曲光纖，兩根常規(guī)光纖相互熔融在一起，形成兩頭大中間小的耦合錐體，再由防水膠將所述耦合錐體固定于石英基板內(nèi)； 由玻璃管或熱縮管套住石英基板，然后于兩端以另一種防水膠封口，以完成一次封裝的半成品，一次封裝半成品設(shè)置在一金屬管內(nèi)，在一次封裝半成品與金屬管內(nèi)壁之間，以及一次封裝半成品的左右兩邊設(shè)置硅膠，使一次封裝半成品完全密封于整個(gè)金屬管內(nèi)。
9.如權(quán)利要求8所述的抗彎曲光纖耦合器，其特征在于:抗彎曲光纖是指同時(shí)滿足ITU-T G652D 和 ITU-T G.657 Α2/Β2 的抗彎曲光纖。
10.如權(quán)利要求8所述的抗彎曲光纖耦合器，其特征在于:抗彎曲光纖是指同時(shí)滿足ITU-T G652D 和 ITU-T G.657 Β3 的抗彎曲光纖。
【文檔編號(hào)】G02B6/255GK103792620SQ201410060448
【公開(kāi)日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2014年2月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月21日
【發(fā)明者】郭文基, 檀立法 申請(qǐng)人:嘉隆科技（深圳）有限公司