一種檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法以及掩膜板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例公開了一種檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法以及掩膜板，涉及顯示【技術領域】，可以準確檢測出彩膜基板中各結構單元層間位置偏差量。本發(fā)明實施例提供的方法，包括：使用至少包括第一結構單元圖形、第一位置標識圖形的第一掩膜板形成彩膜基板中的第一結構單元以及第一位置標識，第一位置標識位于彩膜基板的顯示區(qū)域內(nèi)，用于表征第一結構單元的位置；使用至少包括第二結構單元圖形、第一覆蓋區(qū)圖形的第二掩膜板形成彩膜基板中的第二結構單元以及第一覆蓋區(qū)，第一覆蓋區(qū)圖形位于彩膜基板的顯示區(qū)域內(nèi)，用于表征所述第二結構單元的位置；根據(jù)第一位置標識與第一覆蓋區(qū)之間的位置偏移量，確定第一結構單元與第二結構單元之間的位置偏移量。
【專利說明】一種檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法以及掩膜板
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法以及掩膜板。
【背景技術】
[0002]隨著顯示技術的不斷發(fā)展和提高，各大面板生產(chǎn)廠商紛紛投資新世代生產(chǎn)線，以期生產(chǎn)出更大尺寸、更清晰畫質(zhì)的顯示面板。彩膜基板作為顯示面板的重要組成部分，其工藝精度對顯示面板顯示出的畫面品質(zhì)起著決定性的作用。
[0003]如圖1所示，通常來說現(xiàn)有技術彩膜基板包括如下結構:基板1、背板ITO膜2、黑矩陣3、彩色濾光膜層4、保護膜層5以及柱狀隔墊物6。在制備包括上述結構的彩膜基板過程中，例如:在形成黑矩陣3的基板上形成彩色濾光膜層4或者形成柱狀隔墊物6時，現(xiàn)有制備工藝通常利用接近式曝光工藝，其形成的彩色濾光膜層4或者柱狀隔墊物6與黑矩陣3之間的位置關系可由設置在彩膜基板顯示區(qū)域外的位置標識來確定。
[0004]然而，當顯示面板尺寸增大時，構成顯示面板的彩膜基板尺寸也隨之增大了。此時，制備較大尺寸的彩膜基板通常利用拼接曝光技術，通過尺寸相對較小的掩膜板圖形進行多次分布曝光來完成彩膜基板中包括的各結構單元的制備過程。
[0005]在實現(xiàn)上述較大尺寸彩膜基板的制備過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術中至少存在如下問題:由于彩膜基板尺寸較大(尤其是彩膜基板顯示區(qū)域的尺寸大于掩膜板的尺寸)，導致無法利用設置在彩膜基板顯示區(qū)域外的位置標識來確定彩膜基板中各結構單元相互之間的位置關系。因此，當彩膜基板中各結構單元相互之間的位置出現(xiàn)偏差時，技術人員無法確定偏差量并對該偏差進行補正。這會導致彩膜基板出現(xiàn)一系列的問題，例如:當彩色濾光膜與黑矩陣之間存在偏差時，為彌補該偏差通常會加寬彩色濾光膜的線寬。但這將增大黑矩陣與彩色濾光膜之間的重疊區(qū)域面積，從而導致扭角段差增加，對顯示品質(zhì)不利；又或者，當柱狀隔墊物的位置出現(xiàn)偏差，該偏差可能引起顯示面板對盒出現(xiàn)問題，造成不良，降低良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實施例提供一種檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法以及掩膜板，利用上述方法可以準確檢測出大尺寸彩膜基板中各結構單元層間位置是否存在偏差以及偏差量，從而實現(xiàn)對大尺寸彩膜基板各結構單元之間位置的準確控制。
[0007]為解決上述技術問題，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案:
[0008]一種檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法，包括:
[0009]使用至少包括第一結構單元圖形、第一位置標識圖形的第一掩膜板形成所述彩膜基板中的第一結構單元以及第一位置標識，所述第一位置標識位于所述彩膜基板的顯示區(qū)域內(nèi)，用于表征所述第一結構單元的位置；
[0010]使用至少包括第二結構單元圖形、第一覆蓋區(qū)圖形的第二掩膜板形成所述彩膜基板中的第二結構單元以及第一覆蓋區(qū)，所述第一覆蓋區(qū)圖形位于所述彩膜基板的顯示區(qū)域內(nèi)，用于表征所述第二結構單元的位置；
[0011]根據(jù)所述第一位置標識與所述第一覆蓋區(qū)之間的位置偏移量，確定所述第一結構單元與所述第二結構單元之間的偏移量。
[0012]進一步的，當所述第一結構單元為黑矩陣，所述第二結構單元為彩色濾光膜時，根據(jù)所述第一位置標識與所述第一覆蓋區(qū)之間的位置偏移量，確定黑矩陣與彩色濾光膜之間的位置偏移量。
[0013]進一步的，當所述第一結構單元為黑矩陣，所述第二結構單元為柱狀隔墊物時，根據(jù)所述第一位置標識與所述第一覆蓋區(qū)之間的位置偏移量，確定黑矩陣與柱狀隔墊物之間的偏移量。
[0014]優(yōu)選的，所述第一覆蓋區(qū)的所占面積不小于所述第一位置標識的所占面積；所述第一位置標識的直徑為15?40 μ m,所述第一覆蓋區(qū)的直徑為40?60 μ m。
[0015]優(yōu)選的，所述第一位置標識的形狀為長方形、三角形、圓形、正方形、菱形、十字形、星形中的任意一種。
[0016]優(yōu)選的，所述第一覆蓋區(qū)的形狀為長方形、三角形、圓形、正方形、菱形、十字形、星形中的任意一種。
[0017]優(yōu)選的，形成的所述第一位置標識位于黑矩陣圖形內(nèi)部。
[0018]優(yōu)選的，形成的所述第一覆蓋區(qū)位于黑矩陣圖形內(nèi)部。
[0019]另一方面，本發(fā)明還提供了一種掩膜板，至少包括用于形成彩膜基板結構單元的結構單元圖形，所述掩膜板還包括:第一位置標識圖形，用于在彩膜基板上形成第一位置標識；
[0020]或第一覆蓋區(qū)圖形，用于在彩膜基板上形成第一覆蓋區(qū)；
[0021]其中，第一位置標識或第一覆蓋區(qū)位于彩膜基板的顯示區(qū)域內(nèi)，用于表征所述結構單元的位置。
[0022]本發(fā)明實施例提供的一種檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法以及掩膜板，使用第一掩膜板形成彩膜基板中的第一結構單元以及第一位置標識，第一位置標識位于顯示區(qū)域內(nèi)；使用第二掩膜板形成彩膜基板中第二結構單元以及第一覆蓋區(qū)，利用第一位置標識表征第一結構單元的位置利用第一覆蓋區(qū)表征第二結構單元的位置。通過第一位置標識與第一覆蓋區(qū)之間位置偏移量確定彩膜基板中第一結構單元與第二結構單元之間的位置偏移量，從而實現(xiàn)對大尺寸彩膜基板各結構單元之間位置的準確控制。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1為現(xiàn)有技術彩膜基板的結構示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明實施例檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法流程圖；
[0026]圖3為利用本發(fā)明實施例檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法測算黑矩陣與彩色濾光膜之間偏移量的示意圖之一；
[0027]圖4為利用本發(fā)明實施例檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法測算黑矩陣與彩色濾光膜之間偏移量的示意圖之二；
[0028]圖5為利用本發(fā)明實施例檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法測算黑矩陣與柱狀隔墊物之間偏移量的示意圖之一；
[0029]圖6為利用本發(fā)明實施例檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法測算黑矩陣與柱狀隔墊物之間偏移量的示意圖之二。
【具體實施方式】
[0030]為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例的附圖，對本發(fā)明實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實施例，本領域普通技術人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0031]本發(fā)明實施例提供了一種檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法以及掩膜板，利用上述方法可以準確檢測出大尺寸彩膜基板中各結構單元層間位置是否存在偏差以及偏差量，從而實現(xiàn)對大尺寸彩膜基板各結構單元之間位置的準確控制。
[0032]以下描述中，為了說明而不是為了限定，提出了諸如特定系統(tǒng)結構、接口、技術之類的具體細節(jié)，以便透切理解本發(fā)明。然而，本領域的技術人員應當清楚，在沒有這些具體細節(jié)的其它實施例中也可以實現(xiàn)本發(fā)明。在其它情況中，省略對眾所周知的裝置、電路以及方法的詳細說明，以免不必要的細節(jié)妨礙本發(fā)明的描述。
[0033]下面結合【具體實施方式】對本發(fā)明實施例做詳細描述。
[0034]本發(fā)明實施例提供了一種檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法，如圖2所示，其中，該方法包括:
[0035]步驟SlOl:使用至少包括第一結構單元圖形、第一位置標識圖形的第一掩膜板形成彩膜基板中的第一結構單元以及第一位置標識，第一位置標識位于彩膜基板的顯示區(qū)域內(nèi)，用于表征所述第一結構單元的位置；
[0036]本發(fā)明實施例提供的一種檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法可針對如圖1所示的彩膜基板，也可針對其他常見結構的彩膜基板。本領域技術人員可以理解的是，對彩膜基板的具體結構的描述并不應該看作是對本發(fā)明實施例的進一步限定。
[0037]在本步驟中，首先，形成彩膜基板中包括的第一結構單元以及第一位置標識。具體的，使用至少包括第一結構單元圖形、第一位置標識圖形的第一掩膜板，通過涂膠、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等構圖工藝步驟，形成所述彩膜基板中的第一結構單元以及第一位置標識。其中，第一位置標識位于彩膜基板顯示區(qū)域內(nèi)，用于表征第一結構單元的位置；進一步的，例如:第一位置標識既可位于第一結構單元圖形的內(nèi)部且彩膜基板顯示區(qū)域內(nèi)；或者，第一位置標識又可位于第一結構單元圖形的外部，且彩膜基板顯示區(qū)域內(nèi)。
[0038]優(yōu)選的，第一位置標識與第一結構單元通過同一次構圖工藝完成。因此，優(yōu)選的，第一位置標識與第一結構單兀形成在彩膜基板的同一層上。優(yōu)選的，第一位置標識位于彩膜基板上的黑矩陣中。需要說明的是，彩膜基板中黑矩陣用于標記像素單元的位置且具有防止漏光的效果，將第一位置標識形成在黑矩陣圖形內(nèi)部，可避免第一位置標識影響彩膜基板性能。因此，形成的第一位置標識位于黑矩陣圖形內(nèi)部是一種較為優(yōu)選的選擇。
[0039]需要說明的是，第一結構單元以及第一位置標識均是使用第一掩膜板形成的。因此第一位置標識的位置即表征了第一結構單元的位置，通過第一掩膜板來確定。
[0040]步驟S102:使用至少包括第二結構單元圖形、第一覆蓋區(qū)圖形的第二掩膜板形成彩膜基板中的第二結構單元以及第一覆蓋區(qū)，第一覆蓋區(qū)圖形位于所述彩膜基板的顯示區(qū)域內(nèi)，用于表征所述第二結構單元的位置；
[0041]在完成上述步驟SlOl的基礎上，在本步驟中，形成彩膜基板中包括的第二結構單元以及第一覆蓋區(qū)。具體的，使用至少包括第二結構單元圖形、第一覆蓋區(qū)圖形的第二掩膜板，通過涂膠、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等構圖工藝步驟，形成所述彩膜基板中的第二結構單元以及第一覆蓋區(qū)。其中，第一覆蓋區(qū)圖形位于彩膜基板的顯示區(qū)域內(nèi)，用于表征第二結構單元的位置。進一步的，第一覆蓋區(qū)既可位于第二結構單元圖形的內(nèi)部，又可位于第二結構單元圖形的外部。
[0042]優(yōu)選的，第一覆蓋區(qū)與第二結構單元通過同一次構圖工藝完成。因此，第一覆蓋區(qū)與第二結構單元優(yōu)選的形成在彩膜基板的同一層上。優(yōu)選的，第一覆蓋區(qū)位于與第一位置標識相對應的位置。需要說明的是，同上所述，彩膜基板中黑矩陣用于標記像素單元的位置且具有防止漏光的效果，將第一覆蓋區(qū)形成在黑矩陣圖形內(nèi)部，可避免第一覆蓋區(qū)影響彩膜基板性能。因此，形成的第一覆蓋區(qū)識位于黑矩陣圖形內(nèi)部是一種較為優(yōu)選的選擇。
[0043]需要說明的是，第二結構單元以及第一覆蓋區(qū)均是使用第二掩膜板形成的。因此第一覆蓋區(qū)的位置即表征了第二結構單元的位置，通過第二掩膜板來確定。
[0044]步驟S103:根據(jù)第一位置標識與第一覆蓋區(qū)之間的位置偏移量，確定第一結構單元與第二結構單元之間的位置偏移量。
[0045]在完成上述步驟S102的基礎上，根據(jù)第一位置標識與第一覆蓋區(qū)之間的位置偏移量，確定第一結構單元與第二結構單元之間的位置偏移量。在本步驟中，由于第一位置標識表征了第一結構單元的位置，第一覆蓋區(qū)表征了第二結構單元的位置。因此，第一位置標識與第一覆蓋區(qū)之間的偏移量即可反映出了第一結構單元與第二結構單元之間的位置偏移量。
[0046]需要說明的是，第一結構單元、第二結構單元均是彩膜基板中的結構單元。而本領域技術人員可以理解的是，從彩膜基板層間結構上來看，無論第一結構單元與第二結構單元是形成在彩膜基板的相鄰層上，還是形成在彩膜基板的不相鄰層上，通過第一位置標識與第一覆蓋區(qū)之間的位置偏移量都可以毫無疑問的確定出第一結構單元與第二結構單元之間的位置偏移量。因此，利用本發(fā)明實施例提供的檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法均可以實現(xiàn)對彩膜基板各結構單元之間位置的準確控制。
[0047]另外，需要補充的一點是，由于在本發(fā)明實施例提供的方法中將第一位置標識設置在彩膜基板的顯示區(qū)域內(nèi)，因此即使對于大尺寸的彩膜基板制備而言，利用本發(fā)明實施例提供的方法，通過覆蓋區(qū)與彩膜基板顯示區(qū)域內(nèi)的第一位置標識偏移量的測算，依然可以準確掌握彩膜基板中各結構單元之間位置偏移情況。
[0048]為方便本領域技術人員理解，進一步的提供本發(fā)明檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法的【具體實施方式】。
[0049]以圖1所示的彩膜基板結構為例，首先，由于第一結構單元、第二結構單元作為彩膜基板中的結構單元，假設第一結構單元為黑矩陣、第二結構單元為彩色濾光膜。其中，黑矩陣以及彩色濾光膜均是利用拼接曝光方式而形成的。
[0050]如圖3所示，圖3為某一拼接曝光區(qū)域內(nèi)，形成的包括黑矩陣3以及第一位置標識IOa后的示意圖。優(yōu)選的，通過第一掩膜板中黑矩陣圖形、第一位置標識圖形的設置，將第一位置標識IOa設置在黑矩陣3的內(nèi)部。需要說明的是，由于黑矩陣具有用于標記像素單元的位置且具有防止漏光的效果，因此將第一位置標識設置在黑矩陣內(nèi)部是一種較為優(yōu)選的選擇。例如:將第一位置標識設置為黑矩陣內(nèi)部的一個小開口區(qū)，該開口區(qū)的形狀為長方形、三角形、圓形、正方形、菱形、十字形、星形中等常見形狀，優(yōu)選的，所述開口區(qū)的形狀為圓形。
[0051]進一步的,第一位置標識IOa的直徑為15?40 μ m。需要說明的是,第一位置標識做為黑矩陣內(nèi)部的一個小開口區(qū)，由于其開口大小相對較小，且在后續(xù)進行偏移量測算時可能會被第一覆蓋區(qū)重疊覆蓋，因此不會對顯示效果產(chǎn)生影響。
[0052]在完成上述黑矩陣的彩膜基板上繼續(xù)形成彩色濾光膜。如圖4所示，圖4為與圖3相同的拼接曝光區(qū)域內(nèi)，形成的包括彩色濾光膜4以及第一覆蓋區(qū)Ila的示意圖。本領域技術人員可以理解的是，如圖4所示，通過顯微鏡可以觀察到第一位置標識IOa與第一覆蓋區(qū)Ila的重疊情況，即可得到第一位置標識IOa與第一覆蓋區(qū)Ila之間的位置偏移量，由此也就確定了在該拼接曝光區(qū)域內(nèi)黑矩陣3與彩色濾光膜4之間的位置偏移量。同樣的，在其他拼接曝光區(qū)域而言，利用上述方法也能夠確定出黑矩陣與彩色濾光膜之間的位置偏移量。
[0053]優(yōu)選的，第一覆蓋區(qū)I Ia的所占面積不小于第一位置標識IOa的所占面積；第一覆蓋區(qū)Ila的直徑為40?60 μ m。
[0054]進一步的，在完成黑矩陣與彩色濾光膜之間偏移量的測算之后，繼續(xù)彩膜基板其他結構單元之間的位置偏移情況的測算。假設第一結構單元為黑矩陣、第二結構單元為柱狀隔墊物(或者為柱狀隔墊物的放置位置)。其中，黑矩陣以及柱狀隔墊物均是利用拼接曝光方式而形成的。
[0055]如圖5所示，圖5為與圖3相同的拼接曝光區(qū)域內(nèi)，形成的包括黑矩陣3以及第一位置標識IOb后的示意圖。優(yōu)選的，與圖3所示示意圖中的第一位置標識IOa有所不同，圖5中設置了第一位置標識IOb來測算黑矩陣與柱狀隔墊物之間位置偏移量。需要說明的是，由于在測算黑矩陣與彩色濾光膜時，第一位置標識與第一覆蓋區(qū)可能會發(fā)生交疊而影響后續(xù)觀察。因此本領域技術人員可以理解的是，為不同層間結構設置不同的第一位置標識是一種較為優(yōu)選的選擇。
[0056]同樣的，通過第一掩膜板中黑矩陣圖形、第一位置標識圖形的設置，將第一位置標識IOb設置在黑矩陣3的內(nèi)部。例如:將第一位置標識IOb設置為黑矩陣3內(nèi)部的一個小開口區(qū)，該開口區(qū)的形狀為長方形、三角形、圓形、正方形、菱形、十字形、星形等常見形狀。進一步的，第一位置標識IOb的直徑為15?40 μ m。
[0057]然后在完成上述黑矩陣的彩膜基板上繼續(xù)形成柱狀隔墊物。如圖6所示，圖6為與圖5相同的拼接曝光區(qū)域內(nèi)，形成的包括柱狀隔墊物6以及第一覆蓋區(qū)Ilb的示意圖。本領域技術人員可以理解的是，如圖6所示，通過顯微鏡可以觀察到第一位置標識IOb與第一覆蓋區(qū)Ilb的重疊情況，即可得到第一位置標識IOb與第一覆蓋區(qū)Ilb之間的位置偏移量，由此也就確定了在該拼接曝光區(qū)域內(nèi)黑矩陣3與柱狀隔墊物6之間的位置偏移量。同樣的，在其他拼接曝光區(qū)域而言，利用上述方法也能夠確定出黑矩陣與柱狀隔墊物之間的位置偏移量。
[0058]優(yōu)選的，第一覆蓋區(qū)Ilb的所占面積不小于第一位置標識IOb的所占面積；第一覆蓋區(qū)Ilb的直徑為40?60 μ m。
[0059]至此，通過第一位置標識與第一覆蓋區(qū)的重疊情況，分別確定出了黑矩陣與彩色濾光膜之間、黑矩陣與柱狀隔墊物之間的位置偏移量。同樣的，利用本發(fā)明實施例提供的檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法，可以確定出利用拼接曝光方式形成的彩膜基板各拼接區(qū)域內(nèi)的各層間結構單元之間的位置關系。
[0060]本發(fā)明實施例提供的一種檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法以及掩膜板，使用第一掩膜板形成彩膜基板中的第一結構單元以及第一位置標識，第一位置標識位于顯示區(qū)域內(nèi)；使用第二掩膜板形成彩膜基板中第二結構單元以及第一覆蓋區(qū)，利用第一位置標識表征第一結構單元的位置利用第一覆蓋區(qū)表征第二結構單元的位置。通過第一位置標識與第一覆蓋區(qū)之間位置偏移量確定彩膜基板中第一結構單元與第二結構單元之間的位置偏移量，從而實現(xiàn)對大尺寸彩膜基板各結構單元之間位置的準確控制。
[0061]另一方面，本發(fā)明實施例還提供了一種掩膜板，至少包括用于形成彩膜基板結構單元的結構單元圖形，掩膜板還包括:第一位置標識圖形，用于在彩膜基板上形成第一位置標識；或第一覆蓋區(qū)圖形，用于在彩膜基板上形成第一覆蓋區(qū)；其中，第一位置標識或第一覆蓋區(qū)均位于彩膜基板的顯示區(qū)域內(nèi)，用于表征所述結構單元的位置。
[0062]其中，關于掩膜板的應用方式可參考上述方法實施例的描述，在此不再贅述。
[0063]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【權利要求】
1.一種檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法，其特征在于，包括: 使用至少包括第一結構單元圖形、第一位置標識圖形的第一掩膜板形成所述彩膜基板中的第一結構單元以及第一位置標識，所述第一位置標識位于所述彩膜基板的顯示區(qū)域內(nèi)，用于表征所述第一結構單元的位置； 使用至少包括第二結構單元圖形、第一覆蓋區(qū)圖形的第二掩膜板形成所述彩膜基板中的第二結構單元以及第一覆蓋區(qū)，所述第一覆蓋區(qū)圖形位于所述彩膜基板的顯示區(qū)域內(nèi)，用于表征所述第二結構單元的位置； 根據(jù)所述第一位置標識與所述第一覆蓋區(qū)之間的位置偏移量，確定所述第一結構單元與所述第二結構單元之間的位置偏移量。
2.根據(jù)權利要求1所述的檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法，其特征在于，當所述第一結構單元為黑矩陣，所述第二結構單元為彩色濾光膜時，根據(jù)所述第一位置標識與所述第一覆蓋區(qū)之間的位置偏移量，確定黑矩陣與彩色濾光膜之間的偏移量。
3.根據(jù)權利要求1所述的檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法，其特征在于，當所述第一結構單元為黑矩陣，所述第二結構單元為柱狀隔墊物時，根據(jù)所述第一位置標識與所述第一覆蓋區(qū)之間的位置偏移量，確定黑矩陣與柱狀隔墊物之間的偏移量。
4.根據(jù)權利要求1?3任一項所述的檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法，其特征在于，所述第一覆蓋區(qū)的所占面積不小于所述第一位置標識的所占面積；所述第一位置標識的直徑為15?40 μ m,所述第一覆蓋區(qū)的直徑為40?60 μ m。
5.根據(jù)權利要求1?3任一項所述的檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法，其特征在于，所述第一位置標識的形狀為長方形、三角形、圓形、正方形、菱形、十字形、星形中的任意一種。
6.根據(jù)權利要求1?3任一項所述的檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法，其特征在于，所述第一覆蓋區(qū)的形狀為長方形、三角形、圓形、正方形、菱形、十字形、星形中的任意一種。
7.根據(jù)權利要求1?3任一項所述的檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法，其特征在于，形成的所述第一位置標識位于黑矩陣圖形內(nèi)部。
8.根據(jù)權利要求1?3任一項所述的檢測彩膜基板拼接曝光誤差的方法，其特征在于，形成的所述第一覆蓋區(qū)位于黑矩陣圖形內(nèi)部。
9.一種掩膜板，至少包括用于形成彩膜基板結構單元的結構單元圖形，其特征在于，所述掩膜板還包括:第一位置標識圖形，用于在彩膜基板上形成第一位置標識； 或第一覆蓋區(qū)圖形，用于在彩膜基板上形成第一覆蓋區(qū)； 其中，第一位置標識或第一覆蓋區(qū)均位于彩膜基板的顯示區(qū)域內(nèi)，用于表征所述結構單元的位置。
【文檔編號】G03F1/42GK103605263SQ201310425043
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2013年9月17日 優(yōu)先權日:2013年9月17日
【發(fā)明者】黎敏, 廖燕平, 姜晶晶, 楊同華, 吳洪江 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司