一種tft驅(qū)動(dòng)的顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，所述顯示裝置包括上基板、下基板，所述下基板朝向上基板一側(cè)設(shè)置有多個(gè)TFT，所述上基板朝向下基板的一側(cè)設(shè)置有金屬層，其中，所述金屬層和TFT的有源層在透光方向上不重合，或者所述金屬層和TFT的有源層在透光方向上重合部分的線寬小于其他部分的線寬。本發(fā)明提供的TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，因?qū)?yīng)于TFT陣列基板上TFT有源層的位置不設(shè)置金屬層，可降低因金屬反射光線引起的光漏流。
【專利說明】—種TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種由TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有技術(shù)中，用TFT (Thin Film Transistor,薄膜場效應(yīng)晶體管)來驅(qū)動(dòng)顯示裝置是一種常規(guī)技術(shù)。以薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器為例(TFT-1XD)，通常地包括彩膜基板和TFT陣列基板，TFT陣列基板包括多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元都對(duì)應(yīng)設(shè)置有一個(gè)TFT，當(dāng)TFT的柵極上施加一定的電壓時(shí)，溝道開啟，電流從源極流向漏極，像素電極和公共電極之間具備一定的電壓差驅(qū)動(dòng)液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)不同的角度，以有明暗不同的顯示。
[0003]但是TFT也是光敏元件，如果在彩膜基板朝向TFT陣列基板的一側(cè)設(shè)置有金屬層，最常見的就是內(nèi)置觸控結(jié)構(gòu)時(shí)需要設(shè)置金屬層。所屬金屬層會(huì)反射背光的光線向TFT陣列基板照射，當(dāng)有光線照射到溝道上時(shí)會(huì)引發(fā)漏電流，即光泄露電流。這樣會(huì)使得像素電極上的電壓和預(yù)期電壓不同，從而造成顯示不均。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，所述顯示裝置包括上基板、下基板，所述下基板為TFT陣列基板，所述上基板朝向下基板的一側(cè)設(shè)置有金屬層，其特征在于，對(duì)應(yīng)于TFT陣列基板上TFT有源層的位置不設(shè)置金屬層，或者對(duì)應(yīng)于TFT陣列基板上TFT有源層的金屬層的線寬小于其他位置的線寬。
[0005]本發(fā)明還提供了一種優(yōu)選的技術(shù)方案，對(duì)應(yīng)于有源層的金屬層A分為兩部分，第一部分Al至少部分地和有源層距其邊緣距X并向有源層內(nèi)部延伸的區(qū)域Zl在透光方向上重疊，所述X大于等于有源層至金屬層的距離Y，第二部分A2將第一部分Al和金屬層的其他部分相連接。
[0006]本發(fā)明還提供了另一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述金屬層至少部分地和有源層距其邊緣距X并向有源層外部延伸的區(qū)域Z2在透光方向上重疊，所述X大于等于有源層至金屬層的距離Y。
[0007]本發(fā)明提供的技術(shù)方案可用于液晶顯示器或者其他顯示器，特別的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以用于內(nèi)置有觸控結(jié)構(gòu)的液晶顯示器中。
[0008]1、本發(fā)明提供的TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，因?qū)?yīng)于TFT陣列基板上TFT有源層的位置不設(shè)置金屬層，可降低因金屬反射光線引起的光漏流；
[0009]2、本發(fā)明提供的TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，進(jìn)一步的將金屬層設(shè)置在不受反射光影響的區(qū)域內(nèi)，可避免因反射背光引起的光漏流。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為圖2中AA線的剖視圖；
[0011]圖2為本發(fā)明實(shí)施一的示意圖；[0012]圖3為實(shí)施例一中的另一種現(xiàn)實(shí)方式；
[0013]圖4為實(shí)施二提供的內(nèi)置有觸控結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置的示意圖；
[0014]圖5為實(shí)施二中觸控結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0015]圖6為實(shí)施二中第二跨橋處的示意圖；
[0016]圖7為實(shí)施三中第二跨橋另一種實(shí)現(xiàn)方式的示意圖；
[0017]圖8是背光進(jìn)入TFT驅(qū)動(dòng)的液晶顯示裝置的液晶盒內(nèi)的示意圖；
[0018]圖9是背光照射到位于TFT驅(qū)動(dòng)的液晶顯示裝置的上基板內(nèi)側(cè)的金屬層的示意圖；
[0019]圖10是不受反光影響區(qū)域的示意圖；
[0020]圖11為圖5中區(qū)域C的放大示意圖；
[0021]圖12為實(shí)施例四中過孔處的放大示意圖；
[0022]圖13為實(shí)施例四中過孔處的另一種實(shí)施方式；
[0023]圖14為實(shí)施例五第一導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)；
[0024]圖15為實(shí)施例五第二導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)；
[0025]圖16為圖15中D區(qū)的放大示意圖；
[0026]圖17為實(shí)施例五另一種實(shí)現(xiàn)方式的示意圖；
[0027]圖18為實(shí)施例五再一種實(shí)現(xiàn)方式的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]實(shí)施例一:
[0029]圖1和圖2為本發(fā)明實(shí)施一的示意圖，圖1為圖2中AA線的剖視圖，圖2為俯視圖。
[0030]一種TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置100，所述顯示裝置100包括上基板101和下基板102 ；所述上基板101朝向下基板102的一側(cè)設(shè)置有金屬層103，所述金屬層103為上公共電極走線。
[0031]所述下基板102為TFT陣列基板，包括數(shù)據(jù)線1021和掃描線1022限定的像素單元，像素單元包括TFT和像素電極1027，其中，TFT的源極1024和數(shù)據(jù)線1021連接，TFT的柵極1026和掃描線1022連接，漏極1025和像素電極1027連接，TFT還包括有源層1023 ；在上基板101朝向下基板102的一側(cè)，所述金屬層103和TFT的有源層1023在透光方向上
不重合。
[0032]在TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置中，有時(shí)會(huì)在上基板朝向下基板的一側(cè)設(shè)置金屬層，比如設(shè)置含有金屬層的觸控結(jié)構(gòu)，或者上公共電極的電極走線等，本實(shí)施例以上公共電極走線為金屬層為例。
[0033]現(xiàn)有技術(shù)中TN (Twisted Nematic,扭曲向列型)型液晶顯示器中，一般地,上基板朝向下基板一側(cè)會(huì)設(shè)置整面的透明公共電極，但該公共電極因?yàn)槭墙饘傺趸镫娮栎^大。為了降低電阻，會(huì)在上基板朝向下基板一側(cè)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線或者掃描線的位置設(shè)置一些金屬的公共電極走線。金屬層都會(huì)反光，比如反射從顯示裝置的背光照射出來的光，或者反射從上基板一側(cè)照射的外界光再經(jīng)由TFT陣列基板的金屬層(源極、漏極、金屬走線等)反射再入射到該金屬層的光線，從該金屬層反射出來的光線照射到TFT的有源層上的話，會(huì)造成TFT的光漏流。
[0034]本實(shí)施例一中，因?yàn)榻饘賹?03和TFT的有源層1023在透光方向上不重合，即上基板101朝向下基板102的一側(cè)對(duì)應(yīng)于TFT陣列基板上有源層1023的位置未設(shè)置金屬層103，所以該區(qū)域不具備反射作用，TFT的光泄露不良也會(huì)降低，提高了顯示裝置100的顯示均一性等性能。
[0035]請(qǐng)接著參考圖3，為實(shí)施例一中的另一種實(shí)施方式，與圖1和圖2所示結(jié)構(gòu)不同之處在于，另一種實(shí)施方式中的由TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置中，金屬層103和TFT的有源層1023在透光方向上重合部分的線寬al小于其他部分的線寬a2。
[0036]在器件設(shè)計(jì)中，有時(shí)，在透光方向上和TFT有源層1023重疊的位置處不需要設(shè)置金屬層103，則該處可以不設(shè)置金屬層103。如果在透光方向上和TFT有源層1023重疊的位置處一定需要設(shè)置金屬層103以起到電連接或者物理連接的作用，則其線寬al可以設(shè)置為小于其他部分的線寬a2。優(yōu)選地，線寬al設(shè)置為工藝能力的最小值，起到連接作用即可，一般地，在現(xiàn)有成膜刻蝕工藝中，工藝能力的最小值為5 μ m或者5 μ m以下。
[0037]可選地,所述TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置可以是液晶顯示裝置、OLED裝置等,如果顯示裝置為液晶顯示裝置，則一般金屬層是反射來及背光的光線，如果是OLED顯示裝置的話，一般金屬層是反射發(fā)光層的光線。
[0038]實(shí)施例二:
[0039]圖4為本發(fā)明實(shí)施二的示意圖，實(shí)施例二以液晶顯示裝置200為例對(duì)
【發(fā)明內(nèi)容】
進(jìn)行說明。實(shí)施列二為內(nèi)置觸控結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置200，包括:相對(duì)設(shè)置的彩膜基板、TFT陣列基板和設(shè)置于彩膜基板和TFT陣列基板的液晶層。
[0040]所述彩膜基板依次包括第一基板201、設(shè)置于第一基板201之下的黑色矩陣層202、第一導(dǎo)電層203、彩色濾光層204、第二導(dǎo)電層205、平坦層206。所述TFT陣列基板依次包括第二基板207、設(shè)置于第二基板207之上的TFT陣列208等。
[0041]其中，所述第一導(dǎo)電層203、彩色濾光層204、第二導(dǎo)電層205還構(gòu)成觸控層結(jié)構(gòu)，具體的，請(qǐng)參考圖5，所述第一導(dǎo)電層203包括多個(gè)第一觸控電極2031、第二觸控電極2032，還包括多個(gè)第一跨橋2033，所述第一跨橋2033將相鄰兩個(gè)第一觸控電極2031相互連接在一起形成驅(qū)動(dòng)線。
[0042]所述第一導(dǎo)電層203被設(shè)置于其下的彩色濾光層204覆蓋，并且所述彩色濾光層204內(nèi)設(shè)置有多個(gè)過孔。
[0043]第二導(dǎo)電層205為金屬層,所述第二導(dǎo)電層205包括多個(gè)第二跨橋2051,所述第二跨橋2051通過彩色濾光層204內(nèi)的過孔將相鄰兩個(gè)第二觸控電極2032相互連接在一起形成感應(yīng)線，其中，在透光方向上，所述第二跨橋2051和TFT陣列的有源層位置重疊部分的線寬小于其他部分的線寬。
[0044]具體地，請(qǐng)參考圖6，所述每個(gè)TFT包括柵極2086、有源層2083、源極2084和漏極2085。柵極2086和掃描線2082連接，有源層2083設(shè)置于柵極2086之上，源極2084和數(shù)據(jù)線2081連接，漏極2085和像素電極2087相連接。在透光方向上，第二跨橋2051和TFT的有源層2083重疊部分的線寬bl小于其他部分的線寬b2。
[0045]當(dāng)液晶顯示裝置工作時(shí)，其背光的光線通過像素電極2087和液晶層照射到第二跨橋2051上，因第二跨橋2051為金屬材料，其會(huì)反射來自背光的光線，如果反射光落到TFT的有源層2083處，則會(huì)造成TFT的光漏電流。具體地，雖然有源層2083部分被源極2084和漏極2085所遮擋，但是還是有部分會(huì)暴露出來，比如溝道部分，一般源極2084和漏極2085之間都會(huì)有電壓差，即使溝道關(guān)閉時(shí)也存在，當(dāng)有源層2083被光線照射時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生漏電流，即所謂的光漏電流。光漏電流會(huì)導(dǎo)致像素不能維持預(yù)定的電壓而造成顯示異常。
[0046]在實(shí)施例二中，在透光方向上，因第二跨橋2051和有源層2083重疊部分的線寬bl較為窄，那么反光區(qū)域面積也變小了，可以將減小反射光的大小，進(jìn)而降低光漏電流的大小，提高內(nèi)置觸控層的液晶顯示裝置的顯示的均一性。
[0047]優(yōu)選地，在透光方向上，所述第二跨橋2051和有源層2083重疊部分線寬bl的值越小，即反光區(qū)域的面積越小，降低光漏電流的效果就會(huì)越好，優(yōu)選地，所述線寬bl的值為刻蝕工藝的最小值，為5 μ m或者5 μ m以下。
[0048]在其他實(shí)施方式中，所述第二跨橋可不設(shè)置在透光方向上和有源層重疊的位置，而將第二跨橋的位置設(shè)置在和掃描線在透光方向上重疊的位置，也可以起到降低反射光的作用。
[0049]可選地，所述觸控結(jié)構(gòu)中，第一導(dǎo)電層203和第二導(dǎo)電層205之間的絕緣層還可以是另外添加的絕緣層，和顯示裝置的彩色濾光層不共用。
[0050]可選地，所述TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置可以是液晶顯示裝置、OLED顯示裝置等，當(dāng)為OLED顯示裝置時(shí)，第二跨橋主要反射的是來自O(shè)LED發(fā)光層的光線。
[0051]可選地，第一觸控電極2031為感應(yīng)電極，第二觸控電極2032為驅(qū)動(dòng)電極；在其他實(shí)施方式中可互換。
[0052]可選地，第二觸控電極2032還可以位于第二導(dǎo)電層205，并且通過第二導(dǎo)電層205的第二垮橋2051直接連接成感應(yīng)線。
[0053]可選地，所述第一導(dǎo)電層203可以是金屬，也可以是金屬氧化物，如氧化銦錫等。當(dāng)所述第一導(dǎo)電層203為金屬層時(shí)，雖然第一導(dǎo)電層203因被彩色濾光層204的遮擋，反射光線的效果沒有第二導(dǎo)電層205那么強(qiáng)，但是還是會(huì)存在一些經(jīng)由第二導(dǎo)電層203反光引起的光泄漏電流，因此作為優(yōu)選實(shí)施方式，在透光方向上，所述第一跨橋2033和有源層2083重疊的部分的線寬小于其他位置的寬度，或者，所述第一跨橋2033和的有源層2083在透光方向上不重疊，進(jìn)一步降低光泄露電路，提高顯示的均一性。
[0054]可選地，所述第一觸控電極2031、第二觸控電極2032為金屬鏤空電極，所述鏤空處和彩色濾光層204的各個(gè)色阻相互對(duì)應(yīng)。使用金屬電極可降低電阻率，降低功耗，將鏤空處和彩色濾光層204的各個(gè)色阻相互對(duì)應(yīng)，即電極的可見部分和黑矩陣重疊，比ITO電極具備更高的透過率。
[0055]實(shí)施例三:
[0056]本發(fā)明實(shí)施例提供一內(nèi)置觸控層的液晶顯示裝置300，附圖7為實(shí)施例三的示意圖。實(shí)施例三的液晶顯示裝置300和實(shí)施例二相同的部分此處不再贅述，和實(shí)施例二不同的是，第二跨橋3051在對(duì)應(yīng)有源層3083至少部分地位于第一非反光區(qū)域Zl內(nèi)，所述第一非反光區(qū)域Zl在透光方向上和有源層3083重疊，并且所述第一非反光區(qū)域Zl的邊緣在透光方向上距離有源層3083的邊緣的距離大于等于有源層3083至第二跨橋3051的距離。
[0057]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在液晶顯示裝置中存在不會(huì)向有源層反射光線的區(qū)域，以下結(jié)合附圖對(duì)光線進(jìn)入液晶盒并發(fā)生反射的原理進(jìn)行說明，請(qǐng)參考圖8和圖9，圖8是背光進(jìn)入TFT驅(qū)動(dòng)的液晶顯示裝置的液晶盒內(nèi)的示意圖，圖9是背光照射到位于TFT驅(qū)動(dòng)的液晶顯示裝置的上基板內(nèi)側(cè)的金屬層的示意圖。
[0058]背光要照射到金屬層4上，首先要穿過下基板1、液晶層2和平坦層3，下基板I 一般為玻璃基板，玻璃的折射率nglass為1.5左右，空氣的折射率為1，背光從光疏介質(zhì)到光密介質(zhì)傳播，入射角β大于折射角α，根據(jù)折射定律:
[0059]nairXsin^ =nglassXsina
[0060]sin a =nair XsinP /nglass
[0061]其中，β的值即入射角最大為90度，則:
[0062]sina ≤ nair/nglass=l/l.5
[0063]a Sarcsin (1/1.5)^41.8°
[0064]光的折射角α的值都是小于等于41.8°的，即光線進(jìn)入玻璃后的角度最大為41.8°，光線再穿過液晶層2、平坦層3照射到金屬層4時(shí)，角度在45°左右。為計(jì)算方便，背光照射到金屬層4時(shí)角度的最大值以45°計(jì)算。
[0065]接著參考圖9，有源層5位于液晶盒的內(nèi)部。有源層5和金屬層4之間的垂直距離為Y，所述距離Y可按照有源層5和金屬層4之間的多層膜層如液晶層2、平坦層3等的厚度的和計(jì)算。
[0066]當(dāng)背光Pl通過玻璃基板向金屬層4照射時(shí),其最大的入射角為45° ,此時(shí),發(fā)生反射的金屬層4的位置在透光方向上和有源層5重合，并且在透光方向上其距離有源層5的邊緣的距離為X，所述X的值為YXtan45°，即X等于有源層5和金屬層4之間的距離Y ；再往金屬層4的內(nèi)部位置方向，因?yàn)槿肷浣遣豢赡艽笥?5°，進(jìn)而不能被照射到，也不會(huì)因此而向有源層5反射光線。即金屬層4存在一個(gè)第一非反光區(qū)域Z1，所述第一非反光區(qū)域Zl在透光方向上和部分有源層5重疊，并且在透光方向上，所述第一非反光區(qū)域Zl的邊緣距離有源層5的邊緣的距離大于等于有源層5至金屬層4的距離。所以只要金屬層4有部分地設(shè)置在該區(qū)域Zl內(nèi)，因反光引起的光漏流就會(huì)下降。
[0067]請(qǐng)接著參考圖9，當(dāng)背光P2以最大的入射角45°向金屬層4照射時(shí)，根據(jù)光的反射定律，反射角等于入射角，如果其反射光P2’要落在有源層5上，則在透光方向上，入射光線P2至少要落在金屬層4在透光方向上距離有源層5的邊緣的距離為X的地方。若入射點(diǎn)再往遠(yuǎn)離有源層5的方向的移動(dòng)，則其反射光不能落在有源層5內(nèi)，即金屬層4存在一個(gè)第二非反光區(qū)域Z2，所述第二非反光區(qū)域Z2在透光方向上不和有源層5重疊，并且在透光方向上，所述第二非反光區(qū)域Z2的邊緣和有源層5的邊緣的距離大于等于有源層5至金屬層4的垂直距離Y。第二非反光區(qū)域Z2為不會(huì)反射背光的區(qū)域。所以只要金屬層4有部分地設(shè)置在該區(qū)域Z2內(nèi)，因金屬層4反光引起的光漏流就會(huì)下降。
[0068]請(qǐng)參考圖10，綜上，對(duì)于金屬層4，存在第一非反光區(qū)域Zl和第二非反光區(qū)域Z2不會(huì)反射光線，第一非反光區(qū)域Zl在透光方向上和部分有源層5重疊，并且在透光方向上，所述第一非反光區(qū)域Zl的邊緣和有源層5的邊緣之間的距離為X。第二非反光區(qū)域Z2在透光方向上不和有源層5重疊，并且在透光方向上，所述第二非反光區(qū)域Z2的邊緣和有源層5的邊緣的距離為X。其中，所述X的值大于等于有源層5和金屬層4之間的垂直距離Y的值。只要盡量將金屬層4設(shè)置在區(qū)域Zl和區(qū)域Z2內(nèi)，就會(huì)降低反射光造成的光漏流。另外，第一非反光區(qū)域Zl和第二非反光區(qū)域Z2之間的區(qū)域如果設(shè)置金屬層，則該區(qū)域的金屬層的反射光線都會(huì)反射至源層5，器件設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)該盡量不要在第一非反光區(qū)域Zl和第二非反光區(qū)域Z2之間的區(qū)域內(nèi)設(shè)置金屬層，也可以降低反射光造成的光漏流。
[0069]綜上，在實(shí)施例三中，將第二跨橋3051在對(duì)應(yīng)有源層3085的部分為兩部分，第一部分Al位于第一非反光區(qū)域Zl內(nèi)，第二部分A2將第一部分Al和第二跨橋3051的其他部分相連接。這樣第一部分Al不會(huì)向有源層3085反射光線，所以光漏流也因此減小。
[0070]同時(shí)，因?yàn)樵诘谝环欠垂鈪^(qū)域Zl內(nèi)設(shè)置金屬不會(huì)造成光漏流，所以可盡量利用該第一非反光區(qū)域Zl區(qū)域設(shè)置更大面積的第一部分Al，可減小第二跨橋的電阻，降低觸控層的功耗。
[0071]第二部分A2將第一部分Al和金屬層的其他部分相連接?？梢岳斫獾氖堑诙糠諥2不可避免的會(huì)向有源層3085反射光線，但是此處需要第二部分A2進(jìn)行連接使整個(gè)第二跨橋3051成為一個(gè)電連接的整體。但為了降低第二部分A2的反射效果，第二部分A2的線寬設(shè)置為工藝能力的最小值，為5 μ m或者5 μ m以下。
[0072]在其他實(shí)施方式中，如果像素尺寸允許，優(yōu)選地將第二部分A2至少部分地設(shè)置設(shè)在第一非反光區(qū)域Zl區(qū)域或者第二非反光區(qū)域Z2區(qū)域內(nèi)，以降低光漏流。
[0073]進(jìn)一步地,在實(shí)施例三中第一導(dǎo)電層也為金屬層，雖然第一導(dǎo)電層下方有彩色濾光層遮擋，反射光線的作用沒有第二導(dǎo)電層那么強(qiáng)烈，但是還是會(huì)存在。為了減少第一導(dǎo)電層反射作用，在本實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層和TFT的有源層在透光方向上不重合，或者所述第一導(dǎo)電層和TFT的有源層在透光方向上重合部分的線寬小于其他部分的線寬。其中，位于所述第一導(dǎo)電層的第一跨橋在透光方向上和有源層不重疊，或者所述第一跨橋和TFT的有源層在透光方向上重合部分的線寬小于其他部分的線寬；或者位于所述第一導(dǎo)電層的第一觸控電極或者第二觸控電極在透光方向上和有源層不重疊，或者所述第一觸控電極或者第二觸控電極和TFT的有源層在透光方向上重合部分的線寬小于其他部分的線寬。
[0074]更進(jìn)一步地，為了完全避免第一導(dǎo)電層向有源層反射光線，將第一導(dǎo)電層部分地設(shè)置在第一非反射區(qū)域或者第二非反射區(qū)域，其中第一非反射區(qū)域，所述第一非反光區(qū)域在透光方向上和部分有源層重疊，并且在透光方向上，所述第一非反光區(qū)域的邊緣和有源層的邊緣之間的距離大于等于有源層至第一導(dǎo)電層的垂直距離；所述第二非反光區(qū)域在透光方向上不和有源層重疊，并且在透光方向上，所述第二非反光區(qū)域的邊緣和有源層的邊緣的距離大于等于有源層至第一導(dǎo)電層的垂直距離。有源層至第一導(dǎo)電層的垂直距離可以近似等于有源層和第一導(dǎo)電層之間的膜層如液晶層、平坦層、彩色濾光層的膜厚的和。
[0075]實(shí)施例四:
[0076]實(shí)施列四的內(nèi)置觸控層的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)包括和實(shí)施例二至三相同部分，此處不再贅述，實(shí)施列四和實(shí)施例二至三不同之處在于，請(qǐng)參考圖11和圖12，圖11為位于第二導(dǎo)電層的第二跨橋的放大示意圖，圖12為過孔的放大示意圖:
[0077]實(shí)施例四中，液晶顯示裝置400的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層都為金屬層，第一導(dǎo)電層包括多個(gè)第一電極4031、第二電極4032,還包括多個(gè)第一跨橋4033,所述第一跨橋4033將相鄰兩個(gè)第一電極4031相互連接在一起形成驅(qū)動(dòng)線，所述第一電極4031、第二電極4032都為金屬鏤空電極，鏤空部分和彩色濾光層的色阻重合，未鏤空部分和黑色矩陣重合。
[0078]所述第一導(dǎo)電層被設(shè)置于其下的彩色濾光層覆蓋，并且所述彩色濾光層內(nèi)設(shè)置有多個(gè)過孔409，并且在過孔內(nèi)409沉積有第二電極4032的部分。第二導(dǎo)電層包括多個(gè)第二跨橋4051，并且所述第二導(dǎo)電層也部分地沉積在過孔內(nèi)409，所述第二跨橋4051通過設(shè)置在彩色濾光層內(nèi)的過孔409將相鄰兩個(gè)第二電極4032相互連接在一起形成感應(yīng)線；
[0079]在過孔409內(nèi)，所述第二導(dǎo)電層和有源層4083的部分的線寬cl小于其他部分的線寬c2。
[0080]作為優(yōu)選實(shí)施方式，在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層在過孔409內(nèi)對(duì)應(yīng)于有源層4083的部分的線寬Cl小于其他部分的線寬c2，并且在過孔409內(nèi)，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層在透光方向上重合，這樣可以盡量減小第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的反射光。
[0081]需要說明的是，在其他實(shí)施方式中，所述第一導(dǎo)電層可以為透明導(dǎo)電層，比如氧化銦錫，因透明導(dǎo)電層對(duì)光線的反射作用弱，所以在這種情況下，在過孔內(nèi)可以不對(duì)第一導(dǎo)電層的圖形做如上設(shè)置。
[0082]優(yōu)選地，為了保證過孔的導(dǎo)電效果，每個(gè)第二跨橋4051可對(duì)應(yīng)設(shè)置多個(gè)過孔用來電連接相鄰的第二電極4032，若個(gè)別過孔時(shí)效也能保證第二跨橋4051的正常功能。
[0083]優(yōu)選地，所述過孔409設(shè)置在同一色阻處，在本實(shí)施例中所述過孔409都設(shè)置在紅色色阻處。一般地，彩色濾光層包括紅色、綠色、藍(lán)色阻，在同一色阻處設(shè)置過孔409，可以使得同一色阻的像素單元的透過率一致，提高顯示的均一性。
[0084]在其他實(shí)施方式中，根據(jù)像素的設(shè)計(jì)，如果使得在過孔409內(nèi)第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層在透光方向上和有源層4083不重疊，也可以起到降低反射光的作用。
[0085]優(yōu)選地，為了進(jìn)一步降低過孔內(nèi)金屬層的反射光，請(qǐng)參考圖13，為本實(shí)施例的另一種實(shí)施方式。在過孔409’內(nèi)，對(duì)應(yīng)有源層4083’的第二導(dǎo)電層分為兩部分。第一部分Al至少部分地設(shè)置在第一非反光區(qū)域內(nèi)，所述第一非反光區(qū)域在透光方向上和部分有源層4083’重疊，并且在透光方向上，所述第一非反光區(qū)域的邊緣距離有源層4083’的邊緣的距離為X，所述X大于等于有源層4083’至第二導(dǎo)電層的距離。優(yōu)選地，第一部分Al盡量地和第一非反光區(qū)域重合。因?yàn)樵搮^(qū)域內(nèi)的第二導(dǎo)電層不會(huì)向有源層4083’反射光線，所以可以設(shè)置盡量大的第一部分Al，以降低整個(gè)第二導(dǎo)電層的電阻，進(jìn)而降低了觸控層的功耗。并且在過孔409’內(nèi)，第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層在透光方向重合,可以降低第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的反光率。
[0086]實(shí)施例五:
[0087]實(shí)施列五的內(nèi)置觸控層的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)包括:相對(duì)設(shè)置的彩膜基板、TFT陣列基板和設(shè)置于彩膜基板和TFT陣列基板的液晶層。所述彩膜基板依次包括第一基板、設(shè)置于第一基板之下的黑色矩陣層、第一導(dǎo)電層、彩色濾光層、第二導(dǎo)電層、平坦層；所述TFT陣列基板依次包括第二基板、設(shè)置于第二基板之上的TFT陣列等，其中，所述第一導(dǎo)電層、彩色濾光層、第二導(dǎo)電層構(gòu)成觸控層結(jié)構(gòu)，并且第二導(dǎo)電層設(shè)置為靠近TFT陣列基板一側(cè)。
[0088]和實(shí)施例二至四相同部分不再贅述，請(qǐng)參考圖14和圖15和圖16，圖14為第一導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)，圖15為第二導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)，圖16為圖15中D區(qū)的放大示意圖，本實(shí)施例和實(shí)施例一至四不同之處在于:
[0089]第一導(dǎo)電層包括多個(gè)第一觸控電極5031、還包括多個(gè)第一跨橋5033，所述第一導(dǎo)電層為金屬層，所述第一觸控電極5031為金屬鏤空電極，第一跨橋5033為金屬鏤空跨橋，第一觸控電極5031和第一跨橋5033的鏤空部分和彩色濾光層的色阻相對(duì)應(yīng)，非鏤空部分和黑色矩陣相對(duì)應(yīng)。所述第一跨橋5033將相鄰兩個(gè)第一觸控電極5031相互連接在一起形成驅(qū)動(dòng)線；所述第一導(dǎo)電層被設(shè)置于其下的彩色濾光層覆蓋；
[0090]第二導(dǎo)電層包括多個(gè)第二觸控電極5032、還包括多個(gè)第二跨橋5034，所述第二跨橋5034將相鄰兩個(gè)第二觸控電極5032相互連接在一起形成感應(yīng)線。所述第二觸控電極5032為金屬鏤空電極，第二跨橋5034為金屬鏤空跨橋，第二電極503和第二跨橋504的鏤空部分和彩色濾光層的色阻相對(duì)應(yīng)，非鏤空部分和黑色矩陣相對(duì)應(yīng)。在其他實(shí)施方式中，為了減小不同層對(duì)位的難度，第二跨橋5034還可以為金屬走線。因?yàn)槿绻诙?dǎo)電層為金屬鏤空跨橋，其非鏤空需要和黑色矩陣、第一導(dǎo)電層等對(duì)位，這樣才不會(huì)占用額外的開口率，但是因?yàn)橹虚g間隔有彩色濾光層，所以對(duì)位的難度非常大，如果用較細(xì)的金屬走線作為第二跨橋，可降低對(duì)位的難度。
[0091]所述第二觸控電極5032在透光方向上和有源層重疊的部分的線寬dl小于其他部分的線寬d2。在內(nèi)置觸控層的液晶顯示裝置中，觸控電極是面積最大的金屬層，尤其是第二觸控電極5032為設(shè)置為靠近TFT陣列基板一側(cè)，所以第二觸控電極5032向有源層反射光線的作用最為顯著。在實(shí)施例四中，因?yàn)榈诙|控電極5032在透光方向上和有源層重疊的部分的線寬dl小于其他部分的線寬d2，可大大降低由于第二觸控電極5032向有源層反光造成的光泄露電路，提高內(nèi)置觸控層的液晶顯示裝置的顯示均一性。
[0092]可選地，請(qǐng)參考圖17，在其他實(shí)施方式中，在透光方向上，第二觸控電極5032和有源層不重疊?？梢岳斫獾氖牵谝粋€(gè)第二觸控電極5032中，非鏤空的部分都是相互連接在一起的，因此在透光方向上，第二觸控電極5032和有源層不重疊不影響其整個(gè)電極的電連接性。
[0093]優(yōu)選地，所述第二觸控電極5032至少部分設(shè)置在第二非反光區(qū)域，所述第二非反光區(qū)域在透光方向上不和有源層重疊，并且在透光方向上，所述第二非反光區(qū)域的邊緣和有源層的邊緣的距離大于等于有源層至第二觸控電極5032的垂直距離。
[0094]可優(yōu)選地，請(qǐng)參考圖18，在另一實(shí)施方式中，第二電極5032’的第一部分Al位于第一非反光區(qū)域內(nèi)，所述第一非反光區(qū)域在透光方向上和部分有源層5083重疊，并且在透光方向上，所述第一非反光區(qū)域的邊緣和有源層5083的邊緣之間的距離X大于等于有源層5083至第二觸控電極5032’的垂直距離。第二部分A2將第一部分Al和第二電極5032’的其他部分相連接。
[0095]在本實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層也為金屬，所述第一導(dǎo)電層和TFT的有源層在透光方向上不重合，或者所述第一導(dǎo)電層和TFT的有源層在透光方向上重合部分的線寬小于其他部分的線寬。所述第一導(dǎo)電層和有源層在透光方向上重合部分的線寬為5 μ m或5 μ m以下。
[0096]優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)電層至少部分地位于第一非反光區(qū)域內(nèi)，所述第一非反光區(qū)域在透光方向上和部分有源層重疊，并且在透光方向上，所述第一非反光區(qū)域的邊緣和有源層的邊緣之間的距離大于等于有源層至第一導(dǎo)電層的垂直距離。
[0097]優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)電層至少部分地位于第二非反光區(qū)域內(nèi)，所述第二非反光區(qū)域在透光方向上不和有源層重疊，并且在透光方向上，所述第二非反光區(qū)域的邊緣和有源層的邊緣的距離大于等于有源層至第一導(dǎo)電層的垂直距離。
[0098]可選地，所述第一導(dǎo)電層位于第一非反光區(qū)域內(nèi)或者第二非反光區(qū)域內(nèi)可以是位于觸控電極也可以是位于跨橋處的第一導(dǎo)電層。
[0099]本發(fā)明提供的技術(shù)方案，因?qū)?yīng)于TFT陣列基板上TFT有源層的位置不設(shè)置金屬層，可降低因金屬反射光線引起的光漏流。進(jìn)一步的將金屬層設(shè)置在不受反射光影響的區(qū)域內(nèi)，可避免因反射背光引起的光漏流。本發(fā)明提供的技術(shù)方案，可將位于上基板朝向下基板一側(cè)的多層金屬的反射作用降低，進(jìn)一步地減小光漏流。
[0100]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，所述顯示裝置包括上基板、下基板，所述下基板朝向上基板一側(cè)設(shè)置有多個(gè)TFT，所述上基板朝向下基板的一側(cè)設(shè)置有金屬層，其中，至少部分金屬層和TFT的有源層在透光方向上不重合，或者至少部分金屬層和TFT的有源層在透光方向上重合部分的線寬小于其他部分的線寬。
2.如權(quán)利要求1所述的TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，其特征在于，所述金屬層和TFT的有源層在透光方向上重合部分的線寬為5 μ m或5 μ m以下。
3.如權(quán)利要求1所述的TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，其特征在于，所述金屬層至少部分地位于第一非反光區(qū)域內(nèi)，所述第一非反光區(qū)域在透光方向上和部分有源層重疊，并且在透光方向上，所述第一非反光區(qū)域的邊緣至有源層的邊緣的距離大于等于有源層至金屬層的垂直距離。
4.如權(quán)利要求1所述的TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，其特征在于，所述金屬層至少部分地位于第二非反光區(qū)域，所述第二非反光區(qū)域在透光方向上不和有源層重疊，并且在透光方向上，所述第二非反光區(qū)域的邊緣至有源層的邊緣的距離大于等于有源層至金屬層的垂直距離。
5.如權(quán)利要求1至4任一所述的TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，其特征在于，所述金屬層包含在設(shè)置在上基板朝向下基板一側(cè)的觸控結(jié)構(gòu)中。
6.如權(quán)利要求5所述的TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，其特征在于，所述觸控結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)和第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間設(shè)置有絕緣層，并且第二導(dǎo)電層設(shè)置在靠近有源層一側(cè)。
7.如權(quán)利要求6所述的TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，其特征在于，第二導(dǎo)電層為所述金屬層。
8.如權(quán)利要求7所述的TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層包括跨橋，位于跨橋處的第二導(dǎo)電層和TFT的有源層在透光方向上不重合，或者位于跨橋處的第二導(dǎo)電層和TFT的有源層在透光方向上重合部分的線寬小于其他部分的線寬。
9.如權(quán)利要求8所述的TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，其特征在于，位于跨橋處的第二導(dǎo)電層至少部分地位于第一非反光區(qū)域，或者位于跨橋處的第二導(dǎo)電層至少部分地位于第二非反光區(qū)域。
10.如權(quán)利要求7所述的TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層包括觸控電極，位于觸控電極處的第二導(dǎo)電層和TFT的有源層在透光方向上不重合，或者位于跨橋處的第二導(dǎo)電層和TFT的有源層在透光方向上重合部分的線寬小于其他部分的線寬。
11.如權(quán)利要求10所述的TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，其特征在于，位于觸控電極處的第二導(dǎo)電層至少部分地位于第一非反光區(qū)域，或者位于跨橋處的第二導(dǎo)電層至少部分地位于第二非反光區(qū)域。
12.如權(quán)利要求6所述的TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，其特征在于，第一導(dǎo)電層為所述金屬層。
13.如權(quán)利要求12所述的TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層包括跨橋，位于跨橋處的第一導(dǎo)電層和TFT的有源層在透光方向上不重合,或者位于跨橋處的第一導(dǎo)電層和TFT的有源層在透光方向上重合部分的線寬小于其他部分的線寬。
14.如權(quán)利要求13所述的TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，其特征在于，所述跨橋至少部分地位于第一非反光區(qū)域，或者所述跨橋至少部分地位于第二非反光區(qū)域。
15.如權(quán)利要求12所述的TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層包括觸控電極，位于觸控電極處的第一導(dǎo)電層和TFT的有源層在透光方向上不重合,或者位于跨橋處的第一導(dǎo)電層和TFT的有源層在透光方向上重合部分的線寬小于其他部分的線寬。
16.如權(quán)利要求15所述的TFT驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，其特征在于，所述觸控電極至少部分地位于第一非反光區(qū)域，或者所述觸控電極至少部分地位于第二非反光區(qū)域。
【文檔編號(hào)】G02F1/1333GK103926724SQ201310254828
【公開日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2013年6月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月24日
【發(fā)明者】周星耀, 姚綺君, 馬駿, 王偉 申請(qǐng)人:上海天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司