專(zhuān)利名稱(chēng)：微反射式顯示基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微反射式顯示基板及其制造方法，且特別是涉及通過(guò)存 儲(chǔ)電容區(qū)的凹凸結(jié)構(gòu)反射的微反射式顯示基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示屏幕(Liquid Crystal Display, LCD)依反射方式可分為透射式 (Transmissive)、反射式(Reflective)及半透半反式(Tranflective)三種基本類(lèi)型。透射式液晶顯示屏幕經(jīng)由背光光源以達(dá)到透射式顯示，其優(yōu)點(diǎn)為在正常光線 及暗光線下，仍能維持良好的顯示效果，然在戶外陽(yáng)光下則不易辨識(shí)顯示內(nèi) 容。反射式液晶顯示屏幕不需外加光源，而是使用環(huán)境周?chē)墓饩€，因此在 外界光線充足的環(huán)境下均有良好的顯示效果，然在外界光線不足的環(huán)境下則 不易辨識(shí)顯示內(nèi)容。半透半反式液晶顯示屏幕則結(jié)合透射式和反射式兩者的 優(yōu)點(diǎn)。半透半反式液晶顯示器，相較于透射式顯示器，其優(yōu)點(diǎn)在于工藝簡(jiǎn)單且 不需額外增加光掩模即可讓透射式顯示器具有反射模態(tài)，以提升強(qiáng)光下面板 顯示內(nèi)的可辨識(shí)性。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1A及圖1B。圖1A示出傳統(tǒng)半透半反式顯示元件的像素 結(jié)構(gòu)俯視圖，及圖1B示出圖1A中沿著1B-1B'剖面線的剖面圖。其中圖1A 僅示出顯示元件基板上的單一像素區(qū)域。像素結(jié)構(gòu)100形成于基板110上。 像素結(jié)構(gòu)100包括數(shù)條掃描信號(hào)線SL、數(shù)條數(shù)據(jù)信號(hào)線DL、共同電極線CL、 第一絕緣層120、第二絕緣層130及像素電極140。經(jīng)由多個(gè)掃描信號(hào)線SL 與多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)線DL以陣列的形式垂直相交形成且定義出多個(gè)像素區(qū)域 10。每一像素區(qū)域IO包括透射區(qū)14及存儲(chǔ)電容區(qū)12。在存儲(chǔ)電容區(qū)12中， 共同電極線CL設(shè)置于基板110上。第一絕緣層120覆蓋于共同電極線CL 上，且數(shù)據(jù)信號(hào)線DL設(shè)置于第一絕緣層120上。第二絕緣層130設(shè)置于第 一絕緣層120上，且此第二絕緣層130具有開(kāi)口 130a，而像素電極140填滿此開(kāi)口而使透射區(qū)14與存儲(chǔ)電容區(qū)12電性連接。因此，在此半透半反式顯示器中，以存儲(chǔ)電容區(qū)12中電容電極為平面 結(jié)構(gòu)作為反射電極16。如圖1B中，自背光光源所發(fā)出的光線L1經(jīng)由透射 區(qū)14透射，而外界光線L2則經(jīng)由反射電極16反射。但由于反射電極16為 平面結(jié)構(gòu)而使外界光線L2的反射效率不佳，反射的外界光線L2也無(wú)法達(dá)成 人眼的最佳視角。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明涉及一種微反射式顯示基板及其制造方法，通過(guò)具有的凹凸結(jié)構(gòu) 的存儲(chǔ)電容區(qū)作為反射區(qū)域，而使環(huán)境光經(jīng)此凹凸結(jié)構(gòu)反射后可達(dá)人的最佳 視角，且可以不損失基板的開(kāi)口面積達(dá)到面板在環(huán)境光下的最佳可識(shí)讀性。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提出一種微反射式顯示基板的制造方法，此方 法包括以下步驟。首先，提供基板，且基板具有多個(gè)像素區(qū)域，每一像素區(qū) 域包括透射區(qū)和存儲(chǔ)電容區(qū)。接著，形成多個(gè)凸塊于每一像素區(qū)域的存儲(chǔ)電 容區(qū)內(nèi)的基板上，其中該多個(gè)凸塊彼此分隔，且每一凸塊的底部與斜邊則具有夾角e ，夾角e的范圍在1-30度之間。然后，在每一像素區(qū)域的存儲(chǔ)電容 區(qū)內(nèi)形成第一電容電極于基板上，且第一電容電極覆蓋該多個(gè)凸塊。接著， 形成第一絕緣層于每一像素區(qū)域的第一電容電極上。然后，在每一像素區(qū)域 的存儲(chǔ)電容區(qū)內(nèi)形成第二電容電極于第一絕緣層上。如上所述的制造方法，其中形成該多個(gè)凸塊時(shí)，使相鄰的兩凸塊底部相 隔一個(gè)間距，該間距的范圍在l 10微米(um)。如上所述的制造方法，其中形成該多個(gè)凸塊時(shí)，使每一凸塊的底部寬度d、高度t和該夾角e呈d^2XtXCot9的關(guān)系。如上所述的制造方法，其中以蝕刻該基板的方式形成該多個(gè)凸塊。 如上所述的制造方法，其中在提供該基板的步驟后，形成介電層于該基板上，并圖案化該介電層以形成該多個(gè)凸塊。如上所述的制造方法，其中在每一像素區(qū)域的該存儲(chǔ)電容區(qū)內(nèi)形成該第一電容電極的步驟時(shí)，同時(shí)在該透射區(qū)的該基板上形成柵極電極與掃描信號(hào)線。如上所述的制造方法，其中形成該第一絕緣層于每一像素區(qū)域的該第一 電容電極上的步驟時(shí)，該第一絕緣層覆蓋該透射區(qū)的該柵極電極與掃描信號(hào) 線。如上所述的制造方法，其中在每一像素區(qū)域的該存儲(chǔ)電容區(qū)內(nèi)形成該第 二電容電極的步驟后，還包括形成第二絕緣層于該存儲(chǔ)電容區(qū)的該第二龜 容電極上及該透射區(qū)的該第一絕緣層上。如上所述的制造方法，還包括形成孔洞于該存儲(chǔ)電容區(qū)的該第二絕緣層 中以裸露出該第二電容電極的部分表面；以及形成像素電極于該透射區(qū)的該 第二絕緣層上，且該像素電極填滿該孔洞以使該透射區(qū)與該存儲(chǔ)電容區(qū)電性 連接。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提出一種微反射式顯示基板?；寰哂卸鄠€(gè)像 素區(qū)域，每一像素區(qū)域包括透射區(qū)及存儲(chǔ)電容區(qū)，其中存儲(chǔ)電容區(qū)中包括凹 凸結(jié)構(gòu)、第一電容電極、第一絕緣層及第二電容電極。凹凸結(jié)構(gòu)包括多個(gè)凸 塊，且該多個(gè)凸塊分隔地形成于基板上。每一凸塊的底部與斜邊具有夾角， 且?jiàn)A角的范圍在1-30度之間。第一電容電極形成于基板上并覆蓋凹凸結(jié)構(gòu)。 第一絕緣層形成于第一 電容電極上。第二電容電極形成于第一絕緣層上。如上所述的微反射式顯示基板，其中相鄰的兩凸塊的底部具有一個(gè)間 距，且該間距的范圍為1 10微米。如上所述的微反射式顯示基板，其中該多個(gè)凸塊的底部寬度d、高度t及該夾角9呈d^2XtXCote的關(guān)系。如上所述的微反射式顯示基板，其中該多個(gè)凸塊與該基板一體成型。 如上所述的微反射式顯示基板，其中該多個(gè)凸塊包括由圖案化介電層所 形成。如上所述的微反射式顯示基板，還包括柵極電極，位于該透射區(qū)的該 基板上；以及掃描信號(hào)線，位于該基板上，且連接該柵極電極。如上所述的微反射式顯示基板，其中該第一絕緣層位于該基板上并覆蓋 該透射區(qū)的該柵極電極、該存儲(chǔ)電容區(qū)的該第一電容電極、以及該掃描信號(hào) 線。如上所述的微反射式顯示基板，還包括第二絕緣層，位于該存儲(chǔ)電容區(qū)的該第二電容電極上及該透射區(qū)的該第一絕緣層上。如上所述的微反射式顯示基板，其中在該存儲(chǔ)電容區(qū)的該第二絕緣層具
有孔洞，該孔洞使該第二電容電極的部分表面裸露。如上所述的微反射式顯示基板，其中還包括像素電極，位于該透射區(qū) 的該第二絕緣層上，且該透射區(qū)及該存儲(chǔ)電容區(qū)通過(guò)該像素電極電性連接。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，再提出一種微反射式顯示基板，包括基板、多 個(gè)掃描信號(hào)線、多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)線及多個(gè)薄膜晶體管。多個(gè)掃描信號(hào)線與多個(gè) 數(shù)據(jù)信號(hào)線以陣列的形式垂直相交，且該多個(gè)掃描信號(hào)線與該多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào) 線在此基板上定義出多個(gè)像素區(qū)域，每一像素區(qū)域由相鄰的一對(duì)掃描信號(hào)線 與相鄰的一對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)線所定義，每一像素區(qū)域包括透射區(qū)及存儲(chǔ)電容區(qū)， 且每一像素區(qū)域內(nèi)具有薄膜晶體管。存儲(chǔ)電容區(qū)中包括凹凸結(jié)構(gòu)、第一電容 電極、第一絕緣層及第二電容電極。凹凸結(jié)構(gòu)包括多個(gè)凸塊，且該多個(gè)凸塊分隔地形成于基板上，每一凸塊的底部與斜邊具有夾角e ，且?jiàn)A角e的范圍 在1-30度之間。第一電容電極形成于基板上并覆蓋此凹凸結(jié)構(gòu)。第一絕緣層形成于第一電容電極上。第二電容電極形成于第一絕緣層上。本發(fā)明的微反射式顯示基板及其制造方法。在每一像素區(qū)域的存儲(chǔ)電容區(qū)形成凹凸結(jié)構(gòu)，且經(jīng)由此凹凸結(jié)構(gòu)內(nèi)具有夾角e的斜邊，而使外界光線經(jīng) 此斜邊反射后，可達(dá)人眼的最佳視角。如此，微反射式顯示基板即可在存儲(chǔ) 電容區(qū)具有反射區(qū)域而提升反射效率，并且不損失其基板的開(kāi)口面積，達(dá)到 面板在環(huán)境光下的最佳可識(shí)讀性。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特列舉較佳實(shí)施例，并配合 附圖，作詳細(xì)說(shuō)明。


圖1A示出傳統(tǒng)半透半反式顯示元件的像素結(jié)構(gòu)俯視圖；圖1B示出圖1A中沿著1B-1B'剖面線的剖面圖；圖2A示出依照本發(fā)明第一實(shí)施例的微反射式顯示基板的附視圖；圖2B示出依照?qǐng)D2A中沿著2B-2B'剖面線的剖面圖； 圖3A 圖3E示出依照沿著2A圖中剖面線3B-3B'的形成方法的剖面圖；以及圖4示出沿著圖2A中2B-2B'剖面線所示出的本發(fā)明第二實(shí)施例的微反 射式顯示基板的剖面圖。
其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下 Cst:存儲(chǔ)電容 CL、 CO:共同電極線 d:底部寬度 DT:數(shù)據(jù)信號(hào)線 Ll、 L4:光線L2、 L3、 L5:外界光線SL1、 SC:掃描信號(hào)線 t:高度 W:間距e:夾角10、 PR:像素區(qū)域 12、 CR:存儲(chǔ)電容區(qū)14、 TR:透射區(qū)16:反射電極 100:像素結(jié)構(gòu) 110、 202:基板120、 224:第一絕緣層 130、 228:第二絕緣層 130a:開(kāi)口 140、 240:像素電極200:微反射式顯示基板 210:薄膜晶體管 210a:源極210b:柵極 210c:漏極220、 220，凸塊 222:第一電容電極 226:第二電容電極 228:第二絕緣層 228a:孔洞230、 230，凹凸結(jié)構(gòu)具體實(shí)施方式
以下提出第一和第二實(shí)施例作為本發(fā)明的說(shuō)明。然而該多個(gè)實(shí)施例所提 出的顯示元件與步驟僅為舉例說(shuō)明之用，并不會(huì)對(duì)本發(fā)明欲保護(hù)的范圍做限 縮。再者，實(shí)施例中的圖示也省略不必要的元件，以利清楚顯示本發(fā)明的技 術(shù)特點(diǎn)。第一實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D2A，其示出依照本發(fā)明第一實(shí)施例的微反射式顯示基板的俯 視圖。其中圖2A僅示出單一像素區(qū)域。 一種微反射式顯示基板200，包括 基板202、多個(gè)掃描信號(hào)線SC、多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)線DT、多個(gè)薄膜晶體管210。 多個(gè)掃描信號(hào)線SC與多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)線DT以陣列的形式垂直相交，且該多 個(gè)掃描信號(hào)線SC與該多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)線DT在基板202上定義出多個(gè)像素區(qū) 域PR，每一像素區(qū)域PR由相鄰的一對(duì)掃描信號(hào)線SC與相鄰的一對(duì)數(shù)據(jù)信 號(hào)線DT所定義。每一像素區(qū)域PR包括共同電極線CO及薄膜晶體管210。共同電極線 CO例如是平行設(shè)置于相鄰的一對(duì)掃描信號(hào)線SC之間。薄膜晶體管210包括 柵極210b、源極210a和漏極210c。柵極210b形成于基板202上。源極210a 和漏極210c形成于第一絕緣層224上并以一個(gè)溝道隔開(kāi)。每一像素區(qū)域PR 包括透射區(qū)TR及存儲(chǔ)電容區(qū)CR。請(qǐng)參照?qǐng)D2B，其示出依照?qǐng)D2A中沿著2B-2B，剖面線的剖面圖。在每一 像素區(qū)域PR中存儲(chǔ)電容區(qū)CR包括凹凸結(jié)構(gòu)230、第一電容電極222、第一 絕緣層224和第二電容電極226。凹凸結(jié)構(gòu)230包括多個(gè)凸塊220，且該多 個(gè)凸塊220分隔地形成于基板202上，而每一凸塊220的底部與斜邊具有夾 角9 ，且?jiàn)A角e的范圍在1-30度之間。第一電容電極222形成于基板202 上并覆蓋此凹凸結(jié)構(gòu)230。第一絕緣層224形成于第一電容電極222上。第 二電容電極226形成于第一絕緣層224上。以下以圖3A至圖3E的剖面示意圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)施例的形成方法，圖 3A 圖3E示出依照沿著圖2A中剖面線3B-3B'的形成方法的剖面圖。 請(qǐng)參照?qǐng)D3A，提供基板202，基板202具有多個(gè)像素區(qū)域PR，每一像 素區(qū)域PR包括透射區(qū)TR和存儲(chǔ)電容區(qū)CR。接著，在存儲(chǔ)電容區(qū)CR中形 成多個(gè)凸塊220,以形成凹凸結(jié)構(gòu)230。在本實(shí)施例中，多個(gè)凸塊220的形 成方法為先形成介電層于基板202，再圖案化此介電層而形成多個(gè)凸塊220， 其中該多個(gè)凸塊220彼此間相互分隔，而每一凸塊220及凸塊220間具有間 距w，此間距w范圍為1 10nm之間。每一凸塊220的底部與斜邊則具有 夾角e，夾角e的范圍在l-30度之間，且每一凸塊220的底部寬度d、高度 t和夾角9例如呈d^2XtXCot9的關(guān)系，且較佳地關(guān)系為c^2XtXCot9 。當(dāng)凸塊220的底部寬度d、高度t和夾角e的關(guān)為d》xtxcote ，該多個(gè)凸塊220的剖面圖如圖3A所示為梯型。且當(dāng)凸塊220的底部寬度d、高度t 和夾角0的關(guān)系為d=2XtXCote時(shí)，該多個(gè)凸塊220剖面便呈現(xiàn)三角型。 另外，介電層的材料例如是無(wú)機(jī)介電材料或是有機(jī)介電材料。凹凸結(jié)構(gòu)230 中凸塊220形成的排列方式并不加以限定而視實(shí)際應(yīng)用情況，可采取非對(duì)稱(chēng) 式也可采取對(duì)稱(chēng)式，或可采取周期性或非周期性的排列方法。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D3B。在每一像素區(qū)域PR的存儲(chǔ)電容區(qū)CR內(nèi)形成第一 電容電極222于基板202上，且第一電容電極222覆蓋該多個(gè)凸塊220。此 外，在形成第一電容電極222時(shí)，在透射區(qū)TR同時(shí)也形成多個(gè)掃描信號(hào)線 SC于基板202上，以及柵極210b也同時(shí)形成于基板202上。此外，由于圖 3B示出沿著圖2A中2B-2B，剖面線的側(cè)視剖面圖，因此柵極210b則無(wú)示出 在此剖面圖中，而柵極210b的圖示則請(qǐng)參照?qǐng)D2A。因此，在本實(shí)施例中， 第一電容電極222、掃描信號(hào)線SC及柵極210b在同一道工序中同時(shí)完成， 且其材料例如為金屬材料。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D3C。形成第一絕緣層224于每一像素區(qū)域PR第一電容 電極222上。此外，在第一電容電極222上形成第一絕緣層224時(shí)，第一絕 緣層224同時(shí)覆蓋透射區(qū)TR的掃描信號(hào)線SC。接著，在每一像素區(qū)域PR 的存儲(chǔ)電容區(qū)CR內(nèi)形成第二電容電極226于第一絕緣層224上。由于，第 一電容電極222與第二電容電極226之間具有第一絕緣層224，因此由第一 電容電極222、第一絕緣層224及第二電容電極226形成存儲(chǔ)電容Cst。因此， 當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)線DT的數(shù)據(jù)信號(hào)傳遞至源極210a時(shí)，與數(shù)據(jù)信號(hào)相關(guān)的像素電 壓會(huì)存儲(chǔ)于存儲(chǔ)電容Cst中。
請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2A。此外，當(dāng)形成第二電容電極226于第一絕緣層224時(shí)， 多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)線DT、源極210a及漏極210c也同時(shí)形成于第一絕緣層224 上。另由在圖3C示出沿著圖2A中2B-2B，剖面線的側(cè)視剖面圖，因此數(shù)據(jù) 信號(hào)線DT、源極210a及漏極210c無(wú)法示出于圖3C中，而其圖示則請(qǐng)參照 圖2A。當(dāng)多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)線DT形成時(shí)，多個(gè)掃描信號(hào)線SC及多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào) 線DT以陣列的形式垂直相交，且在基板202上定義出多個(gè)像素區(qū)域PR。而 每一像素區(qū)域PR由相鄰的一對(duì)掃描信號(hào)線SC與相鄰的一對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)線DT 所定義。在本實(shí)施例中，每一像素區(qū)域PR具有薄膜晶體管210，且薄膜晶 體管210以柵極210b、覆蓋于柵極210b的第一絕緣層224、源極210a及漏 極210c所組成，其中源極210a及漏極210c間以溝道相互隔開(kāi)。另外必需說(shuō) 明的是，在本實(shí)施例中，第二電容電極226、數(shù)據(jù)信號(hào)線DT、源極210a及 漏極210c在同一道工序中同時(shí)完成，且其材料例如為金屬材質(zhì)。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D3D。首先，形成第二絕緣層228于存儲(chǔ)電容區(qū)CR的第 二電容電極226上及透射區(qū)TR的第一絕緣層224上。且形成孔洞228a于存 儲(chǔ)電容區(qū)CR的第二絕緣層228中以裸露出第二電容電極226的部分表面。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D3E。形成像素電極240于透射區(qū)TR的第二絕緣層228 上，且像素電極240填滿孔洞228a以使透射區(qū)TR與存儲(chǔ)電容區(qū)CR電性連 接。在本實(shí)施例中，像素電極240例如為透明導(dǎo)電材料如氧化銦錫(Indium Tin Oxide ， ITO)在本實(shí)施例中，基板202的存儲(chǔ)電容區(qū)CR具有凹凸結(jié)構(gòu)230，且此凹 凸結(jié)構(gòu)230具有多個(gè)凸塊220，而使后續(xù)覆蓋其上的第一絕緣層224、第一 電容電極222及第二電容電極226均因而具有同樣起伏的凹凸輪廓，如圖3E 示。在上述實(shí)施例中得知該多個(gè)凸塊220的底部與斜邊具有夾角9 ，此夾角e的范圍在l-30度之間，而使外界光線L3經(jīng)此凸塊220斜邊反射后，可達(dá) 人眼的最佳視角，且自背光模塊的背光光源所發(fā)射的光線L4也可經(jīng)透射區(qū) TR透射。如此一來(lái)，此微反射式顯示基板200即可在存儲(chǔ)電容區(qū)CR具有反 射區(qū)域而提升反射效率，并且不損失基板202的開(kāi)口面積，達(dá)到面板在環(huán)境 光下的最佳可識(shí)讀性。 第二實(shí)施例第二實(shí)施例與第一實(shí)施例兩者結(jié)構(gòu)其差別在于第一實(shí)施例是以圖案化介電層方式形成凹凸結(jié)構(gòu)230，第二實(shí)施例則是以蝕刻玻璃的基板202方式 形成凹凸結(jié)構(gòu)230，。其俯視圖相同地均為圖2A，如第一實(shí)施例所述，因此 其形成方法、結(jié)構(gòu)、相關(guān)的材料及設(shè)計(jì)條件在此不再重復(fù)贅述。請(qǐng)參照?qǐng)D4，其示出沿著圖2A中2B-2B'剖面線所示出的本發(fā)明第二實(shí) 施例的微反射式顯示基板的剖面圖。在本實(shí)施例中多個(gè)凸塊220'的形成方法 為將所提供的基板202(例如是玻璃基板)，經(jīng)由蝕刻的方式形成多個(gè)凸塊 220'，其中該多個(gè)凸塊220'與基板202—體成型。而該多個(gè)凸塊220'也滿足 第一實(shí)施例中所描述的設(shè)計(jì)條件，以使外界光線L5經(jīng)此凸塊220'的斜邊反 射后，也可達(dá)人眼的最佳視角。之后，后續(xù)的相關(guān)工序則與第一實(shí)施例相同， 此處便不再重復(fù)敘述。本發(fā)明上述實(shí)施例所揭示的微反射式顯示基板及其制造方法。在每一像 素區(qū)域的存儲(chǔ)電容區(qū)形成凹凸結(jié)構(gòu)，且經(jīng)由此凹凸結(jié)構(gòu)內(nèi)具有夾角e的斜 邊，而使外界光線經(jīng)此斜邊反射后，可達(dá)人眼的最佳視角。如此，微反射式 顯示基板即可在存儲(chǔ)電容區(qū)具有反射區(qū)域而提升反射效率，并且不損失其基 板的開(kāi)口面積，達(dá)到面板在環(huán)境光下的最佳可識(shí)讀性。綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本 發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范 圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視隨附的權(quán)利 要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種微反射式顯示基板的制造方法，包括提供基板，該基板具有多個(gè)像素區(qū)域，每一像素區(qū)域包括透射區(qū)和存儲(chǔ)電容區(qū)；形成多個(gè)凸塊于每一像素區(qū)域的該存儲(chǔ)電容區(qū)內(nèi)的該基板上，且該多個(gè)凸塊彼此分隔，每一凸塊的底部與斜邊則具有夾角θ，該夾角θ的范圍在1-30度之間；在每一像素區(qū)域的該存儲(chǔ)電容區(qū)內(nèi)形成第一電容電極于該基板上，且該第一電容電極覆蓋該多個(gè)凸塊；形成第一絕緣層于每一像素區(qū)域的該第一電容電極上；以及在每一像素區(qū)域的該存儲(chǔ)電容區(qū)內(nèi)形成第二電容電極于該第一絕緣層上。
2. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中形成該多個(gè)凸塊時(shí)，使相鄰的兩 凸塊底部相隔一個(gè)間距，該間距的范圍在1 10微米。
3. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中形成該多個(gè)凸塊時(shí)，使每一凸塊 的底部寬度d、高度t和該夾角9呈d^2XtXCote的關(guān)系。
4. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中以蝕刻該基板的方式形成該多個(gè) 凸塊。
5. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中在提供該基板的步驟后，形成介 電層于該基板上，并圖案化該介電層以形成該多個(gè)凸塊。
6. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中在每一像素區(qū)域的該存儲(chǔ)電容區(qū) 內(nèi)形成該第一電容電極的步驟時(shí)，同時(shí)在該透射區(qū)的該基板上形成柵極電極 與掃描信號(hào)線。
7. 如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中形成該第一絕緣層于每一像素區(qū) 域的該第一電容電極上的步驟時(shí)，該第一絕緣層覆蓋該透射區(qū)的該柵極電極 與掃描信號(hào)線。
8. 如權(quán)利要求7所述的制造方法，其中在每一像素區(qū)域的該存儲(chǔ)電容區(qū) 內(nèi)形成該第二電容電極的步驟后，還包括形成第二絕緣層于該存儲(chǔ)電容區(qū)的該第二電容電極上及該透射區(qū)的該第一絕緣層上。
9. 如權(quán)利要求8所述的制造方法，還包括形成孔洞于該存儲(chǔ)電容區(qū)的該第二絕緣層中以裸露出該第二電容電極 的部分表面；以及形成像素電極于該透射區(qū)的該第二絕緣層上，且該像素電極填滿該孔洞 以使該透射區(qū)與該存儲(chǔ)電容區(qū)電性連接。
10. 一種微反射式顯示基板，包括基板，具有多個(gè)像素區(qū)域，每一像素區(qū)域包括透射區(qū)及存儲(chǔ)電容區(qū)，該 存儲(chǔ)電容區(qū)中包括凹凸結(jié)構(gòu)，包括-多個(gè)凸塊，且該多個(gè)凸塊分隔地形成于該基板上，每一凸塊的底部與斜邊具有夾角e，該夾角e的范圍在1-30度之間；第一電容電極，形成于該基板上并覆蓋該凹凸結(jié)構(gòu)； 第一絕緣層，形成于該第一電容電極上；以及 第二電容電極，形成于該第一絕緣層上。
11. 如權(quán)利要求IO所述的微反射式顯示基板，其中相鄰的兩凸塊的底部 具有一個(gè)間距，且該間距的范圍為1 10微米。
12. 如權(quán)利要求IO所述的微反射式顯示基板，其中該多個(gè)凸塊的底部寬 度d、高度t及該夾角9呈d^2XtXCote的關(guān)系。
13. 如權(quán)利要求IO所述的微反射式顯示基板，其中該多個(gè)凸塊與該基板 一體成型。
14. 如權(quán)利要求IO所述的微反射式顯示基板，其中該多個(gè)凸塊包括由圖案化介電層所形成。
15. 如權(quán)利要求10所述的微反射式顯示基板，還包括柵極電極，位于該透射區(qū)的該基板上；以及 掃描信號(hào)線，位于該基板上，且連接該柵極電極。
16. 如權(quán)利要求15所述的微反射式顯示基板，其中該第一絕緣層位于該 基板上并覆蓋該透射區(qū)的該柵極電極、該存儲(chǔ)電容區(qū)的該第一電容電極、以 及該掃描信號(hào)線。
17. 如權(quán)利要求16所述的微反射式顯示基板，還包括第二絕緣層，位于該存儲(chǔ)電容區(qū)的該第二電容電極上及該透射區(qū)的該第 一鉍纟象巨卜
18. 如權(quán)利要求17所述的微反射式顯示基板，其中在該存儲(chǔ)電容區(qū)的該第二絕緣層具有孔洞，該孔洞使該第二電容電極的部分表面裸露。
19. 如權(quán)利要求18所述的微反射式顯示基板，其中還包括像素電極，位于該透射區(qū)的該第二絕緣層上，且該透射區(qū)及該存儲(chǔ)電容 區(qū)通過(guò)該像素電極電性連接。
全文摘要
一種微反射式顯示基板其制造方法，其制造方法至少包括以下步驟首先，提供基板，且基板具有多個(gè)像素區(qū)域，每一像素區(qū)域包括透射區(qū)和存儲(chǔ)電容區(qū)。接著，形成多個(gè)凸塊于每一像素區(qū)域的存儲(chǔ)電容區(qū)內(nèi)，且該多個(gè)凸塊彼此分隔，每一凸塊的底部與斜邊則具有夾角θ，夾角θ的范圍在1-30度之間。然后，在每一像素區(qū)域的存儲(chǔ)電容區(qū)內(nèi)形成第一電容電極于基板上，且第一電容電極覆蓋該多個(gè)凸塊。接著，形成第一絕緣層于每一像素區(qū)域的第一電容電極上。然后，在每一像素區(qū)域的存儲(chǔ)電容區(qū)內(nèi)形成第二電容電極于第一絕緣層上，形成微反射結(jié)構(gòu)。本發(fā)明可提升反射效率，并且不損失其基板的開(kāi)口面積，達(dá)到面板于環(huán)境光下的最佳可識(shí)讀性。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101131497SQ20071016186
公開(kāi)日2008年2月27日 申請(qǐng)日期2007年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月24日
發(fā)明者張志明, 李錫烈, 楊敦鈞 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司