行選擇性生長(zhǎng)等過(guò)程。
[0051]步驟160，在所述第一表面上圖形化制備ITO驅(qū)動(dòng)控制導(dǎo)電層；
[0052]具體的，如圖7所示，所述ITO驅(qū)動(dòng)控制導(dǎo)電層包括多個(gè)ITO導(dǎo)線71，分別根據(jù)設(shè)計(jì)所需與所述ITO頂層導(dǎo)電層31或所述ITO底層導(dǎo)電層51相連接；其中，ITO頂層導(dǎo)電層31用于各組LED晶片的水平連接，ITO底層導(dǎo)電層51用于各組LED晶片的垂直方向連接，ITO驅(qū)動(dòng)控制導(dǎo)電層的多個(gè)ITO導(dǎo)電71分別與ITO頂層導(dǎo)電層31或ITO底層導(dǎo)電層51連接。
[0053]步驟170，圖形化淀積第四絕緣層；
[0054]步驟180，制作球狀引腳柵格陣列BGA共晶焊球和數(shù)據(jù)級(jí)聯(lián)端子；
[0055]具體的,如圖8所示。BGA共晶焊球81如圖所示,數(shù)據(jù)級(jí)聯(lián)端子82由ITO驅(qū)動(dòng)控制導(dǎo)電層引出，其材質(zhì)可以為AuSn合金。
[0056]外部電路可以通過(guò)數(shù)據(jù)級(jí)聯(lián)端子向各個(gè)LED晶片組傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
[0057]之后，在制備的數(shù)據(jù)級(jí)聯(lián)端子上，還要覆蓋絕緣層。
[0058]步驟190，采用BGA焊裝方式，將所述熔嵌倒裝有LED晶片組的復(fù)合LED玻璃基板與ASIC IC進(jìn)行共晶焊接，形成所述顯示模組。
[0059]具體的，球狀引腳柵格陣列封裝技術(shù)(Ball Grid Array，BGA)，是一種高密度表面裝配封裝技術(shù)。在封裝底部，引腳都成球狀并排列成一個(gè)類似于格子的圖案，由此命名為BGA0
[0060]在步驟190前后，都應(yīng)對(duì)復(fù)合LED玻璃基板顯示模組進(jìn)行電學(xué)測(cè)試，以保證其電學(xué)性能，以及與ASIC IC組裝之后的電學(xué)性能。
[0061 ] 最后，還要在ASIC IC側(cè)貼裝散熱支架，用以對(duì)所述復(fù)合LED玻璃基板顯示模組進(jìn)行散熱。
[0062]可選的，在本發(fā)明上述方法步驟中，在制備任一所述導(dǎo)電層時(shí)，都可以利用保護(hù)膠對(duì)制備導(dǎo)電層之前的表面進(jìn)行選擇性掩蔽，在制備導(dǎo)電層之后再進(jìn)行去膠。例如在步驟110之后，圖形化沉積保護(hù)膠覆蓋第二電極，露出第一電極，在第一電極上制備ITO頂層導(dǎo)電層。當(dāng)然，也可以使用其他工藝，如采用絕緣層，來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)第二電極制備前表面的選擇性掩蔽。
[0063]可選的，在本發(fā)明上述方法步驟中，在制備絕緣層時(shí)，也可以利用保護(hù)膠對(duì)淀積絕緣層之前的表面進(jìn)行選擇性掩蔽，在制備絕緣層之后再進(jìn)行去膠。例如在步驟160之后，圖形化沉積保護(hù)膠覆蓋第一、第二電極，之后再進(jìn)行去膠，露出被保護(hù)部分。
[0064]本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制造方法，在LED晶片組電極側(cè)依次圖形化制備第一絕緣層、ITO頂層導(dǎo)電層、第二絕緣層、ITO底層導(dǎo)電層、第三絕緣層、ITO驅(qū)動(dòng)控制導(dǎo)電層和第四絕緣層，并在第四絕緣層的圖形化區(qū)域內(nèi)制作通過(guò)數(shù)據(jù)級(jí)聯(lián)端子，與外部ASic IC進(jìn)行焊接形成復(fù)合LED玻璃基板顯示模組。本發(fā)明的復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制造方法，工藝簡(jiǎn)單，成本低，適于大規(guī)模生產(chǎn)應(yīng)用。
[0065]相應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種利用上述方法所制備的復(fù)合LED玻璃基板顯示模組。如圖9所示,所述顯示模組包括:熔嵌有倒裝LED晶片組903的復(fù)合LED玻璃基板901，ITO電路(含絕緣層)902，BGA焊球904，數(shù)據(jù)級(jí)聯(lián)端子905，ASIC IC 906和散熱支架907。
[0066]本實(shí)施例的顯示模組中，在復(fù)合LED玻璃模板901的背面制作不透明的ITO電路902，并在ITO電路902上制作級(jí)聯(lián)端子905，通過(guò)共晶BGA焊球904焊裝ASIC IC 906后貼裝鋁質(zhì)或陶瓷散熱支架907。
[0067]優(yōu)選的，在本實(shí)施例顯示模組中，復(fù)合LED玻璃模板901具有有方向識(shí)別標(biāo)識(shí)，便于用此顯示模組拼接大尺寸顯示屏幕。
[0068]在拼接成顯示屏幕時(shí)，可以按顯示幅寬比(例如4K高清16:9)和像素間距制作一塊完整的玻璃板，用于保護(hù)用途和支架用途，用以在拼接后的顯示模組上做無(wú)縫密鋪粘拼。
[0069]本實(shí)施例提供的顯示模組的像素模數(shù)可以為192X108 ；96X54 ；48X27等多種尺寸。
[0070]本發(fā)明的復(fù)合LED玻璃基板顯示模組，制造工藝簡(jiǎn)單，成本低，具有良好的顯示效果。
[0071]以上所述的【具體實(shí)施方式】，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】而已，并不用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制造方法，其特征在于，所述方法包括: 在所述復(fù)合LED玻璃基板熔嵌倒裝LED晶片組一側(cè)的第一表面圖形化淀積第一絕緣層，并在圖形化區(qū)域內(nèi)露出LED晶片組的第一電極和第二電極； 在所述第一表面上圖形化制備氧化銦錫ITO頂層導(dǎo)電層；其中，所述ITO頂層導(dǎo)電層與所述第一電極相連接； 在所述第一表面上圖形化制備第二絕緣層，并在圖形化區(qū)域內(nèi)露出所述LED晶片組的第二電極； 在所述第一表面上圖形化制備ITO底層導(dǎo)電層；其中，所述ITO底層導(dǎo)電層與所述第二電極相連接； 在所述第一表面上圖形化制備第三絕緣層，根據(jù)設(shè)計(jì)所需在圖形化區(qū)域內(nèi)露出部分所述ITO頂層導(dǎo)電層和部分所述ITO底層導(dǎo)電層； 在所述第一表面上圖形化制備ITO驅(qū)動(dòng)控制導(dǎo)電層；其中，所述ITO驅(qū)動(dòng)控制導(dǎo)電層包括多個(gè)ITO導(dǎo)線，分別根據(jù)設(shè)計(jì)所需與所述ITO頂層導(dǎo)電層或所述ITO底層導(dǎo)電層相連接； 圖形化淀積第四絕緣層； 制作球狀引腳柵格陣列BGA共晶焊球和數(shù)據(jù)級(jí)聯(lián)端子，通過(guò)BGA焊裝方式，將所述熔嵌倒裝有LED晶片組的復(fù)合LED玻璃基板與ASIC IC進(jìn)行共晶焊接，形成所述顯示模組。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述ITO為不透明的ΙΤ0，所述ITO的電阻率在10θ_5Ω.cm級(jí)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述制作球狀引腳柵格陣列BGA共晶焊球和數(shù)據(jù)級(jí)聯(lián)端子之后，所述方法還包括: 通過(guò)所述數(shù)據(jù)級(jí)聯(lián)端子，對(duì)所述顯示模組進(jìn)行電學(xué)測(cè)試。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 利用保護(hù)膠對(duì)各所述導(dǎo)電層進(jìn)行選擇性掩蔽。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述對(duì)所述顯示模組進(jìn)行電學(xué)測(cè)試之后，所述方法還包括: 在所述ASIC IC —側(cè)貼裝散熱支架，用以對(duì)所述顯示模組進(jìn)行散熱。6.一種應(yīng)用上述權(quán)利要求1所述的方法制備的復(fù)合LED玻璃基板顯示模組。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示模組，其特征在于，所述顯示模組包括: 熔嵌有倒裝LED晶片組的復(fù)合LED玻璃基板，ITO電路，BGA焊球，數(shù)據(jù)級(jí)聯(lián)端子，ASICIC和散熱支架。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制造方法和顯示模組，該方法包括：在復(fù)合LED玻璃基板熔嵌倒裝LED晶片組一側(cè)，第一絕緣層的圖形化區(qū)域內(nèi)露出第一電極和第二電極；圖形化制備ITO頂層導(dǎo)電層，與第一電極相連接；在第二絕緣層的圖形化區(qū)域內(nèi)露出第二電極；圖形化制備ITO底層導(dǎo)電層，與第二電極相連接；在第三絕緣層的圖形化區(qū)域內(nèi)露出部分ITO頂層導(dǎo)電層和部分ITO底層導(dǎo)電層；圖形化制備ITO驅(qū)動(dòng)控制導(dǎo)電層，根據(jù)設(shè)計(jì)所需與ITO頂層導(dǎo)電層或ITO底層導(dǎo)電層相連接；圖形化覆蓋第四絕緣層；制作BGA共晶焊球和數(shù)據(jù)級(jí)聯(lián)端子，通過(guò)BGA焊裝將熔嵌倒裝有LED晶片組的復(fù)合LED玻璃基板與ASIC？IC共晶焊接，形成顯示模組。
【IPC分類】H01L33/48, G09F9/33
【公開(kāi)號(hào)】CN105528967
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410573712
【發(fā)明人】嚴(yán)敏, 程君, 周鳴波
【申請(qǐng)人】嚴(yán)敏, 程君, 周鳴波
【公開(kāi)日】2016年4月27日
【申請(qǐng)日】2014年10月24日...