一種復(fù)合led玻璃基板顯示模組的制備方法和顯示模組的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制備方法和顯示模組。
【背景技術(shù)】
[0002]在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體顯示器產(chǎn)品發(fā)展到今天，配套的或是交叉行業(yè)的資源已經(jīng)極大地豐富和完善。在傳統(tǒng)的LED產(chǎn)品結(jié)構(gòu)中，通常采用FR4電路板用來做LED電路基板。
[0003]但是，在傳統(tǒng)電路板作為L(zhǎng)ED電路基板時(shí)，其材料的材質(zhì)里存在的雜質(zhì)，氣孔，熱應(yīng)力，熱膨脹等缺陷，都會(huì)造成致命的產(chǎn)品穩(wěn)定性信賴性的隱患。傳統(tǒng)的FR4電路板板松散的材質(zhì)也會(huì)帶來的集成成品的熱不穩(wěn)定性問題，平整度強(qiáng)度問題，以及為安裝拼接為大屏幕所需要的注塑面罩和塑殼的可靠性等等。而且在半導(dǎo)體顯示器的分辨率提高到一定程度時(shí)(例如像素間距要求小于IMM時(shí))無法實(shí)現(xiàn)加工。因此傳統(tǒng)電路板是完全沒法滿足小尺寸、高精度的要求，這些都嚴(yán)重限制著LED顯示技術(shù)在高密度領(lǐng)域的突破和應(yīng)用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制備方法和顯示模組，所述方法工藝簡(jiǎn)單，成本低，適于大規(guī)模生產(chǎn)應(yīng)用。
[0005]第一方面，本發(fā)明提供了一種復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制備方法，包括:
[0006]在所述復(fù)合LED玻璃基板熔嵌倒裝LED晶片組一側(cè)的第一表面圖形化淀積第一絕緣層，并在圖形化區(qū)域內(nèi)露出LED晶片組的第一電極和第二電極；
[0007]在所述第一表面上圖形化制備氧化銦錫ITO頂層導(dǎo)電層；其中，所述ITO頂層導(dǎo)電層與所述第一電極相連接；
[0008]在所述第一表面上圖形化制備第二絕緣層，并在圖形化區(qū)域內(nèi)露出所述LED晶片組的第二電極；
[0009]在所述第一表面上圖形化制備ITO底層導(dǎo)電層；其中，所述ITO底層導(dǎo)電層與所述第二電極相連接；
[0010]在所述第一表面上圖形化制備第三絕緣層，根據(jù)設(shè)計(jì)所需在圖形化區(qū)域內(nèi)露出部分所述ITO頂層導(dǎo)電層和所述ITO底層導(dǎo)電層；
[0011]在所述第一表面上圖形化制備ITO驅(qū)動(dòng)控制導(dǎo)電層；其中，所述ITO驅(qū)動(dòng)控制導(dǎo)電層包括多個(gè)ITO導(dǎo)線，分別根據(jù)設(shè)計(jì)所需與所述ITO頂層導(dǎo)電層或所述ITO底層導(dǎo)電層相連接；
[0012]圖形化淀積第四絕緣層；
[0013]在所述第四絕緣層的圖形化區(qū)域內(nèi)制作數(shù)據(jù)級(jí)聯(lián)端子；
[0014]制作球狀引腳柵格陣列BGA共晶焊球和數(shù)據(jù)級(jí)聯(lián)端子，通過BGA焊裝方式，將所述熔嵌倒裝有LED晶片組的復(fù)合LED玻璃基板與ASIC IC進(jìn)行共晶焊接，形成所述顯示模組。
[0015]優(yōu)選的，所述ITO為不透明的ΙΤ0，所述ITO的電阻率在lOe-δΩ.cm級(jí)。
[0016]優(yōu)選的，在所述制作球狀引腳柵格陣列BGA共晶焊球和數(shù)據(jù)級(jí)聯(lián)端子之后，所述方法還包括:
[0017]通過所述數(shù)據(jù)級(jí)聯(lián)端子，對(duì)所述顯示模組進(jìn)行電學(xué)測(cè)試。
[0018]優(yōu)選的，所述方法還包括:
[0019]利用保護(hù)膠對(duì)各所述導(dǎo)電層進(jìn)行選擇性掩蔽。
[0020]優(yōu)選的，在所述對(duì)所述顯示模組進(jìn)行電學(xué)測(cè)試之后，所述方法還包括:
[0021]在所述ASIC IC—側(cè)貼裝散熱支架，用以對(duì)所述顯示模組進(jìn)行散熱。
[0022]第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種應(yīng)用上述第一方面所述的方法制備的復(fù)合LED玻璃基板顯示模組。
[0023]優(yōu)選的，所述顯示模組包括:
[0024]熔嵌了倒裝LED晶片組的復(fù)合LED玻璃基板，ITO電路，BGA焊球，數(shù)據(jù)級(jí)聯(lián)端子，ASIC IC和散熱支架。
[0025]本發(fā)明的復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制造方法，工藝簡(jiǎn)單，成本低，適于大規(guī)模生產(chǎn)應(yīng)用。
【附圖說明】
[0026]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制備方法流程圖；
[0027]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制備過程示意圖之一；
[0028]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制備過程示意圖之二 ；
[0029]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制備過程示意圖之三；
[0030]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制備過程示意圖之四；
[0031]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制備過程示意圖之五；
[0032]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制備過程示意圖之六；
[0033]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制備過程示意圖之七；
[0034]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的示意圖。
[0035]下面通過附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
【具體實(shí)施方式】
[0036]本發(fā)明的復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制備方法，主要用于LED顯示屏，超小間距LED顯示屏，超高密度LED顯示屏，LED正發(fā)光電視，LED正發(fā)光監(jiān)視器，LED視頻墻，LED指示，LED特殊照明等領(lǐng)域的顯示面板制造。
[0037]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制備方法流程圖。圖2-圖8為本發(fā)明實(shí)施例的復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制備過程示意圖，下面以圖1并結(jié)合圖2-圖8對(duì)本發(fā)明的制備方法進(jìn)行說明。
[0038]本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合LED玻璃基板顯示模組的制備方法包括如下步驟:
[0039]步驟110，在所述復(fù)合LED玻璃基板熔嵌倒裝LED晶片組一側(cè)的第一表面圖形化淀積第一絕緣層，并在圖形化區(qū)域內(nèi)露出LED晶片組的第一電極和第二電極；
[0040]具體的，本發(fā)明中的復(fù)合LED玻璃基板，為專利201410485949.5《一種用于磊晶LED顯示模組的復(fù)合玻璃基板的制造方法》或者201410486656.9《一種單色磊晶LED顯示模組的復(fù)合玻璃基板的制造方法》中制備的復(fù)合玻璃基板。
[0041]圖形化淀積第一絕緣層的過程可以是，先淀積生長(zhǎng)第一絕緣層，再進(jìn)行圖形化刻蝕?；蛘咭部梢允侵苽溲诒螌?，再利用掩蔽層進(jìn)行選擇性生長(zhǎng)等過程。制備完畢的第一絕緣層20可以如圖2所示，圖中所示21為第一電極，22為第二電極。
[0042]步驟120，在所述第一表面上圖形化制備氧化銦錫(ITO)頂層導(dǎo)電層；其中，所述ITO頂層導(dǎo)電層與所述第一電極相連接；
[0043]具體的，本發(fā)明中的ITO工藝為ITO的改性工藝，制備的ITO導(dǎo)電薄膜為不透明的ITO薄膜，其電阻率降低至lOe-δΩ.αιι級(jí)。可以具體如圖3中所示的ITO頂層導(dǎo)電層31。
[0044]步驟130，在所述第一表面上圖形化制備第二絕緣層，并在圖形化區(qū)域內(nèi)露出所述LED晶片組的第二電極；
[0045]具體的，如圖4所示。
[0046]圖形化制備第二絕緣層的過程可以是，先淀積生長(zhǎng)第二絕緣層41，再進(jìn)行圖形化刻蝕露出第二電極22?；蛘咭部梢允侵苽溲诒螌樱倮醚诒螌舆M(jìn)行選擇性生長(zhǎng)等過程。
[0047]步驟140，在所述第一表面上圖形化制備ITO底層導(dǎo)電層；其中，所述ITO底層導(dǎo)電層與所述第二電極相連接；
[0048]具體的，如圖5所示，51為ITO底層導(dǎo)電層。
[0049]步驟150，在所述第一表面上圖形化制備第三絕緣層，根據(jù)設(shè)計(jì)所需在圖形化區(qū)域內(nèi)露出部分所述ITO頂層導(dǎo)電層和所述ITO底層導(dǎo)電層；
[0050]具體的，如圖6所示，圖形化制備的過程可以是先淀積生長(zhǎng)第室三絕緣層61，再進(jìn)行圖形化刻蝕，露出部分ITO頂層導(dǎo)電層31和部分ITO底層導(dǎo)電層51?；蛘咭部梢允侵苽溲诒螌?，再利用掩蔽層進(jìn)