本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2013年8月1日、申請(qǐng)?zhí)枮?01310331836.5且名稱為“有機(jī)發(fā)光二極管顯示器”的發(fā)明的分案申請(qǐng)。

所描述的技術(shù)總地涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括兩個(gè)電極和夾在這兩個(gè)電極之間的有機(jī)發(fā)光層，從一個(gè)電極注入的電子和從另一電極注入的空穴在有機(jī)發(fā)光層內(nèi)彼此結(jié)合，從而形成激子，并且當(dāng)激子放出能量時(shí)發(fā)出光。

有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括多個(gè)像素，每個(gè)像素包括屬于自發(fā)光元件的有機(jī)發(fā)光二極管以及用于驅(qū)動(dòng)該有機(jī)發(fā)光二極管的多個(gè)薄膜晶體管和電容器。多個(gè)薄膜晶體管包括開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。

在開關(guān)薄膜晶體管中，在柵電極和半導(dǎo)體層之間形成薄的柵絕緣層，以能夠進(jìn)行快速切換操作。由于減少了與開關(guān)薄膜晶體管形成在同一層上的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵絕緣層的厚度，所以向驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵電極施加的柵電壓的驅(qū)動(dòng)范圍變窄。因此，可能難以控制驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵電壓vgs的幅度來(lái)保證大量灰度。

在該背景部分中公開的上述信息僅用于加深理解所描述的技術(shù)背景，因此可以包含不構(gòu)成在本國(guó)為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

所描述的技術(shù)提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，該有機(jī)發(fā)光二極管顯示器擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)范圍來(lái)顯示相對(duì)大量的灰度(graylevel)。

本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，該有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括：基板，所述基板上用于傳輸掃描信號(hào)的掃描線，與所述掃描線交叉且用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線，與所述掃描線交叉且用于傳輸驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)電壓線，聯(lián)接至所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線的開關(guān)薄膜晶體管，聯(lián)接至所述開關(guān)薄膜晶體管的開關(guān)漏電極的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，以及聯(lián)接至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)漏電極的有機(jī)發(fā)光二極管(oled)，其中所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層被彎曲且位于與所述基板基本平行的平面內(nèi)。

所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以進(jìn)一步包括：覆蓋所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層的第一柵絕緣層，以及位于所述第一柵絕緣層且與所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層重疊的存儲(chǔ)電容器。

所述存儲(chǔ)電容器可以包括：位于所述第一柵絕緣層且與所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層重疊的第一存儲(chǔ)電容器板，覆蓋所述第一存儲(chǔ)電容器板的第二柵絕緣層，以及位于所述第二柵絕緣層且與所述第一存儲(chǔ)電容器板重疊的第二存儲(chǔ)電容器板。

所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層可以包括多個(gè)彎曲部。

所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層可以包括：沿第一方向延伸的多個(gè)第一延展部，以及沿不同于所述第一方向的第二方向延伸的多個(gè)第二延展部，并且其中所述彎曲部聯(lián)接所述第一延展部和所述第二延展部中的各第一延展部和各第二延展部。

所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以進(jìn)一步包括：聯(lián)接至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管且用于補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓的補(bǔ)償薄膜晶體管。

所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層可以進(jìn)一步包括從所述彎曲部起分叉的分叉部。

所述存儲(chǔ)電容器可以與所述分叉部重疊。

所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以進(jìn)一步包括：用于傳輸發(fā)光控制信號(hào)的發(fā)光控制線，以及發(fā)光控制薄膜晶體管，所述發(fā)光控制薄膜晶體管被配置為通過(guò)所述發(fā)光控制信號(hào)導(dǎo)通來(lái)將來(lái)自所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的所述驅(qū)動(dòng)電壓傳輸至所述oled，其中所述發(fā)光控制薄膜晶體管位于所述驅(qū)動(dòng)漏電極和所述oled之間。

所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以進(jìn)一步包括晶體管連接部，所述晶體管連接部用于將所述補(bǔ)償薄膜晶體管的補(bǔ)償源電極聯(lián)接至所述發(fā)光控制薄膜晶體管的發(fā)光控制源電極，其中所述存儲(chǔ)電容器延伸至與所述晶體管連接部重疊。

所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層可以延伸至與所述晶體管連接部重疊。

所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以進(jìn)一步包括位于所述第二柵絕緣層上的夾層絕緣層，其中所述晶體管連接部位于與所述數(shù)據(jù)線相同的層且通過(guò)所述夾層絕緣層中的接觸孔聯(lián)接至所述補(bǔ)償源電極和所述發(fā)光控制源電極。

所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層可以包括：聯(lián)接至所述補(bǔ)償薄膜晶體管的第一路徑半導(dǎo)體層，以及聯(lián)接至所述發(fā)光控制薄膜晶體管的第二路徑半導(dǎo)體層，并且所述第一路徑半導(dǎo)體層的長(zhǎng)度可以小于所述第二路徑半導(dǎo)體層的長(zhǎng)度。

所述存儲(chǔ)電容器可以與所述第一路徑半導(dǎo)體層和所述第二路徑半導(dǎo)體層重疊。

所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以進(jìn)一步包括：覆蓋所述第二存儲(chǔ)電容器板的夾層絕緣層，位于所述夾層絕緣層且通過(guò)所述第二柵絕緣層和所述夾層絕緣層中的第一接觸孔聯(lián)接至所述第一存儲(chǔ)電容器板的連接構(gòu)件，以及覆蓋所述夾層絕緣層和所述連接構(gòu)件的保護(hù)層，其中所述連接構(gòu)件聯(lián)接至所述補(bǔ)償薄膜晶體管的補(bǔ)償漏電極。

所述掃描線位于與所述第一存儲(chǔ)電容器板相同的層，并且所述數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動(dòng)電壓線可以位于與所述連接構(gòu)件相同的層。

所述驅(qū)動(dòng)電壓線可以通過(guò)所述夾層絕緣層中的第二接觸孔聯(lián)接至所述第二存儲(chǔ)電容器板。

所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以進(jìn)一步包括操作控制薄膜晶體管，所述操作控制薄膜晶體管被配置為通過(guò)由所述發(fā)光控制線傳輸?shù)乃霭l(fā)光控制信號(hào)導(dǎo)通，以將所述驅(qū)動(dòng)電壓傳輸至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，其中所述操作控制薄膜晶體管位于所述驅(qū)動(dòng)電壓線和所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)源電極之間。

所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以進(jìn)一步包括：用于傳輸前一掃描信號(hào)的前一掃描線，用于將初始化電壓傳輸至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的初始化電壓線，以及初始化薄膜晶體管，所述初始化薄膜晶體管被配置為根據(jù)所述前一掃描信號(hào)導(dǎo)通來(lái)將所述初始化電壓傳輸至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O，其中所述初始化薄膜晶體管位于所述驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O和所述初始化電壓線之間。

所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以進(jìn)一步包括：用于傳輸旁通控制信號(hào)的旁通控制線，以及旁通薄膜晶體管，所述旁通薄膜晶體管用于根據(jù)所述旁通控制信號(hào)傳輸由所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管傳輸?shù)尿?qū)動(dòng)電流的一部分，其中所述旁通薄膜晶體管位于所述初始化電壓線和所述發(fā)光控制薄膜晶體管的發(fā)光控制漏電極之間。

本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，該有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括：基板，所述基板上用于傳輸掃描信號(hào)的掃描線，所述基板上用于傳輸初始化電壓的初始化電壓線，與所述掃描線交叉用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線，與所述掃描線交叉用于傳輸驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)電壓線，聯(lián)接至所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線的開關(guān)薄膜晶體管，聯(lián)接至所述開關(guān)薄膜晶體管的開關(guān)漏電極的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，聯(lián)接至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)漏電極的有機(jī)發(fā)光二極管(oled)，位于所述驅(qū)動(dòng)漏電極和所述oled之間的發(fā)光控制薄膜晶體管，以及位于所述初始化電壓線和所述發(fā)光控制薄膜晶體管的發(fā)光控制漏電極之間的旁通薄膜晶體管，其中所述旁通薄膜晶體管根據(jù)由旁通控制線傳輸?shù)呐酝刂菩盘?hào)傳輸由所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管傳輸?shù)尿?qū)動(dòng)電流的一部分。

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層被彎曲且位于與所述基板基本平行的平面內(nèi)。

所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以進(jìn)一步包括：覆蓋所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層的第一柵絕緣層，以及位于所述第一柵絕緣層且與所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層重疊的存儲(chǔ)電容器。

所述存儲(chǔ)電容器可以包括：位于所述第一柵絕緣層且與所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層重疊的第一存儲(chǔ)電容器板，覆蓋所述第一存儲(chǔ)電容器板的第二柵絕緣層，以及位于所述第二柵絕緣層且與所述第一存儲(chǔ)電容器板重疊的第二存儲(chǔ)電容器板。

所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層可以包括多個(gè)彎曲部。

所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層可以包括：沿第一方向延伸的多個(gè)第一延展部，以及沿不同于所述第一方向的第二方向延伸的多個(gè)第二延展部。所述彎曲部可以聯(lián)接所述第一延展部和所述第二延展部中的各第一延展部和各第二延展部。

所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以進(jìn)一步包括補(bǔ)償薄膜晶體管，所述補(bǔ)償薄膜晶體管聯(lián)接至所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管且用于補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓。

所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以進(jìn)一步包括：覆蓋所述第二存儲(chǔ)電容器板的夾層絕緣層，位于所述夾層絕緣層且通過(guò)所述第二柵絕緣層和所述夾層絕緣層中的第一接觸孔聯(lián)接至所述第一存儲(chǔ)電容器板的連接構(gòu)件，以及覆蓋所述夾層絕緣層和所述連接構(gòu)件的保護(hù)層。所述連接構(gòu)件可以聯(lián)接至所述補(bǔ)償薄膜晶體管的補(bǔ)償漏電極。

所述掃描線可以位于與所述第一存儲(chǔ)電容器板相同的層，并且所述數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動(dòng)電壓線可以位于與所述連接構(gòu)件相同的層。

所述驅(qū)動(dòng)電壓線可以通過(guò)所述夾層絕緣層中的第二接觸孔聯(lián)接至所述第二存儲(chǔ)電容器板。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，由于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層的驅(qū)動(dòng)溝道區(qū)可以通過(guò)形成包括多個(gè)彎曲部的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層而縱向地形成，所以向驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O施加的柵電壓的驅(qū)動(dòng)范圍可以被擴(kuò)展。

因此，由于柵電壓的驅(qū)動(dòng)范圍相對(duì)寬，所以從有機(jī)發(fā)光二極管(oled)發(fā)出的光的灰度能夠更準(zhǔn)確地通過(guò)調(diào)整柵電壓的幅度來(lái)控制，因此有可能提高有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的分辨率并且提高顯示質(zhì)量。

進(jìn)一步，通過(guò)形成與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層重疊的存儲(chǔ)電容器來(lái)保證存儲(chǔ)電容器的被具有彎曲部分的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層減小的區(qū)域，甚至在高分辨率下也有可能保證充分的存儲(chǔ)電容。

進(jìn)一步，通過(guò)將聯(lián)接至補(bǔ)償薄膜晶體管的第一路徑半導(dǎo)體層的長(zhǎng)度設(shè)置為小于聯(lián)接至發(fā)光控制薄膜晶體管的第二路徑半導(dǎo)體層的長(zhǎng)度，有可能避免或防止低灰度污點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素的等效電路。

圖2是示意性示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的多個(gè)薄膜晶體管和電容器的位置的圖。

圖3是根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素的布局圖。

圖4是圖3中示出的第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的沿線iv-iv截取的截面圖。

圖5是圖3中示出的第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的沿線v-v截取的截面圖。

圖6是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的放大布局圖。

圖7是根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的布局圖。

圖8是根據(jù)本發(fā)明第四示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的放大布局圖。

圖9是根據(jù)本發(fā)明第五示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的放大布局圖。

圖10是根據(jù)本發(fā)明第六示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素的等效電路。

圖11是根據(jù)第六示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的布局圖。

具體實(shí)施方式

下面將參照附圖更充分地描述本發(fā)明的實(shí)施例，附圖中示出本發(fā)明的示例性實(shí)施例。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，在所有不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以以各種方式修改所描述的實(shí)施例。

為了描述本發(fā)明的實(shí)施例，省略了與描述不相關(guān)的部分，并且在整個(gè)說(shuō)明書中用相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的構(gòu)成要素。

此外，圖中示出的每個(gè)部件的尺寸和厚度可能是為了理解和方便描述而任意示出的，但是本發(fā)明不局限于此。在附圖中，為了清楚、為了理解以及為了方便描述，可以放大層、膜、面板、區(qū)域、范圍等的厚度。將理解，當(dāng)像層、膜、區(qū)域或基板這樣的元件被稱為位于另一元件“上”時(shí)，其可以直接位于另一元件上或者還可以存在插入元件。

另外，除非相反地明確描述，否則詞語(yǔ)“包括”及其像“包含”或“含有”這樣的變體將被理解為暗含包括所論述的元件，但不一定排除其它元件。進(jìn)一步，在說(shuō)明書中，詞語(yǔ)“在……上”指放置在對(duì)象部分上方或下方，而不一定指基于重力方向放置在對(duì)象部分的上側(cè)。

將參照?qǐng)D1至圖5詳細(xì)地描述根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。

圖1是根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素的等效電路。如圖1所示，根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素包括：多個(gè)信號(hào)線121、122、123、124、171和172，多個(gè)薄膜晶體管t1、t2、t3、t4、t5和t6，存儲(chǔ)電容器cst，以及與多個(gè)信號(hào)線聯(lián)接的oled。

多個(gè)薄膜晶體管包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1、開關(guān)薄膜晶體管t2、補(bǔ)償薄膜晶體管t3、初始化薄膜晶體管t4、操作控制薄膜晶體管t5和發(fā)光控制薄膜晶體管t6。

多個(gè)信號(hào)線包括：用于傳輸掃描信號(hào)sn的掃描線121，用于將前一掃描信號(hào)sn-1傳輸至初始化薄膜晶體管t4的前一掃描線122，用于將發(fā)光控制信號(hào)en傳輸至操作控制薄膜晶體管t5和發(fā)光控制薄膜晶體管t6的發(fā)光控制線123，與掃描線121交叉且用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)dm的數(shù)據(jù)線171，用于傳輸驅(qū)動(dòng)電壓elvdd且?guī)缀跖c數(shù)據(jù)線171平行形成的驅(qū)動(dòng)電壓線172，以及用于傳輸對(duì)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1進(jìn)行初始化的初始化電壓vint的初始化電壓線124。

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極g1聯(lián)接至存儲(chǔ)電容器cst的一端cst1；驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的源電極s1經(jīng)由操作控制薄膜晶體管t5聯(lián)接至驅(qū)動(dòng)電壓線172；驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的漏電極d1經(jīng)由第二發(fā)光控制薄膜晶體管t6電聯(lián)接至oled的陽(yáng)極。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1根據(jù)開關(guān)薄膜晶體管t2的開關(guān)操作接收數(shù)據(jù)信號(hào)dm，以向oled供應(yīng)驅(qū)動(dòng)電流id。

開關(guān)薄膜晶體管t2的柵電極g2聯(lián)接至掃描線121；開關(guān)薄膜晶體管t2的源電極s2聯(lián)接至數(shù)據(jù)線171；開關(guān)薄膜晶體管t2的漏電極d2經(jīng)由操作控制薄膜晶體管t5聯(lián)接至驅(qū)動(dòng)電壓線172，同時(shí)聯(lián)接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的源電極s1。開關(guān)薄膜晶體管t2根據(jù)通過(guò)掃描線121傳輸?shù)膾呙栊盘?hào)sn導(dǎo)通，以執(zhí)行開關(guān)操作來(lái)將被傳輸至數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號(hào)dm傳輸至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的源電極s1。

補(bǔ)償薄膜晶體管t3的柵電極g3聯(lián)接至掃描線121；補(bǔ)償薄膜晶體管t3的源電極s3經(jīng)由發(fā)光控制薄膜晶體管t6聯(lián)接至oled的陽(yáng)極，同時(shí)聯(lián)接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的漏電極d1；并且補(bǔ)償薄膜晶體管t3的漏電極d3與存儲(chǔ)電容器cst的一端cst1、初始化薄膜晶體管t4的漏電極d4以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極g1聯(lián)接在一起。補(bǔ)償薄膜晶體管t3根據(jù)通過(guò)掃描線121傳輸?shù)膾呙栊盘?hào)sn導(dǎo)通，以將驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極g1和漏電極d1彼此連接，從而執(zhí)行驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的二極管連接。

初始化薄膜晶體管t4的柵電極g4聯(lián)接至前一掃描線122；初始化薄膜晶體管t4的源電極s4聯(lián)接至初始化電壓線124；并且初始化薄膜晶體管t4的漏電極d4與存儲(chǔ)電容器cst的一端cst1、補(bǔ)償薄膜晶體管t3的漏電極d3以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極g1聯(lián)接。初始化薄膜晶體管t4根據(jù)通過(guò)前一掃描線122傳輸?shù)那耙粧呙栊盘?hào)sn-1導(dǎo)通，以將初始化電壓vint傳輸至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極g1，從而執(zhí)行初始化操作來(lái)將驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極g1的電壓初始化。

操作控制薄膜晶體管t5的柵電極g5聯(lián)接至發(fā)光控制線123；操作控制薄膜晶體管t5的源電極s5聯(lián)接至驅(qū)動(dòng)電壓線172；并且操作控制薄膜晶體管t5的漏電極d5與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的源電極s1和開關(guān)薄膜晶體管t2的漏電極d2聯(lián)接。

發(fā)光控制薄膜晶體管t6的柵電極g6聯(lián)接至發(fā)光控制線123；發(fā)光控制薄膜晶體管t6的源電極s6聯(lián)接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的漏電極d1且聯(lián)接至補(bǔ)償薄膜晶體管t3的源電極s3；并且發(fā)光控制薄膜晶體管t6的漏電極d6電聯(lián)接至oled的陽(yáng)極。操作控制薄膜晶體管t5和發(fā)光控制薄膜晶體管t6根據(jù)通過(guò)發(fā)光控制線123傳輸?shù)陌l(fā)光控制信號(hào)en并發(fā)(例如同時(shí))導(dǎo)通，以將驅(qū)動(dòng)電壓elvdd傳輸至oled，從而允許驅(qū)動(dòng)電流id流進(jìn)oled中。

存儲(chǔ)電容器cst的另一端cst2聯(lián)接至驅(qū)動(dòng)電壓線172，并且oled的陰極聯(lián)接至公共電壓elvss。相應(yīng)地，oled從驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1接收驅(qū)動(dòng)電流id來(lái)發(fā)光，從而顯示圖像。

下面，將詳細(xì)地描述根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素的操作。

首先，在初始化時(shí)間段期間，通過(guò)前一掃描線122供應(yīng)低電平的前一掃描信號(hào)sn-1。然后，初始化薄膜晶體管t4對(duì)應(yīng)于低電平的前一掃描信號(hào)sn-1導(dǎo)通，并且從初始化電壓線124通過(guò)初始化薄膜晶體管t4向驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極g1提供初始化電壓vint，以用初始化電壓vint初始化驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1。

隨后，在數(shù)據(jù)編程時(shí)間段期間，通過(guò)掃描線121供應(yīng)低電平掃描信號(hào)sn。然后，開關(guān)薄膜晶體管t2和補(bǔ)償薄膜晶體管t3對(duì)應(yīng)于低電平掃描信號(hào)sn被導(dǎo)通，從而使得驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1通過(guò)導(dǎo)通的補(bǔ)償薄膜晶體管t3被二極管聯(lián)接并且沿正向被偏置。

然后，將補(bǔ)償電壓dm+vth(vth是負(fù)值)施加至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極g1，該補(bǔ)償電壓dm+vth是通過(guò)從從數(shù)據(jù)線171供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)dm中減去驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的閾值電壓vth獲得的。

驅(qū)動(dòng)電壓elvdd和補(bǔ)償電壓dm+vth被施加至存儲(chǔ)電容器cst的兩端cst1和cst2，并且與這兩端cst1和cst2處的電壓之間的差對(duì)應(yīng)的電荷被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器cst中。此后，在發(fā)光時(shí)間段期間從發(fā)光控制線123供應(yīng)的發(fā)光控制信號(hào)en的電平從高電平變成低電平。然后，操作控制薄膜晶體管t5和發(fā)光控制薄膜晶體管t6在發(fā)光時(shí)間段期間被低電平的發(fā)光控制信號(hào)en導(dǎo)通。

然后，根據(jù)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極g1的電壓和驅(qū)動(dòng)電壓elvdd之間的差生成驅(qū)動(dòng)電流id，并且通過(guò)發(fā)光控制薄膜晶體管t6將驅(qū)動(dòng)電流id供應(yīng)至oled。在發(fā)光時(shí)間段期間，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵-源電壓vgs被存儲(chǔ)電容器cst保持在“(dm+vth)-elvdd”，并且驅(qū)動(dòng)電流id正比于閾值電壓和該柵-源電壓之間的差的平方，也就是說(shuō)，根據(jù)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的電流-電壓關(guān)系，驅(qū)動(dòng)電流id正比于“(dm-elvdd)²”。相應(yīng)地，無(wú)論驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的閾值電壓vth如何，都確定驅(qū)動(dòng)電流id。

將參照?qǐng)D2至圖5連同圖1一起詳細(xì)描述圖1中示出的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的像素的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。圖2是示意性示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的多個(gè)薄膜晶體管t1-t6和電容器cst元件的位置的圖；圖3是根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素的特定布局圖；圖4是圖3中示出的第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的沿線iv-iv截取的剖面圖；并且圖5是圖3中示出的第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的沿線iv-iv截取的剖面圖。

如圖2至圖5所示，根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的像素包括掃描線121、前一掃描線122、發(fā)光控制線123和初始化電壓線124且還包括數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172，掃描線121、前一掃描線122、發(fā)光控制線123和初始化電壓線124沿行的方向形成且用于分別施加掃描信號(hào)sn、前一掃描信號(hào)sn-1、發(fā)光控制信號(hào)en和初始化電壓vint，數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172與掃描線121、前一掃描線122、發(fā)光控制線123和初始化電壓線124相交叉且用于分別向像素施加數(shù)據(jù)信號(hào)dm和驅(qū)動(dòng)電壓elvdd。

進(jìn)一步，在像素中形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1、開關(guān)薄膜晶體管t2、補(bǔ)償薄膜晶體管t3、初始化薄膜晶體管t4、操作控制薄膜晶體管t5、發(fā)光控制薄膜晶體管t6、存儲(chǔ)電容器cst和oled70。

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1、開關(guān)薄膜晶體管t2、補(bǔ)償薄膜晶體管t3、初始化薄膜晶體管t4、操作控制薄膜晶體管t5和發(fā)光控制薄膜晶體管t6沿半導(dǎo)體層131形成，并且半導(dǎo)體層131被彎曲成具有各種形狀。半導(dǎo)體層131可以由多晶硅制成，并且包括未用雜質(zhì)摻雜的溝道區(qū)和在溝道區(qū)兩側(cè)形成的用雜質(zhì)摻雜的源區(qū)和漏區(qū)。雜質(zhì)的類型對(duì)應(yīng)于薄膜晶體管的類型，并且可以使用n型雜質(zhì)或p型雜質(zhì)。半導(dǎo)體層131包括：在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1中形成的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a，在開關(guān)薄膜晶體管t2中形成的開關(guān)半導(dǎo)體層131b，在補(bǔ)償薄膜晶體管t3中形成的補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c，在初始化薄膜晶體管t4中形成的初始化半導(dǎo)體層131d，在操作控制薄膜晶體管t5中形成的操作控制半導(dǎo)體層131e，以及在發(fā)光控制薄膜晶體管t6中形成的發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f。

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1包括驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a、驅(qū)動(dòng)源電極176a和驅(qū)動(dòng)漏電極177a。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a被彎曲并且包括沿第一方向延伸的多個(gè)第一延展部31、沿不同于第一方向的第二方向延伸的多個(gè)第二延展部32以及聯(lián)接第一延展部31和第二延展部32中的各第一延展部31和各第二延展部32的多個(gè)彎曲部33。相應(yīng)地，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a可以呈“z”字形狀。圖2和圖3中示出的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a包括三個(gè)第一延展部31、兩個(gè)第二延展部32和四個(gè)彎曲部33。相應(yīng)地，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a可以以的形狀縱向布置(例如3個(gè)基本平行的水平線，其中頂部線和中央線在一側(cè)由豎線聯(lián)接，并且其中中央線和底部線在相對(duì)側(cè)由另一豎線聯(lián)接，如圖6所示)。

如上文所述，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a可以通過(guò)形成包括多個(gè)彎曲部33的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a而縱向地形成在窄空間內(nèi)。相應(yīng)地，由于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a的驅(qū)動(dòng)溝道區(qū)131a1可以縱向地形成，所以可以擴(kuò)展向驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a施加的柵電壓的驅(qū)動(dòng)范圍。因此，由于柵電壓的驅(qū)動(dòng)范圍相對(duì)寬，所以從oled發(fā)出的光的灰度能夠更精細(xì)地和更準(zhǔn)確地通過(guò)調(diào)整柵電壓的幅度來(lái)控制，因此有可能提高有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的分辨率并且提高顯示質(zhì)量。

在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a中，第一延展部31、第二延展部32和彎曲部33可以位于各處，以實(shí)現(xiàn)像“s”、“m”和“w”(例如s形、m形或w形)這樣的各種示例性實(shí)施例。

圖6是根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的放大布局圖。

如圖6所示，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a可以呈s的形狀。

驅(qū)動(dòng)源電極176a對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a中用雜質(zhì)摻雜的驅(qū)動(dòng)源區(qū)176a，并且驅(qū)動(dòng)漏電極177a對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a中用雜質(zhì)摻雜的驅(qū)動(dòng)漏區(qū)177a。在其上形成存儲(chǔ)電容器cst來(lái)與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a重疊。

存儲(chǔ)電容器cst包括第一存儲(chǔ)電容器板125h和第二存儲(chǔ)電容器板127，第二柵絕緣層142位于二者之間。本文中，驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a還起到第一存儲(chǔ)電容器板125h的作用，第二柵絕緣層142成為介電材料，并且存儲(chǔ)電容由在存儲(chǔ)電容器cst中累計(jì)的電荷以及由兩個(gè)電容器板125a和127之間的電壓確定。

第一存儲(chǔ)電容器板125h與相鄰的像素分離而形成矩形，并且由與掃描線121、前一掃描線122、發(fā)光控制線123、開關(guān)柵電極125b、補(bǔ)償柵電極125c、操作控制柵電極125e和發(fā)光控制柵電極125f相同的材料構(gòu)成，掃描線121、前一掃描線122、發(fā)光控制線123、開關(guān)柵電極125b、補(bǔ)償柵電極125c、操作控制柵電極125e和發(fā)光控制柵電極125f位于與第一存儲(chǔ)電容器板125h相同的層上。

第二存儲(chǔ)電容器板127聯(lián)接至相鄰像素，且由與初始化電壓線124相同的材料構(gòu)成，并且形成在與初始化電壓線124相同的層上。

如上文所述，通過(guò)形成與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a重疊的存儲(chǔ)電容器cst來(lái)保證被具有彎曲部的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a減小的存儲(chǔ)電容器cst的區(qū)域，甚至在高分辨率下也有可能保證充分的存儲(chǔ)電容。

開關(guān)薄膜晶體管t2包括開關(guān)半導(dǎo)體層131b、開關(guān)柵電極125b、開關(guān)源電極176b和開關(guān)漏電極177b。開關(guān)源電極176b是突出于數(shù)據(jù)線171的一部分，并且開關(guān)漏電極177b對(duì)應(yīng)于開關(guān)半導(dǎo)體層131b中用雜質(zhì)摻雜的開關(guān)漏區(qū)177b。

補(bǔ)償薄膜晶體管t3包括補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c、補(bǔ)償柵電極125c、補(bǔ)償源電極176c和補(bǔ)償漏電極177c。補(bǔ)償源電極176c對(duì)應(yīng)于補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c中用雜質(zhì)摻雜的補(bǔ)償源區(qū)176c，并且補(bǔ)償漏電極177c對(duì)應(yīng)于補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c中用雜質(zhì)摻雜的補(bǔ)償漏區(qū)177c。補(bǔ)償柵電極125c通過(guò)形成分離的雙柵電極25防止漏電流。

初始化薄膜晶體管t4包括初始化半導(dǎo)體層131d、初始化柵電極125d、初始化源電極176d和初始化漏電極177d。初始化漏電極177d對(duì)應(yīng)于初始化半導(dǎo)體層131d中用雜質(zhì)摻雜的初始化漏區(qū)177d。初始化源電極176d通過(guò)初始化連接線78聯(lián)接至初始化電壓線124。初始化連接線78的一端通過(guò)在第二柵絕緣層142和夾層絕緣層160中形成的接觸孔161聯(lián)接至初始化電壓線124，并且初始化連接線78的另一端通過(guò)在柵絕緣層141、第二柵絕緣層142和夾層絕緣層160中形成的接觸孔162聯(lián)接至初始化源電極176d。

操作控制薄膜晶體管t5包括操作控制半導(dǎo)體層131e、操作控制柵電極125e、操作控制源電極176e和操作控制漏電極177e。操作控制源電極176e是驅(qū)動(dòng)電壓線172的一部分，并且操作控制漏電極177e對(duì)應(yīng)于操作控制半導(dǎo)體層131e中用雜質(zhì)摻雜的操作控制漏區(qū)177e。

發(fā)光控制薄膜晶體管t6包括發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f、發(fā)光控制柵電極125f、發(fā)光控制源電極176f和發(fā)光控制漏電極177f。發(fā)光控制源電極176f對(duì)應(yīng)于發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f中用雜質(zhì)摻雜的發(fā)光控制源區(qū)176f。

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a的一端聯(lián)接至開關(guān)半導(dǎo)體層131b和補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c，并且驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a的另一端聯(lián)接至操作控制半導(dǎo)體層131e和發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f。因此，驅(qū)動(dòng)源電極176a聯(lián)接至開關(guān)漏電極177b和操作控制漏電極177e，并且驅(qū)動(dòng)漏電極177a聯(lián)接至補(bǔ)償源電極176c和發(fā)光控制源電極176f。

存儲(chǔ)電容器cst的第一存儲(chǔ)電容器板125h通過(guò)連接構(gòu)件174聯(lián)接至補(bǔ)償漏電極177c和初始化漏電極177d。連接構(gòu)件174形成在與數(shù)據(jù)線171在相同的層上，連接構(gòu)件174的一端通過(guò)在第一柵絕緣層141中、在第二柵絕緣層142中和在夾層絕緣層160中形成的接觸孔166聯(lián)接至補(bǔ)償漏電極177c和初始化漏電極177d，并且連接構(gòu)件174的另一端通過(guò)在第二柵絕緣層142中和在夾層絕緣層160中形成的接觸孔167聯(lián)接至第一存儲(chǔ)電容器板125h。在此情況下，連接構(gòu)件174的另一端通過(guò)在第二存儲(chǔ)電容器板127中形成的存儲(chǔ)開口27聯(lián)接至第一存儲(chǔ)電容器板125h。

存儲(chǔ)電容器cst的第二存儲(chǔ)電容器板127通過(guò)在夾層絕緣層160中形成的接觸孔168聯(lián)接至驅(qū)動(dòng)電壓線172。

開關(guān)薄膜晶體管t2用作用于選擇要發(fā)光的像素的開關(guān)元件。開關(guān)柵電極125b聯(lián)接至掃描線121，開關(guān)源電極176b聯(lián)接至數(shù)據(jù)線171，并且開關(guān)漏電極177b聯(lián)接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1和操作控制薄膜晶體管t5。此外，發(fā)光控制薄膜晶體管t6的發(fā)光控制漏電極177f通過(guò)在保護(hù)層180中形成的接觸孔181直接聯(lián)接至有機(jī)發(fā)光二極管70的像素電極191。

下面，參照?qǐng)D4和圖5，將根據(jù)層疊順序詳細(xì)地描述根據(jù)第一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的結(jié)構(gòu)。

將基于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1、開關(guān)薄膜晶體管t2和發(fā)光控制薄膜晶體管t6描述薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。此外，薄膜晶體管t3、t4和t5的層疊結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1、開關(guān)薄膜晶體管t2和發(fā)光控制薄膜晶體管t6的層疊結(jié)構(gòu)幾乎相同，因此將不進(jìn)一步詳細(xì)地描述其余的薄膜晶體管t3、t4和t5。

緩沖層111形成在基板110上，并且基板110可以由絕緣基板制成，該絕緣基板由玻璃、石英、陶瓷、塑料等構(gòu)成。

驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a、開關(guān)半導(dǎo)體層131b和發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f形成在緩沖層111上。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a包括驅(qū)動(dòng)源區(qū)176a和驅(qū)動(dòng)漏區(qū)177a，驅(qū)動(dòng)源區(qū)176a和驅(qū)動(dòng)漏區(qū)177a面向彼此，驅(qū)動(dòng)溝道區(qū)131a1夾在驅(qū)動(dòng)源區(qū)176a和驅(qū)動(dòng)漏區(qū)177a之間；開關(guān)半導(dǎo)體層131b包括開關(guān)源區(qū)132b和開關(guān)漏區(qū)177b，開關(guān)源區(qū)132b和開關(guān)漏區(qū)177b面向彼此，開關(guān)溝道區(qū)131b1夾在開關(guān)源區(qū)132b和開關(guān)漏區(qū)177b之間；并且發(fā)光控制薄膜晶體管t6包括發(fā)光控制溝道區(qū)131f1、發(fā)光控制源區(qū)176f和發(fā)光控制漏區(qū)133f。

由于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a包括以“z”字形狀形成的多個(gè)彎曲部33，特別是以形狀形成的多個(gè)彎曲部33，所以驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a可以縱向地形成在窄空間中。相應(yīng)地，由于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a的驅(qū)動(dòng)溝道區(qū)131a1可以縱向地形成，所以可以擴(kuò)展向驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a施加的柵電壓的驅(qū)動(dòng)范圍。

由氮化硅(sinx)或二氧化硅(sio2)制成的第一柵絕緣層141形成在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a、開關(guān)半導(dǎo)體層131b和發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f上。

在第一柵絕緣層141上形成第一柵引線，第一柵引線包括掃描線121、前一掃描線122和發(fā)光控制線123，掃描線121包括驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a、開關(guān)柵電極125b和補(bǔ)償柵電極125c，前一掃描線122包括初始化柵電極125d，發(fā)光控制線123包括操作控制柵電極125e和發(fā)光控制柵電極125f。

驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a與掃描線121分離，并且浮置柵電極25與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a的驅(qū)動(dòng)溝道區(qū)131a1重疊。此外，開關(guān)柵電極125b聯(lián)接至掃描線121，并且開關(guān)柵電極125b與開關(guān)半導(dǎo)體層131b的開關(guān)溝道區(qū)131b1重疊。此外，發(fā)光控制柵電極125f與發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f的發(fā)光控制溝道區(qū)131f1重疊。

由于在開關(guān)薄膜晶體管t2中僅第一柵絕緣層141形成在開關(guān)柵電極125b和開關(guān)半導(dǎo)體層131b之間，所以有可能執(zhí)行相對(duì)快的切換操作；并且在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1中，僅第一柵絕緣層141形成在驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a之間，但是由于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a的驅(qū)動(dòng)溝道區(qū)131a1的長(zhǎng)度相對(duì)大，所以相對(duì)擴(kuò)展向驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a施加的柵電壓的驅(qū)動(dòng)范圍，使得有可能更精細(xì)地或更準(zhǔn)確地控制從oled發(fā)出的光的灰度。

第一柵引線125a、125b、125c、125d、125e、125f、121、122和122以及第一柵絕緣層141覆蓋第二柵絕緣層142。第二柵絕緣層412可以由氮化硅(sinx)或二氧化硅(sio2)制成。

在第二柵絕緣層142上形成包括第二存儲(chǔ)電容器板127和初始化電壓線124的第二柵引線。第二存儲(chǔ)電容器板127與第一存儲(chǔ)電容器板125h重疊來(lái)形成存儲(chǔ)電容器cst，并且第一存儲(chǔ)電容器板125h與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a重疊。如上文所述，甚至在像素的尺寸減小的高分辨率下，通過(guò)形成與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a重疊的存儲(chǔ)電容器cst保證被具有彎曲部33的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a減小的存儲(chǔ)電容器cst的區(qū)域，也有可能保證存儲(chǔ)電容。

夾層絕緣層160形成在第二柵絕緣層142上、在第二存儲(chǔ)電容器板127上和在初始化電壓線124上。第一柵絕緣層141、第二柵絕緣層142和夾層絕緣層160共同具有接觸孔163，通過(guò)該接觸孔163暴露發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f的發(fā)光控制漏區(qū)133f。像第一柵絕緣層141和第二柵絕緣層142一樣，夾層絕緣層160可以由像氮化硅(sinx)或二氧化硅(sio2)這樣的基于陶瓷的材料構(gòu)成。

在夾層絕緣層160上形成包括數(shù)據(jù)線171、開關(guān)源電極176b、驅(qū)動(dòng)電壓線172、連接構(gòu)件174和發(fā)光控制漏電極177f的數(shù)據(jù)引線。

此外，開關(guān)源電極176b和發(fā)光控制漏電極177f通過(guò)在夾層絕緣層160中、在第一柵絕緣層141中和在第二柵絕緣層142中形成的接觸孔164和163分別聯(lián)接至開關(guān)半導(dǎo)體層131b的開關(guān)源區(qū)132b和發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f的發(fā)光控制漏區(qū)133f。

在夾層絕緣層160上形成覆蓋數(shù)據(jù)引線171、172、174和177f的保護(hù)層180，并且在保護(hù)層180上形成像素電極191。像素電極191通過(guò)在保護(hù)層180中形成的接觸孔181聯(lián)接至發(fā)光控制漏電極177f。

在像素電極191和保護(hù)層180的邊緣形成障壁350，并且障壁350具有障壁開口351，通過(guò)障壁開口351使像素電極191暴露出。障壁350可以由例如像聚丙烯酸酯和聚酰亞胺這樣的樹脂或硅類無(wú)機(jī)材料構(gòu)成。

在通過(guò)障壁開口351暴露的像素電極191上形成有機(jī)發(fā)光層370，并且在有機(jī)發(fā)光層370上形成公共電極270。如上文所述，形成包括像素電極191、有機(jī)發(fā)光層370和公共電極270的有機(jī)發(fā)光二極管70。

本文中，像素191是屬于空穴注入電極的陽(yáng)極，并且公共電極270是屬于電子輸入電極的陰極。然而，本發(fā)明不局限于此，并且根據(jù)有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的驅(qū)動(dòng)方法，像素電極191可以是陰極并且公共電極270可以是陽(yáng)極?？昭ê碗娮臃謩e從像素電極191和公共電極270注入有機(jī)發(fā)光層370內(nèi)，并且當(dāng)由結(jié)合的注入空穴和電子生成的激子從激發(fā)態(tài)下降到基態(tài)時(shí)，發(fā)出光。

有機(jī)發(fā)光層370可以由低分子量有機(jī)材料或高分子量有機(jī)材料制成，例如由pedot(聚3,4-乙烯二氧噻吩)制成。進(jìn)一步，有機(jī)發(fā)光層370可以由包括發(fā)射層、空穴注入層hil、空穴傳輸層htl、電子傳輸層etl和電子注入層eil中的一個(gè)或多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)制成。在包括所有這些層的情況下，在屬于陽(yáng)極的像素電極191上設(shè)置空穴注入層hil，并且在空穴注入層hil上順序?qū)盈B空穴傳輸層htl、發(fā)射層、電子傳輸層etil和電子注入層eil。由于公共電極270由反射導(dǎo)電材料制成，所以實(shí)現(xiàn)后表面發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管顯示器?？梢允褂孟皲?li)、鈣(ca)、氟化鋰/鈣(lif/ca)、氟化鋰/鋁(lif/al)、鋁(al)、銀(ag)、鎂(mg)或金(au)這樣的材料作為反射材料。

在第一示例性實(shí)施例中，第一存儲(chǔ)電容器板125h具有矩形形狀。然而，本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例能夠通過(guò)延伸第一存儲(chǔ)電容器板125h的一部分增加存儲(chǔ)電容。

現(xiàn)在參考圖7，將詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中圖7是根據(jù)第三示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的布局圖。

除驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層和存儲(chǔ)電容器以外，本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例基本上與圖1至圖5中示出的第一示例性實(shí)施例相同，因此將省略相似結(jié)構(gòu)的重復(fù)描述。

如圖7所示，根據(jù)第三示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1包括驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a、驅(qū)動(dòng)源電極176a和驅(qū)動(dòng)漏電極177a。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a被彎曲并且包括沿第一方向延伸的多個(gè)第一延展部31、沿不同于第一方向的第二方向延伸的多個(gè)第二延展部32以及聯(lián)接第一延展部31和第二延展部32中的各第一延展部31和各第二延展部32的多個(gè)彎曲部33。

驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a可以從數(shù)據(jù)線171的側(cè)表面延伸為與數(shù)據(jù)線171相鄰。相應(yīng)地，由于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a的長(zhǎng)度增加，所以向驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a施加的柵電壓的驅(qū)動(dòng)范圍可以擴(kuò)展。

在第三示例性實(shí)施例中，補(bǔ)償薄膜晶體管t3的補(bǔ)償源電極176c和發(fā)光控制薄膜晶體管t6的發(fā)光控制源電極176f形成在相同的層上，但是補(bǔ)償源電極176c和發(fā)光控制源電極176f通過(guò)二者之間的間隔部分d彼此分離，以便不與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a重疊。

驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a(即第一存儲(chǔ)電容器板125h)可以沿側(cè)向延伸為與延伸的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a重疊，并且第一存儲(chǔ)電容器板125h可以與間隔部分d部分重疊。此外，第二存儲(chǔ)電容器板127延伸以便與第一存儲(chǔ)電容器板125h重疊，并且第二存儲(chǔ)電容器板127與間隔部分d部分重疊。

彼此部分分離的補(bǔ)償源電極176c和發(fā)光控制源電極176f通過(guò)與數(shù)據(jù)線171形成在相同的層上的晶體管連接部71彼此聯(lián)接。晶體管連接部71的一端通過(guò)在第一柵絕緣層141中、在第二柵絕緣層142中和在夾層絕緣層160中形成的接觸孔61聯(lián)接至補(bǔ)償源電極176c。晶體管連接部71的另一端通過(guò)在第一柵絕緣層141中、在第二柵絕緣層142中和在夾層絕緣層160中形成的接觸孔62聯(lián)接至發(fā)光控制源電極176f。相應(yīng)地，存儲(chǔ)電容器cst延伸為與晶體管連接部71重疊，并且驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a延伸為與晶體管連接部71重疊。

如上文所述，由于補(bǔ)償源電極176c和發(fā)光控制源電極176f可以通過(guò)晶體管連接部71聯(lián)接，以允許驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a、第一存儲(chǔ)電容器板125h和第二存儲(chǔ)電容器板127延伸至補(bǔ)償源電極176c和發(fā)光控制源電極176f之間的間隔部分d，所以存儲(chǔ)電容器cst可以進(jìn)一步延伸。

在第一示例性實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a在彎曲部33處不直接聯(lián)接至補(bǔ)償源電極176c。然而，在本發(fā)明的第四示例性實(shí)施例中，分叉部分34在彎曲部33處直接從補(bǔ)償源電極176c起分叉。

現(xiàn)在參考圖8，將詳細(xì)地描述根據(jù)第四示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。圖8是根據(jù)第四示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的放大布局圖。除驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層和存儲(chǔ)電容器以外，第四示例性實(shí)施例基本上與圖1至圖5中示出的第一示例性實(shí)施例相同，因此將省略基本相似特征的重復(fù)描述。

如圖8所示，根據(jù)第四示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1包括驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a、驅(qū)動(dòng)源電極176a和驅(qū)動(dòng)漏電極177a。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a被彎曲，并且包括沿第一方向延伸的第一延展部31、沿不同于第一方向的第二方向延伸的第二延展部32、聯(lián)接第一延展部31和第二延展部32的彎曲部33以及在彎曲部33處直接分叉至補(bǔ)償源電極176c的分叉部34。整個(gè)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a具有的形狀，例如一豎線，該豎線具有從其中央附近起延伸的水平線。相應(yīng)地，由于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a的長(zhǎng)度增加，所以向驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a施加的柵電壓的驅(qū)動(dòng)范圍可以擴(kuò)展。

分叉部34對(duì)應(yīng)于聯(lián)接至補(bǔ)償薄膜晶體管t3的第一路徑半導(dǎo)體層ch1，并且第二延展部32對(duì)應(yīng)于聯(lián)接至發(fā)光控制薄膜晶體管t6的第二路徑半導(dǎo)體層ch2。此外，驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a(即第一存儲(chǔ)電容器板125h)與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a的第一路徑半導(dǎo)體層ch1和第二路徑半導(dǎo)體層ch2重疊，并且第二存儲(chǔ)電容器板127與第一存儲(chǔ)電容器板125h重疊。相應(yīng)地，由于存儲(chǔ)電容器cst的面積增加，所以甚至在高分辨率下也獲得足夠的存儲(chǔ)電容。

在第四示例性實(shí)施例中，第一路徑半導(dǎo)體層ch1和第二路徑半導(dǎo)體層ch2的長(zhǎng)度基本上彼此相同。然而，在本發(fā)明的第五示例性實(shí)施例中，第一路徑半導(dǎo)體層ch1和第二路徑半導(dǎo)體層ch2的長(zhǎng)度彼此不同。

現(xiàn)在參考圖9，將詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的第五示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。圖9是根據(jù)第五示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的放大布局圖，除驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層和存儲(chǔ)電容器以外，該放大布局圖基本與圖8中示出的第四示例性實(shí)施例相同，因此將省略相似部分的重復(fù)描述。

如圖9所示，根據(jù)第五示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1包括驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a、驅(qū)動(dòng)源電極176a和驅(qū)動(dòng)漏電極177a。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a被彎曲。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a包括：沿第一方向延伸的第一延展部31，沿不同于第一方向的第二方向延伸的第二延展部32，聯(lián)接第一延展部31和第二延展部32的彎曲部33，以及在彎曲部33處從補(bǔ)償源電極176c起直接分叉的分叉部34。相應(yīng)地，由于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a的長(zhǎng)度增加，所以向驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a施加的柵電壓的驅(qū)動(dòng)范圍可以擴(kuò)展。

分叉部34對(duì)應(yīng)于聯(lián)接至補(bǔ)償薄膜晶體管t3的第一路徑半導(dǎo)體層ch1，并且包括第一延展部31、第二延展部32和彎曲部33的z字部30對(duì)應(yīng)于聯(lián)接至發(fā)光控制薄膜晶體管t6的第二路徑半導(dǎo)體層ch2。此外，驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a(即第一存儲(chǔ)電容器板125h)與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a的第一路徑半導(dǎo)體層ch1和第二路徑半導(dǎo)體層ch2重疊，并且第二存儲(chǔ)電容器板127與第一存儲(chǔ)電容器板125h重疊。相應(yīng)地，由于存儲(chǔ)電容器cst的面積增加，所以甚至在高分辨率下也確保足夠的存儲(chǔ)電容。

進(jìn)一步，第一路徑半導(dǎo)體層ch1的長(zhǎng)度小于第二路徑半導(dǎo)體層ch2的長(zhǎng)度。該結(jié)構(gòu)被稱為“短通型二極管結(jié)構(gòu)”，并且由于第一路徑半導(dǎo)體層ch1的長(zhǎng)度不同于第二路徑半導(dǎo)體層ch2的長(zhǎng)度，所以具有不同幅度的電流可以并發(fā)(例如同時(shí))流動(dòng)。由于第一路徑半導(dǎo)體層ch1的長(zhǎng)度相對(duì)小，所以其內(nèi)可以流動(dòng)相對(duì)大的電流，并且由于第二路徑半導(dǎo)體層ch2的長(zhǎng)度相對(duì)大，所以其內(nèi)可以流動(dòng)相對(duì)小的電流(例如與在第一路徑半導(dǎo)體層ch1中的相對(duì)大電流同時(shí))。如上文所述，當(dāng)通過(guò)使用由一個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管并發(fā)(例如同時(shí))提供的具有不同幅度的電流的特性快速地補(bǔ)償閾值電壓來(lái)減少具有不同特性的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管之間的電流變化時(shí)，可以向有機(jī)發(fā)光二極管提供恒定電流，從而防止由電流幅度之間的差異導(dǎo)致的污點(diǎn)，并且下面將詳細(xì)地描述其驅(qū)動(dòng)操作。

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1根據(jù)掃描信號(hào)sn向存儲(chǔ)電容器cst中充以對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)dm的電壓，并且向oled提供對(duì)應(yīng)于在存儲(chǔ)電容器cst中充的電壓的電流。由于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的閾值電壓vth可以隨時(shí)間變化，所以補(bǔ)償薄膜晶體管t3根據(jù)掃描信號(hào)sn執(zhí)行驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的二極管連接，以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的閾值電壓vth。

相應(yīng)地，由于在傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)dm時(shí)流經(jīng)第一路徑半導(dǎo)體層ch1的相對(duì)大的電流能夠通過(guò)補(bǔ)償薄膜晶體管t3對(duì)存儲(chǔ)電容器cst快速地充電(例如充電至預(yù)定的電壓/補(bǔ)償電壓)，所以閾值電壓vth的補(bǔ)償可以相對(duì)快速且容易地執(zhí)行。

進(jìn)一步，通過(guò)發(fā)光控制薄膜晶體管t6向oled提供流經(jīng)第二路徑半導(dǎo)體層ch2的相對(duì)小電流，可以避免或防止污點(diǎn)。也就是說(shuō)，由于根據(jù)向驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a施加的電壓變化的電流變化小，所以電流控制電壓寬度(數(shù)據(jù)擺動(dòng)范圍)可以增加，使得能夠增加顯示伽馬(gamma)的數(shù)據(jù)電壓的范圍，并且有可能通過(guò)減少具有不同特性(例如分配特性)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管之間的電流變化避免或防止由電流幅度之間的差異導(dǎo)致的污點(diǎn)。

由于已知的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管僅能夠允許具有一個(gè)幅度的電流流經(jīng)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a，所以向補(bǔ)償薄膜晶體管t3和發(fā)光控制薄膜晶體管t6提供具有相同幅度的電流。相應(yīng)地，當(dāng)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a的長(zhǎng)度相對(duì)小時(shí)，使得驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的閾值電壓vth被快速補(bǔ)償，因?yàn)榫w管特性曲線(傳輸曲線)的s因子減小，從而升高電流變化對(duì)向驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O施加的電壓變化的比率(例如變化比率)，從而導(dǎo)致向oled提供相對(duì)大的電流，這可能造成污點(diǎn)。

相反，當(dāng)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a的長(zhǎng)度被設(shè)置為相對(duì)大來(lái)嘗試避免或防止污點(diǎn)時(shí)，由于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓vth相對(duì)緩慢地被小電流補(bǔ)償，所以不執(zhí)行低灰度補(bǔ)償，這造成斑點(diǎn)。當(dāng)分辨率增加時(shí)，該問(wèn)題變得更顯著。也就是說(shuō)，由于隨著分辨率增加，施加數(shù)據(jù)信號(hào)dm的時(shí)間量減少，所以在完全補(bǔ)償閾值電壓vth以前，電流流向oled，這導(dǎo)致電流變化生成污點(diǎn)。

相應(yīng)地，通過(guò)將聯(lián)接至補(bǔ)償薄膜晶體管t3的第一路徑半導(dǎo)體層ch1的長(zhǎng)度設(shè)置為小于聯(lián)接至發(fā)光控制薄膜晶體管t6的第二路徑半導(dǎo)體層ch2的長(zhǎng)度，有可能避免或防止低灰度污點(diǎn)。

第一示例性實(shí)施例具有驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層被彎曲在“6tr1cap”結(jié)構(gòu)內(nèi)的結(jié)構(gòu)，該“6tr1cap”結(jié)構(gòu)由六個(gè)薄膜晶體管和一個(gè)存儲(chǔ)電容器制成。然而，本發(fā)明的第六示例性實(shí)施例具有驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層被彎曲在由七個(gè)薄膜晶體管和一個(gè)存儲(chǔ)電容器形成的“7tr1cap”結(jié)構(gòu)內(nèi)的結(jié)構(gòu)。

現(xiàn)在參照?qǐng)D10和圖11，將詳細(xì)地描述根據(jù)第六示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。圖10是根據(jù)第六示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素的等效電路，并且圖11是根據(jù)第六示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的布局圖，除添加電流控制薄膜晶體管以外，該第六示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器基本與圖1至圖5中示出的第一示例性實(shí)施例相同，因此將省略相似部分的重復(fù)描述。

如圖10和圖11所示，根據(jù)第六示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素包括多個(gè)信號(hào)線121、122、123、124、128、171和172，多個(gè)薄膜晶體管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7，存儲(chǔ)電容器cst，以及與多個(gè)信號(hào)線聯(lián)接的oled。

多個(gè)薄膜晶體管包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1、開關(guān)薄膜晶體管t2、補(bǔ)償薄膜晶體管t3、初始化薄膜晶體管t4、操作控制薄膜晶體管t5、發(fā)光控制薄膜晶體管t6和電流控制薄膜晶體管t7。

信號(hào)線包括掃描線121、前一掃描線122、發(fā)光控制線123、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172、初始化電壓線124和旁通控制線128，掃描線121用于傳輸掃描信號(hào)sn，前一掃描線122用于將前一掃描信號(hào)sn-1傳輸至初始化薄膜晶體管t4，發(fā)光控制線123用于將發(fā)光控制信號(hào)en傳輸至操作控制薄膜晶體管t5和發(fā)光控制薄膜晶體管t6，數(shù)據(jù)線171與掃描線121交叉并且用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)dm，基本與數(shù)據(jù)線171平行的驅(qū)動(dòng)電壓線172用于傳輸驅(qū)動(dòng)電壓elvdd，初始化電壓線124用于傳輸初始化電壓vint來(lái)初始化驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1，并且旁通控制線128用于將旁通信號(hào)bp傳輸至旁通薄膜晶體管t7。

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極g1聯(lián)接至存儲(chǔ)電容器cst的一端(例如第一端)cst1，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的源電極s1經(jīng)由操作控制薄膜晶體管t5聯(lián)接至驅(qū)動(dòng)電壓線172，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的漏電極d1經(jīng)由發(fā)光控制薄膜晶體管t6電聯(lián)接至oled的陽(yáng)極。

開關(guān)薄膜晶體管t2的柵電極g2聯(lián)接至掃描線121；開關(guān)薄膜晶體管t2的源電極s2聯(lián)接至數(shù)據(jù)線171；開關(guān)薄膜晶體管t2的漏電極d2經(jīng)由操作控制薄膜晶體管t5聯(lián)接至驅(qū)動(dòng)電壓線172，同時(shí)還聯(lián)接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的源電極s1。

初始化薄膜晶體管t4的柵電極g4聯(lián)接至前一掃描線122；初始化薄膜晶體管t4的源電極s4聯(lián)接至初始化電壓線124；并且初始化薄膜晶體管t4的漏電極d4與存儲(chǔ)電容器cst的第一端cst1、補(bǔ)償薄膜晶體管t3的漏電極d3以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵電極g1聯(lián)接。

旁通薄膜晶體管t7的柵電極g7聯(lián)接至旁通控制線128；旁通薄膜晶體管t7的源電極s7聯(lián)接至發(fā)光控制薄膜晶體管t6的漏電極d6和oled的陽(yáng)極；并且旁通薄膜晶體管t7的漏電極d7聯(lián)接至初始化電壓線124和初始化薄膜晶體管t4的源電極s4。

下面，將描述根據(jù)第六示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的旁通薄膜晶體管t7的操作。

旁通薄膜晶體管t7從旁通控制線128接收旁通信號(hào)bp。旁通信號(hào)bp是使旁通薄膜晶體管t7能夠一直截止的電壓(例如具有預(yù)定電平的電壓)，并且旁通薄膜晶體管t7接收具有足以使該晶體管截止的電平的電壓至柵電極g7來(lái)使旁通晶體管t7截止，并且允許驅(qū)動(dòng)電流id的一部分作為旁通電流ibp來(lái)流經(jīng)旁通晶體管t7。

當(dāng)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的用于顯示黑色圖像的最小電流作為驅(qū)動(dòng)電流id流動(dòng)時(shí)，如果oled發(fā)光，則不理想地顯示黑色圖像。相應(yīng)地，根據(jù)第六示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的旁通薄膜晶體管t7可以將驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的最小電流的一部分作為旁通電流ibp旁通或轉(zhuǎn)移至不同于有機(jī)發(fā)光二極管的電流路徑的電流路徑。本文中，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的最小電流指當(dāng)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1的柵-源電壓vgs小于閾值電壓vth時(shí)的電流，因此使驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管截止。當(dāng)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管截止時(shí)的最小驅(qū)動(dòng)電流(例如10pa或更小的電流)被傳輸至有機(jī)發(fā)光二極管，以作為具有黑色亮度的圖像顯示。

當(dāng)顯示黑色圖像的最小驅(qū)動(dòng)電流流動(dòng)時(shí)，旁通電流ibp的旁通傳輸效果大，但是當(dāng)用于顯示圖像(例如常規(guī)圖像或白色圖像)的大驅(qū)動(dòng)電流流動(dòng)時(shí)，旁通電流ibp的效果幾乎不存在。相應(yīng)地，當(dāng)顯示黑色圖像的驅(qū)動(dòng)電流流動(dòng)時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光電流ioled具有能夠顯示黑色圖像的最小所需電流，有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光電流ioled對(duì)應(yīng)于由通過(guò)旁通薄膜晶體管t7的旁通電流ibp減少的驅(qū)動(dòng)電流id.

相應(yīng)地，通過(guò)利用旁通薄膜晶體管t7實(shí)現(xiàn)精確的黑亮度圖像，可以提高對(duì)比度。

將參照?qǐng)D11連同圖10和圖3一起描述圖10中示出的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的像素的結(jié)構(gòu)。圖11是根據(jù)第六示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的布局圖。

如圖10和圖11所示，根據(jù)第六示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的像素包括掃描線121、前一掃描線122、發(fā)光控制線123、初始化電壓線124和旁通控制線128以及還包括數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172，掃描線121、前一掃描線122、發(fā)光控制線123、初始化電壓線124和旁通控制線128沿行的方向形成且用于分別施加掃描信號(hào)sn、前一掃描信號(hào)sn-1、發(fā)光控制信號(hào)en、初始化電壓vint和旁通信號(hào)bp，數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172與掃描線121、前一掃描線122、發(fā)光控制線123、初始化電壓線124和旁通控制線128相交叉且用于分別向像素施加數(shù)據(jù)信號(hào)dm和驅(qū)動(dòng)電壓elvdd。

進(jìn)一步，在像素中形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1、開關(guān)薄膜晶體管t2、補(bǔ)償薄膜晶體管t3、初始化薄膜晶體管t4、操作控制薄膜晶體管t5、發(fā)光控制薄膜晶體管t6、旁通薄膜晶體管t7、存儲(chǔ)電容器cst和oled70。

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1、開關(guān)薄膜晶體管t2、補(bǔ)償薄膜晶體管t3、初始化薄膜晶體管t4、操作控制薄膜晶體管t5、發(fā)光控制薄膜晶體管t6和旁通薄膜晶體管t7沿半導(dǎo)體層131形成，半導(dǎo)體層131被彎曲成具有各種形狀。半導(dǎo)體層131可以由例如多晶硅制成，并且包括未用雜質(zhì)摻雜的溝道區(qū)和在溝道區(qū)兩側(cè)形成的且用雜質(zhì)摻雜的源區(qū)和漏區(qū)。本文中，雜質(zhì)對(duì)應(yīng)于一種薄膜晶體管，例如n型雜質(zhì)或p型雜質(zhì)。半導(dǎo)體層131包括：在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1中形成的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a，在開關(guān)薄膜晶體管t2中形成的開關(guān)半導(dǎo)體層131b，在補(bǔ)償薄膜晶體管t3中形成的補(bǔ)償半導(dǎo)體層131c，在初始化薄膜晶體管t4中形成的初始化半導(dǎo)體層131d，在操作控制薄膜晶體管t5中形成的操作控制半導(dǎo)體層131e，在發(fā)光控制薄膜晶體管t6中形成的發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f，以及在旁通晶體管t7中形成的旁通半導(dǎo)體層131g。

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管t1包括驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a、驅(qū)動(dòng)源電極176a和驅(qū)動(dòng)漏電極177a。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a被彎曲并且包括沿第一方向延伸的多個(gè)第一延展部31、沿不同于第一方向的第二方向延伸的多個(gè)第二延展部32以及聯(lián)接第一延展部31和第二延展部32中的各第一延展部31和各第二延展部32的多個(gè)彎曲部33。相應(yīng)地，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a可以呈“z”字形狀。圖2和圖3中示出的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a包括三個(gè)第一延展部31、兩個(gè)第二延展部32和四個(gè)彎曲部33。相應(yīng)地，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a可以縱向地呈形狀或呈“z”形狀。

如上文所述，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a可以通過(guò)形成包括多個(gè)彎曲部33的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a而縱向地形成在窄空間內(nèi)。相應(yīng)地，由于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a的驅(qū)動(dòng)溝道區(qū)131a1可以縱向地形成，所以可以擴(kuò)展向驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125a施加的柵電壓的驅(qū)動(dòng)范圍。因此，由于柵電壓的驅(qū)動(dòng)范圍相對(duì)寬，所以從oled發(fā)出的光的灰度能夠更精細(xì)地或更準(zhǔn)確地通過(guò)改變或調(diào)整柵電壓的幅度來(lái)控制，因此有可能提高有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的分辨率并且提高顯示質(zhì)量。

旁通薄膜晶體管t7包括旁通半導(dǎo)體層131g、旁通柵電極125g、旁通源電極176g和旁通漏電極177g。旁通源電極176g對(duì)應(yīng)于旁通半導(dǎo)體層131g中用雜質(zhì)摻雜的旁通源區(qū)177g，并且旁通漏電極177g對(duì)應(yīng)于旁通半導(dǎo)體層131g中用雜質(zhì)摻雜的旁通漏區(qū)177g。旁通源電極176g直接聯(lián)接至發(fā)光控制漏區(qū)133f。

旁通半導(dǎo)體層131g形成在與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層131a、開關(guān)半導(dǎo)體層131b、發(fā)光控制半導(dǎo)體層131f等相同的層上。第一柵絕緣層141形成在旁通半導(dǎo)體層131g上。屬于旁通控制線128的一部分的旁通柵電極125g形成在第一柵絕緣層141上，并且第二柵絕緣層142形成在旁通柵電極125和第一柵絕緣層141上。

相應(yīng)地，旁通晶體管t7從旁通控制線128接收旁通信號(hào)bp，以使旁通晶體管t7一直截止，并且在截止?fàn)顟B(tài)下，驅(qū)動(dòng)電流id的一部分作為旁通電流ibp通過(guò)旁通晶體管t7被發(fā)出至外部。相應(yīng)地，當(dāng)顯示黑色圖像的驅(qū)動(dòng)電流流動(dòng)時(shí)，通過(guò)實(shí)現(xiàn)更準(zhǔn)確的黑色亮度圖像可以提高對(duì)比度。

雖然已關(guān)于目前被視為可實(shí)施的示例性實(shí)施例描述了本公開，但應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所公開的實(shí)施例，而是相反，旨在覆蓋包含于所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置及其等同物。

一些附圖標(biāo)記描述：

31：第一延展部32：第二延展部

33：彎曲部110：基板

121：掃描線122：前一掃描線

123：發(fā)光控制線124：初始化電壓線

125a：驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125b：開關(guān)柵電極

131a：驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層132b：開關(guān)半導(dǎo)體層

141：第一柵絕緣層142：第二柵絕緣層

171：數(shù)據(jù)線172：驅(qū)動(dòng)電壓線