顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本公開(kāi)涉及顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備。一種顯示裝置包括像素陣列單元和驅(qū)動(dòng)單元，該像素陣列單元通過(guò)布置像素電路形成，該像素電路包括驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動(dòng)晶體管、施加信號(hào)電壓的采樣晶體管、控制發(fā)光單元發(fā)光和不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、連接在驅(qū)動(dòng)晶體管柵極電極與源極電極之間的存儲(chǔ)電容器以及其第一端被連接至驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電極的輔助電容器，在閾值校正期間，該驅(qū)動(dòng)單元將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加至在其中驅(qū)動(dòng)晶體管源極電極已被設(shè)定至浮置狀態(tài)的狀態(tài)中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極，并且隨后將脈沖信號(hào)施加到輔助電容器的第二端。
【專利說(shuō)明】顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2013年7月8日提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請(qǐng)JP2013-142832的權(quán)益，通過(guò)引用將其全部?jī)?nèi)容結(jié)合于本文中。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本公開(kāi)涉及顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備，并且具體地，涉及由包括以行和列(矩陣形式)布置的發(fā)光單元的像素形成的平面型(平板型)顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和包括顯示裝置的電子設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0004]使用所謂電流驅(qū)動(dòng)型光電元件的顯示裝置是一種平面型顯示裝置，該光電元件中發(fā)光亮度根據(jù)流動(dòng)到作為像素的發(fā)光單元的發(fā)光單元(發(fā)光元件)的電流值改變。例如，已知的是使用有機(jī)材料的電致發(fā)光并利用其中當(dāng)電場(chǎng)被施加到有機(jī)薄膜時(shí)發(fā)射光的現(xiàn)象的有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件作為電流驅(qū)動(dòng)型的光電元件。
[0005]在通常由有機(jī)EL顯示裝置所代表的平面型顯示裝置中，除了使用P溝道型晶體管作為驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元的驅(qū)動(dòng)晶體管之外，存在具有校正驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓上的校正變化以及其移動(dòng)量的功能的裝置。在這些顯示裝置中的像素電路具有除驅(qū)動(dòng)晶體管之外還包括采樣晶體管、開(kāi)關(guān)晶體管、存儲(chǔ)電容器和輔助電容器的配置(例如，參考日本未經(jīng)審查專利申請(qǐng)公開(kāi)第2008-287141號(hào))。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在如現(xiàn)有技術(shù)的上述實(shí)例中的顯示裝置中，因?yàn)槲⑿〉闹蓖娏髟陂撝惦妷旱男Ｕ郎?zhǔn)備期(閾值校正準(zhǔn)備期)期間流動(dòng)至發(fā)光單元，盡管實(shí)際上是不發(fā)光期，但發(fā)光單元在沒(méi)有依賴于信號(hào)電壓的等級(jí)的情況下為每個(gè)幀以恒定亮度發(fā)光。其結(jié)果為導(dǎo)致了其中顯示面板的對(duì)比度降低的問(wèn)題。
[0007]期望的是提供一種顯示裝置，其中，可以通過(guò)抑制在不發(fā)光期流動(dòng)到發(fā)光單元的直通電流來(lái)解決對(duì)比度降低的問(wèn)題，并提供用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和包括顯示裝置的電子設(shè)備。
[0008]根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式，提供了一種包括像素陣列單元和驅(qū)動(dòng)單元的顯示裝置，該像素陣列單元通過(guò)布置像素電路形成，該像素電路包括驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動(dòng)晶體管、施加信號(hào)電壓的采樣晶體管、控制發(fā)光單元發(fā)光和不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、在驅(qū)動(dòng)晶體管柵極電極和源極電極之間連接的存儲(chǔ)電容器以及其第一端連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電極的輔助電容器，在閾值校正期間，該驅(qū)動(dòng)單元將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加到在其中驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電極已被設(shè)定至浮置狀態(tài)的狀態(tài)中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極，并且隨后將脈沖信號(hào)施加到輔助電容器的第二端。
[0009]根據(jù)本公開(kāi)的另一實(shí)施方式提供用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中通過(guò)布置像素電路形成的顯示裝置驅(qū)動(dòng)時(shí)，在閾值校正期間，驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電極被設(shè)定至浮置狀態(tài)，此后，將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加到驅(qū)動(dòng)晶體管柵極電極，并且隨后將脈沖信號(hào)施加到輔助電容器的第二端，該像素電路包括驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動(dòng)晶體管、施加信號(hào)電壓的采樣晶體管、控制發(fā)光單元發(fā)光和不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、連接在驅(qū)動(dòng)晶體管柵極電極與源極電極之間的存儲(chǔ)電容器以及其第一端連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電極的輔助電容器。
[0010]根據(jù)本公開(kāi)的又一實(shí)施方式，提供了一種包括顯示裝置的電子設(shè)備，該顯示裝置包括像素陣列單元和驅(qū)動(dòng)單元，該像素陣列單元通過(guò)布置像素電路形成，該像素電路包括驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動(dòng)晶體管、施加信號(hào)電壓的采樣晶體管、控制發(fā)光單元發(fā)光和不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、連接在驅(qū)動(dòng)晶體管柵極電極與源極電極之間的存儲(chǔ)電容器以及其第一端連接到驅(qū)動(dòng)晶體管源極電極的輔助電容器，在閾值校正期間，該驅(qū)動(dòng)單元將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加到在其中驅(qū)動(dòng)晶體管源極電極已設(shè)定至浮置狀態(tài)的狀態(tài)中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極，并且隨后將脈沖信號(hào)施加到輔助電容器的第二端。
[0011]在具有上述配置的顯示裝置、其驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備中，在閾值校正期間(當(dāng)閾值校正執(zhí)行時(shí))，標(biāo)準(zhǔn)電壓被施加到在其中驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電極已被設(shè)定至浮置狀態(tài)的狀態(tài)中的驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極。此時(shí)，盡管由存儲(chǔ)電容器和輔助電容器的電容耦合使得驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電位隨著柵極電位而升高，但柵極電位獲得比源極電位更高的狀態(tài)。因此，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管在將驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電位設(shè)定至標(biāo)準(zhǔn)電壓的閾值校正準(zhǔn)備期中處于非導(dǎo)通狀態(tài)，故可以在不發(fā)光期中抑制到發(fā)光單元的直通電流。進(jìn)一步地，通過(guò)將脈沖信號(hào)施加至輔助電容器的第二端，因?yàn)榇鎯?chǔ)電容器和輔助電容器的電容耦合使驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電位升高，故在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間的電壓被放大到大于或等于閾值電壓。其結(jié)果為，可以開(kāi)始閾值校正的操作。
[0012]根據(jù)本公開(kāi)，因?yàn)榭梢栽诓话l(fā)光期中抑制到發(fā)光單元的直通電流，因故可以解決對(duì)比度降低的問(wèn)題。
[0013]另外，本公開(kāi)的效果不必限于上述效果，并可以是在本說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的任何效果。另外，在本說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的效果僅是實(shí)例，本公開(kāi)不限于此并且可以有附加的效果。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1是示出了形成本公開(kāi)的前提的有源矩陣型顯示裝置的基本配置的概況的系統(tǒng)配置圖；
[0015]圖2是示出了形成本公開(kāi)的前提的有源矩陣型顯示裝置中的像素的電路(像素電路)實(shí)例的電路圖；
[0016]圖3是用于描述形成本公開(kāi)的前提的有源矩陣型顯示裝置的電路操作的時(shí)序波形圖；
[0017]圖4是示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式的有源矩陣型顯示裝置的配置概況的系統(tǒng)配置圖；
[0018]圖5是示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式的有源矩陣型顯示裝置中的像素的電路(像素電路)實(shí)例的電路圖；
[0019]圖6是用于描述根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式的有源矩陣型顯示裝置的電路操作的時(shí)序波形圖；
[0020]圖7A是描述電路操作的操作說(shuō)明圖(部分I)，圖7B是描述電路操作的操作說(shuō)明圖(部分2)；
[0021]圖8A是描述電路操作的操作說(shuō)明圖(部分3)，圖SB是描述電路操作的操作說(shuō)明圖(部分4);以及
[0022]圖9A是描述電路操作的操作說(shuō)明圖(部分5)，圖9B是描述電路操作的操作說(shuō)明圖(部分6)。

【具體實(shí)施方式】
[0023]在下文中，將利用附圖對(duì)用于實(shí)施本公開(kāi)的技術(shù)的實(shí)施方式(在下文中稱為“實(shí)施方式”)進(jìn)行詳細(xì)描述。本公開(kāi)不限于實(shí)施方式，并且實(shí)施方式中的各種數(shù)值等是實(shí)例。在以下描述中，對(duì)具有相同功能的相似的部件和相似的多個(gè)部件賦予相同的符號(hào)并將省略重復(fù)描述。另外，將按以下順序給出描述。
[0024]1.關(guān)于本公開(kāi)的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備的總體描述
[0025]2.形成本公開(kāi)的前提的有源矩陣型顯示裝置
[0026]2-1.系統(tǒng)配置
[0027]2-2.像素電路
[0028]2-3.基本的電路操作
[0029]2-4.閾值校正準(zhǔn)備期中的缺點(diǎn)
[0030]3.實(shí)施方式的描述
[0031]4.變形例
[0032]5.電子設(shè)備
[0033]關(guān)于本公開(kāi)的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備的總體描述
[0034]在本公開(kāi)的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備中，采用了其中將P溝道型晶體管用作驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元的驅(qū)動(dòng)晶體管的配置。將在下面就使用P溝道型晶體管代替N溝道型晶體管作為驅(qū)動(dòng)晶體管的原因進(jìn)行描述。
[0035]假設(shè)其中晶體管形成在諸如硅的半導(dǎo)體上而不是形成在諸如玻璃基板的絕緣體上的情況，晶體管形成源極、柵極、漏極和背柵極(基極)的四個(gè)端子而不是源極、柵極和漏極的三個(gè)端子。進(jìn)一步地，在其中N溝道型晶體管被用作驅(qū)動(dòng)晶體管的情況下，背柵極(基板)電位是0V，并且這對(duì)每個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管閾值電壓的校正變化的操作等帶來(lái)不利影響。
[0036]另外，與具有LDD (輕摻雜漏極)區(qū)域的N溝道型晶體管相比，晶體管的特性變化小于不具有LDD區(qū)域的P溝道型晶體管，并且因?yàn)榭梢詫?shí)現(xiàn)像素微型化和改善的顯示裝置清晰度，故P溝道型晶體管是有利的。出于上述原因，在其中假設(shè)在諸如硅的半導(dǎo)體上形成的情況下，優(yōu)選地使用P溝道型晶體管而不是N溝道型晶體管作為驅(qū)動(dòng)晶體管。
[0037]本公開(kāi)的顯示裝置是由像素電路形成的平面型(平板型)顯示裝置，該像素電路除P溝道型驅(qū)動(dòng)晶體管外還包括采樣晶體管、發(fā)光控制晶體管、存儲(chǔ)電容器和輔助電容器?？梢园ㄓ袡C(jī)EL顯示裝置、液晶顯示裝置、等離子體顯示裝置等作為平面型顯示裝置的實(shí)例。在這些顯示裝置中，有機(jī)EL顯示裝置使用有機(jī)電致發(fā)光元件(在下文中稱為“有機(jī)EL元件”)作為像素的發(fā)光元件(光電元件)，其利用有機(jī)材料的電致發(fā)光并利用其中當(dāng)電場(chǎng)被施加到有機(jī)薄膜時(shí)發(fā)射光的現(xiàn)象。
[0038]使用有機(jī)EL元件作為像素的發(fā)光單元的有機(jī)EL顯示裝置具有以下特性。即，因?yàn)橛袡C(jī)EL元件可以使用小于或等于1V的施加電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，故有機(jī)EL顯示裝置是低功耗的。因?yàn)橛袡C(jī)EL元件是自發(fā)光型元件，故有機(jī)EL顯示裝置中的像素可見(jiàn)度比同樣是平面型顯示裝置的液晶顯示裝置高，并且另外，因?yàn)椴恍枰T如背光的照明構(gòu)件，故容易進(jìn)行輕量化和薄型化。此外，由于有機(jī)EL元件的響應(yīng)速度極快以至約幾微秒的程度，故有機(jī)EL顯示裝置在視頻顯示期間不生成殘留圖像。
[0039]除自發(fā)光型元件外，配置發(fā)光單元的有機(jī)EL顯示裝置是電流驅(qū)動(dòng)型光電元件，其中，發(fā)光亮度根據(jù)流動(dòng)至裝置的電流值而改變。除有機(jī)EL元件外，可以包括無(wú)機(jī)EL元件、LED元件、半導(dǎo)體激光器元件等作為電流驅(qū)動(dòng)型光電元件。
[0040]諸如有機(jī)EL顯示裝置的平面型顯示裝置可以在設(shè)置有顯示單元的各種電子設(shè)備中用作顯示單元(顯示裝置)?？梢园^戴式顯示器、數(shù)碼相機(jī)、視頻攝影機(jī)、游戲控制器、筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)、諸如電子閱讀器的便攜式信息裝置、諸如個(gè)人數(shù)字助理(PDA)和蜂窩電話的移動(dòng)通信單元作為各種電子設(shè)備的實(shí)例。
[0041]在本公開(kāi)的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備中，可以采用其中當(dāng)脈沖信號(hào)被施加到輔助晶體管的第二端時(shí)，由于存儲(chǔ)電容器和輔助電容器的電容稱合而使驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電位升高的配置?？商鎿Q地，可以采用其中當(dāng)脈沖信號(hào)被施加到輔助晶體管的第二端時(shí)，由于存儲(chǔ)電容器和輔助電容器的電容耦合而放大驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間的電壓的配置。
[0042]在包括上述優(yōu)選配置的本公開(kāi)的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備中，可以采用其中當(dāng)脈沖信號(hào)被施加到輔助晶體管第二端時(shí)，執(zhí)行脈沖信號(hào)從最小電壓轉(zhuǎn)變到最大電壓轉(zhuǎn)變的配置。此時(shí)，可以采用其中脈沖信號(hào)的振幅大于標(biāo)準(zhǔn)電壓的配置。另夕卜，可以采用其中脈沖信號(hào)最大電壓是與像素電路的電源電壓相同電壓的配置。
[0043]在包括上述優(yōu)選配置的本公開(kāi)的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備中，可以采用其中發(fā)光控制晶體管連接在電源電壓的節(jié)點(diǎn)與驅(qū)動(dòng)晶體管源極電極之間的配置。此時(shí)，可以采用其中通過(guò)將發(fā)光控制晶體管設(shè)定至非導(dǎo)通狀態(tài)來(lái)將驅(qū)動(dòng)晶體管源極電極設(shè)定至浮置狀態(tài)的配置。
[0044]在包括上述優(yōu)選配置的本公開(kāi)的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備中，可以采用其中采樣晶體管被連接在信號(hào)線與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極之間的配置。此時(shí)，可以設(shè)定通過(guò)信號(hào)線施加標(biāo)準(zhǔn)電壓的配置，并通過(guò)采樣晶體管的采樣施加標(biāo)準(zhǔn)電壓。
[0045]在包括上述優(yōu)選配置的本公開(kāi)的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備中，可任意設(shè)定存儲(chǔ)電容器的電容值，但優(yōu)選的是存儲(chǔ)電容器的電容值被設(shè)定為大于或等于輔助電容器的電容值。
[0046]在包括上述優(yōu)選配置的本公開(kāi)的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法和電子設(shè)備中，可以采用其中采樣晶體管和發(fā)光控制晶體管與驅(qū)動(dòng)晶體管相同均由P溝道型晶體管形成的配置。
[0047]形成本公開(kāi)的前提的有源矩陣型顯示裝置
[0048][系統(tǒng)配置]
[0049]圖1是示出了形成本公開(kāi)的前提的有源矩陣型顯示裝置的基本配置的概況的系統(tǒng)配置圖。形成本公開(kāi)的前提的有源矩陣型顯示裝置還是如在日本未審查專利申請(qǐng)公開(kāi)第2008-287141號(hào)中公開(kāi)的現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)例中的有源矩陣型顯示裝置。
[0050]有源矩陣型顯示裝置是使用例如絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的有源元件控制流動(dòng)到光電裝置的電流的顯示裝置，該有源裝置被設(shè)置在與光電裝置相同的像素電路內(nèi)。通常，可以包括作為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的實(shí)例的薄膜晶體管(TFT)。
[0051]在該實(shí)例中，將把使用有機(jī)EL元件作為像素電路的發(fā)光單元(發(fā)光元件)的有源矩陣型EL顯示裝置顯示器描述為實(shí)例，該有機(jī)EL元件為其中發(fā)光亮度根據(jù)裝置中流動(dòng)的電流值而改變的電流驅(qū)動(dòng)型光電元件。在下文中，存在其中“像素電路”被簡(jiǎn)稱為“像素”的情況。
[0052]如在圖1中示出，形成本公開(kāi)的前提的有機(jī)EL顯示裝置100具有一配置，其包括:像素陣列單元30，通過(guò)布置包括二維矩陣形式中的有機(jī)EL元件的多個(gè)像素20形成；并且包括在像素陣列單元30外圍布置的驅(qū)動(dòng)單元。例如，通過(guò)與像素陣列單元30 —樣將施加掃描單元(applicat1n scanning unit)40、驅(qū)動(dòng)掃描單元50、信號(hào)輸出單元60等安裝在相同的顯示面板70上形成驅(qū)動(dòng)單元，并且驅(qū)動(dòng)像素陣列單元30的每個(gè)像素20。另外，可以采用其中施加掃描單元40、驅(qū)動(dòng)掃描單元50和信號(hào)輸出單元60中的幾個(gè)或全部被設(shè)置在顯示面板70的外部的配置。
[0053]在該實(shí)例中，在其中有機(jī)EL顯示裝置100是能夠進(jìn)行彩色顯示的顯示裝置的情況下，從多個(gè)子像素配置作為形成彩色圖像的單元的單個(gè)像素(單元像素/像素)。在此情況下，每個(gè)子像素對(duì)應(yīng)于圖1的像素20。更具體地，在能夠進(jìn)行彩色顯示的顯示裝置中，例如，從發(fā)射紅(R)光的子像素、發(fā)射綠(G)光的子像素和發(fā)射藍(lán)(B)光的子像素的三個(gè)子像素配置單個(gè)像素。
[0054]然而，本公開(kāi)不限于作為一個(gè)像素的RGB三原色的子像素組合，并可以通過(guò)進(jìn)一步將顏色的子像素或多個(gè)顏色的子像素添加到三原色的子像素來(lái)配置單個(gè)像素。更具體地，例如可以通過(guò)添加用于改善亮度的發(fā)射白(W)光的子像素來(lái)配置單個(gè)像素，并也可以通過(guò)添加發(fā)射用于擴(kuò)展色彩再現(xiàn)范圍的互補(bǔ)顏色光的至少一個(gè)子像素來(lái)配置單個(gè)像素。
[0055]相對(duì)于像素20的m行和η列排列，在像素陣列單元30中沿著針對(duì)每個(gè)像素行的行方向(像素行的像素的排列方向/水平方向)對(duì)掃描線31 (31!到31J和驅(qū)動(dòng)線32 (32:到32J。此外，相對(duì)于像素20的m行和η列排列，針對(duì)每個(gè)像素列而沿列方向(像素列的像素的排列方向/垂直方向)對(duì)信號(hào)線33(33i到33n)進(jìn)行布線。
[0056]掃描線到31m分別連接到施加掃描單元40的相對(duì)應(yīng)的行的輸出端。驅(qū)動(dòng)線32!到32m分別連接到驅(qū)動(dòng)掃描單元50的相對(duì)應(yīng)的行的輸出端。信號(hào)線33i到33n分別連接到信號(hào)輸出單元60的相對(duì)應(yīng)的列的輸出端。
[0057]施加掃描單元40由位移晶體管(shift transistor)電路等配置。在圖像信號(hào)的信號(hào)電壓被施加到像素陣列單元30的每個(gè)像素20期間，施加掃描單元40順序地供應(yīng)施加掃描信號(hào)WS(WS1到WSm))至掃描線31 (Sl1到31m)。結(jié)果，執(zhí)行以行為單位的順序掃描像素陣列30的每個(gè)像素20的所謂線順序掃描。
[0058]驅(qū)動(dòng)掃描單元50由位移晶體管電路等以與施加掃描單元40相同的方式進(jìn)行配置。驅(qū)動(dòng)掃描單元50通過(guò)與施加掃描單元40的線順序掃描同步地將發(fā)光控制信號(hào)DS (DS1到DSm)供應(yīng)至驅(qū)動(dòng)線32(32i到32m)來(lái)執(zhí)行對(duì)像素20發(fā)光和不發(fā)光的控制。
[0059]信號(hào)輸出單元60選擇性地輸出圖像信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig(在下文中，存在其中該信號(hào)電壓被簡(jiǎn)稱為“信號(hào)電壓”的情況)，該信號(hào)電壓Vsig取決于從信號(hào)供應(yīng)源(圖中未示出)供應(yīng)的亮度信息和標(biāo)準(zhǔn)電壓V&。在該實(shí)例中，標(biāo)準(zhǔn)電壓Vtjfs是形成用于圖像信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig的基準(zhǔn)的電壓(例如，對(duì)應(yīng)于圖像信號(hào)黑色電平的電壓)，并且被用在閾值校正中(稍后將描述)。
[0060]選擇性地從信號(hào)輸出單兀60輸出的信號(hào)電壓Vsig和標(biāo)準(zhǔn)電壓Vtxfs以由施加掃描單元40的掃描所選擇出的像素行為單位通過(guò)信號(hào)線33(33i到33n)被施加到像素陣列單元30的每個(gè)像素20。即，信號(hào)輸出單元60采用以行(線)為單位施加信號(hào)電壓Vsig的線順序施加驅(qū)動(dòng)形式。
[0061][像素電路]
[0062]圖2是示出了形成本公開(kāi)前提的有源矩陣型顯示裝置(即，如在現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)例中的有源矩陣型顯示裝置)中的像素的電路(像素電路)實(shí)例的電路圖。由有機(jī)EL元件21形成像素20的發(fā)光單元。有機(jī)EL元件21是電流驅(qū)動(dòng)型光電元件的實(shí)例，其中，發(fā)光亮度根據(jù)在裝置中流動(dòng)的電流值改變。
[0063]如圖2中所示，像素20由有機(jī)EL元件21和驅(qū)動(dòng)電路配置，該驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)導(dǎo)致電流流動(dòng)到有機(jī)EL元件21來(lái)驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21。在有機(jī)EL元件21中，陰極電極被連接至共同布線到所有像素20的共同電源線34。
[0064]驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21的驅(qū)動(dòng)電路具有包括驅(qū)動(dòng)晶體管22、采樣晶體管23、發(fā)光控制晶體管24、存儲(chǔ)電容器25和輔助電容器26的配置。另外，假設(shè)在諸如硅的半導(dǎo)體上形成并且不在諸如玻璃基板的絕緣體上形成的情況下，采用其中將P溝道型晶體管用作驅(qū)動(dòng)晶體管22的配置。
[0065]另外，在本實(shí)例中，采用其中以與驅(qū)動(dòng)晶體管22相同的方式也將P溝道型晶體管用于采樣晶體管23和發(fā)光控制晶體管24的配置。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管22、采樣晶體管23和發(fā)光控制晶體管24形成源極、柵極、漏極和背柵極的四個(gè)端子而不是源極、柵極和漏極的三個(gè)端子。電源電壓Vdd被施加到背柵極。
[0066]然而，由于采樣晶體管23和發(fā)光控制晶體管24是充當(dāng)開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)關(guān)晶體管，故采樣晶體管23和發(fā)光控制晶體管24不限于P溝道型晶體管。因此，采樣晶體管23和發(fā)光控制晶體管24可以是N溝道型晶體管，或具有其中混合P溝道型晶體管和N溝道型晶體管的配置。
[0067]在具有上述配置的像素20中，采樣晶體管23通過(guò)采樣將從信號(hào)輸出單元60供應(yīng)的信號(hào)電壓Vsig通過(guò)信號(hào)線33施加到存儲(chǔ)電容器25。發(fā)光控制晶體管24被連接在電源電壓Vdd的節(jié)點(diǎn)與驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電極之間，并基于由發(fā)光控制信號(hào)DS驅(qū)動(dòng)來(lái)控制有機(jī)EL兀件21發(fā)光和不發(fā)光。
[0068]存儲(chǔ)電容器25被連接在驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極與源極電極之間。存儲(chǔ)電容器25存儲(chǔ)由于采樣晶體管23采樣所施加到存儲(chǔ)電容器25的信號(hào)電壓Vsig。驅(qū)動(dòng)晶體管22通過(guò)使引起取決于存儲(chǔ)電容器25存儲(chǔ)電壓的驅(qū)動(dòng)電流流動(dòng)到有機(jī)EL元件21來(lái)驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21。
[0069]輔助電容器26被連接在驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電極與具有固定電位的節(jié)點(diǎn)(例如，電源電壓Vdd的節(jié)點(diǎn))之間。輔助電容器26控制當(dāng)施加信號(hào)電壓Vsig時(shí)的驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位的改變，并且執(zhí)行將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間電壓Vgs設(shè)定為驅(qū)動(dòng)晶體管22閾值電壓Vth的操作?；倦娐凡僮?br> [0070]接下來(lái)，將利用圖3的時(shí)序波形圖來(lái)描述形成本公開(kāi)前提并具有上述配置的有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置100的基本電路操作。
[0071]在圖3的時(shí)序波形圖中示出了信號(hào)線33的電位乂-和入^、發(fā)光控制信號(hào)DS、施加掃描信號(hào)WS、驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs和柵極電位Vg以及有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極電位V_上的相應(yīng)的改變模式。在圖3的時(shí)序波形圖中，柵極電位\的波形用虛線示出。
[0072]另外，由于采樣晶體管23和發(fā)光控制晶體管24是P溝道型晶體管，故施加掃描信號(hào)WS和發(fā)光控制信號(hào)DS的低電位狀態(tài)是有源狀態(tài)，并且其高電位狀態(tài)是非有源狀態(tài)。進(jìn)一步地，采樣晶體管23和發(fā)光控制晶體管24在施加掃描信號(hào)WS和發(fā)光控制信號(hào)DS的有源狀態(tài)中處于導(dǎo)通狀態(tài)，并且在其非有源狀態(tài)中處于非導(dǎo)通狀態(tài)。
[0073]在時(shí)刻t8，發(fā)光控制信號(hào)DS獲得非有源狀態(tài)，并且由于發(fā)光控制信號(hào)DS獲得非導(dǎo)通狀態(tài)而引起在存儲(chǔ)電容器25中存儲(chǔ)的電荷通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管22放電。進(jìn)一步地，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間電壓Vgs變得小于或等于驅(qū)動(dòng)晶體管22閾值電壓Vth時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22截止。
[0074]當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22截止時(shí)，由于阻斷了電流供應(yīng)到有機(jī)EL元件21的路徑，故有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極電位V_逐漸降低。當(dāng)有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極電位V_最終變?yōu)榈陀诨虻扔谟袡C(jī)EL元件21的閾值電壓、-時(shí)，有機(jī)EL元件21獲得完全消光狀態(tài)(extinguishedstate)。此后，在時(shí)刻h，發(fā)光控制信號(hào)DS獲得有源狀態(tài)，并且由于發(fā)光控制晶體管24獲得導(dǎo)通狀態(tài)而使操作進(jìn)入隨后的1H期間(H是一個(gè)水平期間)。結(jié)果，t8到h的期間是消光期。
[0075]由于發(fā)光控制晶體管24獲得導(dǎo)通狀態(tài)而使電源電壓Vdd施加到驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電極。進(jìn)一步地，柵極電位Vg與驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs連動(dòng)地升高。在隨后的時(shí)刻t2，由于施加掃描信號(hào)WS獲得有源狀態(tài)引起采樣晶體管23獲得導(dǎo)通狀態(tài)，并對(duì)信號(hào)線23的電位進(jìn)行采樣。此時(shí)，在其中標(biāo)準(zhǔn)電壓V-被供應(yīng)到信號(hào)線33的狀態(tài)下進(jìn)行操作。因此通過(guò)使用采樣晶體管23采樣，標(biāo)準(zhǔn)電壓V&被施加到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極。結(jié)果，(Vdd-Vofs)的電壓被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器25。
[0076]在此情況下，為執(zhí)行閾值校正操作(稍后將描述)，需要將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間的電壓Vgs設(shè)定為超過(guò)對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth的電壓。因此，每個(gè)電壓值設(shè)定為其中|vgs| = vdd-vofs|>|vth|的關(guān)系。
[0077]這樣，將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電位Vg設(shè)定為標(biāo)準(zhǔn)電壓V&的初始化操作是在執(zhí)行隨后的閾值校正操作之前的準(zhǔn)備操作(閾值校正準(zhǔn)備)。因此，標(biāo)準(zhǔn)電壓V&是驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電位Vg的初始化電壓。
[0078]接下來(lái)，在時(shí)刻t3，發(fā)光控制信號(hào)DS獲得非有源狀態(tài)，并且在發(fā)光控制晶體管24獲得非導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs被設(shè)定為浮置狀態(tài)。進(jìn)一步地，在其中驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電位Vg被保持在標(biāo)準(zhǔn)電壓V&的狀態(tài)下開(kāi)始閾值校正操作。即，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs開(kāi)始向已從驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電壓Vg減去了閾值電壓Vth的電位(vofs-vth)下降(降低)。
[0079]這樣，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電壓Vg的初始化電壓\is被設(shè)定為基準(zhǔn)，并且將驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs向已從初始化電壓V-減去了閾值電壓Vth的電位(V--VJ改變的操作是閾值校正操作。隨著閾值校正操作進(jìn)行，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間電壓Vgs最終與驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth趨同。對(duì)應(yīng)于閾值電壓Vth的電壓在存儲(chǔ)電容器25中保持。此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs變?yōu)閂s = V0fs-Vtho
[0080]進(jìn)一步地，在時(shí)刻t4，施加掃描信號(hào)WS獲得非有源狀態(tài)，并在采樣晶體管23獲得非導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，閾值校正期結(jié)束。此后，圖像信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig從信號(hào)輸出單元60輸出到信號(hào)線33，并且信號(hào)線33的電位從標(biāo)準(zhǔn)電壓切換到信號(hào)電壓Vsig。
[0081]接下來(lái)，在時(shí)刻t5，由于施加掃描信號(hào)WS獲得有源狀態(tài)而使采樣晶體管23獲得導(dǎo)通狀態(tài)，并通過(guò)采樣信號(hào)電壓Vsig執(zhí)行對(duì)像素20的施加。作為由采樣晶體管23的信號(hào)電壓Vsig施加操作的結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電位\變?yōu)樾盘?hào)電壓Vsig。
[0082]當(dāng)施加圖像信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig時(shí)，連接在驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電極與電源電壓Vdd的節(jié)點(diǎn)之間的輔助電容器26執(zhí)行抑制驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs改變的操作。進(jìn)一步地，在由圖像信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管22進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)，通過(guò)與存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器25中的閾值電壓Vth相對(duì)應(yīng)的電壓抵消與驅(qū)動(dòng)晶體管22相對(duì)應(yīng)的閾值電壓Vth。
[0083]此時(shí)，根據(jù)信號(hào)電壓Vsig放大驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間的電壓Vgs，但驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs如之前一樣處于浮置狀態(tài)。因此，根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管22的特性對(duì)存儲(chǔ)電容器25的充電電荷進(jìn)行放電。進(jìn)一步地，此時(shí)，通過(guò)流動(dòng)到驅(qū)動(dòng)晶體管22的電流考試對(duì)有機(jī)EL元件21的等效電容器Cel充電。
[0084]作為有機(jī)EL元件21的等效電容器Cel被充電的結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位入隨時(shí)間推移而逐漸開(kāi)始下降。此時(shí)，每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth的變化已被抵消，并且在驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間的電流1&變成取決于驅(qū)動(dòng)晶體管22的移動(dòng)量u。另外，驅(qū)動(dòng)晶體管22的移動(dòng)量u是配置對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)晶體管22的溝道的半導(dǎo)體薄膜的移動(dòng)量。
[0085]在此情況下，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs的下降量(改變量)起作用以便使存儲(chǔ)晶體管25的充電電荷放電。換言之，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs上的下降量施加負(fù)反饋至存儲(chǔ)電容器25。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs上的下降量變?yōu)樨?fù)反饋的反饋量。
[0086]這樣，通過(guò)使用取決于流動(dòng)到驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間的電流Ids的反饋量施加負(fù)反饋到存儲(chǔ)電容器25，可以打消驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間電流Ids對(duì)于移動(dòng)量U的相關(guān)性。打消操作(抵消處理)是校正每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)晶體管22的移動(dòng)量u變化的移動(dòng)量校正操作(移動(dòng)量校正處理)。
[0087]更具體地，由于隨著施加到驅(qū)動(dòng)晶體管22柵極電極的圖像信號(hào)的信號(hào)振幅Vin(=Vsig-Vofs)增加，漏極與源極之間的電流Ids變大，故負(fù)反饋的反饋量的絕對(duì)值也變大。因此，根據(jù)圖像信號(hào)的信號(hào)振幅Vin(即，發(fā)光亮度的水平)來(lái)移動(dòng)量校正處理。另外，在其中圖像信號(hào)的信號(hào)振幅Vin被設(shè)定為常量的情況下，由于負(fù)反饋的反饋量的絕對(duì)值也隨著驅(qū)動(dòng)晶體管22的移動(dòng)量u的增加而變的更大，故可以消除每個(gè)像素的移動(dòng)量U上的變化。
[0088]在時(shí)刻t6，施加掃描信號(hào)WS獲得非有源狀態(tài)，并且作為采樣晶體管23獲得非導(dǎo)通狀態(tài)的結(jié)果，信號(hào)施加(singal applicat1n)和移動(dòng)量校正期結(jié)束。在執(zhí)行了移動(dòng)量校正之后，在時(shí)刻t7，由于發(fā)光控制信號(hào)DS獲得有源狀態(tài)而使發(fā)光控制晶體管24獲得導(dǎo)通狀態(tài)。因此，電流從電源電壓vdd的節(jié)點(diǎn)通過(guò)發(fā)光控制晶體管24被供應(yīng)至驅(qū)動(dòng)晶體管22。
[0089]此時(shí)，由于采樣晶體管23處于非導(dǎo)通狀態(tài)，故驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極與信號(hào)線33電氣隔離并在浮置狀態(tài)。在此情況下，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極處于浮置狀態(tài)時(shí)，由于連接在驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間的存儲(chǔ)電容器25而使柵極電位Vg與驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs連動(dòng)地波動(dòng)。
[0090]S卩，隨著存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器25中的柵極與源極之間電壓Vgs被保持而使驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs和柵極電位Vg升高。進(jìn)一步地，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs升高至取決于晶體管飽和電流的有機(jī)EL元件21的發(fā)光電壓八16(1。
[0091]這樣，其中驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電位Vg與源極電位Vs連動(dòng)波動(dòng)的操作是自舉操作(bootstrap operat1n)。換言之，自舉操作是其中驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電位Vg和源極電位Vs隨著被保持的存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器25中的柵極與源極之間的電壓Vgs(即，在存儲(chǔ)電容器25兩個(gè)端子之間的電壓)一起浮置的操作。
[0092]進(jìn)一步地，由于驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極與源極之間的電流Ids開(kāi)始流動(dòng)到有機(jī)EL元件21的事實(shí)，有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極電位Vm。根據(jù)對(duì)應(yīng)的電流Ids升高。當(dāng)有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極電位最終超過(guò)有機(jī)EL元件21的閾值電壓Vthel時(shí)，因?yàn)轵?qū)動(dòng)電流開(kāi)始流動(dòng)到有機(jī)EL元件21，故有機(jī)EL元件21開(kāi)始發(fā)光。
[0093]閾值校正準(zhǔn)備期中的缺點(diǎn)
[0094]在該實(shí)例中，集中于從閾值校正準(zhǔn)備期到閾值校正期(時(shí)刻t2到時(shí)刻t4)的操作點(diǎn)。如從上面所給出的操作說(shuō)明顯而易見(jiàn)的是，為了執(zhí)行閾值校正操作，需要將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間的電壓Vgs設(shè)定為超過(guò)對(duì)應(yīng)的晶體管22的閾值電壓Vth的電壓。
[0095]因此，電流流動(dòng)到驅(qū)動(dòng)晶體管22,并且如在圖3的時(shí)序波形圖中所示，有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極電位V_在從閾值校正準(zhǔn)備期到閾值校正期的一部分時(shí)間中暫時(shí)超過(guò)對(duì)應(yīng)的有機(jī)EL元件21的閾值電壓Vthel。因此，約幾mA的直通電流從驅(qū)動(dòng)晶體管22流動(dòng)到有機(jī)EL元件21。
[0096]因此，在閾值校正準(zhǔn)備期(其包括其中閾值校正期開(kāi)始的一部分)中，盡管是不發(fā)光期，但發(fā)光單元(有機(jī)EL元件21)不管信號(hào)電壓Vsig的等級(jí)而在每個(gè)幀中以恒定亮度發(fā)光。因此,導(dǎo)致顯示面板70對(duì)比度低下。
[0097]實(shí)施方式的描述
[0098]為解決上述缺陷，在本公開(kāi)的實(shí)施方式中采用以下配置。即，在閾值校正時(shí)(當(dāng)執(zhí)行閾值校正時(shí))，用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓被施加到在其中驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電極處于浮置狀態(tài)的狀態(tài)中的驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極。此后，脈沖信號(hào)被施加到輔助電容器的第二端。
[0099]如用于實(shí)現(xiàn)上述操作的本公開(kāi)實(shí)施方式的有源矩陣型顯示裝置的配置概述被示出在圖4中，并且在圖5中示出了像素的電路(像素電路)的實(shí)例。在本實(shí)施方式中，還將作為實(shí)例給出利用使用有機(jī)EL元件21作為像素電路20的發(fā)光單元(發(fā)光元件)的有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置的情況的描述。
[0100]在形成本發(fā)明的前提的有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置100中的像素20中，使用其中輔助電容器26的第一端連接至驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電極，并且其第二端連接至固定電位節(jié)點(diǎn)(例如，電源電壓Vdd節(jié)點(diǎn))的配置。與此相反，在根據(jù)本實(shí)施方式的有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置10中的像素20中，使用其中輔助電容器26的第一端連接至驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電極，并且其第二端連接至控制線35的配置。
[0101]如在圖4的系統(tǒng)配置圖中所示，相對(duì)于像素20的m行和η列排列針對(duì)每個(gè)像素行對(duì)控制線35(35i至35m)進(jìn)行布線。另外，設(shè)置驅(qū)動(dòng)控制線35(35i到35m)的電容掃描單元80。電容掃描單元80以與施加掃描單元40的線順序掃描同步的方式將控制信號(hào)CS(CSi到CSJ供應(yīng)至控制線35(35!至35J?？刂菩盘?hào)CS^至CSm)通過(guò)控制線35版至35m)被施加到輔助電容器26的第二端。
[0102]控制信號(hào)CS(CSi到CSm)是選擇性地采用最大電壓和最小電壓的兩個(gè)值的脈沖信號(hào)。在閾值校正期間，在當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電極處于浮置狀態(tài)時(shí)而將標(biāo)準(zhǔn)電壓V-施加到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極之后，作為脈沖信號(hào)的控制信號(hào)CS被施加到輔助電容器26的第二端?；谕ㄟ^(guò)由施加掃描單兀40、驅(qū)動(dòng)掃描單兀50、信號(hào)輸出單兀60和電容掃描單元80等形成的驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)行驅(qū)動(dòng)來(lái)執(zhí)行該操作。
[0103]驅(qū)動(dòng)掃描單元50通過(guò)基于發(fā)光控制信號(hào)DS的驅(qū)動(dòng)將發(fā)光控制晶體管24設(shè)定為非導(dǎo)通狀態(tài)，而將驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電極設(shè)定為浮置狀態(tài)。另外，施加掃描單元40基于所施加的掃描信號(hào)WS通過(guò)采樣晶體管23進(jìn)行采樣，將通過(guò)信號(hào)線33施加的標(biāo)準(zhǔn)電壓\is寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極。
[0104]電容掃描單元80在將控制信號(hào)CS施加到輔助電容器26的第二端期間執(zhí)行控制信號(hào)CS從最小電壓到最大電壓的轉(zhuǎn)變。控制信號(hào)CS的最大電壓可以是與像素電路20的電源電壓Vdd不同的電壓，但優(yōu)選地與其相同。通過(guò)將控制信號(hào)CS的最大電壓設(shè)定為與電源電壓Vdd相同的電壓，因?yàn)椴辉傩枰峁Ｓ秒娫匆詣?chuàng)造控制信號(hào)CS的最大電壓，故存在其中可以實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化系統(tǒng)配置的優(yōu)點(diǎn)。
[0105]在下文中，將描述使用電源電壓Vdd作為控制信號(hào)CS的最大電壓的實(shí)例。另外，控制信號(hào)CS的最小電壓被設(shè)定為Vini。需要將控制信號(hào)CS的信號(hào)振幅(最大電壓vdd-最小電壓vini)設(shè)定為最小電壓Vini以大于標(biāo)準(zhǔn)電壓V&。
[0106]在以下描述中，將利用圖6的時(shí)序波形圖和圖7A至圖9B的操作說(shuō)明圖描述如在本實(shí)施方式中的有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置10的電路操作。另外，在圖7A到圖9B的操作說(shuō)明圖中，為了簡(jiǎn)化附圖，利用開(kāi)關(guān)符號(hào)示出了采樣晶體管23和發(fā)光控制晶體管24。
[0107]如在圖7A中示出，在時(shí)刻t1;由于消光期(t8至結(jié)束并且施加掃描信號(hào)WS獲得有源狀態(tài)，因此采樣晶體管23獲得導(dǎo)通狀態(tài)并且對(duì)信號(hào)線33的電位進(jìn)行采樣。同時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)電壓V-處于被供應(yīng)到信號(hào)線33的狀態(tài)。因此，通過(guò)使用采樣晶體管23采樣，標(biāo)準(zhǔn)電壓Vofs被施加到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極。
[0108]此外，同時(shí)，由于發(fā)光控制信號(hào)DS處于非有源狀態(tài)，故發(fā)光控制晶體管24獲得非導(dǎo)通狀態(tài)。因此，因?yàn)榻獬嗽陔娫措妷篤dd與驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電極之間的電氣連接，故驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電極處于浮置狀態(tài)。因此，由于標(biāo)準(zhǔn)電壓V-被施加到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極，故由于取決于存儲(chǔ)電容器25和輔助電容器26的電容比的電容稱合而使驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs隨著柵極電位Vg而升高。
[0109]此時(shí)，存儲(chǔ)電容器25的電容值被設(shè)定為Cs，輔助電容器26的電容值被設(shè)定為Csub，并且如果在消光期間驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電位被設(shè)定為％，則可以使用以下公式⑴給出驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs。
[0110]vs = {Cs/ (Cs+Csub)} X (vofs-v0) (1)
[0111]在此情況下，因?yàn)樵谙馄陂g驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電位\理想地為0V，故驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs可以被表示如下。
[0112]Vs= {Cs/(Cs+Csub)}XVofs (2)
[0113]此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間電壓Vgs變?yōu)橄率健?br> [0114]Vgs = - {Csub/ (Cs+Csub)} X Vofs< I Vth | (3)
[0115]S卩，盡管驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs隨著柵極電位Vg升高，但柵極電位Vg獲得比源極電位vs更高的狀態(tài)。因此，在將驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電位\設(shè)定至標(biāo)準(zhǔn)電壓V-的閾值校正期中，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管22處于非導(dǎo)通狀態(tài)，故直通電流沒(méi)有流動(dòng)至有機(jī)EL元件21。
[0116]接下來(lái)，在時(shí)刻t3，通過(guò)控制線35執(zhí)行施加到輔助電容器26的第二端的控制信號(hào)CS從最小電壓Vini到最大電壓Vdd的轉(zhuǎn)變。此時(shí)，如在圖7B中所示，來(lái)自信號(hào)線33的標(biāo)準(zhǔn)電壓V&通過(guò)采樣晶體管23繼續(xù)被施加到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極。在此情況下，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管22的源極電極處于浮置狀態(tài)，故源極電位Vs隨著柵極電位Vg的轉(zhuǎn)變而升高。
[0117]此時(shí)，由于取決于存儲(chǔ)電容器25與輔助電容器26的電容比的電容稱合而使驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs跟隨著AVS，。可以使用以下公式⑷給出波動(dòng)AVS的量。
[0118]AVS= {Csub/ (Cs+Csub)} X {Vdd-Vini}…(4)
[0119]因此，從公式⑵和公式(4)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs可以被表示如下。
[0120]Vs = Vofs+ {Csub/ (Cs+Csub)} X {Vdd-Vin1-} Vofs (5)
[0121]因此，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間電壓Vgs變?yōu)橄率健?br> [0122]Vgs = {Csub/ (Cs+Csub)} X {Vdd-Vin1-} Vofs (6)
[0123]在此情況下，控制信號(hào)CS的信號(hào)振幅(最大電壓Vdd-最小電壓Vini)與存儲(chǔ)電容器25和輔助電容器26的電容值Cs和Csub被設(shè)定為滿足Vgs>|Vth|關(guān)系的值。通過(guò)滿足該關(guān)系，驅(qū)動(dòng)晶體管22獲得導(dǎo)通狀態(tài)。
[0124]如在圖8A中所示，在閾值校正期(丨3至七4)中，在存儲(chǔ)電容器25中存儲(chǔ)的電荷通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管22放電。進(jìn)一步地，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs變?yōu)閂.+ IVthl時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22獲得非導(dǎo)通狀態(tài)并且閾值校正操作結(jié)束。因此，與驅(qū)動(dòng)晶體管22的|Vth|相對(duì)應(yīng)的電壓被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器25中。
[0125]在閾值校正期(t3至t4)結(jié)束之后，信號(hào)線33的電位從標(biāo)準(zhǔn)電壓V&切換到圖像信號(hào)的信號(hào)電壓￥_。此后，如在圖8B中所示，在時(shí)刻15，由于施加掃描信號(hào)WS獲得有源狀態(tài)，因此采樣晶體管23再次獲得導(dǎo)通狀態(tài)。進(jìn)一步地，由于采樣晶體管23的采樣，圖像信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig被施加到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極。
[0126]此時(shí)，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管22的源極電極處于浮置狀態(tài)，故由于取決于存儲(chǔ)電容器25和輔助電容器26電容比的電容耦合而使驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs跟隨柵極電位Vg。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間電壓Vgs變?yōu)橄率健?br> [0127]Vgs = {Csub/ (Cs+Csub)} X (Vofs-Vsig) +1 Vth | (7)
[0128]在該信號(hào)施加期中，因?yàn)殡娏髁鬟^(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管22，在以與上述有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置100的操作的情況相同方式執(zhí)行信號(hào)電壓vsig施加的同時(shí)執(zhí)行移動(dòng)量校正。在移動(dòng)量校正時(shí)的操作與上述操作相同。信號(hào)施加和移動(dòng)量校正期(〖5至〖6)形成幾百納秒到幾毫秒的極短的時(shí)間。
[0129]在信號(hào)施加和移動(dòng)量校正期(t5至t6)結(jié)束后，在時(shí)刻t7，如在圖9A中所述，由于發(fā)光控制信號(hào)DS獲得有源狀態(tài)而使發(fā)光控制晶體管24獲得導(dǎo)通狀態(tài)。因此，電流Ids從電源電壓Vdd的節(jié)點(diǎn)通過(guò)發(fā)光控制晶體管24流動(dòng)至驅(qū)動(dòng)晶體管22。此時(shí)，執(zhí)行上述自舉操作。進(jìn)一步地，當(dāng)有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極電位V_超過(guò)有機(jī)EL元件21的閾值電壓Vthel時(shí)，因?yàn)轵?qū)動(dòng)電流開(kāi)始流動(dòng)至有機(jī)EL元件21而使有機(jī)EL元件21開(kāi)始發(fā)光。
[0130]此時(shí)，因此存在其中已對(duì)每個(gè)像素中的驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth和移動(dòng)量u的變化執(zhí)行了校正的情況，故可以獲得具有高均勻性的圖像質(zhì)量，其不具有晶體管特性變化。另外在發(fā)光期中，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs升高至電源電壓Vdd，并且其柵極電位Vg也通過(guò)存儲(chǔ)晶體管25跟隨并以相同方式升高。
[0131]進(jìn)一步地，在其中操作進(jìn)入消光期的時(shí)刻t8，如在圖9B中所示，發(fā)光控制信號(hào)DS獲得非有源狀態(tài)，并且由于發(fā)光控制晶體管24獲得非導(dǎo)通狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)晶體管22放電并且有機(jī)EL元件21消光。另外，此時(shí)，為了下一階段的校正準(zhǔn)備，執(zhí)行施加到輔助晶體管26的第二端的控制信號(hào)CS從最大電壓Vdd到最小電壓Vini的轉(zhuǎn)變。
[0132]在上述一系列的電路操作中，閾值校正、信號(hào)施加和移動(dòng)量校正、發(fā)光和消光中的每個(gè)操作在例如一個(gè)水平期間中執(zhí)行。
[0133]另外，在該實(shí)例中，作為實(shí)例描述了其中僅執(zhí)行閾值校正處理一次的驅(qū)動(dòng)方法的情況，但該驅(qū)動(dòng)方法僅是一個(gè)實(shí)例，并且本公開(kāi)不限于該驅(qū)動(dòng)方法。例如，可以采用除了在1H期間中執(zhí)行閾值校正與移動(dòng)量校正和信號(hào)施加之外的驅(qū)動(dòng)方法，通過(guò)在先于1H期間的多個(gè)水平期間的過(guò)程中對(duì)閾值校正進(jìn)行分割并執(zhí)行所謂的分割閾值校正來(lái)執(zhí)行多次閾值校正。
[0134]根據(jù)分割閾值校正的驅(qū)動(dòng)方法，即使由于采用實(shí)現(xiàn)改善清晰度的多個(gè)像素而使分配作為一個(gè)水平期間的時(shí)間變得更短，可以在作為閾值校正期的多個(gè)水平期間的處理中確保充足的時(shí)間。因此，即使分配作為1個(gè)水平期間的時(shí)間變得更短，因?yàn)榭梢源_保作為閾值校正期的充足的時(shí)間，故變得可以可靠地執(zhí)行閾值校正處理。
[0135]以上述方式，與使用N溝道型晶體管作為驅(qū)動(dòng)晶體管22的情況相比，可以抑制使用P溝道型驅(qū)動(dòng)晶體管22的3Tr像素中的晶體管的變化。進(jìn)一步地，在3Tr像素電路中，通過(guò)執(zhí)行使用消光操作和電容耦合的閾值校正操作，因?yàn)樗梢栽诓话l(fā)光期中抑制到有機(jī)EL元件21的直通電流，故可以獲得其中維持了對(duì)比度的具有高均勻性的圖像質(zhì)量。
[0136]更具體地，標(biāo)準(zhǔn)電壓V&在驅(qū)動(dòng)晶體管22處于其中晶體管22的源極電極處于浮置狀態(tài)的狀態(tài)時(shí)被施加到驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電極。此時(shí)，由于取決于存儲(chǔ)晶體管25和輔助晶體管26電容比的電容耦合，盡管驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs隨著柵極電位Vg升高，但柵極電位\獲得比源極電位Vs更高的狀態(tài)。因此，在將驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電位Vg設(shè)定至標(biāo)準(zhǔn)電壓V&的閾值校正準(zhǔn)備期匕到丨3)中，可以在不發(fā)光期中抑制有機(jī)EL元件21的直通電流。
[0137]進(jìn)一步地，通過(guò)將作為脈沖信號(hào)的控制信號(hào)CS施加到輔助電容器26的第二端，或更具體地，執(zhí)行控制信號(hào)CS從最小電壓vini到最大電壓vdd的轉(zhuǎn)變，由于取決于存儲(chǔ)晶體管25和輔助晶體管26電容比的電容耦合而使驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs升高。因此，因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間電壓Vgs被放大到大于或等于閾值電壓| Vth|，故可以進(jìn)入閾值校正的操作。根據(jù)該配置，通過(guò)在不發(fā)光期中抑制到有機(jī)EL元件21的直通電流，可以獲得其中維持對(duì)比度的具有高均勻性的圖像質(zhì)量。
[0138]如果值滿足上述的Vgs>|Vth|的條件，存儲(chǔ)電容器25和輔助電容器26的電容值Cs和Csub可任意設(shè)定。然而，通過(guò)設(shè)定cs ^ Csub的關(guān)系，因?yàn)榭梢詼p小驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極與源極之間的電壓Vgs，故可以減小流動(dòng)到驅(qū)動(dòng)晶體管22的電流。
[0139]變形例
[0140]本公開(kāi)的技術(shù)不限于上述實(shí)施方式，并且在不背離本公開(kāi)的范圍的前提下可以有各種變形例和改變。例如在上述實(shí)施方式中，其中使用通過(guò)形成在諸如硅的半導(dǎo)體上配置像素20的P溝道型晶體管所形成的顯示裝置的情況被描述為實(shí)例，但也可以在通過(guò)形成在諸如玻璃基板的絕緣體上配置像素20的P溝道型晶體管所形成的顯示裝置中使用本公開(kāi)的技術(shù)。
[0141]另外，在上述實(shí)施方式中，通過(guò)由采樣晶體管23從信號(hào)線33采樣，標(biāo)準(zhǔn)電壓乂&被選擇性地施加到像素電路20，但本公開(kāi)不限于此。即，還可以采用其中在像素電路20中設(shè)置獨(dú)立施加標(biāo)準(zhǔn)電壓V&的專用晶體管的配置。
[0142]電子設(shè)備
[0143]上述本公開(kāi)的顯示裝置可在將輸入到電子設(shè)備的圖像信號(hào)或在電子設(shè)備內(nèi)部生成的圖像信號(hào)顯示為圖片或圖像的電子設(shè)備的任何領(lǐng)域中被用作顯示單元(顯示裝置)。
[0144]如從上面實(shí)施方式的描述顯而易見(jiàn)的是，因?yàn)楸竟_(kāi)的顯示裝置可在不發(fā)光期中確保將發(fā)光單元控制為不發(fā)光態(tài)，故可以實(shí)現(xiàn)顯示面板的對(duì)比度的提高。因此，通過(guò)在電子設(shè)備的任何領(lǐng)域中使用本公開(kāi)的顯示裝置作為顯示單元，可以實(shí)現(xiàn)顯示單元對(duì)比度的提聞。
[0145]除電視機(jī)系統(tǒng)外，例如，可以包括頭戴式顯示器、數(shù)碼相機(jī)、視頻攝影機(jī)、游戲控制器、筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)等作為電子設(shè)備的實(shí)例，本公開(kāi)的顯示裝置可以被用在在這些實(shí)例的顯示單元中。另外，例如，還可以在諸如電子閱讀器和電子手表的便攜信息裝置以及諸如蜂窩電話和PDA的移動(dòng)通信單元的電子設(shè)備中使用本公開(kāi)的顯示裝置。
[0146]本公開(kāi)的實(shí)施方式可以具有以下配置。
[0147]〈1> 一種包括像素陣列單元和驅(qū)動(dòng)單元的顯示裝置，所述像素陣列單元通過(guò)布置像素電路形成，所述像素電路包括驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動(dòng)晶體管、施加信號(hào)電壓的采樣晶體管、控制所述發(fā)光單元發(fā)光和不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極與源極電極之間的存儲(chǔ)電容器以及輔助電容器，所述輔助電容器的第一端被連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極電極；以及在閾值校正期間，所述驅(qū)動(dòng)單元在其中所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極電極已被設(shè)定至浮置狀態(tài)的狀態(tài)下將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵極電極，并且隨后將脈沖信號(hào)施加至所述輔助電容器的第二端。
[0148]<2>根據(jù)〈1>所述的顯示裝置，其中，所述驅(qū)動(dòng)單元通過(guò)當(dāng)所述脈沖信號(hào)被施加到所述輔助電容器的所述第二端時(shí)的所述存儲(chǔ)電容器與所述輔助電容器的電容耦合來(lái)升高所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電位。
[0149]<3>根據(jù)〈1>或〈2>所述的顯示裝置，其中，所述驅(qū)動(dòng)單元通過(guò)當(dāng)所述脈沖信號(hào)被施加到所述輔助電容器的所述第二端時(shí)的所述存儲(chǔ)電容器與所述輔助電容器的電容耦合來(lái)放大所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間的電壓。
[0150]<4>根據(jù)〈1>到〈3>中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，當(dāng)所述脈沖信號(hào)被施加到所述輔助電容器的所述第二端時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)單元執(zhí)行所述脈沖信號(hào)從最小電壓至最大電壓的轉(zhuǎn)變。
[0151]<5>根據(jù)〈1>到〈4>中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，所述脈沖信號(hào)的最大電壓是與所述像素電路的電源電壓相同的電壓。
[0152]<6>根據(jù)〈1>到〈5>中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，所述脈沖信號(hào)的振幅大于所述標(biāo)準(zhǔn)電壓。
[0153]<7>根據(jù)〈1>到〈6>中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，所述發(fā)光控制晶體管被連接在電源電壓的節(jié)點(diǎn)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極電極之間，以及所述驅(qū)動(dòng)單元通過(guò)將所述發(fā)光控制晶體管設(shè)定至非導(dǎo)通狀態(tài)而將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極電極設(shè)定至浮置狀態(tài)。
[0154]<8>根據(jù)〈1>到〈7>中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，所述采樣晶體管被連接在信號(hào)線與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵極電極之間，以及所述驅(qū)動(dòng)單元通過(guò)所述采樣晶體管的采樣施加通過(guò)所述信號(hào)線施加的標(biāo)準(zhǔn)電壓。
[0155]<9>根據(jù)〈1>到〈8>中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，所述存儲(chǔ)電容器的電容值大于或等于所述輔助電容器的電容值。
[0156]〈10>根據(jù)〈1>到〈9>中任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，所述發(fā)光單元由電流驅(qū)動(dòng)型光電元件構(gòu)成，在所述電流驅(qū)動(dòng)型光電元件中，發(fā)光亮度的變化取決于在裝置中流動(dòng)的電流值。
[0157]<11>根據(jù)〈1>到〈10>的顯示裝置，其中，所述電流驅(qū)動(dòng)型光電元件是有機(jī)電致發(fā)光元件。
[0158]<12>根據(jù)〈1>到〈11>中一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，所述采樣晶體管和所述發(fā)光晶體管由P溝道型晶體管形成。
[0159]〈13> —種用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其中，當(dāng)驅(qū)動(dòng)通過(guò)布置像素電路形成的顯示裝置時(shí)，所述像素電路包括驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動(dòng)晶體管、施加信號(hào)電壓的采樣晶體管、控制所述發(fā)光單元發(fā)光和不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極與源極電極之間的存儲(chǔ)電容器以及輔助電容器，所述輔助電容器的第一端被連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極電極，在閾值校正期間，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極電極被設(shè)定至浮置狀態(tài)，此后，將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵極電極，以及隨后，將脈沖信號(hào)施加到所述輔助電容器的第二端。
[0160]〈14> 一種包括顯示裝置的電子設(shè)備，所述顯示裝置包括:像素陣列單元，所述像素陣列單元通過(guò)布置像素電路形成，所述像素電路包括驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動(dòng)晶體管、施加信號(hào)電壓的采樣晶體管、控制所述發(fā)光單元發(fā)光和不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極與源極電極之間的存儲(chǔ)電容器以及輔助電容器，所述輔助電容器的第一端被連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極電極；以及驅(qū)動(dòng)單元，在閾值校正期間，所述驅(qū)動(dòng)單元在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極電極已被設(shè)定至浮置狀態(tài)的狀態(tài)下將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵極電極，并且隨后將脈沖信號(hào)施加到所述輔助電容器的第二端。
[0161]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解各種修改、組合、子組合和更改可根據(jù)設(shè)計(jì)需求和其他因素發(fā)生，只要它們?cè)诟郊訖?quán)利要求或其等效的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置，包括: 像素陣列單元，所述像素陣列單元通過(guò)布置像素電路形成，所述像素電路包括驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動(dòng)晶體管、施加信號(hào)電壓的采樣晶體管、控制所述發(fā)光單元發(fā)光和不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極與源極電極之間的存儲(chǔ)電容器以及輔助電容器，所述輔助電容器的第一端被連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極電極；以及 驅(qū)動(dòng)單元，在閾值校正期間，所述驅(qū)動(dòng)單元在其中所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極電極已被設(shè)定至浮置狀態(tài)的狀態(tài)下將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加到所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵極電極，并且隨后將脈沖信號(hào)施加至所述輔助電容器的第二端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述驅(qū)動(dòng)單元通過(guò)所述脈沖信號(hào)被施加到所述輔助電容器的所述第二端時(shí)的所述存儲(chǔ)電容器與所述輔助電容器的電容耦合來(lái)升高所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電位。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述驅(qū)動(dòng)單元通過(guò)所述脈沖信號(hào)被施加到所述輔助電容器的所述第二端時(shí)的所述存儲(chǔ)電容器與所述輔助電容器的電容耦合來(lái)放大所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與源極之間的電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，當(dāng)所述脈沖信號(hào)被施加到所述輔助電容器的所述第二端時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)單元執(zhí)行所述脈沖信號(hào)從最小電壓至最大電壓的轉(zhuǎn)變。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述脈沖信號(hào)的最大電壓是與所述像素電路的電源電壓相同的電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述脈沖信號(hào)的振幅大于所述標(biāo)準(zhǔn)電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述發(fā)光控制晶體管被連接在電源電壓的節(jié)點(diǎn)與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極電極之間，以及 所述驅(qū)動(dòng)單元通過(guò)將所述發(fā)光控制晶體管設(shè)定至非導(dǎo)通狀態(tài)來(lái)將所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極電極設(shè)定至浮置狀態(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述采樣晶體管被連接在信號(hào)線與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵極電極之間，以及 所述驅(qū)動(dòng)單元通過(guò)所述采樣晶體管的采樣施加通過(guò)所述信號(hào)線施加的標(biāo)準(zhǔn)電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述存儲(chǔ)電容器的電容值大于或等于所述輔助電容器的電容值。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述發(fā)光單元由電流驅(qū)動(dòng)型光電元件構(gòu)成，在所述電流驅(qū)動(dòng)型光電元件中，發(fā)光亮度的變化取決于在裝置中流動(dòng)的電流值。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置， 其中，所述電流驅(qū)動(dòng)型光電元件是有機(jī)電致發(fā)光元件。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述采樣晶體管和所述發(fā)光晶體管由P溝道型晶體管形成。
13.一種用于顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法， 其中，通過(guò)布置像素電路形成顯示裝置，所述像素電路包括驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動(dòng)晶體管、施加信號(hào)電壓的采樣晶體管、控制所述發(fā)光單元發(fā)光和不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極與源極電極之間的存儲(chǔ)電容器以及輔助電容器，所述輔助電容器的第一端被連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極電極，當(dāng)驅(qū)動(dòng)所述顯示裝置時(shí): 在閾值校正期間， 所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極電極被設(shè)定至浮置狀態(tài)， 此后，將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵極電極，以及 隨后，將脈沖信號(hào)施加到所述輔助電容器的第二端。
14.一種電子設(shè)備,包括: 顯示裝置，所述顯示裝置包括: 像素陣列單元，所述像素陣列單元通過(guò)布置像素電路而形成，所述像素電路包括驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動(dòng)晶體管、施加信號(hào)電壓的采樣晶體管、控制所述發(fā)光單元發(fā)光和不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、連接在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電極與源極電極之間的存儲(chǔ)電容器以及輔助電容器，所述輔助電容器的第一端被連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極電極，以及 驅(qū)動(dòng)單元，在閾值校正期間，所述驅(qū)動(dòng)單元在所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述源極電極已被設(shè)定至浮置狀態(tài)的狀態(tài)下將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵極電極，并且隨后將脈沖信號(hào)施加到所述輔助電容器的第二端。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子設(shè)備， 其中，所述采樣晶體管被連接在信號(hào)線與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的所述柵極電極之間，以及 所述驅(qū)動(dòng)單元通過(guò)所述采樣晶體管的采樣施加通過(guò)所述信號(hào)線施加的所述標(biāo)準(zhǔn)電壓。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK104282260SQ201410311120
【公開(kāi)日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2014年7月1日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月8日
【發(fā)明者】小野山有亮, 山下淳一 申請(qǐng)人:索尼公司