顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本公開涉及顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備。顯示裝置包括：像素陣列單元，通過布置像素電路形成像素陣列單元，該像素電路具有驅(qū)動發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動晶體管、施加信號電壓的采樣晶體管、控制發(fā)光單元發(fā)光/不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、連接在驅(qū)動晶體管的柵極電極與源極電極之間的存儲電容器以及連接至源極電極的輔助電容器；以及驅(qū)動單元，在閾值校正期間，驅(qū)動單元將第一電壓和第二電壓分別施加至驅(qū)動晶體管的源極電極和驅(qū)動晶體管的柵極電極，第一電壓與第二電壓之間的差小于驅(qū)動晶體管的閾值電壓，并且隨后，當(dāng)源極電極處于浮置狀態(tài)時執(zhí)行將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加至柵極電極的驅(qū)動。
【專利說明】顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2013年7月8日提交的日本優(yōu)先權(quán)專利申請JP2013-142831的權(quán)益，通過引用將其全部內(nèi)容結(jié)合于本文中。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本公開涉及顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備，并且具體地，涉及由包括以行和列(矩陣形式)布置的發(fā)光單元的像素形成的平面型(平板型)顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動方法和包括顯示裝置的電子設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0004]使用所謂的電流驅(qū)動型光電元件的顯示裝置是一種平面型顯示裝置，該光電元件中發(fā)光亮度根據(jù)流動至作為像素的發(fā)光單元的發(fā)光單元(發(fā)光元件)的電流值而改變。例如，已知的是使用有機(jī)材料的電致發(fā)光并利用其中當(dāng)電場被施加到有機(jī)薄膜時發(fā)射光的現(xiàn)象的有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件作為電流驅(qū)動型的光電元件。
[0005]在通常由有機(jī)EL顯示裝置所代表的平面型顯示裝置中，除了使用P溝道型晶體管作為驅(qū)動發(fā)光單元的驅(qū)動晶體管之外，存在具有校正驅(qū)動晶體管的閾值電壓上的校正變化以及其移動量的功能的裝置。在這些顯示裝置中的像素電路具有除驅(qū)動晶體管之外還包括采樣晶體管、開關(guān)晶體管、存儲電容器和輔助電容器的配置(例如，參考日本未經(jīng)審查專利申請公開第2008-287141號)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在如現(xiàn)有技術(shù)的上述實例中的顯示裝置中，因為微小的直通電流在閾值電壓的校正準(zhǔn)備期(閾值校正準(zhǔn)備期)期間流動至發(fā)光單元，盡管實際上是不發(fā)光期，但發(fā)光單元在沒有依賴于信號電壓的等級的情況下針對每個幀以恒定亮度發(fā)光。其結(jié)果為導(dǎo)致了其中顯示面板的對比度降低的問題。
[0007]期望的是提供一種顯示裝置，其中，可以通過抑制在不發(fā)光期流動到發(fā)光單元的直通電流來解決對比度降低的問題，并提供用于顯示裝置的驅(qū)動方法和包括顯示裝置的電子設(shè)備。
[0008]根據(jù)本公開的實施方式，提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括:像素陣列單元，通過布置像素電路形成該像素陣列單元，該像素電路包括驅(qū)動發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動晶體管、施加信號電壓的采樣晶體管、控制發(fā)光單元發(fā)光和不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、連接在驅(qū)動晶體管柵極電極與源極電極之間的存儲電容器以及連接至驅(qū)動晶體管的源極電極的輔助電容器；以及驅(qū)動單元，在閾值校正期間，該驅(qū)動單元將第一電壓和第二電壓分別施加到驅(qū)動晶體管的源極電極和驅(qū)動晶體管的柵極電極，第一電壓與第二電壓之間的差小于驅(qū)動晶體管閾值電壓，并且隨后在其中驅(qū)動晶體管源極電極已被設(shè)定至浮置狀態(tài)(floatingstate)的狀態(tài)中執(zhí)行將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加到柵極電極的驅(qū)動。
[0009]根據(jù)本公開的另一實施方式，提供了一種用于顯示裝置的驅(qū)動方法，其中，當(dāng)驅(qū)動通過布置像素電路而形成的顯示裝置時，該像素電路包括驅(qū)動發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動晶體管、施加信號電壓的采樣晶體管、控制發(fā)光單元發(fā)光和不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、連接在驅(qū)動晶體管柵極電極與源極電極之間的存儲電容器以及連接至驅(qū)動晶體管的源極電極的輔助電容器，在閾值校正期間，第一電壓和第二電壓被施加到驅(qū)動晶體管源極電極和驅(qū)動晶體管的柵極電極，第一電壓和第二電壓之間差小于驅(qū)動晶體管閾值電壓，并且隨后將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加到驅(qū)動晶體管柵極電極。
[0010]根據(jù)本公開的又一實施方式，提供了一種包括顯示裝置的電子設(shè)備，該顯示裝置包括:像素陣列單元，通過布置像素電路形成該像素陣列單元，該像素電路包括驅(qū)動發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動晶體管、施加信號電壓的采樣晶體管、控制發(fā)光單元發(fā)光和不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、連接在驅(qū)動晶體管柵極電極與源極電極之間的存儲電容器以及連接至驅(qū)動晶體管的源極電極的輔助電容器；以及驅(qū)動單元，在閾值校正期間，該驅(qū)動單元將第一電壓和第二電壓分別施加到驅(qū)動晶體管的源極電極和驅(qū)動晶體管的柵極電極，第一電壓和第二電壓之間的差小于驅(qū)動晶體管閾值電壓，并隨后在其中驅(qū)動晶體管源極電極已設(shè)定至浮置狀態(tài)的狀態(tài)中執(zhí)行將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加到柵極電極的驅(qū)動。
[0011]在具有上述配置的顯示裝置、其驅(qū)動方法和電子設(shè)備中，作為第一電壓和第二電壓分別被施加到驅(qū)動晶體管的源極電極和驅(qū)動晶體管的柵極電極的結(jié)果，驅(qū)動晶體管的柵極與源極之間的電壓小于驅(qū)動晶體管閾值電壓。因此，因為驅(qū)動晶體管獲得非導(dǎo)通狀態(tài)，在沒有執(zhí)行向發(fā)光單元供應(yīng)電流的情況下，發(fā)光單元獲得消光狀態(tài)。此后，將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加到驅(qū)動晶體管柵極電極，該驅(qū)動晶體管的源極電極處于浮置狀態(tài)。此時，因為由于存儲電容器和輔助電容器的電容耦合而使驅(qū)動晶體管的源極電位隨其柵極電位而下降，驅(qū)動晶體管的柵極和源極之間的電壓被放大到大于或等于閾值電壓。因此，由于存儲電容器和輔助電容器的電容耦合，在施加用于驅(qū)動晶體管柵極電極初始化的標(biāo)準(zhǔn)電壓的同時，驅(qū)動晶體管的柵極與源極之間的電壓被設(shè)定至大于或等于閾值電壓。因此，因為無需提供其中直通電流流動的閾值校正準(zhǔn)備期，故可以在不發(fā)光期中抑制至發(fā)光單元的直通電流。
[0012]根據(jù)本公開，因為可以在不發(fā)光期中抑制到發(fā)光單元的直通電流，故可以解決對比度降低的問題。
[0013]另外，本公開的效果不必限于上述效果，并可以是在本說明書中公開的任何效果。另外，在本說明書中公開的效果僅是實例，本公開不限于此并且可以有附加的效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是示出了形成本公開的前提的有源矩陣型顯示裝置的基本配置的概況的系統(tǒng)配置圖；
[0015]圖2是示出了形成本公開的前提的有源矩陣型顯示裝置中的像素的電路(像素電路)實例的電路圖；
[0016]圖3是用于描述形成本公開的前提的有源矩陣型顯示裝置的電路操作的時序波形圖；
[0017]圖4是示出了根據(jù)本公開的實施方式的有源矩陣型顯示裝置的配置概況的系統(tǒng)配置圖；
[0018]圖5是用于描述根據(jù)本公開的實施方式的有源矩陣型顯示裝置的電路操作的時序波形圖；
[0019]圖6A是描述電路操作的操作說明圖(部分1)，圖6B是描述電路操作的操作說明圖(部分2)；
[0020]圖7A是描述電路操作的操作說明圖(部分3)，圖7B是描述電路操作的操作說明圖(部分4)；
[0021]圖8A是描述電路操作的操作說明圖(部分5)，圖8B是描述電路操作的操作說明圖(部分6)；
[0022]圖9是從圖像信號的信號電壓Vsig直接切換到基準(zhǔn)電壓VMf的情況的缺點(diǎn)的說明圖；
[0023]圖10是示出了根據(jù)本公開的實施方式的變形例的有源矩陣型顯示裝置的配置概況的系統(tǒng)配置圖；以及
[0024]圖11是用于描述根據(jù)本公開的實施方式的變形例的有源矩陣型顯示裝置的電路操作的時序波形圖。

【具體實施方式】
[0025]在下文中，將利用附圖對用于實施本公開的技術(shù)的實施方式(在下文中稱為“實施方式”)進(jìn)行詳細(xì)描述。本公開不限于實施方式，并且實施方式中的各種數(shù)值等是實例。在以下描述中，對具有相同功能的相似的部件和相似的多個部件賦予相同的符號并將省略重復(fù)描述。另外，將按以下順序給出描述。
[0026]1.關(guān)于本公開的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備的總體描述
[0027]2.形成本公開的前提的有源矩陣型顯示裝置
[0028]2-1.系統(tǒng)配置
[0029]2-2.像素電路
[0030]2-3.基本的電路操作
[0031]2-4.閾值校正準(zhǔn)備期中的缺點(diǎn)
[0032]3.實施方式的描述
[0033]4.變形例
[0034]5.電子設(shè)備
[0035]關(guān)于本公開的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備的總體描述
[0036]在本公開的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備中，采用了其中將P溝道型晶體管用作驅(qū)動發(fā)光單元的驅(qū)動晶體管的配置。將在下面就使用P溝道型晶體管代替N溝道型晶體管作為驅(qū)動晶體管的原因進(jìn)行描述。
[0037]假設(shè)其中晶體管形成在諸如硅的半導(dǎo)體上而不是形成在諸如玻璃基板的絕緣體上的情況，晶體管形成源極、柵極、漏極和背柵極(基極)的四個端子而不是源極、柵極和漏極的三個端子。進(jìn)一步地，在其中N溝道型晶體管被用作驅(qū)動晶體管的情況下，背柵極(基板)電位是0V，并且這對每個像素中的驅(qū)動晶體管閾值電壓的校正變化的操作等帶來不利影響。
[0038]另外，與具有LDD (輕摻雜漏極)區(qū)域的N溝道型晶體管相比，晶體管的特性變化小于不具有LDD區(qū)域的P溝道型晶體管，并且因為可以實現(xiàn)像素微型化和改善的顯示裝置清晰度，故P溝道型晶體管是有利的。出于上述原因，在其中假設(shè)在諸如硅的半導(dǎo)體上形成的情況下，優(yōu)選地使用P溝道型晶體管而不是N溝道型晶體管作為驅(qū)動晶體管。
[0039]本公開的顯示裝置是由像素電路形成的平面型(平板型)顯示裝置，該像素電路除P溝道型驅(qū)動晶體管外還包括采樣晶體管、發(fā)光控制晶體管、存儲電容器和輔助電容器。可以包括有機(jī)EL顯示裝置、液晶顯示裝置、等離子體顯示裝置等作為平面型顯示裝置的實例。在這些顯示裝置中，有機(jī)EL顯示裝置使用有機(jī)電致發(fā)光元件(在下文中稱為“有機(jī)EL元件”)作為像素的發(fā)光元件(光電元件)，其利用有機(jī)材料的電致發(fā)光并利用其中當(dāng)電場被施加到有機(jī)薄膜時發(fā)射光的現(xiàn)象。
[0040]使用有機(jī)EL元件作為像素的發(fā)光單元的有機(jī)EL顯示裝置具有以下特性。即，因為有機(jī)EL元件可以使用小于或等于10V的施加電壓進(jìn)行驅(qū)動，故有機(jī)EL顯示裝置是低功耗的。因為有機(jī)EL元件是自發(fā)光型元件，故有機(jī)EL顯示裝置中的像素可見度比同樣是平面型顯示裝置的液晶顯示裝置高，并且另外，因為不需要諸如背光的照明構(gòu)件，故容易進(jìn)行輕量化和薄型化。此外，由于有機(jī)EL元件的響應(yīng)速度極快以至約幾微秒的程度，故有機(jī)EL顯示裝置在視頻顯示期間不生成殘留圖像。
[0041 ] 除自發(fā)光型元件外，配置發(fā)光單元的有機(jī)EL顯示裝置是電流驅(qū)動型光電元件，其中，發(fā)光亮度根據(jù)流動至裝置的電流值而改變。除有機(jī)EL元件外，可以包括無機(jī)EL元件、LED元件、半導(dǎo)體激光器元件等作為電流驅(qū)動型光電元件。
[0042]諸如有機(jī)EL顯示裝置的平面型顯示裝置可以在設(shè)置有顯示單元的各種電子設(shè)備中用作顯示單元(顯示裝置)。可以包括頭戴式顯示器、數(shù)碼相機(jī)、視頻攝影機(jī)、游戲控制器、筆記本個人計算機(jī)、諸如電子閱讀器的便攜式信息裝置、諸如個人數(shù)字助理(PDA)和蜂窩電話的移動通信單元作為各種電子設(shè)備的實例。
[0043]在本公開的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備中，可以采用其中第一電壓是像素電源電壓的配置。此時，可以采用其中發(fā)光控制晶體管連接在電源電壓的節(jié)點(diǎn)與驅(qū)動晶體管源極電極之間的配置。進(jìn)一步地，可通過將發(fā)光控制晶體管設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)來將電源電壓施加到驅(qū)動晶體管的源極電極，并另外可通過將發(fā)光控制晶體管設(shè)定為非導(dǎo)通狀態(tài)來將驅(qū)動晶體管的源極電極設(shè)定為浮置狀態(tài)。
[0044]在包括上述優(yōu)選配置的本公開的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備中，可以采用其中第二電壓與像素電源電壓相同的配置?？商鎿Q地，可以采用其中第二電壓是與像素電源電壓不同電壓的配置。
[0045]另外，在包括上述優(yōu)選配置的本公開的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備中，可能采用其中采樣晶體管在信號線和驅(qū)動晶體管柵極電極之間連接的配置。此時，可能設(shè)定通過信號線施加標(biāo)準(zhǔn)電壓的配置，并通過采樣晶體管的采樣施加標(biāo)準(zhǔn)電壓。
[0046]另外，在包括上述優(yōu)選配置的本公開的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備中，可能采用其中在標(biāo)準(zhǔn)電壓施加時，驅(qū)動晶體管的源極電位通過存儲電容器和輔助電容器的電容耦合升高的配置?？商鎿Q地，可能采用其中在標(biāo)準(zhǔn)電壓施加時，驅(qū)動晶體管的柵極和源極之間電壓通過存儲電容器和輔助電容器的電容耦合放大的配置。
[0047]另外，在包括上述優(yōu)選配置的本公開的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備中，可任意設(shè)定存儲電容器的電容值，但優(yōu)選的是存儲電容器的電容值被設(shè)定為大于或等于輔助電容器的電容值。
[0048]另外，在包括上述優(yōu)選配置的本公開的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備中，可采用其中作為像素電路操作點(diǎn)所施加的最大電壓為(電源電壓-信號電壓)的配置。此時，可采用其中將高介電常數(shù)材料用于存儲電容器和輔助電容器的配置。
[0049]另外，在包括上述優(yōu)選配置的本公開的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備中，可采用其中將第二電壓施加到信號線并由采樣晶體管采樣的配置。此時，可采用其中在將第二電壓施加到信號線之前施加第二電壓和信號電壓之間的中間電壓的配置。
[0050]另外，在包括上述優(yōu)選配置的本公開的顯示裝置、用于顯示裝置的驅(qū)動方法和電子設(shè)備中，可以采用其中采樣晶體管和發(fā)光控制晶體管與驅(qū)動晶體管相同均由P溝道型晶體管形成的配置。
[0051]形成本公開的前提的有源矩陣型顯示裝置
[0052][系統(tǒng)配置]
[0053]圖1是示出了形成本公開的前提的有源矩陣型顯示裝置的基本配置的概況的系統(tǒng)配置圖。形成本公開的前提的有源矩陣型顯示裝置還是如在日本未審查專利申請公開第2008-287141號中公開的現(xiàn)有技術(shù)的實例中的有源矩陣型顯示裝置。
[0054]有源矩陣型顯示裝置是使用例如絕緣柵場效應(yīng)晶體管的有源元件控制流動到光電裝置的電流的顯示裝置，該有源裝置被設(shè)置在與光電裝置相同的像素電路內(nèi)。通常，可以包括作為絕緣柵場效應(yīng)晶體管的實例的薄膜晶體管(TFT)。
[0055]在該實例中，將把使用有機(jī)EL元件作為像素電路的發(fā)光單元(發(fā)光元件)的有源矩陣型EL顯示裝置顯示器描述為實例，該有機(jī)EL元件為其中發(fā)光亮度根據(jù)器件中流動的電流值而改變的電流驅(qū)動型光電元件。在下文中，存在其中“像素電路”被簡稱為“像素”的情況。
[0056]如在圖1中示出，形成本公開的前提的有機(jī)EL顯示裝置100具有一配置，其包括:像素陣列單元30，通過布置包括二維矩陣形式中的有機(jī)EL元件的多個像素20形成；并且包括在像素陣列單元30外圍布置的驅(qū)動單元。例如，通過與像素陣列單元30 —樣將施加掃描單元(applicat1n scanning unit) 40、驅(qū)動掃描單元50、信號輸出單元60等安裝在相同的顯示面板70上形成驅(qū)動單元，并且驅(qū)動像素陣列單元30的每個像素20。另外，可以采用其中施加掃描單元40、驅(qū)動掃描單元50和信號輸出單元60中的幾個或全部被設(shè)置在顯示面板70的外部的配置。
[0057]在該實例中，在其中有機(jī)EL顯示裝置100是能夠進(jìn)行彩色顯示的顯示裝置的情況下，從多個子像素配置作為形成彩色圖像的單元的單個像素(單元像素/像素)。在此情況下，每個子像素對應(yīng)于圖1的像素20。更具體地，在能夠進(jìn)行彩色顯示的顯示裝置中，例如，從發(fā)射紅(R)光的子像素、發(fā)射綠(G)光的子像素和發(fā)射藍(lán)(B)光的子像素的三個子像素配置單個像素。
[0058]然而，本公開不限于作為一個像素的RGB三原色的子像素組合，并可以通過進(jìn)一步將顏色的子像素或多個顏色的子像素添加到三原色的子像素來配置單個像素。更具體地，例如可以通過添加用于改善亮度的發(fā)射白(W)光的子像素來配置單個像素，并也可以通過添加發(fā)射用于擴(kuò)展色彩再現(xiàn)范圍的互補(bǔ)顏色光的至少一個子像素來配置單個像素。
[0059]相對于像素20的m行和η列排列，在像素陣列單元30中沿著針對每個像素行的行方向(像素行的像素的排列方向/水平方向)對掃描線31 (31!到31J和驅(qū)動線32 (32:到32J。此外，相對于像素20的m行和η列排列，針對每個像素列而沿列方向(像素列的像素的排列方向/垂直方向)對信號線33(33i到33n)進(jìn)行布線。
[0060]掃描線到31m分別連接到施加掃描單元40的相對應(yīng)的行的輸出端。驅(qū)動線32!到32m分別連接到驅(qū)動掃描單元50的相對應(yīng)的行的輸出端。信號線33i到33n分別連接到信號輸出單元60的相對應(yīng)的列的輸出端。
[0061]施加掃描單元40由位移晶體管(shift transistor)電路等配置。在圖像信號的信號電壓被施加到像素陣列單元30的每個像素20期間，施加掃描單元40順序地將施加掃描信號(applicat1n scanning signal) WS (-- 到 WSm))供應(yīng)至掃描線 31 (31^ 到 31m)。結(jié)果，執(zhí)行以行為單位的順序掃描像素陣列30的每個像素20的所謂的線順序掃描。
[0062]驅(qū)動掃描單元50由位移晶體管電路等以與施加掃描單元40相同的方式進(jìn)行配置。驅(qū)動掃描單元50通過與施加掃描單元40的線順序掃描同步地將發(fā)光控制信號DS(DSi到DSm)供應(yīng)至驅(qū)動線32(32i到32m)來執(zhí)行對像素20發(fā)光和不發(fā)光的控制。
[0063]信號輸出單兀60選擇性地輸出圖像信號的信號電壓Vsig(在下文中，存在其中該信號電壓被簡稱為“信號電壓”的情況)，該信號電壓Vsig取決于從信號供應(yīng)源(圖中未示出)供應(yīng)的亮度信息和標(biāo)準(zhǔn)電壓V&。在該實例中，標(biāo)準(zhǔn)電壓V&是形成用于圖像信號的信號電壓Vsig的標(biāo)準(zhǔn)的電壓(例如，對應(yīng)于圖像信號黑色電平的電壓)，并且被用在閾值校正中(稍后將描述)。
[0064]選擇性地從信號輸出單兀60輸出的信號電壓Vsig和標(biāo)準(zhǔn)電壓V&以由施加掃描單元40的掃描所選擇出的像素行為單位通過信號線33(33i到33n)被施加到像素陣列單元30的每個像素20。即，信號輸出單元60采用以行(線)為單位施加信號電壓Vsig的線順序施加驅(qū)動形式。
[0065][像素電路]
[0066]圖2是示出了形成本公開前提的有源矩陣型顯示裝置(即，如在現(xiàn)有技術(shù)的實例中的有源矩陣型顯示裝置)中的像素的電路(像素電路)實例的電路圖。由有機(jī)EL元件21形成像素20的發(fā)光單元。有機(jī)EL元件21是電流驅(qū)動型光電元件的實例，其中，發(fā)光亮度根據(jù)在器件中流動的電流值改變。
[0067]如圖2中所示，像素20由有機(jī)EL元件21和驅(qū)動電路配置，該驅(qū)動電路通過導(dǎo)致電流流動到有機(jī)EL元件21來驅(qū)動有機(jī)EL元件21。在有機(jī)EL元件21中，陰極電極被連接至共同布線到所有像素20的共同電源線34。
[0068]驅(qū)動有機(jī)EL元件21的驅(qū)動電路具有包括驅(qū)動晶體管22、采樣晶體管23、發(fā)光控制晶體管24、存儲電容器25和輔助電容器26的配置。另外，假設(shè)在諸如硅的半導(dǎo)體上形成并且不在諸如玻璃基板的絕緣體上形成的情況下，采用其中將P溝道型晶體管用作驅(qū)動晶體管22的配置。
[0069]另外，在本實例中，采用其中以與驅(qū)動晶體管22相同的方式也將P溝道型晶體管用于采樣晶體管23和發(fā)光控制晶體管24的配置。因此，驅(qū)動晶體管22、采樣晶體管23和發(fā)光控制晶體管24形成源極、柵極、漏極和背柵極的四個端子而不是源極、柵極和漏極的三個端子。電源電壓Vdd被施加到背柵極。
[0070]然而，由于采樣晶體管23和發(fā)光控制晶體管24是充當(dāng)開關(guān)元件的開關(guān)晶體管，故采樣晶體管23和發(fā)光控制晶體管24不限于P溝道型晶體管。因此，采樣晶體管23和發(fā)光控制晶體管24可以是N溝道型晶體管，或具有其中混合P溝道型晶體管和N溝道型晶體管的配置。
[0071]在具有上述配置的像素20中，采樣晶體管23通過采樣將從信號輸出單元60供應(yīng)的信號電壓Vsig將電壓通過信號線33施加到存儲電容器25。發(fā)光控制晶體管24被連接在電源電壓Vdd的節(jié)點(diǎn)與驅(qū)動晶體管22的源極電極之間，并基于由發(fā)光控制信號DS驅(qū)動來控制有機(jī)EL元件21發(fā)光和不發(fā)光。
[0072]存儲電容器25被連接在驅(qū)動晶體管22的柵極電極與源極電極之間。存儲電容器25存儲由于采樣晶體管23采樣所施加到存儲電容器25的信號電壓Vsig。驅(qū)動晶體管22通過使引起取決于存儲電容器25存儲電壓的驅(qū)動電流流動到有機(jī)EL元件21來驅(qū)動有機(jī)EL元件21。
[0073]輔助電容器26被連接在驅(qū)動晶體管22的源極電極與具有固定電位的節(jié)點(diǎn)(例如，電源電壓Vdd的節(jié)點(diǎn))之間。輔助電容器26控制當(dāng)施加信號電壓Vsig時的驅(qū)動晶體管22的源極電位的改變，并且執(zhí)行將驅(qū)動晶體管22的柵極與源極之間電壓Vgs設(shè)定為驅(qū)動晶體管22閾值電壓Vth的操作。基本電路操作
[0074]接下來，將利用圖3的時序波形圖來描述形成本公開前提并具有上述配置的有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置100的基本電路操作。
[0075]在圖3的時序波形圖中示出了信號線33的電位乂-和入^、發(fā)光控制信號DS、施加掃描信號WS、驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs和柵極電位Vg以及有機(jī)EL元件21的陽極電位V_上的相應(yīng)的改變模式。在圖3的時序波形圖中，柵極電位\的波形用虛線示出。
[0076]另外，因為采樣晶體管23和發(fā)光控制晶體管24是P溝道型晶體管，故施加掃描信號WS和發(fā)光控制信號DS的低電位狀態(tài)是有源狀態(tài)，并且其高電位狀態(tài)是非有源狀態(tài)。進(jìn)一步地，采樣晶體管23和發(fā)光控制晶體管24在施加掃描信號WS和發(fā)光控制信號DS的有源狀態(tài)中處于導(dǎo)通狀態(tài)，并且在其非有源狀態(tài)中處于非導(dǎo)通狀態(tài)。
[0077]在時刻t8，發(fā)光控制信號DS獲得非有源狀態(tài)，并且由于發(fā)光控制信號DS獲得非導(dǎo)通狀態(tài)而引起在存儲電容器25中存儲的電荷通過驅(qū)動晶體管22放電。進(jìn)一步地，當(dāng)驅(qū)動晶體管22的柵極與源極之間電壓Vgs變得小于或等于驅(qū)動晶體管22閾值電壓Vth時，驅(qū)動晶體管22截止。
[0078]當(dāng)驅(qū)動晶體管22截止時，由于阻斷了電流供應(yīng)到有機(jī)EL元件21的路徑，故有機(jī)EL元件21的陽極電位V_逐漸降低。當(dāng)有機(jī)EL元件21的陽極電位V_最終變?yōu)榈陀诨虻扔谟袡C(jī)EL元件21的閾值電壓、-時，有機(jī)EL元件21獲得完全消光狀態(tài)(extinguishedstate)。此后，在時刻h，發(fā)光控制信號DS獲得有源狀態(tài)，并且由于發(fā)光控制晶體管24獲得導(dǎo)通狀態(tài)而使操作進(jìn)入隨后的1H期間(H是一個水平期間)。結(jié)果，t8到h的期間是消光期。
[0079]由于發(fā)光控制晶體管24獲得導(dǎo)通狀態(tài)而使電源電壓Vdd施加到驅(qū)動晶體管22的源極電極。進(jìn)一步地，柵極電位Vg與驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs連動地升高。在隨后的時刻t2，由于施加掃描信號WS獲得有源狀態(tài)引起采樣晶體管23獲得導(dǎo)通狀態(tài)，并對信號線23的電位進(jìn)行采樣。此時，在其中標(biāo)準(zhǔn)電壓V-被供應(yīng)到信號線33的狀態(tài)下進(jìn)行操作。因此通過使用采樣晶體管23采樣，標(biāo)準(zhǔn)電壓V&被施加到驅(qū)動晶體管22的柵極電極。結(jié)果，(Vdd-Vofs)的電壓被存儲在存儲電容器25。
[0080]在此情況下，為執(zhí)行閾值校正操作(稍后將描述)，需要將驅(qū)動晶體管22的柵極與源極之間的電壓Vgs設(shè)定為超過對應(yīng)的驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth的電壓。因此，每個電壓值設(shè)定為其中|vgs| = vdd-vofs|>|vth|的關(guān)系。
[0081]這樣，將驅(qū)動晶體管22的柵極電位VgS定為標(biāo)準(zhǔn)電壓V&的初始化操作是在執(zhí)行隨后的閾值校正操作之前的準(zhǔn)備操作(閾值校正準(zhǔn)備)。因此，標(biāo)準(zhǔn)電壓V&是驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg的初始化電壓。
[0082]接下來，在時刻t3，發(fā)光控制信號DS獲得非有源狀態(tài)，并且在發(fā)光控制晶體管24獲得非導(dǎo)通狀態(tài)時，驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs被設(shè)定為浮置狀態(tài)。進(jìn)一步地，在其中驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg被保持在標(biāo)準(zhǔn)電壓V&的狀態(tài)下開始閾值校正操作。即，驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs開始向已從驅(qū)動晶體管22的柵極電壓Vg減去了閾值電壓Vth的電位(vofs-vth)下降(降低)。
[0083]這樣，將驅(qū)動晶體管22的柵極電壓Vg的初始化電壓V-設(shè)定為標(biāo)準(zhǔn)，并且將驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs向已從初始化電壓V-減去了閾值電壓Vth的電位(V--VJ改變的操作是閾值校正操作。隨著閾值校正操作進(jìn)行，驅(qū)動晶體管22的柵極與源極之間電壓Vgs最終與驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth趨于一致。對應(yīng)于閾值電壓Vth的電壓在存儲電容器25中保持。此時驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs變?yōu)閂s = V0fs-Vtho
[0084]進(jìn)一步地，在時刻t4，施加掃描信號WS獲得非有源狀態(tài)，并在采樣晶體管23獲得非導(dǎo)通狀態(tài)時，閾值校正期結(jié)束。此后，圖像信號的信號電壓Vsig從信號輸出單元60輸出到信號線33，并且信號線33的電位從標(biāo)準(zhǔn)電壓切換到信號電壓Vsig。
[0085]接下來，在時刻t5，由于施加掃描信號WS獲得有源狀態(tài)而使采樣晶體管23獲得導(dǎo)通狀態(tài)，并通過采樣信號電壓Vsig執(zhí)行對像素20的施加。作為由采樣晶體管23的信號電壓Vsig施加操作的結(jié)果，驅(qū)動晶體管22的柵極電位\變?yōu)樾盘栯妷篤sig。
[0086]當(dāng)施加圖像信號的信號電壓Vsig時，連接在驅(qū)動晶體管22的源極電極與電源電壓Vdd的節(jié)點(diǎn)之間的輔助電容器26執(zhí)行抑制驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs改變的操作。進(jìn)一步地，在由圖像信號的信號電壓Vsig對驅(qū)動晶體管22進(jìn)行驅(qū)動時，通過與存儲在存儲電容器25中的閾值電壓Vth相對應(yīng)的電壓抵消與驅(qū)動晶體管22相對應(yīng)的閾值電壓Vth。
[0087]此時，根據(jù)信號電壓Vsig放大驅(qū)動晶體管22的柵極與源極之間的電壓Vgs，但驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs如之前一樣處于浮置狀態(tài)。因此，根據(jù)驅(qū)動晶體管22的特性對存儲電容器25的充電電荷進(jìn)行放電。進(jìn)一步地，此時，通過流動到驅(qū)動晶體管22的電流考試對有機(jī)EL元件21的等效電容器Cel充電。
[0088]作為有機(jī)EL元件21的等效電容器Cel被充電的結(jié)果，驅(qū)動晶體管22的源極電位入隨時間推移而逐漸開始下降。此時，每個像素的驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth的變化已被抵消，并且在驅(qū)動晶體管22的漏極與源極之間的電流1&變成取決于驅(qū)動晶體管22的移動量u。另外，驅(qū)動晶體管22的移動量u是配置對應(yīng)的驅(qū)動晶體管22的溝道的半導(dǎo)體薄膜的移動量。
[0089]在此情況下，驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs的下降量(改變量)起作用以便使存儲晶體管25的充電電荷放電。換言之，驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs上的下降量施加負(fù)反饋至存儲電容器25。
[0090]因此，驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs上的下降量變?yōu)樨?fù)反饋的反饋量。這樣，通過使用取決于流動到驅(qū)動晶體管22的漏極與源極之間的電流Ids的反饋量施加負(fù)反饋到存儲電容器25，可以取消驅(qū)動晶體管22的漏極與源極之間電流Ids對于移動量U的相關(guān)性。取消操作(取消處理)是校正每個像素的驅(qū)動晶體管22的移動量u變化的移動量校正操作(移動量校正處理)。
[0091]更具體地，由于隨著施加到驅(qū)動晶體管22柵極電極的圖像信號的信號振幅Vin(=Vsig-Vofs)增加，漏極與源極之間的電流Ids變大，故負(fù)反饋的反饋量的絕對值也變大。因此，根據(jù)圖像信號的信號振幅Vin(即，發(fā)光亮度的水平)來移動量校正處理。另外，在其中圖像信號的信號振幅Vin被設(shè)定為常量的情況下，由于負(fù)反饋的反饋量的絕對值也隨著驅(qū)動晶體管22的移動量u的增加而變的更大，故可以消除每個像素的移動量U上的變化。
[0092]在時刻t6，施加掃描信號WS獲得非有源狀態(tài)，并且作為采樣晶體管23獲得非導(dǎo)通狀態(tài)的結(jié)果，信號施加(singal applicat1n)和移動量校正期結(jié)束。在執(zhí)行了移動量校正之后，在時刻t7，由于發(fā)光控制信號DS獲得有源狀態(tài)而使發(fā)光控制晶體管24獲得導(dǎo)通狀態(tài)。因此，電流從電源電壓Vdd的節(jié)點(diǎn)通過發(fā)光控制晶體管24被供應(yīng)至驅(qū)動晶體管22。
[0093]此時，由于采樣晶體管23處于非導(dǎo)通狀態(tài)，故驅(qū)動晶體管22的柵極電極與信號線33電氣隔離并處于浮置狀態(tài)。在此情況下，當(dāng)驅(qū)動晶體管22的柵極電極處于浮置狀態(tài)時，由于連接在驅(qū)動晶體管22的柵極與源極之間的存儲電容器25而使柵極電位Vg與驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs連動地波動。
[0094]S卩，隨著存儲在存儲電容器25中的柵極與源極之間電壓Vgs被保持而使驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs和柵極電位Vg升高。進(jìn)一步地，驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs升高至取決于晶體管飽和電流的有機(jī)EL元件21的發(fā)光電壓八16(1。
[0095]這樣，其中驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg與源極電位Vs連動波動的操作是自舉操作(bootstrap operat1n)。換言之，自舉操作是其中驅(qū)動晶體管22的柵極電位Vg和源極電位Vs隨著被保持的存儲在存儲電容器25中的柵極與源極之間的電壓Vgs(即，在存儲電容器25兩個端子之間的電壓)一起浮置的操作。
[0096]進(jìn)一步地，由于驅(qū)動晶體管22的漏極與源極之間的電流Ids開始流動到有機(jī)EL元件21的事實，有機(jī)EL元件21的陽極電位Vm。根據(jù)對應(yīng)的電流Ids升高。當(dāng)有機(jī)EL元件21的陽極電位最終超過有機(jī)EL元件21的閾值電壓Vthel時，因為驅(qū)動電流開始流動到有機(jī)EL元件21，故有機(jī)EL元件21開始發(fā)光。
[0097]閾值校正準(zhǔn)備期中的缺點(diǎn)
[0098]在該實例中，注意從閾值校正準(zhǔn)備期到閾值校正期(時刻t2到時刻t4)的操作點(diǎn)。如從上面所給出的操作說明顯而易見的是，為了執(zhí)行閾值校正操作，需要將驅(qū)動晶體管22的柵極與源極之間的電壓Vgs設(shè)定為超過對應(yīng)的晶體管22的閾值電壓Vth的電壓。
[0099]因此，電流流動到驅(qū)動晶體管22,并且如在圖3的時序波形圖中所示，有機(jī)EL元件21的陽極電位V_在從閾值校正準(zhǔn)備期到閾值校正期的一部分時間中暫時超過對應(yīng)的有機(jī)EL元件21的閾值電壓Vthel。因此，約幾mA的直通電流從驅(qū)動晶體管22流動到有機(jī)EL元件21。
[0100]因此，在閾值校正準(zhǔn)備期(其包括其中閾值校正期開始的一部分)中，盡管是不發(fā)光期，但發(fā)光單元(有機(jī)EL元件21)不管信號電壓Vsig的等級而在每個幀中以恒定亮度發(fā)光。因此,導(dǎo)致顯示面板70對比度低下。
[0101]實施方式的描述
[0102]為了解決上述缺點(diǎn)，在本公開的實施方式中采用以下配置。即，在閾值校正時(當(dāng)執(zhí)行閾值校正時)，第一電壓被施加到驅(qū)動晶體管22的源極電極，并且第二電壓被施加到其柵極電極，第一電壓與第二電壓之間的差小于驅(qū)動晶體管的閾值電壓。此后，標(biāo)準(zhǔn)電壓Vofs在其中驅(qū)動晶體管源極電極處于浮置狀態(tài)的狀態(tài)中被施加到柵極電極。該操作基于由從施加掃描單元40、驅(qū)動掃描單元50、信號輸出單元60等形成的驅(qū)動單元驅(qū)動執(zhí)行。
[0103]在本實施方式中，電源電壓Vdd被用作第一電壓。然而第一電壓不限于電源電壓vddo在下文中，第二電壓被稱為基準(zhǔn)電壓vMf。在本實施方式中滿足vMf>vdd-|vth|關(guān)系的電壓被用作基準(zhǔn)電壓vMf。
[0104]圖4是系統(tǒng)配置圖，其示出了與本公開實施方式中相同的有源矩陣型顯示裝置的配置概述。在本實施方式中，還將作為實例給出利用使用有機(jī)EL元件21作為像素電路20的發(fā)光單元(發(fā)光元件)的有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置的情況的描述。
[0105]另外，本實施方式包括像素電路(像素)20的驅(qū)動(驅(qū)動方法)。因此像素電路20具有與圖2的像素電路20相同的配置。即，驅(qū)動有機(jī)EL元件21的驅(qū)動電路具有使用P溝道型驅(qū)動晶體管22的3Tr (晶體管)電路配置。
[0106]為了在與本實施方式中相同的有源矩陣型顯示裝置10中實現(xiàn)上述驅(qū)動(驅(qū)動方法)，信號輸出單元60具有選擇性地將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓V&、圖像信號的信號電壓Vsig和基準(zhǔn)電壓Vief供應(yīng)到信號線33的配置。即，信號線33的電位選擇性地取ν&/ν_/νΜ?這三個值。
[0107]在以下描述中，將利用圖5的時序波形圖和圖6Α至圖8Β的操作說明圖描述如在本實施方式中的有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置10的電路操作。另外，在圖6Α至圖8Β的操作說明圖中，為了簡化附圖，利用開關(guān)符號示出了采樣晶體管23和發(fā)光控制晶體管24。
[0108]如在圖6Α中所示，作為消光期(t8至D結(jié)束并且發(fā)光控制信號DS在時刻t2獲得無源態(tài)的結(jié)果，發(fā)光控制晶體管24獲得非導(dǎo)通狀態(tài)。其結(jié)果為，因為在電源電壓Vdd與驅(qū)動晶體管22的源極電極之間的電氣連接被取消，故驅(qū)動晶體管22的源極電極獲得浮置狀態(tài)。此時采樣晶體管23還處于非導(dǎo)通狀態(tài)。
[0109]接下來，在時刻&，如在圖6B中示出，由施加掃描信號WS獲得有源狀態(tài)而使采樣晶體管23獲得導(dǎo)通狀態(tài)，并且信號線33的電位被采樣。此時，標(biāo)準(zhǔn)電壓V-處于被供應(yīng)到信號線33的狀態(tài)。因此，通過用采樣晶體管23進(jìn)行采樣，標(biāo)準(zhǔn)電壓V-被供應(yīng)到驅(qū)動晶體管22柵極電極。
[0110]在該實例中，因為驅(qū)動晶體管22源極電極處于浮置狀態(tài)，故由電容耦合引起驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs隨著柵極電位Vg下降，該電容耦合取決于存儲電容器25和輔助電容器26的電容比。此時，如果存儲電容器25的電容值被設(shè)定為Cs，輔助電容器26的電容值被設(shè)定為Csub，則驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs可以使用以下公式⑴給出。
[0111]vs = Vdd-{l-Csub/(Cs+Csub)}X (Vofs-Vdd) (1)
[0112]因此，驅(qū)動晶體管22的柵極和源極之間電壓Vgs變?yōu)橄率健?br> [0113]Vgs = {Csub/ (Cs+Csub)} X (Vofs-Vdd)(2)
[0114]g卩，由于電容耦合而放大了驅(qū)動晶體管22的柵極與源極之間的電壓Vgs，該電容耦合取決于存儲電容器25與輔助電容器26的電容比。標(biāo)準(zhǔn)電壓V—的電壓值與存儲電容器25與輔助電容器26的電容值Cs和Csub被設(shè)定為滿足Vgs> | VthI條件的值。因此，驅(qū)動晶體管22的柵極與源極之間電壓Vgs變?yōu)槌^閾值電壓Vth的值。
[0115]在閾值校正期(t3到t4)中，如在圖7A中所示，在存儲電容器25中存儲的電荷通過驅(qū)動晶體管22進(jìn)行放電。進(jìn)一步地，當(dāng)驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs變?yōu)閂.+ IVthl時，驅(qū)動晶體管22獲得非導(dǎo)通狀態(tài)并且閾值校正操作結(jié)束。因此，與驅(qū)動晶體管22的|Vth|相對應(yīng)的電壓被存儲在存儲電容器25中。
[0116]在閾值校正期(丨3至七4)結(jié)束后，信號線33的電位從標(biāo)準(zhǔn)電壓V-切換到圖像信號的信號電壓Vsig。此后，如在圖7B中所示，在時刻15，由于施加掃描信號WS獲得有源狀態(tài)，因此，采樣晶體管23再次獲得導(dǎo)通狀態(tài)。進(jìn)一步地，由于采樣晶體管23的采樣，因此信號電壓Vsig施加到驅(qū)動晶體管22的柵極電極。
[0117]此時，因為驅(qū)動晶體管22的源極電極處于浮置狀態(tài)，由于取決于存儲電容器25和輔助電容器26電容比的電容耦合而使驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs跟隨柵極電位Vg。此時，驅(qū)動晶體管22的柵極與源極之間的電壓Vgs變?yōu)橄率健?br> [0118]Vgs = {Csub/ (Cs+Csub)} x (vofs-vsig) +1 Vth I(3)
[0119]在該信號施加期中，因為電流流過驅(qū)動晶體管22，在以與上述有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置100的操作的情況相同方式執(zhí)行信號電壓vsig施加的同時執(zhí)行移動量校正。在移動量校正時的操作與上述操作相同。信號施加和移動量校正期(〖5至〖6)形成幾百納秒到幾毫秒的極短的時間。
[0120]在信號施加和移動量校正期(t5至t6)結(jié)束后，在時刻t7，如在圖8A中所述，由于發(fā)光控制信號DS獲得有源狀態(tài)而使發(fā)光控制晶體管24獲得導(dǎo)通狀態(tài)。因此，電流Ids從電源電壓Vdd的節(jié)點(diǎn)通過發(fā)光控制晶體管24流動至驅(qū)動晶體管22。此時，執(zhí)行上述自舉操作。進(jìn)一步地，當(dāng)有機(jī)EL元件21的陽極電位V_超過有機(jī)EL元件21的閾值電壓Vthel時，因為驅(qū)動電流開始流動至有機(jī)EL元件21而使有機(jī)EL元件21開始發(fā)光。
[0121]此時，因為存在其中已對每個像素中的驅(qū)動晶體管22的閾值電壓Vth和移動量u的變化執(zhí)行了校正的情況，故可以獲得具有高均勻性的圖像質(zhì)量，其不具有晶體管特性變化。另外在發(fā)光期中，驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs升高至電源電壓Vdd，并且其柵極電位Vg也通過存儲晶體管25跟隨并以相同方式升高。
[0122]在發(fā)光期，信號線33的電位從圖像信號的信號電壓Vsig切換到基準(zhǔn)電壓VMf。進(jìn)一步地，如在圖8B中示出，在其中進(jìn)入消光期的時刻t8，由于施加掃描信號WS獲得有源狀態(tài)而使采樣晶體管23獲得導(dǎo)通狀態(tài)。進(jìn)一步地，通過采樣晶體管23采樣，基準(zhǔn)電壓Vief被施加到驅(qū)動晶體管22柵極電極。此時，因為發(fā)光控制晶體管24處于導(dǎo)通狀態(tài)，故電源電壓Vdd被施加到驅(qū)動晶體管22源極電極。因此，驅(qū)動晶體管22的柵極與源極之間電壓Vgs變?yōu)?Vgs = Vdd~Vrefo
[0123]在該實例中，通過將基準(zhǔn)電壓VMf設(shè)定為滿足Vdd_VMf〈 I Vth I的值，可以將驅(qū)動晶體管22設(shè)定為非導(dǎo)通狀態(tài)。進(jìn)一步地，因為至有機(jī)EL元件21的電流的供應(yīng)被獲得非導(dǎo)通狀態(tài)的驅(qū)動晶體管22停止，故有機(jī)EL元件21消光。
[0124]在上述一系列的電路操作中，閾值校正、信號施加和移動量校正、發(fā)光和消光中的每個操作在例如一個水平(1H)期間(horizontal per1d)中執(zhí)行。
[0125]另外，在該實例中，作為實例描述了其中僅執(zhí)行閾值校正處理一次的驅(qū)動方法的情況，但該驅(qū)動方法僅是一個實例，并且本公開不限于該驅(qū)動方法。例如，可以采用除了在1H期間中執(zhí)行閾值校正與移動量校正和信號施加之外的驅(qū)動方法，通過在先于1H期間的多個水平期間的過程中對閾值校正進(jìn)行分割(即，執(zhí)行所謂的分割閾值校正)來執(zhí)行多次閾值校正。
[0126]根據(jù)分割閾值校正的驅(qū)動方法，即使由于采用實現(xiàn)改善清晰度的多個像素而使分配作為一個水平期間的時間變得更短，可以在作為閾值校正期的多個水平期間的處理中確保充足的時間。因此，即使分配作為1個水平期間的時間變得更短，因為可以確保作為閾值校正期的充足的時間，故變得可以可靠地執(zhí)行閾值校正處理。
[0127]以上述方式，與使用N溝道型晶體管作為驅(qū)動晶體管22的情況相比，可以抑制使用P溝道型驅(qū)動晶體管22的3Tr像素中的晶體管的變化。進(jìn)一步地，在3Tr像素電路中，通過執(zhí)行使用消光操作和電容耦合的閾值校正操作，因為它可以在不發(fā)光期中抑制到有機(jī)EL元件21的直通電流，故可以獲得其中維持了對比度的具有高均勻性的圖像質(zhì)量。
[0128]更具體地，通過將滿足Vdd_VMf〈 | Vth I關(guān)系的電源電壓Vdd和基準(zhǔn)電壓VMf施加到驅(qū)動晶體管22源極電極和柵極電極，驅(qū)動晶體管22的柵極與源極之間電壓Vgs變得小于閾值電壓Vth。此時，驅(qū)動晶體管22獲得非導(dǎo)通狀態(tài)，并且因為沒有執(zhí)行至有機(jī)EL元件21的電流的供應(yīng)，故有機(jī)EL元件21進(jìn)入消光態(tài)(消光操作)。
[0129]此后，通過施加標(biāo)準(zhǔn)電壓V-到其中源極電極處于浮置狀態(tài)下的驅(qū)動晶體管22的柵極電極，由于取決于存儲晶體管25和輔助晶體管26電容比的電容耦合而使驅(qū)動晶體管22的源極電位Vs隨著柵極電位Vg降低。因此，驅(qū)動晶體管22的柵極與源極之間電壓Vgs被放大到大于或等于閾值電壓Vth。因此，因為無需提供其中直通電流流動的閾值校正準(zhǔn)備期，因此，可以在不發(fā)光期抑制至有機(jī)EL元件21的直通電流。因此，可以獲得其中維持對比度的具有高均勻性的圖像質(zhì)量。
[0130]如果值滿足上述的Vgs>|Vth|的條件，存儲電容器25和輔助電容器26的電容值Cs和Csub可任意設(shè)定。然而，通過設(shè)定cs ^ Csub的關(guān)系，因為可以減小驅(qū)動晶體管22的柵極與源極之間的電壓Vgs，故可以減小流動到驅(qū)動晶體管22的電流。
[0131]另外，在與本實施方式中的像素電路中，作為操作點(diǎn)施加的最大電壓是(Vdd_Vsig)，并且這是例如對于像素電路來說極小(低)的約4V的電壓。因此，因為可以獲得與配置像素電路的晶體管的耐壓和在電容器元件中描述的耐壓有關(guān)的裕度，因此，可以容易地執(zhí)行絕緣膜的薄形化，并在存儲電容器25和輔助電容器26中使用高介電常數(shù)材料。可以包括氮化硅膜(SiN)、氧化鈦(TaO)、氧化鉿(HfO)等作為可配置存儲電容器25和輔助電容器26的高介電常數(shù)材料的實例。
[0132]變形例
[0133]本公開的技術(shù)不限于上述實施方式，并且在不背離本公開的范圍的前提下可以有各種變形例和改變。例如在上述實施方式中，其中使用通過形成在諸如硅的半導(dǎo)體上配置像素20的P溝道型晶體管所形成的顯示裝置的情況被描述為實例，但也可以在通過形成在諸如玻璃基板的絕緣體上配置像素20的P溝道型晶體管所形成的顯示裝置中使用本公開的技術(shù)。
[0134]另外，在上述實施方式中，通過由采樣晶體管23從信號線33采樣，標(biāo)準(zhǔn)電壓V-和基準(zhǔn)電壓VMf被選擇性地施加到像素電路20，但本公開不限于此。即，還可以采用其中在像素電路20中設(shè)置獨(dú)立施加標(biāo)準(zhǔn)電壓V&和基準(zhǔn)電壓VMf的專用晶體管的配置。
[0135]變形例1
[0136]在上述實施方式中，基準(zhǔn)電壓VMf被設(shè)定為使用滿足VMf>Vdd_Vth關(guān)系的電壓，但如果基準(zhǔn)電壓VMf滿足上述條件，則基準(zhǔn)電壓VMf可以是與像素電路20的電源電壓Vdd不同的電壓。然而，優(yōu)選的是基準(zhǔn)電壓與電源電壓Vdd相同。通過將基準(zhǔn)電壓VMf設(shè)定為與電源電壓Vdd相同的電壓，因為無需為創(chuàng)建基準(zhǔn)電壓VMf提供專用電源，故具有可以實現(xiàn)簡化系統(tǒng)配置的優(yōu)點(diǎn)。
[0137]變形例2
[0138]在上述實施方式中，使用當(dāng)基準(zhǔn)電壓VMf被施加到信號線33時從圖像信號的信號電壓Vsig直接切換到基準(zhǔn)電壓VMf的配置，但可以采用其中在施加基準(zhǔn)電壓VMf之前前，施加在信號電壓vsig與基準(zhǔn)電壓vMf之間的中間電壓vnid的配置。
[0139]在從信號電壓Vsig直接切換到基準(zhǔn)電壓VMf情況下，如在圖9中示出，因為信號線33的電位從Vsig極大地轉(zhuǎn)變至Vref,故存在其中在信號線33的電位中生成過沖(overshoot)的情況。如果在轉(zhuǎn)換期間生成過沖，則在有機(jī)EL元件21發(fā)光器件處于非導(dǎo)通狀態(tài)下的采樣晶體管23的柵極電位Vg、漏極電位Vd和源極電位Vs(以及信號線33的電位)之間電位關(guān)系崩潰。
[0140]更具體地，如果在發(fā)光期間驅(qū)動晶體管22的柵極電位被設(shè)定為\并且過沖電位被設(shè)定為 '卿，則采樣晶體管23的電位關(guān)系變?yōu)閂g = Vdd，Vd = VA并且Vs = Vdd+V0verO進(jìn)一步地，在關(guān)系變?yōu)閂gs = VOTOT>|Vth|時，采樣晶體管23暫時獲得導(dǎo)通狀態(tài)。有鑒于此，因為基準(zhǔn)電壓VMf無論是否處于發(fā)光期間均被施加到驅(qū)動晶體管22柵極電極，故亮度惡化，并存在發(fā)光EL元件21將變?yōu)橄獾念檻]。
[0141]設(shè)計變形例2以便解決該缺點(diǎn)。更具體地，如在圖10的系統(tǒng)配置圖中所示，信號輸出單元60具有選擇性地將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓V&、圖像信號的信號電壓Vsig、基準(zhǔn)電壓以及在信號電壓Vsig與基準(zhǔn)電壓VMf之間的中間電壓Vmid供應(yīng)至信號線33的配置。SP，信號線33的電位取VQfs/Vsig/VMf/Vmid的這四個值。
[0142]進(jìn)一步地，如在圖11的時序波形圖中所示，當(dāng)從圖像信號的信號電壓Vsig切換到基準(zhǔn)電壓VMf時，通過以vsig->vmid — Vref的順序經(jīng)中間電壓Vmid執(zhí)行切換，可抑制過沖的生成。根據(jù)該配置，可消除使用采樣晶體管23的消光操作的缺陷而在亮度上引起的惡化。
[0143]另外，當(dāng)采用變形例2時，通過使用標(biāo)準(zhǔn)電壓V-作為中間電壓Vmid，因為無需為創(chuàng)建中間電壓Vmid而提供專用電源，故可以實現(xiàn)系統(tǒng)配置的簡化。
[0144]電子設(shè)備
[0145]上述本公開的顯示裝置可在將輸入到電子設(shè)備的圖像信號或在電子設(shè)備內(nèi)部生成的圖像信號顯示為圖片或圖像的電子設(shè)備的任何領(lǐng)域中被用作顯示單元(顯示裝置)。
[0146]如從上面實施方式的描述顯而易見的是，因為本公開的顯示裝置可在不發(fā)光期中確保將發(fā)光單元控制為不發(fā)光態(tài)，故可以實現(xiàn)顯示面板的對比度的提高。因此，通過在電子設(shè)備的任何領(lǐng)域中使用本公開的顯示裝置作為顯示單元，其可以實現(xiàn)顯示單元對比度的提聞。
[0147]除電視機(jī)系統(tǒng)外，例如，可以包括頭戴式顯示器、數(shù)碼相機(jī)、視頻攝影機(jī)、游戲控制器、筆記本個人計算機(jī)等作為電子設(shè)備的實例，其中，本公開的顯示裝置可以被用作顯示單元。另外，還可以在諸如電子閱讀器和電子手表的便攜信息裝置以及諸如蜂窩電話和PDA的移動通信單元的電子設(shè)備中將本公開的顯示裝置用作顯示單元。
[0148]另外，本公開的實施方式可以具有以下配置。
[0149]<1> 一種顯示裝置，包括:像素陣列單元，所述像素陣列單元通過布置像素電路形成，所述像素電路包括驅(qū)動發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動晶體管、施加信號電壓的采樣晶體管、控制所述發(fā)光單元發(fā)光和不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、連接在所述驅(qū)動晶體管的柵極電極與源極電極之間的存儲電容器以及連接至所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極的輔助電容器；以及驅(qū)動單元，在閾值校正期間，所述驅(qū)動單元將第一電壓和第二電壓分別施加至所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極和所述驅(qū)動晶體管的所述柵極電極，所述第一電壓與所述第二電壓之間的差小于所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓，并且隨后在其中所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極已被設(shè)定至浮置狀態(tài)的狀態(tài)下執(zhí)行將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加至所述柵極電極的驅(qū)動。
[0150]〈2>根據(jù)〈1>的顯示裝置，其中，所述第一電壓是像素的電源電壓。
[0151]〈3>根據(jù)〈2>的顯示裝置，其中，所述發(fā)光控制晶體管被連接在所述電源電壓的節(jié)點(diǎn)與所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極之間，以及所述驅(qū)動單元通過將所述發(fā)光控制晶體管設(shè)定至導(dǎo)通狀態(tài)來將所述電源電壓施加至所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極，并且通過將所述發(fā)光控制晶體管設(shè)定至非導(dǎo)通狀態(tài)來將所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極設(shè)定至浮置狀態(tài)。
[0152]<4>根據(jù)〈1>至〈3>中任一項所述的顯示裝置，其中，所述第二電壓與像素的電源電壓相同。
[0153]<5>根據(jù)〈1>至〈3>中任一項所述的顯示裝置，其中，所述第二電壓是與像素的電源電壓不同的電壓。
[0154]<6>根據(jù)〈1>至〈5>中任一項所述的顯示裝置，其中，所述采樣晶體管被連接在信號線與所述驅(qū)動晶體管的所述柵極電極之間，以及所述驅(qū)動單元通過所述采樣晶體管的采樣施加通過所述信號線施加的所述第二電壓。
[0155]<7>根據(jù)〈1>至〈5>中任一項所述的顯示裝置，其中，所述采樣晶體管被連接在信號線與所述驅(qū)動晶體管的所述柵極電極之間，以及所述驅(qū)動單元通過所述采樣晶體管的采樣施加通過所述信號線施加的所述標(biāo)準(zhǔn)電壓。
[0156]<8>根據(jù)〈1>至〈7>中任一項所述的顯示裝置，其中，所述驅(qū)動單元通過施加所述標(biāo)準(zhǔn)電壓時所述存儲電容器與所述輔助電容器的電容耦合來升高所述驅(qū)動晶體管的源極電位。
[0157]<9>根據(jù)〈1>至〈7>中任一項所述的顯示裝置，其中，所述驅(qū)動單元通過施加所述標(biāo)準(zhǔn)電壓時所述存儲電容器與所述輔助電容器的電容耦合來放大所述驅(qū)動晶體管的柵極與源極之間的電壓。
[0158]〈10>根據(jù)〈1>至〈9>中任一項所述的顯示裝置，其中，所述存儲電容器的電容值大于或等于所述輔助電容器的電容值。
[0159]<11>根據(jù)〈1>至〈10>中任一項所述的顯示裝置，其中，作為所述像素電路的操作點(diǎn)所施加的最大電壓為(電源電壓-信號電壓)。
[0160]〈12>根據(jù)〈11>所述的顯示裝置，其中，所述存儲電容器由高介電常數(shù)材料形成。
[0161]〈13>根據(jù)〈11>所述的顯示裝置，其中，所述輔助電容器由高介電常數(shù)材料形成。
[0162]<14>根據(jù)〈1>至〈13>中任一項所述的顯示裝置，其中，所述第二電壓是施加到信號線并由所述采樣晶體管采樣的電壓，以及在向所述信號線施加所述第二電壓之前施加在所述第二電壓與所述信號電壓之間的中間電壓。
[0163]〈15>根據(jù)〈14>所述的顯示裝置，其中，所述中間電壓是所述標(biāo)準(zhǔn)電壓。
[0164]<16>根據(jù)<1>至〈15>中任一項所述的顯示裝置，其中，所述發(fā)光單元由電流驅(qū)動型光電元件構(gòu)成，在所述電流驅(qū)動型光電元件中，發(fā)光亮度根據(jù)在器件中流動的電流的值而改變。
[0165]〈17>根據(jù)〈16>所述的顯示裝置，其中，所述電流驅(qū)動型光電元件是有機(jī)電致發(fā)光元件。
[0166]<18>根據(jù)〈1>至〈17>中任一項所述的顯示裝置，其中，所述采樣晶體管和所述發(fā)光控制晶體管由P溝道型晶體管形成。
[0167]〈19> 一種用于顯示裝置的驅(qū)動方法，其中，顯示裝置通過布置像素電路而形成，所述像素電路包括驅(qū)動發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動晶體管、施加信號電壓的采樣晶體管、控制所述發(fā)光單元發(fā)光和不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、連接在所述驅(qū)動晶體管的柵極電極與源極電極之間的存儲電容器以及連接至所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極的輔助電容器，當(dāng)驅(qū)動所述顯示裝置時，在閾值校正期間，將第一電壓和第二電壓施加到所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極和所述驅(qū)動晶體管的所述柵極電極，所述第一電壓與所述第二電壓之間的差小于所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓，此后，將所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極設(shè)定至浮置狀態(tài)，以及隨后將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加到所述驅(qū)動晶體管的所述柵極電極。
[0168]〈20> —種包括顯示裝置的電子設(shè)備，所述顯示裝置包括:像素陣列單元，通過布置像素電路形成所述像素陣列單元，所述像素電路包括驅(qū)動發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動晶體管、施加信號電壓的采樣晶體管、控制所述發(fā)光單元發(fā)光和不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、連接在所述驅(qū)動晶體管的柵極電極與源極電極之間的存儲電容器以及連接至所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極的輔助電容器；以及驅(qū)動單元，在閾值校正期間，所述驅(qū)動單元將第一電壓和第二電壓分別施加到所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極和所述驅(qū)動晶體管的所述柵極電極，所述第一電壓和所述第二電壓之間的差小于所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓，并且隨后在所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極已被設(shè)定至浮置狀態(tài)的狀態(tài)下執(zhí)行將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加到所述柵極電極的驅(qū)動。
[0169]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解只要它們在所附權(quán)利要求或其等效的保護(hù)范圍內(nèi)可以根據(jù)設(shè)計需求和其他因素出現(xiàn)各種變形、組合、子組合和更改。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置，包括: 像素陣列單元，所述像素陣列單元通過布置像素電路而形成，所述像素電路包括驅(qū)動發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動晶體管、施加信號電壓的采樣晶體管、控制所述發(fā)光單元發(fā)光和不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、連接在所述驅(qū)動晶體管的柵極電極與源極電極之間的存儲電容器以及連接至所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極的輔助電容器；以及 驅(qū)動單元，在閾值校正期間，所述驅(qū)動單元將第一電壓和第二電壓分別施加至所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極和所述驅(qū)動晶體管的所述柵極電極，所述第一電壓與所述第二電壓之間的差小于所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓，并且隨后在其中所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極已被設(shè)定至浮置狀態(tài)的狀態(tài)下執(zhí)行將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加至所述柵極電極的驅(qū)動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述第一電壓是像素的電源電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置， 其中，所述發(fā)光控制晶體管被連接在所述電源電壓的節(jié)點(diǎn)與所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極之間，以及 所述驅(qū)動單元通過將所述發(fā)光控制晶體管設(shè)定至導(dǎo)通狀態(tài)來將所述電源電壓施加至所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極，并且通過將所述發(fā)光控制晶體管設(shè)定至非導(dǎo)通狀態(tài)來將所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極設(shè)定至浮置狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述第二電壓與像素的電源電壓相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述第二電壓是與像素的電源電壓不同的電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述采樣晶體管被連接在信號線與所述驅(qū)動晶體管的所述柵極電極之間，以及 所述驅(qū)動單元通過所述采樣晶體管的采樣來施加通過所述信號線施加的所述第二電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述采樣晶體管被連接在信號線與所述驅(qū)動晶體管的所述柵極電極之間，以及 所述驅(qū)動單元通過所述采樣晶體管的采樣來施加通過所述信號線施加的所述標(biāo)準(zhǔn)電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述驅(qū)動單元通過施加所述標(biāo)準(zhǔn)電壓時的所述存儲電容器與所述輔助電容器的電容耦合來升高所述驅(qū)動晶體管的源極電位。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述驅(qū)動單元通過施加所述標(biāo)準(zhǔn)電壓時的所述存儲電容器與所述輔助電容器的電容耦合來放大所述驅(qū)動晶體管的柵極與源極之間的電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述存儲電容器的電容值大于或等于所述輔助電容器的電容值。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，作為所述像素電路的操作點(diǎn)所施加的最大電壓為(電源電壓-信號電壓)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置， 其中，所述存儲電容器由高介電常數(shù)材料形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置， 其中，所述輔助電容器由高介電常數(shù)材料形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述第二電壓是施加到信號線并由所述采樣晶體管采樣的電壓，以及 在向所述信號線施加所述第二電壓之前施加所述第二電壓與所述信號電壓之間的中間電壓。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置， 其中，所述中間電壓是所述標(biāo)準(zhǔn)電壓。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述發(fā)光單元由電流驅(qū)動型光電元件構(gòu)成，在所述電流驅(qū)動型光電元件中，發(fā)光亮度根據(jù)在器件中流動的電流的值而改變。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置， 其中，所述電流驅(qū)動型光電元件是有機(jī)電致發(fā)光元件。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置， 其中，所述采樣晶體管和所述發(fā)光控制晶體管由P溝道型晶體管形成。
19.一種用于顯示裝置的驅(qū)動方法， 其中，顯示裝置通過布置像素電路而形成，所述像素電路包括驅(qū)動發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動晶體管、施加信號電壓的采樣晶體管、控制所述發(fā)光單元發(fā)光和不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、連接在所述驅(qū)動晶體管的柵極電極與源極電極之間的存儲電容器以及連接至所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極的輔助電容器，當(dāng)驅(qū)動所述顯示裝置時， 在閾值校正期間， 將第一電壓和第二電壓分別施加到所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極和所述驅(qū)動晶體管的所述柵極電極，所述第一電壓與所述第二電壓之間的差小于所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓， 此后，將所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極設(shè)定至浮置狀態(tài)，以及 隨后，將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加到所述驅(qū)動晶體管的所述柵極電極。
20.—種電子設(shè)備,包括: 顯示裝置，所述顯示裝置包括: 像素陣列單元，所述像素陣列單元通過布置像素電路而形成，所述像素電路包括驅(qū)動發(fā)光單元的P溝道型驅(qū)動晶體管、施加信號電壓的采樣晶體管、控制所述發(fā)光單元發(fā)光和不發(fā)光的發(fā)光控制晶體管、連接在所述驅(qū)動晶體管的柵極電極與源極電極之間的存儲電容器以及連接至所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極的輔助電容器；以及 驅(qū)動單元，在閾值校正期間，所述驅(qū)動單元將第一電壓和第二電壓分別施加到所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極和所述驅(qū)動晶體管的所述柵極電極，所述第一電壓與所述第二電壓之間的差小于所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓，并且隨后在所述驅(qū)動晶體管的所述源極電極已被設(shè)定至浮置狀態(tài)的狀態(tài)下執(zhí)行將用于閾值校正的標(biāo)準(zhǔn)電壓施加到所述柵極電極的驅(qū)動。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電子設(shè)備， 其中，所述采樣晶體管被連接在信號線與所述驅(qū)動晶體管的所述柵極電極之間，以及 所述驅(qū)動單元通過所述采樣晶體管的采樣來施加通過所述信號線施加的所述第二電壓。
【文檔編號】G09G3/30GK104282257SQ201410311252
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年7月1日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月8日
【發(fā)明者】小野山有亮, 山下淳一, 豐村直史 申請人:索尼公司