顯示裝置、光檢測方法以及電子設備的制作方法

文檔序號：2649649閱讀：275來源：國知局

專利名稱：顯示裝置、光檢測方法以及電子設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在像素電路中使用諸如有機電致發(fā)光器件(有機EL器件)的自發(fā)光器件的顯示裝置、用于設置在像素電路中的光檢測部的光檢測方法以及電子設備。
背景技術：
在有機電致(EL 電致發(fā)光)發(fā)光元件用作像素的有源矩陣型顯示裝置中，通過有源器件(通常為每個像素電路中設置的薄膜晶體管(TFT))控制流入每個像素電路中的發(fā) 光元件的電流。由于有機EL器件是電流發(fā)光元件，所以通過控制流入EL器件的電流量獲得顯色(發(fā)色，colordevelopment)的灰度級。具體地，在包括有機EL器件的像素電路中，向有機EL器件提供對應于施加的信號值電壓的電流以根據(jù)信號值執(zhí)行灰度級的發(fā)光。在使用自發(fā)光器件的顯示裝置(諸如使用上述這種有機EL器件的顯示裝置)中，去除像素間發(fā)光亮度的離散(離差，dispersion)以消除出現(xiàn)在屏幕上的不均勻性是重要的。當像素間發(fā)光亮度的離散還以面板制造時的初始狀態(tài)出現(xiàn)時，離散通過依賴于時間的變化而引起。時間的流逝劣化了有機EL器件的發(fā)光效率。具體地，即使相同的電流流過，發(fā)光亮度隨著時間的流逝而劣化。結果，例如，如圖59A所示，如果在黑色背景上顯示白色窗口圖案然后在全屏上顯示白色，那么顯示窗口圖案的部分的亮度降低。在JP-T-2007-501953或JP-T-2008-518263 (下文分別稱作專利文獻1和幻中公開了防止上述這種情況的對策。具體地，專利文獻1公開了在每個像素電路中設置光傳感器且向系統(tǒng)反饋光傳感器的檢測值以校正發(fā)光亮度的裝置。專利文獻2公開了從光傳感器向系統(tǒng)反饋檢測值以執(zhí)行發(fā)光亮度的校正的裝置。

發(fā)明內容
本發(fā)明涉及一種顯示裝置，其中為像素電路設置用于檢測來自像素電路的發(fā)光元件的光的光檢測部。實現(xiàn)了該顯示裝置，其中根據(jù)通過光檢測部檢測的光量信息校正信號值以防止這種上述屏幕燒灼(screen burn)。本發(fā)明還提供了可以高精度執(zhí)行檢測且可以由少量元件和少量控制線構成的光檢測部。根據(jù)本發(fā)明實施方式，提供了一種顯示裝置，包括多個像素電路，以矩陣形式設置在多條信號線與多條掃描線彼此相交的位置上，并且各自包括發(fā)光元件；發(fā)光驅動部，用于對每個像素電路施加信號值，以使像素電路發(fā)出對應于信號值的亮度的光；以及光檢測部，設置在每個像素電路中，并且包括傳感器-開關兼用元件以及檢測信號輸出晶體管，該傳感器-開關兼用元件通過在其導通狀態(tài)與截止狀態(tài)之間切換而用作開關元件，并且在其截止狀態(tài)下用作用于檢測來自像素電路的發(fā)光元件的光的光傳感器，該檢測信號輸出晶體管連接至光檢測線，以用于將與截止狀態(tài)下的傳感器-開關兼用元件的電流變化量相對應的光檢測信息輸出至光檢測線。根據(jù)本發(fā)明另一實施方式，提供了一種用于顯示裝置的光檢測方法，該顯示裝置包括具有發(fā)光元件的像素電路以及用于檢測來自像素電路的發(fā)光元件的光且輸出光檢測信息的光檢測部，該光檢測部包括傳感器-開關兼用元件以及檢測信號輸出晶體管，該傳感器-開關兼用元件通過在其導通狀態(tài)與截止狀態(tài)之間切換而用作開關元件且在其截止狀態(tài)下用作用于檢測來自像素電路的發(fā)光元件的光的光傳感器，該檢測信號輸出晶體管連接至光檢測線，以用于將與截止狀態(tài)下的傳感器-開關兼用元件的電流變化量相對應的光檢測信息輸出至光檢測線，該光檢測方法包括以下步驟將與在傳感器-開關兼用元件的截止狀態(tài)下流入傳感器-開關兼用元件的電流變化量相對應的光檢測信息從檢測信號輸出晶體管輸出至光檢測線。根據(jù)本發(fā)明又一實施方式，提供了一種電子設備，包括多個像素電路，以矩陣形式設置在多條信號線與多條掃描線彼此相交的位置上，并且各自包括發(fā)光元件；發(fā)光驅動部，用于將信號值施加至每個像素電路以使像素電路發(fā)出對應于信號值的亮度的光；以及光檢測部，包括傳感器-開關兼用元件以及檢測信號輸出晶體管，該傳感器-開關兼用元件通過在其導通狀態(tài)與截止狀態(tài)之間切換而用作開關元件，并且在其截止狀態(tài)下用作用于檢測來自像素電路的發(fā)光元件的光的光傳感器，該檢測信號輸出晶體管連接至光檢測線，以用于將與截止狀態(tài)下的傳感器-開關兼用元件的電流變化量相對應的光檢測信息輸出至光檢測線。根據(jù)本發(fā)明又一實施方式，提供了一種顯示裝置，包括多個像素電路，以矩陣形式設置，并且各自包括發(fā)光元件；以及光檢測部，包括能夠用作開關元件以及還用作用于檢測來自發(fā)光元件的光的光傳感器的傳感器-開關兼用元件。在具有如上所述的構造的顯示裝置、光檢測方法和電子設備中，這樣的傳感器-開關兼用元件用作光檢測元件該傳感器-開關兼用元件通過在導通狀態(tài)與截止狀態(tài) 之間切換而用作開關元件，并且在其截止狀態(tài)下用作用于檢測來自發(fā)光元件的光的光傳感器。因此，可以通過單個元件實現(xiàn)用于光檢測部的檢測的準備操作和檢測操作。此外，通過直接連接至光檢測線的檢測信號輸出晶體管執(zhí)行光檢測信息的輸出。通過這種構造，可以實現(xiàn)光檢測部的部件數(shù)量的減少以及用于操作控制的線和驅動器的數(shù)量的減少。對于顯示裝置、光檢測方法以及電子設備，通過將傳感器-開關兼用元件用作光檢測元件使得它在其導通狀態(tài)下用作開關元件而在其截止狀態(tài)下用作光檢測元件、并且將檢測信號輸出晶體管直接連接至至光檢測線，可以實現(xiàn)光檢測部的構造的簡化。結果，可以實現(xiàn)產(chǎn)量的提高，并且可以采取防止由諸如屏幕燒灼的發(fā)光元件的效率劣化而引起的圖像質量不良的對策。結合通過相同的參考標號表示同樣的部分或元件的附圖，本發(fā)明的以上和其他目的、特征以及優(yōu)點將從以下描述和所附權利要求中變得顯而易見。

圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的顯示裝置的框圖；圖2是示出了圖1的顯示裝置中的光檢測部的配置實例的說明圖；圖3是示出了在本發(fā)明的過程中所考慮的構造的電路圖；圖4是示出了圖3的電路操作的波形圖；圖5是示出了在本發(fā)明的過程中所考慮的另一構造的電路圖；圖6是示出了圖5的電路操作的波形圖；圖7至圖9是示出了圖5的電路操作的等效電路圖；圖10是示出了在本發(fā)明的過程中所考慮的又一構造的電路圖；圖11是示出了圖10的電路操作的波形圖；圖12至圖15是示出了圖10的電路操作的等效電路圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的電路圖；圖17A和圖17B是示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的光檢測期間的說明圖；圖18A和圖18B是示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的光檢測操作期間的說明圖；圖19是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的操作波形；圖20是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的光檢測操作的說明圖；圖21至圖25是示出了在根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的光檢測時的操作的等效電路圖；圖沈是根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的電路圖；圖27是根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的操作波形；圖觀是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的光檢測操作的波形圖；圖四至圖33是示出了在根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的光檢測時的操作的等效電路圖；圖34是根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的電路圖；圖35是示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的光檢測操作的波形圖；圖36至圖40是示出了在根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的光檢測操作的等效電路圖；圖41是根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的電路圖；圖42是示出了根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的光檢測操作的波形圖；圖43是根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的電路圖；圖44是示出了根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的光檢測操作的波形圖；圖45是示出了根據(jù)本發(fā)明第六和第七實施方式的顯示裝置的框圖；圖46是根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的電路圖47是根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的操作波形；圖48是示出了根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的光檢測操作的波形圖；圖49是根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的電路圖；圖50是根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的操作波形；圖51是示出了根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的光檢測操作的波形圖；圖52至圖56是示出了在根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的光檢測時的操作的等效電路圖；圖57A和圖57B是示出了本發(fā)明的修改例的波形圖；圖58A和圖58B是示出了本發(fā)明的應用例的示意圖；以及圖59A和圖59B是示出了防止屏幕燒灼的校正的示意圖。
具體實施例方式下面，將以下列順序描述本發(fā)明的實施方式。<1.顯示裝置的構造><2.在本發(fā)明的過程中所考慮的構成例1至3><3.第一實施方式〉[3-1.電路構造][3-2.光檢測操作期間][3-3.光檢測操作]<4.第二實施方式><5.第三實施方式><6.第四實施方式〉<7.第五實施方式><8.第六實施方式><9.第七實施方式><10.修改例以及應用例〉<1.顯示裝置的構造>在圖1中示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機EL顯示裝置的構造。有機EL顯示裝置作為顯示裝置集成在各種電子設備中。具體地，有機EL顯示裝置集成在諸如例如電視接收機、監(jiān)控設備、記錄和再生設備、通信設備、計算機設備、音頻設備、視頻設備、游戲機以及家電設備的各種電子設備中。應注意，圖1所示的構造對應于下文描述的第一至第四實施方式。有機EL顯示裝置包括多個像素電路10，每個像素電路10均包括作為用于根據(jù)有源矩陣方法執(zhí)行發(fā)光驅動的發(fā)光元件的有機EL器件。參照圖1，有機EL顯示裝置包括像素陣列20，其中，多個像素電路10沿著行方向和列方向設置為矩陣形式，即，m行Xn列。應注意，各個像素電路10用作R(紅色)、G(綠色)以及B(藍色)發(fā)光像素中的一個，并且通過根據(jù)預定規(guī)則配置各個顏色的像素電路10 來構成彩色顯示裝置。作為用于驅動像素電路10發(fā)光的部件，設置了水平選擇器11和寫入掃描器12。
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在像素陣列20上沿列方向配置了通過水平選擇器11選擇的、用于向像素電路10 提供與作為顯示數(shù)據(jù)的亮度信號的信號值(即，灰度級值)相應的電壓的信號線DTL，具體是DTL1、DTL2、...。信號線DTL1、DTL2、...的數(shù)量等于在像素陣列20中被設置為矩陣形式的像素電路10的列的數(shù)量。此外，在像素陣列20中，沿著行方向配置寫入控制線WSL，即，WSL1、WSL2、...。寫入控制線WSL的數(shù)量等于在像素陣列20的行方向中的矩陣中設置的像素電路10的數(shù)量。通過寫入掃描器12驅動寫入控制線WSL，即WSL1、WSL2、...。寫入掃描器12向以行設置的寫入控制線WSL1、WSL2、...連續(xù)提供掃描脈沖WS，從而線序地以行為單位來掃描像素電路10。以與寫入掃描器12的線序掃描的同步關系，水平選擇器11向沿列方向設置的信號線DTL1、DTL2、...提供信號值電位Vsig作為向像素電路10的輸入信號。對應各個像素電路10設置光檢測部30。光檢測部30包括在其內部用作光傳感器的元件(其為下文描述的傳感器兼用晶體管T10)、以及包括檢測信號輸出晶體管(下文描述為T5)的檢測信號輸出電路構造。光檢測部30輸出對應的像素電路10的發(fā)光元件的發(fā) 光量的檢測信息。此外，設置了用于控制光檢測部30的控制操作的檢測操作控制部21?？刂凭€TLb，即TLbl、TLb2、· · ·，從檢測操作控制部21向光檢測部30延伸。在下文中描述光檢測部30的檢測信號輸出電路構造的構造時，控制線TLa用于向開關晶體管T3提供用于光檢測部30中的開關晶體管T3的導通/截止控制的控制脈沖 PT3。同時，控制線TLa用于向開關晶體管Τ3提供用于光檢測部30中的傳感器兼用晶體管 TlO的導通/截止控制的控制脈沖pTIO。此外，為光檢測部30配置用于為光檢測部30提供操作電源電壓的電源線VL，即 VLU VL2、...。檢測操作控制部21對電源線VL( S卩，VLU VL2、...)施加由操作電源電壓 Vcc和基準電位Vini形成的脈沖電壓。此外，為光檢測部30沿列方向設置光檢測線DETL，即DETL1、DETL2、...。光檢測線DETL用作用于通過光檢測部30輸出作為檢測信息的電壓。光檢測線DETL ( S卩，DETLl、DETL2、...)連接至光檢測驅動器22。光檢測驅動器 22執(zhí)行對于光檢測線DETL的電壓檢測，以通過光檢測部30檢測出光量檢測信息。光檢測驅動器22對水平選擇器11中的信號值校正部Ila施加由光檢測部30檢測出的關于像素電路10的光量檢測信息。信號值校正部Ila基于光量檢測信息判定像素電路10中的有機EL器件的發(fā)光效率的劣化程度，并且根據(jù)判定結果執(zhí)行將被施加至像素電路10的信號值Vsig的校正處理。有機EL器件的發(fā)光效率隨著時間的流逝而劣化。具體地，即使提供相同的電流，發(fā)光亮度也隨著時間的流逝而劣化。因此，在根據(jù)本實施方式的顯示裝置中，檢測每個像素電路10的發(fā)光量，并且基于檢測結果判定發(fā)光亮度的劣化。然后，響應于劣化程度校正信號值Vsig本身。例如，在要施加作為某一電壓值Vl的信號值Vsig的情況下，執(zhí)行校正從而設定基于發(fā)光亮度的劣化程度而確定的校正值α，并且施加作為電壓值Vl+α的信號值 Vsig0以如上所述這種方式檢測到的每個像素電路10發(fā)光量的劣化通過向信號值Vsig反饋其值(劣化)而得以補償，從而減少屏幕燒灼。具體地，例如，在發(fā)生如圖59A所示的屏幕燒灼的情況下，如圖59B所示減輕了屏
眷燒灼ο應注意，盡管沒有在圖1中示出，用于提供陰極電位Vcat作為所需的固定電位的電位線連接至像素電路10和光檢測部30 (圖17中所示)。此外，盡管圖1示出了對應于第一至第四實施方式的構造，但是在第二和第三實施方式的情況下，檢測操作控制部21另外包括用于向光檢測驅動器22提供控制信號 PSWl (由虛線表示)的構造。順便提及，在為每個像素電路10設置單個光檢測部30時，沒有必要為每個像素電路10都設置一個光檢測部30。S卩，可以應用另一種構造，其中一個光檢測部30為多個像素電路10執(zhí)行光檢測，例如像圖2所示的構造，其中為四個像素電路10設置一個光檢測部30。例如，可以采用這樣的技術，其中，執(zhí)行對于圖2所示的4個像素電路10a、10b、10c和IOd的光檢測，而連續(xù) 驅動像素電路10a、10b、IOc和IOd以依次發(fā)光，通過設置在像素電路10a、10b、IOc和IOd 間的中心位置處的光檢測部30連續(xù)執(zhí)行光檢測?；蚩梢圆捎昧硪环N技術，在同時驅動多個像素電路10發(fā)光時，以包括例如像素電路10a、10b、10c和IOd的像素塊為單位而檢測光量。<2.在本發(fā)明的過程中所考慮的構造構成例1至3>這里，在描述本發(fā)明的實施方式的電路構造和操作之前，描述在本發(fā)明的過程中已經(jīng)考慮的光檢測部的構成例1至3以便于本實施方式的理解。應注意，申請人認識到構成例1至3不是公知的發(fā)明。首先，作為構成例1，圖3示出了為減少屏幕燒灼而設計的像素電路10和光檢測部 100。像素電路10包括驅動晶體管Td、取樣晶體管Ts、保持電容器Cs以及有機EL元件 1。下文將在第一實施方式中更加詳細地描述具有該構造的像素電路10。為了補償像素電路10的有機EL元件1的發(fā)光效率的下降，設置了光檢測部100，其包括介于電源電壓Vcc與固定的光檢測線DETL之間的光檢測元件或光傳感器Sl和開關晶體管Tl。在這種情況下，例如，光電二極管形式的光傳感器Sl提供對應于從有機EL元件1 發(fā)出的光量的漏電流。通常，當二極管檢測光時，其電流增加。此外，電流的增加量根據(jù)入射到二極管上的光量改變。具體地，如果光量大，那么電流的增加量也大，而如果光量小，那么電流的增加量也小。如果使開關晶體管Tl導通，那么流經(jīng)光傳感器Sl的電流流向光檢測線DETL。連接至光檢測線DETL的外部驅動器101檢測從光傳感器Sl向光檢測線DETL提供的電流量。通過外部驅動器101檢測的電流值轉換為檢測信息信號，并且被提供給水平選擇器11。水平選擇器11根據(jù)檢測信息信號判定檢測電流值是否對應于對像素電路10設置的信號值Vsig。如果有機EL元件1的發(fā)光亮度表示劣化等級，那么檢測電流量表示減少等級。在這種情況下，校正了信號值Vsig。圖4示出了光檢測操作波形。這里，光檢測部100將檢測電流輸出至外部驅動器 101的期間被確定為一幀。在圖4中示出的信號寫入期間內，像素電路10中的取樣晶體管Ts以掃描脈沖WS 示出導通狀態(tài)，并且從水平選擇器11施加至信號線DTL的信號值Vsig輸入至像素電路10。信號值Vsig輸入至驅動晶體管Td的柵極，并且維持在保持電容器Cs中。因此，驅動晶體管Td向有機EL元件1提供對應于其柵極-源極電壓的電流，使得有機EL元件1發(fā)光。例如，如果在當前幀內為白色顯示提供信號值Vsig，那么有機EL元件1在當前幀內發(fā)出白色等級的光。在發(fā)出白色等級的光的幀內，通過控制脈沖pTl使光檢測部100中的開關晶體管 Tl導通。因此，接收有機EL元件1的光的光傳感器Sl的電流變化反映在光檢測線DTEL上。例如，如果流經(jīng)光傳感器Sl的電流量由此而等于最初應發(fā)出并且如圖4的實線所表示的光量，那么如果發(fā)光量由于有機EL元件1的劣化而減少，則由圖4中的虛線來表示。由于在光檢測線DETL上出現(xiàn)對應于發(fā)光亮度的劣化的電流變化，所以外部驅動器101可以檢測電流量并且獲得劣化程度的信息。于是，將信息反饋至水平選擇器11來校正信號值Vsig以執(zhí)行對亮度劣化的補償。因此，可以減少屏幕燒灼。然而，如上所述的這樣的光檢測系統(tǒng)導致以下缺點。具體地，光傳感器Sl接收有機EL元件1發(fā)出的光，并且增加其電流。對于作為光傳感器Sl的二極管，優(yōu)選地使用其表現(xiàn)出大的電流變化的截止區(qū)域(施加電壓近似零的負值)。這是因為可以比較精確地檢測電流變化。然而，即使這時的電流值表示增加，但是由于其相對于導通電流非常低，所以如果打算以高精度檢測亮度變化，那么對光檢測線DETL的寄生電容充電需要較長的一段時間。例如，難以在一幀內以高精度檢測電流變化。作為對策，增加光傳感器Sl的尺寸以增加電流量是可行的想法。然而，當尺寸增加時，光檢測部100在像素陣列20中占據(jù)的面積比例也增加了。因此，已經(jīng)設計了圖5所示的光檢測部200。參照圖5，作為光檢測部200的檢測信號輸出電路包括光傳感器Si、電容器Cl、以 η溝道TFT形式的檢測信號輸出晶體管Τ5、開關晶體管Τ3和Τ4、以及以晶體管的二極管連接形式的二極管Dl。光傳感器Sl連接在電源電壓Vcc與檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極之間。光傳感器Sl利用PIN 二極管或非晶硅制成。設置光傳感器Sl以檢測從有機EL元件1發(fā)出的光。光傳感器Sl的電流響應于檢測光量增加或減少。具體地，如果有機EL元件1的發(fā)光量大，那么電流增加量大，但是如果有機EL元件1的發(fā)光量小，那么電流增加口量小。電容器Cl連接在電源電壓Vcc與檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極之間。檢測信號輸出晶體管Τ5的漏極連接至電源電壓Vcc，并且其源極連接至開關晶體管T3。開關晶體管T3連接在檢測信號輸出晶體管T5的源極與光檢測線DETL之間。開關晶體管T3通過從控制線TLx提供至其柵極的控制脈pT3被導通/截止。當開關晶體管 Τ3導通時，檢測信號輸出晶體管Τ5的源極電位輸出至光檢測線DETL。二極管Dl連接在檢測信號輸出晶體管Τ5的源極與陰極電位Vcat之間。開關晶體管Τ4的漏極和源極連接在檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極與基準電位 Vini之間。開關晶體管Τ4通過從控制線TLy向其柵極提供的控制脈沖ρΤ4而被導通/截止。當開關晶體管Τ4導通時，基準電位Vini被輸入至開關晶體管Τ5的柵極。光檢測驅動器201包括用于檢測每條光檢測線DETL的電位的電壓檢測部201a。電壓檢測部201a檢測從光檢測部200輸出的檢測信號電壓，并且向水平選擇器11提供所檢測的檢測信號電壓作為有機EL元件1的發(fā)光量信息(亮度劣化信息)。圖6示出了光檢測操作時的操作波形。具體地，圖6示出了用于向像素電路10寫入信號值Vsig的掃描脈沖WS、用于光檢測部200的控制脈沖pT4和ρΤ3、檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極電壓以及出現(xiàn)在光檢測線 DETL上的電壓。在光檢測部200中，首先作為檢測準備期間，開關晶體管Τ3和Τ4分別通過控制脈沖ρΤ3和ρΤ4而導通。這時的狀態(tài)如圖7所示。當開關晶體管Τ4導通時，將基準電位Vini輸入至檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極。將基準電位Vini設定至使檢測信號輸出晶體管Τ5與二極管Dl導通的電平。具體地，基準電位Vini高于檢測信號輸出晶體管Τ5的閾值電壓VthT5、二極管Dl的閾值電壓 VthDl以及陰極電位Vcat的總和，即VthT5+VthDl+Vcat。因此，由于電流Iini如圖7所示流動且開關晶體管T3導通，所以將電位Vx輸出至光檢測線DETL。在檢測準備期間，如圖6所示獲得檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位=Vini和光檢測線DETL的電位=Vx。對于一幀期間內的顯示，在像素電路10中執(zhí)行信號寫入。具體地，在圖6的信號寫入期間，掃描脈沖被置為H(高)電平以使取樣晶體管Ts導通。這時，水平選擇器11向信號線DTL提供用于白色顯示的灰度級的信號值Vsig。因此，在像素電路10中，有機EL元件1根據(jù)信號值Vsig發(fā)光。這時的狀態(tài)如圖8所示。這時，光傳感器Sl接收從有機EL元件1發(fā)出的光，并且其漏電流改變。然而，由于開關晶體管T4處于導通狀態(tài)，所以檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓維持基準電位Vini。在信號寫入結束之后，像素電路10中的取樣晶體管Ts截止。同時，在光檢測部200中，控制脈沖pT4被置為L (低)電平以截止開關晶體管Τ4。這種狀態(tài)如圖9所示。當開關晶體管Τ4截止時，光傳感器Sl接收從有機EL元件1發(fā)出的光，并且將漏電流從電源電壓Vcc提供至檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極。通過這種操作，如圖6所示，檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極電壓從基準電位Vini 逐漸升高，與此同時，光檢測線DETL的電位從電位Vx升高。通過電壓檢測部201a檢測光檢測線DETL的該電位變化。檢測到的電位對應于有機EL元件1的發(fā)光量。換言之，如果通過像素電路10執(zhí)行諸如白色顯示的特定的灰度級顯示，那么檢測到的電位表示有機EL元件1的劣化程度。例如，通過圖6的實線表示的光檢測線DETL的電位差表示當有機EL元件1完全沒有劣化時的電位差，而通過圖6的虛線表示的電位差表示當有機EL元件1劣化時的電位差。在經(jīng)過固定時間期間之后，控制脈沖pT3被置為L電平以截止開關晶體管T3，從而結束檢測操作。以如上所述這樣的方式執(zhí)行例如一幀內對相關線中的像素電路10的檢測。光檢測部200的檢測信號輸出電路具有源極跟隨器電路的結構，并且如果檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極電壓改變，那么從檢測信號輸出晶體管Τ5的源極的輸出變化。換言之，將由光傳感器Sl的漏電流的變化導致的檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極電壓的變化從檢測信號輸出晶體管Τ5的源極輸出至光檢測線DETL。同時，檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極-源極電壓Vgs被設定為高于檢測信號輸出晶體管Τ5的閾值電壓。因此，從檢測信號輸出晶體管Τ5輸出的電流值比在上文參照圖3 描述的電路構造的電流值更高，并且即使光傳感器Sl的電流值Sl是低的，但是由于它通過檢測信號輸出晶體管Τ5，所以發(fā)光量的檢測信息也可以輸出至檢測驅動器201。因此，盡管高精度的光檢測操作是可能的，但是形成光檢測部200需要增加元件數(shù)量。具體地，光檢測部200可能需要光傳感器Sl、4個晶體管Τ3、Τ4、Τ5和D1、以及電容器Cl，這導致每一個像素的元件數(shù)量的增加以及包括像素電路10的晶體管的比率的增加。這導致低產(chǎn)量。此外，圖10中示出了構成例3。圖10中示出的光檢測部300包括傳感器兼用晶體管Τ10、電容器C2、以η溝道TFT 形式的檢測信號輸出晶體管Τ5以及開關晶體管Τ3。傳感器兼用晶體管TlO連接在電源線VL與檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極之間。設置傳感器兼用晶體管TlO以代替上文參照圖5描述的構造中的二極管形式的光傳感器Si，并且在導通狀態(tài)與截止狀態(tài)之間切換以用作開關元件，另外在其截止狀態(tài)下用作光傳感器。TFT具有通過在溝道層上設置柵極金屬、源極金屬等而形成的結構。傳感器兼用晶體管TlO形成為具有例如形成源極和漏極的金屬層沒有在溝道層以上相對擋住至溝道層的光的結構。換句話說，應該形成TFT以允許外部光進入溝道層。傳感器兼用晶體管TlO被設置為檢測從有機EL元件1發(fā)出的光。然后，在傳感器兼用晶體管TlO的截止狀態(tài)下，其漏電流響應于發(fā)光量而增加或減少。具體地，如果有機 EL元件1的發(fā)光量大，則漏電流的增加量大，但是如果有機EL元件1的發(fā)光量小，則漏電流的增加量小。傳感器兼用晶體管TlO的柵極連接至控制線TLb。因此，傳感器兼用晶體管TlO通過控制脈沖PTlO被導通/截止。當傳感器兼用晶體管TlO導通時，電源線VL的電位被輸入至檢測信號輸出晶體管T5的柵極。具有包括電源電壓Vcc和基準電壓Vini的兩個值的脈沖電壓被從檢測操作控制部21提供至電源線VL。電容器C2連接在陰極電位Vcat與檢測信號輸出晶體管T5的柵極之間。電容器 C2被設置為保持檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓。
檢測信號輸出晶體管T5的漏極連接至電源線VL。檢測信號輸出晶體管T5的源極連接至開關晶體管T3。開關晶體管T3連接在檢測信號輸出晶體管T5的源極與光檢測線DETL之間。開關晶體管T3的柵極連接至控制線TLa，因此通過控制脈沖pT3而被導通/截止。當開關晶體管Τ3導通時，流入檢測信號輸出晶體管Τ5的電流被輸出至光檢測線DETL。光檢測驅動器301包括用于檢測每條光檢測線DETL的電位的電壓檢測部301。電壓檢測部301a檢測從光檢測部300輸出的檢測信號電壓。應注意，例如，二極管連接的晶體管形式的二極管Dl連接至光檢測線DETL，以將電流路徑設置至固定值，例如，至陰極電位Vcat。將參照圖11至圖16來描述光檢測部300的光檢測操作。圖11示出了關于光檢測部300的操作的波形。特別地，圖13示出了要從寫入掃描器12施加至像素電路10 (具體是至取樣晶體管Ts)的掃描脈沖WS。此外，圖13還示出了要施加至控制線TLb和TLa的控制脈沖pT10、pT3、以及電源線VL的電源脈沖。圖13還示出檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極電壓和出現(xiàn)在光檢測線DETL上的電壓。假設一個光檢測部300在如圖11所示的一幀期間內執(zhí)行對于相應的一個像素電路10的光量檢測。首先，在包括檢測準備周期的從時間tmO至時間tm6期間內，電源線VL被設定為基準電壓Vini。此外，在從時間tml至時間tm5期間內，控制脈沖pTIO被設定為H電平以將傳感器兼用晶體管TlO置為導通狀態(tài)以執(zhí)行檢測準備。圖12中示出了此時的狀態(tài)。當傳感器兼用晶體管TlO在電源線VL具有基準電壓 Vini的時間tml被置為導通狀態(tài)時，基準電壓Vini被輸入至檢測信號輸出晶體管T5的柵極。此外，當在時間tm2通過控制脈沖pT3將開關晶體管Τ3置為導通狀態(tài)時，檢測信號輸出晶體管Τ5的源極連接至光檢測線DETL。這里，基準電壓Vini是通過其將檢測信號輸出晶體管T5置為導通狀態(tài)的電壓。因此，電流Iini如圖12所示流動，并且光檢測線DETL表現(xiàn)特定的電壓Vx。由于在檢測準備期間內執(zhí)行上述的這種操作，檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位等于基準電壓Vini，并且光檢測線DETL的電位等于電位Vx。在從圖11的時間tm3至時間tm4的期間內，為一幀期間的顯示執(zhí)行將信號值Vsig 寫入像素電路10。具體地，在圖13的信號寫入期間，掃描脈沖WS被設定為H電平以使取樣晶體管Ts導通。這時，水平選擇器11對信號線DTL施加例如白色顯示灰度級的信號值 Vsig。因此，在像素電路10中，有機EL元件1根據(jù)信號值Vsig發(fā)光。圖13示出了這種情況下的狀態(tài)。這時，由于傳感器兼用晶體管TlO導通，檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓保持與基準電位Vini相等。在信號寫入結束之后，像素電路10中的取樣晶體管Ts在時間tm4時截止。同時，在光檢測部300中，在時間tm5時將控制脈沖pTIO置為L電平以截止傳感器兼用晶體管T10。圖14示出了這個狀態(tài)。在傳感器兼用晶體管TlO截止的情況下，與電容C2與傳感器兼用晶體管TlO的寄生電容之間的電容比相對應的耦合量AVa'輸入至檢測信號輸出晶體管T5的柵極。因此，光檢測線DETL的電壓也改變至Vx- Δ Va所給出的電位。通過耦合，在傳感器兼用晶體管TlO的源極和漏極之間出現(xiàn)電位差，并且根據(jù)接收的光量改變傳感器兼用晶體管TlO的漏電流量。然而，這時的漏電流幾乎不改變檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極電壓。這產(chǎn)生了如下事實，即傳感器兼用晶體管TlO的源極和漏極之間的電位差小，并且將電源線VL從基準電位Vini改變到電源電壓Vcc的下一操作之前的時間短。在經(jīng)過固定時間期間之后的時間tm6，將電源線VL的電位從基準電位Vini改變到電源電壓Vcc。通過該操作，來自電源線VL的耦合被輸入至檢測信號輸出晶體管T5的柵極，并因此檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位升高。由于電源線VL的電位改變?yōu)楦唠娢?，所以?傳感器兼用晶體管TlO的源極和漏極之間出現(xiàn)大的電位差，并且漏電流響應于所接收的光量從電源線VL流至檢測信號輸出晶體管T5的柵極。圖15示出了這個狀態(tài)。通過所述的操作，將檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓從Vini-AVa'改變至Vini-AVa' +AV'。圖11示出了檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位在時間tm6之后從Vini-AVa'至Vini-Δ Va' +AV'逐漸升高的方式。連同這個，光檢測線DETL的電位也從電位Vx-Δ Va至VO+Δ V升高。應注意，電位 VO是低灰度級顯示狀態(tài)下(S卩，處于黑色顯示狀態(tài)下)的光檢測線DETL的電位。由于流至傳感器兼用晶體管TlO的電流量隨著由傳感器兼用晶體管TlO接收的光量的增加而增加，所以高灰度級顯示時光檢測線DETL的電壓高于低灰度級顯示時光檢測線DETL的電壓。通過電壓檢測部301a檢測光檢測線DETL的該電位變化。該檢測電壓對應于有機 EL元件1的發(fā)光量。換言之，如果通過像素電路10執(zhí)行諸如白色顯示的特定的灰度級顯示，那么檢測電位表示有機EL元件1的劣化程度。在經(jīng)過固定的時間間隔之后，在時間tm7時控制脈沖pT3被設定至L電平以截止開關晶體管Τ3，從而結束檢測操作。因此，不再有電流被提供給光檢測線DETL，并且電位變為等于Vcat+VthDl。應注意，VthDl表示二極管Dl的閾值電壓。例如，以下列方式執(zhí)行一幀內對相關線的像素電路10的檢測。通過執(zhí)行如上所述的這種光檢測操作的光檢測部300，可以實現(xiàn)類似于上文參照圖5描述的光檢測部200的精確的光檢測操作。此外，由于使用了傳感器兼用晶體管T10，所以可以減少元件數(shù)量。然而，由于需要用于晶體管TlO和T3的控制線TLb和TLa，并且電源線VL用作脈沖電壓電源，所以對于一個光檢測部300需要3個控制系統(tǒng)。例如，盡管構成例2和3允許高精確檢測，但是構成例2具有光檢測部200包括的元件數(shù)量增加的缺點，而構成例3具有雖然元件數(shù)量減少但需要3個控制線系統(tǒng)(即，用于驅動控制線的驅動器數(shù)量增加)的另一缺點?？紤]前述內容，本發(fā)明實施方式可以簡化光檢測部和用于其的控制系統(tǒng)的構造并實現(xiàn)高產(chǎn)量，同時保持了可高精度執(zhí)行光檢測(類似于構成例2和構成例3)的特征。<3.第一實施方式〉[3-1.電路構造]在圖16中示出了圖1所示的實施方式的像素電路10和光檢測部30的構造。
應注意，圖16示出連接至同一信號線DTL的兩個像素電路10，S卩，10-1和10_2，以及分別對應于像素電路10-1和10-2并且連接至同一光檢測線DETL的光檢測部30，即， 30-1和30-2。在下列描述中，除特別需要加以區(qū)分之外，它們統(tǒng)稱作“像素電路10”和“光檢測部30”。參照圖16，示出的像素電路包括η溝道TFT形式的取樣晶體管Ts、保持電容器Cs、 P溝道TFT形式的驅動晶體管Td以及有機EL元件1。如圖1所示，每個像素電路10均設置在信號線DTL與寫入控制線WSL間的交叉點上。信號線連接至取樣晶體管Ts的漏極，而寫入控制線WSL連接至取樣晶體管Ts的柵極。驅動晶體管Td和有機EL元件1串連連接在電源電壓Vcc與陰極電壓Vcat之間。取樣晶體管Ts和保持電容器Cs連接至驅動晶體管Td的柵極。驅動晶體管Td的柵極-源極電壓由Vgs表示。在本像素電路10中，當水平選擇器11對信號線DTL施加對應于亮度信號的信號值時，如果寫入掃描器12將寫入控制線WSL的掃描脈沖WS置為H電平，那么使取樣晶體管 Ts導通，并且信號值被寫入保持電容器Cs。在保持電容器Cs中寫入的信號值電位變?yōu)轵?動晶體管Td的柵極電位。如果寫入掃描器12將寫入控制線WSL的掃描脈沖WS置為L電平，那么盡管信號線DTL與驅動晶體管Td彼此沒有電連接，但是通過保持電容器Cs穩(wěn)定保持驅動晶體管Td 的柵極電位。然后，驅動電流Ids以從電源電壓Vcc朝向陰極電位Vcat而流至驅動晶體管Td 與有機EL元件1。這時，驅動電流Ids表現(xiàn)出對應于驅動晶體管Td的柵極-源極電壓Vgs的值，并且有機EL元件1以對應于電流值的亮度而發(fā)光。簡而言之，在像素電路10中，信號值電位從信號線DTL寫入保持電容器Cs以改變驅動晶體管Td的柵極應用電壓，從而控制電流值流入有機EL元件1以獲得顯色的灰度級。由于ρ溝道TFT形式的驅動晶體管Td被設計為使得其源極連接至電源電壓Vcc，從而驅動晶體管Td通常在其飽和區(qū)域內操作，所以驅動晶體管Td用作具有由以下表達式 ⑴給出的值的恒定電流源Ids = (1/2) · μ · (ff/L) · Cox · (Vgs Vth)2 (1)其中，Ids是在飽和區(qū)域中操作的晶體管的漏極和源極之間流動的電流，μ是遷移率，w是溝道寬度，L是溝道長度，Cox是柵極電容，以及Vth是驅動晶體管Td的閾值電壓。從上面的表達式(1)顯然可以了解到，在飽和區(qū)域內，通過柵極-源極電壓Vgs控制驅動晶體管Td的漏電流Ids。由于驅動晶體管Td的柵極-源極電壓Vgs保持固定，所以驅動晶體管Td作為恒定電流源而操作，并且可以使有機EL元件1以固定的亮度發(fā)光。通常，有機EL元件1的電流-電壓特性隨著時間的流逝而劣化。因此，在像素電路10中，連同有機EL元件1的依賴于時間的變化，驅動晶體管Td的漏極電壓改變。然而，由于驅動晶體管Td的柵極-源極電壓Vgs在像素電路10中是固定的，所以固定量的電流流入有機EL元件1且發(fā)光亮度不改變。簡而言之，可期望穩(wěn)定的灰度級控制。然而，隨著時間的流逝，不僅驅動電壓而且有機EL元件1的發(fā)光效率劣化。換言之，即使向有機EL元件1提供相同的電流，有機EL元件1的發(fā)光亮度也隨著時間下降。結果，如上文參照圖9描述的這種屏幕燒灼出現(xiàn)。因此，設置光檢測部30以執(zhí)行對應于發(fā)光亮度的劣化的校正或補償。如圖16所示，本實施方式中的光檢測部30包括傳感器兼用晶體管T10、電容器C2 以及η溝道TFT形式的檢測信號輸出晶體管Τ5。傳感器兼用晶體管TlO連接在電源線VL與檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極之間。設置傳感器兼用晶體管TlO代替上文參照圖5描述的構造中二極管形式的光傳感器Si，并且其在導通狀態(tài)與截止狀態(tài)之間改變(切換)以用作開關元件，另外在其截止狀態(tài) 下還用作光傳感器。傳感器兼用晶體管TlO被設置為檢測從有機EL元件1發(fā)出的光。然后，在傳感器兼用晶體管TlO的截止狀態(tài)下，其漏電流響應于發(fā)光量增加或減少。具體地，如果有機EL 元件1的發(fā)光量大，那么漏電流的增加量大，但是如果有機EL元件1的發(fā)光量小，那么漏電流的增加量小。傳感器兼用晶體管TlO的柵極連接至控制線TLb。因此，傳感器兼用晶體管TlO通過上文參照圖1描述的檢測操作控制部21的控制脈沖PTlO被導通/截止。當傳感器兼用晶體管TlO導通時，電源線VL的電位輸入至檢測信號輸出晶體管T5。應注意，如圖1所述，從檢測操作控制部21向電源線VL提供采用電源電壓Vcc和基準電位Vini的兩個值的脈沖電壓。電容器C2連接在陰極電位Vcat與檢測信號輸出晶體管T5的柵極之間。設置電容器C2以保持檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓。光檢測驅動器22包括用于檢測每條光檢測線DETL的電位的電壓檢測部22a。電壓檢測部2 檢測從光檢測部30輸出的檢測信號電壓，并且向上文參照圖1所述的水平選擇器11，具體地，向信號值校正部Ila提供檢測信號電壓作為有機EL元件1的發(fā)光量信息，即，作為有機EL元件1的亮度劣化的信息。應注意，例如二級管連接的晶體管形式的二極管Dl連接至光檢測線DETl以將電流路徑設定為固定值，例如，為陰極電位Vcat。據(jù)此，如圖5示出的光檢測部200中的二極管Dl設置在像素陣列20的外部，即光檢測驅動器22側，這產(chǎn)生了用于減少本實例的光檢測部30的元件數(shù)量的因素。以這種方式，通過傳感器兼用晶體管TlO的設置、二極管Dl的外部配置以及檢測信號輸出晶體管T5與光檢測線DETL的直接連接，由兩個晶體管T5和TlO以及電容器C2 來構成本實例的光檢測部30。此外，僅兩個控制線系統(tǒng)連接至一個光檢測部30，包括用于設置用于控制傳感器兼用晶體管TlO的導通和截止的控制脈沖ρΤΙΟ的控制線TLb以及用于提供脈沖電壓的電源線VL。[3-2.光檢測操作期間]通過上文參照圖16描述的光檢測部30執(zhí)行檢測像素電路10的有機EL元件1的發(fā)光量的光檢測操作，這里將描述光檢測部30的光檢測操作等的執(zhí)行期間。應注意，這里描述的光檢測操作期間也與下文描述的第二至第七實施方式的光檢測操作期間相同。圖17A示出了在正常圖像顯示之后執(zhí)行的光檢測操作。
應注意，在下文使用的術語“正常圖像顯示”表示向每個像素電路10提供基于提供給顯示裝置的圖像信號的信號值Vsig以執(zhí)行一般的動態(tài)圖像或靜止圖像的圖像顯示的狀態(tài)。假設在圖17A中，在時間t0接通顯示裝置的電源。這里，在時間tl之前執(zhí)行電源接通時的各種初始化操作，并且在時間tl開始正常圖像顯示。然后，在時間tl之后，執(zhí)行視頻圖像的幀F(xiàn)1、F2、...的顯示作為正常圖像顯
7J\ ο這期間，光檢測部30不執(zhí)行光檢測操作。在時間t2，正常圖像顯示結束。這對應于例如執(zhí)行電源的斷開操作的情況。在圖17A的實例中，光檢測部30在時間t2之后執(zhí)行光檢測操作。在這種情況下，為用于例如一幀期間內的一條線的像素執(zhí)行光檢測操作。例如，當開始光檢測操作時，水平選擇器11使第一幀1 內的像素電路10執(zhí)行通過如圖17B所示的白色顯示來顯示的第一線的這種顯示。簡而言之，對像素電路10施加信號值Vsig，使得第一線中的像素電路10執(zhí)行白色顯示，S卩，在所有其他像素電路10都執(zhí)行黑色顯示時的高亮度灰度級顯示。在幀1 期間內，與第一線中的像素對應的光檢測部30檢測相應像素的發(fā)光量。光檢測驅動器22執(zhí)行各列的光檢測線DETL的電壓檢測以獲得第一線中的像素的發(fā)光亮度信息。然后，向水平選擇器11反饋發(fā)光亮度信息。在下一幀冊中，水平選擇器11使像素電路10執(zhí)行在如圖17B所示的第二線中執(zhí) 行白色顯示的顯示。換句話說，水平選擇器11使第二線中的像素電路10執(zhí)行白色顯示，即高亮度灰度級顯示，而使所有其他像素電路10都執(zhí)行黑色顯示。在幀1 期間內，與第二線中的像素對應的光檢測部30檢測相應像素的發(fā)光量。光檢測驅動器22執(zhí)行各列的光檢測線DETL的電壓檢測以獲得第二線中的像素的發(fā)光亮度信息。然后，向水平選擇器11反饋發(fā)光亮度信息。重復上述這種操作的順序直到最末線。在檢測了最末線的像素的發(fā)光亮度信息并將其反饋至水平選擇器11的階段，光檢測操作結束。水平選擇器11基于像素的發(fā)光亮度信息執(zhí)行信號值校正處理。當在時間t3完成上述的光檢測操作時，執(zhí)行諸如斷開顯示裝置的電源的所需要的處理。應注意，在對每一線的光檢測操作中，選擇與線中的各像素對應的光檢測部30，利用提供給電源線VL的電源脈沖和從檢測操作控制部21提供的用于傳感器兼用晶體管TlO 的控制脈沖PTlO執(zhí)行選擇。具體地，在每幀中，控制光檢測部30的操作，使得可以在光檢測線DETL上出現(xiàn)響應于僅通過與相關線的像素相對應的光檢測部30的光檢測的電壓變化。圖18A示出了在執(zhí)行正常圖像顯示的特定期間內執(zhí)行的光檢測操作。假設例如在時間tlO開始正常圖像顯示。在開始正常圖像顯示之后，通過光檢測部30在一幀期間內為一條線執(zhí)行光檢測操作。換言之，執(zhí)行類似于圖17A的從時間t2至時間t3期間內執(zhí)行的檢測操作的檢測操作。然而，每個像素電路10的顯示是在通常情況下的圖像顯示，而不是用于如圖17B的光檢測操作的顯示。
當對第一至最末線結束光檢測操作時，光檢測部30就結束光檢測操作。在每個預定期間之后執(zhí)行光檢測操作，并且如果假設檢測操作期間的定時在特定時間tl2到來，那么同樣地執(zhí)行從第一線至最末線的光檢測操作。然后，在完成光檢測操作之后，在預定時間內不執(zhí)行光檢測操作。例如，在執(zhí)行正常圖像顯示期間，可以在預定期間內并行執(zhí)行光檢測操作。圖18B示出了當接通電源時執(zhí)行的光檢測操作。假設在時間t20接通顯示裝置的電源。這里，在執(zhí)行諸如當電源可用時的啟動的各種初始化操作之后，立即從時間t21起執(zhí)行光檢測操作。具體地，執(zhí)行類似于圖17的從時間t2至時間t3的期間內執(zhí)行的操作的檢測操作。每個像素電路10也執(zhí)行如圖17B所示的用于通過每一幀的白色顯示來顯示一條線的光檢測操作的顯示。在完成對于第一線至最末線的光檢測操作之后，水平選擇器11使像素電路10在時間t22開始正常圖像顯示。光檢測部30不執(zhí)行光檢測操作。例如，如果在正常圖像顯示結束之后、在正常圖像顯示執(zhí)行期間、在正常圖像顯示開始之前或如上所述的某些其他定時執(zhí)行光檢測操作然后執(zhí)行基于檢測的信號值校正處理，那么可以處理發(fā)光亮度的劣化。應注意，例如可以在正常圖像顯示結束之后或正常圖像顯示開始之前的這兩個定時，都執(zhí)行光檢測操作。在正常圖像顯示結束之后或正常圖像顯示開始之前中的兩個或一個定時執(zhí)行光檢測操作，由于可以執(zhí)行這樣的用于圖17B所示的光檢測操作的顯示，所以存在如在白色顯示的情況下以高灰度級的發(fā)光執(zhí)行檢測的優(yōu)點。還可以執(zhí)行任意灰度級的顯示以檢測對于每個灰度級的劣化程度。另一方面，在執(zhí)行正常圖像顯示期間執(zhí)行光檢測操作的情況下，由于實際顯示的圖像的實質是不確定的，所以不能指定執(zhí)行光檢測操作的灰度級。因此，需要判定作為考慮發(fā)光的灰度級(即施加給檢測對象的像素的信號值Vsig)所確定的值的檢測值，并且執(zhí)行信號值校正處理。應注意，由于在執(zhí)行正常圖像顯示期間可以重復執(zhí)行光檢測操作和校正處理，所以存在基本上可以時常處理有機EL元件1的亮度劣化的優(yōu)點。[3-3.光檢測操作]將參照圖19至圖25描述通過本實例的光檢測部30的光檢測操作。在圖17A和圖17B的正常圖像顯示結束之后執(zhí)行光檢測操作。圖19示出了像素電路10-1和10-2的掃描脈沖WS、光檢測部30_1的控制脈沖 pTIO、以及光檢測部30-2的控制脈沖pT3和pTIO。例如，如圖17A和圖17B所示，在正常圖像顯示結束或某其他定時為每一條線執(zhí)行光檢測，并且在一幀內執(zhí)行單個檢測操作。具體地，在像素電路10-1中，執(zhí)行信號值Vsig的寫入以在特定定時執(zhí)行一幀的發(fā) 光，這時，在光檢測部30-1中，根據(jù)控制脈沖pTIO和電源線VL的電源脈沖執(zhí)行光檢測操作。在下一幀期間內，執(zhí)行信號值Vsig的寫入以通過像素電路10-2在特定定時執(zhí)行一幀的發(fā)光，這時，光檢測部30-2根據(jù)控制脈沖pTIO和電源線VL的電源脈沖執(zhí)行光檢測操作。參照圖20至圖25來描述光檢測操作，關注像素電路10-1和光檢測部30_1。
圖20示出了從寫入掃描器12提供給像素電路10-1 (具體地，取樣晶體管Ts)的掃描脈沖WS，作為關于光檢測部30-1的操作的波形。圖20還示出了電源線VL的電源脈沖。如圖20所示，檢測操作控制部21在先于光檢測期間的檢測準備期間內對電源線VL施加基準電位Vini，而在執(zhí)行光檢測的期間內對電源線VL施加電源電壓Vcc。圖20還示出了施加至控制線TLbl的控制脈沖pTIO。通過控制脈沖pTIO導通/ 截止光檢測部30的傳感器兼用晶體管T10。此外，圖20還示出了檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓和出現(xiàn)在光檢測線DETL 上的電壓。如上文參照圖19所述，除了每個光檢測部30執(zhí)行光檢測的期間以外，檢測操作控制部21將控制脈沖pTIO設定為H電平，并且將電源線VL設定為基準電壓Vini。在圖20中，關于光檢測部30-1，檢測操作控制部21將用于控制線TLbl的控制脈沖PTlO設定為H電平，并且將傳感器兼用晶體管TlO設定為導通狀態(tài)直到時間t22。此外，檢測操作控制部21將電源線VLl設置為基準電壓Vini，直到時間tm23。傳感器兼用晶體管TlO被控制為導通狀態(tài)的期間是檢測準備期間。圖21示出了直到時間tm20的狀態(tài)下的等效電路。關于光檢測部30-1和30-2，傳感器兼用晶體管TlO處于導通狀態(tài)，并且電源線 VLl和VL2表現(xiàn)為基準電壓Vini。因此，基準電壓Vini被輸入至光檢測部30_1和30_2的檢測信號輸出晶體管T5的柵極。由于檢測信號輸出晶體管T5的源極連接至光檢測線DETL，所以電流Iini通過檢測信號輸出晶體管T5流至光檢測線DETL。因此，光檢測線DETL表現(xiàn)出某一電位Vx。然而，基準電壓Vini需要高至將檢測信號輸出晶體管T5置為導通狀態(tài)。具體地，基準電壓Vini需要高于檢測信號輸出晶體管T5的閾值電壓VthT5、連接至光檢測線DETL 的二極管Dl的閾值電壓VthDl和連接至二極管Dl的源極的電源的總和。在圖21所示的實例中，連接至二極管Dl的源極的電源例如是有機EL元件1的陰極電壓Vcat。因此，基準電壓Vini需要滿足以下表達式Vini > VthT5+VthDl+Vcat應注意，連接至二極管Dl的源極的電源不限于陰極電壓Vcat。在圖20的從時間tm20至時間tm21的期間內，為一幀期間的顯示執(zhí)行將信號值 Vsig寫入像素電路10。具體地，在信號寫入期間內，將掃描脈沖WS設定為H電平以使取樣晶體管Ts導通。這時，水平選擇器11對信號線DTL施加白色顯示灰度級的信號值Vsig。因此，在像素電路10中，有機EL元件1根據(jù)信號值Vsig發(fā)光。在圖22中示出這種情況下的狀態(tài)。這時，由于傳感器兼用晶體管TlO導通，檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓保持與基準電位Vini相等，并且光檢測線DETL的電位保持與Vx電位相等。在信號寫入結束之后，像素電路10-1中的取樣晶體管Ts在時間tm21時截止。同時，在光檢測部30-1中，控制脈沖pTIO在時間tm22被置為L電平以截止傳感器兼用晶體管T10。在圖23中示出了這種狀態(tài)。在傳感器兼用晶體管TlO截止的情況下，與電容器C2與傳感器兼用晶體管TlO的寄生電容之間的電容比相對應的耦合量W被輸入至檢測信號輸出晶體管T5的柵極。因此，檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓下降至Vini-AVa'。然后，光檢測線DETL的電壓改變至Vx-AVa?！癬AVa”表示對應于檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位的下降量 "-AVa' ”的光檢測線DETL的電位變化。通過耦合，在傳感器兼用晶體管TlO的源極與漏極之間出現(xiàn)電位差，并且根據(jù)接收的光量改變傳感器兼用晶體管TlO的泄漏量。然而，這時的漏電流幾乎不改變檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓。這產(chǎn)生了以下事實傳感器兼用晶體管TlO的源極和漏極之間的電位差小且將電源線VL從基準電位Vini改變至電源電壓Vcc的下一操作之前的時間 (tm22 至 tm23)短。在經(jīng)過固定時間期間之后的時間tm23，檢測操作控制部將電源線VL的電位從基準電位Vini改變到電源電壓Vcc。通過該操作，來自電源線VL的耦合被輸入至檢測信號輸出晶體管T5的柵極，因此檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位升高。由于電源線VL的電位改變?yōu)楦唠娢唬栽趥?感器兼用晶體管TlO的源極和漏極之間出現(xiàn)大的電位差，并且響應于接收的光量，漏電流從電源線VL流至檢測信號輸出晶體管T5的柵極。圖M示出了這個狀態(tài)。通過所述操作，檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓從 Vini-AVa'至Vini-AVa' +AV'改變。M'是根據(jù)傳感器兼用晶體管TlO的漏電流、檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓的升高量。圖20示出了檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位在時間tm23之后從Vini- Δ Va' 至Vini-AVa' +AV'逐漸升高的方式。連同此，光檢測線DETL的電位也從電位Vx-Δ Va升高至VO+Δ V。應注意，電位VO 是低灰度級顯示狀態(tài)(即，處于黑色顯示狀態(tài))下的光檢測線DETL的電位。同時，八V是通過檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極電壓的升高(AV')導致的電位升高量。由于流至傳感器兼用晶體管TlO的電流量隨著通過傳感器兼用晶體管TlO接收的光量增加而增加，所以高灰度級顯示時光檢測線DETL的電壓高于低灰度級顯示時光檢測線DETL的電壓。通過電壓檢測部2 檢測光檢測線DETL的該電位變化。該檢測電壓對應于有機 EL元件1的發(fā)光量。換言之，如果通過像素電路10執(zhí)行諸如例如白色顯示的特定的灰度級顯示，那么檢測電壓表示有機EL元件1的劣化程度。在經(jīng)過固定時間期間之后的時間tmM，檢測操作控制部21將電源線VLl設定為基準電壓Vini。這時，如果檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓高于基準電壓Vini，那么電流從檢測信號輸出晶體管T5的柵極流至電源線VLl，并且檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓下降。從時間tm25以后，檢測操作控制部21將控制脈沖pTIO設定為H電平以將傳感器兼用晶體管TlO置為導通狀態(tài)。因此，基準電壓Vini被輸入至檢測信號輸出晶體管T5的柵極。圖25示出了這時的狀態(tài)。光檢測線DETL的電位在將電源線VLl設定為基準電壓Vini時(S卩，在時間tmM) 下降，此后，在時間tm25時將傳感器兼用晶體管TlO置為導通狀態(tài)時，光檢測線DETL的電位變?yōu)殡娢籚x。
例如，以下列方式執(zhí)行一幀內對相關線中的像素電路10的檢測。執(zhí)行如上所述的光檢測操作的本實施方式中的光檢測部30可以類似于上文參照圖5描述的光檢測部200和上文參照圖10描述的光檢測部300以高精度執(zhí)行光檢測操作。具體地，光檢測部30的檢測信號輸出電路被構造為源極跟隨器電路，并且如果檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓改變，那么從檢測信號輸出晶體管T5的源極輸出變化。因此根據(jù)傳感器兼用晶體管TlO的漏電流的變化的檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓的變化從傳感器兼用晶體管TlO的源極輸出至光檢測線DETL。此外，將檢測信號輸出晶體管T5的柵極-源極電壓Vgs被設定為高于檢測信號輸出晶體管T5的閾值電壓。因此，從檢測信號輸出晶體管T5輸出的電流值比在上文參照圖3 描述的電路構造的電流值更高。因此，即使傳感器兼用晶體管TlO的電流值低，在電流流經(jīng) 檢測信號輸出晶體管T5的情況下，發(fā)光量的檢測信息也可以適當輸出至光檢測驅動器22。此外，可以由兩個晶體管(T10和仍)和一個電容器C2以及兩條控制線(VL和TLb) 來構成光檢測部30。換言之，可以實現(xiàn)光檢測部30的構造的簡化，并且使用控制線的控制也不會變復雜。具體地，與圖5的光檢測部200相比，可以顯著減少光檢測部30的部件數(shù)量。因此，可以實現(xiàn)光檢測部30自身構造的簡化。此外，與上文參照圖10描述的光檢測部300相比，控制線的數(shù)量可以從三條(VL、 TLa和TLb)減少至兩條(VL和TLb)，并且可以顯著減少控制線的配線以及用于驅動控制線的檢測操作控制部21的驅動器數(shù)量。因此，可以實現(xiàn)面板構造的簡化、成本降低以及產(chǎn)量的提高。此外，像素陣列20中的元件的配置設置有空間，這適于設計。此外，在光檢測驅動器22向水平選擇器11反饋檢測到的光量信息作為用于信號值Vsig的校正的信息的情況下，可以采取防止諸如屏幕燒灼的圖像質量不良的對策。應注意，在圖16中，本發(fā)明應用于有機EL元件1發(fā)光與圖像信號寫入同時進行的像素電路10，而它也可以應用于通過開關或電源線控制發(fā)光和不發(fā)光的像素電路。在這種情況下，即使沒有發(fā)光時執(zhí)行光檢測準備操作，在電源線VL的電位從低電位向高電位改變之后，通過像素電路10開始發(fā)光操作以執(zhí)行光檢測操作，也可以沒有任何問題地執(zhí)行光檢測。這些點與稍后描述的下列實施方式相同。<4.第二實施方式>下面將參照圖沈至圖33描述第二實施方式。首先參照圖沈，類似于圖21，示出了兩個像素電路10 (S卩，10-1和10-2)以及光檢測部30 (即，30-1和30-2)。光檢測部30具有類似于上文描述的第一實施方式的構造，并且在本文中省略它們的重復描述以避免冗余。此外，不僅在本實施方式中，而且在下文描述的第三至第七實施方式中，像素電路 10均具有類似于上文所述的第一實施方式構造，并且在本文中省略它們的重復描述以避免冗余。圖沈還示出了光檢測驅動器22。圖沈中的光檢測驅動器22類似于圖21示出的光檢測驅動器，但是不同之處在于，它包括開關SWl和諸如代替連接至光檢測線DETL的二極管Dl的陰極電壓Vcat的固定電源。
例如，使用來自檢測操作控制部21的控制信號pSWl控制開關SWl的接通和斷開。使用本構造，也可以類似地執(zhí)行光量檢測。類似于圖19，圖27示出了像素電路10-1和10_2的掃描脈沖WS、光檢測部30_1 的控制脈沖PT3和pTIO、以及光檢測部30-2的控制脈沖pT3和pTIO的波形。雖然所述波形類似于圖19的波形，但是圖27額外示出了開關SWl的控制信號pSWl的波形。具體地，像素電路10-1在特定定時執(zhí)行信號值Vsig的寫入和一幀的發(fā)光，由此光檢測部30-1響應于控制脈沖pTIO和電源線VL的脈沖電壓執(zhí)行光檢測操作。在下一幀期間內，像素電路10-2在另一特定定時執(zhí)行信號值Vsig的寫入和一幀的發(fā)光，由此光檢測部30-2響應于控制脈沖pTIO和電源線VL的脈沖電壓執(zhí)行光檢測操作?？刂菩盘杙SWl被設定為H電平，使得開關SWl僅在先于光檢測期間的預定期間內通過每個光檢測部30表現(xiàn)為接通狀態(tài)。在光檢測期間內，開關SWl表現(xiàn)為斷開狀態(tài)。參照圖觀至圖33詳細描述光檢測操作，關注像素電路10-1和光檢測部30-1側。圖觀示出了涉及光檢測部30-1的操作的波形。具體地，類似于圖20，圖觀示出掃描脈沖WS、電源線VLl的電源脈沖、要施加至控制線TLbl的控制脈沖pTIO、檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓以及光檢測線DETL的電壓的波形。圖觀另外示出了控制信號pSWl 的波形。如上文參照圖27所述，除了每個光檢測部30執(zhí)行光檢測的期間外，檢測操作控制部21將控制脈沖pTIO設定為H電平，并且將電源線VL設定為基準電壓Vini。在圖28中，對于光檢測部30-1，檢測操作控制部21將用于控制線TLbl的控制脈沖PTlO設定為H電平，并且將傳感器兼用晶體管TlO設定為導通狀態(tài)直到時間tm33。此外，檢測操作控制部21將電源線VLl設定為基準電壓Vini，直到時間tm35?？刂苽鞲衅骷?用晶體管TlO為導通狀態(tài)的期間是檢測準備期間。圖四示出了從時間tm30至時間tm31期間內的狀態(tài)下的等效電路。參照圖四，在光檢測部30-1和30-2中，傳感器兼用晶體管TlO處于導通狀態(tài)且電源線VLl和VL2具有基準電壓Vini。因此，檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓是基準電壓 Vini ο在時間tm30，控制信號pSWl被控制為H電平以接通連接至光檢測線DETL的開關 Sfflo這時，如果開關SWl的接通電阻低至可以被忽略，那么檢測信號輸出晶體管T5的柵極-源極電壓Vgs變?yōu)閂ini-Vcat。如果該值高于檢測信號輸出晶體管T5的閾值電壓 VthT5，那么電流Iini如圖29所示流動。應注意，例如，雖然光檢測線DETL的初始電位用作有機EL元件1的陰極電壓 Vcat，但是初始電位不限于此，而例如可以使用獨立電源。在從時間tm31至時間tm32的期間內，寫入掃描器12將像素電路10-1的掃描脈沖WS控制為H電平以導通取樣晶體管Ts。如圖30所示，信號值Vsig從信號線DTL輸入至驅動晶體管Td的柵極。這時，水平選擇器11對信號線DTL施加例如白色顯示灰度級的信號值Vsig。因此，像素電路10中的有機EL元件1響應于信號值Vsig發(fā)光。
這時，由于傳感器兼用晶體管TlO處于導通狀態(tài)，所以檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓保持基準電壓Vini并且光檢測線DETL的電位保持陰極電壓Vcat0在經(jīng)過固定時間期間之后的時間tm33，控制脈沖pT 10被設定為L電平以截止光檢測部30-1中的傳感器兼用晶體管Τ10。圖31示出了這種狀態(tài)。通過截止傳感器兼用晶體管 Τ10，與電容C2與傳感器兼用晶體管TlO的寄生電容之間的電容比相對應的耦合量AVa' 被輸入至檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極。因此，檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極電位下降至 Vini-AVa'。這時，流入光檢測線DETL的電流值響應于檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極電壓的變化而從“Iini”至“Iini2”改變。如果開關SWl的接通電阻如上文所述低至可以被忽略，那么光檢測線DETL的電位幾乎保持陰極電壓Vcat。通過耦合，在傳感器兼用晶體管TlO的源極和漏極之間出現(xiàn)電位差，并且根據(jù)接收的光量改變傳感器兼用晶體管TlO的泄漏量。然而，這時的漏電流幾乎不改變檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓。這產(chǎn)生了以下事實傳感器兼用晶體管TlO的源極和漏極之間的電位差小，并且將電源線VLl從基準電位Vini改變至電源電壓Vcc的下一操作之前的時間(tm33 至 tm35)短。此外，在經(jīng)過固定時間期間之后的時間tm34，通過控制信號pSWl斷開開關SW1，然后在時間tm35，將電源線VLl的電位從基準電壓Vini改變至電源電壓Vcc。在圖32中示出了這時的狀態(tài)。通過斷開開關SWl，光檢測線DETL的電位在執(zhí)行檢測信號輸出晶體管T5的閾值校正的方向上開始逐漸升高。通過將電源線VL的電位改變?yōu)楦唠娢?Vcc)，耦合從電源線VL 輸入至檢測信號輸出晶體管T5的柵極，因此傳感器兼用晶體管TlO的源極-漏極電壓進一步增加。這里，將研究光檢測線DETL的電位。如上文所述，光檢測線DETL的電位在開關SWl斷開之后立刻開始升高(參照圖 28)。在除了諸如執(zhí)行光檢測操作的特定線上的光檢測部30-1的光檢測部30以外的任何光檢測部中，例如，在光檢測部30-2中，由于傳感器兼用晶體管TlO導通，所以檢測信號輸出晶體管T5的柵極具有基準電壓Vini。因此，如果光檢測線DETL的電位低于Vini_VthT5，那么電流值高。相反，如果光檢測線DETL的電位高于Vini-VthT5，那么通過執(zhí)行光檢測操作的特定線上的光檢測部30(光檢測部30-1)的檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓值確定流動的電流。簡而言之，如果光檢測部30-1的檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓高于基準電壓Vini，那么電位輸出至光檢測線DETL。通過上述的一系列操作，光檢測部30-1的檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓從 Vini-AVa'向Vini-AVa' +AV'改變。M'是根據(jù)傳感器兼用晶體管TlO的漏電流、檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓的升高量。連同檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓的升高，光檢測線DETL的電位也變?yōu)?VO+Δ V0應注意，VO是低灰度級顯示狀態(tài)下的光檢測線DETL的電位。同時，AV是對應于上述升高量Δν'的變化量。
隨著由傳感器兼用晶體管TlO接收的光量增加，流入其的電流量增加。因此，高灰度級顯示狀態(tài)下的檢測電壓變得高于低灰度級顯示狀態(tài)下的檢測電壓，并且輸出至外部。通過電壓檢測部2 檢測光檢測線DETL的電位變化。檢測電壓對應于有機EL元件1的接收光量。在像素電路10執(zhí)行諸如白色顯示的特定灰度級的顯示的情況下，檢測電位表示有機EL元件1的劣化程度。在經(jīng)過固定時間期間之后的時間tm36，檢測操作控制部21將電源線VLl控制為基準電壓Vini。這時，如果檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位高于基準電壓Vini，那么電流從檢測信號輸出晶體管T5的柵極流入電源線VLl，并且檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位下降。因此，在時間tm37，通過檢測操作控制部21將控制脈沖pTIO設定為H電平以導通傳感器兼用晶體管T10。因此，基準電壓Vini被輸入至檢測信號輸出晶體管T5的柵極。此外，在時間tm38，通過控制信號pSWl接通開關SWl。圖33示出了這時的狀態(tài)。光檢測線DETL的電位變?yōu)樽鳛榻油ㄩ_關SWl的結果的陰極電壓Vcat。以如上所述這樣的方式執(zhí)行例如一幀中對相關線上的像素電路10的檢測。通過該第二實施方式，也可以預期類似于第一實施方式的效果。此外，通過第二實施方式，當由于至諸如陰極電壓Vcat線的固定電源的貫通電流沒有從電源線VL流動而開關SWl斷開時，存在與第一實施方式相比可以將能耗抑制為更低的優(yōu)點。<5.第三實施方式>將參照圖34至圖40描述第三實施方式。參照圖34，每個光檢測部30 (即，30-1或30_2)均包括類似于上文所述實施方式中的傳感器兼用晶體管TlO和檢測信號輸出晶體管T5。光檢測部30還包括連接在檢測信號輸出晶體管T5的柵極與陰極電壓Vcat之間的第一電容器C2，以及連接在檢測信號輸出晶體管T5的柵極與電源線VL之間的第二電容
C3 ο從檢測操作控制部21將表現(xiàn)電源電壓Vcc或基準電壓Vini的脈沖電壓施加至電源線VL，S卩，電源線VLl和VL2中的每一條。與第二實施方式類似地，光檢測驅動器22包括通過來自檢測操作控制部21的控制信號PSWl而接通和斷開的開關SWl以及電壓檢測部22a。然而，在本實施方式中，開關 Sffl連接的固定電位是基準電壓Vini的線。參照圖35至圖40詳細描述光檢測操作，關注像素電路10_1和光檢測部30_1側。圖35示出了涉及光檢測部30-1的操作的波形。具體地，類似于圖28，圖35示出掃描脈沖WS、控制信號pSWl、電源線VLl的電源脈沖、施加至控制線TLbl的控制脈沖pTIO、檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓以及光檢測線DETL的電壓的波形。在圖35中，分別通過粗線和細線表示檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓和光檢測線DETL的電壓，從而它們可以彼此區(qū)分。應注意，雖然圖35示出了一幀期間內的波形，但是如果在兩幀期間內示出用于光檢測部30-1和30-2的控制脈沖pTO、電源線VL的電壓脈沖、控制信號脈沖pSWl和掃描脈沖WS，那么波形變?yōu)轭愃朴趫D27示出的第二實施方式的波形。
除了每個光檢測部30執(zhí)行光檢測的期間以外，檢測操作控制部21將控制脈沖 PTlO設定為H電平，并且將電源線VL設定為基準電壓Vini (參照圖27)。在圖35中，對于光檢測部30-1，檢測操作控制部21將用于控制線TLbl的控制脈沖PTlO設定為H電平，并且將傳感器兼用晶體管TlO設定為導通狀態(tài)直到時間tm43。此外，檢測操作控制部21將電源線VLl設定為基準電壓Vini，直到時間tm45。傳感器兼用晶體管TlO被控制為導通狀態(tài)的期間是檢測準備期間。圖36示出了從時間tm40至時間tm41的期間內的狀態(tài)。首先，在光檢測部30-1和30-2中，傳感器兼用晶體管TlO處于導通狀態(tài)，并且電源線VLl和VL2具有基準電壓Vini。因此，基準電壓Vini被輸入至檢測信號輸出晶體管 T5的柵極。此外，在時間tm40，控制信號pSW被設定為H電平以接通連接至光檢測線DETL的開關SWl。因此，光檢測線DETL的電位也充電為基準電壓Vini。這時，檢測信號輸出晶體管T5的柵極-源極電壓變?yōu)镺V以將檢測信號輸出晶體管T5置為截止狀態(tài)。這里應注意，雖然作為示例，光檢測線DETL的初始電位是基準電壓Vini，但初始電位不限于此，而即使在檢測信號輸出晶體管T5被置為截止狀態(tài)時僅使用不同于基準電壓Vini的獨立電源，也不存在問題。在從時間tm41至時間tm42的期間內，使用掃描脈沖WS將像素電路10_1的取樣晶體管Ts控制為導通狀態(tài)以向驅動晶體管Td的柵極輸入信號值電壓Vsig。通過該操作，有機EL元件開始發(fā)光。圖37中示出了這時的狀態(tài)。這時，在光檢測部30-1中，由于傳感器兼用晶體管TlO處于導通狀態(tài)，所以檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓保持基準電壓Vini，并且光檢測線DETL的電位也保持基準電壓 Vini。在經(jīng)過固定時間期間之后的時間tm43，檢測操作控制部21將控制脈沖pTIO設定為L電平以截止傳感器兼用晶體管T10。圖38中示出了這時的狀態(tài)。通過截止傳感器兼用晶體管T10，耦合量AVa'輸入至檢測信號輸出晶體管T5的柵極。在這時，由于開關SWl是接通狀態(tài)，所以光檢測線DETL的電位也不表現(xiàn)出任何變化。此外，通過耦合在傳感器兼用晶體管TlO的源極和漏極之間產(chǎn)生電位差，并且通過接收的光量而改變泄露量。然而，在這時，傳感器兼用晶體管TlO的漏電流幾乎不改變檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓。這是因為在這個時間點，傳感器兼用晶體管TlO的源極和漏極之間的電位差小，并且下一操作之前的時間，即斷開開關SWl以及將電源線VLl的電位從基準電壓Vini改變至電源電壓Vcc的操作之前的時間短。此外，在經(jīng)過固定時間期間之后的時間tm44，檢測操作控制部21通過控制信號 pSffl斷開開關SW1，然后在時間tm45，檢測操作控制部21將電源線VLl的電位從基準電壓 Vini改變至電源電壓Vcc。在圖39中示出了這時的狀態(tài)。通過將電源線VLl的電位從基準電壓Vini改變至電源電壓Vcc，來自電源線VLl 的耦合量AVb通過第二電容器C3輸入至檢測信號輸出晶體管T5的柵極。
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由于耦合量Δ Vb具有依賴于第二電容器C3的值，所以可以通過第二電容器C3的值使檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極電位高于Vini+VthT5。VthT5是檢測信號輸出晶體管 T5的閾值電壓。如果可以使檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位高于Vini+VthT5，那么檢測信號輸出晶體管T5導通，并且電流開始從具有電源電壓Vcc的電源線VL流至光檢測線DETL。此外，作為通過第二電容器C3的耦合的結果，傳感器兼用晶體管TlO的源極-漏極電壓也變得更高，并且根據(jù)接收光量的光漏電流從電源線VL(即，從電源電壓Vcc)流至檢測信號輸出晶體管T5的柵極。通過該操作，檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓在經(jīng)過固定時間期間之后從電位Vini-AVa' + Δ Vb改變?yōu)榱硪浑娢籚ini-Δ Va' +Δ Vb+Δ V'。連同此，光檢測線DETL 的電位也改變?yōu)閂O+AV。AV'是根據(jù)漏電流的柵極電壓的升高量，并且ΔΥ是與柵極電壓的升高量AV'對應的光檢測線DETL的電位升高量。通常，光檢測元件的光泄漏量隨著光檢測量接收的光量增加而增加。因此，高灰度級顯示狀態(tài)下的檢測電壓變得高于低灰度級顯示狀態(tài)下的電壓，并且輸出至外部。通過電壓檢測部2 檢測光檢測線DETL的電位變化。該檢測電壓對應于從有機EL元件1發(fā)出的光量。在經(jīng)過固定時間期間之后的時間tm46，檢測操作控制部21將電源線VL設定為基準電壓Vini。這時，來自具有基準電壓Vini的電源線VLl的耦合量AVb再次通過第二電容器C3輸入至檢測信號輸出晶體管T5的柵極。圖40示出了這時的狀態(tài)。由于該操作檢測信號輸出晶體管T5的柵極-源極電壓Vgs變得低于檢測信號輸出晶體管T5的閾值電壓，所以檢測信號輸出晶體管T5截止。此后，在時間tm47，檢測操作控制部21將控制脈沖pT 10設定為H電平以導通傳感器兼用晶體管Τ10?；鶞孰妷篤ini輸入至檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極。在時間tm48，檢測操作控制部21通過控制信號pSWl接通開關SW1。通過該操作，檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位和光檢測線DETL的電位變?yōu)榛鶞孰妷篤ini。以如上所述這樣的方式執(zhí)行例如一幀中對線上的像素電路10的檢測。具體地，在第三實施方式中，在檢測信號輸出晶體管T5開始光檢測信息輸出之前，在檢測準備操作中執(zhí)行將光檢測線DETL充電為基準電壓Vini的操作。然后，將傳感器兼用晶體管TlO置為截止狀態(tài)，此外，電源線VL被設定為電源電壓 Vcc0因此，通過第二電容器C3在傳感器兼用晶體管TlO的柵極和漏極之間產(chǎn)生電位差，并且升高傳感器兼用晶體管TlO的柵極電位以開始光檢測信息的輸出。在第三實施方式中，類似于第一和第二實施方式，也可以實現(xiàn)高精度的光檢測操作，并且此外，可以采取對策防止諸如屏幕燒灼的圖像質量不良。此外，用于光檢測部30的控制系統(tǒng)的數(shù)量是兩個(VL和TLb)，并且這對于面板構造也是有利的。此外，可以消除來自光檢測操作時的電源線VL的貫通電流。因此，可以實現(xiàn)功耗的顯著減少。特別是在第二實施方式中，當開關SWl接通時，由于檢測信號輸出晶體管T5 的柵極被充電至基準電壓Vini，所以所有線的貫通電流流動。在本實施方式中，當開關SWl 接通時，沒有貫通電流流動。<6.第四實施方式〉
將參照圖41和圖42描述第四實施方式。首先參照圖41，每個光檢測部30 (即，每個光檢測部30-1和30_2)類似于上文描述的實施方式的光檢測部。同時，光檢測驅動器22由電壓檢測部2 和二極管Dl構成。二極管Dl連接至基準電壓Vini的線。參照圖42詳細描述光檢測操作，關注像素電路10-1和光檢測部30_1側。圖42 示出了涉及光檢測部30-1的操作的波形。具體地，圖42示出掃描脈沖WS、電源線VLl的電源脈沖、施加至控制線TLbl的控制脈沖pTIO、檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓以及光檢測線DETL的電壓的波形。分別通過粗線和細線表示檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓和光檢測線DETL的電壓，從而它們可以彼此區(qū)分。應注意，雖然圖42示出一幀期間內的波形，但是如果在兩幀期間內示出了用于光檢測部30-1和30-2的控制脈沖pTIO、電源線VL的電壓脈沖以及掃描脈沖WS，那么波形變為類似于圖19示出的第一實施方式中的波形。除了每個光檢測部30執(zhí)行光檢測的期間以外，檢測操作控制部21將控制脈沖 PTlO設定為H電平，并且將電源線VL設定為基準電壓Vini (參照圖19)。在圖42中，關于光檢測部30-1，檢測操作控制部21將用于控制線TLbl的控制脈沖pTIO設定為H電平，并且將傳感器兼用晶體管TlO設定為導通狀態(tài)直到時間tm52。此外，檢測操作控制部21將電源線VLl設定為基準電壓Vini，直到時間tm53。將傳感器兼用晶體管TlO控制為導通狀態(tài) 的期間是檢測準備期間。在檢測準備期間內，在光檢測部30-1和30-2中，傳感器兼用晶體管TlO均處于導通狀態(tài)并且電源線VLl和VL2表現(xiàn)為基準電壓Vini。因此，基準電壓Vini輸入至光檢測部 30-1和30-2中的檢測信號輸出晶體管T5的柵極。光檢測線DETL的電位是Vini+VthDl。VthDl是二極管Dl的閾值電壓。在從時間tm50至時間tm51的期間內，通過掃描脈沖WS將像素電路10_1的取樣晶體管Ts控制為導通狀態(tài)以向驅動晶體管Td的柵極輸入信號值電壓Vsig。通過該操作，有機EL元件開始發(fā)光。這時，在光檢測部30-1中，由于傳感器兼用晶體管TlO處于導通狀態(tài)，所以檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓保持基準電壓Vini，并且光檢測線DETL的電位也保持基準電壓 Vini+VthDl。在時間tm52，檢測操作控制部21將控制脈沖pTIO設定為L電平以截止傳感器兼用晶體管T10。通過截止傳感器兼用晶體管T10，向檢測信號輸出晶體管T5的柵極輸入耦合量 AVa'，并且柵極電壓變?yōu)閂ini-AVa'。在時間tm53，檢測操作控制部21將電源線VLl的電位從基準電壓Vini改變至電源電壓Vcc。類似于上文描述的第三實施方式的情況，通過將電源線VLl的電位從基準電壓 Vini改變至電源電壓Vcc，通過第二電容器C3向檢測信號輸出晶體管T5的柵極輸入來自電源線VLl的耦合量AVb。通過設定第二電容器C3的值，可以通過輸入耦合值AVb使檢測信號輸出晶體管 T5的柵極電位高于Vini+VthT5+VthDl。VthT5是檢測信號輸出晶體管T5的閾值電壓。
因此，檢測信號輸出晶體管T5導通，并且電流開始從具有電源電壓Vcc的電源線 VL流至光檢測線DETL。此外，通過第二電容器C3的耦合，傳感器兼用晶體管TlO的源極-漏極電壓也增加，并且根據(jù)接收光量的光漏電流從具有電源電壓Vcc的電源線VL流至檢測信號輸出晶體管T5的柵極。通過該操作，檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓在經(jīng)過固定時間期間之后從電位Vini-AVa' + Δ Vb改變?yōu)榱硪浑娢籚ini-Δ Va' +Δ Vb+Δ V'。連同此，光檢測線DETL 的電位改變?yōu)閂O+AV。AV'是根據(jù)漏電流的柵極電壓的升高量，并且ΔΥ是與柵極電壓的升高量AV'對應的光檢測線DETL的電位升高量。光檢測元件的光泄漏量隨著通過光檢測量接收的光量增加而增加。因此，高灰度級顯示狀態(tài)下的檢測電壓變得高于低灰度級顯示狀態(tài)下的電壓，并且輸出至外部。通過電壓檢測部2 檢測光檢測線DETL的電位變化。該檢測電壓對應于從有機EL元件1發(fā)出的光量。在經(jīng)過固定時間期間之后的時間tmM，檢測操作控制部21將電源線VL設定為基準電壓Vini。這時，再次通過第二電容器C3向檢測信號輸出晶體管T5的柵極輸入來自具有基準電壓Vini的電源線VLl的耦合量AVb。由于該操作檢測信號輸出晶體管T5的柵極-源極電壓Vgs變得低于檢測信號輸出晶體管T5的閾值電壓，所以檢測信號輸出晶體管T5截止。此后，在時間tm55，檢測操作控制部21將控制脈沖pT 10設定為H電平以導通傳感器兼用晶體管Τ10。基準電壓Vini輸入至檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極。此后，光檢測線DETL的電位返回為Vini+VthDl。以如上所述這樣的方式執(zhí)行例如一幀中對相關線上的像素電路10的檢測。對于第四實施方式，也可以預期類似于第三實施方式的效果。<7.第五實施方式〉將參照圖43和圖44描述第五實施方式。第五實施方式具有除了上文參照圖34描述的第三實施方式的構造之外，還包括開關晶體管T3的構造。在這種情況下，檢測信號輸出晶體管T5的漏極連接至電源線VL。檢測信號輸出晶體管T5的源極連接開關晶體管T3。開關晶體管T3連接在檢測信號輸出晶體管T5的源極與光檢測線DETL之間。開關晶體管T3的柵極連接至控制線TLa (TLal、TLa2)。例如，上文參照圖1描述的檢測操作控制部21將控制脈沖pT3施加至控制線TLa，以控制開關晶體管T3的導通和截止。當開關晶體管T3導通時，將流入檢測信號輸出晶體管T5的電流輸出至光檢測線DETL。在圖44中示出了兩幀期間內的操作波形。除了類似于圖27的信號波形之外，圖 44還示出了光檢測部30-1和30-2的開關晶體管T3的控制脈沖pT3的波形。這種情況下，在光檢測線DETL上出現(xiàn)與傳感器兼用晶體管TlO的漏電流相對應的電位變化，并且電壓檢測部22a執(zhí)行電壓檢測的光檢測期間取決于控制脈沖pT3和電源線 VL的電位。
在上文描述的第三實施方式中，一幀內的光檢測期間是電源線VL表現(xiàn)出電源電壓Vcc的期間(參照圖35和圖27)。相反，在圖43的實例的光檢測部30的情況下，響應于開關晶體管T3的導通執(zhí)行而對光檢測線DETL的輸出。因此，如圖44所示，光檢測期間是控制脈沖pT3具有H電平且開關晶體管Τ3導通以及此外電源線VL表現(xiàn)電源電壓Vcc的期間。因此，不僅可以通過電源線VL的脈沖電壓而且可以通過電源線VL的電位的上升沿以及開關晶體管Τ3的截止確定光檢測期間。此外，可以控制開關晶體管Τ3以在電源線 VL具有電源電壓Vcc的期間內將光檢測期間設定為更短。<8.第六實施方式〉下面將參照圖45至圖48描述第六實施方式。應注意，在下文描述的第六實施方式和第七實施方式中，有機EL顯示裝置具有如圖45所示的這種構造。以下將描述關于該有機EL顯示裝置與圖1的差異。參照圖45，檢測操作控制部21通過電源線VL(即，VL1、VL2、...)向光檢測部30 施加電源脈沖。換言之，檢測操作控制部21通過電源線VL向每個光檢測部30施加具有電源電壓Vcc或基準電壓Vini的脈沖電壓。在上文描述的第一至第四實施方式中，檢測操作控制部21通過圖1示出的控制線 TLb對每個光檢測部30施加控制脈沖pTIO。然而，在第六和第七實施方式中，不執(zhí)行通過控制脈沖PTlO的控制。換句話說，不通過檢測操作控制部21執(zhí)行傳感器兼用晶體管TlO 的導通/截止的控制。這表示不需要用于在檢測操作控制部21中產(chǎn)生控制脈沖pTIO的驅動器。應注意，在第六實施方式中，檢測操作控制部21向光檢測驅動器22提供控制信號 pSWl。另一方面，在第七實施方式中，檢測操作控制部21向光檢測驅動器22提供控制信號 pSffl 禾口 pSW2。圖46示出了第六實施方式中的像素電路10和光檢測部30的構造。光檢測部30具有類似于上文描述的第三實施方式中的光檢測部30的構造，因為設置了傳感器兼用晶體管T10、檢測信號輸出晶體管T5、第一電容器C2和第二電容器C3，并且使用電源線VL以及元件之間的連接方式也相似。然而，傳感器兼用晶體管TlO的柵極連接至固定電位Vcc2的線。此外，第一電容器C2的一端也與電源電壓Vcc的線接觸。像素電路10和光檢測驅動器22被構造為類似于上文參照圖34描述的第三實施方式中的那樣。圖47示出了兩幀期間內的信號波形。該信號波形基本類似于第三實施方式中的信號波形，即，類似于上文參照圖27描述的信號波形。然而，圖47沒有包括控制脈沖pTIO 的波形。此外，在每個光檢測部30中，當電源線VL具有基準電位Vini時，進行檢測準備，并且電源線VL具有電源電壓Vcc的期間是光檢測期間。本第六實施方式的特征在于傳感器兼用晶體管TlO的柵極連接至固定電位Vcc2 的電源。
固定電位Vcc2高于基準電壓Vini與傳感器兼用晶體管TlO的閾值電壓VthTlO 的總和。此外，將固定電位Vcc2設定為低于電源線VL的電位從基準電壓Vini改變?yōu)殡娫?電壓Vcc之后的檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位與傳感器兼用晶體管TlO的閾值電壓 VthTlO的總和。簡而言之，將固定電位Vcc2設定為這樣一個電位，通過該電位，當電源線VL的電位是基準電壓Vini時，電源電壓Vcc導通傳感器兼用晶體管T10，但是當電源線VL的電位從基準電壓Vini改變?yōu)殡娫措妷篤cc時，電源電壓Vcc截止傳感器兼用晶體管T10。通過以這種方式設定固定電位Vcc2以及向傳感器兼用晶體管TlO的柵極輸入固定電位Vcc2，當電源線VL具有基準電壓Vini時，傳感器兼用晶體管TlO可以用作開關以將基準電壓Vini充電至檢測信號輸出晶體管T5的柵極。另一方面，當電源線VL的電位具有電源電壓Vcc時，傳感器兼用晶體管TlO用作光檢測元件以向檢測信號輸出晶體管T5的柵極提供光漏電流，使得檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位根據(jù)接收的光量而改變。結果，在光檢測操作時，消除了來自電源線VL的貫通電流，因此可以防止諸如屏幕燒灼的圖像質量不良，并且可以減少控制線的數(shù)量。因此，可以減少檢測操作控制部21 中設置的驅動電路或驅動器的數(shù)量，并且這有助于成本的降低。將參照圖48描述光檢測操作，關注光檢測部30-1。圖48示出了涉及光檢測部30-1的操作的波形，特別是掃描脈沖WS和電源線VLl 的電源脈沖的波形。圖48還以粗線和細線示出了檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓和光檢測線DETL的電壓的波形，以便于區(qū)分它們。此外，圖48以點劃線示出了固定電位Vcc2。如圖47所示，除了每個光檢測部30執(zhí)行光檢測的期間以外，檢測操作控制部21 將電源線VL控制為基準電壓Vini。在圖48中，對于光檢測部30-1，檢測操作控制部21將電源線VLl控制為基準電壓 Vini直到時間tm64。如上文所述，當電源線VLl具有基準電壓Vini時，傳感器兼用晶體管TlO導通。直到時間tm64的期間是檢測準備期間。在檢測準備期間內，在光檢測部30-1和30-2這兩者中，傳感器兼用晶體管TlO均處于導通狀態(tài)，并且電源線VLl和VL2具有基準電壓Vini。因此，基準電壓Vini輸入至檢測信號輸出晶體管T5的柵極。此外，在時間tm60，將控制信號pSWl設定為H電平以接通連接至光檢測線DETL的開關SWl，從而將光檢測線DETL的電位初始化為基準電壓Vini。在這種狀態(tài)下，檢測信號輸出晶體管T5的柵極-源極電壓是0V，并且檢測信號輸出晶體管T5表現(xiàn)為截止狀態(tài)。在從時間tm61至時間tm62期間內，通過掃描脈沖WS導通像素電路10-1的取樣晶體管以向驅動晶體管Td的柵極輸入信號值電壓Vsig。通過該操作，有機EL元件1開始發(fā)光。這時，由于光檢測部30-1中的傳感器兼用晶體管TlO導通，所以檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓保持基準電壓Vini，并且光檢測線DETL的電位也保持基準電壓Vini。檢測操作控制部21在時間tm63通過控制信號pSWl斷開開關SW1，并且在時間 tm64將電源線VLl設定為電源電壓Vcc。
通過將電源線VLl的電位從基準電壓Vini改變至電源電壓Vcc，傳感器兼用晶體管TlO截止。然后，來自電源線VLl的耦合量AVb通過第二電容器C3而輸入至檢測信號輸出晶體管T5的柵極。如圖48所示，檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓升高為Vini+AVb。由于耦合量Δ Vb具有取決于第二電容器C3的值，所以可以使檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極電位高于Vini+VthT5(其是檢測信號輸出晶體管T5的閾值電壓)。當檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位變得高于Vini+VthT5時，檢測信號輸出晶體管T5導通，并且電流開始從具有電源電壓Vcc的電源線VL流至光檢測線DETL。通過第二電容器C3的耦合，傳感器兼用晶體管TlO的源極-漏極電壓也增大，并且依賴于接收光量的光漏電流從具有電源電壓Vcc的電源線VL流至檢測信號輸出晶體管 T5的柵極。通過該操作，檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓在經(jīng)過固定時間期間之后從Vini+Δ Vb改變?yōu)閂ini+AVb+AV'，并且連同于此，光檢測線DETL的電位也改變?yōu)?VO+ΔV0 AV'是柵極電壓根據(jù)漏電流的升高量，并且ΔΥ是對應于柵極電壓的升高量 AV'的光檢測線DETL的電位升高量。通常，光檢測元件的光泄漏量隨著光檢測元件接收的光量增加而增加。因此，高灰度級顯示狀態(tài)下的檢測電壓變得高于低灰度級顯示狀態(tài)下的電壓，并且輸出至外部。通過電壓檢測部2 檢測光檢測線DETL的電位變化。該檢測電壓對應于從有機EL元件1發(fā)出的光量。經(jīng)過固定時間期間之后的時間tm65，檢測操作控制部21將電源線VL設定為基準電壓Vini。這時，再次通過第二電容器C3向檢測信號輸出晶體管T5的柵極輸入來自具有基準電壓Vini的電源線VLl的耦合量AVb。由于該操作使得檢測信號輸出晶體管T5的柵極-源極電壓Vgs變?yōu)榈陀跈z測信號輸出晶體管T5的閾值電壓，所以檢測信號輸出晶體管T5截止。此外，由于此時，傳感器兼用晶體管TlO導通，所以基準電壓Vini輸入至檢測信號輸出晶體管T5的柵極。在時間tm66，檢測操作控制部21通過控制信號pSWl接通開關SW1。通過該操作，光檢測線DETL的電位變?yōu)榛鶞孰妷篤ini。以如上所述這樣的方式執(zhí)行例如一幀中對該線上的像素電路10的檢測。如上所述，在本第六實施方式中，向傳感器兼用晶體管TlO施加固定電壓Vcc2作為柵極電壓。然后，當電源線VL具有基準電壓Vini時，傳感器兼用晶體管TlO表現(xiàn)為導通狀態(tài)，而當電源線VL具有電源電壓Vcc時，傳感器兼用晶體管TlO表現(xiàn)為截止狀態(tài)。然后，當將電源線VL設定為電源電壓Vcc以將傳感器兼用晶體管TlO置為截止狀態(tài)時，通過第二電容器C3而在傳感器兼用晶體管TlO的柵極-漏極電壓中出現(xiàn)電位差，并且升高傳感器兼用晶體管TlO的柵極電位以開始輸出光檢測信息。由于消除了傳感器兼用晶體管TlO的導通/截止控制系統(tǒng)的必要性，所以可使傳感器兼用晶體管TlO的柵極線為各光檢測部30所共用。特別地，在圖46的實例的情況下，將第一電容器C2的一端也設定為固定電位 Vcc2,因此也可以使第一電容器C2的連接點為各光檢測部30所共用。
因此，通過減少用于光檢測部30的控制線的數(shù)量的減少、光檢測操作控制部21中控制線驅動器的數(shù)量等，可以顯著簡化面板構造，并且可以實現(xiàn)產(chǎn)量的提高。此外，可以在光檢測操作時消除來自電源線VL的貫通電流，并且可以預期功耗的減少。<9.第七實施方式>將參照圖49至圖56描述第七實施方式。參照圖49，每個光檢測部30均類似于上文描述的第六實施方式中的光檢測部，其設置有傳感器兼用晶體管T10、檢測信號輸出晶體管T5、第一電容器C2和第二電容器C3，并引入了電源線VL以及上述的元件之間的連接方式。然而，光檢測部30不同于第六實施方式之處在于，傳感器兼用晶體管TlO的柵極連接至光檢測線DETL且第一電容器C2的一端連接至陰極電壓Vcat0此外，光檢測驅動器22包括連接至光檢測線DETL的開關SWl和SW2。開關SWl的另一端連接至基準電壓Vini的線，并且通過來自光檢測操作控制部21 的控制信號PSWl而控制開關SWl的接通和斷開。開關SW2的另一端連接至固定電位Vdd的線，并且通過來自光檢測操作控制部21 的控制信號PSW2而控制開關SW2的接通和斷開。圖50示出了兩幀期間內的信號波形。類似于上述第六實施方式，每個光檢測部30均具有電源線VL被設定為電源電壓 Vcc的光檢測期間。然后，通過控制信號pSW2接通開關SW2的時間點到通過控制信號pSWl斷開開關 Sffl的另一時間點的期間是用于檢測準備的期間。具體地，關于檢測準備，首先將開關SWl和SW2中的開關SW2控制為接通狀態(tài)一段固定時間。然后，在開關SW2截止之后，將開關SWl控制為接通狀態(tài)一段固定時間。將參照圖51至圖56描述光檢測操作，關注光檢測部30-1。圖51示出了涉及光檢測部30-1的操作的波形，具體地說，掃描脈沖WS、電源線 VLl的電源脈沖以及控制信號pSWl和pSW2的波形。圖51還分別以粗線和細線示出檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓和光檢測線DETL的電壓的波形，以便于區(qū)分它們。如圖50所示，除了每個光檢測部30執(zhí)行光檢測的期間以外，檢測操作控制部21 將電源線VL控制為基準電壓Vini。在圖51中，關于光檢測部30-1，檢測操作控制部21將電源線VLl控制為基準電壓 Vini直到時間tm76。如上所述，通過開關SWl和SW2限定檢測準備期間。在從時間tm70至tm73期間內，通過控制信號PSW2將開關SW2控制為接通狀態(tài)，并且在時間tm74至tm75期間內，通過控制信號PSWl將開關SWl控制為接通狀態(tài)。首先，關于光檢測準備，檢測操作控制部21在時間tm70接通開關SW2。如圖52所示，當開關SW2接通時，將光檢測線DETL的電位設定為固定電位Vdd。這里，固定電位Vdd具有高于基準電壓Vini與傳感器兼用晶體管TlO的閾值電壓 VthTlO的總和的值。此外，在該時間點上，電源線VL具有基準電壓Vini。由于傳感器兼用晶體管TlO的柵極連接至光檢測線DETL，所以當設定光檢測線DETL為固定電位Vdd時，將傳感器兼用晶體管TlO置為導通狀態(tài)。因此，將檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位充電至基準電壓Vini。這時，檢測信號輸出晶體管T5的源極變?yōu)殡娫淳€VL，并且檢測信號輸出晶體管T5 的柵極-源極電壓變?yōu)?V。結果，檢測信號輸出晶體管T5表現(xiàn)為截止狀態(tài)。在時間tm71至tm72的期間內，使用掃描脈沖WS導通像素電路10-1的取樣晶體管Ts以向驅動晶體管Td的柵極輸入信號值電壓Vsig。通過該操作，有機EL元件開始發(fā) 光。圖53中示出了這時的狀態(tài)。這時，由于開關SW2導通且光檢測部30-1中的傳感器兼用晶體管TlO導通，所以檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓保持基準電壓Vini，并且光檢測線DETL的電位也保持固定電位Vdd。檢測操作控制部21在時間tm73斷開開關SW2，然后在時間tm74使用控制信號 PSWl接通開關SW1。圖M中示出了這時的狀態(tài)。通過接通開關SW1，光檢測線DETL的電位從固定電位Vdd至基準電壓Vini改變。因此，傳感器兼用晶體管TlO的柵極電位變?yōu)榛鶞孰妷篤ini，并且傳感器兼用晶體管TlO截止。這時，通過傳感器兼用晶體管TlO的柵極電壓的變化，即通過光檢測線DETL的電位變化，耦合量W輸入至檢測信號輸出晶體管T5的柵極。由于耦合，在傳感器兼用晶體管TlO的源極和漏極之間出現(xiàn)電位差，并且漏電流響應于接收的光量而改變。然而，傳感器兼用晶體管Tio的光漏電流幾乎不改變檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓。這是因為傳感器兼用晶體管TlO的源極和漏極之間的電位差小，并且在執(zhí)行作為下一操作的斷開開關SWl以及將電源線VL的電位改變至電源電壓Vcc 之前的時間期間短。此外，在經(jīng)過固定時間期間之后的時間tm75，檢測操作控制部21斷開開關SWl，然后在時間tm76，檢測操作控制部21將電源線VLl的電位從基準電壓值Vini改變至電源電壓Vcc。圖55中示出了這時的狀態(tài)。通過將電源線VL的電位從基準電壓值Vini改變至電源電壓Vcc，耦合量Δ Vb通過第二電容器C3從電源線VLl輸入至檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極。由于耦合量AVb采用依賴于第二電容器C3的值，所以可以使用第二電容器C3的值來將檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極電位升高為高于Vini+VthT5。VthT5是檢測信號輸出晶體管T5的閾值電壓。當檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位變得高于Vini+VthT5時，檢測信號輸出晶體管T5導通。因此，電流開始從具有電源電壓Vcc的電源線VL流至光檢測線DETL。這時，光檢測線DETL的電位從基準電壓Vini逐漸升高。然而，光檢測線DETL的電位基本根據(jù)光檢測部30-1的檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓的增大而升高。因此，光檢測線DETL的電位低于通過從檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位減去檢測信號輸出晶體管T5的閾值電壓而獲得的值。因此，在光檢測期間內，光檢測部30-1的傳感器兼用晶體管TlO的柵極-源極電壓是負的。此外，源極-漏極電壓也通過耦合增大。因此，光檢測部30-1的傳感器兼用晶體管TlO根據(jù)接收的光量從電源線VLl向檢測信號輸出晶體管T5的柵極提供光漏電流。
通過所述操作，檢測信號輸出晶體管T5(N)的柵極電壓在固定時間期間之后從 Vini-AVa' + Δ Vb改變?yōu)閂ini-Δ Va' +Δ Vb+Δ V'。連同此，光檢測線DETL的電位變?yōu)?VO+Δ V。此外，當光檢測線DETL的電位超過基準電壓Vini與光檢測部30_2的傳感器兼用晶體管TlO的閾值電壓的總和時，光檢測部30-2中的傳感器兼用晶體管TlO導通，并且光檢測部30-2的檢測信號輸出晶體管Τ5的柵極電位變?yōu)榛鶞孰妷篤ini。通常，光檢測元件的光泄漏量隨著光檢測元件接收的光量增加而增加。因此，高灰度級顯示狀態(tài)下的檢測電壓變得高于低灰度級顯示狀態(tài)下的電壓，并且輸出至外部。通過電壓檢測部2 檢測圖51中示出的光檢測線DETL的電位變化。該檢測電壓對應于從有機 EL元件1發(fā)出的光量。在經(jīng)過固定時間期間之后的時間tm77，檢測操作控制部21將電源線VL設定為基準電壓Vini以結束光檢測操作。這時，再次通過第二電容器C3向檢測信號輸出晶體管T5的柵極輸入來自電源線 VLl的耦合量AVb。通過該操作，檢測信號輸出晶體管T5的柵極-源極電壓Vgs變得低于檢測信號輸出晶體管T5的閾值電壓，因此檢測信號輸出晶體管T5截止。圖56中示出了這時的狀態(tài)。這里，如果由于耦合，光檢測線DETL的電位變得高于檢測信號輸出晶體管T5的柵極電壓與傳感器兼用晶體管TlO的閾值電壓的總和，那么傳感器兼用晶體管TlO導通，以將檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位充電至基準電壓Vini。應注意，如果光檢測線DETL的電位不高于上述總和，那么檢測信號輸出晶體管T5 的電位得以保持。然而，由于此后開關SW2在時間tm78接通以將光檢測線DETL的電位充電至固定電位Vdd，所以傳感器兼用晶體管TlO導通以將檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位充電至基準電壓Vini。例如，以如上所述這樣的方式執(zhí)行一幀中對相關線上的像素電路10的檢測。如上所述，第七實施方式被構造為使得傳感器兼用晶體管TlO的柵極連接至光檢測線DETL，并且可使用開關SWl和SW2而將光檢測線DETL充電至兩個固定電壓，S卩，電壓 Vdd 禾口 Vini。同時，光檢測部30包括連接在檢測信號輸出晶體管T5的柵極與固定電位(S卩，電位Vcat)之間的第一電容器C2，以及連接在檢測信號輸出晶體管T5的柵極與電源線VL之間的第二電容器C3。然后，在用于對光檢測線DETL充電的兩個固定電壓中，較高的電位(S卩，電位Vdd) 導通傳感器兼用晶體管T10。同時，較低的電位被設定為導通檢測信號輸出晶體管T5 (通過第二電容器C3將來自電源線VL的耦合輸入至其)。較低的電位例如是基準電壓Vini。通過第七實施方式，可以實現(xiàn)對于第六實施方式構造的簡化和產(chǎn)量的提高，因為可以減少提供給傳感器兼用晶體管Tio的柵極的固定電源。此外，類似于第六實施方式，由于可以消除光檢測操作時來自電源線VL的貫通電流，以作為防止諸如屏幕燒灼的圖像質量不良的對策，除此之外還可以減少控制線的數(shù) 量，所以可以減少設置在檢測操作控制部21中的驅動電路或驅動器的數(shù)量。因此，可以預期成本的降低。
應注意，在上述實施方式中，開關SWl和SW2被設置為通過兩個固定電壓(即，通過電壓Vdd和Vini)對光檢測線DETL充電。然而，代替這種構造，可以生成具有電位Vdd 和Vini的脈沖電壓，使得在各個預定定時通過單個開關向光檢測線DETL提供電位Vdd和 Vini ο<10.修改例和應用例〉上面描述了第一至第七實施方式，這里將描述可以應用于實施方式的修改例。首先，可考慮改變光檢測部30中的傳感器兼用晶體管TlO的靈敏度以固定要從檢測不同波長的光的光檢測部30輸出至光檢測線DETL的電壓電平。具體地，將用于檢測具有高能量的光的傳感器兼用晶體管TlO的靈敏度設定為低，而將用于檢測具有低能量的光的另一傳感器兼用晶體管TlO的靈敏度設定為高。例如，為了改變光的靈敏度，應該改變通過作為傳感器兼用晶體管Tio的晶體管的溝道長度或溝道寬度確定的晶體管尺寸或溝道材料的膜厚度。具體地，將檢測具有更高能量的光(諸如B光)的光檢測部30的傳感器兼用晶體管TlO的溝道膜厚度設定為薄，而將傳感器兼用晶體管TlO的溝道寬度設定為小。相反，將檢測具有低能量的光的傳感器兼用晶體管Tio的溝道膜厚度設定為薄，而將傳感器兼用晶體管TlO的溝道寬度設定為大。例如，在對應于B光像素、G光像素以及R光像素的光檢測部30之中，將用于檢測 B光的傳感器兼用晶體管TlO的溝道膜厚度設定為最薄，而將用于檢測R光的傳感器兼用晶體管TlO的溝道膜厚度設定為最厚?；蛘?，將用于檢測B光的傳感器兼用晶體管TlO的溝道寬度設定為最小，而將用于檢測R光的傳感器兼用晶體管TlO的溝道寬度設定為最大。或同時應用這兩種對策。通常，隨著所接收的光的波長變得更短，即隨著光的能量的增大，光檢測元件提供更大量的漏電流。因此，通過響應于所接收的光的波長而設定每個傳感器兼用晶體管Tio 的靈敏度，可使每個光檢測部30中的檢測信號輸出晶體管T5的柵極電位的變化為與所接收的光的能量無關的固定值。結果，可以將要輸出至光檢測線DETL的電壓設定為不依賴于發(fā)光波長的相等電壓。因此，可以預期光檢測驅動器22的簡化。此外，像素電路10的構造絕不限于上文描述的實施方式，而可以采用各種其他構造。具體地，上面描述的每個實施方式可以廣泛應用于這樣的顯示裝置，該顯示裝置采用無論上面參照圖16描述的像素電路10的構造如何而執(zhí)行光檢測操作的像素電路，并且包括設置在像素電路外部的用于檢測像素電路的發(fā)光量的光檢測部。此外，雖然一些實施方式在光檢測部30或光檢測驅動器22中利用陰極電壓Vcat，但是它們也可以不利用陰極電壓Vcat而利用某些其他的固定電位。此外，可以在同一定時執(zhí)行關于多條線的光校正，或用于不同線的多個光檢測期間可以彼此交疊。由于通過采用任意的這樣的定時關系可以增加光檢測元件的數(shù)量，所以可以增加光檢測的精度，還可以減小光檢測期間。例如，當檢測特定線上EL元件的發(fā)光亮度時，多條線的光檢測期間是彼此共用的的或彼此交疊。換句話說，多個光檢測部30設置有它們同時檢測一個像素電路10中的有機EL元件1的光的周期。圖57A和圖57B示出了關于第一實施方式的圖19中示出的波形。具體地，圖57A示出了在同一定時對光檢測部30-1和30-2施加電源線VLl和VL2的電源脈沖以及控制線 TLbl和TLb2的控制脈沖pTIO的波形。光檢測部30-1和30_2的光檢測期間是相同的期間。換句話說，當驅動圖16示出的像素電路10-1發(fā)光時，兩個光檢測部30-1同時執(zhí) 行光檢測操作。同時，圖57B示出了以彼此交疊關系對光檢測部30-1和30_2施加電源線VLl和 VL2的電源脈沖和控制線TLbl和TLb2的控制脈沖pTIO的波形，或換句話說，光檢測部30_1 和30-2的光檢測期間彼此交疊。這種情況下，在某一期間內，通過光檢測部30-1和30-2 同時執(zhí)行光檢測。簡而言之，在交疊的期間內，當圖16示出的像素電路10-1發(fā)光時，通過兩個光檢測部30-1同時執(zhí)行光檢測操作。這里應注意，雖然圖57A和圖57B示出了兩條線的像素的波形，然而在多個光檢測部30同步或以時間上彼此交疊的關系輸出光檢測信息的情況下，這種光檢測部30自然可以屬于三條以上的線。通過以這種方式將不同線的像素的光檢測期間設定為相同期間或交疊的光檢測期間，可以增加光檢測靈敏度，并且可以加速對應于向光檢測線DETL的泄露的電壓升高。因此，還變得可以縮短光檢測期間或減小光檢測元件的尺寸。結果，可以預期產(chǎn)量的提升，并且可以采取對策以防止由發(fā)光元件的效率劣化而引起的圖像質量不良(諸如屏幕燒灼)。雖然在圖57A和圖57B中示出了基于第一實施方式的波形，但是對于第二至第七實施方式，通過設定用于設定光檢測期間的脈沖的定時，將多條線中的光檢測部30的光檢測期間設定為相同的光檢測期間或彼此交疊的光檢測期間，也可以預期類似的效果?，F(xiàn)在描述本發(fā)明的應用例。本發(fā)明可以應用于光從外部照射在屏幕上以執(zhí)行信息輸入的電子設備。例如，圖58A示出了使用者操作激光筆1000將激光束指向至顯示面板1001的狀態(tài)。顯示面板1001可以是上文參照圖1和圖45描述的有機EL顯示面板中的任一種。例如，在整個屏幕顯示黑色時，使用激光筆1000的光在顯示面板1001上畫圓。然后，在顯示面板1001的屏幕上顯示所畫的圓。具體地，通過像素陣列20上的光檢測部30檢測激光筆1000的光。然后，光檢測部30將激光的檢測信息傳輸至水平選擇器11，具體地說，信號值校正部11a。水平選擇器11將預定亮度的信號值Vsig施加至與檢測激光的光檢測部30相對應的像素電路10。因此，可以從顯示面板1001的屏幕在激光的照射位置上產(chǎn)生高亮度的光。簡而言之，可以通過激光照射執(zhí)行在面板上繪制圖形、字符、符號等的顯示。圖58示出了檢測激光筆1000的方向輸入的實例。參照圖36B，從激光筆1000照射激光束使得它例如從右向左移動。由于通過顯示面板1001上的光檢測部30的檢測，可以檢測屏幕上激光照射位置的變化，所以可在用戶指引激光的方向上進行檢測。例如，執(zhí)行顯示內容的變更等，使得該方向可被識別為操作輸入。
自然，可以通過將激光束指向在屏幕上顯示的操作圖標等來識別操作內容。以這種方式，可以將來自外部的光識別為顯示面板1001上的坐標輸入，從而應用于各種操作和應用。此外，在上述畫圖或操作輸入的應用中，如果作為上述圖57中的實例，多個光檢測部30同時或以時間上彼此交疊的關系輸出光檢測信息，那么有利于提高外部光的檢測能力。例如，當檢測從外部提供的光時，通過使用于多條線的光檢測期間彼此交疊而提高光檢測靈敏度，并且可以減少光檢測期間或光檢測元件的尺寸。結果，可以實現(xiàn)產(chǎn)量的提高，還可以采取對策以防止由發(fā)光元件的效率降低所導致的圖像質量不良(諸如屏幕燒灼)。盡管已經(jīng)使用特定術語描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，但是這樣的描述僅用于說明性的目的，并且應當理解，在不背離所附權利要求的精神或范圍的情況下，可以進行修改和變形。
權利要求
1.一種顯示裝置，包括多個像素電路，以矩陣形式設置在多條信號線與多條掃描線彼此相交的位置上，并且各自包括發(fā)光元件；發(fā)光驅動部，用于對每個所述像素電路施加信號值以使所述像素電路發(fā)出對應于所述信號值的亮度的光；以及光檢測部，設置在每個所述像素電路中，并且包括傳感器-開關兼用元件以及檢測信號輸出晶體管，所述傳感器-開關兼用元件通過在導通狀態(tài)與截止狀態(tài)之間切換而用作開關元件，并且在其截止狀態(tài)下用作用于檢測來自所述像素電路的所述發(fā)光元件的光的光傳感器，所述檢測信號輸出晶體管連接至光檢測線，以用于將與截止狀態(tài)下的所述傳感器-開關兼用元件的電流變化量相對應的光檢測信息輸出至所述光檢測線。
2.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述光檢測部在所述傳感器-開關兼用元件被置于導通狀態(tài)時向所述檢測信號輸出晶體管的柵極節(jié)點提供預定的基準電位，而在所述傳感器-開關兼用元件被置于截止狀態(tài)時響應于來自所述發(fā)光元件的光的接收向所述檢測信號輸出晶體管的柵極節(jié)點提供電流以改變所述檢測信號輸出晶體管的柵極電位，使得所述檢測信號輸出晶體管根據(jù)所述柵極電位的變化來輸出所述光檢測信息。
3.根據(jù)權利要求2所述的顯示裝置，其中，能在預定的操作電源電位與所述基準電位之間切換的電源線連接至所述光檢測部，而所述傳感器-開關兼用元件和所述檢測信號輸出晶體管連接至所述電源線，使得當所述傳感器-開關兼用元件被置于導通狀態(tài)而所述電源線被設定為所述基準電位時，向所述檢測信號輸出晶體管的柵極節(jié)點提供所述基準電位，而當所述傳感器-開關兼用元件被置于截止狀態(tài)且所述電源線被設定為所述操作電源電位時，所述傳感器-開關兼用元件響應于從所述發(fā)光元件接收的光對所述檢測信號輸出晶體管的柵極節(jié)點施加電流以改變所述檢測信號輸出晶體管的柵極電位，使得所述檢測信號輸出晶體管根據(jù)所述柵極電位的變化來輸出所述光檢測信息。
4.根據(jù)權利要求3所述的顯示裝置，其中，所述光檢測部還包括第一電容器，連接在所述檢測信號輸出晶體管的柵極與固定電位之間；以及第二電容器，連接在所述檢測信號輸出晶體管的柵極與所述電源線之間。
5.根據(jù)權利要求4所述的顯示裝置，其中，當所述傳感器-開關兼用元件被置于截止狀態(tài)且所述電源線被設定為所述操作電源電位時，通過所述第二電容器在作為所述傳感器-開關兼用元件的晶體管的柵極與漏極之間產(chǎn)生電位差，并且所述檢測信號輸出晶體管的柵極電位升高以開始所述光檢測信息的輸出。
6.根據(jù)權利要求5所述的顯示裝置，其中，在所述檢測信號輸出晶體管開始輸出所述光檢測信息之前的檢測準備操作中，執(zhí)行將所述光檢測線充電至所述基準電位的操作。
7.根據(jù)權利要求3所述的顯示裝置，其中，向作為所述傳感器-開關兼用元件的所述晶體管的柵極節(jié)點提供固定的柵極電位，通過所述固定的柵極電位，所述傳感器-開關兼用元件在所述電源線具有所述基準電位時表現(xiàn)為導通狀態(tài)，而在所述電源線具有所述操作電源電位時表現(xiàn)為截止狀態(tài)。
8.根據(jù)權利要求7所述的顯示裝置，其中，所述光檢測部還包括第一電容器，連接在所述檢測信號輸出晶體管的柵極與所述固定的柵極電位之間；以及第二電容器，連接在所述檢測信號輸出晶體管的柵極與所述電源線之間。
9.根據(jù)權利要求3所述的顯示裝置，其中，作為所述傳感器-開關兼用元件的所述晶體管的柵極節(jié)點連接至所述光檢測線，并且能將所述光檢測線充電至至少兩個不同的固定電位。
10.根據(jù)權利要求9所述的顯示裝置，其中，所述光檢測部還包括第一電容器，連接在所述傳感器-開關兼用元件的柵極與固定電位之間；以及第二電容器，連接在所述檢測信號輸出晶體管的柵極與所述電源線之間，以及對所述光檢測線充電的兩個所述固定電位中的較高電位被設定為用于導通所述傳感器-開關兼用元件，而兩個所述固定電位中的較低電位被設定為用于導通所述檢測信號輸出晶體管，來自所述電源線的耦合通過所述第二電容器而輸入至所述檢測信號輸出晶體管。
11.根據(jù)權利要求10所述的顯示裝置，其中，兩個所述固定電位中的較低電位是所述基準電位。
12.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，還包括校正信息生成部，所述校正信息生成部用于向所述發(fā)光驅動部提供從所述光檢測部輸出至所述光檢測線的所述光檢測信息作為用于所述信號值的校正的信息。
13.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述光檢測部在所述像素電路開始正常圖像顯示之前或結束所述正常圖像顯示之后執(zhí)行光檢測操作。
14.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述光檢測部在正常圖像顯示期間中的間斷期間內執(zhí)行所述光檢測操作。
15.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其中，設置多個所述光檢測部，并且分別驅動和控制多個所述光檢測部以同時或以時間上彼此交疊的關系輸出所述光檢測信息。
16.一種用于顯示裝置的光檢測方法，所述顯示裝置包括具有發(fā)光元件的像素電路以及用于檢測來自所述像素電路的所述發(fā)光元件的光并輸出光檢測信息的光檢測部，所述光檢測部包括傳感器-開關兼用元件以及檢測信號輸出晶體管，所述傳感器-開關兼用元件通過其在導通狀態(tài)與截止狀態(tài)之間切換而用作開關元件，并且在其截止狀態(tài)下用作用于檢測來自所述像素電路的所述發(fā)光元件的光的光傳感器，所述檢測信號輸出晶體管連接至光檢測線，以用于將與截止狀態(tài)下的所述傳感器-開關兼用元件的電流變化量相對應的光檢測信息輸出至光檢測線，所述光檢測方法包括以下步驟從所述檢測信號輸出晶體管向所述光檢測線輸出與在所述傳感器-開關兼用元件的截止狀態(tài)下流入所述傳感器-開關兼用元件的電流變化量相對應的所述光檢測信息。
17.一種電子裝置，包括多個像素電路，以矩陣形式設置在多條信號線與多條掃描線彼此相交的位置上，并且各自包括發(fā)光元件；發(fā)光驅動部，用于將信號值施加至每個所述像素電路以使所述像素電路發(fā)出對應于所述信號值的亮度的光；以及光檢測部，包括傳感器-開關兼用元件以及檢測信號輸出晶體管，所述傳感器-開關兼用元件通過其在導通狀態(tài)與截止狀態(tài)之間切換而用作開關元件，并且在其截止狀態(tài)下用作用于檢測來自所述像素電路的所述發(fā)光元件的光的光傳感器，所述檢測信號輸出晶體管連接至光檢測線，以用于將與截止狀態(tài)下的所述傳感器-開關兼用元件的電流變化量相對應的光檢測信息輸出至所述光檢測線。
18.一種顯示裝置，包括多個像素電路，以矩陣形式設置，并且各自包括發(fā)光元件；以及光檢測部，包括能夠用作開關元件以及還用作用于檢測來自所述發(fā)光元件的光的光傳感器的傳感器-開關兼用元件。
19.根據(jù)權利要求18所述的顯示裝置，其中，所述傳感器-開關兼用元件在其截止狀態(tài) 下用作光傳感器；以及所述光檢測部還包括用于根據(jù)截止狀態(tài)下的所述傳感器-開關兼用元件的電流變化量輸出光檢測信息的檢測信號輸出晶體管。
全文摘要
本發(fā)明提供了顯示裝置、光檢測方法以及電子設備，該顯示裝置包括像素電路，以矩陣形式設置在信號線與掃描線彼此相交的位置上且各自包括發(fā)光元件；發(fā)光驅動部，對每個像素電路施加信號值以使電路以一定亮度發(fā)光；以及光檢測部，設置在每個像素電路中，并且包括傳感器-開關兼用元件和檢測信號輸出晶體管，該傳感器-開關兼用元件通過在導通狀態(tài)與截止狀態(tài)之間切換而運行，并且在其截止狀態(tài)下用作用于檢測來自像素電路的發(fā)光元件的光的光傳感器，該檢測信號輸出晶體管連接至光檢測線，以用于將與截止狀態(tài)下的傳感器-開關兼用元件的電流變化量相對應的光檢測信息輸出至光檢測線。
文檔編號G09G3/32GK102122485SQ201010610428
公開日2011年7月13日申請日期2010年12月28日優(yōu)先權日2010年1月7日
發(fā)明者中村和夫, 內野勝秀, 山本哲郎申請人:索尼公司

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