專利名稱：顯示裝置、其驅(qū)動(dòng)方法以及具有其的電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置、其驅(qū)動(dòng)方法以及電子設(shè)備。本發(fā)明尤其 涉及具有包括以矩陣形式配置的光電元件的4象素的平板顯示裝置、 其驅(qū)動(dòng)方法和具有該顯示裝置的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
在圖像顯示裝置領(lǐng)域中，近些年已經(jīng)看到具有包括以矩陣形式 配置的發(fā)光元件的^象素的平4反顯示裝置的開發(fā)和商業(yè)化。在這種顯 示裝置中，有機(jī)EL顯示裝置使用有機(jī)EL (電致發(fā)光)元件作為像 素的發(fā)光元件。有機(jī)EL元件是其發(fā)光亮度隨流經(jīng)該元件的電流的 變化而變化的所謂電流驅(qū)動(dòng)光電元件的實(shí)例。有機(jī)EL元件依賴于 當(dāng)對(duì)其施加電場(chǎng)時(shí)其有才幾膜發(fā)光的現(xiàn)象。
有機(jī)EL顯示裝置提供較低的功耗，這歸因于它們的有機(jī)EL 元件可灃皮10V以下的施加電壓驅(qū)動(dòng)。此外，有才幾EL元件是自發(fā)光的。與被設(shè)計(jì)成對(duì)于包括液晶單元的每個(gè)像素通過(guò)使用該單元控制 來(lái)自光源(背光)的光強(qiáng)來(lái)顯示圖像的液晶顯示裝置相比，這^是供 了若干優(yōu)點(diǎn)。這些優(yōu)點(diǎn)包括高圖像可視性、無(wú)需背光和元件的高響 應(yīng)速度。
與液晶顯示裝置相同，有才幾EL顯示裝置可^皮無(wú)源或有源矩陣
驅(qū)動(dòng)。然而，應(yīng)當(dāng)注意，雖然無(wú)源矩陣顯示裝置結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單，但 其具有包括難以實(shí)現(xiàn)大尺寸、高清晰度顯示裝置的缺點(diǎn)。因此，有 源矩陣顯示裝置的開發(fā)近些年已經(jīng)開始活j沃。在這種顯示裝置中， 流經(jīng)光電元件的電流^c沒置在諸如絕緣4冊(cè)才及電場(chǎng)效應(yīng)晶體管(通常
是TFT (薄膜晶體管))的相同像素電路中的有源元件控制。
順便提及，有機(jī)EL元件的I-V特性(電流-電壓特性)通常認(rèn) 為隨時(shí)間而劣化(所謂的長(zhǎng)期劣化)。在〗吏用N溝道TFT作為用于 通過(guò)電流驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件的晶體管(下文中被描述為"驅(qū)動(dòng)晶體 管")的像素電路中，有機(jī)EL元件被連接至驅(qū)動(dòng)晶體管的源極。因 此，有機(jī)EL元件的I-V特性的長(zhǎng)期劣化導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極-源 才及電壓Vgs的改變，由此改變有才幾EL元件的發(fā)光亮度。
以下將給出其更詳細(xì)的描述。驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電位由驅(qū)動(dòng)晶 體管和有才幾EL元件的工作點(diǎn)確定。在有機(jī)EL元件的I-V特性劣化 的情況下，其工作點(diǎn)發(fā)生改變。即使將相同的電位施加到驅(qū)動(dòng)晶體 管的柵極，這也會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)晶體管源極電位的變化。因此，驅(qū)動(dòng)晶 體管的棚-才及-源才及電壓Vgs改變，乂人而改變流經(jīng)馬區(qū)動(dòng)晶體管的電流。 這改變了流經(jīng)有機(jī)EL元件的電流，從而改變其發(fā)光亮度。
另一方面，對(duì)于使用多晶硅TFT的像素電路，除有機(jī)EL元件 的I-V特性的長(zhǎng)期劣化，驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth和組成驅(qū)動(dòng)晶 體管溝道的半導(dǎo)體薄膜的遷移率(i隨時(shí)間發(fā)生變化。此外，由于制 造工藝的改變(即，不同的晶體管呈現(xiàn)不同的特性)，所以不同像素之間的閾值電壓Vth和遷移率p會(huì)有所不同。在驅(qū)動(dòng)晶體管的閾 值電壓Vth或遷移率p不同的情況下，流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管的電流改變。 即使將相同的電壓施加到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極，這也導(dǎo)會(huì)致不同像素 之間有機(jī)EL元件發(fā)光亮度的改變，由此削弱屏幕上的均勻性。為此，每個(gè)像素電路都具有多種補(bǔ)償和校正功能以確保即使在 有機(jī)EL元件的I-V特性長(zhǎng)期劣化或驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth或 遷移率p長(zhǎng)期變化的情況下，有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度保持恒定(例 如，參見曰本專利7>開第2006-133542號(hào)，其在下文中稱為專利文 獻(xiàn)1 )。 一種功能是用于補(bǔ)償有機(jī)EL元件的特性變化的補(bǔ)償功能。 另 一種功能是用于校正驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth變化的校正功能 (下文中稱為"閾值校正")。又一功能是用于校正驅(qū)動(dòng)晶體管遷移率 p的校正功能(下文中稱為"遷移率校正，，)。發(fā)明內(nèi)容在專利文獻(xiàn)1描述的背景技術(shù)中，每個(gè)像素電路都具有用于補(bǔ) 償有機(jī)EL元件特性變化的補(bǔ)償功能和用于校正驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值 電壓Vth和遷移率p的變化的校正功能。因此，即使在有機(jī)EL元 件的I-V特性長(zhǎng)期劣化或驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth或遷移率fi長(zhǎng) 期變化的情況下，有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度保持恒定。然而，每個(gè) 像素電路都包括大量元件，由此造成降低像素尺寸的難度。P爭(zhēng)^f氐元^f牛凄t和纟且成l象素電^各的互連(interconnection )的可能方 案是確?？梢愿淖兲峁┙o像素電路的驅(qū)動(dòng)晶體管的電源電位。以這 種方式，驅(qū)動(dòng)晶體管能夠通過(guò)改變電源電位來(lái)控制有4幾EL元件的 發(fā)光和非發(fā)光周期。因此，可以省略用于控制發(fā)光和非發(fā)光周期的 晶體管。該技術(shù)使得可以用最少的所需元件數(shù)來(lái)配置像素電路。即，像 素電路可由用于采樣輸入信號(hào)電壓并將該電壓寫入像素的寫晶體 管、用于保持由寫晶體管寫入的輸入信號(hào)電壓的保持電容和用于基 于由保持電容保持的輸入信號(hào)電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)光電元件的驅(qū)動(dòng)晶體管 組成。如上所述，如果驅(qū)動(dòng)晶體管還用作用于控制有才幾EL元件的發(fā) 光和非發(fā)光周期以減少組成像素電路的元件數(shù)的晶體管，則與由寫 晶體管寫入輸入信號(hào)電壓同時(shí)地執(zhí)行上述遷移率校正。順便提及，在專利文獻(xiàn)1描述的背景4支術(shù)中，在完全完成輸入信號(hào)電壓的寫入 周期之后執(zhí)4于遷移率4交正。如上所述，如果與寫入1敘入信號(hào)電壓同時(shí)地#^亍遷移率4交正， 則遷移率一皮4交正^f旦其寫入沒有完全完成。這導(dǎo)致不同^象素之間遷移 率的變化，/人而引起輝紋(banding)并降^f氐圖^象質(zhì)量(稍后將描述 其細(xì)節(jié))。另一方面，作為由寫脈沖驅(qū)動(dòng)的結(jié)果，寫晶體管通過(guò)采樣輸入 信號(hào)電壓來(lái)寫入輸入信號(hào)電壓。如果寫脈沖具有快速的下降時(shí)間 (如果寫脈沖急劇下降)，則如圖15中所示，當(dāng)寫晶體管截止時(shí)由 于耦合引起驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電位急劇下降。驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極-源極電壓Vgs還隨著其柵極電位的降低而下降(縮小)。因此，亮 度下降到柵極-源極電壓Vgs降低的那種程度。才艮據(jù)前述內(nèi)容，期望^是供能夠以穩(wěn)定方式寫入輸入信號(hào)電壓并 校正遷移率的顯示裝置、其驅(qū)動(dòng)方法和具有其的電子設(shè)備。還期望才是供能夠以穩(wěn)定方式寫入輸入信號(hào)電壓同時(shí)防止當(dāng)寫 晶體管截止時(shí)由于耦合所引起的亮度隨驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極-源極電 壓的降低而下降的顯示裝置、其驅(qū)動(dòng)方法和具有其的電子i殳備。為了獲得上面提到的第 一顯示裝置，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示 裝置包括-像素陣列部和掃描電^各。 <象素陣列部包4舌以矩陣形式配置 的像素。每個(gè)像素都包括光電元件和用于采樣和寫入輸入信號(hào)電壓 的寫晶體管。每個(gè)像素還包括用于保持由寫晶體管寫入的輸入信號(hào) 電壓的保持電容和用于基于由保持電容保持的輸入信號(hào)電壓驅(qū)動(dòng) 光電元件的驅(qū)動(dòng)晶體管。掃描電路包括末級(jí)緩沖器。掃描電路將來(lái) 自緩沖器的掃描信號(hào)施加到寫晶體管，從而以行為單位選擇和掃描 〃像素陣列部中的<象素。末級(jí)緩沖器的電源與前級(jí)的電^各部分隔離。脈沖形式的電源電壓^f皮提供給末級(jí)緩沖器的電源。因此，掃描信號(hào) 在電源電壓的上升沿處上升。在如上所述配置的顯示裝置和具有其的電子i殳備中，掃描信號(hào) 在^是供給末級(jí)緩沖器電源的脈沖形式的電源電壓的上升沿處上升。 電源電壓的急劇升高使得寫晶體管可以響應(yīng)于掃描信號(hào)快速地寫 入輸入信號(hào)電壓。這確保在完全完成寫入輸入信號(hào)電壓之后執(zhí)行遷 移率4交正。為了獲得上述第二顯示裝置，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置包 括^象素陣列部和掃描電路。
<象素陣列部包括以矩陣形式配置的 <象素。每個(gè)像素都包括光電元件和用于采樣和寫入輸入信號(hào)電壓的寫 晶體管。每個(gè)像素還包括用于保持由寫晶體管寫入的輸入信號(hào)電壓 的保持電容和用于基于由保持電容保持的輸入信號(hào)電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)光 電元件的驅(qū)動(dòng)晶體管。掃描電^各包括末級(jí)緩沖器，其電源與前級(jí)的 電路部分隔離。掃描電^各將基于至末級(jí)緩沖器的輸入脈沖的寫脈沖 施加到寫晶體管，從而以行為單位選才奪和掃描像素陣列部中的像 素。下降時(shí)間比輸入脈沖的下降時(shí)間'隄的電源電壓凈皮^是供給末級(jí)緩 沖器的電源。因此，寫^K沖在電源電壓的下降沿處下降。在如上所述配置的顯示裝置和具有其的電子設(shè)備中，提供給末 級(jí)緩沖器電源的電源電壓具有比至末級(jí)緩沖器的輸入脈沖的下降時(shí)間慢的下降時(shí)間。因此，來(lái)自末級(jí)緩沖器的寫脈沖比輸入脈沖慢。 即，寫脈沖較慢地下降。這抑制了當(dāng)寫晶體管截止時(shí)由于耦合所引 起的驅(qū)動(dòng)晶體管柵極電壓的降低。因此，可以抑制驅(qū)動(dòng)晶體管的棚-才及畫源才及電壓的降^氐。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置的示意性結(jié) 構(gòu)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖；圖2是示出像素(像素電路)的具體結(jié)構(gòu)實(shí)例的電路圖；圖3是示出^象素的截面結(jié)構(gòu)實(shí)例的截面圖；圖4是用于描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置的操作 的時(shí)序圖；圖5A ~ 5D是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置的電路才喿 作的示例性示圖(1 );圖6A 6D是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置的電路操 作的示例性示圖(2);圖7是用于描述由驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓Vth的變化所產(chǎn)生的 問(wèn)題的特性圖；圖8是用于描述由驅(qū)動(dòng)晶體管的遷移率p的變化所產(chǎn)生的問(wèn)題 的特性圖；圖9A ~ 9C是用于描述比較具有和不具有閾值和遷移率校正的 三種情況的驅(qū)動(dòng)晶體管的視頻信號(hào)電壓Vsig和漏極-源極電流Ids 之間關(guān)系的特性圖；圖IO是用于描述具有遷移率校正的問(wèn)題的時(shí)序圖；圖11是用于描述用于解決具有遷移率4交正問(wèn)題的才喿作的時(shí)序圖；圖12是示出寫掃描電路的結(jié)構(gòu)實(shí)例的框圖；圖13是示出對(duì)于像素行的輸出電路的結(jié)構(gòu)實(shí)例的電路圖；圖14是用于描述輸出電路操作的時(shí)序波形圖；圖15是用于描述寫晶體管截止時(shí)的問(wèn)題的時(shí)序波形圖；圖16是示出寫掃描電路的結(jié)構(gòu)實(shí)例的框圖；圖17是示出對(duì)于像素行的輸出電路的結(jié)構(gòu)實(shí)例的電路圖；圖18是用于描述輸出電路操作的時(shí)序波形圖；圖19是用于描述寫晶體管截止時(shí)的操作的時(shí)序波形圖；圖20是示出Vdd2電源電^各的結(jié)構(gòu)實(shí)例的電^各圖；圖21是用于描述Vdd2電源電路操作的時(shí)序波形圖；圖22是用于描述適合于不同暗度(shade)的最優(yōu)遷移率校正 時(shí)間的特性圖；圖23是示出應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電視機(jī)的透視圖；圖24A和24B是示出應(yīng)用才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的凄史碼相機(jī)的透 :視圖，圖24A是從相機(jī)的前面看的透視圖，以及圖24B是從其背面 看的透一見圖；視圖；圖26是示出應(yīng)用本發(fā)明的攝影機(jī)的透視圖；以及圖27A ~ 27G是示出應(yīng)用才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的移動(dòng)電話的透一見 圖，圖27A是移動(dòng)電話打開時(shí)的正一見圖，圖27B是其側(cè)視圖，圖 27C是移動(dòng)電話關(guān)閉時(shí)的正^L圖，圖27D是左一見圖，圖27E是右禍L 圖，圖27F是俯視圖，以及圖27G是仰視圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明在完全完成寫入輸入信號(hào)電壓之后執(zhí)行遷移率校正。這 允許以穩(wěn)定方式寫入輸入信號(hào)電壓和遷移率校正，由此消除了不同 像素之間被校正遷移率的任何變化，并提供了改善的圖像質(zhì)量。本發(fā)明還抑制了當(dāng)寫晶體管截止時(shí)由于耦合所引起的驅(qū)動(dòng)晶 體管的柵極-源極電壓的降低。這允許以穩(wěn)定的方式寫入輸入信號(hào)電 壓同時(shí)防止由柵極-源極電壓的降低所產(chǎn)生的亮度的降低。以下將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有源矩陣顯示裝置的示意性結(jié) 構(gòu)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。這里，作為實(shí)例，將給出關(guān)于有源矩陣有機(jī)EL 顯示裝置的描述。該EL顯示裝置〗吏用有機(jī)EL元件作為像素的發(fā)光元件。有機(jī)EL元件是所謂的電流驅(qū)動(dòng)光電元件的實(shí)例，其發(fā)光亮度隨流經(jīng)元件的電流的變化而變化。如圖1所示，根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置10包括像素陣 列部30和設(shè)置在像素陣列部30周圍的、諸如寫掃描電^各40、電源 掃描電3各50和水平驅(qū)動(dòng)電3各60的驅(qū)動(dòng)部。l象素陣列部30具有以 矩陣形式來(lái)兩維配置的l象素(PXLC) 20。驅(qū)動(dòng)部，即，寫掃描、 電源掃描和水平驅(qū)動(dòng)電路40、 50和60驅(qū)動(dòng)每一個(gè)4象素20。m乘n像素陣列的像素陣列部30具有每一個(gè)對(duì)應(yīng)于每一^f象素 -f亍的掃描線31-1 ~ 31-m和電源線32-1 ~ 32-m。 4象素陣列部30還具 有每一個(gè)對(duì)應(yīng)于每一^f象素列的信號(hào)線33-1 ~ 33-n。l象素陣列部30通常形成在諸如玻璃基板的透明絕緣基板上并 具有平板結(jié)構(gòu)。像素陣列部30的每個(gè)像素20可用非晶硅TFT (薄 膜晶體管)或低溫多晶硅TFT形成。當(dāng)使用低溫多晶硅TFT時(shí)， 寫掃描電^各40、電源掃描電^各50和7JC平驅(qū)動(dòng)電^各60還可^皮并入其 上形成有^象素陣列部30的顯示面一反(基板)上。寫掃描電路40包括移位寄存器或其它部件。為了將視頻信號(hào) 寫入到像素陣列部30的像素20,寫掃描電路40將順序的掃描信號(hào) WS1 ~ WSm ^是供鄉(xiāng)會(huì)掃描線31-1 ~ 31-m，從而以4亍為單位執(zhí)行^象素 20的線性順序掃描。電源掃描電路50包括移位寄存器或其它部件。電源掃描電^各 50與寫掃描電^各40的線性順序掃描同步地將電源線電位DS1 ~ DSml是供鄉(xiāng)會(huì)電源線32-1 ~32-m。電源線電位DS1 DSm在第一電 位Vccp和比第 一 電^f立Vccp <氐的第二電位Vini之間切換。這里， 第二電位Vini充分4氐于由水平驅(qū)動(dòng)電3各60施加的偏移電壓Vofs。水平驅(qū)動(dòng)電路60適當(dāng)?shù)剡x擇與由信號(hào)供給源(未示出)提供的亮度信息相當(dāng)?shù)囊曨l信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig和^L頻信號(hào)的偏移電 壓Vofs中的一個(gè)。然后，水平驅(qū)動(dòng)電路60經(jīng)由信號(hào)線33-l~33-n例如以列為單位同時(shí)將所選^r的電壓寫入到像素陣列部30的每一列的像素20。即，水平驅(qū)動(dòng)電路60采用用于以列(線)為單位S夸 視頻信號(hào)電壓Vsig同時(shí)寫入每一列的像素的線性順序驅(qū)動(dòng)。(像素電路)圖2是示出像素(像素電路)20的具體結(jié)構(gòu)實(shí)例的電路圖。如 圖2所示，像素電路20包括作為發(fā)光元件的有才幾EL元件21。有 機(jī)EL元件是所謂電流驅(qū)動(dòng)光電元件的實(shí)例，其發(fā)光亮度隨流經(jīng)元 件的電流的變4匕而變4匕。除有才幾EL元件21之外，^象素電路20包 括驅(qū)動(dòng)晶體管22、寫晶體管23、保持電容24和輔助電容25。這里，N溝道TFTN皮用作驅(qū)動(dòng)和寫晶體管22和23。然而，應(yīng) 當(dāng)注意，這里給出的驅(qū)動(dòng)和寫晶體管22和23的導(dǎo)電類型組合4又<又 是示例性的。其組合不限于上面所描述的。有機(jī)EL元件21具有連接至^皮所有像素20共享的公共電源線 34的陰才及電才及。驅(qū)動(dòng)晶體管22的源才及連接至有才幾EL元件21的陽(yáng) 極電極以及其漏極連接至電源線32 (32-l~32-m的任意一個(gè))。寫晶體管23的柵極連接至掃描線31 ( 31-1 ~ 31-m中的任意一 個(gè))、其源極連接至信號(hào)線33 (33-l~33-n中的任意一個(gè))以及其 漏極連接至驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極。保持電容24具有連接至驅(qū)動(dòng)晶 體管22柵極的一端以及連接至驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極(有機(jī)EL元 4牛21的P日才及電才及)的另一端。輔助電容25具有連接至驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極的一端以及連4妄 至有才幾EL元件21的陰極電極(^>共電源線34)的另一端。輔助 電容25與有才幾EL元件21并耳關(guān)連4妄，由此補(bǔ)償有才幾EL元件21電 容的不足。即，輔助電容25并不是絕對(duì)必須的部件，而是如果有 機(jī)EL元件21具有足夠的電容則可以省略。在如上所述配置的〗象素20中，響應(yīng)于通過(guò)寫掃描電路40經(jīng)由 掃描線31施加到其柵極的掃描信號(hào)WS,寫晶體管23導(dǎo)通。因此， 寫晶體管23對(duì)與量亮度信息相當(dāng)?shù)囊曨l信號(hào)的輸入信號(hào)電壓Vsig 和經(jīng)由信號(hào)線33由水平驅(qū)動(dòng)電路60提供的視頻信號(hào)的偏移電壓 Vofs中的一個(gè)進(jìn)行采樣，并將所選擇的電壓寫入到像素20。通過(guò)保 持電容24保持輸入信號(hào)電壓Vsig或偏移電壓Vofs的寫入電壓。當(dāng)電源線32的電^f立DS處于第一電位Vccp時(shí)，馬區(qū)動(dòng)晶體管22 被提供有來(lái)自電源線32 (32-l~32-m中的任意一個(gè))的電流。因 此，驅(qū)動(dòng)晶體管22將與輸入信號(hào)電壓Vsig相當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)電流提供給 有才幾EL元件21 ，由此用電流驅(qū)動(dòng)有才幾EL元4牛21 。(像素結(jié)構(gòu))圖3示出像素20的截面結(jié)構(gòu)的實(shí)例。如圖3所示，像素或^f象 素電^各20包括驅(qū)動(dòng)和寫晶體管22和23以及形成在3皮璃基板201 上的其它部件。在〗象素電^各的頂部，形成絕緣力莫202和窗(window ) 絕緣膜203。有機(jī)EL元件21被設(shè)置在窗絕緣膜203的凹部203A中。對(duì)于所有像素，有機(jī)EL元件21包括陽(yáng)極電極204、有機(jī)層(電 子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸/注入層)205以及形成在有機(jī)層205 上的陰極電極206。陽(yáng)極電極204包括例如形成在窗絕緣膜203的 凹部203A底部上的金屬。陰才及電才及206包括例如透明導(dǎo)電膜。在有才幾EL元件21中，通過(guò)在陽(yáng)才及電極204的頂部上順序沉4口、 空穴傳輸/注入層2051、發(fā)光層2052、電子傳輸層2053和電子注入 層(未示出)來(lái)形成有機(jī)層205。由于通過(guò)圖2所示的驅(qū)動(dòng)晶體管 22用電流來(lái)驅(qū)動(dòng)有才幾EL元件21,所以電流經(jīng)由陽(yáng)才及電才及204 乂人馬區(qū) 動(dòng)晶體管22流向有機(jī)層205。這使得電子和空穴在有4幾層205的發(fā) 光層2052中再結(jié)合，由此4吏有才幾EL元件21發(fā)光。如圖3所示，在經(jīng)由絕緣膜202和窗絕緣膜203在3皮璃基板201 上為每個(gè)像素形成有機(jī)EL元件21之后，利用粘合劑209經(jīng)由鈍化 膜207將密封基板208附著至有機(jī)EL元件21。由于有機(jī)EL元4牛 21 一皮密佳于14反208密去于，由ot匕形成顯示面才反70。(閾值校正功能)這里，在寫晶體管23導(dǎo)通之后，電源掃描電路50在第一和第 一電位Vccp和Vini之間切換電源線32的電位DS,同時(shí)水平馬區(qū)動(dòng) 電路60將偏移電壓Vofs提供給信號(hào)線33 ( 33-1 ~ 33-n中的任意一 個(gè))。該電源線32的電位DS的切換確保了對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的 閾值電壓Vth的電壓纟皮保持電容24保持。由于以下原因，對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth的電壓 由保持電容24保持。即，驅(qū)動(dòng)晶體管22的特性(例如，閾值電壓 Vth和遷移率|^)可能由于例如制造工藝改變或長(zhǎng)期變化而在不同 像素之間發(fā)生變化。即使將相同的電位施加到所有驅(qū)動(dòng)晶體管22 的柵極，這種變化也會(huì)導(dǎo)致不同像素之間漏極-源極電流(驅(qū)動(dòng)電流) Ids的變化。這導(dǎo)致發(fā)光亮度發(fā)生變化。保持電容24^f呆持對(duì)應(yīng)于閾 值電壓Vth的電壓，以消除(才交正)不同像素之間閾<直電壓Vth變 化的影響。以下述方式校正驅(qū)動(dòng)晶體管22的闊值電壓Vth。即，保持電容 24提前保持閾值電壓Vth。結(jié)果，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22 ^皮輸入信號(hào)電 壓Vsig驅(qū)動(dòng)時(shí)，馬區(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth^皮與由j呆持電容24 保持的閾值電壓Vth相對(duì)應(yīng)的電壓消除。換句話-說(shuō)，閾值電壓Vth 被校正。閾值校正功能如上述所述進(jìn)行運(yùn)作。即使在不同像素之間的閾 值電壓Vth改變或長(zhǎng)期變化的情況下，該功能也能維持有機(jī)EL元 件21的發(fā)光亮度。(遷移率校正功能)圖2中所示的像素20不僅具有上述閾值4交正功能，而且還具 有遷移率校正功能。即，當(dāng)保持電容24保持輸入信號(hào)電壓Vsig時(shí)， 遷移率一皮才交正以消除在遷移率才交正周期期間驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏才及-源才及電流Ids對(duì)遷移率p的依賴性。遷移率一交正周期是水平驅(qū)動(dòng)電 路60將視頻信號(hào)電壓Vsig提供給信號(hào)線33 ( 33-1 ~ 33-n中的任意 一個(gè))以及寫晶體管23響應(yīng)于來(lái)自寫掃描電^各40的掃描信號(hào)WS (WSl WSm中的4壬意一個(gè))而導(dǎo)通的時(shí)間周期。稍后將描述遷 移率4交正的詳細(xì)原理和，喿作。(引導(dǎo)(bootstrap)功能)圖2中所示出的像素20還具有引導(dǎo)功能。即，當(dāng)保持電容24 寸呆持輸入信號(hào)電壓Vsig時(shí)，水平驅(qū)動(dòng)電路60 4亭止將掃描信號(hào)WS (WS1 ~ WSm中的任意一個(gè))提供給掃描線31 ( 31-1 ~ 31-m中的 任意一個(gè))。這使得驅(qū)動(dòng)晶體管23停止導(dǎo)通，將驅(qū)動(dòng)晶體管22的 柵極與信號(hào)線33 (33-l~33-n中的任意一個(gè))電隔離。結(jié)果，驅(qū)動(dòng) 晶體管22的柵極電位Vg隨著其源極電位Vs的變化而變化。這侵L 驅(qū)動(dòng)晶體管22的才冊(cè)極畫源極電壓Vgs維持恒定。(電路操作)接下來(lái)，將基于圖4所示的時(shí)序圖并參考圖5A 5D和6A 6D所示的示例性示圖給出關(guān)于根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置 IO的電路操作的描述。應(yīng)當(dāng)注意，為了附圖的簡(jiǎn)化，在圖5A 5D 和圖6A 6D中，由開關(guān)符號(hào)表示寫晶體管23。還應(yīng)當(dāng)注意，有枳j EL元件21具有寄生電容，且該寄生電容和輔助電容25由組合電 容Csub表示。圖4的時(shí)序圖在共同的時(shí)間軸上示出在1H (H表示水平掃描 周期)的周期內(nèi)，掃描線31 (31-l~31-m中的4壬意一個(gè))的電4立 (掃描線)WS的變4匕、電源線32 (32-l~32-m中的4壬意一個(gè))的 電位DS的變化以及驅(qū)動(dòng)晶體管22的4冊(cè)極和源才及電位Vg和Vs的 變化。直到時(shí)間t2,掃描線31的電位(掃描信號(hào))WS的波形由點(diǎn) 劃線表示，電源線32的電位DS的波形由虛線表示，以將它們進(jìn)4亍 區(qū)分。乂人時(shí)間t3以后，兩個(gè)波形啫P由實(shí)線表示。(發(fā)光周期)在圖4的時(shí)序圖中，在時(shí)間tl之前，有機(jī)EL元件21發(fā)光(發(fā) 光周期)。在該發(fā)射周期期間，電源線32的電位DS處于高電位Vccp (第一電位)。如圖5A所示，驅(qū)動(dòng)電流(漏極-源極電流)Ids經(jīng)由 驅(qū)動(dòng)晶體管22從電源線32提供給有機(jī)EL元件21。因此，有機(jī)EL 元件21以與驅(qū)動(dòng)電流Ids相當(dāng)?shù)牧炼劝l(fā)光。<閾值校正的準(zhǔn)備周期>在時(shí)間tl處，新掃描場(chǎng)(field)的線性順序掃描開始。當(dāng)電源 線32的電位DS 乂人高電位Vccp變化至比信號(hào)線33的偏移電壓Vofs足夠低的低電位Vini (第二電位)時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電^f立 Vs也開始卩爭(zhēng)至〗氐電4立Vini。接下來(lái)，寫掃描電路40在時(shí)間t2處輸出掃描信號(hào)WS,從而 將掃描線31的電位WS變至高電位。結(jié)果，寫晶體管23如圖5C 所示開始導(dǎo)通。此時(shí)，水平驅(qū)動(dòng)電路60將偏移電壓Vofs提供給信 號(hào)線33。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管22的片冊(cè)4及電位Vg變得等于偏移電壓 Vofs。另一方面，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源才及電位Vs處于比偏移電壓Vofs 足夠低的^氐電位Vini。這里，設(shè)置低電位Vini,使得驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓 Vgs大于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth。如上所述，當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管 22的沖冊(cè)才及和源才及電位Vg和Vs分別#1初始化為偏移電壓Vofs和<氐 電位Vini時(shí)，完成閾值電壓4交正的準(zhǔn)備。<閾值校正周期>4妄下來(lái)，當(dāng)如圖5D所示電源線32的電位DS在時(shí)間t3處乂人^f氐 電位Vini變至高電位Vccp時(shí)，馬區(qū)動(dòng)晶體管22的源才及電位Vs開始 增加。驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs將很快變得等于驅(qū)動(dòng)晶 體管22的閾值電壓Vth，使得對(duì)應(yīng)于閾值電壓Vth的電壓將被寫入 保持電容24。這里，為了方i"更，將對(duì)應(yīng)于閾值電壓Vth的電壓一皮寫入保持電 容24的時(shí)間周期稱為閾值校正周期。應(yīng)當(dāng)注意，在闊值校正周期 期間，i殳置乂^共電源線34的電位Vcath以使有4幾EL元件21進(jìn)入 截止?fàn)顟B(tài)。這用于確保所有電流都流入保持電容24,而沒有流進(jìn)入 有機(jī)EL元件21。接下來(lái)，在時(shí)間t4處，掃描線31的電位WS變至低電位。結(jié) 果，如圖6A所示，寫晶體管23停止導(dǎo)通。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22 的柵極被置于浮置狀態(tài)。然而，柵極-源極電壓Vgs等于驅(qū)動(dòng)晶體 管22的閾值電壓Vth。結(jié)果，驅(qū)動(dòng)晶體管22處于截止?fàn)顟B(tài)。由此， 漏-敗-源才及電流Ids不流動(dòng)。<寫入周期/遷移率校正周期>才妄下來(lái)，如圖6B所示，信號(hào)線33的電位在時(shí)間t5處從偏移 電壓Vofs變至^f見頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig。然后，在時(shí)間t6處，掃 描線31的電位WS變至高電位。結(jié)果，如圖6C所示，寫晶體管 23開始導(dǎo)通，對(duì)一見頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig進(jìn)4亍采樣。作為通過(guò)寫晶體管23對(duì)輸入信號(hào)電壓Vsig進(jìn)行采樣的結(jié)果， 驅(qū)動(dòng)晶體管22的才冊(cè)才及電4立Vg變4尋等于車t入信號(hào)電壓Vsig。此時(shí)， 有才幾EL元件21處于截止?fàn)顟B(tài)(高阻狀態(tài))。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管22 的漏才及-源才及電流Ids流入與有才幾EL元件21并Jf關(guān)連4妻的組合電容 Csub,因此開始對(duì)組合電容Csub充電。由于組合電容Csub被充電，驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs開 始增加。驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs將4艮快變得等于Vsig + Vth-AV。即，從由保持電容24保持的電壓中減去源極電位的增 量AV。換句話說(shuō)，增量AV起對(duì)由保持電容24保持的電荷進(jìn)行放 電的作用。這意味著施加了負(fù)反饋。因此，源極電位Vs的增量AV 是負(fù)反饋的反饋量。如上所述，流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源才及電流Ids被反饋到 驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極輸入，即，反饋到柵極-源才及電壓Vgs。這消 除了驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏才及-源才及電流Ids對(duì)遷移率p的依賴性。即， 才丸^亍遷移率4交正以4交正不同^象素之間遷移率的變化。更具體地，視頻信號(hào)的信號(hào)電壓Vsig越高，漏極-源極電流Ids 越高，因此，負(fù)反饋的反饋量(校正量)AV的絕對(duì)值越大。這允 許根據(jù)發(fā)光亮度等級(jí)來(lái)進(jìn)行遷移率校正。此外，如果假定視頻信號(hào) 的信號(hào)電壓Vsig恒定，則驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率p越大，負(fù)反饋 的反饋量AV的絕對(duì)值越大。這消除了不同像素之間遷移率p的變 化。<發(fā)光周期>接下來(lái)，在時(shí)間t7處，掃描線31的電位WS變至低電位。結(jié) 果，如圖6D所示，寫晶體管23停止導(dǎo)通(截止)。因此，驅(qū)動(dòng)晶 體管22的斥冊(cè)極與信號(hào)線33斷開。此時(shí)，漏極-源才及電流Ids開始流 入有才幾EL元件21。結(jié)果，有才幾EL元件21的陽(yáng)才及電位隨著漏才及-源才及電;危Ids的i曾力口而i曾力口 。有機(jī)EL元件21的陽(yáng)極電位的升高即是驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極 電位Vs的升高。如果驅(qū)動(dòng)晶體管22的源極電位Vs增加，則由于 保持電容24的引導(dǎo)操作而引起驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電位Vg同樣 增加。此時(shí)，柵極電位Vg的增量等于源極電位Vs的增量。因此， 在發(fā)光周期期間，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs 一皮恒定;也寸呆 持為Vsig + Vth - AV。然后，在時(shí)間t8處，信號(hào)線33的電位從牙見 頻信號(hào)的^f言號(hào)電壓Vsig變至偏移電壓Vofs。(閾值校正原理)這里，以下將給出關(guān)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值校正原理的描述。 當(dāng)被設(shè)計(jì)為在飽和區(qū)域中操作時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22作為恒定電流源 進(jìn)行運(yùn)行。這使驅(qū)動(dòng)晶體管22將由下面等式(1 )給出的漏極-源極 電流(驅(qū)動(dòng)電流)Ids的恒定電平^是供《合有才幾EL元件21 。<formula>formula see original document page 23</formula>其中，W是驅(qū)動(dòng)晶體管22的溝道寬度、L是溝道長(zhǎng)度，以及 Cox是每單位面積的柵極電容。圖7示出了驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids對(duì)柵極-源極電 壓Vgs的特性。如該特性圖所示的，在沒有校正驅(qū)動(dòng)晶體管22的 閾值電壓Vth變化的情況下，當(dāng)閾值電壓Vth為Vthl時(shí)，與柵極-源才及電壓Vgs相關(guān)耳關(guān)的漏初L-源才及電流Ids為Idsl 。另 一方面，當(dāng)閾 值電壓Vth為Vth2 ( Vth2〉Vthl )時(shí)，與相同的4冊(cè)4及-源4及電壓Vgs 相關(guān)耳關(guān)的漏才及-源才及電流Ids為Ids2 (Ids2<Idsl )。即，如果驅(qū)動(dòng)晶 體管22的閾值電壓Vth改變，則即使當(dāng)柵極-源極電壓Vgs保持恒 定時(shí)，漏才及-源才及電流Ids同才羊會(huì)改變。另一方面，在像素(像素電路)20被如上所述進(jìn)行配置的情況 時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電壓Vgs在發(fā)光時(shí)間處為如早先所 才是到的Vsig +Vth-AV。通過(guò)一等其^入等式(1 ),可由下面的等式 表示漏才及-源才及電流Ids:<formula>formula see original document page 23</formula>即，驅(qū)動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth項(xiàng)被取消。因此，從驅(qū)動(dòng) 晶體管22提供給有機(jī)EL元件21的漏極-源極電流Ids不依賴于驅(qū) 動(dòng)晶體管22的閾值電壓Vth。結(jié)果，即4吏在由于制造工藝改變或長(zhǎng) 期變化引起不同像素之間閾值電壓Vth的變化的情況下，漏極-源極 電流Ids保持不變。因此，有才幾EL元件21的發(fā)光亮度也^f呆持不變。(遷移率4交正的原理)接下來(lái)，下面將給出關(guān)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的遷移率校正原理的描述。圖8示出了比較兩個(gè)像素的特性曲線。 一條曲線表示像素A, 其驅(qū)動(dòng)晶體管22具有相對(duì)較大等級(jí)的遷移率[i。另一條曲線表示像 素B，其驅(qū)動(dòng)晶體管22具有相對(duì)較小等級(jí)的遷移率p。如果驅(qū)動(dòng)晶 體管22例如是多晶硅薄膜晶體管，遷移率n不可避免地在不同像 素之間變4匕。例如，假設(shè)當(dāng)遷移率(i在兩個(gè)像素之間不同時(shí)，將相同電平的 輸入信號(hào)電壓Vsig寫入像素A和B。在這種情況下，沒有遷移率p 的任何校正，將會(huì)在流入具有較大遷移率p的像素A的漏極-源極 電流Idsl，和流入具有4交小遷移率fi的<象素B的漏才及-源才及電流Ids2， 之間存在很大的不同。因此，由于遷移率p的變化引起的像素之間 的漏極-源極電流Ids較大的不同將損害屏幕上的均勻性。如從關(guān)于晶體管特性的等式(1 )可以清楚得知，遷移率|1越 大，則漏才及-源才及電流Ids越大。因此，遷移率[A越大，負(fù)反々責(zé)的反 饋量AV越大。如圖8所示，具有較大遷移率|a的像素A的反饋量 △VI大于具有較小遷移率n的像素B的反饋量AV2。為此，遷移 率校正將驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電流Ids反饋到輸入信號(hào)電壓 Vsig。結(jié)果，遷移率[i越大，則越多的漏才及-源才及電流Ids^皮反饋。 這抑制了遷移率p的變化。更具體地，如果使用反饋量AV1校正具有較大遷移率p的像 素A，則漏極-源極電流Ids從Idsl，顯著地降至Idsl。另一方面，具 有較小遷移率p的像素B的反饋量AV2是小的。因此，漏極-源極 電流Ids僅從Ids2，降至Ids2，這不是顯著的下降。結(jié)果，像素A的 漏才及-源才及電流Idsl變?yōu)榻频扔赹f象素B的漏才及-源才及電流Ids2,由 此才交正遷移率p的變^f匕。綜上所述，如果像素A和B具有不同的遷移率p值，則具有 較大遷移率p的像素A的反饋量AV1大于具有較小遷移率p的像 素B的反饋量AV2。即，像素的遷移率]a越大，反饋量AV越大， 以及漏極-源極電流Ids降得越多。即，驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極 電流Ids被反饋到輸入信號(hào)電壓Vsig。這提供了具有均一漏極-源極 電流Ids的具有不同遷移率p的不同〗象素，由此4吏遷移率p的變4匕 被校正。這里，以下將給出關(guān)于圖2所示像素(像素電路)20中的視頻 信號(hào)的信號(hào)電位(釆樣電位)Vsig和驅(qū)動(dòng)晶體管22的漏極-源極電 流Ids之間關(guān)系的描述。將參考圖9A-9C描述比較具有和不具有 閾值和遷移率4交正的三種情況的這種關(guān)系。圖9A示出不具有閾^直或遷移率沖交正的情況。圖9B示出具有 閾值4交正4旦不具有遷移率才交正的情況。圖9C示出既具有閾值4交正 又具有遷移率才交正的情況。如圖9A所示，如果既不4丸4亍閾值才交正 也不執(zhí)行遷移率校正，則在像素A和B之間存在壽交大的漏極-源極 電流Ids差，這是因?yàn)閮蓚€(gè)像素之間閾值電壓Vth和遷移率ja的變 化。相反，如果只執(zhí)行閾值校正，則如圖9B所示，通過(guò)該閾值校 正，漏極-源極電流Ids的變化可被降低至某種程度。然而，在像素 A和B之間還存在漏4及-源極電流Ids差，其歸因于兩個(gè)l象素之間遷 移率ia的變^f匕。當(dāng)既#^亍闊<直4交正又#^亍遷移率才交正時(shí)，幾乎完全 消除了歸因于<象素A和B之間閾^直電壓Vth和遷移率ja變>[匕的兩 個(gè)^f象素之間的漏才及-源才及電流Ids差。結(jié)果，乂十于所有暗度，有枳j EL元件21的亮度保持不變，由此提供了良好的屏幕圖像。(具有遷移率校正的問(wèn)題)這里，下面將參考圖10所示的時(shí)序圖描述具有遷移率校正的 問(wèn)題。vMv電鴻"操作的上述描述中可以清楚看出，與將車lr入信號(hào)vsig寫入像素20同時(shí)地執(zhí)行遷移率校正，其中，驅(qū)動(dòng)晶體管22還用作 用于控制有機(jī)EL元件21的發(fā)光和非發(fā)光周期的晶體管。當(dāng)完全完 成寫入輸入信號(hào)Vsig時(shí)，優(yōu)選地校正遷移率。然而，如果從寫掃描電路40輸出以驅(qū)動(dòng)寫晶體管23的掃描信 號(hào)WS不快速升高，則在完全完成寫入輸入信號(hào)Vsig之前花費(fèi)專交長(zhǎng) 時(shí)間。因此，當(dāng)寫入輸入信號(hào)Vsig還在進(jìn)行時(shí)，遷移率已被校正。如上所述，如果在沒有完全完成寫入輸入4言號(hào)Vsig時(shí)遷移率 被校正，則存在校正量(即，具有較大遷移率n的像素和具有較小 遷移率p的另一個(gè)像素之間的負(fù)反饋的反饋量AV)的不同。這個(gè) 不同導(dǎo)致兩個(gè)像素之間遷移率校正的變化，由此引起輝紋并降低圖 像質(zhì)量。(本實(shí)施例的特有特征)因此，本發(fā)明的本實(shí)施例立即激活掃描線WS,即，使上升沿 陡峭'。這降〗氐了需要完成寫入輸入信號(hào)Vsig的時(shí)間。因此，盡管遷 移率校正與寫入輸入信號(hào)Vsig同時(shí)開始，但當(dāng)完全完成其寫入時(shí)遷 移率被校正。這消除了不同像素之間遷移率校正的變化。[實(shí)施例1]以下將給出關(guān)于用于產(chǎn)生掃描信號(hào)WS的陡峭上升的上升沿的 具體實(shí)施例的描述。如先前提到的，從寫掃描電路40輸出掃描信號(hào)WS (WS1 ~ WSm中的任意一個(gè))。如圖12所示，寫掃描電路40包括移位寄存 器41、邏輯電^各42和輸出電^各43。對(duì)于每個(gè)^f象素行，輸出電^各43 包括多級(jí)緩沖器。寫掃描電路40結(jié)合到顯示面板70上作為用于驅(qū) 動(dòng)l象素陣列部30的4象素20的馬區(qū)動(dòng)丟卩。寫掃描電路40例如經(jīng)由軟電纜90被提供有定時(shí)信號(hào)以及來(lái)自 外部設(shè)置到顯示面板70的控制板80的電源電壓。更具體地，控制 板80具有例如定時(shí)發(fā)生器81、 Vddl電源電^各82和Vdd2電源電 3各83的部件。定時(shí)發(fā)生器81生成時(shí)4f "永沖CK和起始"永沖ST,并將這些4言 號(hào)提供給移位寄存器41。時(shí)鐘脈沖CK用作操作移位寄存器41的 基準(zhǔn)。起始脈沖ST指示移位寄存器41開始移位操作。定時(shí)發(fā)生器 81還生成使能脈沖EN，并將該信號(hào)提供給邏輯電路42。該使能月永 沖EN確定掃描〗言號(hào)WS的力永沖寬度。Vddl電源電^各82生成DC電源電壓Vddl。電源電壓Vddl祐二 作為正電源電壓經(jīng)由軟電纜90提供給移位寄存器41、邏輯電路42 和除末級(jí)緩沖器431以外的輸出電路43的所有緩沖器。Vdd2電源電^各83生成例如與4吏能脈沖EN同步的3永沖形式的 電源電壓Vdd2。優(yōu)選地，電源電壓Vdd2 ^皮i殳置得高于電源電壓431。本實(shí)施例將脈沖形式的電源電壓Vdd2提供給末級(jí)緩沖器431。(輸出電路的電路配置)圖13是示出對(duì)于像素行的輸出電路43的結(jié)構(gòu)實(shí)例的電路圖。 這里，輸出電^各43包括兩級(jí)緩沖器，即，末級(jí)1￡沖器431和前纟及 IC沖器432。然而，本實(shí)施例不限于兩級(jí)結(jié)構(gòu)。末級(jí)緩沖器431被配置為CMOS變換器，并包括P溝道MOS 晶體管Pll和N溝道MOS晶體管Nll。晶體管Pll和Nll具有連 4妄在一起的4冊(cè)才及和連4妄在一起的漏才及。月永沖形式的電源電壓Vdd2 4皮施加到MOS晶體管Pll的源極，以及DC電源電壓Vss被施加 到MOS晶體管Nil的源才及。前級(jí)緩沖器432被配置為CMOS變換器，并包括P溝道MOS 晶體管P12和N溝道MOS晶體管N12。晶體管P12和N12具有連 才妻在一起的才冊(cè)才及和連才妄在一起的漏才及。DC電源電壓Vddl被施力口到 MOS晶體管P12的源才及，以及DC電源電壓Vss尋皮施力o到MOS晶 體管N12的源才及。(輸出電路的操作)接下來(lái)，將參考圖14的定時(shí)波形圖描述如上所述配置的輸出 電路43的才喿作。在輸出電路43中，移位脈沖作為輸入脈沖A經(jīng)由邏輯電路42 /人移位寄存器41々貴送到前級(jí)纟爰沖器432。移位3永沖在時(shí)間tll處上 升以及在時(shí)間t13處下降。因?yàn)?永沖通過(guò)移位寄存器41和邏輯電^各 42的電^各部，所以flT入"永沖A的上升沿和下P爭(zhēng)沿變4尋不那么陡峭。 因此，輸入脈沖A具有緩慢傾斜的上升沿和下降沿。輸入3永沖A 一皮前級(jí)纟爰沖器432反轉(zhuǎn)極性。豸命入3永沖A被末級(jí) 緩沖器431再一次反轉(zhuǎn)極性以變成輸出脈沖B。此時(shí)，電源電壓Vdd2 -故作為正電源電壓經(jīng)由專欠電纜90 /人_沒置在控制—反80上的Vdd2電 源電路83施加到末級(jí)緩沖器431。電源電壓Vdd2變4尋有效，即， 在^v時(shí)間tll開始的預(yù)定時(shí)間周期內(nèi)在時(shí)間t2處升至Vdd2電平。電源電壓Vdd2不具有延遲，因?yàn)槠洳煌ㄟ^(guò)顯示面板70的任4可 電路部分。當(dāng)施加給末級(jí)緩沖器431時(shí)，電源電壓Vdd2具有陡峭 上升的上升沿。這確〗呆不同于lt入"永沖A,電源電壓Vdd2不經(jīng)歷 由于通過(guò)諸如移位寄存器41和邏輯電路42的電路部分所引起的上升沿卩走度的任何降低。如上所述，輸出月永沖B 一皮運(yùn)4亍在具有陡哨上升的上升沿的電源 電壓Vdd2上的末級(jí)緩沖器431反轉(zhuǎn)極性。因?yàn)檩敵鲈掠罌_B的上升 沿由電源電壓Vdd2的上升沿確定，所以輸出脈沖B具有陡峭上升 的上升沿。應(yīng)當(dāng)注意，輸出脈沖B的下降沿由輸入脈沖A的下降沿 確定。因此，輸出脈沖B具有緩慢下降的下降沿。輸出脈沖B作為 掃描線WS 一皮施加到相關(guān)4象素行中的每個(gè)像素20的寫晶體管23的 柵極。如上所述，寫掃描電路40中的輸出電路的末級(jí)緩沖器431的 正電源與前級(jí)的電^各部分隔離。"永沖形式(方波)的電源電壓Vdd2 (例如與使能脈沖EN同步)被提供給末級(jí)緩沖器431作為正電源 電壓，使得輸出脈沖B(即，掃描信號(hào)WS)在電源電壓Vdd2的上 升沿處上升。歸功于電源電壓Vdd2陡哨上升的上升沿，掃描4言號(hào) WS可一皮立即;敫活，即，可產(chǎn)生掃描4言號(hào)WS陡峭'上升的上升沿。這能夠降低寫晶體管22完全完成寫入輸入信號(hào)電壓Vsig所需 的時(shí)間。結(jié)果，盡管遷移率校正與寫入輸入信號(hào)Vsig同時(shí)開始，但當(dāng)完全完成其寫入時(shí)，遷移率凈皮才交正。這消除了不同^f象素之間遷-多 率校正的變化，由此抑制了輝紋并#是供改進(jìn)的圖<象質(zhì)量。順便提及，如果末級(jí)緩沖器431的正電源沒有與前級(jí)的電^各吾卩 隔離，以及如果DC電源Vddl被提供給末級(jí)緩沖器431的正電源， 則輸出脈沖B的上升時(shí)間由P溝道MOS晶體管Pll的尺寸確定。 然而，寫掃描電3各40 ^皮i殳置在有限的空間中。因此，存在增力口 P 溝道MOS晶體管Pll尺寸的限制。這意味著還存在降低輸出月永沖 B的上升時(shí)間t (例如約200 ns )的限制。相反，施加到末級(jí)緩沖器431正電源的脈沖形式的電源電壓 Vdd2可將上升時(shí)間t降低至100 ns以下。輸出脈沖B的上升時(shí)間 不由P溝道MOS晶體管Pll的尺寸確定。取而^之，其上升時(shí)間 等于脈沖形式的電源電壓Vdd2的上升時(shí)間。結(jié)果，輸出脈沖B的 上升時(shí)間還可^皮降^f氐至100ns以下。在上述實(shí)施例中，已經(jīng)描述了作為在高電平處有效的正邏輯的 輸出脈沖B被生成為掃描信號(hào)WS的實(shí)例的情況。然而，當(dāng)生成在 低電平處有效的負(fù)邏輯的輸出脈沖B，時(shí)，本實(shí)施例也可以應(yīng)用。在 這種情況下，輸出電^各43的末級(jí)脈沖431的負(fù)電源與其他電^各部 分隔離。然后，月永沖形式的電源電壓Vdd2 ^皮作為負(fù)電源電壓^是供 給末級(jí)緩沖器431 。這4吏得可以4是供具有陡峭下降的下降沿的負(fù)邏 1辱的車#出月永沖B，。[實(shí)施例2]接下來(lái)將給出關(guān)于用于產(chǎn)生寫脈沖緩慢下降的下降沿的具體 實(shí)施例的描述，其中，寫脈沖用于寫入輸入信號(hào)電壓Vsig (后半部 分中的掃描信號(hào)WS)。輸出尋址驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)、維持電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)、和掃描電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)；和電源，其用于將輸入電源提供給所述尋址電極驅(qū)動(dòng)器、所述掃描電極驅(qū)動(dòng) 器、和所述維持電極驅(qū)動(dòng)器，其中，每個(gè)所述復(fù)位單元適于傳感所述輸入電行。在一些實(shí)施例中，當(dāng)所述輸入電源的電壓電平低于設(shè)置電壓時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)器的所述相應(yīng)一個(gè)不運(yùn)行。每個(gè)所述驅(qū)動(dòng)器在集成電路(IC)芯片中執(zhí)行。

本發(fā)明的這些和/或其它方面和特征將結(jié)合附圖從下文對(duì)實(shí)施例的描述中變得清晰而易于理解，所述附圖如下圖1為顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示器的方框圖；圖2為安裝在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的IC內(nèi)部的復(fù)位單元的電路圖；和圖3為顯示如圖2所示的復(fù)位單元的運(yùn)行的時(shí)序圖。
具體實(shí)施方式
下文中，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。在此，當(dāng)一個(gè)元 件謂之為連接到第二元件時(shí)， 一個(gè)元件不僅可以直接連接到該第二元件，還 可以通過(guò)另一元件間接連接到該第二元件。進(jìn)一步，為清晰起見，忽略了一 些對(duì)于整體描述并無(wú)必要的元件。另外，貫穿全文，相同的附圖標(biāo)記指代相 同的元件。圖1為顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示器的方框圖。 如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子體顯示器包括等離子體顯示面 板100、控制器200、尋址電極驅(qū)動(dòng)器300、維持電極驅(qū)動(dòng)器400、掃描電極 驅(qū)動(dòng)器500、供電單元600以及復(fù)位單元700、 701和702。復(fù)位單元安裝在 尋址電極驅(qū)動(dòng)器300、維持電極驅(qū)動(dòng)器400和掃描電極驅(qū)動(dòng)器500中的各個(gè) 內(nèi)部，并檢測(cè)對(duì)其施加的輸入電源Vdd,以控制每個(gè)驅(qū)動(dòng)器的運(yùn)行的復(fù)位或Vdd2具有鄉(xiāng)爰'1"曼下降的下P爭(zhēng)沿)，以及電源電壓Vdd2 ^皮作為正電源 電壓提供給輸出電路43的末級(jí)緩沖器431。(輸出電路的電路配置)圖17是示出對(duì)于像素行的輸出電路43的結(jié)構(gòu)實(shí)例的電路圖。 這里，輸出電^各43包括兩級(jí)緩沖器，即，末級(jí)纟爰沖器431和前纟及 |￡沖器432。然而，本實(shí)施例不限于兩級(jí)結(jié)構(gòu)。末級(jí)緩沖器431被配置為CMOS變換器，并包括P溝道MOS 晶體管Pll和N溝道MOS晶體管Nll。晶體管Pll和Nll具有連 接在一起的柵極和連接在一起的漏極。具有緩慢下降的下降沿的電 源電壓Vdd2 4皮施力口到MOS晶體管Pll的源才及，以及DC電源電壓 Vss萍皮施力口到MOS晶體管Nll的源才及。前級(jí)緩沖器432被配置為CMOS變換器，并包括P溝道MOS 晶體管P12和N溝道MOS晶體管N12。晶體管P12和N12具有連 4妄在一起的才冊(cè)才及和連4妾在一起的漏才及。DC電源電壓Vddl被施力口到 MOS晶體管P12的源才及，以及DC電源電壓Vss尋皮施力口到MOS晶 體管N12的源一及。(輸出電路的操作)接下來(lái)，將參考圖18的定時(shí)波形圖描述如上所述配置的豐命出 電路43的"t喿作。在輸出電^各43中，移位脈沖作為輸入脈沖A經(jīng)由邏輯電^各42 從移位寄存器41饋送到前級(jí)緩沖器432。移位脈沖在時(shí)間tll處上 升并在時(shí)間t13處下降。因?yàn)槊}沖通過(guò)移位寄存器41和邏輯電^各42的電^各部分，所以，ir入力永沖A的上升沿和下卩條沿變4尋不那么卩走 峭。因此，輸入脈沖A具有緩慢傾斜的上升沿和下降沿。輸入脈沖A被前級(jí)緩沖器432反轉(zhuǎn)極性。1#入3永沖A被末^及 緩沖器431再一次反轉(zhuǎn)極性，以變成輸出脈沖B。此時(shí)，電源電壓 Vdd2作為正電源電壓經(jīng)由軟電纜90從設(shè)置在控制板80上的Vdd2 電源電路83施加到末級(jí)緩沖器431。電源電壓Vdd2在時(shí)間t12處 下降，并具有比豸俞入力永沖A的下降時(shí)間慢的下降時(shí)間。電源電壓Vdd2被作為正電源電壓提供給末級(jí)緩沖器431。電 源電壓Vdd2具有比輸入脈沖A的下降時(shí)間慢的下降時(shí)間。因?yàn)檩or 出脈沖B的下降沿由電源電壓Vdd2的下降沿確定，所以用作專命入 信號(hào)電壓Vsig的寫脈沖的輸出脈沖B具有比輸入脈沖A的下P條沿 更l曼的下降沿。(本實(shí)施例的效果)如上所述，來(lái)自末級(jí)緩沖器431的輸出脈沖B的寫脈沖具有比 輸入脈沖A的下降時(shí)間慢的下降時(shí)間。即，寫脈沖比輸入脈沖A 更十曼;也下f爭(zhēng)(例廿口， t =約100 ~ 400 ns )?！房趫D19戶斤示，這才中制了 寫晶體管23截止時(shí)由于保持電容24降低的耦合所引起的驅(qū)動(dòng)晶體 管柵極電壓的降低。柵極電壓的降低比寫脈沖如輸入力永沖A—樣快 下降時(shí)抑制得更多。這抑制了由于寫晶體管23截止時(shí)的耦合大于寫脈沖如輸入脈 沖A—樣快速下降時(shí)的耦合所引起的驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極-源極電 壓Vgs的降低。結(jié)果，可以以穩(wěn)定的方式寫入輸入信號(hào)電壓Vsig, 同時(shí)防止由于柵極-源極電壓的降低所產(chǎn)生的亮度的降低。可選地，通過(guò)改變組成每個(gè)末級(jí)緩沖器431的電^各元件的特性，可產(chǎn)生寫月氷沖纟爰'l"曼下降的下降沿(瞬時(shí)響應(yīng)可減纟爰)。例如，N溝 道MOS晶體管Nil的尺寸可減小。然而，如果寫掃描電路40的不同末級(jí)緩沖器431之間存在電 路元件特性的變化，則存在分別基于每個(gè)末級(jí)緩沖器431產(chǎn)生寫月永 沖的緩慢下降的下降沿的問(wèn)題。即，這種特性變化導(dǎo)致寫掃描電3各 40的不同末級(jí)緩沖器431之間寫脈沖的下降沿波形的變化，可能引 起輝紋并降低的圖像質(zhì)量。另一方面，在本實(shí)施例中，電源電壓Vdd2的下降時(shí)間比々貴送 到末級(jí)緩沖器431的輸入脈沖A的下降時(shí)間慢。將電源電壓Vdd2 作為正電源電壓公共地提供給寫掃描電路40的所有末級(jí)緩沖器 431。來(lái)自所有末級(jí)緩沖器431的寫脈沖在電源電壓Vdd2的下降沿 處降低。這確保了來(lái)自所有末級(jí)緩沖器431的寫^o中的下降沿波形 只由電源電壓Vdd2的下降沿波形確定。這消除了不同末級(jí)緩沖器431之間寫脈沖的下降沿波形的任何 變化，由此抑制了由于不同末級(jí)ll沖器431之間的波形變化所f I起 的輝紋，并提供了改進(jìn)的圖像質(zhì)量。在上述實(shí)施例中，已經(jīng)描述了在高電平處有效的正邏輯的輸出 脈沖B一皮生成為寫脈沖(掃描信號(hào)WS)作為實(shí)例的情況。然而， 當(dāng)生成在低電平處有效的負(fù)邏輯的輸出脈沖B，時(shí)，本實(shí)施例也可以 應(yīng)用。在這種情況下，輸出電路43的末級(jí)緩沖器431的負(fù)電源與 其他電3各部分隔離。然后，將上升時(shí)間比輸入3永沖A，的上升時(shí)間十曼 的電源電壓Vdd2作為負(fù)電源電壓被提供給末級(jí)緩沖器431。這提 供了輸出脈沖B，的緩慢上升的上升沿(可以》文慢輸出脈沖B，的瞬 時(shí)響應(yīng))。(Vdd2電源電3各的結(jié)構(gòu))圖20是示出Vdd2電源電^各83的結(jié)構(gòu)實(shí)例的電^各圖。這里， 一尋纟會(huì)出采用用于生成其下降沿波形具有例如兩個(gè)拐點(diǎn)(knee point) 的電源電壓Vdd2的電路結(jié)構(gòu)作為實(shí)例的描述。然而，下降沿波形 的拐點(diǎn)的凄t量不限于兩個(gè)。如圖20所示，Vdd2電源電路83包括P溝道MOS晶體管P21、 電阻器R21和R22、 N溝道MOS晶體管N21 、 N22和N23以及可 變電阻器VR21和VR22。P溝道MOS晶體管P21具有連接至電源電壓Vddl的電源線的 源才及。電阻器R21連4妄在P溝道MOS晶體管P21的源才及和柵4及之 間。電阻器R22具有連4妄至P溝道MOS晶體管P21的柵極的一端。N溝道MOS晶體管N21連接在電阻器R22的另一端和作為基 準(zhǔn)點(diǎn)的;也之間。第一4空制月永沖DCP1 ^皮^t送到N溝道MOS晶體管 N21的柵極。可變電阻器VR21和VR22具有連接至P溝道MOS 晶體管P21的漏才及的一端。N溝道MOS晶體管N22連接在可變電阻器VR21的另一端和 地之間。第二控制脈沖DCP2被饋送到N溝道MOS晶體管N22的 才冊(cè)極。N溝道MOS晶體管N23連接在可變電阻器VR22的另一端 和地之間。第三控制脈沖DCP3被々貴送到N溝道MOS晶體管N23的柵極。(Vdd2電源電^各的才乘作)接下來(lái)，將參考圖21的定時(shí)波形圖描述如上所述配置的Vdd2 電源電^各83的才喿作。圖21示出了由定時(shí)發(fā)生器81生成的使能力永沖EN和第一、第 二和第三控制月永沖DCP1、 DCP2和DCP3以及來(lái)自末鄉(xiāng)及》爰沖器431 的、用作寫脈沖的輸出脈沖B之間的定時(shí)關(guān)系。4吏能月永沖EN在時(shí)間til ~時(shí)間t14的周期內(nèi)有步丈(高電平)。 第一4空制月永沖DCP1在時(shí)間tll之前的時(shí)間tlO處/人有效變至無(wú)刻: 狀態(tài)(低電平)。在使能脈沖EN有效期間的時(shí)間段消逝之后，在時(shí) 間t16處第一4空制3永沖DCP1 /人無(wú)凌丈變至有效a犬態(tài)。第二控制力永沖 DCP2在4吏能脈沖EN有效期間的時(shí)間t12 ~時(shí)間t13的時(shí)間段內(nèi)有 效。第三控制脈沖DCP3在時(shí)間t12處變?yōu)橛行?，并?吏能脈沖EN 有歲丈期間的時(shí)間^殳消逝后在時(shí)間t15處變?yōu)闊o(wú)歲文。第一控制脈沖DCP1直至?xí)r間t10處是有效的，保持N溝道 MOS晶體管N21導(dǎo)通。這還保持P溝道MOS晶體管P21導(dǎo)通。 結(jié)果，電源電壓Vddl被輸出作為電源電壓Vdd2。這里，可將提供 有電源電壓Vdd2的顯示面板70認(rèn)為是大容性部件。因此，即使在 第一控制脈沖DCP1從有效變至無(wú)效狀態(tài)時(shí)P溝道MOS晶體管P21 在時(shí)間tl0處截止之后，電源電壓Vddl也被保持在如電源電壓Vdd2 的相同電平。然后，在時(shí)間t12處，第二和第三控制月永沖DCP2和DCP3變 為有效，4吏N溝道MOS晶體管N22和N23導(dǎo)通。此時(shí)，電源電壓 Vdd2以由可變電阻器VR21和VR22的組合電阻、顯示面板70的 容性部件和其它確定的時(shí)間常lt下降。接下來(lái)，在時(shí)間tl3處，第二控制脈沖DCP2變?yōu)闊o(wú)效，使N 溝道MOS晶體管N22截止。結(jié)果， <又N溝道MOS晶體管N23寸呆 持導(dǎo)通。此時(shí)，電源電壓Vdd2從拐點(diǎn)011處以由可變電阻器VR22 的電阻和顯示面才反70的容性部件確定的時(shí)間常ft而纟爰'隄下降。*接下來(lái)，在時(shí)間tl4處， -使能^K沖EN變?yōu)闊o(wú)效。然后，在時(shí) 間t15處，第三控制脈沖DCP3從有效變?yōu)闊o(wú)效狀態(tài)，使N溝道 MOS晶體管N23截止。結(jié)果，,人拐點(diǎn)012處開始電源電壓Vdd2 基本保持恒定。然后，在時(shí)間t16處，第一控制脈沖DCP1 乂人無(wú)效變至有效狀 態(tài)，使N溝道MOS晶體管N21導(dǎo)通。此時(shí)，P溝道MOS晶體管 P21導(dǎo)通，使電源電壓Vdd2升至電源電壓Vddl。如上所述，電源電壓Vdd2具有下降特性，例如，具有兩個(gè)拐 點(diǎn)011和012。在圖16中，電源電壓Vdd2經(jīng)由軟電纜卯從控制級(jí)緩沖器431。此時(shí)，電源電壓Vdd2被沿至末級(jí)緩沖器431的電 源3各徑的互連電阻和寄生電容所影響。結(jié)果，電源電壓Vdd2具有 如圖21中以點(diǎn)劃線表示的逐漸傾斜的波形。然后，將電源電壓Vdd2提供給輸出電路43的末級(jí)緩沖器431 作為電源電壓。此外，當(dāng)〗吏能力永沖EN有效時(shí)，來(lái)自每一級(jí)移J立寄 存器41的移位脈沖作為輸入脈沖A (參見圖18 )經(jīng)由邏輯電路42 饋送到末級(jí)緩沖器431。這生成了輸出脈沖B，即，寫脈沖WS, 其在豐俞入^0中A的上升沿處升高并在電源電壓Vdd2的下降沿處下 降。在3口上所述配置的Vdd2電源電^各83中，可以通過(guò)改變可變電 阻器VR21和VR22的電阻來(lái)調(diào)節(jié),人下降沿的起點(diǎn)到拐點(diǎn)011的傾 角和乂人拐點(diǎn)011至拐點(diǎn)012的傾角。這〗吏纟尋可以通過(guò)調(diào)節(jié)可變電阻 器VR21和VR22的電阻爿尋電源電壓Vdd2的下降沿特性i殳置為所 期望的。因此，即4吏在不同顯示面才反70之間最佳^言號(hào)寫入周期(遷移率才交正周期)不同的情況下，也可以通過(guò)改變不同顯示面才反70的 每一個(gè)的可變電阻器VR21和VR22的電阻來(lái)調(diào)整寫3永沖的下降沿 特性。這使得可以修改每個(gè)顯示面板70的寫脈沖的下降沿特性。 因此，可以為每個(gè)顯示面一反70i殳置最佳信號(hào)寫入周期。在前文中，已經(jīng)進(jìn)行了將根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例應(yīng)用到有機(jī)EL 顯示裝置的描述，其中， <象素20具有兩個(gè)晶體管，即，驅(qū)動(dòng)和寫 晶體管22和23，以及其中，與寫入輸入信號(hào)電壓Vsig同時(shí)地4吏正 遷移率。然而，本發(fā)明不限于該應(yīng)用實(shí)例。耳又而^f戈之，本發(fā)明還可 應(yīng)用于如專利文獻(xiàn)1所述配置的有才幾EL顯示裝置。即，在有才幾EL 顯示裝置中，像素20還具有直接連接至驅(qū)動(dòng)晶體管22的開關(guān)晶體 管。開關(guān)晶體管不僅控制有機(jī)EL元件21的發(fā)光和非發(fā)光，還在寫 入豐命入4言號(hào)電壓Vsig之前才交正遷移率。(本實(shí)施例的另 一種效果)然而，應(yīng)當(dāng)注意，如果應(yīng)用于4艮據(jù)本實(shí)施例的有沖幾EL顯示裝 置10或其它與寫入輸入信號(hào)電壓Vsig同時(shí)校正遷移率的有機(jī)EL 顯示裝置，本實(shí)施例纟是供了下述的唯一效果。即，寫脈沖不具有如矩形波的陡峭下降的下降沿，而是具有緩 慢的下降沿。結(jié)果，遷移率才交正周期甚至可以乂人灰色到黑色的暗度 一皮優(yōu)化。即，可為每個(gè)暗度i殳置最優(yōu)遷移率4交正周期。這將在下面 進(jìn)行更詳細(xì)的描述。由于輸入信號(hào)電壓Vsig隨著從白色通過(guò)灰色到黑色的暗度變 化而降低時(shí)，最佳移動(dòng)校正時(shí)間變長(zhǎng)。如圖22所示，該原因是對(duì) 于灰色暗度的流經(jīng)驅(qū)動(dòng)晶體管22的初始電流比對(duì)于白色暗度的電流小。因此，由于驅(qū)動(dòng)晶體管22的工作點(diǎn)，對(duì)于灰色暗度的遷移率才交正所需的時(shí)間4交長(zhǎng)。這里，如果與寫入輸入信號(hào)電壓Vsig同時(shí)4交正遷移率，則寫 晶體管23的導(dǎo)通周期是遷移率校正周期(信號(hào)寫入周期)。當(dāng)輸入 信號(hào)電壓Vsig和寫脈沖WS之間的電平差超過(guò)閾值電壓時(shí)，寫晶體 管23導(dǎo)通。因此，可以說(shuō)寫晶體管23的導(dǎo)通周期，即，遷移率校 正周期依賴于寫"永沖WS的下降沿波形。根據(jù)上述內(nèi)容，因?yàn)閷懨}沖WS緩慢下降，所以當(dāng)由于白色暗 度而^f吏輸入信號(hào)電壓Vsig4交大時(shí)，寫晶體管23在寫脈沖下降沿的 高電平處截止。因此，對(duì)于白色暗度，遷移率校正周期被設(shè)置得較 短。當(dāng)由于灰色暗度而使輸入信號(hào)電壓Vsig較小時(shí)，寫晶體管23 在寫脈沖下降沿的低電平處截止。因此，對(duì)于灰色暗度，遷移率校正周期被設(shè)置得較長(zhǎng)。即，在同時(shí)處理寫入^T入4言號(hào)電壓Vsig和遷移率才交正的有斗幾 EL顯示裝置10中，驅(qū)動(dòng)晶體管23在具有緩慢下降的下降沿(緩 慢瞬時(shí)響應(yīng))的寫脈沖的控制下采樣和寫入輸入信號(hào)電壓Vsig。結(jié) 果，在灰色和白色暗度之間最佳遷移率校正時(shí)間不同。為了處理這 個(gè)不同，可以為每個(gè)暗度設(shè)置最佳遷移率才交正時(shí)間。如上所述，可以為每個(gè)暗度"i殳置最佳遷移率才交正時(shí)間。因此， 可以以可靠的方式為白色到黑色的所有暗度4丸4亍用于消除不同像 素之間遷移率p的變化的遷移率4交正，由此^是供進(jìn)一步改進(jìn)的圖4象 質(zhì)量。應(yīng)當(dāng)注意，在上述實(shí)施例中，已經(jīng)描述了將實(shí)施例應(yīng)用到使用 有機(jī)EL元件作為像素電路20的光電元件的有機(jī)EL顯示裝置作為 實(shí)例的情況。然而，本發(fā)明不限于此，而是可以應(yīng)用于通常使用發(fā)光亮度隨流經(jīng)元件的電流的變化而變化的電流驅(qū)動(dòng)光電元件(發(fā)光 元件)的顯示裝置。[應(yīng)用實(shí)例]才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的前述顯示裝置可應(yīng)用于被設(shè)計(jì)為顯示其 中生成的圖像或視頻信號(hào)的視頻的所有領(lǐng)域中使用的電子設(shè)備的顯示裝置。這些電子設(shè)備是圖23~圖27中示出的多種不同設(shè)備，即，數(shù)碼相機(jī)、膝上個(gè)人計(jì)算機(jī)、諸如移動(dòng)電話的移動(dòng)終端設(shè)備、 實(shí)例的描述。應(yīng)當(dāng)注意，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置是具有密封結(jié)構(gòu)的模 塊形式的那些顯示裝置。適合這類的顯示裝置是通過(guò)將由玻璃或其它材料制成的透明相相對(duì)部附著至像素陣列部30形成的顯示模塊。 該透明相對(duì)部可具有濾色器、保護(hù)膜或者甚至遮光膜。應(yīng)當(dāng)注意， 顯示才莫塊可具有電^各部、FPC (柔性印刷電^各)或者為l象素陣列部 與外部設(shè)備之間信號(hào)交換設(shè)置的其它電路。圖23是示出應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電視機(jī)的透視圖。根據(jù) 本應(yīng)用實(shí)例的電視^幾包括一見頻顯示屏幕部101,其包4舌前面一反102、 濾色玻璃103和其它部件。通過(guò)使用才艮據(jù)本發(fā)實(shí)施例的顯示裝置作 為4見頻顯示屏幕部101來(lái)制造該電視才幾。圖24A和24B是示出應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的數(shù)碼相機(jī)的透 視圖。圖24A是從相機(jī)前面看的透視圖。圖24B是從其后部看的透 視圖。根據(jù)本應(yīng)用實(shí)例的數(shù)碼相機(jī)包括閃光燈發(fā)光部111、顯示部 112、菜單開關(guān)113、快門按鈕114和其它部件。通過(guò)使用根據(jù)本發(fā) 明實(shí)施例的顯示裝置作為顯示部112來(lái)制造該數(shù)碼相機(jī)。上個(gè)人計(jì)算才幾包括主體121、用于^皮才喿作以鍵入諸如字符的信息的鍵盤122、用于顯示圖像的顯示部123和 其它部件。通過(guò)使用才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置作為顯示部123 來(lái)制造該膝上個(gè)人計(jì)算才幾。圖26是示出應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的攝像機(jī)的透視圖。根據(jù) 本應(yīng)用實(shí)施例的攝像機(jī)包括主體部131、用于拍攝對(duì)象圖像的面向 前的鏡頭132、用于圖像拍攝的開始/結(jié)束開關(guān)133、顯示部134和 其它部件。通過(guò)使用才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置作為顯示部134 來(lái)制造該攝像機(jī)。圖27A ~ 27G是示出應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的諸如移動(dòng)電話的 移動(dòng)終端i殳備的透—見圖。圖27A是移動(dòng)電話打開時(shí)的前—見圖。圖 27B是其側(cè)視圖。圖27C是移動(dòng)電話關(guān)閉時(shí)的前視圖。圖27D是左 視圖。圖27E是右視圖。圖27F是頂視圖。圖27G是仰視圖。根據(jù) 本應(yīng)用實(shí)例的移動(dòng)電話包括上外殼141、下外殼142、連接部(在 這種情況下是鉸接部)143、顯示器144、子顯示器145、鏡前燈146、 相才幾147和其它部件。通過(guò)4吏用才艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置作為 顯示器144和子顯示器145來(lái)制造該移動(dòng)電話。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，才艮據(jù)設(shè)計(jì)要求和其它因素，可以 有多種修改、組合、再組合和改進(jìn)，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求 或等同物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括像素陣列部，包括以矩陣形式配置的像素，每個(gè)像素都具有光電元件、用于采樣和寫入輸入信號(hào)電壓的寫晶體管、用于保持由所述寫晶體管寫入的所述輸入信號(hào)電壓的保持電容和用于基于由所述保持電容保持的所述輸入信號(hào)電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)所述光電元件的驅(qū)動(dòng)晶體管；以及掃描電路，包括末級(jí)緩沖器，所述末級(jí)緩沖器的電源與前級(jí)的電路部分隔離，并被配置為將來(lái)自前級(jí)緩沖器的掃描信號(hào)施加到所述寫晶體管，從而以行為單位選擇和掃描所述像素陣列部中的所述像素；其中，脈沖形式的電源電壓被提供給所述末級(jí)緩沖器的電源，使得所述掃描信號(hào)在所述電源電壓的上升沿處上升。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述像素陣列部中的每個(gè)4象素都執(zhí)行用于在所述 寫晶體管的所述輸入信號(hào)電壓的寫入周期期間，通過(guò)一夸所述驅(qū) 動(dòng)晶體管的漏極-源極電流反饋到柵極輸入來(lái)消除所述驅(qū)動(dòng)晶 體管的所述漏極-源極電流對(duì)遷移率的依賴性的校正。
3. —種顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，所述顯示裝置包括像素陣列部，包括以矩陣形式配置的〗象素，每個(gè)〗象素都 具有光電元件、用于采樣和寫入輸入信號(hào)電壓的寫晶體管、用 于保持由所述寫晶體管寫入的所述輸入信號(hào)電壓的^f呆持電容 和用于基于由所述保持電容保持的所述輸入信號(hào)電壓來(lái)驅(qū)動(dòng) 所述光電元件的驅(qū)動(dòng)晶體管；以及掃描電路，包括末級(jí)緩沖器，所述末級(jí)緩沖器的電源與 前級(jí)的電3各部分隔離，并一皮配置為將來(lái)自前級(jí)緩沖器的掃描信 號(hào)施加到所述寫晶體管，從而以行為單位選擇和掃描所述像素 陣列部中的所述^f象素；其中，脈沖形式的電源電壓被提供給所述末級(jí)^爰沖器的 電源，使得所述掃描信號(hào)在所述電源電壓的上升沿處上升。
4. 一種具有顯示裝置的電子設(shè)備，所述顯示裝置包括1象素陣列部，包括以矩陣形式配置的〗象素，每個(gè){象素都具有光電元件、用于采樣和寫入輸入信號(hào)電壓的寫晶體管、用 于保持由所述寫晶體管寫入的所述輸入信號(hào)電壓的保持電容所述光電元件的驅(qū)動(dòng)晶體管；以及掃描電路，包括末級(jí)緩沖器，所述末級(jí)緩沖器的電源與 前級(jí)的電路部分隔離，并被配置為將來(lái)自前級(jí)緩沖器的掃描信 號(hào)施加到所述寫晶體管，從而以行為單位選4奪和掃描所述像素陣列部中的所述j象素；其中，脈沖形式的電源電壓^皮-提供給所述末級(jí)l^沖器的 電源，〗吏得所述掃描信號(hào)在所述電源電壓的上升沿處上升。
5. —種顯示裝置，包括像素陣列部，包括以矩陣形式配置的像素，每個(gè)^f象素都 具有光電元件、用于采樣和寫入輸入信號(hào)電壓的寫晶體管、用 于保持由所述寫晶體管寫入的所述輸入信號(hào)電壓的保持電容和用于基于由所述保持電容保持的所述輸入信號(hào)電壓來(lái)驅(qū)動(dòng) 所述光電元件的驅(qū)動(dòng)晶體管；以及掃描電路，包括末級(jí)緩沖器，所述末級(jí)緩沖器的電源與 前級(jí)的電路部分隔離，并被配置為將基于至所述末級(jí)緩沖器的輸入脈沖的寫脈沖施加到所述寫晶體管，從而以行為單位選擇和掃描所述像素陣列部中的所述像素；其中，下降時(shí)間比所述輸入脈沖的下降時(shí)間慢的電源電 壓被提供給所述末級(jí)緩沖器的電源，使得所述寫脈沖在所述電 源電壓的下降沿處下降。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述像素陣列部中的每個(gè)像素都執(zhí)行用于在所述 寫晶體管的所述輸入信號(hào)電壓的寫入周期期間，通過(guò)將所述驅(qū) 動(dòng)晶體管的漏極-源極電流反饋到柵極輸入來(lái)消除所述驅(qū)動(dòng)晶 體管的所述漏才及-源極電流對(duì)遷移率的依賴性的校正。
7. 才艮據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述電源電壓凈皮公共地提供主會(huì)所述掃描電^各的所 有所述末級(jí)緩沖器。
8. —種顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，所述顯示裝置包:^舌j象素陣列部，包括以矩陣形式配置的4象素，每個(gè)<象素都 具有光電元件、用于采樣和寫入輸入信號(hào)電壓的寫晶體管、用 于保持由所述寫晶體管寫入的所述輸入信號(hào)電壓的保持電容 和用于基于由所述保持電容保持的所述輸入信號(hào)電壓來(lái)驅(qū)動(dòng) 所述所述光電元件的驅(qū)動(dòng)晶體管；以及掃描電路，包括末級(jí)緩沖器，所述末級(jí)緩沖器的電源與 前級(jí)的電3各部分隔離，并一皮配置為將基于至所述末級(jí)1￡沖器的 輸入脈沖的寫脈沖施加到所述寫晶體管，乂人而以行為單位選擇 和掃描所述^象素陣列部中的所述^^素；其中，下降時(shí)間比所述輸入月永沖的下降時(shí)間t曼的電源電 壓被提供給所述末級(jí)緩沖器的電源，使得所述寫脈沖在所述電 源電壓的下降沿處下降。
9. 一種具有顯示裝置的電子i殳備，所述顯示裝置包括像素陣列部，包括以矩陣形式配置的〗象素，每個(gè)^象素都 具有光電元件、用于釆樣和寫入輸入信號(hào)電壓的寫晶體管、用 于保持由所述寫晶體管寫入的所述輸入信號(hào)電壓的保持電容 和用于基于由所述保持電容保持的所述輸入信號(hào)電壓來(lái)驅(qū)動(dòng) 所述光電元件的驅(qū)動(dòng)晶體管；以及掃描電路，包括末級(jí)緩沖器，所述末級(jí)緩沖器的電源與 前級(jí)的電3各部分隔離，并一皮配置為將基于至所述末級(jí)緩沖器的 輸入脈沖的寫脈沖施加到所述寫晶體管，從而以行為單位選沖奪 和掃描所述像素陣列部中的所述像素；其中，下降時(shí)間比所述輸入脈沖的下降時(shí)間慢的電源電 壓祐:才是供給所述末級(jí)緩沖器的電源，〗吏得所述寫脈沖在所述電 源電壓的下降沿處下降。
全文摘要
本發(fā)明提供了顯示裝置、其驅(qū)動(dòng)方法以及具有其的電子設(shè)備，其中，所述顯示裝置的像素電路具有還用作用于控制有機(jī)EL元件或其它元件的發(fā)光和非發(fā)光周期的晶體管的驅(qū)動(dòng)晶體管。寫掃描電路(WS)的輸出電路中的末級(jí)緩沖器具有與前級(jí)電路部分的電源隔離的電源。在第一實(shí)施例中，來(lái)自寫掃描電路的掃描線WS被瞬時(shí)激活。在第二實(shí)施例中，掃描信號(hào)WS的下降沿緩慢下降。這使得以穩(wěn)定的方式寫入輸入信號(hào)電壓。
文檔編號(hào)G09G3/32GK101231819SQ20081000703
公開日2008年7月30日 申請(qǐng)日期2008年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月26日
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