專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示器，更具體地說，涉及適合于利用有機(jī)發(fā)光器件顯示圖像的有機(jī)發(fā)光顯示器。
背景技術(shù)：
隨著真實(shí)的多媒體時(shí)代的來臨，用作人-機(jī)界面的平板型顯示器已引起人們的注意。
平板型顯示器一直使用液晶顯示器。但是液晶顯示器存在視角窄和響應(yīng)速度低的問題。
近年來，作為下一代的平板型顯示器，有機(jī)發(fā)光顯示器得到人們的關(guān)注。換句話說，有機(jī)發(fā)光顯示器具有自發(fā)光(auto-light-emission)、視角寬和響應(yīng)速度高的優(yōu)良特性。
在這樣的有機(jī)發(fā)光顯示器中，利用有機(jī)發(fā)光器件構(gòu)成象素，有機(jī)發(fā)光器件具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中在玻璃基體上形成諸如ITO之類的第一電極，由空穴傳送層、發(fā)光層和電子傳送層等構(gòu)成的有機(jī)層和具有較小逸出功的第二電極。
當(dāng)在電極之間施加約幾伏的電壓時(shí)，空穴被注入第一電極，而電子被注入第二電極，空穴和電子分別通過空穴傳送層或電子傳送層，從而在發(fā)光層中相互耦合，借此產(chǎn)生激子。當(dāng)激子返回其基態(tài)時(shí)發(fā)出光線。這樣發(fā)出的光線透過透明的第一電極，從基體的背面射出。
把有機(jī)發(fā)光器件用于象素的顯示系統(tǒng)包括簡單陣列有機(jī)發(fā)光顯示器和有源(active)矩陣有機(jī)發(fā)光顯示器。
簡單陣列有機(jī)發(fā)光顯示器包括由在若干陽極線和陰極線的交點(diǎn)位置設(shè)置的空穴傳送層、發(fā)光層和電子傳送層等構(gòu)成的有機(jī)層，在一個(gè)幀周期中的選定時(shí)間內(nèi)，每個(gè)象素被打開。該選定時(shí)間是通過用陽極線的數(shù)目去除一個(gè)幀周期而獲得的時(shí)間寬度。簡單陣列有機(jī)發(fā)光顯示器具有結(jié)構(gòu)簡單的優(yōu)點(diǎn)。
但是，隨著象素?cái)?shù)目的增大，該選定時(shí)間被縮短，從而必須升高驅(qū)動電壓，借此增強(qiáng)選定時(shí)間內(nèi)的瞬時(shí)亮度，并使一個(gè)幀周期內(nèi)的平均亮度達(dá)到預(yù)定值。從而存在縮短有機(jī)發(fā)光器件的壽命的問題。另外，由于有機(jī)發(fā)光器件由電流驅(qū)動，因此會產(chǎn)生起因于導(dǎo)線電阻的壓降，不能均勻地對每個(gè)象素(尤其是在大屏幕的情況下)施加電壓，其結(jié)果是在顯示器中產(chǎn)生亮度方面的變化。從而，在提高清晰度和擴(kuò)大屏幕方面，簡單陣列有機(jī)發(fā)光顯示器存在局限性。
另一方面，在有源陣列有機(jī)發(fā)光顯示器中，由開關(guān)器件構(gòu)成的驅(qū)動器件與構(gòu)成各個(gè)象素的有機(jī)EL(發(fā)光)器件相連，所述開關(guān)器件由兩個(gè)或四個(gè)薄膜晶體管和一個(gè)電容構(gòu)成，從而，在一個(gè)幀周期內(nèi)，全打開狀態(tài)是可能的。于是，不必增強(qiáng)亮度，能夠延長有機(jī)發(fā)光器件的壽命。因此，從提高清晰度和擴(kuò)大屏幕的觀點(diǎn)來看，有源陣列有機(jī)發(fā)光顯示器是有利的。
在常規(guī)的有機(jī)發(fā)光顯示器中，發(fā)出的光線從基體的背面射出，于是，在基體和有機(jī)發(fā)光器件之間設(shè)置驅(qū)動部分的有源陣列有機(jī)發(fā)光顯示器中，孔徑比(aperture ratio)受限。
為了解決上述問題，嘗試使上部的第二電極透明，從上部電極一側(cè)獲得發(fā)出的光線。
例如，美國專利No.5703436公開一種有機(jī)EL器件，其中上電極由兩層構(gòu)成，Mg、Ag等的注入層被用作第一層，ITO(氧化銦錫)等的透明電極被用作第二層，從上電極獲得光線。
另外，日本專利公開No.6-163158(1994)公開了一種包括由透明的堿土金屬氧化物構(gòu)成的電子注入層和透明陰極材料的有機(jī)EL器件。
此外，日本專利公開No.2001-148291公開了一種象素結(jié)構(gòu)，其中在驅(qū)動器件的電極和構(gòu)成象素的有機(jī)發(fā)光器件的下電極在有源陣列有機(jī)發(fā)光顯示器中相連的位置，在上部形成間壁。另外還公開了該結(jié)構(gòu)也適用于從上電極一側(cè)獲得光線的顯示器。
在上面提及的現(xiàn)有技術(shù)中，透明導(dǎo)電薄膜被用作第二電極，以從上電極一側(cè)獲得光線。這種情況下，為了不損壞用作基礎(chǔ)層的有機(jī)層，低溫下的薄膜形成是必不可少的。從而，和鋁之類金屬薄膜相比，該薄膜的電阻至少要高300倍。另外，即使在第二電極由金屬薄膜構(gòu)成的情況下，為了降低對用作基礎(chǔ)層的有機(jī)層的損壞，也不能夠擴(kuò)大金屬薄膜的厚度。于是，顯示板尺寸的擴(kuò)大會造成電極電阻較高的問題。
此外，在常規(guī)的有源陣列有機(jī)發(fā)光顯示器中，利用驅(qū)動層的金屬薄膜形成供電導(dǎo)線，所述供電導(dǎo)線用于連接位于有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)層的兩側(cè)的第一電極(陽極)和第二電極(陰極)與電源。這種情況下，通過在無象素的區(qū)域中，例如在平板邊緣附近形成的層間絕緣薄膜中形成的接觸孔，實(shí)現(xiàn)連接到電源的負(fù)極的供電導(dǎo)線和有機(jī)發(fā)光器件的第二電極(陰極)之間的連接。
換句話說，屬于各個(gè)象素的有機(jī)發(fā)光器件的第二電極和供電導(dǎo)線通過接觸孔彼此相連。這種情況下，由于接觸孔用作饋電點(diǎn)，并且饋電點(diǎn)和每個(gè)有機(jī)發(fā)光器件的第二電極通過供電導(dǎo)線相連，導(dǎo)線電阻隨著接觸孔到象素的距離而變化。于是，施加在構(gòu)成象素的有機(jī)發(fā)光器件上的有效電壓隨著導(dǎo)線電阻而變化，因此亮度值按照象素的位置而變化。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種有機(jī)發(fā)光顯示器，其中可降低由與有機(jī)發(fā)光器件的電極相連的線路的電阻引起的亮度變化，以及制造這種有機(jī)發(fā)光顯示器的方法。
本發(fā)明的另一目的是提供一種有機(jī)發(fā)光顯示器，其中可降低由線路的電阻引起的圖像質(zhì)量的惡化，以及制造這種有機(jī)發(fā)光顯示器的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括分別為圖像的最小單元的若干象素，和作為各個(gè)象素的若干有機(jī)發(fā)光器件，其中布置在所述若干有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)層的相對兩側(cè)的一對電極中，至少位于屬于每個(gè)象素的一個(gè)有機(jī)發(fā)光器件一側(cè)的電極，在每個(gè)象素的顯示區(qū)中與供電導(dǎo)線相連。
就構(gòu)成有機(jī)發(fā)光顯示器來說，布置在所述若干有機(jī)發(fā)光顯示器的有機(jī)層相對兩側(cè)的一對電極中，一側(cè)的電極可在每個(gè)象素的顯示區(qū)中與供電導(dǎo)線相連，通過利用發(fā)光顏色不同的發(fā)光器件作為所述若干發(fā)光器件，可形成彩色圖像。
另外，在利用發(fā)光顏色不同的若干有機(jī)發(fā)光器件形成彩色圖像的情況下，布置在所述若干有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)層相對兩側(cè)的一對電極中，位于每個(gè)象素的指定發(fā)光顏色的有機(jī)發(fā)光器件一側(cè)的電極可在每個(gè)象素的顯示區(qū)中與供電導(dǎo)線相連。
此外，在包含每個(gè)象素的顯示區(qū)中可設(shè)置至少一條供電導(dǎo)線，布置在所述若干有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)層相對兩側(cè)的一對電極中，至少位于屬于每個(gè)象素的一個(gè)有機(jī)發(fā)光器件一側(cè)的電極，可在每個(gè)象素的顯示區(qū)中與供電導(dǎo)線相連。
就構(gòu)成上面提及的每個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示器來說，可增加下述元件(1)-(11)。
(1)在基體上堆疊包括用于驅(qū)動有機(jī)層的驅(qū)動器件的驅(qū)動層，堆疊包含與驅(qū)動器件相連的信號線和掃描線的線路層，以象素為基礎(chǔ)，在線路層上堆疊所述若干有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)層連同布置在該有機(jī)層的相對兩側(cè)的電極對，供電導(dǎo)線布置在線路層中，并且穿過層間絕緣薄膜與位于一側(cè)的電極相連。
(2)在基體上堆疊包括用于驅(qū)動有機(jī)層的驅(qū)動器件的驅(qū)動層，堆疊包含與驅(qū)動器件相連的信號線和掃描線的線路層，以象素為基礎(chǔ)，在線路層上堆疊所述若干有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)層連同布置在該有機(jī)層的相對兩側(cè)的電極對，供電導(dǎo)線布置在線路層和有機(jī)層之間，并且穿過層間絕緣薄膜與位于一側(cè)的電極相連。
(3)對著在基體上的有機(jī)層的下部形成的第一電極，在基體上的有機(jī)層的上部形成布置在所述若干有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)層的相對兩側(cè)的電極對中位于一側(cè)的電極，作為第二電極，并且供電導(dǎo)線與第二電極的上部相連。
(4)在基體上堆疊包括用于驅(qū)動有機(jī)層的驅(qū)動器件的驅(qū)動層，堆疊包含與驅(qū)動器件相連的信號線和掃描線的線路層，以象素為基礎(chǔ)，在線路層上層疊所述若干有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)層連同布置在該有機(jī)層的相對兩側(cè)的電極對，對著在基體上的有機(jī)層的下部形成的第一電極，在基體上的有機(jī)層的上部形成布置在所述若干有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)層相對兩側(cè)的電極對中位于一側(cè)的電極，作為第二電極，并在第二電極的上部形成供電導(dǎo)線。
(5)沿每個(gè)象素以網(wǎng)格形式形成供電導(dǎo)線。
(6)供電導(dǎo)線被分割成對應(yīng)于每個(gè)象素的各個(gè)有機(jī)發(fā)光器件的若干供電導(dǎo)線，并且這樣分割的所述若干供電導(dǎo)線分別與每個(gè)象素的每個(gè)有機(jī)發(fā)光器件相連，作為專用供電導(dǎo)線。
(7)沿著象素之間的各個(gè)空間，形成供電導(dǎo)線。
(8)供電導(dǎo)線形成為與每個(gè)象素交迭。
(9)指定發(fā)光顏色的有機(jī)發(fā)光器件由和用于其它發(fā)光顏色的有機(jī)發(fā)光器件的材料相比具有更高效率或更長壽命的材料構(gòu)成。
(10)對著在基體上的有機(jī)層的下部形成的第一電極，在基體上的有機(jī)層的上部形成布置在所述若干有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)層相對兩側(cè)的電極對中位于一側(cè)的電極，作為第二電極，第一電極與電源的正極相連，作為陽極，第二電極與電源的負(fù)極相連，作為陰極。
(11)第二電極由透射光線的透明材料構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法，用于制造上述有機(jī)發(fā)光顯示器之一，所述方法包括下述步驟在基體上形成包括若干有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)層，形成包含用于驅(qū)動所述若干有機(jī)發(fā)光器件的驅(qū)動器件的驅(qū)動層，形成包含與驅(qū)動器件相連的信號線和掃描線的線路層，在有機(jī)層的上面或者在有機(jī)層的下面形成供電導(dǎo)線，在形成于供電導(dǎo)線周圍的層間絕緣薄膜中形成接觸孔，并且通過接觸孔，使布置在所述若干有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)層相對兩側(cè)的一對電極中在一側(cè)的電極和供電導(dǎo)線相連。
根據(jù)上面提及的方法，至少位于每個(gè)象素的一個(gè)有機(jī)發(fā)光器件一側(cè)的電極在每個(gè)象素的顯示區(qū)中與供電導(dǎo)線相連，從而對于每個(gè)象素來說，連接位于有機(jī)發(fā)光器件一側(cè)的電極和電源的供電導(dǎo)線的導(dǎo)線電阻是均勻的，并且每個(gè)象素中的導(dǎo)線電阻很小，可以忽略；于是，可降低由連接有機(jī)發(fā)光器件的電極和電源的線路的電阻引起的亮度變化，并且可抑制顯示區(qū)中亮度的變化。
這里，象素意指最小顯示單元，若干象素呈矩陣形式布置在顯示器的屏幕上，以便顯示字符或圖形。另外，子象素意指顯示器中，象素被進(jìn)一步細(xì)分以便進(jìn)行彩色顯示而獲得的最小單元。一般使用這樣的結(jié)構(gòu)，其中彩色圖像由三種顏色的子象素，即綠色、紅色和藍(lán)色子象素構(gòu)成。此外，顯示區(qū)意指顯示器中顯示圖像的區(qū)域。
這里，有機(jī)發(fā)光器件是具有這樣結(jié)構(gòu)的器件，其中在基體上形成第一電極，第一注入層，第一傳送層，發(fā)光層，第二傳送層，第二注入層，第二電極和保護(hù)薄膜或密封(相對)基底。
有機(jī)發(fā)光器件采取下述兩種構(gòu)造中的任意一種。
第一種構(gòu)造中，第一電極是陽極，第二電極是陰極。這種情況下，第一注入層和第一傳送層分別是空穴注入層和空穴傳送層。另外，第二傳送層和第二注入層分別是電子傳送層和電子注入層。
第二種構(gòu)造中，第一電極是陰極，第二電極是陽極。這種情況下，第一注入層和第一傳送層分別是電子注入層和電子傳送層。另外，第二傳送層和第二注入層分別是空穴傳送層和空穴注入層。
就上述構(gòu)造而論，可設(shè)想缺少第一注入層或者第二注入層的結(jié)構(gòu)。此外，可存在其中發(fā)光層還用作第一傳送層或第二傳送層的結(jié)構(gòu)。
這里，陽極最好是具有大逸出功，并且提高空穴的注入效率的導(dǎo)電薄膜。具體例子包括(但不局限于)金和鉑。
此外，陽極可以諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鍺之類的二相系統(tǒng)，或者諸如氧化銦錫鋅之類的三相系統(tǒng)為基礎(chǔ)。不僅可以使用以氧化銦為主要組成的組合物，而且可以使用以氧化錫、氧化鋅等為主要組成的組合物。就ITO來說，通常使用氧化銦中包含5-10％(重量)的氧化錫的組合物。制造氧化物半導(dǎo)體的方法的例子包括濺射方法，EB氣相沉積方法和離子電鍍方法。
基于In2O3-SnO2的透明導(dǎo)電薄膜和基于In2O3-ZnO的透明導(dǎo)電薄膜的逸出功分別為4.6eV和4.6eV，借助UV臭氧輻照、氧等離子體處理等，可把所述逸出功提高到約5.2eV。
當(dāng)在把基體溫度升高到約200℃的條件下，濺射形成基于In2O3-SnO2的透明導(dǎo)電薄膜時(shí)，獲得多晶態(tài)的導(dǎo)電薄膜。由于多晶態(tài)會導(dǎo)致起因于晶粒的較差的表面平整性，最好對該表面進(jìn)行磨光。作為另一種方法，最好形成非晶態(tài)的透明導(dǎo)電薄膜，隨后通過加熱使之變成多晶態(tài)。
在有空穴注入層的情況下，不必利用具有大逸出功的材料形成陽極，陽極可由普通的導(dǎo)電薄膜構(gòu)成。
理想的導(dǎo)電薄膜材料的具體例子包括諸如鋁、銦、鉬和鎳之類的金屬，這些金屬的合金，和諸如多晶硅、非晶硅、氧化錫、氧化銦和氧化銦錫(ITO)之類的無機(jī)材料。
另外，最好采用諸如聚苯胺和聚噻吩之類的有機(jī)材料和導(dǎo)電油墨，和作為導(dǎo)電薄膜的形成工藝的簡單涂覆方法一起使用。這些材料不是限制性的，并且可以兩種或多種組合使用。
這里，為了降低陽極和空穴傳送層之間的注入勢壘(injectionbarrier)，空穴注入層最好由具有恰當(dāng)電離電位的材料構(gòu)成。此外，空穴注入層最好起掩藏下層表面粗糙度的作用?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧系木唧w例子包括(但不局限于)酞菁銅、starburstoamine化合物、聚苯胺、聚噻吩、氧化釩、氧化鉬、氧化釕和氧化鋁。
這里，空穴傳送層起傳送空穴，并把空穴注入發(fā)光層的作用。于是，空穴傳送層最好具有較高的空穴遷移率。另外，空穴注入層最好化學(xué)穩(wěn)定。空穴注入層最好具有低的電離電位和低的電子親合力。此外，空穴傳送層最好具有高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。理想的空穴傳送層材料的例子包括N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1′-聯(lián)苯]-4，4′-二胺(TPD)，4，4′-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(α-NPD)，4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)和1，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)苯基氨基]苯(p-DPA-TDAB)。自然地，這些材料不是限制性的，并且可以兩種或多種組合使用。
這里，發(fā)光層意指注入的空穴和電子在其中相互耦合，從而導(dǎo)致發(fā)出該材料固有波長的光線的一層材料。存在構(gòu)成發(fā)光層的基質(zhì)材料本身發(fā)光的情況和添加到基質(zhì)材料中的痕量摻雜材料發(fā)光的情況。理想的基質(zhì)材料的具體例子包括亞芳基二苯乙烯(distyrilarylene)衍生物(DPVBi)，在其骨架中具有苯環(huán)的硅雜環(huán)戊烯(silole)的衍生物(2PSP)，在兩端具有三苯胺結(jié)構(gòu)的噁二唑(oxodiazole)衍生物(EM2)，具有菲基團(tuán)的perinone衍生物(P1)，在兩端具有三苯胺結(jié)構(gòu)的低聚噻吩(oligothiophene)衍生物(BMA-3T)，苝衍生物(tBu-PTC)，三(8-羥基喹啉)鋁，聚對亞苯基-1，2-亞乙烯衍生物，聚噻吩衍生物，聚對亞苯基衍生物，聚硅烷衍生物，和聚乙炔衍生物。自然，這些材料不是限制性的，并且可以兩種或多種組合使用。
理想的摻雜材料的具體例子包括喹吖啶酮，香豆素-6，尼羅紅(NileRed)，紅熒烯，4-(雙氰亞甲基)-2-甲基-6-(對-二甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)和二咔唑衍生物。自然，這些材料不是限制性的，并且可以兩種或者多種組合物使用。
這里，電子傳送層起傳送電子并把電子注入發(fā)光層的作用。于是，電子傳送層最好具有高的電子遷移率。理想的電子傳送層材料的具體例子包括三(8-羥基喹啉)鋁，噁二唑衍生物，硅雜環(huán)戊烯衍生物，和鋅-苯并噻唑絡(luò)合物。自然，這些材料不是限制性的，并且可以兩種或者多種組合物使用。
上面提及的空穴注入層、空穴傳送層、發(fā)光層和電子傳送層的制造方法的例子包括真空氣相沉積方法，電子束(EB)氣相沉積方法，濺射方法，旋涂方法，澆注(cast)方法和噴墨(ink-jet)方法。
最好如下所述在沉積方法中進(jìn)行各層的圖案形成使帶有對應(yīng)于圖案的形狀的開孔的掩模與基體保持緊密接觸，在此狀態(tài)下，從蒸發(fā)源蒸發(fā)材料到基體，以便在其上形成圖案。
最好如下所述完成用旋涂方法和澆注方法進(jìn)行的圖案形成利用激光燒蝕等將在基體的整個(gè)表面上形成的薄膜圖案之外的部分剝落，在基體上留下所述圖案。
最好如下所述在噴墨方法中進(jìn)行各層的圖案形成把可溶的有機(jī)材料溶解于溶劑中，從可移動的噴嘴把所得到的溶液噴射在基體上，以便在基體上形成圖案的形狀。
這里，電子注入層用于提高從陰極到電子傳送層的電子注入的效率。理想的電子注入層材料的具體例子包括氟化鋰，氟化鎂，氟化鈣，氟化鍶，氟化鋇，氧化鎂和氧化鋁。自然，這些材料不是限制性的，并且可以兩種或者多種組合使用。
這里，陰極最好是具有低的逸出功，并且提高電子的注入效率的導(dǎo)電薄膜。陰極材料的具體例子包括(但不限于)鎂-銀合金、鋁-鋰合金、鋁-鈣合金、鋁-鎂合金和金屬鈣(metallic calcium)。
在有上述電子注入層的情況下，不必利用低逸出功的材料形成陰極，可使用一般的金屬材料。理想的具體例子包括諸如鋁、銦、鉬和鎳之類的金屬，這些金屬的合金，多晶硅和非晶硅。
本發(fā)明中，當(dāng)陰極被用作第二電極(透明電極)時(shí)，最好在陰極的下部提供電子注入層。在有電子注入層的情況下，具有高逸出功的透明導(dǎo)電薄膜可用作陰極。具體例子包括基于In2O3-SnO2的透明導(dǎo)電薄膜和基于In2O3-ZnO的透明導(dǎo)電薄膜。特別地，基于In2O3-SnO2的透明導(dǎo)電薄膜被用作液晶顯示系統(tǒng)中的象素電極。
這里在第二電極上形成保護(hù)層，以便防止環(huán)境中的H2O和O2滲入第二電極或者滲入形成于第二電極下的有機(jī)層中。
保護(hù)層的材料的具體例子包括(但不局限于)諸如SiO2、SiNx和Al2O3之類的無機(jī)材料，諸如聚氯丁二烯(polychloropyrene)、聚對苯二甲酸乙二酯、聚甲醛、聚氯乙烯、聚偏氟乙烯、氰乙基支鏈淀粉(cyanoethyl-pullulan)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚砜、聚碳酸酯和聚酰亞胺之類的有機(jī)材料。


參考附圖，根據(jù)實(shí)施例的下述說明，本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)是顯而易見的，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器中的象素區(qū)的平面圖；圖2A是沿圖1中所示的象素區(qū)的A-A′線的斷面圖；圖2B是沿圖1中所示的象素區(qū)的B-B′線的斷面圖；圖3A示意說明常規(guī)有機(jī)發(fā)光顯示器中，第二供電導(dǎo)線和饋電點(diǎn)之間的關(guān)系；圖3B示意說明根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器中，第二供電導(dǎo)線和饋電點(diǎn)之間的關(guān)系；圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)中的象素區(qū)的平面圖；圖5是沿圖4中所示的象素區(qū)的A-A′線的斷面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)中的象素區(qū)的平面圖；圖7是沿圖6中所示的象素區(qū)的A-A′線的斷面圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)中的象素區(qū)的平面圖；圖9是沿圖8中所示的象素區(qū)的A-A′線的斷面圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)中的象素區(qū)的平面圖；圖11是沿圖10中所示的象素區(qū)的A-A′線的斷面圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)中的象素區(qū)的平面圖；圖13是沿圖12中所示的象素區(qū)的A-A′線的斷面圖；圖14是根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)中的象素區(qū)的平面圖；圖15是沿圖14中所示的象素區(qū)的A-A′線的斷面圖；
圖16是根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)中的象素區(qū)的平面圖；圖17是沿圖16中所示的象素區(qū)的A-A′線的斷面圖；圖18是根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)中的象素區(qū)的平面圖；圖19是沿圖18中所示的象素區(qū)的A-A′線的斷面圖；圖20是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)的象素電路圖；圖21是根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)中的象素區(qū)的平面圖；圖22是沿圖21中所示的象素區(qū)的A-A′線的斷面圖；圖23是根據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)中的象素區(qū)的平面圖；圖24是沿圖23中所示的象素區(qū)的A-A′線的斷面圖；圖25是根據(jù)本發(fā)明第十二實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)中的象素區(qū)的平面圖；圖26是沿圖25中所示的象素區(qū)的A-A′線的斷面圖。
具體實(shí)施例方式下面將參考

根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)。圖1是有機(jī)發(fā)光顯示器中象素的平面圖；圖2A是沿圖1的A-A′線獲得的斷面圖；圖2B是沿圖1的B-B′線獲得的斷面圖。在圖1和2中，若干掃描線106、106′以預(yù)定的間隔布置在玻璃基體116上，沿著和各個(gè)掃描線垂直的方向以預(yù)定的間隔布置用于傳送圖像數(shù)據(jù)等的信號線109、109′、109″。即，掃描線和信號線被布置成網(wǎng)格形式，并且掃描線和信號線圍繞的區(qū)域構(gòu)成一個(gè)象素的顯示區(qū)。另外，在玻璃基體116上，平行于信號線109布置與電源的正極相連的若干第一供電導(dǎo)線110，平行于信號線109和第一供電導(dǎo)線110，布置與電源的負(fù)極相連的若干第二供電導(dǎo)線111。以屬于玻璃基體116上的線路層的線路的形式形成掃描線106、信號線109、第一供電導(dǎo)線110和第二供電導(dǎo)線111，同時(shí)在它們之間布置層間絕緣薄膜。
構(gòu)成作為彩色圖像的最小單元的象素的若干有機(jī)發(fā)光器件布置在線路層的上面。以子象素的形式形成每個(gè)有機(jī)發(fā)光器件，所述子象素包括有機(jī)層和布置在有機(jī)層相對兩側(cè)的第一電極(陽極)115和第二電極(陰極)125，所述有機(jī)層包括空穴傳送層121、發(fā)光層122、電子傳送層123和電子注入層124。屬于每個(gè)象素的有機(jī)發(fā)光器件的第一電極115通過用作驅(qū)動器件的晶體管和第一供電導(dǎo)線110相連，而屬于每個(gè)象素的有機(jī)發(fā)光器件的第二電極125穿過在每個(gè)象素的顯示區(qū)中的第二層間絕緣薄膜119和第三層間絕緣薄膜120中形成的接觸孔114與第二供電導(dǎo)線111相連。即，屬于每個(gè)象素的有機(jī)發(fā)光器件的第二電極125穿過用作饋電點(diǎn)的接觸孔114與第二供電導(dǎo)線111相連。
另外，在玻璃基體116上，形成用于驅(qū)動每個(gè)象素的有機(jī)層的驅(qū)動層。驅(qū)動層包括作為驅(qū)動器件的第一晶體管101、第二晶體管102和電容104。第一晶體管101的柵極與掃描線106相連，源極與信號線109相連，漏極與第二晶體管的柵極和電容104的上電極108相連。第二晶體管102的漏極與電容104的下電極105和第一供電導(dǎo)線110相連，源極與第一電極115相連。圖1和2只表示了一個(gè)象素的結(jié)構(gòu)。
下面將說明如上構(gòu)成的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)的制造方法。首先，利用低壓化學(xué)氣相沉積方法(LPCVD方法)在玻璃基體116上形成厚度50納米的非晶態(tài)硅(a-Si)薄膜。原材料為Si2H6，基體溫度設(shè)定為450℃。隨后，利用XeCl準(zhǔn)分子激光對薄膜的整個(gè)表面進(jìn)行激光退火處理。激光退火處理分兩個(gè)階段進(jìn)行，第一時(shí)段和第二時(shí)段的輻照能量分別為188mJ/cm2和290mJ/cm2。從而非晶態(tài)硅被結(jié)晶成多晶硅(p-Si)。接下來，用CF4進(jìn)行干蝕刻，對多晶硅形成圖案，從而形成第一晶體管101的有源層103，第二晶體管102的有源層103′和電容104的下電極105。
隨后，形成厚度為100納米的SiO2薄膜，作為柵極絕緣薄膜117。利用四乙氧基硅(TEOS)作為原料，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法(PECVD)方法形成SiO2薄膜。
之后，利用濺射方法形成厚度50納米的TiW薄膜，并對其刻圖案，形成柵電極107、107′。與此一起，還可刻出掃描線106和電容的上電極108。
接下來，在4×1015離子/cm2和80keV的條件下，利用離子注入方法，從柵極絕緣薄膜117的上側(cè)把P離子注入圖案形成后的多晶硅層中。此時(shí)，P離子未被注入上側(cè)有柵電極107、107′的區(qū)域中，這些區(qū)域成為有源區(qū)103、103′。
隨后，在惰性N2氣氛中，在300℃下對基體116加熱3小時(shí)，以便激活離子，從而能夠有效進(jìn)行摻雜。多晶硅(p-Si)的離子注入?yún)^(qū)逐漸具有2kΩ/□的薄膜電阻。在其上形成氮化硅薄膜(SiNx)，作為厚度200納米的第一層間絕緣薄膜118。
隨后，在位于有源層103、103′兩端的上部的柵極絕緣薄膜117和第一層間絕緣薄膜118中形成接觸孔(未示出)。此外，在位于第二晶體管102的柵電極107′的上部的第一層間絕緣薄膜118中形成接觸孔(未示出)。
在該上表面上，利用濺射方法形成厚度500納米的鋁膜。借助光刻步驟形成信號線109、第一供電導(dǎo)線110和第二供電導(dǎo)線111。另外，形成第一晶體管101的源電極112及漏電極113和第二晶體管102的源電極112′及漏電極113′。
之后，把電容下電極105和第一晶體管101的漏電極113相連，把第一晶體管101的源電極112和信號109相連。另外，把第一晶體管101的漏電極113和第二晶體管102的柵電極107′相連，把第二晶體管102的漏電極113′和第一供電導(dǎo)線110相連。此外，使電容104的上電極108與第一供電導(dǎo)線110相連。
隨后，穿過第二層間絕緣薄膜119形成SiNx薄膜。該SiNx薄膜的厚度為500納米。在第一晶體管102的漏電極112′的上部形成接觸孔(未示出)，利用濺射方法在其上形成厚度150納米的ITO薄膜，并利用光刻方法形成第一電極115。
接下來，形成正型光敏保護(hù)薄膜(PC452)(JSR的一種產(chǎn)品)，作為第三層間絕緣薄膜120。這種情況下，在1000rpm和30秒的涂覆條件下，利用旋涂方法形成該薄膜，基體116放置在加熱平板上，并在90℃下預(yù)燒2分鐘。
之后，利用光掩模暴露于ghi line混合物中，從而形成條形圖案的接觸孔114。隨后在室溫下，利用顯影液PD-523(JSR的一種產(chǎn)品)顯影40秒，顯影之后，在室溫下用純水沖洗60秒。沖洗之后，在365納米的波長和300mJ/cm2的強(qiáng)度下進(jìn)行后曝光，并在220℃下在干凈烘箱中進(jìn)行1小時(shí)的后烘烤(post-baking)。
由PC452形成的第三層間絕緣薄膜120的厚度為2微米，并且第一電極115的邊緣被覆蓋6微米。
下面將參考圖2B說明構(gòu)成象素的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。連續(xù)地在丙酮和純化水中對一直到第一電極115的玻璃基體116進(jìn)行3分鐘的超聲清洗，隨后進(jìn)行離心干燥，并在120℃下在烘箱中干燥30分鐘。
隨后進(jìn)行O2等離子體清洗。等離子體清洗室中的真空度為3Pa，O2的流速為22ml/min，RF功率為200W，清洗時(shí)間為3分鐘。在O2等離體清洗之后，在不暴露于空氣的情況下把基體116放入真空氣相沉積室中。
隨后，利用真空氣相沉積方法在第一電極115上形成厚度50納米的4，4-雙[N-(1-萘基)-N-苯氨基]聯(lián)苯薄膜(下面稱為α-NPD薄膜)。
約60mg的原料被放入Mo制成的升華皿中，并以0.15±0.05nm/sec的氣相沉積速度進(jìn)行氣相沉積。此時(shí)，利用蔭罩板形成圖案。氣相沉積面積為第一電極115各側(cè)的1.2倍。α-NPD薄膜起空穴傳送層121的作用。
在該薄膜的上面，利用二相同時(shí)真空氣相沉積方法形成厚度為20納米的三(8-羥基喹啉)鋁和喹吖啶酮(quinacridon)(下面分別稱為Alq和Qc)的共氣相沉積(co-vapor deposition)薄膜。
分別把數(shù)量約為40mg和約10mg的原料Alq和Qc放入兩個(gè)Mo制升華皿中，并且分別以0.40±0.05nm/sec和0.01±0.005nm/sec的氣相沉積速率進(jìn)行共氣相沉積。Alq+Qc共氣相沉積薄膜起發(fā)光層122的作用。利用真空氣相沉積方法在其上形成厚度20納米的Alq薄膜。把約40mg的原料放入Mo制升華皿中，并以0.15±0.05nm/sec的氣相沉積速率進(jìn)行氣相沉積。Alq薄膜起電子傳送層123的作用。
在電子傳送層123上形成Mg和Ag的混合物薄膜，作為電子注入層124。這種情況下，對于Mg和Ag，分別以0.14±0.05nm/sec和0.01±0.005nm/sec的氣相沉積速率，借助二相同時(shí)真空氣相沉積方法形成厚度10納米的薄膜。
隨后，利用濺射方法形成厚度50納米的In-Zn-O薄膜(下面稱為IZO薄膜)。該薄膜起第二電極125的作用，并且是非晶態(tài)氧化物薄膜。使用In/(In+Zn)＝0.83的靶材。薄膜形成條件為ArO2混合氣體氣氛，真空度0.2Pa，濺射輸出為2W/cm2。第二電極125由MgAg/In-Zn-O迭層薄膜組成，用作陰極，其透光度為65％。這種情況下，如圖2A中所示，在形成于第二層間絕緣薄膜119和第三層間絕緣薄膜120中的接觸孔114作為饋電點(diǎn)的情況下，第二電極125與第二供電導(dǎo)線111相連。即，在接觸孔114作為饋電點(diǎn)的情況下，每個(gè)象素的有機(jī)發(fā)光器件的第二電極125與每個(gè)象素的區(qū)域中的第二供電導(dǎo)線111相連。
隨后，利用熱CVD方法在第二電極125上形成厚度50納米的SiNx薄膜。該薄膜用作保護(hù)薄膜126。
在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器中，從保護(hù)層126的一側(cè)獲得發(fā)出的光線，因此IZO薄膜被用作第二電極125。IZO薄膜的薄膜電阻為80Ω/□。
在使用IZO薄膜作為第二電極125，并且使第二電極125和第二供電導(dǎo)線111相連的情況下，當(dāng)在平板的顯示區(qū)的端部形成每個(gè)象素的第二電極125的饋電點(diǎn)，并且該饋電點(diǎn)通過第二供電導(dǎo)線111與每個(gè)象素的第二電極125相連時(shí)，如圖3A中所示，在布置在平板的顯示區(qū)的端部的象素和布置在平板的顯示的中部的象素之間，產(chǎn)生起因于IZO薄膜的導(dǎo)線電阻差異，以致在施加于每個(gè)象素的電壓方面產(chǎn)生變化，從而產(chǎn)生平板亮度方面的變化。
另一方面，在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器中，如圖2A、2B和3B中所示，在接觸孔114作為饋電點(diǎn)的情況下，每個(gè)象素的有機(jī)發(fā)光器件的第二電極125和第二供電導(dǎo)線111在每個(gè)象素的顯示區(qū)中互連。于是，每個(gè)象素中起因于IZO薄膜的導(dǎo)線電阻變得均勻一致，可防止施加于每個(gè)象素的電壓發(fā)生變化，從而可防止平板的亮度發(fā)生變化。
另外，本實(shí)施例中的第二供電導(dǎo)線111的總導(dǎo)線電阻約為0.2Ω，以致每個(gè)象素中的導(dǎo)線電阻很小，可忽略不計(jì)，因此能夠抑制平板亮度發(fā)生變化。
下面將參考圖4和5說明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的全色有機(jī)發(fā)光顯示器。該顯示器包括位于綠光發(fā)射象素區(qū)的下部的第二供電導(dǎo)線和饋電點(diǎn)，具有高的效率和較長的壽命。圖4是根據(jù)該實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的象素的平面圖，圖5是沿圖4中所示的象素區(qū)的A-A′線獲得的斷面圖。
本實(shí)施例具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中為了顯示顏色圖像，設(shè)置了作為顏色圖像的最小單元的若干象素，以構(gòu)成各個(gè)象素的子象素的形式設(shè)置了綠色、紅色和藍(lán)色有機(jī)發(fā)光器件，每個(gè)象素的有機(jī)發(fā)光器件的第二電極125與綠色有機(jī)發(fā)光器件的顯示區(qū)中的第二供電導(dǎo)線111相連，其它構(gòu)造基本上和第一實(shí)施例中的相同。
具體地說，通過利用和第一實(shí)施例相同的方法，在玻璃基體116a上形成綠色象素第一晶體管204，綠色電容205，綠色第二晶體管206，紅色象素第一晶體管207，紅色電容208，紅色第二晶體管209，藍(lán)色象素第一晶體管210，藍(lán)色電容211，藍(lán)色第二晶體管212，信號線109、109′、109″，掃描線106、106′，第一供電導(dǎo)線110、110′、110″，第二供電導(dǎo)線111，第一層間絕緣薄膜118，第二層間薄膜119和接觸孔114。
利用如下所述的方法形成構(gòu)成綠色象素、紅色象素和藍(lán)色象素的有機(jī)發(fā)光器件。
在第二層間絕緣薄膜119上形成綠色象素第一電極201、紅色象素第一電極202和藍(lán)色象素第一電極203。其形成方法和第一實(shí)施例中用于形成第一電極115的方法相同。第一電極201、202、203通過形成于第二層間絕緣薄膜119中的接觸孔(未示出)分別和第二晶體管206、209、212的源電極相連，綠色象素第一電極201未覆蓋由接觸孔114構(gòu)成的饋電點(diǎn)。
隨后，和第一實(shí)施例的情況一樣，形成第三層間絕緣薄膜120，第三層間絕緣薄膜120也沒有覆蓋由接觸孔114構(gòu)成的饋電點(diǎn)。
之后，在第一電極201、202、203上形成α-NPD層，作為每個(gè)象素共用的空穴傳送層121。形成條件和實(shí)施例1中相同，薄膜厚度控制為50納米，氣相沉積速率控制為0.15±0.05nm/sec。利用掩模進(jìn)行氣相沉積，從而饋電點(diǎn)不被空穴傳送層121覆蓋。
隨后，形成每個(gè)象素的發(fā)光層213、214、215。形成Alq和Qc的共氣相沉積層，作為綠色象素的發(fā)光層213。形成條件和第一實(shí)施例相同。
接下來，形成紅色象素的發(fā)光層214。即，利用二相同時(shí)真空氣相沉積方法，形成厚度40納米的Alq和尼羅紅(Nile Red，下面簡稱為Nr)的共氣相沉積薄膜。
把數(shù)量分別約為10mg和5mg的原料Alq和Nr放入兩個(gè)Mo制升華皿中，并且對于Alq和Nr，分別以0.40±0.05nm/sec和0.01±0.005nm/sec的氣相沉積速度進(jìn)行氣相沉積。
隨后，形成藍(lán)色象素的發(fā)光層215。即，利用真空氣相沉積方法，形成厚度40納米的亞芳基聯(lián)苯衍生物薄膜(下面簡稱為DPVBi)。把數(shù)量約為40mg的原料DPVBi放入Mo制升華皿中，并以0.40±0.05nm/sec的氣相沉積速率進(jìn)行氣相沉積。
接下來，形成各個(gè)象素共有的電子傳送層123。即，利用真空氣相沉積方法，形成厚度20納米的Alq薄膜。這種情況下，把約40mg的材料放入Mo制升華皿中，并以0.15±0.05nm/sec的氣相沉積速率進(jìn)行氣相沉積。
之后，在電子傳送層123上形成作為電子注入層124的Mg-Ag合金薄膜。形成條件和第一實(shí)施例中相同。在其上形成作為第二電極125的IZO薄膜。形成條件和第一實(shí)施例中相同。
在形成于第二層間絕緣薄膜118和第三層間絕緣薄膜119中的接觸孔114用作饋電點(diǎn)的情況下，第二電極125與第二供電導(dǎo)線111相連。
隨后，利用熱CVD方法形成厚度50納米的SiNx薄膜。該薄膜用作保護(hù)薄膜126。
本實(shí)施例中，和第一實(shí)施例的情況一樣，提供了用于在每個(gè)象素的顯示區(qū)中連接第二電極125和第二供電導(dǎo)線111的接觸孔114，因此抑制了起因于第二電極125的導(dǎo)線電阻變化，能夠降低平板亮度的變化。
另外，本實(shí)施例中，在綠色象素區(qū)中形成第二供電導(dǎo)線111，而不是在紅色象素區(qū)和藍(lán)色象素區(qū)中形成第二供電導(dǎo)線111，以致在紅色象素區(qū)和藍(lán)色象素區(qū)中不會產(chǎn)生由于接觸孔114的形成而導(dǎo)致的孔徑比的降低，雖然在綠色象素區(qū)中產(chǎn)生了孔徑比的降低。這種情況下，如果綠色象素區(qū)中孔徑比的降低為10％，則通過使亮度增大10％，可適應(yīng)孔徑比的下降。換句話說，由于電流密度正比于亮度，因此通過使電流密度增大10％，能夠適應(yīng)孔徑比的降低。應(yīng)注意即使電流密度被增大10％，由于孔徑比被降低10％，流向綠色象素的電流也不會發(fā)生變化。
另一方面，如果與電壓呈非線性關(guān)系的亮度被增大10％，則電壓被增大1-2％。于是，如果亮度被增大10％，則功率的增量為1-2％。順便說明，用于綠色象素的有機(jī)發(fā)光器件的效率比紅色和藍(lán)色器件的材料的效率高幾倍，從而在平板中，功率的增大不是問題。
于是，通過采用根據(jù)本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，可在不降低全色顯示板的效率的情況下，抑制顯示板中亮度的變化。
下面將參考圖6和7說明根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的全色有機(jī)發(fā)光顯示器。該顯示器包括位于綠色發(fā)光象素區(qū)下部的第二供電導(dǎo)線和饋電點(diǎn)，并被這樣構(gòu)成，以便從基體的背面獲得光線，并且具有較高的效率和較長的壽命。圖6是本實(shí)施例中有機(jī)發(fā)光顯示器的象素的平面圖，圖7是沿圖6的A-A′線獲得的斷面圖。
本實(shí)施例中，在第二電極125的上面形成用于防止空氣中的水、氧氣及類似氣體滲入第二電極125、第二電極下的有機(jī)層、或者第二電極和有機(jī)層之間的界面的密封基底309，其它構(gòu)造基本上和第二實(shí)施例中相同。
具體地說，利用和第二實(shí)施例相同的方法，在玻璃基體116上形成綠色象素第一晶體管204，綠色電容205，綠色第二晶體管206，紅色象素第一晶體管207，紅色電容208，紅色第二晶體管209，藍(lán)色象素第一晶體管210，藍(lán)色電容211，藍(lán)色第二晶體管212，信號線109、109′、109″，掃描線106、106′，第一供電導(dǎo)線110、110′、110″，第二供電導(dǎo)線111，第一層間絕緣薄膜118和第二層間絕緣薄膜119。
隨后，在第二層間絕緣薄膜上形成綠色、紅色和藍(lán)色象素的第一電極301、302、303。形成條件和第二實(shí)施例中相同。該實(shí)施例和第二實(shí)施例的不同之處在于綠色象素第一電極301較小，以致不與電容205，第一供電導(dǎo)線110或者第二供電導(dǎo)線111交迭。
隨后，和第二實(shí)施例的情況一樣，在第二層間絕緣薄膜119和第三層間絕緣薄膜120中形成接觸孔114，并使接觸孔114成為饋電點(diǎn)。
在其上側(cè)，形成綠色、紅色和藍(lán)色象素共用的空穴傳送層121。形成方法和第二實(shí)施例中的相同。
之后，利用和第二實(shí)施例相同的方法形成各個(gè)象素的發(fā)光層304、305、306。
利用和實(shí)施例2相同的方法，在各個(gè)象素的發(fā)光層304、305、306上形成綠色、紅色、藍(lán)色象素共用的電子傳送層123。
隨后，在電子傳送層123上形成作為電子注入層的LiF薄膜。以0.05±0.01nm/sec的氣相沉積速率，利用真空氣相沉積方法形成厚度0.5納米的LiF薄膜。
之后，在電子注入層124上形成用作第二電極125的Al薄膜。以1±0.05nm/sec的氣相沉積速率，利用真空氣相沉積方法形成厚度150納米的薄膜。
以形成于第二層間絕緣薄膜119和第三層間絕緣薄膜120中的接觸孔114用作饋電點(diǎn)，第二電極125與第二供電導(dǎo)線111相連。
隨后，在不使基體106曝露于空氣中的情況下，把設(shè)有驅(qū)動部分和有機(jī)發(fā)光器件的基體(有機(jī)EL基體)106移到其中露點(diǎn)保持在-90℃的密封室中，同時(shí)循環(huán)干燥的氮?dú)狻?br> 之后，把玻璃基體引入密封室中。玻璃基體成為密封基底(相對基底)309。通過利用密封分配器，把可光固化的樹脂涂覆到由玻璃基體構(gòu)成的密封基底309的邊緣部分上。
可光固化樹脂的密封寬度為200微米。在可光固化樹脂中加入1wt％的直徑為10微米的玻璃丸。在密封室中，密封基底309和有機(jī)EL基體310相互粘合，并在0.5kgw/cm2的負(fù)載下相互緊壓。在密封基底309的外側(cè)放置遮光板，從而保護(hù)整個(gè)顯示區(qū)不受UV光線的影響，從密封基底309一側(cè)用UV光線進(jìn)行輻照，以便固化可光固化樹脂。
堿金屬鹵化物燈被用作UV光源，輻照強(qiáng)度為4000mJ/cm2，輻照時(shí)間為4分鐘。
有機(jī)EL基體310和密封基底309之間的間隙長度由包含在可光固化樹脂中的玻璃丸的直徑確定為10微米。
本實(shí)施例中，和第一實(shí)施例的情況一樣，在象素的內(nèi)側(cè)形成用于連接第二電極125和第二供電導(dǎo)線111的饋電點(diǎn)，從而抑制了由第二電極125的電阻引起的導(dǎo)線電阻的分散，降低了平板亮度的變化。
此外，本實(shí)施例中，和第二實(shí)施例的情況一樣，只在綠色象素區(qū)的下部形成第二供電導(dǎo)線111，從而即使在綠色象素的孔徑比約為50％的情況下，每個(gè)象素的電流也不會發(fā)生變化。另一方面，電壓增大約7％。于是，本實(shí)施例中，功率被增大約7％，但是按照和第二實(shí)施例中相同的方式，這不會導(dǎo)致全色顯示板的性能的降低。
下面參考圖8和9說明根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的全色有機(jī)發(fā)光顯示器。該顯示器包括位于第二電極上面的第二供電導(dǎo)線。圖8是根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的象素的平面圖，圖9是沿圖8的A-A′線獲得的斷面圖。
本實(shí)施例中，代替在和信號線109相同的層中形成第二供電導(dǎo)線111，改為在覆蓋屬于各個(gè)象素的有機(jī)發(fā)光器件的第二電極125的保護(hù)層126的上面形成用作第二供電導(dǎo)線的Al薄膜402，從基體的背面獲得發(fā)射的光線，其它構(gòu)造基本上和第一實(shí)施例相同。
具體地說，利用和第一實(shí)施例相同的方法，在玻璃基體116上形成第一晶體管101，電容104，第二晶體管102，信號線109、109′，掃描線106、106′，第一供電導(dǎo)線110、110′，第二層間絕緣薄膜119，第一電極115和第三層間絕緣薄膜120。
在此上面，利用和實(shí)施例中相同的方法形成空穴傳送層121，發(fā)光層122和電子傳送層123。
之后，在和第三實(shí)施例相同的條件下，在電子傳送層123上形成作為電子注入層124的LiF薄膜。
隨后，在和第三實(shí)施例相同的條件下，在電子注入層124上形成作為第二電極124的Al薄膜。
接下來，利用熱CVD方法形成厚度100納米的SiNx薄膜。利用光刻方法除去該薄膜，同時(shí)留下第一電極115和第二電極125彼此交迭的象素區(qū)上的上方部分。在圖8和9中，被除去的區(qū)域?yàn)?01和401′。這種情況下，SiNx薄膜用作象素區(qū)中的保護(hù)層126。
利用濺射方法在保護(hù)層126上形成厚度500納米的Al薄膜。該層起第二供電導(dǎo)線的作用。通過在象素區(qū)中形成保護(hù)薄膜126，減輕了Al薄膜的形成對作為下方各層的電子傳送層123、發(fā)光層122和空穴傳送層121的損壞。
在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)中，形成于各個(gè)象素的第二電極125的上部的第二供電導(dǎo)線402穿過形成于各個(gè)象素附近的保護(hù)層126和區(qū)域401、401′中的接觸孔(未示出)，與第二電極125相連，從而降低了第二電極的導(dǎo)線電阻方面的變化，其結(jié)果是能夠降低顯示板表面的亮度的變化。
另外，由于形成于保護(hù)層126上的第二供電導(dǎo)線402具有保護(hù)功能，因此可延長有機(jī)發(fā)光顯示器的壽命。
下面將參考圖10和11說明根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器。該顯示器包括呈網(wǎng)格形式的第二供電導(dǎo)線。圖10是根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的象素的平面圖，圖11是沿圖10的A-A′線獲得的斷面圖。
本實(shí)施例中，就形成呈網(wǎng)格狀的第二供電導(dǎo)線來說，平行于信號線109、109′形成第二供電導(dǎo)線501、501′，平行于掃描線106、106′形成第二供電導(dǎo)線502，以致第二供電導(dǎo)線的整體面積被增大，從而降低了第二供電導(dǎo)線的電阻，其它構(gòu)造基本上和第一及第二實(shí)施例相同。
具體地說，利用和第一實(shí)施例相同的方法在玻璃基體116上形成第一晶體管101的有源層103，第二晶體管102的有源層103′和電容的下電極105。
隨后，利用和第一實(shí)施例相同的方法形成柵極絕緣薄膜117。在這上面，通過圖案形成形成柵電極107，掃描線106、106′和電容的上電極108。在這一層中，形成第二供電導(dǎo)線502。
在這上面，在和第一實(shí)施例相同的條件下，形成第一層間絕緣層118。
隨后，在位于有源層103、103′兩端的上部的柵極絕緣薄膜117和第一層間絕緣層118中形成接觸孔。此外，在位于第二晶體管102的柵電極121的上部的第一層間絕緣層127中形成接觸孔。另外，在第二供電導(dǎo)線502上形成接觸孔504′。
在這上面，按照和第一實(shí)施例相同的方式形成信號線109，第一供電導(dǎo)線110和第二供電導(dǎo)線501、501′。使第二供電導(dǎo)線502在饋電點(diǎn)504′與第二供電導(dǎo)線501′相連。
另外，形成第一晶體管101的源電極112及漏電極113和第二晶體管102的源電極112′和漏電極113′。
電容下電極105與第一晶體管101的漏電極113相連，第一晶體管101的源電極112與信號線109相連，第一晶體管101的漏電極113與第二晶體管102的柵電極107′相連。另外，第二晶體管102的漏電極102′與第一供電導(dǎo)線110相連，電容上電極108與第一供電導(dǎo)線110相連。
隨后，按照和第一實(shí)施例相同的方式，形成第二層間絕緣層118，第一電極114和第三層間絕緣層119。在這之上，利用和第一實(shí)施例相同的方法，形成空穴傳送層121，發(fā)光層122，電子傳送層123，電子注入層124和第二電極125。
第二電極125在饋電點(diǎn)503′、504′與第二供電導(dǎo)線501′相連。
之后，按照和第三實(shí)施例相同的方式，把帶有驅(qū)動器件和有機(jī)發(fā)光器件的基體和密封基底309彼此粘合在一起。
在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)中，第二電極125和第二供電導(dǎo)線501′、502′在各個(gè)象素的顯示區(qū)中互連，從而降低了第二電極125的導(dǎo)線電阻的變化。特別地，由于以網(wǎng)格形式形成第二供電導(dǎo)線501′、502′，進(jìn)一步降低了第二供電導(dǎo)線的導(dǎo)線電阻，從而，可降低顯示板表面亮度的變化。
本實(shí)施例采用了網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，其中，為每個(gè)子象素沿信號線的方向(縱向方向)和掃描線的方向(橫向方向)布置第二供電導(dǎo)線。為了降低導(dǎo)線電阻的變化，不必為每個(gè)子象素沿縱向方向和橫向方向布置第二供電導(dǎo)線。例如，和第一實(shí)施例的情況一樣，沿每個(gè)子象素的縱向方面布置第二供電導(dǎo)線，同時(shí)只對位于顯示區(qū)的中央部分的子象素，沿橫向方向布置第二供電導(dǎo)線。和只沿縱向方向布置第二供電導(dǎo)線的結(jié)構(gòu)相比，這種結(jié)構(gòu)降低了導(dǎo)線電阻方面的變化。另外，和第五實(shí)施例相比，雖然增大了導(dǎo)線電阻的變化，但是減少了連接沿縱向方向布置的第二供電導(dǎo)線和沿橫向方向布置的第二供電導(dǎo)線的接觸孔的數(shù)目，降低了工藝次品百分比。
可每隔一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè)子象素形成沿橫向方向布置的第二供電導(dǎo)線。另外，即使沿橫向和縱向方向形成的第二供電導(dǎo)線的布置互換，也可產(chǎn)生相同的效果。
下面將參考圖12和13說明根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的全色有機(jī)發(fā)光顯示器。該顯示器具有到在構(gòu)成一個(gè)象素的一組子象素處形成的第二供電導(dǎo)線的饋電點(diǎn)。圖12是根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)的象素的平面圖，圖13是沿圖12中所示的象素區(qū)的A-A′線獲得的斷面圖。
本實(shí)施例中，為了為構(gòu)成每個(gè)彩色圖像的各個(gè)象素的各個(gè)子象素，形成到第二供電導(dǎo)線111、111′、111″的饋電點(diǎn)，分別在紅色、綠色和藍(lán)色象素的顯示區(qū)中形成第二供電導(dǎo)線111、111′、111″，第二電極125通過每個(gè)子象素的顯示區(qū)中的接觸孔114、114′、114″，與第二供電導(dǎo)線111、111′、111″相連，其它構(gòu)造基本上和第二實(shí)施例相同。
具體地說，利用和第二實(shí)施例相同的方法，在玻璃基體116上形成綠色象素第一晶體管204，綠色電容205，綠色第二晶體管206，紅色象素第一晶體管207，紅色電容208，紅色第二晶體管209，藍(lán)色象素第一晶體管210，藍(lán)色電容211，藍(lán)色第二晶體管212，信號線109、109′、109″，掃描線106、106′，第一供電導(dǎo)線110、110′、110″，第二供電導(dǎo)線111、111′、111″，第一層間絕緣薄膜118和第二層間絕緣薄膜119。
隨后，分別在第二供電導(dǎo)線111、111′、111″的上部，在第一層間絕緣薄膜118和第二層間絕緣薄膜119中形成接觸孔114、114′、114″，使各個(gè)接觸孔114、114′、114″成為饋電點(diǎn)。
之后，在和第二實(shí)施例相同的形成條件下，形成綠色、紅色和藍(lán)色象素的第一電極201、202、203。圖12中表示了第一電極201、202、203的形狀。
接下來，利用和第二實(shí)施例相同的方法形成第三層間絕緣薄膜120。
隨后，在和第二實(shí)施例相同的形成條件下，在子象素的第一電極201、202、203上分別形成空穴傳送層601、603、605。以這樣的方式形成空穴傳送層601、603、605，以便不會分別覆蓋接觸孔114、114′、114″，接觸孔用作饋電點(diǎn)。
之后，利用和第二實(shí)施例相同的方法，分別在空穴傳送層601、603、605上形成發(fā)光層231、214、215。
隨后，利用和第二實(shí)施例相同的方法，分別在發(fā)光層213、214、215上形成電子傳送層602、604、605。
之后，在和第二實(shí)施例相同的形成條件下，在電子傳送層602、604、605上形成作為電子注入層124的Mg-Ag合金薄膜。在和第二實(shí)施例相同的形成條件下，在電子注入層124上形成作為第二電極125的IZO薄膜。
第二電極分別通過形成于第一層間絕緣薄膜118和第二層間絕緣薄膜119中的接觸孔114、114′、114″，與第二供電導(dǎo)線111、111′、111″相連。即，以接觸孔114、114′、114″用作饋電點(diǎn)，每個(gè)子象素的第二電極125在每個(gè)子象素的顯示區(qū)中和第二供電導(dǎo)線111、111′、111″相連。
隨后，利用熱CVD方法，形成厚度50納米的SiNx薄膜。該薄膜用作保護(hù)層126。
根據(jù)本實(shí)施例，第二電極125在每個(gè)象素的子象素的顯示區(qū)中和第二供電導(dǎo)線111、111′、111″相連，從而可抑制由各個(gè)象素的第二電極125的電阻引起的導(dǎo)線電阻變化，能夠降低顯示板亮度的變化。
下面將參考圖14和15說明根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的全色有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)。該顯示器具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中在包含有機(jī)層的驅(qū)動層上形成新的金屬層和層間絕緣薄膜，并且第二供電導(dǎo)線由新的金屬層構(gòu)成。圖14是根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)的象素的平面圖，圖15是沿圖14中所示的象素區(qū)的A-A′線獲得的斷面圖。
本實(shí)施例中，在包含信號線109、109′、109″和第一供電導(dǎo)線110、110′、110″的線路層和包含有機(jī)層的驅(qū)動層之間，形成金屬層和層間絕緣薄膜，以便形成第二供電導(dǎo)線111、111′、111″，其它構(gòu)造和第六實(shí)施例中相同。
具體地說，除了第二供電導(dǎo)線111、111′、111″形成為與包含信號線109、109′、109″和第一供電導(dǎo)線110、110′、110″的線路層不同的一層之外，一直到在玻璃基體116上形成第二層間絕緣薄膜119的步驟都和第六實(shí)施例中相同。
隨后，利用和第六實(shí)施例相同的方法，在第二層間絕緣薄膜119上形成第二供電導(dǎo)線111、111′、111″。
接下來，在第二供電導(dǎo)線111、111′、111″上形成作為第四層間絕緣薄膜701的聚酰亞胺涂層薄膜。通過利用自身(薄膜)非光敏性聚酰亞胺(代碼No.PIX-1400，Hitachi Chemical DuPont MicroSystems的產(chǎn)品)形成聚酰亞胺薄膜。在利用NMP作為溶劑兩倍稀釋的情況下，用旋涂方法形成該薄膜。首先，以500rpm的轉(zhuǎn)速把該溶液擴(kuò)散到基體的整個(gè)表面上，時(shí)間為10秒，隨后在6000rpm和30秒的條件下，真正形成聚酰亞胺薄膜。之后，在空氣中把該基體放置在熱平板上，通過以110℃(3分鐘)、190℃(3分鐘)、270℃(3分鐘)和350℃(5分鐘)的方式連續(xù)改變烘烤溫度(烘烤時(shí)間)，進(jìn)行烘烤。聚酰亞胺薄膜的厚度為500納米。第四層間絕緣薄膜701也帶有用作饋電點(diǎn)的接觸孔114、114′、114″。
隨后，利用和第六實(shí)施例相同的方法，在第四層間絕緣薄膜701上形成綠色、紅色和藍(lán)色象素的第一電極205、208、211，第三層間絕緣薄膜120，空穴傳送層601、603、605，發(fā)光層213、214、215，電子傳送層602、604、606，電子注入層124，第二電極125和保護(hù)層126。
根據(jù)本實(shí)施例，在接觸孔114、114′、114″用作饋電點(diǎn)的情況下，第二電極125和第二供電導(dǎo)線111、111′、111″在各個(gè)子象素的顯示區(qū)中相互連接，以致能夠抑制起因于第二電極125的導(dǎo)線電阻變化，從而能夠降低顯示板亮度的變化。
此外，根據(jù)本實(shí)施例，在和第一供電導(dǎo)線110、110′、110″不同的一層中形成第二供電導(dǎo)線111、111′、111″，從而能夠擴(kuò)大線路的寬度，降低第二供電導(dǎo)線111、111′、111″的電阻。
下面將參考圖16和17說明根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的全色有機(jī)發(fā)光顯示器。該顯示器具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中在包含有機(jī)層的驅(qū)動層形成金屬層和層間絕緣薄膜，第二供電導(dǎo)線由金屬層構(gòu)成。圖16是根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的象素的平面圖，圖17是沿圖16中所示的象素區(qū)的A-A′線獲得的斷面圖。
本實(shí)施例中，除了平行于掃描線106、106′形成第二供電導(dǎo)線801(這和第七實(shí)施例中平行于信號線109、109′、109″形成第二供電導(dǎo)線111、111′、111″相反)以及第二供電導(dǎo)線801帶有接觸孔114、114′、114″之外，按照和第七實(shí)施例相同的方式，在包含信號線109、109′、109″和第一供電導(dǎo)線110、110′、110″的線路層和包含有機(jī)層的驅(qū)動層之間形成金屬層和層間絕緣薄膜，第二供電導(dǎo)線由金屬層構(gòu)成。
具體地說，一直到在玻璃基體116上形成第二層間絕緣薄膜119的步驟都和第七實(shí)施例中相同。
隨后，在第二層間絕緣薄膜119上形成第二供電導(dǎo)線801。利用和第七實(shí)施例相同的方法，平行于掃描線106、106′形成第二供電導(dǎo)線801。后續(xù)步驟和第七實(shí)施例中相同。
根據(jù)本實(shí)施例，以接觸孔114、114′、1 14″用作饋電點(diǎn)，以子象素為基礎(chǔ)使第二電極125和第二供電導(dǎo)線801相連，從而可抑制由第二電極125引起的導(dǎo)線電阻的變化，能夠降低顯示板亮度的變化。
另外，根據(jù)本實(shí)施例，在和第一供電導(dǎo)線110、110′、110″不同的一層中形成第二供電導(dǎo)線801，從而可擴(kuò)大第二供電導(dǎo)線801的線路寬度，可降低第二供電導(dǎo)線801的電阻。
下面將參考圖18和19說明根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的全色有機(jī)發(fā)光顯示器。該顯示器具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中專用于各子象素的第二供電導(dǎo)線與各彩色子象素相連。圖18是根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)的象素的平面圖，圖19是沿圖18中所示的象素區(qū)的A-A′線獲得的斷面圖。
本實(shí)施例中，為每個(gè)象素的各個(gè)子象素形成平行于信號線的第二供電導(dǎo)線111、111′、111″，以接觸孔114、114′、114″用作饋電點(diǎn)，第二電極901、902、903分別在各子象素的顯示區(qū)中與各子象素的第二供電導(dǎo)線111、111′、111″相連。另外，以條狀模式形成綠色象素、紅色象素和藍(lán)色象素，每種象素排列成行，并且在第二電極901、902、903上形成用于防止空氣中的水氣、氧氣及類似氣體滲入第二電極、第二電極下的有機(jī)層或者第二電極和有機(jī)層之間的界面的密封基底309。其它構(gòu)造和第六實(shí)施例相同。
具體地說，從在玻璃基體116上形成第一晶體管204、207、210的步驟一直到形成電子注入層307、307′、307″的步驟都和第六實(shí)施例中相同，從而以條狀模式形成綠色象素、紅色象素和藍(lán)色象素，每種象素排列成行。
在和第六實(shí)施例相同的條件下，利用金屬掩模，在電子注入層307、307′、307″上形成條狀第二電極901、902、903。
雖然在形成第二電極901、902、903的過程中，金屬掩模被用于圖案形成，但是這不是限制性的。例如，可以倒錐體的形狀形成第三層間絕緣薄膜120的邊緣部分，可在不使用掩模的情況下，以切分(cut-apart)狀態(tài)形成條狀第二電極901、902、903。
隨后，按照和第三實(shí)施例相同的方式，利用密封基底309進(jìn)行密封。
根據(jù)本實(shí)施例，以接觸孔114、114′、114″用作饋電點(diǎn)，第二電極901、902、903分別在每個(gè)象素的各子象素的顯示區(qū)中與第二供電導(dǎo)線111、111′、111″相連，從而可抑制由第二電極901、902、903引起的導(dǎo)線電阻的變化，可降低顯示板亮度的變化。
另外，根據(jù)本實(shí)施例，以接觸孔114、114′、114″用作饋電點(diǎn)，構(gòu)成每個(gè)象素的子象素的綠色象素、紅色象素和藍(lán)色象素通過專用第二供電導(dǎo)線111、111′、111″相連，從而可單獨(dú)控制施加于各個(gè)子象素的電壓或電流。
根據(jù)本發(fā)明，至少位于屬于每個(gè)象素的一個(gè)有機(jī)發(fā)光器件一側(cè)的電極在每個(gè)象素的顯示區(qū)中與供電導(dǎo)線相連，從而可降低由連接有機(jī)發(fā)光器件的電極和電源的線路的電阻引起的亮度的色散，可抑制顯示區(qū)中亮度的色散。
下面參考圖21和22說明第十實(shí)施例，其中以網(wǎng)格形式布置第一供電導(dǎo)線和第二供電導(dǎo)線。圖21是本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示系統(tǒng)的象素的平面圖。圖22是沿圖21的A-A′線獲得的象素區(qū)的斷面圖。該顯示系統(tǒng)包括在線路層中沿縱向方向形成的第一供電導(dǎo)線110′、110和第二供電導(dǎo)線501′、501，所述線路層中還形成信號線109、109′和在線路層中沿橫向方向形成的第一供電導(dǎo)線603和第二供電導(dǎo)線604，柵極導(dǎo)線503′也形成于所述線路層中。第一縱向供電導(dǎo)線110′和110分別通過接觸孔601′和601，在它們與第一橫向供電導(dǎo)線603的相應(yīng)交點(diǎn)處，和第一橫向供電導(dǎo)線603相連。第二縱向供電導(dǎo)線501′和501分別通過接觸孔602′和602，在它們與第二橫向供電導(dǎo)線604的相應(yīng)交點(diǎn)處，和第二橫向供電導(dǎo)線604相連。從而，第一和第二供電導(dǎo)線均按照網(wǎng)格方式形成。另外，第二電極分別通過用作饋電點(diǎn)的接觸孔606′和606，與第二供電導(dǎo)線501′和501相連。其它部分的結(jié)構(gòu)和第五實(shí)施例相似。
就這種結(jié)構(gòu)來說，由于能夠降低第一和第二供電導(dǎo)線的電阻，因此能夠抑制線路電阻的變化，其結(jié)果是，可降低顯示板表面的亮度的變化。特別地，第一供電導(dǎo)線的壓降隨著確定象素的顯示亮度的第二晶體管102、102′的參考電壓而變化，從而電壓方面的微小變化會導(dǎo)致電流方面的較大變化。于是，抑制第一供電導(dǎo)線的壓降的變化對抑制顯示板表面的亮度變化有效。
例如，第一供電導(dǎo)線中0.5伏的電壓變化近似對應(yīng)于晶體管的柵極偏置電壓的變化。因此，晶體管的0.5V/dec的S值導(dǎo)致電流方面多達(dá)10倍的變化。另一方面，第二供電導(dǎo)線中0.5伏的電壓變化(它對應(yīng)于EL驅(qū)動電壓的變化)影響亮度。于是，假定VDS＝8伏，電壓-電流特性曲線為指數(shù)函數(shù)，指數(shù)I為Ioe0.8V，電流比為1.5倍，亮度變化約1.5倍。從而無論在哪種情況下，第一供電導(dǎo)線和第二供電導(dǎo)線中即使1伏或更小的較小壓降也會導(dǎo)致較大的亮度變化。特別地，第一供電導(dǎo)線的電壓的變化會導(dǎo)致更大的亮度變化。本實(shí)施例帶來的電阻變化方面的降低會產(chǎn)生降低亮度變化的效果。
另外，這樣構(gòu)成的網(wǎng)格狀線路可降低橫向相鄰象素或者子象素之間電壓的變化，從而可減少活點(diǎn)(smear)。
活點(diǎn)是以下述方式產(chǎn)生的。如同前述實(shí)施例中所述，在平行于信號線條狀布置第一供電導(dǎo)線的情況下，第一供電導(dǎo)線的電流響應(yīng)與對應(yīng)的第一供電導(dǎo)線相連的縱向布置的子象素的平均亮度而變化，因此，壓降基于縱向?qū)Ь€自由變化。于是，即使要在顯示板的中央部分顯示相同亮度的圖案，位于中央部分的圖案之一的亮度也會隨沿各個(gè)縱向方向位于顯示板的周緣部分的對應(yīng)被顯示圖案而變化。
本實(shí)施例中，由于橫向供電導(dǎo)線與縱向供電導(dǎo)線相連，因此可在縱向和橫向方向上降低電壓的變化，從而防止發(fā)生活點(diǎn)。
下面參考圖23和24說明第十一實(shí)施例。本實(shí)施例中，另外以網(wǎng)格形式形成低電阻的鋁線路層和絕緣夾層，將它們用作第一供電導(dǎo)線層。圖23是平面圖，圖24表示了斷面結(jié)構(gòu)。利用和第三實(shí)施例相似的工藝形成附加鋁線路層605和層間絕緣薄膜610。形成第二層間薄膜119，形成第二電流接點(diǎn)602、602′和第一電流接點(diǎn)614、614′。之后，形成鋁線路層605和附加的層間絕緣薄膜610，并且形成接觸孔608。之后，形成EL器件，形成第二電極125作為最上層。
每個(gè)鋁線路層605帶有用于每個(gè)象素的開孔11，以便允許來自基體表面的光線穿過所述開孔。在最上層中形成的第二電極124通過在相應(yīng)的接觸開孔612、612′下形成的相應(yīng)觸點(diǎn)602、602′與第二供電導(dǎo)線501、501′相連。另一方面，作為第一供電導(dǎo)線的鋁線路層605分別通過第一供電導(dǎo)線觸點(diǎn)614、614′與第二晶體管102、102′相連。
就這種結(jié)構(gòu)來說，可顯著增大對亮度的變化存在較大影響的第一供電導(dǎo)線的面積，從而降低壓降，以致能夠降低亮度的變化。另外，這種結(jié)構(gòu)能夠極大地減少活點(diǎn)。這是因?yàn)橐跃W(wǎng)格的形式使用低電阻的鋁線路層的緣故。特別地，由于有機(jī)EL顯示板(它是電流驅(qū)動器件)中網(wǎng)格狀線路的緣故，改進(jìn)圖像質(zhì)量的效果明顯大于液晶顯示器。同樣，液晶顯示器系統(tǒng)帶有向每個(gè)象素施加相同電位的線路。但是，由于液晶顯示器是電壓驅(qū)動的，就其工作原理來說，該器件由電容負(fù)荷驅(qū)動，因此需要通過使象素的選定時(shí)間和線路的瞬時(shí)響應(yīng)的時(shí)間常數(shù)匹配，來改善顯示的圖像質(zhì)量。對于諸如有機(jī)EL之類的電流驅(qū)動器件來說，由于在掃描周期之后的顯示周期內(nèi)，電流平穩(wěn)地流動，因此需要通過抑制由線路電阻本身引起的壓降，來抑制顯示亮度的變化。從而，就線路電阻影響的表現(xiàn)方式來說，電流驅(qū)動器件明顯不同于液晶顯示器。由于電流線路層由低電阻率的鋁制成，并且呈網(wǎng)格形式，以便具有低的電阻，因此本實(shí)施例具有消除亮度變化和活點(diǎn)的優(yōu)點(diǎn)。
下面參考圖25和26說明第十二實(shí)施例。本實(shí)施例中，平行于信號線布置第一和第二縱向供電導(dǎo)線，平行于掃描線布置第一和第二橫向供電導(dǎo)線。第一和第二縱向供電導(dǎo)線與第一和第二橫向供電導(dǎo)線網(wǎng)格狀相連。特別地，對于平行于信號線布置的縱向?qū)Ь€，使用和第十一實(shí)施例一樣額外形成的低電阻鋁線路層和層間絕緣薄膜。這種結(jié)構(gòu)擴(kuò)大了第一和第二縱向?qū)Ь€的相應(yīng)寬度，從而提供降低其電阻和減少活點(diǎn)的效果。
本實(shí)施例的制造工藝和第十一實(shí)施例相似。即，第一供電導(dǎo)線110、110′和第二供電導(dǎo)線501、501′由鋁線路構(gòu)成，并且平行于信號線109、109′布置。另一方面，第一和第二橫向供電導(dǎo)線603、604平行于掃描線布置，并且形成于掃描線路層中。第一縱向供電導(dǎo)線110和110′分別通過接觸孔601和601′與第一橫向供電導(dǎo)線603相連，而第二縱向供電導(dǎo)線501和501′分別通過接觸孔602和602′與第二橫向供電導(dǎo)線604相連。順便說明，第二電極125分別通過用作饋電點(diǎn)的接觸孔606和606′與第二供電導(dǎo)線501和501′相連。另外，第一供電導(dǎo)線110通過連接模式609和接觸孔607，與第二晶體管102相連；第一供電導(dǎo)線110′通過連接圖案609′和接觸孔607′與第二晶體管102′相連。
雖然就其優(yōu)選實(shí)施例說明了本發(fā)明，但是要明白使用的言詞是說明性的言詞，而不是對本發(fā)明的限制，在不脫離本發(fā)明的真實(shí)范圍和精神的情況下，可在附加權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變化。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括若干作為圖像的最小單元的象素；和作為每個(gè)所述象素的若干有機(jī)發(fā)光器件；其中，在布置在所述若干有機(jī)發(fā)光器件的一個(gè)有機(jī)層的相對兩側(cè)的電極對中，位于每個(gè)所述象素的一個(gè)有機(jī)發(fā)光器件的一側(cè)的至少一個(gè)電極在每個(gè)所述象素的顯示區(qū)中與供電導(dǎo)線相連。
2.一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括若干作為圖像的最小單元的象素；和作為每個(gè)所述象素的若干有機(jī)發(fā)光器件；其中，在布置在所述若干有機(jī)發(fā)光顯示器的一個(gè)有機(jī)層的相對兩側(cè)的一對電極中，位于一側(cè)的一個(gè)電極在每個(gè)所述象素的顯示區(qū)中與供電導(dǎo)線相連。
3.一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括若干作為彩色圖像的最小單元的象素；和作為每個(gè)所述象素的發(fā)光顏色不同的若干有機(jī)發(fā)光器件；其中，在布置在所述若干有機(jī)發(fā)光器件的一個(gè)有機(jī)層的相對兩側(cè)的一對電極中，位于每個(gè)所述象素的一個(gè)有機(jī)發(fā)光器件的一側(cè)的至少一個(gè)電極在每個(gè)所述象素的顯示區(qū)中與供電導(dǎo)線相連。
4.一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括若干作為彩色圖像的最小單元的象素；和作為每個(gè)所述象素的發(fā)光顏色不同的若干有機(jī)發(fā)光器件；其中，在布置在所述若干有機(jī)發(fā)光器件的一個(gè)有機(jī)層的相對兩側(cè)的一對電極中，位于一側(cè)的一個(gè)電極在每個(gè)所述象素的顯示區(qū)中與供電導(dǎo)線相連。
5.一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括若干作為彩色圖像的最小單元的象素；和作為每個(gè)所述象素的發(fā)光顏色不同的若干有機(jī)發(fā)光器件；其中，在布置在所述若干有機(jī)發(fā)光器件的一個(gè)有機(jī)層的相對兩側(cè)的一對電極中，位于每個(gè)所述象素的發(fā)出指定顏色光線的所述有機(jī)發(fā)光器件的一側(cè)的一個(gè)電極在每個(gè)所述象素的顯示區(qū)中與供電導(dǎo)線相連。
6.一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括若干作為圖像的最小單元的象素；作為每個(gè)所述象素的若干有機(jī)發(fā)光器件；和布置在包含每個(gè)所述象素的顯示區(qū)中的至少一條供電導(dǎo)線；其中，在布置在所述若干有機(jī)發(fā)光器件的一個(gè)有機(jī)層的相對兩側(cè)的一對電極中，位于每個(gè)所述象素的一個(gè)有機(jī)發(fā)光器件的一側(cè)的至少一個(gè)電極在每個(gè)所述象素的顯示區(qū)中與所述供電導(dǎo)線相連。
7.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，在基體上堆疊包括用于驅(qū)動所述有機(jī)層的驅(qū)動器件的驅(qū)動層，堆疊包含與所述驅(qū)動器件相連的信號線和掃描線的線路層，以象素為基礎(chǔ)，在所述線路層上堆疊所述若干有機(jī)發(fā)光器件的所述有機(jī)層，同時(shí)一對電極被布置在所述有機(jī)層的兩側(cè)，所述供電導(dǎo)線布置在所述線路層中，并且通過層間絕緣薄膜與位于一側(cè)的所述電極相連。
8.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，在基體上堆疊包括用于驅(qū)動所述有機(jī)層的驅(qū)動器件的驅(qū)動層，堆疊包含與所述驅(qū)動器件相連的信號線和掃描線的線路層，以象素為基礎(chǔ)，在所述線路層上堆疊所述若干有機(jī)發(fā)光器件的所述有機(jī)層，同時(shí)一對電極被布置在所述有機(jī)層的兩側(cè)，所述供電導(dǎo)線布置在所述線路層和所述有機(jī)層之間的一個(gè)層中，并且通過層間絕緣薄膜與位于一側(cè)的所述電極相連。
9.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，對著在所述基體上的所述有機(jī)層的下部形成的第一電極，在基體上的所述有機(jī)層的上部，形成布置在所述若干有機(jī)發(fā)光器件的所述有機(jī)層相對兩側(cè)的一對電極中的位于一側(cè)的一個(gè)電極，作為第二電極，并且所述供電導(dǎo)線與所述第二電極的上部相連。
10.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，在基體上堆疊包括用于驅(qū)動所述有機(jī)層的驅(qū)動器件的驅(qū)動層，堆疊包含與所述驅(qū)動器件相連的信號線和掃描線的線路層，以象素為基礎(chǔ)，在所述線路層上堆疊所述若干有機(jī)發(fā)光器件的所述有機(jī)層，同時(shí)一對電極被布置在所述有機(jī)層的兩側(cè)，對著在所述基體上的所述有機(jī)層的下部形成的第一電極，在所述基體上的所述有機(jī)層的上部，形成布置在所述若干有機(jī)發(fā)光器件的所述有機(jī)層的相對兩側(cè)的一對電極中的位于一側(cè)的一個(gè)電極，作為第二電極，并且所述供電導(dǎo)線與所述第二電極的上部相連。
11.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)光顯示器，其中至少兩條所述供電導(dǎo)線彼此相連。
12.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述供電導(dǎo)線被分成對應(yīng)于每個(gè)所述象素的每個(gè)所述有機(jī)發(fā)光器件的若干供電導(dǎo)線，并且這樣分割的所述若干供電導(dǎo)線分別與每個(gè)所述象素的每個(gè)所述有機(jī)發(fā)光器件相連，作為專用供電導(dǎo)線。
13.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中沿著所述象素之間的各個(gè)空間，形成所述供電導(dǎo)線。
14.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述供電導(dǎo)線形成為與每個(gè)所述象素相交迭。
15.按照權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，和發(fā)出其它顏色光線的所述有機(jī)發(fā)光器件相比，所述指定發(fā)光顏色的所述有機(jī)發(fā)光器件具有更高效率或更長壽命。
16.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，對著在所述基體上的所述有機(jī)層的下部形成的第一電極，在基體上的所述有機(jī)層的上部，形成布置在所述若干有機(jī)發(fā)光器件的所述有機(jī)層的相對兩側(cè)的一對電極中的位于一側(cè)的電極，作為第二電極，所述第一電極與電源的正極相連，作為陽極，所述第二電極與電源的負(fù)極相連，作為陰極。
17.按照權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述第二電極由透射光線的透明材料構(gòu)成。
18.按照權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法，所述方法包括下述步驟在基體上形成包括若干有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)層；形成包含用于驅(qū)動所述若干有機(jī)發(fā)光器件的驅(qū)動器件的驅(qū)動層；形成包含與所述驅(qū)動器件相連的信號線和掃描線的線路層；在所述有機(jī)層的上面或者所述有機(jī)層的下面形成供電導(dǎo)線；在形成于所述供電導(dǎo)線周圍的層間絕緣薄膜中形成接觸孔；和通過所述接觸孔，使布置在所述若干有機(jī)發(fā)光器件的所述有機(jī)層的相對兩側(cè)的一對電極中位于一側(cè)的電極和所述供電導(dǎo)線相連。
全文摘要
本申請涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示器。在玻璃基體上形成掃描線、信號線、第一供電導(dǎo)線和第二供電導(dǎo)線，在包含上述部件的線路層上形成第一電極，在第一電極上形成包含空穴傳送層、發(fā)光層、電子傳送層和電子注入層的有機(jī)層，在電子注入層上形成用作陰極的第二電極，作為陽極的第一電極通過驅(qū)動器件和第一供電導(dǎo)線與電源的正極相連，而作為陰極的第二電極與電源的負(fù)極相連，并且以接觸孔用作饋電點(diǎn)在每個(gè)象素的顯示區(qū)中與第二供電導(dǎo)線相連，從而降低了起因于第二電極的導(dǎo)線電阻，降低了顯示板亮度的變化。
文檔編號G09F9/30GK1437177SQ031030
公開日2003年8月20日 申請日期2003年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月6日
發(fā)明者石原慎吾, 大內(nèi)貴之, 三上佳朗, 增田和人, 荒谷介和 申請人:株式會社日立制作所