專利名稱：切割用壓敏粘合劑片材和用其處理加工材料的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及切割用壓敏粘合劑片材。此外，本發(fā)明涉及通過使用切割用壓敏粘合劑片材進行切割的方法，并涉及通過切割可得到的小塊加工材料。本發(fā)明切割用壓敏粘合劑片材特別可用作切割半導體晶片的壓敏粘合劑片材，當分割并分離(切割)加工材料例如半導體晶片時，以及在延展和分離(收集)已經(jīng)切割和分離的小塊加工材料時，該壓敏粘合劑片材用于固定加工材料例如半導體晶片。例如，本發(fā)明切割用壓敏粘合劑片材可以用作切割硅半導體用壓敏粘合劑片材、切割化合物半導體用壓敏粘合劑片材、切割半導體封裝用壓敏粘合劑片材、切割玻璃用壓敏粘合劑片材等。
背景技術：
通常，以大直徑狀態(tài)生產(chǎn)由硅、鎵、砷等制成的半導體晶片，然后切割并分離(切割)成為小元件塊，并進一步轉移至安裝步驟。在這種情況下，對半導體晶片切割步驟、洗滌步驟、延展步驟、收集步驟和安裝步驟的各個步驟，其中半導體晶片的狀態(tài)為粘附到壓敏粘合劑片材上，并因此保持在其上。至于上述壓敏粘合劑片材，通常使用如下構成的片材，其中將厚度約1至200μm的丙烯酸粘合劑施加到由塑料膜構成的基體材料上。
通常使用旋轉移動的圓形刀刃(切割刀刃)進行上述切割步驟。在此情況下，用圓形刀刃進行分割，使得刀刃達到保持半導體封裝的切割用壓敏粘合劑片材的基體材料內(nèi)部。在這時候，當分割進行到壓敏粘合劑片材基體材料的內(nèi)部時，作為基體材料的塑料膜本身產(chǎn)生其纖維狀碎屑。當該纖維狀碎屑粘附至半導體晶片的側面時，半導體晶片在纖維狀碎屑粘附的位置(state)被固定。結果，纖維狀碎屑產(chǎn)生電子電路質(zhì)量明顯降低的問題。
作為解決該問題的方式，例如，JP-A-5-156214(專利文獻1)提出了使用乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物作為基體材料的晶片粘附片材。然而，盡管該晶片粘附片材在某種程度上可抑制纖維狀碎屑的產(chǎn)生，它沒有滿足在進行切割步驟以獲得高可靠性的半導體裝置中可接受的水平。
此外，JP-A-5-211234(專利文獻2)公開了一種晶片粘附用壓敏粘合劑片材，其使用電子射線或γ-射線以1至8°毫拉德輻照的聚烯烴膜作為基體材料膜。然而，在該晶片粘附用壓敏粘合劑片材中，由輻射產(chǎn)生的基體材料膜損傷大量存在，并且難以獲得外觀優(yōu)異的膜。此外，生產(chǎn)基體材料膜需要的成本很大。
此外，JP-A-2003-257893(專利文獻3)公開了一種使用包含烯烴熱塑性彈性體的基體材料膜的切割用壓敏粘合劑片材，所述彈性體包含丙烯和乙烯和/或具有4至8個碳原子的α-烯烴作為聚合成分，并具有120℃至170℃的熔點峰值溫度，并且包含乙烯的烯烴聚合物作為主要的聚合成分。然而，該切割用壓敏粘合劑片材具有權衡取舍的關系，即其中通過增加基體材料膜中包含的丙烯比例，可以減小須晶的出現(xiàn)，然而膨脹性惡化。即，上述結構可以抑制纖維狀碎屑的出現(xiàn)，但是需要在某種程度上犧牲膨脹性。
此外，作為解決膨脹性問題的手段，例如，JP-A-2-215528(專利文獻4)公開了一種切割用多層膜，其中將具有橡膠彈性的熱塑性樹脂和烯屬樹脂層通過壓敏粘合劑層或直接彼此層壓到一起。此外，其指出具有橡膠彈性的熱塑性樹脂為聚丁烯-1、聚氨酯或聚酯彈性體，或具有5％至50％結晶度和平均分子量80,000或更大的飽和熱塑性彈性體，其通過氫化1，2-聚丁二烯、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯或苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物獲得。然而，盡管該切割用多層膜改善了膨脹性，切割中會產(chǎn)生大量纖維狀碎屑。因此，難以生產(chǎn)確保高可靠性的半導體晶片。
專利文獻1JP-A-5-156214專利文獻2JP-A-5-211234專利文獻3JP-A-2003-257893專利文獻4JP-A-2-215528發(fā)明概述本發(fā)明的目的在于解決與如上所述傳統(tǒng)方法有關的問題，并且本發(fā)明目的為提供一種切割用壓敏粘合劑片材，其抑制纖維狀碎屑的產(chǎn)生，并具有良好的膨脹性。此外，本發(fā)明的另一個目的是提供一種使用切割用壓敏粘合劑片材處理加工材料的方法。此外，本發(fā)明的另一個目的是提供用該切割方法可得到的小塊加工材料。
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過使用一種具有特定聚合規(guī)律性的聚合物作為基體材料膜的組成材料可以實現(xiàn)上述目的，因此完成本發(fā)明。


圖1是橫截面示意圖，表示根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的切割用壓敏粘合劑片材的輪廓。
參考數(shù)字和符號的說明10切割用壓敏粘合劑片材11基體材料膜(基體材料)12壓敏粘合劑層13隔離物發(fā)明詳述即，為了解決上述問題，本發(fā)明涉及下列(1)至(9)。
(1)一種切割用壓敏粘合劑片材，其包含基體材料和設置在基體材料至少一個表面上的至少一個壓敏粘合劑層，其中基體材料包含具有無規(guī)共聚物嵌段的聚合物，和其中無規(guī)共聚物嵌段包含嵌段(I)，其包含由下列結構式(A)代表的結構單元作為主要結構單元-(CH2-CH2-CH2-CH2)- (A)；和嵌段(II)，其包含由下列結構式(B)代表的結構單元作為主要結構單元 (2)根據(jù)(1)的壓敏粘合劑片材，基于聚合物重量，其中嵌段(I)和嵌段(II)的含量分別為30至70重量％。
(3)根據(jù)(1)的壓敏粘合劑片材，其中嵌段(I)是無規(guī)共聚物嵌段，其包括由結構式(A)代表的結構單元和由結構式(B)代表的結構單元，和其中由結構式(A)代表的結構單元的含量為65至95重量％的，由結構式(B)代表的結構單元的含量為5至35重量％。
(4)根據(jù)(1)的壓敏粘合劑片材，其中嵌段(II)是無規(guī)共聚物嵌段，其包括由結構式(A)代表的結構單元和由結構式(B)代表的結構單元，和其中由結構式(A)代表的結構單元的含量為5至35重量％，由結構式(B)代表的結構單元的含量為65至95重量％。
(5)根據(jù)(1)的壓敏粘合劑片材，其中所述的基體材料具有10至50重量％的結晶度。
(6)根據(jù)(1)的壓敏粘合劑片材，其中所述的基體材料由單層膜構成，并且基于基體材料的總重量包含50重量％或更多的聚合物。
(7)根據(jù)(1)的壓敏粘合劑片材，其中所述的基體材料由多層膜構成，并且基于層的總重量，多層膜的至少一層包含50重量％或更多的聚合物。
(8)根據(jù)(1)的壓敏粘合劑片材，其中所述的壓敏粘合劑層包含可輻射固化的粘合劑。
(9)根據(jù)(1)的壓敏粘合劑片材，其中所述的基體材料是通過聚合作為嵌段(I)主要原料單體的1，3-丁二烯和作為嵌段(II)主要原料單體的1，2-丁二烯，隨后進行氫化可得到的基體材料。
根據(jù)上述結構構成基體材料以包括具有嵌段(I)和嵌段(II)的無規(guī)共聚物嵌段，使得控制基體材料的結晶度變?yōu)榭赡?。結果，可以通過控制結晶度不過度降低抑制產(chǎn)生纖維狀碎屑，然而可以通過控制結晶度不過度增加防止延展降低。即，上述結構可以提供切割用壓敏粘合劑片材，其抑制產(chǎn)生纖維狀碎屑和改善膨脹性之間的平衡優(yōu)異。
上述嵌段(I)和嵌段(II)的含量各自優(yōu)選為30至70重量％，基于上述聚合物的重量。
當嵌段(I)的含量超過70重量％時，或當嵌段(II)的含量低于30重量％時，由于基體材料的結晶度過度增加，延展性不利地降低，從而有時膨脹性降低。此外，當嵌段(I)的含量低于30重量％時，或當嵌段(II)的含量超過70重量％時，由于基體材料的結晶度過度降低，有時不利地產(chǎn)生纖維狀碎屑。
優(yōu)選上述嵌段(I)是由上述結構式(A)代表的結構單元和由上述結構式(B)代表的結構單元的無規(guī)共聚物嵌段，而且由上述結構式(A)代表的結構單元的含量為65至95重量％，由上述結構式(B)代表的結構單元的含量為5至35重量％。
此外，優(yōu)選上述嵌段(II)是由上述結構式(A)代表的結構單元和由上述結構式(B)代表的結構單元的無規(guī)共聚物嵌段，而且由上述結構式(A)代表的結構單元的含量為5至35重量％，由上述結構式(B)代表的結構單元的含量為65至95重量％。
上述基體材料的結晶度優(yōu)選是10至50重量％。使用X射線衍射測量結晶度值。
上述基體材料優(yōu)選由單層膜構成，并優(yōu)選包含50重量％或更多的上述聚合物，基于基體材料的總重量。
上述基體材料優(yōu)選由多層膜構成，并且多層膜的至少一層優(yōu)選包含50重量％或更多的上述聚合物，基于層的總重量。
上述壓敏粘合劑層優(yōu)選包含可輻射固化粘合劑。
在壓敏粘合劑層中包含可輻射固化粘合劑的情況下，通過輻射照射可以降低壓敏粘合劑層的粘合力。結果，當分割并分離加工材料以形成小塊加工材料，隨后從切割用壓敏粘合劑片材分離小塊時，可以容易地進行分離。
上述基體材料優(yōu)選是可以通過聚合1，3-丁二烯作為嵌段(I)主要原料單體和1，2-丁二烯作為嵌段(II)主要原料單體，隨后進行氫化得到的基體材料。
根據(jù)具有上述結構的基體材料，包含上述結構式(A)作為主要結構單元的嵌段(I)中，通過氫化具有結構式(A)結構的聚丁二烯表現(xiàn)出類似于聚乙烯的結構。此外，上述結構式(B)的豐度比較小，使得幾乎不破壞規(guī)律性，其使得容易引發(fā)嵌段(I)中的結晶。
另一方面，包含上述結構式(B)作為主要結構單元的嵌段(II)中，通過氫化具有結構式(B)結構的聚丁二烯表現(xiàn)出類似于聚丁烯的結構。此外，上述結構式(A)的豐度比較小，使得幾乎不破壞規(guī)律性，其使得容易引發(fā)嵌段(II)中結晶。因此，不同于包括1，2-丁二烯和1，3-丁二烯的共聚物的普通氫化產(chǎn)物，可以獲得包含具有高結晶度無規(guī)共聚物嵌段的基體材料。
此外，本發(fā)明涉及下列(10)至(12)。
(10)一種處理加工材料的方法，其包括切割粘附有切割用壓敏粘合劑片材的加工材料，從而形成加工材料塊，其中壓敏粘合劑片材包含基體材料，和設置在基體材料至少一個表面上的至少一個壓敏粘合劑層，其中基體材料包含具有無規(guī)共聚物嵌段的聚合物，和其中無規(guī)共聚物嵌段包含嵌段(I)，其包含由下列結構式(A)代表的結構單元作為主要結構單元-(CH2-CH2-CH2-CH2)- (A)；和嵌段(II)，其包含由下列結構式(B)代表的結構單元作為主要結構單元
(11)根據(jù)(10)的方法，其進一步包括切割后延展壓敏粘合劑片材，然后在切割壓敏粘合劑片材后，收集加工材料塊。
(12)根據(jù)(10)的方法，其中加工材料是半導體元件。
根據(jù)上述方法，使用切割用壓敏粘合劑片材切割加工材料，該壓敏粘合劑片材能夠抑制從基體材料產(chǎn)生纖維狀碎屑，使得可以減少切割后纖維狀碎屑粘附至小塊加工材料。因此，可以抑制小塊加工材料的質(zhì)量明顯惡化，從而因此可以改善產(chǎn)率。
此外，上述方法中，切割后進行上述切割用壓敏粘合劑片材的延展，并在分割后可以從切割用壓敏粘合劑片材收集小塊加工材料。
該方法中使用的切割用壓敏粘合劑片材抑制產(chǎn)生纖維狀碎屑，并具有良好的膨脹性，使得當延展切割用壓敏粘合劑片材時，可以足夠地確保相互靠近的小塊加工材料之間的間距，從而能夠在收集期間防止小塊加工材料相互產(chǎn)生損傷。因此，可以進一步改善產(chǎn)率。
至于上述加工材料，可以使用半導體元件。
此外，本發(fā)明涉及下列(13)。
(13)用(10)的方法可得到的加工材料塊。
本發(fā)明根據(jù)如上所述方式實現(xiàn)如下所述優(yōu)點。
即，根據(jù)本發(fā)明切割用壓敏粘合劑片材，因為使用的基體材料包含嵌段(I)和嵌段(II)的無規(guī)共聚物，可以控制基體材料的結晶度，其中嵌段(I)包含上述結構式(A)作為主要結構單元，嵌段(II)包含上述結構式(B)作為主要結構單元。結果，該切割用壓敏粘合劑片材可以提供優(yōu)異的抑制產(chǎn)生纖維狀碎屑和膨脹性之間的平衡。
此外，根據(jù)本發(fā)明處理加工材料的方法，因為使用上述切割用粘合劑片材處理加工材料，切割處理材料中抑制產(chǎn)生纖維狀碎屑，并且延展中發(fā)揮良好的膨脹性。結果，抑制纖維狀碎屑粘附至小塊加工材料。因此，可以改善產(chǎn)率，并且可以降低生產(chǎn)成本。
以下根據(jù)圖1詳細地說明根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的切割用壓敏粘合劑片材。圖1是橫截面示意圖，展示了根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的切割用壓敏粘合劑片材(以下簡稱壓敏粘合劑片材)的輪廓。如圖1所示，壓敏粘合劑片材10的結構中，在基體材料膜(基體材料)11的一個表面上依次層壓壓敏粘合劑層12和隔離物13。
根據(jù)其應用，壓敏粘合劑片材可以采取合適的形式，例如片狀或輥形。例如，在半導體晶片的切割應用情況下，可以優(yōu)選使用預先分割至規(guī)定形狀的晶片。該實施方式中，說明了一個片材實例，其中僅在基體材料膜11的一個表面上提供壓敏粘合劑層12，但是不應該認為本發(fā)明限于此。例如，可以在基體材料膜11的兩個表面上提供壓敏粘合劑層12。
基體材料膜11維持壓敏粘合劑片材10的強度。基體材料膜11包括具有無規(guī)共聚物嵌段的聚合物。該無規(guī)共聚物嵌段具有嵌段(I)和嵌段(II)。此外，嵌段(I)包含由下列結構式(A)代表的結構單元作為主要結構單元-(CH2-CH2-CH2-CH2)- (A)，并且嵌段(II)包含由下列結構式(B)代表的結構單元作為主要結構單元
當基體材料膜11由單層膜組成時，優(yōu)選包含50重量％或更多的具有無規(guī)共聚物嵌段的上述聚合物。另一方面，當基體材料膜11由多層膜組成時，多層膜的至少一層優(yōu)選包含50重量％或更多的上述聚合物。
例如，使用1，3-丁二烯作為主要組成單體形成由上述結構式(A)代表的結構單元作為主要結構單元的嵌段(I)，并且例如使用1，2-丁二烯作為主要組成單體形成由上述結構式(B)代表的結構單元作為主要結構單元的嵌段(II)。
上述嵌段(I)和嵌段(II)的含量各自優(yōu)選為30至70重量％，基于上述無規(guī)共聚物的重量。當嵌段(I)的含量超過70重量％時，或當嵌段(II)的含量低于30重量％時，由于基體材料的結晶度過度增加，延展性不利地降低，從而有時膨脹性降低。此外，當嵌段(I)的含量低于30重量％時，或當嵌段(II)的含量超過70重量％時，由于基體材料的結晶度過度降低，有時不利地產(chǎn)生纖維狀碎屑。
上述嵌段(I)中可以包含由上述結構式(B)代表的結構單元。在這種情況下，優(yōu)選由上述結構式(A)代表的結構單元的含量為65至95重量％，而且由上述結構式(B)代表的結構單元為5至35重量％。
上述嵌段(II)中可以包含由上述結構式(A)代表的結構單元。在這種情況下，優(yōu)選由上述結構式(A)代表的結構單元的含量為5至35重量％，而且由上述結構式(B)代表的結構單元為65至95重量％。
由于其結構，上述聚合物具有高立構規(guī)整性，并且無規(guī)共聚物嵌段中易于出現(xiàn)結晶。因此，上述聚合物具有相對高的結晶度。上述基體材料膜11的結晶度優(yōu)選是10至50重量％。當結晶度低于10重量％時，有時不利地產(chǎn)生纖維狀碎屑。另一方面，當結晶度超過50重量％時，膨脹性惡化，以致有時不利地導致延展中基體材料膜11破損。
為了提高粘附并保持至相鄰層，可以對基體材料膜11的表面進行傳統(tǒng)的表面處理，例如化學或物理處理，例如鉻酸處理、臭氧曝置、火焰曝置、高壓觸電曝置或電離性輻射處理，或用底漆(例如隨后描述的粘合劑材料)作涂層處理。
為了賦予基體材料膜11抗靜電性能，可以在上述基體材料膜11上提供沉積層(約30至500埃厚)，其由導電材料例如金屬、合金或其氧化物制成?；w材料膜11可以是單層或包含兩種或更多種層的多層。當隨后描述的壓敏粘合劑層12為可輻射固化類型時，使用允許輻射例如X射線、紫外線或電子束至少部分透入的層。
盡管可以適當?shù)卮_定基體材料膜11的厚度，而沒有任何特定限定，它通常為約10至300μm，優(yōu)選約25至200μm，并更優(yōu)選為30至200μm。
基體材料膜11中，可以任選混入多種添加劑，例如柔軟劑例如礦物油，填料例如碳酸鈣、二氧化硅、滑石、云母或粘土，抗氧化劑，光穩(wěn)定劑，抗靜電劑，潤滑劑，分散劑和中和劑。此外，可以任選對基體材料膜11進行單軸或雙軸拉伸處理。此外，可以任選對基體材料膜11進行傳統(tǒng)物理或化學處理，例如消光處理、電暈放電處理或底漆處理。
例如，可以下列方法生產(chǎn)基體材料膜11。即，首先在65至95重量％1，3-丁二烯和5至35重量％1，2-丁二烯的存在下，生產(chǎn)具有結構式(A)作為主要結構單元的無規(guī)共聚物。然后，在65至95重量％1，2-丁二烯和5至35重量％1，3-丁二烯的存在下，生產(chǎn)具有結構式(B)作為主要結構單元的無規(guī)共聚物。其后，在特定條件下進行氫化，以除去剩余雙鏈，從而制備形成基體材料膜11用的材料。在這方面，不應該認為形成基體材料膜11用材料的制備方法限于上述方法。
可以用傳統(tǒng)成膜方法，使用上述形成材料進行基體材料膜11的成膜。至于成膜方法，例如舉例為砑光成膜、澆鑄成膜、膨脹擠出、T-模擠出等。
至于構成壓敏粘合劑層12的粘合劑，可以使用通常使用的壓敏粘合劑。具體地，可以使用多種粘合劑，例如橡膠基粘合劑、丙烯酸粘合劑、硅氧烷基粘合劑、聚酯基粘合劑和聚醋酸乙烯酯基粘合劑。至于上述粘合劑，考慮到對作為加工材料的半導體晶片或半導體封裝的粘性、用超純水或有機溶劑例如醇的半導體晶片清潔性能等，優(yōu)選為具有(甲基)丙烯酸聚合物作為基體聚合物的(甲基)丙烯酸粘合劑。至于(甲基)丙烯酸聚合物，通常使用烷基(甲基)丙烯酸酯的聚合物或其與可共聚單體的共聚物。至于(甲基)丙烯酸聚合物的主要單體，優(yōu)選其均聚物玻璃化轉變溫度為20℃或更小的烷基(甲基)丙烯酸酯。在這方面，烷基(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯，本說明書中使用的術語(甲基)無例外地具有相同的含義。
上述(甲基)丙烯酸聚合物的實例包括其中使用一種或兩種或更多種(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，具有1至30個碳原子的烷基酯，特別是具有4至18個碳原子的直鏈或支鏈烷基酯，例如甲酯、乙酯、丙基酯、異丙基酯、丁基酯、異丁基酯、s-丁基酯、叔丁基酯、戊基酯、異戊基酯、己基酯、庚基酯、辛基酯、2-乙基己基酯、異辛基酯、異壬基酯、癸基酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯和二十烷基酯(eicocyl))、(甲基)丙烯酸的環(huán)烷基酯(例如環(huán)戊基酯和環(huán)已基酯)、(甲基)丙烯酸的羥烷基酯(例如、羥乙基酯、羥丁基酯和羥己基酯)、縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、馬來酸酐、(甲基)丙烯酸酰胺、(甲基)丙烯酸N-羥甲基酰胺、(甲基)丙烯酸的烷基氨基烷基酯(例如甲基丙烯酸二甲氨基乙酯和甲基丙烯酸叔丁基氨基乙酯)、醋酸乙烯酯和苯乙烯作為單體成分的(甲基)丙烯酸聚合物。
為了改進內(nèi)聚力、粘性等，根據(jù)需要，上述(甲基)丙烯酸聚合物可以包含相應于另一種可與上述(甲基)丙烯酸烷基酯或環(huán)烷基酯共聚合的單體成分的單元。該單體成分的實例包括含羧基單體例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙基酯、(甲基)丙烯酸羧戊基酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸和巴豆酸；酸酐單體例如馬來酸酐和衣康酸酐；含羥基單體例如2-羥乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯、4-羥丁基(甲基)丙烯酸酯、6-羥己基(甲基)丙烯酸酯、8-羥辛基(甲基)丙烯酸酯、10-羥癸基(甲基)丙烯酸酯、12-羥基月桂基(甲基)丙烯酸酯和(4-羥甲基環(huán)己基)(甲基)丙烯酸甲酯；含磺酸基單體例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙烷磺酸、硫代丙基(甲基)丙烯酸酯和(甲基)丙烯?；粱撬幔缓姿釂误w例如2-羥乙基丙烯?；姿狨?；丙烯酰胺、丙烯腈等。這些可共聚單體成分可以單獨使用，或使用其兩種或更多種的混合物。使用的可共聚單體量優(yōu)選為30重量％或更少，更優(yōu)選15重量％或更少，基于全部單體成分。
此外，為交聯(lián)該聚合物，根據(jù)需要，上述(甲基)丙烯酸聚合物還可以包含多官能單體等作為共聚合用單體成分。通過交聯(lián)基體聚合物改善了壓敏粘合劑層的自持性能，使得可以防止壓敏粘合劑片材的較大變形，其使得容易保持壓敏粘合劑片材10的平板形式。
多官能單體的實例包括己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、和氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯。此外這些多官能單體可以單獨使用，或使用其兩種或更多種的混合物?？紤]到粘性特征等，多官能單體的量優(yōu)選為30重量％或更小，基于全部單體成分。
通過聚合單一單體或兩種或更多種單體的混合物獲得上述(甲基)丙烯酸聚合物?？梢杂萌魏稳芤壕酆稀⑷橐壕酆?、本體聚合、懸浮聚合和光聚合體系進行聚合。特別地，當通過輻照例如紫外線或電子束進行聚合時，優(yōu)選澆鑄并光聚合通過將氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯基低聚物和單體成分和光聚合引發(fā)劑混合得到的液體組合物，從而合成(甲基)丙烯酸聚合物。
上述氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯基低聚物具有約500至100,000、優(yōu)選1,000至30,000的數(shù)均分子量，并且為具有酯二醇作為主要骨架的雙官能化合物。此外，單體成分的實例包括嗎啉(甲基)丙烯酸酯、異冰片基(isobonyl)(甲基)丙烯酸酯、雙環(huán)戊基(甲基)丙烯酸酯、雙環(huán)戊烯基(甲基)丙烯酸酯、和甲氧化環(huán)十三碳烯(甲基)丙烯酸酯。氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯基低聚物與單體成分的混合比例優(yōu)選為95∶5至5∶95，更優(yōu)選為50∶50至70∶30。當氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯基低聚物的含量較高時，液體組合物的粘度增加，導致容易變得難以聚合。
考慮到防止污染加工材料等，優(yōu)選壓敏粘合劑層12中低分子量材料的含量較低。考慮到這點，(甲基)丙烯酸聚合物的數(shù)均分子量優(yōu)選為約200,000至3,000,000，更優(yōu)選約250,000至1,500,000。
此外，為了提高作為基體聚合物的(甲基)丙烯酸聚合物的數(shù)均分子量，上述粘合劑中還可以適當?shù)厥褂猛獠拷宦?lián)劑。具體的外部交聯(lián)方法包括加入所謂交聯(lián)劑例如聚異氰酸酯化合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、環(huán)氧樹脂或含聚胺羧基聚合物，并令其反應的方法。當使用外部交聯(lián)劑時，取決于與待交聯(lián)基體聚合物的平衡，并且此外取決于其作為粘合劑的應用，適當?shù)卮_定其使用量。通常，優(yōu)選它的混合量為約1至5重量份，基于100重量份上述基體聚合物。此外，粘合劑中可以任選使用迄今已知的多種添加劑例如增粘劑和抗老化劑，以及上述成分。
此外，至于上述粘合劑，可以使用可輻射固化粘合劑。至于可輻射固化粘合劑，可以使用具有可輻射固化官能團例如碳-碳雙鍵并表現(xiàn)出粘性的粘合劑，沒有任何特定限定。至于可輻射固化粘合劑，希望為可紫外線固化的粘合劑，其通過紫外線照射粘合力降低。根據(jù)這種壓敏粘合劑層12，背面研磨步驟或切割步驟后，可以容易地通過紫外線照射而分離壓敏粘合劑片材10。
可紫外線固化粘合劑例如，可以由上述(甲基)丙烯酸酯的均聚物或可與其共聚合的共聚單體(丙烯酸聚合物)的共聚物、可紫外線固化成分(可以通過將碳-碳雙鍵加入上述丙烯酸聚合物的側鏈獲得)、光聚合引發(fā)劑，和任選的傳統(tǒng)添加劑例如交聯(lián)劑、增粘劑、填料、抗老化劑和著色劑構成。
上述可紫外線固化成分可以為任何一種，只要它為其分子中具有碳-碳雙鍵并可通過自由基聚合固化的單體、低聚物或聚合物。其具體實例包括多元醇和(甲基)丙烯酸的酯，例如氨基甲酸乙酯低聚物、氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯和1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯；丙烯酸酯低聚物；和異氰脲酸酯或異氰脲酸酯化合物例如2-丙烯基二-3-丁烯基氰脲酸酯、2-羥乙基雙(2-丙烯酰基乙基)異氰脲酸酯和三(2-甲基丙烯?；一?異氰脲酸酯。當聚合物側鏈上具有碳-碳雙鍵的可紫外線固化聚合物用作丙烯酸聚合物時，尤其無需加入上述可紫外線固化成分?？勺贤饩€固化單體或低聚物成分的混合量例如是約20至200重量份，優(yōu)選約50至150重量份，基于100重量份基體聚合物，例如構成粘合劑的(甲基)丙烯酸聚合物。
此外，除了如上所述加成型可輻射固化粘合劑，可輻射固化粘合劑的實例包括用作基體聚合物的內(nèi)部型可輻射固化粘合劑，聚合物側鏈上、其主鏈中或在主鏈的末端具有碳-碳雙鍵的聚合物。內(nèi)部型可輻射固化粘合劑不需要包含低聚物成分等作為低分子量成分，或不大量包含，使得低聚物成分等不在粘合劑中隨時間移動。因此，可以形成具有穩(wěn)定層結構的壓敏粘合劑層12。
至于上述含碳-碳雙鍵基體聚合物，可以使用具有碳-碳雙鍵并具有粘合性的聚合物，而沒有任何特定限定。至于這類基體聚合物，優(yōu)選具有(甲基)丙烯酸聚合物作為基本骨架的。基本丙烯酸聚合物骨架的實例包括上述舉例說明的(甲基)丙烯酸聚合物。
當在上述(甲基)丙烯酸聚合物中，將碳-碳雙鍵引入聚合物側鏈時，分子設計變得容易。引入碳-碳雙鍵的方法沒有特別限定，并且可以使用多種方法。例如，可提及的方法包括預先共聚合含官能團單體與(甲基)丙烯酸聚合物，然后通過縮聚或加成，令具有可與上述官能團反應的官能團的化合物和碳-碳雙鍵反應，同時保持碳-碳雙鍵的可輻射固化性。
這些官能團的組合實例包括羧酸基和環(huán)氧基、羧酸基和吖丙啶基(aziridyl)基、以及羥基和異氰酸酯基。在這些官能團的組合中，考慮到容易跟蹤反應，羥基和異氰酸酯基的組合是合適的。此外，通過結合這些官能團，官能團可以在(甲基)丙烯酸聚合物的側面上，或在上述化合物的側面上，只要它是形成上述含碳-碳鍵(甲基)丙烯酸聚合物的組合。然而，在上述優(yōu)選組合中，合適的是其中(甲基)丙烯酸聚合物具有羥基，上述化合物具有異氰酸酯基的情況。在這種情況下，含碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物的實例包括異丁烯?；惽杷狨ァ?-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯、和間異丙烯基-α，α-二甲苯甲基異氰酸酯。此外，(甲基)丙烯酸聚合物的實例包括上述舉例說明的含羥基單體，和通過共聚合醚基化合物例如2-羥乙基乙烯醚、4-羥丁基乙烯醚和二乙二醇單乙烯基醚得到的共聚物。
至于上述內(nèi)部型可輻射固化粘合劑，可以僅使用上述含碳-碳雙鍵的基體聚合物(特別是(甲基)丙烯酸聚合物)。此外，可以不破壞特征的程度混合上述可輻射固化單體或低聚物成分。可輻射固化低聚物成分等的混合量通常是30重量份或更小，優(yōu)選10重量份或更小，基于100重量份基體聚合物。
上述聚合引發(fā)劑可以是任何一種，只要它是用具有合適波長紫外線輻照裂解的物質(zhì)，其中紫外線輻照用于引發(fā)聚合反應形成自由基。其具體實例包括安息香烷基醚例如苯甲?；酌?、安息香異丙基醚和安息香異丁基醚；芳香酮例如苯甲基、安息香、二苯甲酮和α-羥基環(huán)已基苯基甲酮；芳香族酮縮醇例如苯甲基二甲基酮縮醇；聚乙烯二苯甲酮；和噻噸酮例如氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮和二乙基噻噸酮。聚合引發(fā)劑的混合量為約0.1至20重量份，優(yōu)選為1至10重量份，基于100重量份基體聚合物例如構成粘合劑的(甲基)丙烯酸聚合物等。
另一方面，上述可熱脫模的粘合劑實例包括熱發(fā)泡型粘合劑，其中混合細可熱膨脹的顆粒與普通的壓敏粘合劑。在厚度粘附制品的物體后，通過加熱含壓敏粘合劑的微細可熱膨脹的顆粒，起泡或延展壓敏粘合劑層12，以將壓敏粘合劑層12的表面改變?yōu)椴痪鶆蛐问?，從而由于與被粘物粘附面積降低而降低粘合力，其使得制品容易分離。因此這可用于多種用途，例如在加工電子零件、其材料等中固定和物理分布例如轉移。
對于微細的可熱膨脹顆粒沒有特定限定，可以選擇使用多種無機或有機可熱膨脹微球，使得獲得具有不同的脫模引發(fā)溫度，低脫模引發(fā)溫度和較高脫模引發(fā)溫度微球體的組合物。取決于加工精度例如可熱膨脹微球的溫度敏感特征，可以適當?shù)卮_定這兩種類型可熱膨脹微球之間的脫模分離溫度差。然而，通常設定這些溫度之間的差異為20至70℃，優(yōu)選為30至50℃。
熱發(fā)泡類型粘合劑中，由于加熱起泡細可熱膨脹顆粒而降低粘附面積使得容易分離。微細可熱膨脹顆粒的平均粒徑優(yōu)選為約1至25μm，更優(yōu)選5至15μm，特別優(yōu)選約10μm。
至于微細可熱膨脹顆粒，可以使用加熱下可膨脹的材料而沒有任何特定限定。然而，考慮到容易混合操作等，優(yōu)選使用微膠囊封裝可熱膨脹材料得到的細可熱膨脹顆粒。例如，可以使用任何一種，只要它們是其中在具有彈性的殼中封裝有通過加熱容易氣化材料例如異丁烷、丙烷或戊烷的微球。上述殼通常由熱塑性材料、熱熔材料、加熱膨脹爆裂的材料等形成。形成上述殼的材料包括例如偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈聚偏氯乙烯和聚砜?？蔁崤蛎浳⒛z囊具有可與上述粘合劑優(yōu)異的分散混合性的優(yōu)點?？蔁崤蛎浳⒛z囊的可商購產(chǎn)物包括例如Microsphere(商品名由Matsumoto Yushi-Seiyaku Co.，Ltd.生產(chǎn))。此外，可以任選加入熱膨脹助劑。
對于與上述粘合劑混合的細可熱膨脹顆粒(可熱膨脹微膠囊)的數(shù)量，取決于上述壓敏粘合劑層12的種類，可以適當?shù)卮_定可以降低其粘合力的數(shù)量。通常，以一定量混合細可熱膨脹顆粒，使其可以保持包含細可熱膨脹顆粒的壓敏粘合劑層12厚度為其熱膨脹后即時厚度的60％或或更大，優(yōu)選70％或更大，更優(yōu)選80％或更大。此外，其數(shù)量是約1至100重量份，優(yōu)選5至40重量份，更優(yōu)選10至20重量份，基于100重量份基體聚合物。
考慮到粘附固定性能與可脫模性的相容性，壓敏粘合劑層12的厚度優(yōu)選為約1μm至200μm，更優(yōu)選約3μm至50μm。此外，壓敏粘合劑層1 2的粘合力沒有特別限定，只要它在最后從載體晶片可容易分離壓敏粘合劑層的范圍內(nèi)。例如，與半導體晶片的180°剝離粘合力值優(yōu)選為1至30N/10mm內(nèi)，更優(yōu)選為5至20N/10mm范圍內(nèi)。
例如，通過施加含粘合劑的組合物，隨后通過干燥(根據(jù)需要進行加熱交聯(lián))，在基體材料膜11上形成壓敏粘合劑層12。涂布體系包括輥式涂布、幕涂和凹版涂布。此外，可以直接在基體材料上進行涂布，或可以將組合物施加到表面進行脫模處理的脫膜紙上，隨后將其轉移至基體材料。隨后，將隨后描述的隔離物13粘附到壓敏粘合劑層12的表面上，從而可以獲得該實施方式的壓敏粘合劑片材10。
當壓敏粘合劑層12由可輻射固化粘合劑例如可紫外線固化粘合劑組成時，因為切割之前或之后輻照壓敏粘合劑層12，要求基體材料膜11具有足夠的輻射穿透性。
可以任選提供上述隔離物13用于標簽加工，或用于平滑壓敏粘合劑層12表面的用途。隔離物13的組成材料包括紙張、合成樹脂例如聚乙烯、聚丙烯或聚對苯二甲酸乙二醇酯的膜等。為了提高從壓敏粘合劑層12的可脫模性，可以任選對隔離物13的表面進行脫模處理，例如硅酮處理、長鏈烷基處理或氟處理。此外，可以任選進行防紫外線處理，使得壓敏粘合劑片材不與環(huán)境中的紫外線反應。隔離物13的厚度通常為約10至200μm，優(yōu)選為約25至100μm。
以下將描述根據(jù)該實施方式利用壓敏粘合劑片材10的加工材料處理方法。下列說明中，采取其中半導體晶片用作處理材料的情況作為實例。
將本發(fā)明壓敏粘合劑片材10粘附到半導體晶片例如半導體部分(安裝步驟)上，然后，主要用于切割步驟和收集步驟。安裝步驟中，在半導體晶片上層壓壓敏粘合劑片材10，使得壓敏粘合劑層12粘附到半導體晶片上，并用壓迫方式例如壓輥施壓。此外，還可以通過在可加壓的容器(例如反應釜)中，通過層壓半導體晶片和如上所述的壓敏粘合劑片材10，并對容器內(nèi)部加壓進行粘附。在這種情況下，在用壓迫方式施壓的同時，可以將壓敏粘合劑片材10粘附到半導體晶片上。此外，還可以在真空室中，用和如上所述相同的方法進行粘附。盡管粘附中的粘附溫度根本沒有限定，優(yōu)選為20至80℃。
進行切割步驟將半導體晶片分割至單個塊，以生產(chǎn)半導體晶片(小塊加工材料)。例如，用傳統(tǒng)方法從半導體晶片的電路面一側進行切割。切割步驟中，令刀刃高速旋轉，并分割半導體晶片至指定尺寸。此外，該步驟中，可以使用例如稱為全分割的分割體系，其中分割進行到壓敏粘合劑片材10內(nèi)。該步驟中使用的切割裝置沒有特別限定，并且可以使用常規(guī)的切割裝置。此外，用壓敏粘合劑片材10粘附并固定半導體晶片，使得可以抑制芯片開裂和芯片飛散(flying)，并且還可以抑制半導體晶片的破損。
然后，延展壓敏粘合劑片材10。任選輻射照射壓敏粘合劑片材10后，使用常規(guī)的延展裝置進行延展。延展裝置包括可以推動壓敏粘合劑片材10向下通過切割環(huán)的環(huán)形外環(huán)，和直徑小于所述外環(huán)并支撐壓敏粘合劑片材10的內(nèi)環(huán)。該實施方式中，使用膨脹性優(yōu)異的壓敏粘合劑片材10，使得相互靠近的半導體晶片之間的間距可以充分增加而基體材料膜11不會產(chǎn)生破損。結果，收集時，可以防止半導體電路片互相接觸損傷。
收集半導體晶片，用于分離粘附并固定至壓敏粘合劑片材10的半導體晶片。收集方法沒有特別限定，并且可以使用多種傳統(tǒng)方法。其實例包括用針從壓敏粘合劑片材10側面向上推單個半導體晶片，并用收集裝置收集推上去的半導體晶片的方法。
當此處使用具有用于其中的可輻射固化粘合層或可熱脫模粘合層的壓敏粘合劑片材10時，可以對壓敏粘合劑層12進行輻射或熱處理。通過這樣做，降低了粘合力，從而使得容易收集。在可輻射固化粘合層的情況下，輻照時的條件例如輻照強度和照射時間沒有特別限定，并可以根據(jù)需要適當?shù)卦O定。此外，在可熱脫模粘合層的情況下，加熱時，通過加熱時產(chǎn)生熱起泡或可熱膨脹的成分延展壓敏粘合劑層，從而可以明顯降低與半導體晶片粘附面積。因此，降低壓敏粘合劑片材10與半導體晶片的粘合力，其使得容易從半導體晶片分離壓敏粘合劑片材10。結果，變得可以收集而不會損傷半導體晶片。在進行熱處理時，加熱條件例如加熱溫度和加熱時間沒有特別限定，并可以根據(jù)需要適當?shù)卦O定。
上述說明中，給出本發(fā)明壓敏粘合劑片材的說明作為其中半導體晶片用作加工材料情況的實例。然而，本發(fā)明切割用壓敏粘合劑片材不應該認為限于此，此外也同樣適用于切割半導體封裝、玻璃、陶瓷等。
實施例以下將說舉例詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。然而，除非另作說明，實施例中描述的材料、其混合量等僅用于說明性用途，并不是用于限定本發(fā)明的范圍。
實施例1至于基體材料，使用由JSR Corporation生產(chǎn)的RB膜(商品名，厚度100μm)。上述基體材料為氫化聚丁二烯膜，并且在整個膜聚合物中，包含上述結構式(A)作為主要組成成分的嵌段(I)與包含上述結構式(B)作為主要組成成分的嵌段(II)的組合比例為50∶50重量比。嵌段(I)包含的上述結構式(A)與上述結構式(B)的比例為80∶20重量比，嵌段(II)中包含的上述結構式(A)與上述結構式(B)的比例為20∶80重量比。通過X射線衍射測量，基體材料的結晶度為30％。
向包含重均分子量500,000的丙烯酸共聚物的溶液加入80重量份二季戊四醇六丙烯酸酯(由Nippon Kayaku Co.，Ltd.生產(chǎn)的KayaradDPHA(商品名))、5重量份光聚合引發(fā)劑(由Ciba Specialty Chemicals生產(chǎn)的Irgacure 184(商品名))和5重量份聚異氰酸酯化合物(由NipponUrethane Co.，Ltd.生產(chǎn)的Colonate(商品名))，以制備丙烯酸可紫外線固化粘合劑溶液，其中通過用傳統(tǒng)方法在甲苯中共聚合90重量份丙烯酸丁酯和10重量份丙烯酸獲得丙烯酸共聚物。
將上述制備的粘合劑溶液施加到基體材料的電暈處理表面上，并在80℃加熱交聯(lián)10分鐘，以形成厚度10μm的可紫外線固化壓敏粘合劑層。然后，將隔離物粘附至壓敏粘合劑層側面，以制備可紫外線固化切割用壓敏粘合劑片材。
對比實施例1在該對比實施例中，用和實施例1相同的方法制備切割用可紫外線固化粘合劑片材，除了用T-模擠出法將乙烯-甲基丙烯酸共聚物(MFR＝2.0)形成為厚度100μm的膜得到的基體材料膜用作基體材料。
對比實施例2在該對比實施例中，用和實施例1相同的方法制備切割用可紫外線固化粘合劑片材，除了用T-模擠出法將烯屬熱塑性彈性體(由Mitsubishi Chemical Corporation生產(chǎn)的Zelas 5053(商品名))(MFR＝6.8)形成為厚度100μm的膜得到的基體材料膜用作基體材料。
評估測試用下列方法評估在實施例和對比實施例中得到的各切割用壓敏粘合劑片材(1)評估切割性能在切割用壓敏粘合劑片材上固定厚度350μm的六英寸半導體晶片，然后在下列條件下切割<切割條件>
切割機由DISCO Co.，Ltd.生產(chǎn)的DFD-651刀刃由DISCO Co.，Ltd.生產(chǎn)的NBC-ZH2050 27HEDD刀刃轉數(shù)45,000rpm切割速度100毫米/秒切割深度基體膜中30μm切割尺寸2.5mm×2.5mm分割模式向下分割切割后，在光學顯微鏡下(以200倍放大倍數(shù))觀察通過分割半導體晶片得到的每個半導體晶片的表面上出現(xiàn)纖維狀碎屑的狀態(tài)。該觀察中，對于纖維狀碎屑的各個尺寸統(tǒng)計纖維狀碎屑的數(shù)量。其結果列于下列表1中。
(2)評估膨脹性切割后，用紫外線輻照器對切割用壓敏粘合劑片材進行紫外線照射。然后，在下列條件下用芯片焊接機進行延展；<延展條件>
芯片焊接機由NEC Machinery Corporation生產(chǎn)的GPS-100內(nèi)環(huán)的形狀E-軸承型下拉量7mm，12mm目測觀察是否由于延展出現(xiàn)切割用壓敏粘合劑片材的破損。其結果列于下列表1中。
結果從下列表1可看出，證實實施例1的切割用壓敏粘合劑片材中沒有產(chǎn)生纖維狀碎屑。此外，還證實延展時切割用壓敏粘合劑片材沒有破裂。即，發(fā)現(xiàn)實施例1的切割用壓敏粘合劑片材可以抑制產(chǎn)生纖維狀碎屑，此外同時膨脹性優(yōu)異。相反，當下拉量為7mm時對比實施例1的切割用壓敏粘合劑片材沒有破裂，但是當下拉量為12mm時破裂。此外，證實也產(chǎn)生纖維狀碎屑。此外，對比實施例2的切割用壓敏粘合劑片材中，沒有產(chǎn)生纖維狀碎屑，但是證實延展期間基體材料膜破裂。
表1

雖然已經(jīng)參考其特定實施方式詳細描述本發(fā)明，在不脫離其精神和范圍的情況下，其多種變化和改變對于本領域熟練技術人員是顯而易見的。
該申請基于2006年6月2日提交的日本專利申請No.2006-154717，在此引入其全部內(nèi)容作為參考。
此外，此處提到的全部參考文獻引入其全部內(nèi)容。
權利要求
1.一種用于切割的壓敏粘合劑片材，其包含基體材料和設置在該基體材料至少一個表面上的至少一個壓敏粘合劑層，其中所述基體材料包含具有無規(guī)共聚物嵌段的聚合物，和該無規(guī)共聚物嵌段包含嵌段(I)，其包含由下列結構式(A)代表的結構單元作為主要結構單元-(CH2-CH2-CH2-CH2)-(A)；和嵌段(II)，其包含由下列結構式(B)代表的結構單元作為主要結構單元
2.權利要求1的壓敏粘合劑片材，其中基于聚合物重量，嵌段(I)和嵌段(II)各自的含量為30至70重量％。
3.權利要求1的壓敏粘合劑片材，其中所述的嵌段(I)是無規(guī)共聚物嵌段，其包括由結構式(A)代表的結構單元和由結構式(B)代表的結構單元，和其中結構式(A)代表的結構單元的含量為65至95重量％，結構式(B)代表的結構單元的含量為5至35重量％。
4.權利要求1的壓敏粘合劑片材，其中所述的嵌段(II)是無規(guī)共聚物嵌段，其包括由結構式(A)代表的結構單元和由結構式(B)代表的結構單元，和其中結構式(A)代表的結構單元的含量為5至35重量％，結構式(B)代表的結構單元的含量為65至95重量％。
5.權利要求1的壓敏粘合劑片材，其中所述的基體材料具有10至50重量％的結晶度。
6.權利要求1的壓敏粘合劑片材，其中所述的基體材料由單層膜構成，并且基于基體材料的總重量包含50重量％或更多的聚合物。
7.權利要求1的壓敏粘合劑片材，其中所述的基體材料由多層膜構成，并且基于層的總重量，多層膜的至少一層包含50重量％或更多的聚合物。
8.權利要求1的壓敏粘合劑片材，其中所述的壓敏粘合劑層包含可輻射固化的粘合劑。
9.權利要求1的壓敏粘合劑片材，其中所述的基體材料是通過聚合作為嵌段(I)主要原料單體的1，3-丁二烯和作為嵌段(II)主要原料單體的1，2-丁二烯，隨后進行氫化可得到的基體材料。
10.一種處理加工材料的方法，其包括進行加工材料的切割，在所述加工材料上粘附有切割用壓敏粘合劑片材，從而形成加工材料片，其中所述壓敏粘合劑片材包含基體材料和設置在該基體材料至少一個表面上的至少一種壓敏粘合劑層，其中所述基體材料包含具有無規(guī)共聚物嵌段的聚合物，和該無規(guī)共聚物嵌段包含嵌段(I)，其包含由下列結構式(A)代表的結構單元作為主要結構單元-(CH2-CH2-CH2-CH2)-(A)；和嵌段(II)，其包含由下列結構式(B)代表的結構單元作為主要結構單元
11.權利要求10的方法，其進一步包括在切割后展開壓敏粘合劑片材，然后在切割后從壓敏粘合劑片材收集加工材料片。
12.權利要求10的方法，其中所述的加工材料是半導體元件。
13.由權利要求10的方法可獲得的加工材料片。
全文摘要
本發(fā)明目的在于提供一種切割用壓敏粘合劑片材，其抑制產(chǎn)生纖維狀碎屑的產(chǎn)生，并具有良好的膨脹性。本發(fā)明涉及一種切割用壓敏粘合劑片材，其包括基體材料和設置在基體材料的至少一個表面上的至少一個壓敏粘合劑層，其中基體材料包含具有無規(guī)共聚物嵌段的聚合物，并且該無規(guī)共聚物嵌段包含嵌段(I)，其中包含由結構式(A)代表的結構單元作為主要結構單元和嵌段(II)，其包含由結構式(B)代表的結構單元作為主要結構單元。
文檔編號B26D7/01GK101081968SQ20071010821
公開日2007年12月5日 申請日期2007年6月4日 優(yōu)先權日2006年6月2日
發(fā)明者山本昌司 申請人:日東電工株式會社