專利名稱：光學(xué)膜片的沖裁裝置及光學(xué)膜片的沖裁方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于將例如偏振膜片等光學(xué)膜片沖裁成產(chǎn)品要求的所需大小、形狀從而形成為光學(xué)膜的沖裁裝置及光學(xué)膜片的沖裁方法。
背景技術(shù)：
一般情況下，安裝于顯示器等的表面上的光學(xué)膜片是(例如偏振膜)通過使用沖裁刀將長條的光學(xué)膜片或矩形的光學(xué)膜片沖裁(切斷)成所需大小而制造。例如在下述專利文獻(xiàn)1記載的沖裁裝置中，在基座上立設(shè)沖裁刀，隔著光學(xué)膜片從其上方將壓板推壓到光學(xué)膜片，在沖裁刀與壓板之間將光學(xué)膜片沖裁成所需尺寸的光學(xué)膜片。
可是，光學(xué)膜片通常在對其進(jìn)行沖裁時(shí)容易發(fā)生靜電，光學(xué)膜容易帶電。另外，當(dāng)對光學(xué)膜片進(jìn)行沖裁時(shí)，產(chǎn)生粉塵。因此，在沖裁過程中產(chǎn)生的粉塵由靜電作用附著于光學(xué)膜，使光學(xué)膜的質(zhì)量下降。
因此，在上述以往的沖裁裝置中，通過使壓板的接觸面的表面粗糙度變大，盡可能地減小與光學(xué)膜片的接觸面積，由此抑制沖裁時(shí)發(fā)生靜電。
日本特開2002-58405號公報(bào)然而，在如上述以往的沖裁裝置那樣增大壓板的接觸面的表面粗糙度時(shí)，相反容易產(chǎn)生粉塵，不能有效地防止粉塵附著。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種可通過在沖裁光學(xué)膜片時(shí)抑制發(fā)生靜電從而防止粉塵附著于光學(xué)膜的沖裁裝置及光學(xué)膜片的沖裁方法。
本發(fā)明人為了達(dá)到上述目的，進(jìn)行了認(rèn)真的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過在光學(xué)膜片中對與沖裁刀進(jìn)入一側(cè)的面相反側(cè)的面進(jìn)行導(dǎo)電處理，從而可減少發(fā)生靜電，由此完成了本發(fā)明。
即，本發(fā)明的光學(xué)膜片的沖裁裝置，可相對接觸離開地設(shè)置用于載置光學(xué)膜片的墊和沖裁刀，對載置于墊上的光學(xué)膜片進(jìn)行沖裁；其特征在于，在上述墊處對與沖裁刀接觸的面相反側(cè)的面進(jìn)行導(dǎo)電處理。
在上述構(gòu)成的沖裁裝置中，在墊處對與沖裁刀接觸的面相反側(cè)的面進(jìn)行導(dǎo)電處理，從而防止伴隨著沖裁動作發(fā)生靜電，所以，即使隨著沖裁動作產(chǎn)生粉塵，也可防止該粉塵附著于光學(xué)膜。
在此，光學(xué)膜片是指將光學(xué)膜沖裁成作為商品所需要的大小、形狀之前階段的片，包含長條的片、單片類型這兩種概念。
通常，對于長條的片，一邊依次朝前方送出光學(xué)膜片，一邊用沖裁刀連續(xù)地進(jìn)行沖裁，從而形成光學(xué)膜；對于單片類型的光學(xué)膜片，大多一張一張地沖裁光學(xué)膜片來形成光學(xué)膜。
本發(fā)明的光學(xué)膜片的沖裁裝置的特征在于，在該墊處將沖裁刀接觸的面形成為平滑面。按照該構(gòu)成，與將沖裁刀接觸的面形成為粗糙面的情況相比，粉塵的產(chǎn)生量受到抑制。
本發(fā)明的光學(xué)膜片的沖裁方法是將光學(xué)膜片載置于墊上來進(jìn)行沖裁；其特征在于，使用對與沖裁刀接觸的面相反側(cè)的面進(jìn)行了導(dǎo)電處理的墊，使上述墊與沖裁刀相對接觸離開。
通過使用對與沖裁刀接觸的面相反側(cè)的面進(jìn)行了導(dǎo)電處理的墊，將光學(xué)膜片載置于該墊上來進(jìn)行沖裁，從而可防止隨著沖裁動作產(chǎn)生的靜電，因此，即使隨著沖裁動作產(chǎn)生粉塵，也可防止該粉塵附著于光學(xué)膜。
本發(fā)明的光學(xué)膜片的沖裁方法的特征在于，使用將沖裁刀接觸的面形成為平滑面的墊。
按照該方法，與使用沖裁刀接觸的面為粗糙面的墊的情況相比，可抑制粉塵的發(fā)生量。
本發(fā)明的光學(xué)膜片的沖裁方法的特征在于，將光學(xué)膜片形成為卷筒體，從該卷筒體拉出光學(xué)膜片，將其載置于墊上。
在上述方法中，將光學(xué)膜片形成為卷筒體，當(dāng)從卷筒體拉出光學(xué)膜片時(shí)，成為容易發(fā)生剝離帶電的狀態(tài)，但由于對載置光學(xué)膜片的墊實(shí)施導(dǎo)電處理，當(dāng)將光學(xué)膜片載置于墊上時(shí)，除去剝離帶電，所以，即使隨著光學(xué)膜片的沖裁動作產(chǎn)生粉塵，也可防止該粉塵附著于光學(xué)膜。
按照本發(fā)明的光學(xué)膜片的沖裁裝置，通過在墊處對與沖裁刀接觸的面相反側(cè)的面進(jìn)行導(dǎo)電處理，從而可防止光學(xué)膜片由沖裁刀切斷時(shí)發(fā)生靜電，所以，可防止光學(xué)膜帶電，因此，即使隨著沖裁動作產(chǎn)生粉塵，也可有效地防止該粉塵附著于光學(xué)膜，可容易地制造高質(zhì)量的光學(xué)膜。
按照本發(fā)明的光學(xué)膜片的沖裁方法，通過使用對與沖裁刀接觸的面相反側(cè)的面實(shí)施了導(dǎo)電處理的墊，從而可防止光學(xué)膜片由沖裁刀切斷時(shí)發(fā)生靜電，所以，可防止光學(xué)膜帶電，因此，即使隨著沖裁動作產(chǎn)生粉塵，也可有效地防止該粉塵附著于光學(xué)膜，可容易地制造高質(zhì)量的光學(xué)膜。


圖1為示出本發(fā)明實(shí)施方式的沖裁裝置整體構(gòu)成的概略圖。
圖2為示出該沖裁刀裝置的離開位置和沖裁位置的概略剖視圖。
圖3為示出墊的剖視圖。
圖4為示出該偏振膜片的層疊構(gòu)成的放大剖視圖。
圖5為示出另一實(shí)施方式的光學(xué)膜片的層疊構(gòu)成的放大剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面，根據(jù)附圖以沖裁裝置為例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，光學(xué)膜片為僅透射特定振動方向的光的偏振膜片。圖1為示出沖裁裝置的整體構(gòu)成的概略圖，圖2為示出該沖裁刀裝置的離開位置和沖裁位置的概略剖視圖，圖3為示出墊的剖視圖，圖4和圖5為示出該偏振膜片的層疊構(gòu)成的放大剖視圖。
在本發(fā)明實(shí)施方式中處理的偏振膜片2具有作為保護(hù)膜20、21的高透明、高耐久性的三乙酰纖維素(TAC)膜夾住聚乙烯醇(PVA)膜的構(gòu)造，該聚乙烯醇(PVA)膜為吸附了碘絡(luò)合物或二色性染料的偏振膜18(作為芯構(gòu)件的偏振膜)。
另外，在上側(cè)的保護(hù)膜20的表面?zhèn)葘盈B微粘接劑層22，在該微粘接劑層22的表面?zhèn)葘盈B防護(hù)膜23。另外，在下側(cè)的保護(hù)膜21的表面層疊比微粘接劑層22厚的粘接劑層24，在該粘接劑層24的表面層疊分離膜25。
偏振膜片2還可考慮如圖5所示那樣層疊相位差膜30將其形成為光學(xué)膜片2的情況。在該情況下，相位差膜30層疊到粘接劑層24的下側(cè)，再通過另一粘接劑層31將分離膜25層疊到該粘接劑層31。這樣的偏振膜4在從粘接劑層24剝離分離膜25后粘貼到顯示器進(jìn)行使用。
在圖1所示情況，圖示了這樣的例子，即，預(yù)先將偏振膜片2形成為層疊體，然后將其卷繞成卷筒體2A，但也可分別將構(gòu)成偏振膜片2的多種膜等形成為卷筒體，依次將其拉出，形成為層疊體后進(jìn)行使用。也有形成為偏振膜片2的層疊體的情況。偏振膜片2形成為與后述的墊5大體相同寬度。
下面，說明偏振膜片2的沖裁裝置1。沖裁裝置1在將偏振膜片2載置于上述墊5上的狀態(tài)下，使用沖裁刀裝置7將其沖裁成作為商品所需要的大小和形狀，從而形成偏振膜4。在該實(shí)施方式中，示出偏振膜片2是將長條的偏振膜片卷成卷筒狀的情況，但不限于此，例如也可適用于使用單片狀的偏振膜片2，由該偏振膜片2沖裁偏振膜4。
如圖1所示那樣，沖裁裝置1具有將兩端卷繞到輥3、3的環(huán)式的上述墊5、輥3、3的未圖示的驅(qū)動裝置、及沖裁刀裝置7。兩輥3、3為了具有除電功能，使用金屬制成?；蛘?，也可考慮通過對其表面實(shí)施導(dǎo)電處理，從而使其具有除電功能。
如圖2和圖3所示那樣，墊6為由上側(cè)(載置偏振膜片2的表面?zhèn)?的基材10和通過涂覆或蒸鍍等設(shè)于基材10下表面的導(dǎo)電處理層11即帶電防止層構(gòu)成的塑料片。作為墊6的基材10，例如最好使用聚苯乙烯(PS)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯(PP)。作為基材10的厚度t1，例如設(shè)定為500～600μm。作為導(dǎo)電處理層11的厚度t1，如為可發(fā)揮帶電防止功能的厚度，則也可比基材10的厚度t1薄。作為基材10的上面10a的粗糙度，即表面粗糙度(JIS B 0601 1994年版)，最好為Ra0.01～0.6μm(如為0.02～0.1μm則更好)、Rz0.1～2μm(如為0.2～1μm則更理想)。Ra表示中心線平均粗糙度，Rz表示十點(diǎn)平均粗糙度。即，基材10的表面粗糙度與以前的基材10的表面粗糙度相比是極平滑的平滑面的值。
作為構(gòu)成導(dǎo)電處理層11的材料，例如可列舉出由鋁等金屬或銦錫氧化物、錫氧化物的蒸鍍、濺鍍獲得的導(dǎo)電膜，含有從錫、銻、銦中選擇的至少一種金屬成分和硅的酒精性溶膠的帶電防止用膜組成物，由從錫、銻、銦中選擇的至少一種的導(dǎo)電性金屬氧化物的水分散性溶膠和水性硅溶膠構(gòu)成的帶電防止用膜組成物，金屬醇鹽的水解縮聚物，共軛系導(dǎo)電性高分子、高分子型的帶電防止劑、低分子型的界面活性劑等材料。
在這些帶電防止用的材料中，特別是共軛系導(dǎo)電性高分子、高分子型的帶電防止劑可由下述方法在基材10容易地形成耐久性高的導(dǎo)電處理層11，所以，可以較好地得到使用。作為共軛導(dǎo)電性高分子的具體例，最好使用聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚對苯乙炔、或它們的置換體。它們可通過將溶解于溶劑中的可溶性的導(dǎo)電性高分子涂到基材上形成導(dǎo)電處理層11，或由單體和氧化劑直接在基材10上聚合而形成導(dǎo)電處理層11。
作為高分子型的帶電防止劑的具體例，最好使用非離子系的聚環(huán)氧乙烷、聚醚酯酰胺、聚醚酰胺酰亞胺、環(huán)氧乙烷表鹵醇共聚物、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯共聚物，陽離子系的含有季銨基的(甲基)丙烯酸鹽共聚物、含有季銨基的馬來酰亞胺共聚物、含有季銨基的甲基丙烯酰亞胺共聚物，陰離子系的聚苯乙烯磺酸鈉、兩性類的羰基甜菜堿-接枝共聚物等。它們可在溶解到適當(dāng)?shù)娜軇┖笸康交纳希蛞部膳c適當(dāng)?shù)木酆衔锘旌虾筮M(jìn)行熔融擠壓而形成薄膜，然后粘合到基材膜。
上述沖裁刀裝置7具有支承臺15、固定于該支承臺15的底面的沖裁刀(也稱為湯姆孫刀)16、及可上下自由移動地對支承臺進(jìn)行支承的未圖示的上下驅(qū)動裝置。沖裁刀裝置7在基準(zhǔn)位置將沖裁刀16配置到相對于墊6的上表面(載置表面)6a朝上方離開的位置。沖裁刀16形成為可根據(jù)情況將偏振膜片2沖裁成所期望的形狀的形狀。例如，在該實(shí)施方式的情況，形成為從底面觀察時(shí)為矩形。
沖裁刀16的構(gòu)造為在離開位置X和沖裁位置Y之間由上述上下驅(qū)動裝置支承其支承臺15，在該X位置，沖裁刀16的尖端狀的刀尖17相對于墊6的上表面6a離開，該沖裁位置Y為從該離開位置X下降使刀尖17接觸于墊6(實(shí)際上稍進(jìn)入到墊6的基材10)的位置。
下面，說明使用上述構(gòu)成的沖裁位置1將偏振膜片2沖裁成作為商品所需要的面積和形狀(剪斷地沖裁)的順序。墊6與輥3、3的驅(qū)動同步地從下游側(cè)C1朝上游側(cè)C2移動，翻轉(zhuǎn)后，從上游側(cè)C2朝下游側(cè)C1移動，反復(fù)進(jìn)行這樣的動作。在墊6上載置偏振膜片2并使得其防護(hù)膜23處于上方(分離膜25處于下方)，使用從寬度方向兩側(cè)的夾持機(jī)構(gòu)等適當(dāng)?shù)臋C(jī)構(gòu)，使其與墊6成為一體，從而使墊6與偏振膜片2同步地從上游側(cè)C1移動到下游側(cè)C2。此時(shí)，在沖裁刀裝置7中，在離開位置X，可將偏振膜片2插入到?jīng)_裁刀16與墊6之間。
偏振膜片2一到達(dá)沖裁刀裝置7的正下方，則暫時(shí)停止墊6的驅(qū)動部的驅(qū)動，對沖裁刀裝置7的驅(qū)動部進(jìn)行驅(qū)動，使沖裁刀裝置7從離開位置X下降。這樣，沖裁刀16的刀尖17從防護(hù)膜23側(cè)進(jìn)入到偏振膜片2。當(dāng)使沖裁刀裝置7進(jìn)一步下降時(shí)，如圖4所示，沖裁刀16的刀尖17成為稍進(jìn)入到墊6的沖裁位置Y。通過這樣使沖裁刀裝置7下降到?jīng)_裁位置Y，從而由沖裁刀16將載置于墊6的偏振膜片2剪斷成與沖裁刀16相應(yīng)的面積和形狀，沖裁成偏振膜4。沖裁后的偏振膜片2在下游側(cè)C2對其進(jìn)行卷取，或直接廢棄等，受到適當(dāng)處理。
在如上述那樣將偏振膜片2沖裁成偏振膜4后，再次驅(qū)動沖裁刀裝置7的驅(qū)動部，使沖裁刀裝置7上升，到達(dá)離開位置X。由這樣的各驅(qū)動部的間歇?jiǎng)幼饕来螞_裁偏振膜片2，從而依次制造偏振膜4。然后，沖裁的偏振膜4可例如重疊起來進(jìn)行保管。
在偏振膜4的制造過程中，當(dāng)沖裁刀16進(jìn)入到偏振膜片2的合成樹脂層時(shí)，容易由兩者的摩擦發(fā)生偏振膜片2帶電的狀態(tài)，但由于在墊6上將導(dǎo)電處理層11設(shè)于上側(cè)的基材10的下表面，所以，由該導(dǎo)電處理層11防止偏振膜4帶電。另一方面，當(dāng)對偏振膜片2進(jìn)行沖裁將其切斷時(shí)，主要從切斷面、墊6的基材10產(chǎn)生合成樹脂的粉塵，但如上述那樣，在墊6上將導(dǎo)電處理層11設(shè)于上側(cè)的基材10的下表面，防止粉塵的附著，所以，粉塵不附著到制造的偏振膜4，因此，可制造高質(zhì)量的偏振膜4。
特別是當(dāng)沖裁偏振膜4時(shí)，如沖裁刀16的刀尖17成為從墊6的上面6a進(jìn)入到基材10的沖裁位置Y，則容易從基材10發(fā)生粉塵，但在如上述那樣將墊6的基材10的表面變平滑的情況，即使沖裁刀16的刀尖17進(jìn)入到基材10，與基材10的表面粗糙度較粗的已有技術(shù)的情況相比，其粉塵產(chǎn)生量也較低。即，與以前相比，可減少粉塵的產(chǎn)生量，而且可防止偏振膜4帶電，所以，可比以前減少粉塵的產(chǎn)生量，而且由導(dǎo)電處理層11防止偏振膜4帶電，所以，可確實(shí)地防止粉塵附著于偏振膜4。
另外，在該實(shí)施方式中，用金屬制成卷繞墊6的輥3、3，而對其施加帶電防止功能，或在表面施加帶電防止功能，而且，將墊6卷繞到輥3、3的一側(cè)為導(dǎo)電處理層11，墊6的導(dǎo)電處理層11與輥3、3時(shí)常接觸，相應(yīng)地提高除電能力，所以，可確實(shí)地防止粉塵的附著，制造高質(zhì)量的偏振膜4。
可是，在制造偏振膜4時(shí)，即使如上述那樣驅(qū)動墊6，使載置于上表面6a的偏振膜片2同步移動，可以認(rèn)為在墊6與偏振膜片2的接觸面也產(chǎn)生微小的位置偏移。換言之，發(fā)生驅(qū)動側(cè)的墊6的上面6a與從動側(cè)的偏振膜片2的下表面2a摩擦的狀態(tài)，成為偏振膜片2容易帶電的狀態(tài)，但由于在墊6設(shè)有用于防止偏振膜4帶電的導(dǎo)電處理層11，所以，可防止墊6與偏振膜片2的位置偏移帶來的偏振膜片2的帶電，因此，即使如上述那樣在墊6與偏振膜片2的接觸面產(chǎn)生位置偏移，也可同樣地防止粉塵的附著，獲得高質(zhì)量的偏振膜4。
另外，雖然通常當(dāng)從輥2A拉出偏振膜片2時(shí)成為容易發(fā)生剝離帶電的狀態(tài)，但由于在墊6設(shè)有導(dǎo)電處理層11，所以，如將偏振膜片2載置于墊6上，則剝離帶電被除去，這一點(diǎn)也可防止粉塵的附著，所以，可制造高質(zhì)量的偏振膜4。另外，如上述那樣，偏振膜片2不限于預(yù)先形成為卷筒狀，有時(shí)也將構(gòu)成偏振膜片2的多個(gè)膜分別形成為獨(dú)立的卷筒體，一邊載置于后述的墊5上，一邊形成為偏振膜片2的層疊體。然而，即使在從各卷筒體拉出薄膜時(shí)產(chǎn)生剝離帶電的狀態(tài)，如在墊6上相互重疊薄膜，則由墊6的導(dǎo)電處理層11除電，結(jié)果可制造高質(zhì)量的偏振膜4。
由于墊6的基材10的表面粗糙度形成為平滑面，所以，當(dāng)沖裁刀16的刀尖17從墊6的上面6a進(jìn)入到基材10而形成偏振膜4時(shí)，可有效地防止空氣進(jìn)入到粘接劑層24與分離膜25間，因此，可有效地防止漏光，可制造高質(zhì)量的偏振膜4。
偏振膜片2從上依次層疊防護(hù)膜23、微粘接劑層22、保護(hù)膜20、偏振膜18、保護(hù)膜21、粘接劑層24、及分離膜25。當(dāng)從下側(cè)使沖裁刀16進(jìn)入到這樣的偏振膜片2時(shí)，則形成粘接劑層24的漿料附著于沖裁刀16，難以獲得平整的切斷面。然而，在該實(shí)施方式中，使沖裁刀16從偏振膜片2的上方即防護(hù)膜23側(cè)進(jìn)入到偏振膜片2，通過微粘接劑層22切斷偏振膜片2。該微粘接劑層22比粘接劑層24的厚度小，而且粘接力小，所以，與沖裁刀16從粘接劑層24側(cè)進(jìn)入的情況相比，可平整地進(jìn)行偏振膜片2的切斷(切斷面平整)。
墊6成為環(huán)形，在沖裁偏振膜4時(shí)沖裁刀16的刀尖17進(jìn)入的位置隨機(jī)變化，所以，不需要在墊6的一圈對其進(jìn)行更換，可連續(xù)地反復(fù)使用。然而，若反復(fù)使用墊6，使沖裁刀16的刀尖17多次進(jìn)入到同一位置或接近其的部分，則該部分脆弱化，變得不能順利地進(jìn)行偏振膜4的沖裁，所以，最好每隔預(yù)定時(shí)間或預(yù)定回轉(zhuǎn)數(shù)更換墊6。
本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式。例如在上述實(shí)施方式中，偏振膜4為從偏振膜片2每次1列地進(jìn)行沖裁的情況，但不限于此，也可相應(yīng)于墊6的寬度使用比上述實(shí)施方式的偏振膜片2寬的偏振膜4，或減小沖裁刀16的外徑，同時(shí)地從偏振膜片2沖裁多列偏振膜4。
在這樣的情況，沖裁的偏振膜4的數(shù)量變多，可以認(rèn)為粉塵的量也相應(yīng)地變多，但在本發(fā)明的實(shí)施方式中，由于在墊6處對與沖裁刀16接觸的面相反側(cè)的面進(jìn)行了導(dǎo)電處理，所以，即使粉塵的量變多，也可有效地防止其粉塵附著于偏振膜4，獲得高質(zhì)量的偏振膜4。
在上述實(shí)施方式的沖裁裝置1中，墊6為環(huán)形，將偏振膜片2載置于其上，但不限于此。例如也可作為沖裁裝置，設(shè)置墊6之外的卷繞于輥3、3的環(huán)形皮帶，將長條的墊6供給并進(jìn)行載置到該環(huán)形皮帶上，將偏振膜片2載置到墊6上，使用沖裁刀裝置7對偏振膜片2進(jìn)行沖裁。在這樣的沖裁裝置中，通過使用與上述實(shí)施方式同樣的墊6，從而可防止粉塵附著于偏振膜4，可制造高質(zhì)量的偏振膜4。
在這里，示出實(shí)施例1～實(shí)施例4。作為在這些實(shí)施例中示出的除電評價(jià)方法，使用表面電阻值表面電阻測定器(三菱化學(xué)(制)的Hiresta MCP-HT450)按外加電壓500V測定導(dǎo)電處理層11的表面電阻值Ω/□(單位歐姆每方)。
實(shí)施例1
(將有機(jī)溶劑可溶性聚苯胺用于導(dǎo)電處理層11的聚丙烯膜的情況)在具有攪拌裝置、溫度計(jì)、及直管接頭的101(10升)容量的可分離燒瓶中依次加入蒸餾水6000g、36％鹽酸360ml、及苯胺400g(4.295摩爾)，使苯胺溶解。另外，一邊用冰水冷卻，一邊將97％濃硫酸434g(4.295摩爾)加入到燒杯中的蒸餾水1493g中并進(jìn)行混合，調(diào)制硫酸水溶液。將該硫酸水溶液加入到上述可分離燒瓶中，用低溫恒溫槽將燒瓶整體冷卻到-4℃。
然后，在燒杯中將過二硫酸銨980g(4.295摩爾)加入到蒸餾水2293g使其溶解，調(diào)制氧化劑水溶液。在低溫恒溫槽中對燒瓶整體進(jìn)行冷卻，將反應(yīng)混合物的溫度保持在-3℃以下，同時(shí)，在攪拌下使用管泵從直管接頭將上述過二硫酸銨水溶液按1ml/分以下的比例慢慢地滴下到苯胺鹽的酸性水溶液中。最初，無色透明的溶液隨著聚合的進(jìn)行，從銅綠色變成墨綠色，接著，析出墨綠色的粉末。將反應(yīng)系內(nèi)的溫度調(diào)整到0℃以下。這樣，需要7小時(shí)，結(jié)束過二硫酸銨水溶液的滴下后，在-3℃以下的溫度繼續(xù)攪拌1小時(shí)。
過濾分選獲得的聚合物粉末，進(jìn)行水洗、丙酮清洗，在室溫下進(jìn)行真空干燥，獲得墨綠色的聚合物粉末430g。將其加壓成形為直徑13mm、厚700μm的圓盤，由范德堡法(van derPauw)測定其導(dǎo)電度，得知為14S/cm。
另外，將上述添加的導(dǎo)電性有機(jī)聚合物粉末350g加到2N氨水41中，用自動均相混合機(jī)按轉(zhuǎn)速5000rpm攪拌5小時(shí)?；旌衔飶哪G色變成藍(lán)紫色。
由平底漏斗對粉末進(jìn)行過濾分選，在燒杯中一邊攪拌，一邊用蒸餾水反復(fù)清洗，直到濾液成為中性，然后，用丙酮進(jìn)行清洗，直到濾液變成無色。
此后，在室溫下對粉末進(jìn)行10小時(shí)的真空干燥，獲得黑褐色的去雜了的聚合物粉末280g。將獲得的聚苯胺溶解到N-甲基-2-吡咯，調(diào)制0.5重量％的溶液。然后，混合該溶液100重量份、丙二酸200份、及異丙醇900份，獲得涂覆液。
將該涂覆液涂覆到厚500μm的聚丙烯膜的單面，在80℃的熱風(fēng)干燥機(jī)中干燥2分鐘，形成厚0.07μm的導(dǎo)電處理層11。
獲得的薄膜的表面電阻為7×107Ω/□。與聚丙烯膜的導(dǎo)電處理層11相反側(cè)的面的表面粗糙度的Ra為0.063μm，Rz為0.275μm。
實(shí)施例2(將有機(jī)溶劑可溶性聚苯胺與粘接劑聚合物的混合物用于導(dǎo)電處理層11的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜的情況)調(diào)制由實(shí)施例1獲得的聚苯胺100重量份、丙二酸200份、東洋紡織株式會社制的線狀飽和聚酯樹脂“バイロンRV-290”100份的、1.0重量％的N-甲基-2-吡咯溶液而做成涂覆液。
將該涂覆液涂覆到厚480μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜的單面，在80℃的熱風(fēng)干燥機(jī)中干燥2分鐘，形成厚0.1μm的導(dǎo)電處理層11。
獲得的薄膜的表面電阻為9×107Ω/□。與聚對苯二甲酸乙二醇酯膜的導(dǎo)電處理層11相反側(cè)的面的表面粗糙度的Ra為0.067μm，Rz為0.351μm。
實(shí)施例3(將聚3、4-二氧噻吩用于導(dǎo)電處理層11的聚丙烯膜的情況)將3、4-二氧噻吩100份和p-甲苯磺酸鐵500份的、5重量％的異丙醇溶液涂覆到厚500μm的聚丙烯膜的單面，在室溫下放置。進(jìn)行聚合反應(yīng)而在基材上形成薄膜。用流水對其進(jìn)行清洗，干燥后，形成厚0.05μm的導(dǎo)電處理層11。
獲得的薄膜的表面電阻為3×108Ω/□。與聚丙烯膜的導(dǎo)電處理層11相反側(cè)的面的表面粗糙度與實(shí)施例1、實(shí)施例2同樣地為非導(dǎo)電處理面的表面粗糙度。
實(shí)施例4(將聚3、4-二氧噻吩用于導(dǎo)電處理層11的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜的情況)用水/異丙醇(50/50重量比)的混合溶劑稀釋聚噻吩系導(dǎo)電聚合物(ナガセケムテツク公司制，商品名デナトロンP502RG)，調(diào)制1.0重量％的涂覆液。
將該涂覆液涂覆到厚480μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜的單面，在80℃的熱風(fēng)干燥機(jī)中干燥2分鐘，形成厚0.03μm的導(dǎo)電處理層11。
獲得的薄膜的表面電阻為7×107Ω/□。聚對苯二甲酸乙二醇酯與的導(dǎo)電處理層11相反側(cè)的面的表面粗糙度的Ra為0.06μm，Rz為0.30μm。
由這些實(shí)施例1～實(shí)施例4所示導(dǎo)電處理層11可獲得充分的除電效果，可基本消除隨著偏振膜4的沖裁作業(yè)發(fā)生的粉塵在偏振膜4上的附著。另外，通過將導(dǎo)電處理層11形成為這些實(shí)施例1～實(shí)施例4所示的表面粗糙度，從而可使得當(dāng)沖裁刀16進(jìn)入到墊6時(shí)發(fā)生的合成樹脂的粉塵的量比以前大幅度減少，獲得高質(zhì)量的偏振膜4。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)膜片的沖裁裝置，可相對自由接觸離開地設(shè)置用于載置光學(xué)膜片的墊和沖裁刀，對載置于墊上的光學(xué)膜片進(jìn)行沖裁；其特征在于，在上述墊處對與沖裁刀接觸的面相反側(cè)的面實(shí)施了導(dǎo)電處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)膜片的沖裁裝置，其特征在于，在墊處沖裁刀接觸的面為平滑面。
3.一種光學(xué)膜片的沖裁方法，將光學(xué)膜片載置于墊上進(jìn)行沖裁；其特征在于，使用對與沖裁刀接觸的面相反側(cè)的面實(shí)施了導(dǎo)電處理的墊，使上述墊與沖裁刀相對接觸離開。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)膜片的沖裁方法，其特征在于，使用沖裁刀接觸的面為平滑面的墊。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的光學(xué)膜片的沖裁方法，其特征在于，光學(xué)膜片為卷筒體，從該卷筒體拉出光學(xué)膜片，將其載置于墊上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光學(xué)膜片的沖裁裝置及光學(xué)膜片的沖裁方法，該沖裁裝置通過抑制沖裁光學(xué)膜片時(shí)發(fā)生靜電，從而可防止粉塵附著在光學(xué)膜片上。光學(xué)膜片的沖裁裝置，可相對自由接觸離開地設(shè)置用于載置光學(xué)膜片的墊和沖裁刀，對載置于墊上的光學(xué)膜片進(jìn)行沖裁；其中在上述墊處對與沖裁刀接觸的面相反側(cè)的面進(jìn)行導(dǎo)電處理。
文檔編號B26D7/08GK101077586SQ20071010797
公開日2007年11月28日 申請日期2007年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月22日
發(fā)明者金子鐵夫, 大谷彰, 重松崇之 申請人:日東電工株式會社