放射線固化型切割用粘合帶的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種放射線固化型切割用粘合帶，其即使對(duì)設(shè)置有貫通電極的半導(dǎo)體芯片等也能在拾取工序時(shí)容易地進(jìn)行拾取而不會(huì)產(chǎn)生殘膠。本發(fā)明的放射線固化型切割用粘合帶(1)，其特征在于，其是在基材片(2)上設(shè)置有放射線固化型粘合劑層(3)的放射線固化型粘合帶(1)，其在放射線固化后的楊氏模量相對(duì)于其在放射線固化前的楊氏模量的比即放射線固化后的楊氏模量/放射線固化前的楊氏模量為1.0～1.8。
【專利說(shuō)明】放射線固化型切割用粘合帶

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及在為了使半導(dǎo)體晶片等實(shí)現(xiàn)元件小片化而對(duì)其進(jìn)行切割(dicing)時(shí)用于固定該半導(dǎo)體晶片等被切斷體的粘合帶。

【背景技術(shù)】
[0002]以往的半導(dǎo)體裝置通過(guò)使設(shè)置于基板上的半導(dǎo)體芯片通過(guò)引線接合(wirebonding)進(jìn)行導(dǎo)電連接而制造。近年來(lái)，對(duì)應(yīng)于使機(jī)器進(jìn)一步小型化、薄型化、輕量化的要求，對(duì)以這些機(jī)器內(nèi)部所使用的半導(dǎo)體裝置為代表的電子部件也有同樣的要求。為了實(shí)現(xiàn)電子部件的小型化，提出了例如層疊半導(dǎo)體芯片以實(shí)現(xiàn)高密度安裝的三維安裝技術(shù)(例如參照專利文獻(xiàn)I)。此外，作為進(jìn)行三維安裝技術(shù)的方法，例如提出了形成貫通芯片的電極(貫通電極)、并經(jīng)由該電極層疊有稱為插入物(interposer)的安裝用芯片的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)(例如參照專利文獻(xiàn)2)。
[0003]目前正在研究如下技術(shù):使形成有貫通電極的晶片切斷分離成元件小片(半導(dǎo)體芯片)(切割(dicing)工序)，并且在對(duì)這些半導(dǎo)體芯片進(jìn)行拾取的工序(拾取(pick-up)工序)中使用具有放射線固化型粘合層的晶片切割加工用粘合帶。
[0004]在使用具有放射線固化型粘合層的切割用粘合帶時(shí)，在切割工序中必須充分地保持晶片。然而，設(shè)置有貫通電極的晶片通常在一面或兩面具有高度為3?幾十ym的貫通電極的突起部。因此，即便貼合以往的切割加工用粘合帶，大多也無(wú)法追隨該突起部而無(wú)法保持晶片。另外，該結(jié)果會(huì)導(dǎo)致在貫通電極的突起周邊部產(chǎn)生空隙。通常，在切割工序中利用被稱為刀片(blade)的旋轉(zhuǎn)刀刃對(duì)芯片進(jìn)行單片化。在粘合劑層與貫通電極的突起周邊部之間具有空隙而無(wú)法充分地保持晶片時(shí)，因切削時(shí)的沖擊而使芯片振動(dòng)，引起刀片與芯片的沖撞，產(chǎn)生芯片缺損(破裂(chipping))而降低芯片的成品率。
[0005]為了消除切割工序時(shí)的不良情況，提出了使粘合劑層的凝膠分率及10°C的儲(chǔ)存彈性模量在特定范圍內(nèi)的放射線固化型切割用粘合帶(例如參照專利文獻(xiàn)3)。對(duì)于專利文獻(xiàn)3的放射線固化型切割用粘合帶而言，通過(guò)使其具有使凝膠分率和儲(chǔ)存彈性模量在特定范圍內(nèi)的粘合劑層，從而消除了切割工序時(shí)的上述不良情況。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2002-50738號(hào)公報(bào)
[0009]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2005-236245號(hào)公報(bào)
[0010]專利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2006-202926號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]發(fā)明要解決的課題
[0012]然而，對(duì)于上述專利文獻(xiàn)3的放射線固化型切割用粘合帶而言，在進(jìn)行切割后，對(duì)粘合劑層照射放射線而使其固化，由此使粘合力降低，此時(shí)，由于粘合劑層固化收縮，因此使粘合劑層包住(日文原文:嚙> 二 ti.)貫通電極等的晶片表面的突起，導(dǎo)致產(chǎn)生無(wú)法良好地拾取經(jīng)切割后的半導(dǎo)體芯片的問(wèn)題。在上述專利文獻(xiàn)3的放射線固化型切割用粘合帶中，使用含有因刺激而產(chǎn)生氣體的氣體產(chǎn)生劑的粘合劑。然而，在粘合劑中產(chǎn)生氣體的機(jī)制中，由于粘合劑變脆，因此可能產(chǎn)生粘合劑碎屑對(duì)芯片的附著(殘膠)、使成品率降低。
[0013]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種放射線固化型切割用粘合帶，其即使對(duì)設(shè)置有貫通電極的半導(dǎo)體芯片等也能在拾取工序中容易地進(jìn)行拾取而不會(huì)產(chǎn)生殘膠。
[0014]用于解決上述課題的手段
[0015]為了解決上述課題，本發(fā)明的放射線固化型切割用粘合帶，其特征在于，其是在基材片上設(shè)置有放射線固化型粘合劑層的放射線固化型粘合帶，其在放射線固化后的楊氏模量相對(duì)于其在放射線固化前的楊氏模量的比為1.0?1.8。
[0016]上述放射線固化型切割用粘合帶優(yōu)選使上述粘合劑層在放射線固化前的儲(chǔ)存彈性模量 G’ 為 1.8 X 14 ?4.7 X 14Pa0
[0017]此外，上述放射線固化型切割用粘合帶優(yōu)選使上述粘合劑層在放射線固化前的損失系數(shù)tan δ為0.20?0.35。
[0018]此外，上述放射線固化型切割用粘合帶適合在切割半導(dǎo)體晶片時(shí)使用。
[0019]此外，上述放射線固化型切割用粘合帶適合使用在上述半導(dǎo)體晶片在與上述粘合劑層貼合的面具有突起物或段差的情況。
[0020]發(fā)明效果
[0021]根據(jù)本發(fā)明，可減少切割工序中的破裂，且即使對(duì)設(shè)置有貫通電極的半導(dǎo)體芯片也能在拾取工序中容易地進(jìn)行拾取而不會(huì)產(chǎn)生殘膠。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的放射線固化型切割用粘合帶的結(jié)構(gòu)的示意性剖面圖。
[0023]圖2是表示使用本發(fā)明的實(shí)施例的放射線固化型切割用粘合帶所切斷的芯片的結(jié)構(gòu)的示意性俯視圖平面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0024]以下對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0025]本發(fā)明的實(shí)施方式的放射線固化型切割用粘合帶I在基材片2的至少一側(cè)形成至少I層粘合劑層3。圖1是表示本發(fā)明的放射線固化型切割用粘合帶I的優(yōu)選實(shí)施方式的示意性剖面圖，放射線固化型切割用粘合帶I具有基材片2，并且在基材片2上形成粘合劑層3。
[0026]對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的放射線固化型切割用粘合帶I而言，其在放射線固化后的楊氏模量相對(duì)于其在放射線固化前的楊氏模量的比(放射線固化后的楊氏模量/放射線固化前的楊氏模量)為1.0?L 8。
[0027]在放射線固化型切割用粘合帶I的貼合粘合劑層3的面將具有突起物(bump)或段差的晶片貼合于放射線固化型切割用粘合帶I時(shí)，優(yōu)選使突起物或段差大致完全埋入粘合劑層3中。在突起物或段差與放射線固化型切割用粘合帶I之間具有空隙時(shí)，因切割工序中的旋轉(zhuǎn)刀刃(刀片)的振動(dòng)而使芯片大幅振動(dòng)，引起芯片與刀片或相鄰的芯片接觸，產(chǎn)生芯片缺損。
[0028]另一方面，在突起物或段差大致完全埋入粘合劑層3的情況下，可減低旋因轉(zhuǎn)刀刃振動(dòng)的影響，在構(gòu)成粘合劑層3的粘合劑中使用放射線固化型粘合劑組成的情況下，由于粘合劑層3在密接于突起物或段差的狀態(tài)下固化，因此在拾取工序時(shí)粘合劑層3會(huì)覆蓋突起物或段差而產(chǎn)生無(wú)法拾取的不良情況。
[0029]此處，放射線固化型粘合劑是指:至少含有在分子內(nèi)末端具有碳-碳不飽和鍵的化合物(a)及接受放射線而產(chǎn)生自由基的稱為引發(fā)劑的化合物的粘合組合物。通過(guò)照射放射線，使引發(fā)劑活化，并利用所產(chǎn)生的自由基使末端的碳-碳不飽和鍵連續(xù)活化，由此化合物(a)逐漸鍵合而使化合物(a)彼此間形成交聯(lián)。
[0030]在形成交聯(lián)前，由于通過(guò)使分散于粘合劑中的多個(gè)化合物(a)交聯(lián)而使其聚集并鍵合，因此粘合劑在交聯(lián)后較交聯(lián)前變得更硬。在密接于突起物或段差的狀態(tài)下引起該交聯(lián)反應(yīng)時(shí)，由于變硬的粘合劑覆蓋突起物或段差而阻害平順地剝離。特別是在具有貫通電極的晶片中，由于貫通晶片內(nèi)部而形成突起物，因此使芯片強(qiáng)度顯著減弱，在阻礙剝離時(shí)，容易引起芯片破損。通過(guò)調(diào)整粘合劑的固化程度，可以使因該粘合劑固化而引起的對(duì)突起物或段差的覆蓋得到抑制。
[0031]作為粘合劑的固化程度的指標(biāo)，有放射線固化型切割用粘合帶I的拉伸彈性模量。放射線固化前的拉伸彈性模量與固化后的拉伸彈性模量之比(放射線固化后的拉伸彈性/固化前的拉伸彈性模量)越接近1，意味著與交聯(lián)形成前相比硬度變化越小。如上所述，放射線固化型的粘合劑層3通過(guò)照射放射線而發(fā)生固化反應(yīng)，因此上述的比例通常大于I。該比例為1.8以下時(shí)，對(duì)突起物或段差的覆蓋較小，可容易地進(jìn)行拾取。該比例大于 1.8時(shí)，產(chǎn)生對(duì)突起物或段差的覆蓋，在拾取工序的上頂(日文原文:突t上(f )時(shí)施加于芯片的應(yīng)力變大，無(wú)法進(jìn)行拾取或產(chǎn)生芯片破損。
[0032]另外，此處的拉伸彈性模量是依照J(rèn)IS K 7127:1999所得的值。此外，一般而言基材片2較粘合劑層3的厚度更厚，且剛性更高，通過(guò)取得放射線固化型切割用粘合帶I的拉伸彈性模量的比例，可比較僅粘合劑層3的拉伸彈性模量。
[0033]此處，放射線的照射量沒(méi)有特別的限制，例如在照射紫外線時(shí)，優(yōu)選為100~1000mJ/cm2，更優(yōu)選為 200 ~500mJ/cm2。
[0034]為了防止半導(dǎo)體芯片破裂時(shí)，放射線固化前的粘合劑層3的儲(chǔ)存彈性模量G’優(yōu)選為 1.8X 14 ~4.7X 104pa,更優(yōu)選為 2.0XlO4 ~4.7X 104pa。G，低于 1.8X 104pa 時(shí)，可使粘合劑層3充分地密接于突起物或段差，由于粘合劑層3過(guò)于柔軟，因此無(wú)法抑制切割工序中的旋轉(zhuǎn)刀刃振動(dòng)，導(dǎo)致產(chǎn)生破裂。此外，G’大于4.7X 104pa時(shí)，無(wú)法使粘合劑層3充分地密接于突起物或段差而導(dǎo)致產(chǎn)生空隙，因此因切割工序中的旋轉(zhuǎn)刀刃振動(dòng)而導(dǎo)致產(chǎn)生破
? ο
[0035]此外，為了維持粘合劑層3充分地密接于突起物或段差的狀態(tài)，放射線固化前的粘合劑層3的損失系數(shù)tan δ優(yōu)選為0.20~0.35，更優(yōu)選為0.25~0.35。損失系數(shù)tan δ以儲(chǔ)存彈性模量G’與損失彈性模量G”之比(G”/G’)來(lái)表示。在tanS過(guò)小時(shí)，即使在粘合劑層3可充分地密接于突起物或段差的情況下，也會(huì)由于排斥能力大而不易維持密接的狀態(tài)。在tan δ過(guò)大時(shí)，由于排斥能力小，因此在單片化后進(jìn)行拾取時(shí)變得不易傳導(dǎo)來(lái)自下方的上頂夾具的應(yīng)力。在粘合劑層3的損失系數(shù)tan δ小于0.20時(shí)，無(wú)法維持密接的狀態(tài)，導(dǎo)致在晶片與粘合帶之間產(chǎn)生空隙，可能會(huì)因上述的機(jī)制而使破裂惡化。在粘合劑層3的損失系數(shù)tan δ大于0.35時(shí)，由于在單片化后進(jìn)行拾取時(shí)不易傳導(dǎo)來(lái)自下方的上頂夾具的應(yīng)力，不得不提聞上頂聞度，芯片破損的可能性變聞。
[0036]以下，詳細(xì)說(shuō)明有關(guān)本實(shí)施方式的放射線固化型切割用粘合帶I的各構(gòu)成要素。
[0037](基材片2)
[0038]關(guān)于構(gòu)成基材片2的樹(shù)脂，沒(méi)有特別的限制，可使用可形成片狀的樹(shù)脂。例如可使用聚丙烯、高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯-丙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物硫化物、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸丁酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚氨酯、聚酰胺、離聚物、腈橡膠、丁基橡膠、苯乙烯異戊二烯橡膠、苯乙烯丁二烯橡膠、天然橡膠及其氫化物或改性物等。這些樹(shù)脂可單獨(dú)使用或2種以上混合使用，此外，也可采用2層以上的多層構(gòu)成。
[0039]基材片2的厚度沒(méi)有特別的限制，在該厚度過(guò)薄時(shí)，不易處理，在該厚度過(guò)厚時(shí)，由于在拾取工序時(shí)不易傳導(dǎo)上頂夾具的應(yīng)力，因此優(yōu)選為50?150 μ m，更優(yōu)選為70?100 μ m。
[0040]為了提高密接性時(shí)，也可對(duì)基材片2的與粘合劑層3接觸的面實(shí)施電暈處理或底漆(primer)等的處理。
[0041](粘合劑層3)
[0042]構(gòu)成粘合劑層3的粘合劑組合物優(yōu)選使用例如日本特開(kāi)平7-135189號(hào)公報(bào)等中記載的粘合劑組合物，但并不限定于此，可以使用對(duì)橡膠系或丙烯酸系的基礎(chǔ)聚合物配合分子中具有至少2個(gè)放射線聚合性碳-碳雙鍵的化合物(以下稱為光聚合性化合物)及光聚合引發(fā)劑而成的粘合劑組合物、或者對(duì)丙烯酸系的基礎(chǔ)聚合物加成具有碳-碳雙鍵的化合物而成的粘合劑組合物。
[0043]作為在丙烯酸系聚合物中導(dǎo)入碳-碳雙鍵的方法，沒(méi)有特別的限制，例如可列舉如下方法等:使用具有官能基的單體作為共聚性單體進(jìn)行共聚，制備成含有官能基的丙烯酸系聚合物后，使具有能夠與含官能基的丙烯酸系聚合物中的官能基反應(yīng)的官能基及碳-碳雙鍵的化合物，在維持碳-碳雙鍵的放射線固化性(放射線聚合性)的狀態(tài)下，與含有官能基的丙烯酸系聚合物進(jìn)行縮合反應(yīng)或加成反應(yīng)，制備分子內(nèi)具有碳-碳雙鍵的丙烯酸系聚合物。
[0044]上述橡膠系或丙烯酸系的基礎(chǔ)聚合物可以使用:天然橡膠、各種合成橡膠等橡膠系聚合物；或者聚(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯與可同這些物質(zhì)共聚的不飽和單體形成的共聚物等丙烯酸系聚合物。在使用丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸甲氧基乙酯作為構(gòu)成基礎(chǔ)聚合物的單體時(shí)，由于可更為提高拾取性，故優(yōu)選。
[0045]作為光聚合性化合物，可列舉例如:三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6_己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、丙三醇二(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸與多元醇的酯化物；酯丙烯酸酯低聚物；2_丙烯基-二-3-丁烯基氰脲酸酯等具有含碳-碳雙鍵基團(tuán)的氰脲酸酯系化合物?三(2-丙烯酰氧基乙基)異氰脲酸酯、三(2-甲基丙烯酰氧基乙基)異氰脲酸酯、2-羥基乙基雙(2-丙烯酰氧基乙基)異氰脲酸酯、雙(2-丙烯酰氧基乙基)2-[(5_丙烯酰氧基己基)-氧基]乙基異氰脲酸酯、三(1，3_ 二丙烯酸氧基_2_丙基-氧基擬基氨基正己基)異氰服酸酯、二(1_丙烯酸氧基乙基_3_甲基丙烯酰氧基-2-丙基-氧基羰基氨基正己基)異氰脲酸酯、三(4-丙烯酰氧基正丁基)異氰脲酸酯等具有含碳-碳雙鍵基團(tuán)的異氰脲酸酯系化合物等。這些光聚合性化合物可單獨(dú)使用或2種以上組合使用。
[0046]在放射線固化前后的拉伸楊氏模量比為1.8以下時(shí)，一分子中的碳-碳雙鍵數(shù)沒(méi)有特別的限制，一分子中的碳-碳雙鍵數(shù)優(yōu)選為2~6個(gè)。此外，光聚合性化合物的配合量也沒(méi)有特別的限制，相對(duì)于粘合劑的上述基礎(chǔ)聚合物100質(zhì)量份，優(yōu)選為10~90質(zhì)量份，更優(yōu)選為20~70質(zhì)量份，進(jìn)一步優(yōu)選為20~60質(zhì)量份。
[0047]放射線固化型粘合劑可通過(guò)在粘合劑中混入光聚合引發(fā)劑而產(chǎn)生基于放射線照射的聚合固化反應(yīng)。作為此種光聚合引發(fā)劑，可列舉例如:苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚等苯偶姻烷基醚系引發(fā)劑；二苯甲酮、苯甲?；郊姿?、3，3’ - 二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、聚乙烯基二苯甲酮等二苯甲酮系引發(fā)劑；α-羥基環(huán)己基苯基酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α，α ’ - 二甲基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2，2- 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2- 二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1-酮等芳香族酮系引發(fā)劑；苯偶酰二甲基縮酮等芳香族縮酮系引發(fā)劑；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2-乙基噻噸酮、2-異丙基噻噸酮、2-十二烷基噻噸酮、2，4_ 二氯噻噸酮、2，4_ 二甲基噻噸酮、2，4_ 二乙基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系引發(fā)劑；苯偶酰等苯偶酰系引發(fā)劑；苯偶姻等苯偶姻系引發(fā)劑;以及α-酮醇(ketol)系化合物(2-甲基-2-羥基苯丙酮等)、芳香族磺酰氯系化合物(2-萘磺酰氯等)、光活性肟系化合物(1-苯酮-1，1-丙烷二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等)、樟腦醌、鹵化酮、?；趸?、?；⑺狨サ?。光聚合引發(fā)劑可單獨(dú)使用或2種以上組合使用。
[0048]光聚合引發(fā)劑的配合量沒(méi)有特別的限制，相對(duì)于粘合劑的上述基礎(chǔ)聚合物100質(zhì)量份，優(yōu)選為I~10質(zhì)量份，更優(yōu)選為2~7質(zhì)量份。
[0049]此外，在上述粘合劑中可以根據(jù)需要配合異氰酸酯系固化劑。作為異氰酸酯系固化劑，具體而言，可以使用多價(jià)異氰酸酯系化合物，例如2，4_甲苯二異氰酸酯、2，6_甲苯二異氰酸酯、1，3-二甲苯二異氰酸酯、1，4_ 二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷_(kāi)4，4’ - 二異氰酸酯、二苯基甲烷-2，4’_ 二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環(huán)己基甲烷_(kāi)4，4’ - 二異氰酸酯、二環(huán)己基甲烷_(kāi)2，4’ - 二異氰酸酯、賴氨酸異氰酸酯等。
[0050]固化劑的配合量沒(méi)有特別的限制，相對(duì)于粘合劑的上述基礎(chǔ)聚合物100質(zhì)量份，優(yōu)選為0.01~10質(zhì)量份,更優(yōu)選為0.1~5質(zhì)量份。
[0051]在用于形成放射線固化型粘合劑的粘合劑組合物中，也可以根需要含有例如增粘劑、抗老化劑、填充劑、著色劑、阻燃劑、防靜電劑、軟化劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、增塑劑、表面活性劑等公知的添加劑等。
[0052]本發(fā)明的粘合劑層3可利用公知的粘合劑層3的形成方法來(lái)形成。例如可以利用以下方法在基材片2上形成粘合劑層3，所述方法為:將上述粘合劑組合物涂布于基材片2的規(guī)定面而形成粘合劑層3的方法；或者將粘合劑組合物涂布于隔件(例如涂布有脫模劑的塑料制薄膜或薄片等)上而形成粘合劑層3后，將該粘合劑層3轉(zhuǎn)印于基材片2的規(guī)定面的方法。粘合劑層3的厚度只要比突起物或段差高即可，沒(méi)有特別的限制。
[0053]另外，圖1示出了粘合劑層3具有單層形態(tài)的放射線固化型切割用粘合帶1，也可具有層疊有多層的粘合劑層3的形態(tài)。在層疊有多層的粘合劑層3時(shí)，優(yōu)選:在切割時(shí)具有貼合晶片的面的粘合劑層3為放射線固化型粘合劑層3，放射線固化前的儲(chǔ)存彈性模量G’為1.8X 14?4.7X 14Pa,放射線固化前的損失系數(shù)tan δ為0.20?0.35。
[0054]此外，在直至供實(shí)際使用的期間，為了保護(hù)粘合劑層3，可以根據(jù)需要將通常作為隔件使用的合成樹(shù)脂薄膜貼附于粘合劑層3側(cè)。作為合成樹(shù)脂薄膜的構(gòu)成材料，可列舉聚乙烯、聚丙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯等的合成樹(shù)脂薄膜或紙等。為了提高自粘合劑層3的剝離性，可以根據(jù)需要對(duì)合成樹(shù)脂薄膜的表面實(shí)施硅酮處理、長(zhǎng)鏈烷基處理、氟處理等剝離處理。合成樹(shù)脂薄膜的厚度通常為10?100 μ m、優(yōu)選為25?50 μ m左右。
[0055]〈使用方法〉
[0056]以下，對(duì)本發(fā)明的放射線固化型切割用粘合帶I的使用方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0057]在將本發(fā)明的放射線固化型切割用粘合帶I貼附到作為被切斷物的半導(dǎo)體構(gòu)件的安裝(mount)工序后，依照常法進(jìn)行切割，再移至放射線照射、拾取工序。作為半導(dǎo)體構(gòu)件，可列舉硅半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、半導(dǎo)體封裝體、玻璃、陶瓷等，放射線固化型切割用粘合帶I可適合用于切割具有貫通電極的半導(dǎo)體晶片。
[0058]在安裝工序中，通常將被切斷物與放射線固化型切割用粘合帶I重疊，邊利用使用壓接輥的擠壓方法等公知的擠壓方法進(jìn)行擠壓，邊進(jìn)行被切斷物與粘合帶的貼附。在粘合帶與被切斷物的密接性不充分時(shí)，也可采用對(duì)被切斷物進(jìn)行加熱的方法。
[0059]切割工序中，使刀片高速旋轉(zhuǎn)，將被切斷物切斷成規(guī)定的尺寸。切割時(shí)可采用切入至部分切割帶的稱為全切割(full cut)的切斷方式等。
[0060]在切割后，通過(guò)照射紫外線使粘合劑層3固化，以降低粘合性。通過(guò)照射紫外線，可使粘合劑層3的粘合性因固化而降低，使其容易剝離。此處，紫外線的照射量沒(méi)有特別的限制，優(yōu)選為100?1000mJ/cm2，更優(yōu)選為200?500mJ/cm2。
[0061]在紫外線照射后，進(jìn)行拾取工序。在拾取工序中可設(shè)置擴(kuò)大工序。作為拾取方法，沒(méi)有特別的限制，可采用以往公知的各種拾取方法。例如利用針等夾具將各切斷片自切割帶上頂，并通過(guò)拾取裝置對(duì)被上頂后的切斷片進(jìn)行拾取的方法等。
[0062]實(shí)施例
[0063]以下，依照實(shí)施例更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明不受這些實(shí)施例的限制。
[0064]〈構(gòu)成粘合劑層的樹(shù)脂組合物〉
[0065]作為構(gòu)成粘合劑層的樹(shù)脂組合物，制備了以下的A?H。
[0066](粘合劑組合物A)
[0067]相對(duì)于丙烯酸系聚合物(由丙烯酸乙酯23mol%、丙烯酸丁酯56mol%、丙烯酸甲氧基乙酯21mol %形成的丙烯酸系共聚物(重均分子量90萬(wàn)))100質(zhì)量份，加入聚異氰酸酯化合物(日本聚氨酯工業(yè)株式會(huì)社制、商品名CORONATE L) 2質(zhì)量份、作為光聚合性化合物的四羥甲基甲烷四丙烯酸酯30質(zhì)量份、及光聚合引發(fā)劑(BASF公司制、商品名IRGACURE184) 2質(zhì)量份并進(jìn)行混合，制備成放射線固化性的粘合劑組合物A。
[0068](粘合劑組合物B)
[0069]除了將光聚合性化合物設(shè)定為季戊四醇三丙烯酸酯60質(zhì)量份以外，與粘合劑組合物A同樣地制備了粘合劑組合物B。
[0070](粘合劑組合物C)
[0071]除了將丙烯酸系聚合物設(shè)定為由丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羥基乙酯形成的共聚物(重均分子量50萬(wàn))以外，與粘合劑組合物A同樣地制備了粘合劑組合物C。
[0072](粘合劑組合物D)
[0073]除了將光聚合性化合物設(shè)定為二季戊四醇六丙烯酸酯、且將配合量設(shè)定為20質(zhì)量份以外，與粘合劑組合物C同樣地制備了粘合劑組合物D。
[0074](粘合劑組合物E)
[0075]除了將光聚合性化合物的配合量設(shè)定為50質(zhì)量份以外，與粘合劑組合物D同樣地制備了粘合劑組合物E。
[0076](粘合劑組合物F)
[0077]除了將光聚合性化合物的配合量設(shè)定為80質(zhì)量份以外，與粘合劑組合物D同樣地制備了粘合劑組合物F。
[0078](粘合劑組合物G)
[0079]使由丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸、丙烯酸2-羥基乙酯形成的丙烯酸系共聚物100質(zhì)量份，與作為具有光聚合性碳-碳雙鍵及官能基的化合物的2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯(昭和電工株式會(huì)社制、商品名KARENZ Μ0Ι)0.2質(zhì)量份反應(yīng)，得到對(duì)主鏈的重復(fù)單位鍵合了具有丙烯酸系單體部的殘基的聚合物(重均分子量60萬(wàn))，所述丙烯酸系單體部具有含放射線固化性碳-碳雙鍵基團(tuán)。相對(duì)于上述聚合物100質(zhì)量份，加入聚異氰酸酯化合物(日本聚氨酯株式會(huì)社制、商品名CORONATE L)1質(zhì)量份、及光聚合引發(fā)劑(BASF公司制、商品名IRGA⑶RE 184) 2質(zhì)量份并進(jìn)行混合，制備成放射線固化性的粘合劑組合物G。
[0080](粘合劑組合物H)
[0081]除了將聚異氰酸酯化合物的配合量設(shè)定為0.5質(zhì)量份以外，與粘合劑組合物G同樣地制備成粘合劑組合物H。
[0082](粘合劑組合物I)
[0083]除了將與丙烯酸系共聚物反應(yīng)的2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯的配合量設(shè)定為0.6質(zhì)量份以外，與粘合劑組合物G同樣地制備了粘合劑組合物I。
[0084]<基材片>
[0085]作為基材片，準(zhǔn)備了以下的J?L。
[0086](基材片J)
[0087]利用雙軸混練機(jī)，在約200°C下使乙烯-甲基丙烯酸_(丙烯酸2-甲基-丙酯)-Zn++離聚物樹(shù)脂(Du Pont-Mitsui Polychemicals C0.,Ltd.制、商品名 High MilanAM7316)進(jìn)行薄膜擠出成形，并制造了厚度100 μ m的基材片J。
[0088](基材片K)
[0089]利用雙軸混練機(jī)，在約200 °C下使乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(Nippon UnicarCompany Limited制、商品名NUC-3758)進(jìn)行薄膜擠出成形,并制造了厚度100 μ m的基材片K0
[0090](基材片L)
[0091]準(zhǔn)備了含有相對(duì)于聚氯乙烯樹(shù)脂100質(zhì)量份為30質(zhì)量份的鄰苯二甲酸二辛酯的聚氯乙烯片(厚度100 μ m)。
[0092]<放射線固化型切割用粘合帶的制作>
[0093]如表1及表2所示，以使干燥后的厚度分別達(dá)到20 μ m的方式，將上述粘合劑組合物A~I涂布于各基材片J~L，形成粘合劑層，并制造了實(shí)施例1、3~9、比較例1、2的放射線固化型切割用粘合帶。此外，以使干燥后的厚度達(dá)到25μπι的方式，涂布粘合組合物A，形成粘合劑層，并制造了實(shí)施例2的放射線固化型切割用粘合帶。
[0094]<粘合帶的楊氏模量比>
[0095]使用實(shí)施例1~9及比較例1、2的放射線固化型切割用粘合帶，依據(jù)JISΚ7127/2/300，制作試驗(yàn)片并實(shí)施拉伸試驗(yàn)，計(jì)算出紫外線照射前的楊氏模量。此外，自粘合帶試驗(yàn)試料的基材片側(cè)照射200mJ/mm2的紫外線,使粘合劑層固化后，實(shí)施同樣的試驗(yàn)，計(jì)算出紫外線照射后的楊氏模量。任一試驗(yàn)的試驗(yàn)結(jié)果均為測(cè)定數(shù)η = 5的平均值。由這些結(jié)果計(jì)算出楊氏模量比((紫外線照射后)/(紫外線照射前))。其結(jié)果如表1及表2所示。
[0096]<粘合劑層的粘彈性>
[0097]以使干燥后的厚度分別達(dá)到20 μ m的方式，將粘合劑組合物A~I涂布于脫模薄膜上，形成粘合劑層后，自脫模薄膜剝離粘合劑層，以使總厚度約為2mm的方式將其進(jìn)行重疊，制作試驗(yàn)樣品。將該試驗(yàn)樣品沖切成直徑8mm的圓盤(pán)狀，以平行刀片將其夾持，使用粘彈性測(cè)定裝置(TA Instruments公司制、商品名ARES)，以下述條件進(jìn)行測(cè)定。從所取得的數(shù)據(jù)記錄儲(chǔ)存彈性模量G’的最大值及最小值、以及損失系數(shù)tan δ的最小值。其結(jié)果如表I及表2所示。
[0098](測(cè)定條件)
[0099]測(cè)定溫度:23~80°C
[0100]升溫速度:5°C/min
[0101]測(cè)定頻率:0.15Hz
[0102]<放射線固化型切割用粘合帶的評(píng)價(jià)>
[0103]準(zhǔn)備了以100 μ m間隔形成有直徑10 μ m的球狀突起物5 (參照?qǐng)D2)，的8英寸、厚度30 μ m的Si晶片。然后，將實(shí)施例1~8及比較例1、2的放射線固化型切割用粘合帶與環(huán)架(ring frame) 一起貼合。
[0104](埋入性評(píng)價(jià))
[0105]以目視從貼合后的放射線固化型切割用粘合帶面的上方觀察球狀突起物周圍有無(wú)氣泡。將無(wú)氣泡的情況設(shè)定為“ ◎”，將氣泡大小為ΙΟμπι以下的情況設(shè)定為“〇”，將氣泡大小大于10 μ m的情況設(shè)定為“ X ”。其結(jié)果如表1及表2所示。
[0106](貼合后的經(jīng)時(shí)變化評(píng)價(jià))
[0107] 在貼合后，在切割卡匣(cassette)上放置I小時(shí)后，實(shí)施與評(píng)價(jià)埋入性同樣的評(píng)價(jià)。將與埋入性評(píng)價(jià)相比沒(méi)有變化的情況設(shè)定為“〇”，將氣泡尺寸的擴(kuò)大幅度為5μπι以下的情況設(shè)定為“Λ”，將氣泡尺寸的擴(kuò)大幅度大于5 μ m的情況設(shè)定為“ X ”。其結(jié)果如表1及表2所示。
[0108]然后，使用切割裝置(DISCO株式會(huì)社制、商品名DAD-340)，如圖2所示，以使芯片4的尺寸達(dá)到1mm見(jiàn)方的方式，以下述條件實(shí)施了切割。另外，球狀突起物5如圖2所示那樣形成，而并未形成在切割道(scribe line)上。
[0109](切割條件)
[0110]刀片:DISCO株式會(huì)社制“27HECC”
[0111]刀片轉(zhuǎn)速:40000rpm
[0112]切割速度:50mm/sec
[0113]切割深度:25 μ m
[0114]切割模式:向下切割
[0115](拾取性評(píng)價(jià))
[0116]自放射線固化型切割用粘合帶的基材片側(cè)照射200mJ/mm2的紫外線，使粘合劑層固化后，將單片化的芯片使用芯片拾取裝置(Canon Machinery株式會(huì)社制、商品名CAP-300II)進(jìn)行拾取。將任意的50個(gè)芯片以下述條件A及條件B進(jìn)行拾取，計(jì)算成功拾取的芯片數(shù)，將成功地拾取全部50個(gè)芯片的情況設(shè)定為“〇”，將成功地拾取45~49個(gè)半導(dǎo)體芯片的情況設(shè)定為“Λ”，除此以外設(shè)定為“ X ”，由此評(píng)價(jià)了拾取性。其結(jié)果如表1及表2所示。另外，拾取失敗是指無(wú)法剝離的情況及在拾取到的芯片上帶入裂紋的情況。
[0117](拾取條件A)
[0118]針數(shù):5根
[0119]針的間隔:7.8X7.8mm
[0120]針尖端曲率:0.25mm
[0121]針上頂量:0.30mm
[0122](拾取條件B)
[0123]針數(shù):5根
[0124]針的間隔:7.8X7.8_
[0125]針尖端曲率:0.25mm
[0126]針上頂量:0.40mm
[0127](破裂性評(píng)價(jià))
[0128] 以光學(xué)顯微鏡觀察30片在破裂性評(píng)價(jià)中采取的芯片的里面，測(cè)定破裂的大小。將從芯片前端至破裂最深處的距離為5μπι以下的情況設(shè)定為“〇”，將從芯片前端至破裂最深處的距離為6~15 μ m的情況設(shè)定為“Λ”，將從芯片前端至破裂最深處的距離大于15 μ m的情況設(shè)定為“ X ”。其結(jié)果如表1及表2所示。
[0129][表1]
[0130]

【權(quán)利要求】
1.一種放射線固化型切割用粘合帶，其特征在于，其是在基材片上設(shè)置有放射線固化型粘合劑層的放射線固化型粘合帶， 其在放射線固化后的楊氏模量相對(duì)于其在放射線固化前的楊氏模量的比例即放射線固化后的楊氏模量/放射線固化前的楊氏模量為1.0?1.8。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線固化型切割用粘合帶，其特征在于，所述粘合劑層在放射線固化前的儲(chǔ)存彈性模量G’為1.8X 14?4.7X 14Pa0
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的放射線固化型切割用粘合帶，其特征在于，所述粘合劑層在放射線固化前的損失系數(shù)tan δ為0.20?0.35。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的放射線固化型切割用粘合帶，其特征在于，其在切割半導(dǎo)體晶片時(shí)使用。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的放射線固化型切割用粘合帶，其特征在于，所述半導(dǎo)體晶片在與所述粘合劑層貼合的面具有突起物或段差。
【文檔編號(hào)】C09J201/00GK104081500SQ201380007115
【公開(kāi)日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2013年9月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月27日
【發(fā)明者】大田鄉(xiāng)史, 玉川有理, 矢吹朗, 服部聰 申請(qǐng)人:古河電氣工業(yè)株式會(huì)社