本發(fā)明涉及硅材料加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種單金硅硅體的切割工藝。

背景技術(shù)：

硅材料，是重要的半導(dǎo)體材料，化學(xué)元素符號(hào)Si，電子工業(yè)上使用的硅應(yīng)具有高純度和優(yōu)良的電學(xué)和機(jī)械等性能，硅是產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，它的產(chǎn)量和用量標(biāo)志著一個(gè)國家的電子工業(yè)水平，單晶硅在太陽能電池中的應(yīng)用，高純的單晶硅是重要的半導(dǎo)體材料。在光伏技術(shù)和微小型半導(dǎo)體逆變器技術(shù)飛速發(fā)展的今天，利用硅單晶所生產(chǎn)的太陽能電池可以直接把太陽能轉(zhuǎn)化為光能，實(shí)現(xiàn)了邁向綠色能源革命的開始。

硅片是硅材料存在的一種物理形式，在正常的應(yīng)用中，硅片，是制作集成電路的重要材料，通過對(duì)硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手段，可以制成各種半導(dǎo)體器件。用硅片制成的芯片有著驚人的運(yùn)算能力，科學(xué)技術(shù)的發(fā)展不斷推動(dòng)著半導(dǎo)體的發(fā)展，自動(dòng)化和計(jì)算機(jī)等技術(shù)發(fā)展，使硅片這種高技術(shù)產(chǎn)品的造價(jià)已降到十分低廉的程度，然而硅片在加工時(shí)，不同的工藝節(jié)點(diǎn)都會(huì)使得硅片加工出現(xiàn)瑕疵。

硅片一般都是通過相應(yīng)的硅碇進(jìn)行切片而成，由于在切割時(shí)，在各工藝步驟中，均會(huì)存在一定的技術(shù)問題，因此，必須進(jìn)行整體的技術(shù)規(guī)劃，保證每一步驟的精細(xì)合理，但是目前而言，并沒有類似此種一體的工藝。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種操作簡(jiǎn)單，切割精密，效果明顯的單金硅硅體的切割工藝。

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：

一種單金硅硅體的切割工藝，其特征在于，包括以下步驟：

1)取棒：直接進(jìn)入取棒室內(nèi)進(jìn)行選取硅棒，硅棒必須保證無缺損，無明顯劃痕，并且搬棒時(shí)，需保證碰撞，且棒與棒之間相互不進(jìn)行摩擦；

2)上料臺(tái)：將上述處理好的料棒進(jìn)行擦拭，擦拭時(shí)，采用干布配合乙醇進(jìn)行擦拭料棒，并且將料臺(tái)也進(jìn)行相應(yīng)的擦拭，然后將料棒輕輕的固定在料臺(tái)上對(duì)齊后，將螺絲放入螺絲孔后擰緊即可；

3)下料棒：采用下料車將上述固定在料臺(tái)上的料棒整體下料，在進(jìn)行下料時(shí)，必須保證輕拿輕放，避免碰撞；

4)清理清洗：采用清水將料棒進(jìn)行一次初步?jīng)_洗后，清除其中，遺留的殘片，碎膠，然再使用酒精沖洗一次，然后再使用清水沖洗1-2h后，即可：

5)排線：檢查主滾上是否有空槽，做好空槽修補(bǔ)，然后再將排線膠將跳線排除；

6)更換砂漿：將機(jī)器內(nèi)砂漿缸內(nèi)砂漿清理干凈，然后將砂漿注入其中，注入量為180-220kg；

7)切割前處理：將工件夾、濾具、夾具、滑輪和料臺(tái)進(jìn)行檢查，然后在開機(jī)熱機(jī)5-10min后，檢查是否工作平穩(wěn)；

8)切割：開啟機(jī)器進(jìn)行實(shí)際切割，切割時(shí)，保證機(jī)器衛(wèi)生，不定時(shí)采用擦拭布對(duì)其表面進(jìn)行擦拭，在擦拭時(shí)，避免誤碰機(jī)器按鍵，切割后期，采用手電筒照料棒側(cè)面，檢測(cè)是否通透；切割完成后，進(jìn)行抬料；

9)切割后處理：將上述切割后的料棒抬下，然后進(jìn)行分離，去膠后，清洗包裝即可。

本發(fā)明的有益效果為：本發(fā)明工藝流程簡(jiǎn)單，精密無誤，通過相對(duì)一體化的方式進(jìn)行切割處理，保證硅棒切割后的平滑性能，安全性能，減小了切割失誤造成的材料浪費(fèi)，效果顯著，便于推廣及使用。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。

實(shí)施例1

一種單金硅硅體的切割工藝，包括以下步驟：

1)取棒：直接進(jìn)入取棒室內(nèi)進(jìn)行選取硅棒，硅棒必須保證無缺損，無明顯劃痕，并且搬棒時(shí)，需保證碰撞，且棒與棒之間相互不進(jìn)行摩擦；

2)上料臺(tái)：將上述處理好的料棒進(jìn)行擦拭，擦拭時(shí)，采用干布配合乙醇進(jìn)行擦拭料棒，并且將料臺(tái)也進(jìn)行相應(yīng)的擦拭，然后將料棒輕輕的固定在料臺(tái)上對(duì)齊后，將螺絲放入螺絲孔后擰緊即可；

3)下料棒：采用下料車將上述固定在料臺(tái)上的料棒整體下料，在進(jìn)行下料時(shí)，必須保證輕拿輕放，避免碰撞；

4)清理清洗：采用清水將料棒進(jìn)行一次初步?jīng)_洗后，清除其中，遺留的殘片，碎膠，然再使用酒精沖洗一次，然后再使用清水沖洗2h后，即可：

5)排線：檢查主滾上是否有空槽，做好空槽修補(bǔ)，然后再將排線膠將跳線排除；

6)更換砂漿：將機(jī)器內(nèi)砂漿缸內(nèi)砂漿清理干凈，然后將砂漿注入其中，注入量為220kg；

7)切割前處理：將工件夾、濾具、夾具、滑輪和料臺(tái)進(jìn)行檢查，然后在開機(jī)熱機(jī)10min后，檢查是否工作平穩(wěn)；

8)切割：開啟機(jī)器進(jìn)行實(shí)際切割，切割時(shí)，保證機(jī)器衛(wèi)生，不定時(shí)采用擦拭布對(duì)其表面進(jìn)行擦拭，在擦拭時(shí)，避免誤碰機(jī)器按鍵，切割后期，采用手電筒照料棒側(cè)面，檢測(cè)是否通透；切割完成后，進(jìn)行抬料；

9)切割后處理：將上述切割后的料棒抬下，然后進(jìn)行分離，去膠后，清洗包裝即可。

實(shí)施例2

一種單金硅硅體的切割工藝，其特征在于，包括以下步驟：

1)取棒：直接進(jìn)入取棒室內(nèi)進(jìn)行選取硅棒，硅棒必須保證無缺損，無明顯劃痕，并且搬棒時(shí)，需保證碰撞，且棒與棒之間相互不進(jìn)行摩擦；

2)上料臺(tái)：將上述處理好的料棒進(jìn)行擦拭，擦拭時(shí)，采用干布配合乙醇進(jìn)行擦拭料棒，并且將料臺(tái)也進(jìn)行相應(yīng)的擦拭，然后將料棒輕輕的固定在料臺(tái)上對(duì)齊后，將螺絲放入螺絲孔后擰緊即可；

3)下料棒：采用下料車將上述固定在料臺(tái)上的料棒整體下料，在進(jìn)行下料時(shí)，必須保證輕拿輕放，避免碰撞；

4)清理清洗：采用清水將料棒進(jìn)行一次初步?jīng)_洗后，清除其中，遺留的殘片，碎膠，然再使用酒精沖洗一次，然后再使用清水沖洗1h后，即可：

5)排線：檢查主滾上是否有空槽，做好空槽修補(bǔ)，然后再將排線膠將跳線排除；

6)更換砂漿：將機(jī)器內(nèi)砂漿缸內(nèi)砂漿清理干凈，然后將砂漿注入其中，注入量為180kg；

7)切割前處理：將工件夾、濾具、夾具、滑輪和料臺(tái)進(jìn)行檢查，然后在開機(jī)熱機(jī)5min后，檢查是否工作平穩(wěn)；

8)切割：開啟機(jī)器進(jìn)行實(shí)際切割，切割時(shí)，保證機(jī)器衛(wèi)生，不定時(shí)采用擦拭布對(duì)其表面進(jìn)行擦拭，在擦拭時(shí)，避免誤碰機(jī)器按鍵，切割后期，采用手電筒照料棒側(cè)面，檢測(cè)是否通透；切割完成后，進(jìn)行抬料；

9)切割后處理：將上述切割后的料棒抬下，然后進(jìn)行分離，去膠后，清洗包裝即可。

以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。