一種片狀AlON陶瓷粉體的制備方法
【專利摘要】一種片狀AlON陶瓷粉體的制備方法，其特征在于：將粒度為0.1~2μm的氧化鎂1~20wt%、AlN-AlON混合粉體80~99wt%混合均勻，經干壓成型后在氬氣氣氛下1500~2000℃的溫度下30~180分鐘燒制成片狀AlON陶瓷粉體。本發(fā)明制備的AlON陶瓷粉體為片狀結構，顯微結構均勻。
【專利說明】—種片狀AION陶瓷粉體的制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種片狀AlON陶瓷粉體的制備方法，屬于陶瓷制備【技術領域】。
【背景技術】
[0002]AlON陶瓷材料具有優(yōu)良的耐高溫性能、高溫力學性能和熱學性能，被廣泛應用于航空航天、電子、機械、冶金等領域。但是，由于其抗氧化能力較差，在有氧存在的條件下約1000°C左右開始氧化，因此，嚴重制約該材料的應用領域。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種片狀AlON陶瓷粉體的制備方法。其技術方案為:
一種片狀AlON陶瓷粉體的制備方法，將粒度為0.r2Mm的氧化鎂l~20wt%、AlN-AlON混合粉體80~99被％混合均勻，經干壓成型后在氬氣氣氛下150(T2000°C的溫度下30~180分鐘燒制，研磨制成片狀AlON陶瓷粉體，其中AlN-AlON混合粉體是粒度為0.3^3Mm的AlN粉體和Al2O3粉體以摩爾比為I飛的比例均勻混合制成的。
[0004]本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，其優(yōu)點為: 1、本發(fā)明制備的片狀AlON陶瓷粉體顯微結構均勻，片與片之間成一定角度，并與機體相連；
2、每一個晶粒表面為片狀AlON相連形成網絡結構，在與其他晶體復合時形成弱界面聯(lián)系。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0005]圖1是實施例1制備的片狀AlON陶瓷粉體的XRD照片；圖2是實施例2制備的片狀AlON陶瓷粉體顯微照片。
【具體實施方式】
[0006]實施例1
將粒度為0.1Mm的氧化鎂lwt%、AlN-AlON混合粉體99wt%混合均勻，經干壓成型后在氬氣氣氛下2000°C的溫度下180分鐘燒制成片狀AlON陶瓷粉體，其中AlN-AlON混合粉體是粒度為0.3Mm的AlN粉體和Al2O3粉體以摩爾比為I的比例均勻混合制成的。
[0007]實施例2
將粒度為0.1Mm的氧化鎂lwt%、AlN-AlON混合粉體99wt%混合均勻，經干壓成型后在氬氣氣氛下1800°C的溫度下60分鐘燒制成片狀AlON陶瓷粉體，其中AlN-AlON混合粉體是粒度為0.3Mm的AlN粉體和Al2O3粉體以摩爾比為2的比例均勻混合制成的。
[0008]實施例3
將粒度為2Mm的氧化鎂20wt%、AlN-A10N混合粉體80wt%混合均勻，經干壓成型后在氬氣氣氛下1500°C的溫度下30分鐘燒制成片狀AlON陶瓷粉體，其中AlN-AlON混合粉體是粒度為IMm的AlN粉體和Al2O3粉體以摩爾比為3.5的比例均勻混合制成的。
[0009]實施例4
將粒度為IMm的氧化鎂10wt%、AlN-A10N混合粉體90wt%混合均勻，經干壓成型后在氬氣氣氛下1700°C的溫度下90分鐘燒制成片狀AlON陶瓷粉體，其中AlN-AlON混合粉體是粒度為2Mm的AlN粉體和Al2O3·粉體以摩爾比為5的比例均勻混合制成的。
【權利要求】
1.一種片狀AlON陶瓷粉體的制備方法，其特征在于:將粒度為0.l~2Mm的氧化鎂I~20wt%、AlN-A10N混合粉體80~99￥丨％混合均勻，經干壓成型后在氬氣氣氛下150(T2000°C的溫度下3(Tl80分鐘燒制，研磨制成片狀AlON陶瓷粉體，其中AlN-AlON混合粉體是粒度為0.3^3Mm的AlN粉體和Al2O3粉 體以摩爾比為1~5飛的比例均勻混合制成的。
【文檔編號】C04B35/622GK103664184SQ201310611206
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年11月28日 優(yōu)先權日:2013年11月28日
【發(fā)明者】唐竹興, 王洪忠, 褚為靜, 邢新明 申請人:山東理工大學