專利名稱:一種全電熔玻璃池窯供料道廢料泄料裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種全電熔玻璃池窯供料道廢料泄料裝置。
背景技術(shù):
硼硅玻璃制品由于含有大量的三氧化二硼,此物質(zhì)在玻璃液中易出現(xiàn)分相變質(zhì),因此生產(chǎn)此類玻璃的窯爐舉要涉及處臟料(變質(zhì)料、分相料)排泄裝置。過(guò)去都是設(shè)計(jì)池窯的窯底,但池底泄料危險(xiǎn)性大,又不易操作。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于操作的排放泄料的裝置。 為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是一種全電熔玻璃池窯供料道廢料泄料裝置,其創(chuàng)新點(diǎn)在于包含泄料嘴、廢料池、輔助加熱電極及池窯;
泄料嘴為雙復(fù)合結(jié)構(gòu),泄料嘴的內(nèi)層為抗玻璃浸蝕且不污染玻璃的耐高溫材料層,泄料嘴的外層為耐熱且不氧化材料層,泄料嘴呈漏斗狀,泄料嘴的上口直徑在30mm-80mm之間,泄料嘴的下口直徑在10mm-25mm之間,泄料嘴的高度在100mm-180mm之間,泄料嘴安裝在池窯的底部位置,并且泄料嘴中心孔中心線與池窯出料口中心線之間的距離在150mm-180mm 之間;
廢料池設(shè)置在池窯的下端,并且廢料池處于泄料嘴的正下方;
輔助加熱電極有若干個(gè),安裝在池窯內(nèi)部的底端位置,并且輔助加熱電極位于泄料嘴的上端。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于通過(guò)調(diào)整輔助電極的功率,控制泄料的出料量,同時(shí)在泄料嘴的下方設(shè)置廢料池用于接收從泄料嘴中排除的廢料,減少了廢料的危害。
圖I為本發(fā)明的泄料裝置中泄料嘴的示意圖。圖2為本發(fā)明的泄料裝置的示意圖。
具體實(shí)施例方式由圖2所示的示意圖可知,本發(fā)明全電熔玻璃池窯供料道廢料泄料裝置由泄料嘴6、廢料池4、輔助加熱電極5及池窯3組成。泄料嘴6為雙復(fù)合結(jié)構(gòu),其中泄料嘴6的內(nèi)層為抗玻璃浸蝕且不污染玻璃的耐高溫材料層2,泄料嘴6的外層為耐熱且不氧化材料層1,泄料嘴6呈漏斗狀,泄料嘴6的上口直徑Dl為80mm,泄料嘴6的下口直徑D2為25mm,泄料嘴6的高度H為180mm,泄料嘴6安裝在池窯3的底部位置,并且泄料嘴6的中心孔中心線與池窯3出料口中心線之間的距離L為800臟。廢料池4設(shè)置在池窯3的下端,并且廢料池4處于泄料嘴6的正下方。
輔助加熱電極5安裝在池窯3內(nèi)部的底端位置,輔助加熱電極5有若干個(gè),并且輔 助加熱電極5在水平位置上位于泄料嘴6的上方。
權(quán)利要求
1.一種全電熔玻璃池窯供料道廢料泄料裝置,其特征在于包含泄料嘴、廢料池、輔助加熱電極及池窯;泄料嘴為雙復(fù)合結(jié)構(gòu),泄料嘴的內(nèi)層為抗玻璃浸蝕且不污染玻璃的耐高溫材料層,泄料嘴的外層為耐熱且不氧化材料層,泄料嘴呈漏斗狀,泄料嘴的上口直徑在30mm-80mm之間,泄料嘴的下口直徑在10mm-25mm之間,泄料嘴的高度在IOOmm-180mm之間,泄料嘴安裝在池窯的底部位置,并且泄料嘴中心孔中心線與池窯出料口中心線之間的距離在150mm-180mm之間;廢料池設(shè)置在池窯的下端,并且廢料池處于泄料嘴的正下方;輔助加熱電極有若干個(gè),安裝在池窯內(nèi)部的底端位置,并且輔助加熱電極位于泄料嘴的上端。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種全電熔玻璃池窯供料道廢料泄料裝置,包含泄料嘴、廢料池、輔助加熱電極及池窯,泄料嘴為雙復(fù)合結(jié)構(gòu),泄料嘴的內(nèi)層為抗玻璃浸蝕且不污染玻璃的耐高溫材料層,泄料嘴的外層為耐熱且不氧化材料層,泄料嘴呈漏斗狀,泄料嘴安裝在池窯的底部位置,廢料池設(shè)置在池窯的下端,并且廢料池處于泄料嘴的正下方,輔助加熱電極有若干個(gè),安裝在池窯內(nèi)部的底端位置,并且輔助加熱電極位于泄料嘴的上端。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于通過(guò)調(diào)整輔助電極的功率,控制泄料的出料量,同時(shí)在泄料嘴的下方設(shè)置廢料池用于接收從泄料嘴中排除的廢料,減少了廢料的危害。
文檔編號(hào)C03B7/02GK102887620SQ201210444679
公開(kāi)日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2012年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月9日
發(fā)明者吳道元, 耿海堂, 倪亞軍, 商樹倫 申請(qǐng)人:江蘇元升太陽(yáng)能集團(tuán)有限公司