專利名稱：：電介質(zhì)陶瓷組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及電介質(zhì)陶瓷組合物，更具體地說，涉及適合在高頻領(lǐng)域中使用的天線用元件或者帶通濾波器等濾波器用元件中使用的電介質(zhì)陶資組合物。
背景技術(shù)：
：近年來，隨著信息通信技術(shù)的迅速發(fā)展，所使用的頻率擴(kuò)大至高頻區(qū)域。與此相伴，為了有效地應(yīng)用有限的頻率域，要求所j吏用的頻率細(xì)分或通信速度的高速化等。作為貼裝于手機(jī)等通信儀器中的電子部件使用的電介質(zhì)陶資組合物也不例外。上述電介質(zhì)陶梵組合物為了應(yīng)對提高品質(zhì)因數(shù)Q和使用頻率f的乘積Qf值(高頻特性)、為抑制信號傳播延遲而需低介電常數(shù)(高速化)、頻率的細(xì)分，必須使共振頻率的溫度系數(shù)Tf減小(高可靠性)。但是，例如鎂橄欖石或氧化鋁，雖然其為低介電常數(shù)，可得到良好的Qf值，但是無法減小溫度系數(shù)Tf，這些特性可同時(shí)成立的材料成為需要。日本特開2004-131320號公報(bào)中記栽將鎂橄欖石和4太酸鋅和鈦酸鈣制成特定的含有比例的電介質(zhì)陶瓷組合物，其相對介電常數(shù)為8-20，可以使Qf值增大，可以使頻率的溫度系數(shù)if為30ppm/'C以下。日本特開2000-344571號公報(bào)中記載將鎂橄欖石和4太酸鈣和尖晶石制成特定的含有比例的電介質(zhì)陶瓷組合物，其介電常數(shù)的溫度系數(shù)TC可以是-100ppm/。C以上、50ppm/。C以下。但是，日本特開2004-131320號公報(bào)中，使相對介電常數(shù)為8以下時(shí)，無法使頻率的溫度系數(shù)if良好。另外，在日本特開2000-344571號公報(bào)中只評價(jià)了介電常數(shù)的溫度系數(shù)tc，對于頻率的溫度系數(shù)Tf沒有任何記栽。上述電介質(zhì)陶乾組合物貼裝于移動通信等通信儀器等中，因此如果沒有一定程度的機(jī)械強(qiáng)度則無法對應(yīng)實(shí)際的產(chǎn)品化。另外，上述電介質(zhì)陶資組合物其耐還原性不足，因此無法采用成本低但必須在還原性氣中燒接的Cu等的賤金屬作為導(dǎo)體電極。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明針對上述實(shí)際狀況，其目的在于提供可實(shí)現(xiàn)低介電常數(shù)和良好的頻率溫度特性兩者、且可確保高Qf值、并且具有足夠的機(jī)械強(qiáng)度、適合用于在高頻域中使用的天線或?yàn)V波器等的電介質(zhì)陶乾組合物。本發(fā)明的其它目的在于提供具備上述所有特性且具有耐還原性的電介質(zhì)陶資組合物。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物的特征在于含有以2MgO.Si02換算為93.0-99.0mol。/o的鈸橄欖石、以CaTi03換算為1.0-7.0molQ/。的鈦酸鈣作為主成分；相對于100質(zhì)量％上述主成分，含有以A1203換算為0.2-5質(zhì)量％的氧化鋁作為副成分。這樣，可以實(shí)現(xiàn)低介電常數(shù)和高Qf值，同時(shí)也可以4吏一降低介電常數(shù)則存在變差傾向的頻率溫度系數(shù)Tf保持良好。并且也可以使電介質(zhì)陶資組合物的機(jī)械強(qiáng)度提高，因此，將本發(fā)明的電介質(zhì)陶資組合物例如應(yīng)用于手機(jī)等通信儀器的天線元件或帶通濾波器用的元件時(shí)，其操作性優(yōu)異，因此可以容易地貼裝于通信儀器。優(yōu)選相對于100質(zhì)量％上迷主成分，進(jìn)一步含有以0>304換算為0.1-1.2質(zhì)量％的氧化鈷作為副成分。通過進(jìn)一步含有氧化鈷作為副成分，可以使本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物的耐還原性大幅提高。該電介質(zhì)陶乾組合物具有耐還原性，由此可以采用廉價(jià)的賤金屬例如Cu作為電極材料。由此可以降^氐貼裝的產(chǎn)品的制造成本。電子部件中使用的本發(fā)明的元件沒有特別限定，可例舉通信儀器用的天線元件、帶通濾波器等各種濾波器用元件等。根據(jù)本發(fā)明，通過在以鎂橄欖石和鈦酸鈣為主成分的電介質(zhì)陶瓷組合物中以特定量含有氧化鋁，可以使相反傾向的低介電常數(shù)和良好的頻率溫度系數(shù)Tf同時(shí)成立。并且也可以使電介質(zhì)陶瓷組合物的機(jī)械強(qiáng)度提高，因此可以使貼裝時(shí)的操作性良好。由此，可以容易地制備貼裝有本發(fā)明的天線元件或?yàn)V波器用元件的高性能的通信儀器等。并且，通過含有氧化鈷，可以使電介質(zhì)陶瓷組合物的耐還原性提高。由此，可以將以往采用的比較昂貴的Ag的電極材料替^(戈為必須在還原性氣氛中燒結(jié)但是比較便宜的賤金屬(例如Cu)。結(jié)果可以降低產(chǎn)品成本。以下根據(jù)圖示的實(shí)施方案說明本發(fā)明。圖1是表示Al203的含量與頻率溫度系數(shù)Tf值的關(guān)系的圖表。圖2(A)是本發(fā)明的比較例的電介質(zhì)陶資組合物的SEM照片，圖2(B)是本發(fā)明的實(shí)施例的電介質(zhì)陶資組合物的SEM照片。圖3是表示C0304的含量與還原處理前后的頻率溫度系數(shù)Tf值的關(guān)系的圖表。電介質(zhì)陶瓷組合物本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物含有鎂橄欖石(2MgO.Si02)和鈦酸鉀(CaTi03)作為主成分，含有氧化鋁(A1203)作為副成分。鎂橄欖石以2MgO.Si02換算，以93.0-99.0mol%，優(yōu)選94.0-99.0mol%，更優(yōu)選以96.0-98.0mol。/。的比例含有，作為主成分。鈦酸鉤以CaTi03換算，以1.0-7.0mol%，優(yōu)選1.0-6.0mol%、更優(yōu)選2.0-4.0mol。/。的比例含有，作為主成分。作為主成分的鎂橄欖石的含量過少(鈦酸鈣的含量過多)，則電介質(zhì)陶資組合物的相對介電常數(shù)有增大傾向。具體來說，根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶資組合物，可以使相對介電常數(shù)優(yōu)選為10以下，更優(yōu)選8以下。微波等高頻域中，相對介電常數(shù)過大則發(fā)生信號延遲，難以高速通信，使組合有電介質(zhì)陶資組合物的電路過小。作為主成分的鎂橄欖石的含量過多(鈦酸鈣的含量過少)，則有燒結(jié)不足的傾向。本發(fā)明中，通過以特定量含有作為副成分的氧化鋁，可以使頻率溫度系數(shù)if提高，也使電介質(zhì)陶瓷組合物的抗斷強(qiáng)度提高。if表示溫度變化導(dǎo)致的共振頻率fr的變化比例，將其減小，則可以實(shí)現(xiàn)通信頻率的精密化和穩(wěn)定化，可以應(yīng)對通信頻率的細(xì)分。具體來說，根椐本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷組合物，可以使if優(yōu)選為±30ppm/'C以內(nèi)，更優(yōu)選±20ppm/。C以內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選士10ppm/。C以內(nèi)。抗斷強(qiáng)度表示電介質(zhì)陶瓷組合物的機(jī)械強(qiáng)度，例如，作為手機(jī)的天200810168160.1說明書第4/14頁線元件或帶通濾波器用元件，這是貼裝于機(jī)器內(nèi)時(shí)所必需的操作性的體現(xiàn)。具體來說，根據(jù)本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷組合物，可以使燒結(jié)體的抗斷強(qiáng)度優(yōu)選100MPa以上，更優(yōu)選110MPa以上，進(jìn)一步優(yōu)選120MPa以上相對于100質(zhì)量％上述主成分，氧化鋁以八1203換算含有0.2-5質(zhì)量%，優(yōu)選0.5-4.0質(zhì)量％，更優(yōu)選1.0-2.0質(zhì)量°/0。含量過多，則頻率溫度系數(shù)Tf的提高效果不足，過少則頻率的溫度系數(shù)Tf的提高效果和抗斷強(qiáng)度的提高效果不足。本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷組合物優(yōu)選進(jìn)一步含有氧化鈷(CoO、Co304等)作為副成分。以特定量含有氧4匕鈷，可以使本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶資組合物的耐還原性大幅提高。耐還原性不足時(shí)，在電介質(zhì)陶資組合物上形成的電極材質(zhì)在大氣中即可燒結(jié)，需采用較為昂貴的Ag。耐還原性提高，則可以進(jìn)行還原氣氛下的燒結(jié)，因此在大氣中燒結(jié)時(shí)雖然氧化，但是可以采用比較便宜的賤金屬例如Cu作為電極。相對于100質(zhì)量％上述主成分，氧化鈷以0)304換算含有0,1-1.2質(zhì)量％,優(yōu)選0.1-0.9質(zhì)量％，更優(yōu)選0.2-0.9質(zhì)量％。含量過多則耐還原性的提高效果不足，同時(shí)Qf值或if有惡化傾向。過少則耐還原性的提高效果不足。氧化鈷并不限于Co304,可以是CoO等。根椐本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷組合物，可以使Qf值優(yōu)選為20000GHz以上，更優(yōu)選40000GHz以上，進(jìn)一步優(yōu)選50000GHz以上。燒結(jié)后的電介質(zhì)陶瓷組合物的晶體顆粒的平均晶體粒徑優(yōu)選2.0-5.0fam，更優(yōu)選3.0-5.0pm。本發(fā)明中，通過含有氧化鋁，可以降低晶體顆粒的尺寸偏差。結(jié)果，電介質(zhì)陶瓷組合物的機(jī)械強(qiáng)度提高。晶體顆粒的平均晶體粒徑例如是對電介質(zhì)陶乾組合物的自然面進(jìn)行SEM觀察，或者將電介質(zhì)陶瓷組合物切斷、鏡面研磨后進(jìn)行熱腐蝕或化學(xué)腐蝕，然后通過SEM觀察該面，測定規(guī)定數(shù)目的晶體顆粒的晶體粒徑，根據(jù)該測定結(jié)果計(jì)算。各晶體顆粒的晶體粒徑例如可通過將各結(jié)晶顆粒假設(shè)為球體的編碼法(3—卜'法)求出。另外，平均晶體粒徑計(jì)算時(shí)，進(jìn)行晶體粒徑測定的顆粒數(shù)目通常為100個(gè)以上。電介質(zhì)陶瓷組合物的制備方法以下對本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶資組合物的制備方法具體說明。首先，準(zhǔn)備構(gòu)成電介質(zhì)陶瓷組合物的原料的主成分原^F和副成分原料。本實(shí)施方案中，作為主成分原料鎂橄欖石原料可通過所謂的固相法獲得。首先，準(zhǔn)備氧化鎂和氣化硅或者燒結(jié)后形成這些氧化物的原料。燒結(jié)后可成為氧化物的化合物例如有碳酸鹽、面素化合物、草酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、有機(jī)金屬化合物等。接著，稱量上述原料，使Mg元素和Si元素為2:1的摩爾比，將其混合，制成混合粉體。將各原料進(jìn)行混合的方法優(yōu)選向原料粉末中添加水或有機(jī)溶劑等，使用球磨機(jī)等、通過濕式混合進(jìn)行。接著，對于上述得到的混合粉體進(jìn)行煅燒，制備發(fā)生了固相反應(yīng)的煅燒粉體。此時(shí)，為了降低燒結(jié)溫度，可在不使本發(fā)明的效果變差的程度下添加燒結(jié)助劑。具體的燒結(jié)助劑優(yōu)選SrC03、BaC03、CaC03、Si02、NiO等，其添加量相對于100質(zhì)量％混合粉體優(yōu)選0.1-0.5質(zhì)量％。煅燒的條件是保持溫度優(yōu)選1000-1200'C,溫度保持時(shí)間優(yōu)選2-5小時(shí)。該煅燒可在大氣中進(jìn)行，還可在比氧分壓大氣中更高的氣氛或純氧氣氛中進(jìn)行。進(jìn)行所得煅燒粉體的粉碎，制成平均粒徑為2.0-2.5pm的鎂橄欖石原料。粉碎方法沒有特別限定，例如，向粉體中添加水或有機(jī)溶劑等，使用球磨機(jī)等、通過濕式混合進(jìn)行。本實(shí)施方案中，作為主成分原料的鈦酸鈣原料可通過與鎂橄欖石原料同樣的方法獲得。即，首先是準(zhǔn)備氧化鈣和氧化鈦或者燒結(jié)后可形成這些氧化物的原料。接著稱量上述原料，使Ca元素和Ti元素為1:1的摩爾比，將其混合，制成混合粉體。對于所得混合粉體，進(jìn)行煅燒，制備發(fā)生了固相反應(yīng)的煅燒粉體。此時(shí)，為了降低燒結(jié)溫度，可在不使本發(fā)明的效果變差的程度下添加燒結(jié)助劑。具體的燒結(jié)助劑優(yōu)選MnC03、Si02、BaC03、SrC03、NiO等，其添加量與鎂橄欖石原料的情形相同。煅燒的條件可以是與鎂橄欖石原料制備時(shí)的條件不同的條件，優(yōu)選相同條件。通過采用相同條件，可以同時(shí)燒結(jié)鎂橄欖石原料和鈦酸鈣原料，可以高效地制備本發(fā)明的電介質(zhì)陶覺組合物。進(jìn)行所得煅燒粉體的粉碎，制成平均粒徑為2.7-3.3pm的鈦酸4丐原料。稱量作為副成分原料的氧化鋁或燒結(jié)后形成氧化鋁的原料并添加到上述所得的鎂橄欖石原料和鈦酸鈣原料(主成分原料)中。優(yōu)選作為副成分原料，進(jìn)一步添加氧化鈷或燒結(jié)后形成氧化鈷的原碑牛。具體來說,可以使用CoO作為氧化鈷原料，也可以使用碳酸鹽CoC03。所添加的副成分的平均粒徑優(yōu)選0.5-2.0pm。將在上述主成分原料中添加了副成分原料的粉體混合，制備混合粉體?；旌戏椒]有特別限定，例如可通過干式混合進(jìn)行，也可以向混合粉體中添加水或有機(jī)溶劑等，使用球磨機(jī)等、通過濕式混合進(jìn)行。接著，將制備的混合粉體制成顆粒。顆?；菍⒒旌戏垠w制成適度大小的聚集顆粒，用于變換成適合成型的形態(tài)。顆?；姆椒ɡ缬屑訅褐屏７ɑ驀婌F干燥法等。噴霧干燥法是向混合粉體中加入聚乙烯醇等通常使用的粘合劑，在噴霧干燥器中霧化并干燥的方法。顆粒形式的混合粉體(電介質(zhì)陶瓷組合物原料)的平均粒徑優(yōu)選100-300pm。將所得顆粒成型為規(guī)定形狀，獲得燒結(jié)前的成型體。將顆粒成型的方法例如有干式成型法、濕式成型法、擠出成型法等。干式成型法是將顆粒填充在模具中，通過壓縮加壓(加壓)進(jìn)行的成型法。通過干式成型法成型時(shí)，施加的壓力優(yōu)選100-300MPa。成型體的形狀沒有特別限定，可根據(jù)用途適當(dāng)確定。接著，進(jìn)行成型體的正式燒結(jié)，獲得作為燒結(jié)體的本實(shí)施方案的電介質(zhì)陶瓷組合物。本實(shí)施方案中，正式燒結(jié)的條件優(yōu)選升溫速度150-250。C/小時(shí)，保持溫度1260-1320°C，保持時(shí)間1.5-4.0小時(shí)左右，燒結(jié)氣氛大氣中。保持溫度過低則燒結(jié)不充分，可能無法獲得所需特性，保持溫度過高則有與燒結(jié)中使用的結(jié)構(gòu)體(固定器(七少夕一))發(fā)生反應(yīng)的傾向。上述得到的電介質(zhì)陶資組合物可根椐用途加工成規(guī)定形狀，優(yōu)選在700-850。C的還原氣氛下形成Cu電極，制成天線元件或?yàn)V波器元件。然后通過焊接等貼裝在印刷線路板上等，用于各種電子儀器等。本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方案，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可進(jìn)行各種改變。例如，上迷實(shí)施方案中，在預(yù)先合成鎂橄欖石和鈦酸鈣之后獲得電介質(zhì)陶瓷組合物的主成分原料，也可以在最初將構(gòu)成鎂橄欖石和鈦酸鈣的原料完全混合，獲得主成分原料。實(shí)施例以下通過更詳細(xì)的實(shí)施例說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。實(shí)施例1首先，準(zhǔn)備作為鎂橄欖石(2MgO.Si02)的原料的MgC03和Si02。稱量該MgC03和Si02，使其摩爾比為2:1,再加入合計(jì)0.8質(zhì)量％的SrC03和MnC03，用球磨機(jī)濕式混合6小時(shí)并干燥。將干燥后的粉體在1000-1200'C、2-5小時(shí)的條件下進(jìn)行煅燒，將煅燒后的粉體用球磨機(jī)濕式粉碎，干燥，制成平均粒徑2.0-2.5pm的鎂橄欖石原料粉體。接著，準(zhǔn)備作為鈦酸鈣(CaTi03)原料的CaC03和Ti02。稱量該CaC03和Ti02，使摩爾比為1:1,進(jìn)一步加入合計(jì)1.0質(zhì)量％的MnC03和Si02，用球磨機(jī)濕式混合6小時(shí)，千燥。將干燥后的粉體在1000-1200。C、2-5小時(shí)的條件下煅燒。將煅燒后的粉體通過球磨機(jī)濕式粉碎，使其干燥，制成平均粒徑2.7-3.3jam的鈦酸鈣原料粉體。將所得鎂橄欖石和鈦酸鈣以及作為副成分的八1203稱量配合，使燒結(jié)后形成表1所示的組成比，通過球磨機(jī)進(jìn)行6小時(shí)的濕式混合。濕式混合后，使所得淤漿干燥，制成電介質(zhì)陶瓷組合物的原料。接著，向該電介質(zhì)陶瓷組合物原料中加入聚乙烯醇作為有機(jī)粘合劑，制成顆粒，然后加壓成型，得到直徑12.5mm、厚度6.5mm的圓板狀成型體。將該成型體在大氣中、在1260、1290、1320'C-2h的條件下燒結(jié)，獲得燒結(jié)體。顆粒的平均粒徑為200|am。相對介電常數(shù)sr將燒結(jié)體加工成直徑10.0x高度5.0mm的圓柱狀，使用凈少卜7—夕7*大，4if一8510B、'〉》七if4廿*一X4—〃一8341B、"，>一夕^只卜七少卜8516A(均為匕-一k少卜^少力一卜'制造)作為測定儀器，通過兩端短路法計(jì)算相對介電常數(shù)(無單位)。評價(jià)基準(zhǔn)是為8.5以下則為良好。結(jié)果如表l所示。Of值在與相對介電常數(shù)的測定條件相同的條件下計(jì)算Q值，將其乘以共振頻率fr,求出Qf值。優(yōu)選Qf值高。評價(jià)基準(zhǔn)是以20000GHz以上為良好。結(jié)果如表1所示。Tf值(頻率數(shù)溫度系數(shù))if值通過兩端短路法，將各試樣設(shè)置于保持-40。C、20°C、8(TC的恒溫槽中，測定共振頻率數(shù)fr。將所得值代入[(Fr8(rc-Fr-4Q'C)/Fr2G'c]/120xIE6(ppm/°C)，計(jì)算Tf值。優(yōu)選Tf值接近于O。評價(jià)基準(zhǔn)是以土30ppm/。C以內(nèi)為良好。結(jié)果如表l所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>由表1可知，主成分鎂橄欖石過少時(shí)，雖然Tf值良好，但是相對介電常數(shù)比其它試樣差。另外，主成分鈦酸釣過少時(shí)，相對介電常數(shù)良好，但可以確認(rèn)Tf值變差。試樣8是在燒結(jié)溫度1320'C下也未燒結(jié)，無法評價(jià)其特性。由上述結(jié)果可知，相對介電常數(shù)和Tf值顯示相反的傾向。實(shí)施例2主成分組成與試樣6相同，相對于主成分原料稱量配合作為副成分的Al203，使其為表2所示組成比，除此之外與實(shí)施例1同樣制備電介質(zhì)陶資組合物原料。使用制備的電介質(zhì)陶資組合物原料，與實(shí)施例l同樣地制備電介質(zhì)陶瓷組合物，進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的評價(jià)。結(jié)果如表2所示。向制備的電介質(zhì)陶資組合物原料中加入聚乙烯醇作為有機(jī)粘合劑，制成顆粒后以2.0tonf/cn^加壓成型，得到尺寸20x5.5x1mm的成型體。將該成型體在空氣中、在1290°C-2h的條件下燒結(jié)，得到燒結(jié)體。按照以下所示方法，由該燒結(jié)體測定抗斷強(qiáng)度?？箶鄰?qiáng)度由所得燒結(jié)體制備尺寸為16.0x4.5x0.8mm的試驗(yàn)片，以間距15mm、十字頭速度0.5mm/分鐘的條件進(jìn)行三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)。結(jié)果如表2所示。作為評價(jià)基準(zhǔn)，每種試樣制備8塊試驗(yàn)片，其平均值在100MPa以上為良好。<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>由表2可知，通過改變八1203的含量，相對介電常數(shù)幾乎不變化，但Tf值增大。這可以從表示Tf值與八1203的含量的關(guān)系的圖1可視性地認(rèn)識到。因此，通過使Al203在本發(fā)明的范圍內(nèi)含有，可以使相對介電常數(shù)和Tf值同時(shí)成立。還可知通過含有八1203,抗斷強(qiáng)度可得到改善?？箶鄰?qiáng)度改善的理由可認(rèn)為是通過含有A1203，可以使晶體粒徑的偏差減小。圖2(A)是不含有Al203的試樣9的燒結(jié)表面的SEM照片，圖2(B)是含有八1203的試樣6的燒結(jié)面的SEM照片。圖2(A)和圖2(B)進(jìn)行比較，可以確認(rèn)圖2(B)的晶體粒徑的偏差小。實(shí)施例3作為副成分，進(jìn)一步稱量配合0)304，使其為表3所示組成比，除此之外與試樣6制成同樣組成，與實(shí)施例1同樣地制備電介質(zhì)陶瓷組合物，進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的評價(jià)。結(jié)果如表3所示。按以下所示方法測定該燒結(jié)體的耐還原性。耐還原性將所得燒結(jié)體在N2-100%(pO2=10ppm)的還原氣氛中、在800°C-10分鐘的條件下還原處理。對于處理前和處理后的試樣，實(shí)施例1同樣地評價(jià)頻率溫度系數(shù)Tf值。計(jì)算還原處理前試樣的Tf值和還原處理后試樣的Tf值變化量和變化率。評價(jià)基準(zhǔn)是變化量在65%以內(nèi)為良好。結(jié)果如表4和圖3所示。圖3中，白圓圏表示還原處理前的Tf值，黑色菱形表示還原處理后的Tf值。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>表4<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>可由表3確認(rèn)，即使含有0)304，也不會對特性有較大影響。由表4可知，通過在本發(fā)明的優(yōu)選范圍內(nèi)含有Co304，可以使還原處理后的Tf值的劣化減小。因此，可以采用較為廉價(jià)的Cu等賤金屬作為電極材料，由此可以降低產(chǎn)品的制造成本。權(quán)利要求1.電介質(zhì)陶瓷組合物，其特征在于含有以2MgO·SiO2換算為93.0-99.0mol％的鎂橄欖石、以CaTiO3換算為1.0-7.0mol％的鈦酸鈣作為主成分；相對于100質(zhì)量％上述主成分，含有以Al2O3換算為0.2-5質(zhì)量％的氧化鋁作為副成分。2.權(quán)利要求1的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，相對于100質(zhì)量％上述主成分，進(jìn)一步含有以0)304換算為0.1-1.2質(zhì)量％氧化鈷作為副成分。3.天線元件，該天線元件具有由權(quán)利要求1或2的電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成的電介質(zhì)層。4.濾波器元件，該濾波器元件具有由權(quán)利要求1或2的電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成的電介質(zhì)層。全文摘要本發(fā)明涉及電介質(zhì)陶瓷組合物。電介質(zhì)陶瓷組合物，其特征在于含有以2MgO·SiO₂換算為93.0-99.0mol％的鎂橄欖石、以CaTiO₃換算為1.0-7.0mol％的鈦酸鈣作為主成分；相對于100質(zhì)量％上述主成分，含有以Al₂O₃換算為0.2-5質(zhì)量％的氧化鋁作為副成分。根據(jù)本發(fā)明，可以提供低介電常數(shù)和良好的頻率溫度特性同時(shí)成立、且可確保高的Qf值、并且具有足夠的機(jī)械強(qiáng)度、適合在高頻域中使用的天線或?yàn)V波器等的電介質(zhì)陶瓷組合物。本發(fā)明還提供具備上述所有特性、進(jìn)一步具有耐還原性的電介質(zhì)陶瓷組合物。文檔編號C04B35/20GK101397206SQ200810168160公開日2009年4月1日申請日期2008年9月28日優(yōu)先權(quán)日2007年9月28日發(fā)明者丹羽康夫,仲野良平,渡邊松巳,渡邊翔,阿部賢申請人:Tdk株式會社