專(zhuān)利名稱(chēng)：電介質(zhì)陶瓷組合物以及使用其的電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有能夠使用Ag/Cu等低熔點(diǎn)導(dǎo)體材料作為內(nèi)部線(xiàn)路的低溫?zé)Y(jié)的電介質(zhì)陶瓷組合物以及使用其的電子部件。
背景技術(shù)：
便攜電話(huà)等的移動(dòng)體通信中，使用數(shù)百M(fèi)Hz 數(shù)GHz左右的被稱(chēng)為所謂準(zhǔn)微波的高頻帶。為此，用于移動(dòng)體通信儀器的諧振器、濾波器、電容器等電子部件中也非常重視高頻特性。
對(duì)于這樣的電子部件，根據(jù)目的，有時(shí)希望使用頻率下期望的介電常數(shù)為30 60、介電損耗小的電介質(zhì)陶瓷組合物。介電損耗的評(píng)價(jià)使用例如以Q= Ι/tan δ與諧振頻率f之積Qf值表示的品質(zhì)因數(shù)，介電損耗越小則品質(zhì)因數(shù)Qf值越大。介電損耗是指高頻部件的電力損耗，因而要求品質(zhì)因數(shù)Qf值大的電介質(zhì)陶瓷組合物。
這樣，作為介電常數(shù)為30 60、介電損耗小的電介質(zhì)材料，大多提出了以 BaO-TiO2系陶瓷作為主要成分的材料。然而，在所提出的BaO-TiO2系陶瓷的情況下，由于燒結(jié)溫度為1000°C以上的高溫，因而存在即使在BaO-TiO2系陶瓷基板上形成Ag/Cu等的電導(dǎo)率優(yōu)異的內(nèi)部電極而進(jìn)行多層層壓，同時(shí)燒成也困難的問(wèn)題。因此，在通過(guò)同時(shí)燒成制作將上述的Ag/Cu等低熔點(diǎn)導(dǎo)體材料用于內(nèi)部電極的多功能基板時(shí)，需要將燒成溫度降低到例如900°C左右。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了如下技術(shù)通過(guò)將BaO-TiO2系陶瓷作為主要成分，并配合至少包含B2O3或B2O3作為玻璃成分之一的玻璃作為副成分，在維持高頻特性的同時(shí)使其低溫?zé)苫?br> 專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)平5-325641號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問(wèn)題 然而，使用這種電介質(zhì)陶瓷組合物的濾波器等電子部件大多通過(guò)焊錫搭載到樹(shù)脂基板上。在這種情況下，作為樹(shù)脂基板，通常使用FR-4級(jí)的覆銅層壓板。在FR-4級(jí)的樹(shù)脂基板的情況下，其原材料的線(xiàn)熱膨脹系數(shù)為13ppm/°C左右。然而，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1等現(xiàn)有技術(shù)中，關(guān)于搭載到樹(shù)脂基板上的電子部件所具有的電介質(zhì)陶瓷組合物的線(xiàn)性膨脹系數(shù)，并沒(méi)有特別考慮。專(zhuān)利文獻(xiàn)1等現(xiàn)有技術(shù)中的狀況是電介質(zhì)陶瓷組合物的線(xiàn)性膨脹系數(shù)低于例如9ppm/°C，與樹(shù)脂基板的線(xiàn)熱膨脹系數(shù)之間存在不同。其結(jié)果是，在高溫狀況下，由于兩者的線(xiàn)熱膨脹系數(shù)的差異，有可能發(fā)生樹(shù)脂基板的拉伸與電介質(zhì)陶瓷組合物側(cè)的拉伸差異。
本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而完成的，其目的在于，提供一種電介質(zhì)陶瓷組合物以及使用其的電子部件，所述電介質(zhì)陶瓷組合物能夠維持具有期望的介電常數(shù)30 60的 BaO-TiO2系陶瓷的低損耗特性的同時(shí)進(jìn)行低溫?zé)苫?，并能夠取得與搭載到樹(shù)脂基板時(shí)成為問(wèn)題的線(xiàn)膨脹的匹配。
用于解決問(wèn)題的方法 為了解決上述問(wèn)題、達(dá)到本發(fā)明的目的，本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物，其特征在于，其包含以組成式BaO xTi02表示的成分作為主要成分，該組成式中Ti02相對(duì)于BaO的摩爾比x在4. 6 < x < 8的范圍內(nèi)，相對(duì)于前述主要成分，包含硼氧化物和銅氧化物作為副成分，并將這些副成分分別表示為aB203、bCuO時(shí)，表示前述各副成分相對(duì)于前述主要成分的重量比率的a和b分別為 0.5(質(zhì)量％ ) < 5(質(zhì)量％ ) 0.1(質(zhì)量％)<13<3(質(zhì)量％)。
另外，本發(fā)明的電子部件，其特征在于，其包含上述方案所述的電介質(zhì)陶瓷組合物和內(nèi)部線(xiàn)路。
發(fā)明效果 本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)通過(guò)相對(duì)于主要成分的徹0_1102系陶瓷配合適量的硼氧化物和銅氧化物作為副成分，同時(shí)適當(dāng)控制主要成分中Ti02相對(duì)于BaO的摩爾比x的范圍，從而維持電介質(zhì)陶瓷組合物的電特性的同時(shí)改變其線(xiàn)性膨脹系數(shù)，使其能夠接近需搭載的樹(shù)脂基板的線(xiàn)性膨脹系數(shù)。因此，根據(jù)如上所述地將摩爾比X、重量比率a、b的范圍在適當(dāng)范圍的本發(fā)明，能夠提供電介質(zhì)陶瓷組合物以及使用其的電子部件，所述電介質(zhì)陶瓷組合物能夠維持具有期望的介電常數(shù)30 60的Ba0-Ti02系陶瓷的低損耗特性的同時(shí)進(jìn)行低溫?zé)苫?，能夠取得與搭載到樹(shù)脂基板時(shí)成為問(wèn)題的線(xiàn)膨脹的匹配。


圖1是表示作為本實(shí)施方式的電子部件的一例子的帶通濾波器的結(jié)構(gòu)例的截面簡(jiǎn)圖。
符號(hào)說(shuō)明 2電介質(zhì)陶瓷組合物
具體實(shí)施例方式以下，對(duì)于用于實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
本發(fā)明實(shí)施方式的電介質(zhì)陶瓷組合物包含組成式(BaO xTi02)表示的主要成分。 進(jìn)而，本發(fā)明實(shí)施方式的電介質(zhì)陶瓷組合物相對(duì)于該主要成分含有規(guī)定量的作為副成分的硼氧化物(例如氧化硼B(yǎng)203)和銅氧化物(例如氧化銅CuO)。
首先，包含Ba0-Ti02系陶瓷作為主要成分是為了具有目標(biāo)的介電常數(shù)￡ r = 30 60，并且具有作為低損耗材料的高品質(zhì)因數(shù)Qf值。這里，構(gòu)成為組成式(Ba0*xTi02)中Ti02 相對(duì)于BaO的摩爾比x在4. 6≤x≤8的范圍內(nèi)。
通過(guò)控制摩爾比x的值的范圍，能夠改變所生成的電介質(zhì)陶瓷組合物的線(xiàn)性膨脹系數(shù)的值。這里，當(dāng)摩爾比x的值不足4. 6時(shí)，S卩，當(dāng)Ti02相對(duì)于BaO的含有比率過(guò)少時(shí)，線(xiàn)性膨脹系數(shù)的值相比于目標(biāo)值過(guò)小，與作為對(duì)象的樹(shù)脂基板的線(xiàn)性膨脹系數(shù)之差變大。另一方面，盡管當(dāng)摩爾比x的值超過(guò)8時(shí)，即，Ti02相對(duì)于BaO的含有比率過(guò)多時(shí)，線(xiàn)性膨脹系數(shù)的值略有增大，但成為目標(biāo)值以上的介電常數(shù)er，同時(shí)顯示出品質(zhì)因數(shù)Qf值變小的傾向，電特性變差。因此，Ti02相對(duì)于BaO的摩爾比x在適當(dāng)?shù)姆秶?，?. 6≤x≤8的范圍內(nèi)。
另外，包含硼氧化物和銅氧化物作為副成分是為了通過(guò)在作為主要成分的 Ba0-Ti02系陶瓷的粉末中少量添加而作為在燒成時(shí)形成液相的燒結(jié)助劑，從而實(shí)現(xiàn)能夠與 Ag/Cu等低熔點(diǎn)導(dǎo)體材料同時(shí)燒成的低溫?zé)苫?。特別是，包含銅氧化物是為了在摩爾比x 為期望的范圍內(nèi)，尋求低溫?zé)Y(jié)化的同時(shí)維持Qf值。
這里，本發(fā)明的目的之一在于提供一種電介質(zhì)陶瓷組合物，其用于以Ag/Cu等低熔點(diǎn)導(dǎo)體材料作為內(nèi)部線(xiàn)路的電子部件中且能進(jìn)行低溫?zé)Y(jié)，由于品質(zhì)因數(shù)Qf值的特性降低意味著電子部件的損耗變大，因此期望維持目標(biāo)值以上例如Qf值=10000GHz以上的同時(shí)實(shí)現(xiàn)低溫?zé)Y(jié)化。出于這樣的觀點(diǎn)，表示硼氧化物相對(duì)于主要成分的重量比率的a被設(shè)定在以氧化硼B(yǎng)203換算計(jì)0.5(質(zhì)量％)質(zhì)量％)的范圍，表示銅氧化物相對(duì)于主要成分的重量比率的b被設(shè)定在以氧化銅CuO換算計(jì)0. 1 (質(zhì)量％ )質(zhì)量％ ) 的范圍。
關(guān)于硼氧化物，量少時(shí)對(duì)發(fā)揮主要成分的特性(Qf值)有效，但若比0. 5質(zhì)量％更少的話(huà)，則難以進(jìn)行降低至能夠與Ag/Cu等導(dǎo)體材料同時(shí)燒成的溫度的低溫?zé)苫⑶?Qf 值也會(huì)降低，因而設(shè)為0.5質(zhì)量％以上。另外，硼氧化物雖然越是增加其含量則低溫?zé)苫饺菀?，但?dāng)超過(guò)5質(zhì)量％時(shí)，主要成分的特性(Qf值)會(huì)降低，并且低溫?zé)苫兊美щy，燒結(jié)后的密度降低，因而設(shè)定為5質(zhì)量％以下。優(yōu)選包含2. 5質(zhì)量％左右的硼氧化物。
關(guān)于銅氧化物，量少時(shí)對(duì)發(fā)揮主要成分的特性(Qf值)有效，但若比0. 1質(zhì)量％更少的話(huà)，則難以進(jìn)行降低至能夠與Ag/Cu等導(dǎo)體材料同時(shí)燒成的溫度的低溫?zé)苫?，并?Qf 值也會(huì)降低，因而設(shè)為0. 1質(zhì)量％以上。另外，銅氧化物雖然越是增加其含量則低溫?zé)苫饺菀?，但?dāng)超過(guò)3質(zhì)量％時(shí)，主要成分的特性(Qf值)會(huì)降低，并且低溫?zé)苫兊美щy，燒結(jié)后的密度降低，因而設(shè)為3質(zhì)量％以下。優(yōu)選包含1質(zhì)量％左右的銅氧化物。
另外，本發(fā)明中，除了作為副成分的硼氧化物和銅氧化物以外，還微量添加鋅氧化物(例如氧化鋅ZnO)，從而具有更進(jìn)一步低溫?zé)苫男Ч１硎句\氧化物相對(duì)于主要成分的重量比率的c被設(shè)定為以氧化鋅ZnO計(jì)0. 1 (質(zhì)量％ )質(zhì)量％ )的范圍。
其中，包括鋅氧化物在內(nèi)，本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物以不含玻璃成分的組成構(gòu)成。
接著，對(duì)于本發(fā)明實(shí)施方式的電介質(zhì)陶瓷組合物以及使用其的電子部件的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
(1)原材料準(zhǔn)備 首先，以期望的摩爾比x(4. 6 ^ x ^ 8)準(zhǔn)備規(guī)定量的作為主要成分的碳酸鋇 (BaC03)和氧化鈦Ti02的粉末，并且準(zhǔn)備規(guī)定量的作為添加的副成分的氧化硼B(yǎng)203和氧化銅CuO。另外，根據(jù)需要，準(zhǔn)備規(guī)定量的作為副成分的氧化鋅ZnO。
(2) 一次混合 混合上述粉末制成原料混合粉末?；旌峡梢酝ㄟ^(guò)干式混合、濕式混合等混合方式進(jìn)行，例如通過(guò)球磨機(jī)使用純水、乙醇等溶劑的混合方式?；旌蠒r(shí)間優(yōu)選4 24小時(shí)左右。 混合結(jié)束后，優(yōu)選將原料混合粉末在100°C 200°C、優(yōu)選120°C 140°C下干燥12 36小時(shí)左右。
(3) 一次煅燒 將上述混合粉末在1100°C 1400°C下煅燒1小時(shí) 10小時(shí)左右。
(4)粉碎和二次混合 然后，將煅燒后的粉末粉碎的同時(shí)，混合上述副成分并進(jìn)行干燥。粉碎可以通過(guò)干式粉碎、濕式粉碎等粉碎方式進(jìn)行，例如通過(guò)球磨機(jī)使用純水、乙醇等溶劑的粉碎方式。粉碎時(shí)間按照能夠獲得期望的平均粒徑來(lái)進(jìn)行。粉碎混合時(shí)間優(yōu)選為16小時(shí) 100小時(shí)。優(yōu)選粉碎后的粉末的干燥在100°C 200°C、優(yōu)選120°C 140°C的處理溫度下進(jìn)行12小時(shí) 36小時(shí)左右。
(5) 二次煅燒 為了提高正式燒成的燒結(jié)性，進(jìn)行二次煅燒。在溫度600°C 800°C進(jìn)行1小時(shí) 10小時(shí)左右的二次煅燒。
(6) 二次粉碎 然后，將煅燒后的原料混合粉末粉碎并干燥。粉碎可以使用干式粉碎、濕式粉碎等粉碎方式。例如、可以采用通過(guò)球磨機(jī)使用純水、乙醇等溶劑的粉碎方式進(jìn)行粉碎。粉碎時(shí)間優(yōu)選4小時(shí) 24小時(shí)左右。粉碎后的粉末優(yōu)選在100°C 200°C、優(yōu)選120°C 140°C的處理溫度下干燥12小時(shí) 36小時(shí)左右。
(7)成型 對(duì)所得到的粉末根據(jù)需要添加有機(jī)粘結(jié)劑，調(diào)制糊劑，將該糊劑涂布到聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯等基材薄膜上。前述涂布后，通過(guò)干燥除去有機(jī)粘結(jié)劑，形成生坯片。另外， 有機(jī)粘結(jié)劑是指將粘合劑溶解到有機(jī)溶劑中而得到的物質(zhì)。作為溶劑，可以使用萜品醇、丁基卡必醇、丙酮、甲苯、異丙醇等，作為粘合劑，可以使用乙基纖維素、聚乙烯基丁縮醛等。另外，有機(jī)粘結(jié)劑可以包含鄰苯二甲酸二正丁酯等塑化劑等。另外，成型并不限于片材成型法。可以使用印刷法等濕式成型、以及壓制成型等干式成型，可以根據(jù)期望的形狀適當(dāng)選擇成型方法。
(8)電極形成 在所形成的生坯片上涂布含有Ag或Cu的導(dǎo)電性糊劑，以使其形成規(guī)定形狀的內(nèi)部電極。這樣，根據(jù)需要制造多個(gè)涂布了導(dǎo)電性糊劑的生坯片，將其層壓，得到層壓體。另外，在該層壓體上涂布導(dǎo)電性糊劑，以使其形成規(guī)定形狀的端子。然后，通過(guò)干燥從導(dǎo)電性糊劑中除去有機(jī)粘結(jié)劑。
(9)燒成 進(jìn)行與通常的電介質(zhì)的制造方法中燒成工序和退火工序同樣的工序的燒成，期望例如在空氣中這樣的氧氣氣氛下進(jìn)行，要求燒成溫度為用作內(nèi)部電極的將Ag或Ag作為主要成分的合金等導(dǎo)體的熔點(diǎn)以下，例如860°C 1000°C、優(yōu)選880°C 940°C。
(10)切斷 冷卻后，切斷為電子部件的單元，從而完成將電介質(zhì)陶瓷組合物與內(nèi)部線(xiàn)路同時(shí)燒成而成的電子部件。
圖1表示作為按照這樣的制造方法制造的電子部件的一個(gè)例子的在便攜電話(huà)等中高頻通信用的帶通濾波器的結(jié)構(gòu)例的截面簡(jiǎn)圖。即，制作由上述的電介質(zhì)陶瓷組合物形成的電介質(zhì)生坯片，根據(jù)需要形成貫通孔加工，將通過(guò)絲網(wǎng)印刷法形成Ag糊劑并干燥的生坯片層壓后，經(jīng)過(guò)燒成、切斷加工，獲得單個(gè)產(chǎn)品。圖1中所示的帶通濾波器1中，2為由電介質(zhì)陶瓷組合物(層壓陶瓷)形成的電介質(zhì)部分，L1為由構(gòu)成感應(yīng)器的Ag導(dǎo)體形成的線(xiàn)圈圖案部分，C1 C3為通過(guò)Ag導(dǎo)體形成的電容器圖案部分，3為導(dǎo)通L1與C1的填充了 Ag 導(dǎo)體的通孔部分，形成了 LC諧振電路。
將使用電介質(zhì)陶瓷組合物2制作的帶通濾波器1進(jìn)行錫焊搭載到樹(shù)脂基板上，其中，所述電解質(zhì)陶瓷組合物2由如下組成構(gòu)成作為主要成分的組成式(BaO -xTi02)中Ti02 相對(duì)于BaO的摩爾比x在4. 6彡x彡8的范圍內(nèi)，相對(duì)于主要成分包含作為副成分的2. 5質(zhì)量％ B203、1質(zhì)量％ CuO。所使用的樹(shù)脂基板為通過(guò)線(xiàn)性膨脹系數(shù)=13ppm/°C的原材料形成的FR-4級(jí)的樹(shù)脂基板、以及通過(guò)線(xiàn)性膨脹系數(shù)=10ppm/°C的原材料形成的樹(shù)脂基板兩種。 所制作的帶通濾波器1均接近線(xiàn)性膨脹系數(shù)10ppm/°C，與樹(shù)脂基板之差小，因而，即使進(jìn)行熱沖擊試驗(yàn)(-55 +125°C、1000次循環(huán))，也不會(huì)發(fā)生電介質(zhì)陶瓷組合物2產(chǎn)生裂紋，或者焊錫部分脫落之類(lèi)的不良情況。
另外，作為使用電介質(zhì)陶瓷組合物的電子部件，可以?xún)H由圖1所例示的電介質(zhì)陶瓷組合物和線(xiàn)路圖案組成，還可以在其外部個(gè)別安裝元件。
實(shí)施例 以下，對(duì)于上述的實(shí)施方式即本發(fā)明的電介質(zhì)陶瓷組合物的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。首先，本實(shí)施例中，求出改變作為主要成分的組成式(BaO xTi02)中Ti02相對(duì)于BaO的摩爾比x的值時(shí)所形成的電介質(zhì)陶瓷組合物的線(xiàn)性膨脹系數(shù)a [ppm/°C ]的值。結(jié)果示于表1。 這里，以基準(zhǔn)溫度為50°C時(shí)的在250°C下的數(shù)值表示線(xiàn)性膨脹系數(shù)a [ppm/°C ]的值。
表 1 a (ppm/°C )、基準(zhǔn)溫度 50°C
根據(jù)表1所示結(jié)果，在將搭載有包含電介質(zhì)陶瓷組合物的電子部件的FR-4級(jí)的印刷基板(樹(shù)脂基板)的原材料的線(xiàn)性膨脹系數(shù)13[ppm/°C ]作為目標(biāo)值時(shí)，若線(xiàn)性膨脹系數(shù)a為9[ppm/°C]以上，則可以說(shuō)與印刷基板之差小是良好的。S卩，可知，作為T(mén)i02相對(duì)于BaO的摩爾比x為4. 6以上即可。另一方面，可知，存在摩爾比x的值越大則線(xiàn)性膨脹系數(shù)a的值越大的傾向，但還存在朝著a = 10[ppm/°C ]左右飽和的傾向。
接著，作為使線(xiàn)性膨脹系數(shù)a達(dá)到期望值的摩爾比x的代表例子，分別在x = 5、 x = 5.5, x = 6的情況下求出改變作為副成分的氧化硼B(yǎng)203、氧化鋅ZnO、氧化銅CuO的添加量(質(zhì)量％)時(shí)所形成的電介質(zhì)陶瓷組合物的特性值，判定其是否良好。
將結(jié)果示于表2 表4。另外，該結(jié)果表示的是將燒成溫度設(shè)為933°C (爐的設(shè)定溫度)、燒成時(shí)間設(shè)為2小時(shí)時(shí)的特性值。判定品質(zhì)因數(shù)Qf是否良好，是將不足10000GHz 評(píng)價(jià)為X、10000GHz以上評(píng)價(jià)為〇。另外，Qf的評(píng)價(jià)是在5GHz下的測(cè)定值。另外，判定介電常數(shù)￡r是否良好，30 60評(píng)價(jià)為〇。
表2 x = 5
表 3 x = 5.

表 4 x = 6
Qf
根據(jù)上述結(jié)果，任一情況下，介電常數(shù)￡ 1 均為30以上，在當(dāng)作目標(biāo)的30 60的范圍內(nèi)。另外，可知，在不含作為副成分的氧化銅CuO的情況下，均難以進(jìn)行適當(dāng)?shù)牡蜏責(zé)苫?，燒結(jié)性變差，燒結(jié)后的密度會(huì)變低，并且Qf值極端降低。即，可知，為了維持期望的電特性的同時(shí)確保使線(xiàn)性膨脹系數(shù)a達(dá)到期望值的摩爾比x，必須添加作為副成分的適量的氧化銅CuO。另一方面，可知，即使不含作為副成分的氧化鋅ZnO時(shí)，也能夠維持期望的電特性，氧化鋅ZnO不是作為副成分必須添加。其中，由于通過(guò)添加作為副成分的氧化鋅ZnO，從而對(duì)低溫?zé)苫行В蚨鴥?yōu)選包含適量的氧化鋅ZnO。
接著，將副成分氧化硼B(yǎng)203、氧化銅CuO、氧化鋅ZnO的各自的添加量(質(zhì)量％ )設(shè)為最優(yōu)選值，為了判定作為主要成分的組成式(Ba0*xTi02)中Ti02相對(duì)于BaO的摩爾比x 的值的適當(dāng)范圍，針對(duì)1 = 4.6、5、5.5、6、7、8各值，求出所形成的電介質(zhì)陶瓷組合物的特性值。結(jié)果示于表5。
表 5 Ba0-xTi02
根據(jù)表5所示結(jié)果可知，存在摩爾比x的值越大則Qf值越低的傾向，并且存在介電常數(shù)er變大的傾向。這里，對(duì)照上述表1所示結(jié)果時(shí)可知，即使摩爾比x超過(guò)8，估計(jì)線(xiàn)性膨脹系數(shù)a也不怎么增大，另一方面，接近氧化鈦打02的特性，Qf值降低，同時(shí)介電常數(shù) er比目標(biāo)范圍大，在實(shí)用范圍以夕卜，因而摩爾比x優(yōu)選8以下。
權(quán)利要求
1.一種電介質(zhì)陶瓷組合物，其特征在于，其包含以組成式BaO · XTiO2表示的成分作為 主要成分，該組成式中TiO2相對(duì)于BaO的摩爾比X在4. 6彡X彡8的范圍內(nèi)，相對(duì)于前述主要成分，包含硼氧化物和銅氧化物作為副成分，并將這些副成分分別表 示為 aB203、bCu0 時(shí)，表示前述各副成分相對(duì)于前述主要成分的重量比率的a和b分別為 0.5(質(zhì)量 ％)質(zhì)量 ％)0. 1(質(zhì)量 ％ ) Sb < 3(質(zhì)量％ )。
2.一種電子部件，其特征在于，其包含權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)陶瓷組合物和內(nèi)部線(xiàn)路。
全文摘要
本發(fā)明提供電介質(zhì)陶瓷組合物以及使用其的電子部件，所述電介質(zhì)陶瓷組合物能夠維持具有期望的介電常數(shù)30～60的BaO-TiO2系陶瓷的低損耗特性的同時(shí)進(jìn)行低溫?zé)苫?，并能夠取得與搭載到樹(shù)脂基板時(shí)成為問(wèn)題的線(xiàn)膨脹的匹配。一種電介質(zhì)陶瓷組合物，其特征在于，其包含以組成式BaO·xTiO2表示的成分作為主要成分，該組成式中TiO2相對(duì)于BaO的摩爾比x在4.6≤x≤8的范圍內(nèi)，相對(duì)于前述主要成分，包含硼氧化物和銅氧化物作為副成分，并將這些副成分分別表示為aB2O3、bCuO時(shí)，表示前述各副成分相對(duì)于前述主要成分的重量比率的a和b分別為0.5(質(zhì)量％)≤a≤5(質(zhì)量％)、0.1(質(zhì)量％)≤b≤3(質(zhì)量％)。
文檔編號(hào)H01B3/12GK101844918SQ20101014117
公開(kāi)日2010年9月29日 申請(qǐng)日期2010年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月25日
發(fā)明者宮內(nèi)泰治, 中村知子, 鈴木利幸 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社