專利名稱：：低溫共燒微波介電陶瓷材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種微波介電陶瓷材料及其制備方法，尤其涉及一種利用添加低熔點的氧化物，降低材料間的共晶點，促使介電材料的燒結(jié)溫度大幅降低，但仍保持其優(yōu)越的微波特性的低溫共燒微波介電陶瓷材料及其制備方法。
背景技術(shù)：
：IC集成化技術(shù)進(jìn)步日新月異，促成無線通訊所采用的主動元件已成功進(jìn)行整合，而被動元件卻仍以單一功能方式應(yīng)用于線路中，使得兩者在電路板上元件數(shù)目差距越來越大，以移動電話為例，被動元件占成本70%，體積比例更高達(dá)80%以上。為了達(dá)成通訊元件小型化、輕量化的目標(biāo)，需先將被動元件集成化，但所使用的介電陶瓷材料燒結(jié)溫度都很高(〉130(TC)，無法使用銀或銅來當(dāng)內(nèi)電極，必須使用成本較高的白金或銀鈀合金當(dāng)電極，并不符合成本效益。因此，現(xiàn)今許多廠商積極開發(fā)出可與銀共燒且具備良好微波介電特性的陶瓷材料，此即所謂的低溫共燒陶瓷(LowTemperatureCo-firedCeramic;LTCC)材料，而目前投入低溫共燒陶瓷內(nèi)埋式高頻介電材料技術(shù)開發(fā)的廠商有美國的杜邦(DuPont)、沙諾夫(Sarnoff)、摩托羅拉(Motorola)、雷神(Raytheon)、美國國家半導(dǎo)體(NationalSemiconductorCorporation)以及日本松下(Masushita)、京瓷(Kyocera)、村田(Murata)、東京電氣化學(xué)工業(yè)(TDK)、日本電氣株式會社(NEC)、富士通(Fujitsu)等；而該低溫共燒陶瓷技術(shù)因具有可在低溫(IOO(TC以下)燒結(jié)、能與低阻抗及低介電損失的Ag、Au、Cu等金屬共燒、制作時無層數(shù)的限制、介質(zhì)厚度容易控制、能將電阻電容及電感埋入元元件中等的優(yōu)點，再加上低溫共燒陶瓷的熱膨脹系數(shù)與吸水率小，因此非常適合應(yīng)用在高頻通訊元元件的制作上。但于1960至2007年間，所發(fā)表的低溫共燒陶瓷相關(guān)專利150余篇中，其中大部分皆為日本專利，而又依其材料的組成，大致上可分為-BaO-Ti02-Re203、Bi203、BaO_Ti02、Mg(Ca/Zn)0-Ti02、Zn_Sn02-Ti02、Ba0-W03-Cu0與Cu0-Zr02為其主體成分，若依其燒結(jié)助劑種類、添加方式與燒結(jié)溫度加以篩選，在先前技術(shù)中絕大部分皆是利用添加玻璃增加其熱傳速率，以降低燒結(jié)溫度。但由于一般玻璃相的微波及介電特性相當(dāng)差，所以經(jīng)過添加玻璃相后的微波陶瓷材料雖然可于較低溫下燒結(jié)完成，但會大幅損失原有主體材料的微波介電特性。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的主要技術(shù)問題在于，克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，而提供一種低溫共燒微波介電陶瓷材料及其制備方法，該材料除了可于較低溫下燒結(jié)完成外，且不會大幅降低原有材料的微波介電特性。為達(dá)上述的目的，本發(fā)明低溫共燒微波介電陶瓷材料包括利用非化學(xué)計量比調(diào)整原料配方比例，使其化合物的配方比例為(1-x)Bas+y(Nb卜kMnk)40！5-xBa1+zNb206，其中0《x<l，0<y《0.3，0《z《0.3，0《k《0.1。通過采用非化學(xué)計量比微量調(diào)整配方中Ba含量，有利于在固相反應(yīng)過程中純晶相(purephase)的形成并使燒結(jié)瓷體達(dá)到最優(yōu)致密度，影響材料的晶胞參數(shù)及顯微結(jié)構(gòu)，獲得最佳的結(jié)構(gòu)與性能關(guān)系，從而達(dá)到優(yōu)化材料微波介電性能的目的。此外，本發(fā)明另相關(guān)于一種低溫共燒微波介電陶瓷材料的制備方法包括(a)利用混合氧化物的固態(tài)反應(yīng)法制備微波介電陶瓷Ba5+y(Nb卜kMnJA5主體粉體，然后于1350。C1450。C進(jìn)行燒結(jié)，并保持溫度24h，以形成純相Ba5+y(Nbi-kMrik)A5粉末，其中0<y《0.3，0《k《0.1;(b)將Ba^,Nb206粉體進(jìn)行煅燒，以形成純相Ba^Nb206粉末，其中0《z《0.3;以及(c)將Ba5+y(Nb卜kMnk)4015及Ba1+zNb206粉體按分子式4(1-x)Ba5+y(NbwMnk)4015-xBa1+zNb206的配方比例加入一種以上的助燒劑進(jìn)行低溫?zé)Y(jié)，其中0《x<l且該助燒劑占整體材料的0.32.8wt%。較佳地，該助燒劑是選自于由氧化硼(B203)、氧化鋇(BaO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋰(Li20)和氧化銅(CuO)所組成的群組。較佳地，X:y:Z=0.16:0.03:0.1。更佳地，該助燒劑為氧化硼(B203)和氧化鋇(BaO)。更佳地，該氧化硼(B203)和氧化鋇(BaO)的添加比例是分別占整體低溫共燒微波介電陶瓷材料的0.3wt。/。和2.5wt%。本發(fā)明是借由調(diào)整原料配方比例，發(fā)明出一種具有優(yōu)異微波性能和低燒結(jié)溫度(約90(TC左右)的微波介電陶瓷材料，該材料可滿足與Ag等金屬電極共燒的需求。本發(fā)明微波介電陶瓷材料具有以下特點(1)利用非化學(xué)計量比調(diào)整原料配方，使得主體材料Ba5+y(Nb卜kMrik)A5的固有微波性能得到大大的改善；可用于發(fā)展如GPS、天線等電子裝置。(2)添加微量的低熔點氧化物BaO、B203、ZnO、Li20、CuO，其燒結(jié)溫度可以降至90(TC左右，并能夠保持優(yōu)異的微波性能；同時加入一定比例的Ba1+zNb206，可以使其諧振頻率溫度系數(shù)趨近于零。(3)能與銀電極共燒，且化學(xué)組成和制程簡單。(4)可應(yīng)用于LTCC系統(tǒng)，發(fā)展如微波天線、濾波器等微波裝置。本發(fā)明中主要利用共晶相的固溶體特性來制成微波介電陶瓷材料，其所利用的液相燒結(jié)方式結(jié)果和前述專利中的材料及方法并不相同，本發(fā)明借由該制程可以達(dá)到更低溫度的燒結(jié)條件(<900°0和更佳微波介電特性。下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明。圖l是本發(fā)明的制作流程圖。具體實施例方式除非另有界定，所有被使用于本文中技術(shù)性與科學(xué)性術(shù)語是于本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中具有通常知識者所能了解的意義。所謂「液相燒結(jié)」是指在原料粉體中添加液相燒結(jié)劑，使其與主成份產(chǎn)生第二相，此相在燒結(jié)溫度時呈現(xiàn)液相，加速顆粒間的結(jié)合速率以及消除顆粒間的空隙，使其容易在較低的燒結(jié)溫度獲得高密度且性能優(yōu)異的燒結(jié)體；而成功的液相燒結(jié)要件有l(wèi).適量的液態(tài)相；2.固相在液相內(nèi)有適當(dāng)?shù)娜芙舛龋?.液相必須能充份潤濕固相，這些條件能讓液相分散而降低固、氣相。本發(fā)明提供一種低溫共燒微波介電陶瓷材料的制備方法，其具體步驟如下(a)純相Ba5+y(NbwMnk)4015粉末的制作將工業(yè)級粉BaC03(99.9%)，歸5(99.7%)，Mn02(99.5%)以非化學(xué)劑量比按分子式Ba5+y(NbwMnk)As配制，其中0<y《0.3，0《k《0.1，將配制后的粉末加入去離子水及YTZ(YttriumToughenedZirconia)磨球進(jìn)行球磨混合24h，于12(TC烘干磨碎后，置于氧化鋁坩堝內(nèi)，以5'C/min的升溫速率升至115(TC保持溫度2h，進(jìn)行煅燒。并經(jīng)X光繞射(XRD;X-raydiffraction)晶相分析，確定具有Ba5Nb4015晶相的粉體后，依比例加入去離子水及YTZ磨球進(jìn)行24h的二次球磨，于120。C烘干后，進(jìn)行研磨、過篩、造粒，并以lton的單軸壓力壓片成高5mm、直徑lOmm的生坯，于135(TC145(TC進(jìn)行燒結(jié)(保持溫度24h)，并分析材料性質(zhì)。(b)純相Ba1+zNb206(0《z《0.3)粉末的制作如上述制程，將工業(yè)級粉BaC03(99.9%)，Nb205(99.7%)，以非化學(xué)劑量比按分子式Ba^Nb206配制，其中0《z《0.3，將配制后的粉末加入去離子水及YTZ磨球進(jìn)行球磨混合24h，于12(TC烘干磨碎后，置于氧化鋁柑堝內(nèi)，以5'C/min的升溫速率升至115(TC保持溫度2h，進(jìn)行煅燒。并經(jīng)X光繞射(XRD;X-raydiffraction)晶相分析，確定具有BaNb20e晶相的粉體后，依比例加入去離子水及YTZ磨球進(jìn)行24h的二次球磨，于120'C烘干后，進(jìn)行研磨、過篩，作為添加粉體使用。(c)(1-x)Ba5+y(NbwMn》4015-又831+加206低溫共燒陶瓷材料的制作將二次球磨后的Ba5+y(Nb卜kMnJ4015及Ba1+zNb206粉體以非化學(xué)劑量按分子式(1-x)Ba5+y(Nbi-kMnk)40151831+^13206加入微量的氧化硼(B203)、氧化硼-氧化鋅(B203-ZnO)、氧化硼-氧化銅(B203-Cu0)、氧化硼-氧化鋇(B203-BaO)或氧化鋇-氧化硼-氧化銅(BaO-B203-CuO)助燒劑，依比例加入去離子水及YTZ磨球進(jìn)行混合8h，于120'C烘干后，進(jìn)行研磨、過篩、造粒并以lton的單軸壓力，壓片成高5mm，直徑10mm的生坯，于860。C950。C進(jìn)行燒結(jié)(保持溫度2h)，進(jìn)行下列材料性質(zhì)分析。1.粒徑分析利用動態(tài)光散射儀(DLS)該動態(tài)光散射儀的測量條件為折射率(ParticleRI)設(shè)定為1.96;而其吸收系數(shù)(Absorption)設(shè)定為1;借此測定其粒徑大小，根據(jù)半古典的光散射理論與光照射在物質(zhì)上時，光的電場會引起分子中電子偏振振蕩。此分子就像是第二個光源而散射出光。頻率的改變、角度的分布、偏振、散射光強(qiáng)度都由散射物質(zhì)的大小、形狀、和分子交互作用來決定，所以從一個系統(tǒng)的光散射特性，并加上電動力學(xué)和時間有關(guān)的統(tǒng)計力學(xué)理論，可以得到有關(guān)散射介質(zhì)的結(jié)構(gòu)和分子力學(xué)信息。2.密度分析燒結(jié)體則以阿基米得原理測密度，首先將試片置于去離子水中，再一起放入真空瓶內(nèi)以機(jī)械泵抽真空約半小時，然后用電子天平測出含水重(Wb)與水中重(Wc)，將試片烘干量測干重(Wa)，可得密度D二Wa/(Wb-Wc)，再除以理論密度(Ba5Nb4015=6.29gw/cm3)，則可得到理論密度百分比(PercentofTheoreticDensity;T.D.%)。3.XRD晶體結(jié)構(gòu)分析以連續(xù)方法(CSmethod)進(jìn)行《一2《掃描，掃描角(2《)由20度至60度，速率為每分鐘4度，每0.02度做強(qiáng)度記錄，所得的X-ray繞射強(qiáng)度圖形以JCPDS(JointCommitteeonPowderDiffractionStandards)卡的數(shù)據(jù)做比對，以確定結(jié)晶相的種類。4.掃描式電子顯微鏡(SEM)微結(jié)構(gòu)觀察本實驗的微觀結(jié)構(gòu)分析乃以JoelJSM6360掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察，將試片研磨、拋光，超音波振蕩之后放入電氣爐進(jìn)行熱蝕刻，熱腐蝕條件為燒結(jié)溫度以下50100。C，0.52h左右，的后將試片以濺鍍法鍍金，即可針對燒結(jié)試片表面作微觀結(jié)構(gòu)的形態(tài)觀察。5.微波特性量測利用圓柱型共振腔(cavity)法量測陶瓷圓柱型塊材的品質(zhì)因子(Q氺f)及燒結(jié)體介電常數(shù)(K)，并利用網(wǎng)絡(luò)分析儀(HP8722ES)進(jìn)行分析。并搭配溫度控制箱(KSONlabtester)，量測在0°C、25°C、50。C至85°C的各溫度下共振頻率隨溫度的飄移情形，計算得到平均斜率f/T,再以室溫共振頻率值f25為基準(zhǔn)求得^，其使用公式如下t-1,將燒結(jié)后陶瓷塊材料的致密度、微波介電特性和共振頻率溫度系數(shù)等性質(zhì)整理后，具有如下列的關(guān)系并配合下列各表說明，亦即1.致密度(T.D.%)方面由文獻(xiàn)得知，Ba5Nb4015純相的理論密度為6.29g/cm3;經(jīng)由上述阿基米得原理量測燒結(jié)體密度可得其理論密度百分比，在各項研究結(jié)果中發(fā)現(xiàn)，添加低熔點氧化物，可使材料在較低燒結(jié)溫度下達(dá)到較高燒結(jié)致密度，但BaNbA第二相的添加對致密度的提升影響不大。2.微波特性((^f)方面在主成分方面，如表所示，BaO含量的增加能有效提高Q*f值，在配比為Ba5.Q3Nb4015時Q*f達(dá)到最高值(Q*f=42195)。而BaO-B203-Cu0等助燒劑的添加，材料微波特性可在較低燒結(jié)溫度(900°C)下達(dá)到較佳特性((^f=20592)。但BaNb206第二相的添力Q，使得B203-CuO二元助劑的加入讓Q*f值惡化的非常厲害，故只能采用BaO-B203來降低燒結(jié)溫度。其中以添加2.5wt%BaO-0.3wt%B203具有最佳的Q*f值(Q*f=33880)。3.介電系數(shù)(K)方面K值主要是受致密度的影響，BaO-B203-CuO等助燒劑的添加，能使Ba5,。3NWk在較低燒結(jié)溫度(90(TC)下達(dá)到較佳的致密度，故對K值的影響不大，仍維持在40以上。但BaNb206第二相的添加，因使得燒結(jié)溫度上升，故需在較高的燒結(jié)溫度(925aC)下才能獲得較佳的K值(39.5)。4.共振頻率溫度系數(shù)(T》方面:BaMDA第二相的添加能有效降低^值，Ba^Nb206的添加較BaNbA更能有效降低T/f直，當(dāng)添加量為0.16mole%時，t/f直達(dá)到最小值(25)。<實施例一〉首先，利用混合氧化物的固態(tài)反應(yīng)法制備微波介電陶瓷B(Nb卜kMnk)A5主體粉體，依不同的原料配比于135(TC145(TC進(jìn)行燒結(jié)(保持溫度24h)，進(jìn)行材料性質(zhì)分析，其特性如下表一、表二所示表一Bas+yNbA5陶瓷的微波介電特性Ba5"Nb4015C.T煅燒溫度S.T燒結(jié)溫度密度(Densit.y)微波介電性質(zhì)(Microwavedielectricproperties)尸Y=0.011150°C/2h1425°C/2h5.79385.452182237.6Y=0.02115CTC/2h1425°C/2h5.83405.053970852.1Y=0.031150°C/2h1425°C/2h6.0640.55.084219560.9Y=0.041150°C/2h1425°C/2h5.9239.55.083811548.5Y=0.051150°C/2h1425°C/2h6.0840.55.093000066.9Y=0.11150°C/2h1425。C/2h5.9839.14.9228723669表二Ba5(Nhh-kMru)A5陶瓷的微波介電特性Ba5(Nb』ru)4015C.T煅燒溫度S.T燒結(jié)溫度密度(Density)微波介電性質(zhì)(Microwavedielectricproperties)K=0115CTC/2h1425。C/2h5.94382365078k=0.002115CTC/2h1425°C/2h5.79323425051k=0.0051150°C/2h1425°C/2h5.83373346265k=0.01115CTC/2h1425°C/2h6.0635.52250645k=0.021150。C/2h1425°C/2h5.9231627342由上述結(jié)果顯示出，該陶瓷的密度和電性均隨著Ba含量增加而上升，當(dāng)7=0.03，燒結(jié)溫度為1425'C，保持溫度2h，密度和電性均達(dá)到最高值；陶瓷體致密度可達(dá)95%理論密度0\0.%)以上，K=4041，Q*f〉40000，T^0ppm/°C;而Mn的添加對材料特性并無明顯的改善，雖能有些微調(diào)降^值，但整體致體密度和K，Q*f值均有明顯的下降。因此Ba5.raNbA5為最佳的配比條件。<實施例二>835.。3恥4015的低溫?zé)Y(jié)一般用來降低燒結(jié)溫度的助結(jié)劑分為兩種，一為低熔點的玻璃，二為低熔點的金屬氧化物，添加玻璃雖能降低燒結(jié)溫度，但也會降低材料的介電特性，因此需添加一些低熔點的氧化物來降低燒結(jié)溫度，同時維持優(yōu)良的介電特性。一般常用來降低燒結(jié)溫度的金屬氧化物有B203、Cu0、Zn0、V20s等，由于BaO、BA和CuO間有共晶相反應(yīng)，因此會在875。C時形成二次相10BaCu(B205)，又該Ba0的添加能改善與8&5.。3恥4015間的潤濕行為，因此可利用液相BaCu(B205)燒結(jié)于Ba5,。3NbA5材料中，并添加B203-CuO、ZnO-B203等粉體，以降低其燒結(jié)溫度；其實驗數(shù)據(jù)如下表三所述表三Ba5+yNbAs陶瓷的低溫微波介電特性<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>由上述數(shù)據(jù)可得知添加B203-CuO重量比例為0.6wt%，在低溫?zé)Y(jié)的微波介電特性上最具有效益；而在比較添加BaO-B203-CuO與添加B203-CuO中可得知，在較低燒結(jié)溫度(〈90(TC)下，添加BaO-BA-CuO的材料燒結(jié)特性較僅添加B203-CuO為佳；因此，BaO的添加能有效提升材料的介電特性，而在固定BaO-B203-CuO添加量，改變混合比例至Ba5.。3Nb4015/BaO/B203/CuO=1/0.5%/0.4%/0.2%可得到相對較佳微波介電特性；S.T〈900。C，K=4041，Q*f〉18000,h5ppm/°C。由上述的結(jié)果得知，添加BaO-B203-CuO助燒劑雖能有效降低燒結(jié)溫度，但其頻率溫度系數(shù)T/仍過高(50ppm廠C)。5〈實施例三〉借由不同添加量的Ba^Nb2()6調(diào)整其溫度系數(shù)表四是探討不同添加量對Ba5+y(NbwMnJ4015陶瓷材料特性的影響，其實驗數(shù)值如下表所示表四(a)不同添加量的氧化鋇(BaO)對(1-x)Ba5.Q3Nb4015-xBaiNb206陶瓷的低溫微波介電特性的影響<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>用Ba^Nb206第二相來調(diào)節(jié)頻率溫度系數(shù)的時候，B203-Cu0二元助燒劑的加入會使得Q*f值惡化的非常嚴(yán)重，故只能采用BaO-8203來降低燒結(jié)溫度。而Bai+zNb206第二相的加入能有效降低頻率溫度系數(shù)，其中以添加Ba^Nb2()6的調(diào)節(jié)效果最好，不但能有效降低溫度系數(shù)，還能維持優(yōu)良的Q水f值，且T/f直隨著添加量的增加而下降，當(dāng)其添加量為0.16moleyo時，TJ直達(dá)到最小值。而Ba0的添加卻能有效提升Q*f值，當(dāng)添加量為2.5wt%時，Q*f值達(dá)到最佳值；因此，其最佳的配比條件為0.848&5.。3恥4015、0.16Ba』b20e、0.3wt%B20^n2.5wt。/。Ba0相互燒結(jié)，其性能為K=40.3，Q*f=13232，Tf=+25ppm/°C，S.T.=925°C/2h。綜合上述研究數(shù)據(jù)可知，依據(jù)本發(fā)明的高頻用(1-x)Ba5+y(NbwMnJ40151831+2恥206低溫共燒微波介電陶瓷材料配方制作，可在90(TC左右或更低溫度下燒結(jié)成型，同時具有良好的微波特性，可以成為理想的微波介電陶瓷材料。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而己，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種低溫共燒微波介電陶瓷材料，其特征在于，包括利用非化學(xué)計量比調(diào)整原料配方比例，使其化合物的配方比例為(1-x)Ba5+y(Nb1-kMnk)4O15-xBa1+zNb2O6，其中0≤x<1，0<y≤0.3，0≤z≤0.3，0≤k≤0.1。2.—種低溫共燒微波介電陶瓷材料的制備方法，其特征在于，包括(a)利用混合氧化物的固態(tài)反應(yīng)法制備微波介電陶瓷Ba5+y(Nb卜Jrik)A5主體粉體，然后于1350。C145(TC進(jìn)行燒結(jié)，并保持溫度24h，以形成純相Ba5+y(NbwMnk)A5粉末，其中0〈y《0.3,0《k《0.1;(b)是將Ba^Nb206粉體進(jìn)行煅燒，以形成純相Ba^Nb2()6粉末，其中0《Z《0.3;(c)將Ba5+y(Nb卜kMn》4015及Ba1+zNb206粉體按分子式(l-x)Ba5+y(NbwMnJ4015-xBa1+zNbA的配方比例加入一種以上的助燒劑進(jìn)行低溫?zé)Y(jié)，其中0《x〈l且該助燒劑占整體材料的0.32.8wt%。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低溫共燒微波介電陶瓷材料的制備方法，其特征在于所述X:y:Z二O.16:0.03:0.1。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的低溫共燒微波介電陶瓷材料的制備方法，其特征在于所述助燒劑是選自于由氧化硼(8203)、氧化鋇(BaO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋰(Li20)和氧化銅(CuO)所組成的群組。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫共燒微波介電陶瓷材料的制備方法，其特征在于所述助燒劑為氧化硼(B203)和氧化鋇(BaO)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低溫共燒微波介電陶瓷材料的制備方法，其特征在于所述氧化硼(B203)和氧化鋇(BaO)的添加比例是分別占整體低溫共燒微波介電陶瓷材料的0.3wt。/。和2.5wt%。全文摘要一種低溫共燒微波介電陶瓷材料及其制備方法，其材料配比為(1-x)Ba_5+y(Nb_1-kMn_k)₄O₁₅-xBa_1+zNb₂O₆并添加占整體材料的0.3～2.8wt％的助燒劑，助燒劑是氧化硼、氧化硼-氧化鋅、氧化硼-氧化銅、氧化硼-氧化鋇或氧化鋇-氧化硼-氧化銅，其中0≤x＜1，0＜y≤0.3，0≤z≤0.3，0≤k≤0.1；本發(fā)明借由添加Ba_1+zNb₂O₆以及少量的低熔點氧化物，使其燒結(jié)溫度降至900℃左右，獲得優(yōu)異的微波介電特性其介電常數(shù)為39～42，微波特性大于15000以及諧振頻率溫度系數(shù)約為30；本材料可用于低溫共燒陶瓷系統(tǒng)、多層介質(zhì)諧振器、微波天線、濾波器等微波器件的制造。文檔編號C04B35/622GK101423392SQ20081016779公開日2009年5月6日申請日期2008年10月8日優(yōu)先權(quán)日2008年10月8日發(fā)明者周煥福,熹姚,張瑞宗,宏汪,溫仲凱,陳惠如申請人:東莞華科電子有限公司