專(zhuān)利名稱(chēng)：：多孔質(zhì)構(gòu)件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種多孔質(zhì)構(gòu)件，其用于電子器件的干法制備用、醫(yī)療藥品制造用、食品加工制造等要求節(jié)能、均勻氣體流量的環(huán)境下使用的零件和構(gòu)件。
背景技術(shù)：
：隨著半導(dǎo)體的集成度提高，設(shè)計(jì)規(guī)則的微細(xì)化向前進(jìn)展，要求容許的附著物和金屬污染的大小及其數(shù)量縮小、減少。另一方面，作為用于制造半導(dǎo)體的設(shè)備，為了提高效率，已經(jīng)采用基于微波的等離子體激勵(lì)方式。即使治療藥品、食品等領(lǐng)域，在干燥等工序中也能采用微波，通常，防止金屬等污染的這些構(gòu)造體采用陶瓷。在這里，作為半導(dǎo)體制造設(shè)備，用例子說(shuō)明微波等離子處理裝置，可在氣體分散用等的構(gòu)件中采用多孔體，例如專(zhuān)利文獻(xiàn)l公開(kāi)的那樣，以數(shù)mm間隔在材料中形成了多個(gè)貫通孔。但是，通過(guò)這些貫通孔的工藝氣體，歸根到底是通過(guò)構(gòu)件內(nèi)形成的貫通孔，所以在曝露于該氣體的硅晶片上，與氣體的接觸狀況未必均勻，招來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)品的成品率下降。因此，例如，提出如專(zhuān)利文獻(xiàn)2那樣使用多孔質(zhì)材料?？墒牵谑褂昧爽F(xiàn)有多孔質(zhì)構(gòu)件的零件中，由于材料的介質(zhì)損耗正切較大，招致微波損失、等離子體不穩(wěn)定、進(jìn)而造成半導(dǎo)體產(chǎn)品成品率下降。而且，由于不能充分控制氣孔率和氣孔徑，所以難以控制穩(wěn)定的氣體流量。專(zhuān)利文獻(xiàn)1:特開(kāi)2003-133237號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2:特開(kāi)2003-045809號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于所述的缺點(diǎn)而創(chuàng)造的，其目之一在于提供一種在需要高潔凈度領(lǐng)域內(nèi)的使用中能夠抑制微波頻帶內(nèi)的能量損失而且可均勻地分散氣體的多孔質(zhì)構(gòu)件。本發(fā)明的又一個(gè)目的，在于提供一種所述多孔質(zhì)構(gòu)件的制造方法。本發(fā)明的其他目的，在于提供由整體具備所述多孔質(zhì)構(gòu)件的陶瓷燒結(jié)體構(gòu)成的陶瓷構(gòu)件。本發(fā)明的另外目的，在于提供一種所述陶瓷構(gòu)件的制造方法。因此，鑒于所述課題，對(duì)于多孔質(zhì)構(gòu)件，為了抑制微波頻帶內(nèi)的能耗，避免局部加熱引起的損壞，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)重要的是構(gòu)成構(gòu)件在微波頻帶內(nèi)的介質(zhì)損耗正切為lxl(^以下，而且為了均勻地分散氣體，氣孔率和氣孔徑，進(jìn)而壓力損失都具有適合范圍，并達(dá)到實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。本發(fā)明的多孔質(zhì)構(gòu)件，其特征是由多孔質(zhì)的陶瓷形成，微波頻帶內(nèi)的介質(zhì)損耗正切為lxl(^以下。這里，在本發(fā)明的多孔質(zhì)構(gòu)件中，優(yōu)選是多孔質(zhì)的開(kāi)氣孔率為15~60%、多孔質(zhì)的平均氣孔徑為100pm以下、多孔質(zhì)的壓力損失在110cc/min7cr^流量下為133Pa以上、或者含有Al、Si及Y的各自氧化物之中的至少一種。進(jìn)而，本發(fā)明的陶瓷構(gòu)件是具有具備多孔質(zhì)構(gòu)件的陶瓷燒結(jié)體，所述多孔質(zhì)構(gòu)件由多孔質(zhì)的陶瓷形成，且微波頻帶內(nèi)的介質(zhì)損耗正切是lxl0—3以下。這里，在本發(fā)明的陶瓷構(gòu)件中，所述多孔質(zhì)構(gòu)件優(yōu)選是多孔質(zhì)的開(kāi)氣孔率為1560%、多孔質(zhì)的平均氣孔徑為lO(Him以下、多孔質(zhì)的壓力損失在110cc/min/cm2流量下為133Pa以上、或者含有Al、Si及Y的各自氧化物之中的至少一種。而且，本發(fā)明的多孔質(zhì)構(gòu)件的制造方法，其特征是以重量計(jì)按100:15~100:60的配合比配合平均粒徑l~300pm的陶瓷原料粉末和由玻璃構(gòu)成的接合材料，制成漿料，并以1550。C170(TC燒成。根據(jù)本發(fā)明，就能夠提供一種在需要高潔凈度領(lǐng)域內(nèi)使用中抑制微波頻帶內(nèi)的能耗，而且可均勻地分散氣體的多孔質(zhì)構(gòu)件及其制造方法、使用了該多孔質(zhì)構(gòu)件的陶瓷構(gòu)件及其制造方法。圖1是提供說(shuō)明壓力損失測(cè)定方法的圖。圖2表示由微波引起的破損評(píng)價(jià)的圖。圖3是提供評(píng)價(jià)氣體分散性的圖。符號(hào)說(shuō)明1多孔質(zhì)構(gòu)件(多孔體)2固定構(gòu)件6氣體流入管7氣體流出管8導(dǎo)管9排氣泵10氣體配管11，12壓力計(jì)13質(zhì)量流計(jì)15氣體16配管20壓力損失21箭頭30破損評(píng)價(jià)裝置31框體32擴(kuò)散葉片33旋轉(zhuǎn)軸34驅(qū)動(dòng)部35擴(kuò)散葉片旋轉(zhuǎn)裝置36輸出部37主體38微波發(fā)生器40氣體分散評(píng)價(jià)裝置41框體42蓋構(gòu)件43氣體導(dǎo)入孔44支承部(多孔體和陶瓷一體化產(chǎn)品)45支承部(使微波透過(guò)的構(gòu)件)具體實(shí)施例方式下面，進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。本發(fā)明的多孔質(zhì)構(gòu)件的介質(zhì)損耗正切為1x10—3以下是重要的，進(jìn)而，優(yōu)選5"0—4以下。其理由是因?yàn)樵诒景l(fā)明中，多孔質(zhì)的介質(zhì)損耗正切大于口10—3時(shí)，導(dǎo)致微波頻帶內(nèi)的能耗和局部加熱引起的破損，對(duì)構(gòu)成構(gòu)件而言不令人滿(mǎn)意。該多孔質(zhì)構(gòu)件的開(kāi)氣孔率在15~60%范圍內(nèi)，優(yōu)選在20~30%的范圍內(nèi)。其理由是因?yàn)?，在開(kāi)氣孔率未滿(mǎn)15%的區(qū)域內(nèi)，通氣顯著降低，超過(guò)60%的區(qū)域招致壓力損失的降低，氣體的均勻分散性降低。因而對(duì)于半導(dǎo)體、對(duì)醫(yī)療食品等的構(gòu)件不理想。同樣，該多孔質(zhì)構(gòu)件的平均氣孔徑為100pm以下是重要的，優(yōu)選為50,以下，更優(yōu)選為10~25|im。其理由是因?yàn)椋嗫踪|(zhì)的平均氣孔徑超過(guò)10(Vm時(shí)，均勻的氣體、氣體的噴出極其困難。壓力損失在流量110cc/min/cri^下為133Pa以上。其理由是因?yàn)椋瑝毫p失不足133Pa時(shí)，不能獲得足夠的分散氣體效果，發(fā)生局部的氣體吹出。接著，說(shuō)明所述多孔質(zhì)構(gòu)件的制造方法的一個(gè)例子。準(zhǔn)備氧化鋁粉末和石英玻璃作為起始原材料。氧化鋁粉末純度為高純度，平均粒徑為30pm，另一方面石英玻璃也與氧化鋁同樣，采用高純度(99%以上)、平均粒徑5pm的石英玻璃。原料的純度，特別是堿金屬給介質(zhì)損耗正切帶來(lái)較大的影響，所以，例如，希望Na和K少。原料的平均粒徑過(guò)小時(shí)難以獲得通氣性，過(guò)大時(shí)在分散氣體方面不能獲得足夠的壓力損失，所以?xún)?yōu)選1300(mi左右，更優(yōu)選是1025^n左右。至于石英玻璃，因?yàn)橛米鹘雍喜牧?，粗料難以熔融，不能保證作為接合材料的效果，因此優(yōu)選110)im左右。按100:15100:60的配合比來(lái)混合氧化鋁和石英玻璃，還添加混合分散劑、PVA等期望的有機(jī)成型輔助劑，并制成漿料，填充到陶瓷燒結(jié)體內(nèi)，以1550170(TC進(jìn)行燒成。在燒成中，期望爐內(nèi)充分地流通空氣。這樣做，形成多孔質(zhì)和致密陶瓷的整體燒結(jié)件。氧化鋁與石英玻璃的配合比過(guò)少時(shí)造成材料強(qiáng)度降低，過(guò)多時(shí)堵塞氣孔，失去了氣體通氣性，所以?xún)?yōu)選100:15100:60左右，更優(yōu)選是100:30~100:45左右。使所述漿料流入到如石膏的高吸水性填充用模內(nèi)，并在固化成型后脫模，通過(guò)包括脫脂的燒成而形成多孔質(zhì)陶瓷。而后也可以通過(guò)使致密質(zhì)陶瓷和多孔質(zhì)陶瓷接合而形成多孔質(zhì)和致密陶瓷的整體燒結(jié)件。另外，接合例如可以在多孔質(zhì)陶瓷與致密質(zhì)陶瓷的界面之間夾有可形成接合層的生料片，或者在多孔質(zhì)陶瓷部涂敷形成接合層的漿料后，填充到致密陶瓷并進(jìn)行燒成。并不僅限定所述制作方法，例如，添加氧化鋁粉末和石墨粉末、樹(shù)脂珠那樣的造孔劑，若能得到具有規(guī)定的氣孔率、氣孔徑、壓力損失的多孔體，不管什么方法都行。如以上那樣得到的多孔質(zhì)陶瓷具有用于加工的強(qiáng)度，即使在腐蝕性氣體及其等離子氣體中加熱的環(huán)境下使用，也不會(huì)因熱沖擊而破損或由于施加微波發(fā)生局部加熱，能夠穩(wěn)定地進(jìn)行使用。在本發(fā)明中，優(yōu)選介質(zhì)損耗正切是5><10—4以下、氣孔率是20~30%、氣孔徑是1025jim。實(shí)施例下面，舉出本發(fā)明的實(shí)施例。以下的實(shí)施例中，實(shí)施例14雖是優(yōu)選的，但不言而喻，本發(fā)明不限定這些實(shí)施例。用于制造本發(fā)明多孔質(zhì)構(gòu)件的使用原料的材料粒子種類(lèi)/純度/粒徑，接合材料的種類(lèi)/材料粒子的配合比率都已表示在下述表1中。材料粒子的種類(lèi)是氧化鋁、石英、氧化釔，純度為99%以上，粒徑是l300^im。使用了接合材料純度99%以上的石英，或堿成分少的無(wú)堿玻璃。按規(guī)定比例稱(chēng)量材料粒子和接合材料，在離子交換水中，通過(guò)使用了樹(shù)脂球的球磨機(jī)制成材料粒子和接合材料的混合漿料。使其流入到由氧化鋁制成的口200xt50mm的模中，靜置漿料。除去了漿料上部的澄清液(離子交換水)后，通過(guò)干燥、脫模制成了成形體。在大氣中用電阻加熱爐對(duì)所述成形體進(jìn)行燒成，制成了多孔質(zhì)構(gòu)件。所獲得的多孔質(zhì)構(gòu)件的特性用下面的裝置和方法進(jìn)行測(cè)定。圖1是提供說(shuō)明壓力損失測(cè)定法的測(cè)定裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。如圖1所示，測(cè)定裝置配備有與真空室連接的氣體配管10。氣體配管10備有氣體流入管6和氣體流出管7。氣體15通過(guò)質(zhì)量流計(jì)13用配管16與氣體流入管6連接。氣體流出管7通過(guò)導(dǎo)管8，用配管16與排氣泵9連接。氣體流入管6連接著一次壓壓力計(jì)11，測(cè)定作為向氣體配管10的流入壓力的一次壓力P1。另一方面，氣體流出管7連接著二次壓壓力計(jì)12，測(cè)定作為來(lái)自氣體配管10的流出壓力的二次壓力P2。氣體配管10內(nèi)的空間5配置多孔質(zhì)構(gòu)件1的測(cè)定試料(多孔體)。如箭頭21所示那樣導(dǎo)入、排出氣體。由這時(shí)的一次壓測(cè)定值(輸出)17與二次壓測(cè)定值(輸出)之差P1-P2=AP，通過(guò)差動(dòng)放大器求出壓力損失(AP)20。這種測(cè)定也可以借助使用了計(jì)算機(jī)的測(cè)定裝置進(jìn)行測(cè)定。還有，測(cè)定條件如下。流動(dòng)氣體種類(lèi)為Ar、流動(dòng)氣體的流量是0.13cc/min/cm2、一次壓力Pl是133Pa267hPa、二次壓力P2是7Pa、測(cè)定溫度是常溫、T/P形狀是直徑(cp)42x厚度(t)10mm。圖2是用于評(píng)價(jià)微波引起破損的裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。參照?qǐng)D2，破損評(píng)價(jià)裝置30配備有不銹鋼制框體31;設(shè)于框體外部，以使通過(guò)貫通了壁部的旋轉(zhuǎn)軸使框體內(nèi)的擴(kuò)散葉片32旋轉(zhuǎn)的擴(kuò)散葉片旋轉(zhuǎn)裝置35;具有用于向框體內(nèi)提供微波(例如，2.45GHz)的輸出部36和設(shè)于框體外的主體37的微波發(fā)生器38?？蝮w31內(nèi)設(shè)有固定構(gòu)件2和支承部45,該固定構(gòu)件2用以固定與直徑(cp)300mmx厚度(t)10mm多孔質(zhì)構(gòu)件1的試料一體化的支承部44，支承部45支撐在框體內(nèi)，并具有透射微波的構(gòu)件。圖3是表示氣體分散評(píng)價(jià)用的裝置結(jié)構(gòu)的概略剖面圖。如圖3所示，為了堵住不銹鋼制框體41的上部開(kāi)口，氣體分散評(píng)價(jià)裝置40設(shè)有蓋構(gòu)件42。為了堵塞蓋構(gòu)件42的側(cè)壁下端之間，設(shè)置直徑(cp)300x厚度(t)10mm的多孔質(zhì)構(gòu)件l，而且多孔體與支承部44的陶瓷一體化。在蓋構(gòu)件42的頂面設(shè)有多個(gè)氣體導(dǎo)入孔43。并且，在內(nèi)壁，以等間隔水平地排列配置直徑((p)50mm的紅圈。眼前一側(cè)為開(kāi)口的狀態(tài)，以便觀(guān)察其內(nèi)部。接著，說(shuō)明各特性的測(cè)定方法。(一)介質(zhì)損耗正切為了測(cè)定微波頻帶2和3GHz的介質(zhì)損耗正切，把所得的多孔質(zhì)體研磨加工成口1.5xL100mm的形狀，通過(guò)使用空腔諧振器的攝動(dòng)法，用AGILEMTTecH.制的網(wǎng)絡(luò)分析器8791ES設(shè)備進(jìn)行了測(cè)定。(二)開(kāi)氣孔率用阿基米德法(JISR1634)測(cè)定口30xtlOmm左右的多孔體。(三)平均氣孔徑用水銀壓入法(JISR1655)測(cè)定cp5xt5mm左右的多孔體。(四)壓力損失如圖l所示，將研磨加工成直徑(cp)42x厚度(t)10mm形狀的多孔質(zhì)體1固定在與真空室連接的氣體配管10內(nèi)部5，并一次對(duì)氣體配管內(nèi)部5抽真空。而后，在下游側(cè)為真空的狀態(tài)下使Ar氣從上游側(cè)流動(dòng)，測(cè)定上游側(cè)的壓力(一次壓力P1)與下游側(cè)的壓力(二次壓力P2)之差，其壓力差A(yù)P為壓力損失20。還有，設(shè)定氣體流量為lcc/min/cm0在所獲得的多孔質(zhì)構(gòu)件1中，與致密體的接合部涂敷與多孔質(zhì)構(gòu)件1相同的接合材料，再次進(jìn)行熱處理，使之接合。如圖2所示，將所得的陶瓷構(gòu)件安裝到評(píng)價(jià)裝置上，以2.45GHz的微波發(fā)生器輸出600W，施加30分鐘微波，確認(rèn)有無(wú)局部加熱引起的破損。而且，如圖3所示，通過(guò)使1100cc/min/cmS的干冰流動(dòng)，以框體內(nèi)標(biāo)識(shí)的紅圈5看出容易度確認(rèn)白煙是否從多孔質(zhì)構(gòu)件1里均勻出來(lái)，確定有無(wú)氣體分散的均勻性。下列表l示出了所獲得的結(jié)果。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>由所述表l很清楚，介質(zhì)損耗正切超過(guò)lxlO^時(shí)，施加微波后的試料認(rèn)為有向邊緣部破裂引起的損傷。在氣體分散方面，壓力損失不足133Pa時(shí)，只有來(lái)自噴出部附近吐出，不是均勻分散氣體的狀態(tài)。開(kāi)氣孔率是60%以上、氣孔徑是100pm以上時(shí)也同樣不能均勻地吐出氣體。另一方面，開(kāi)氣孔率不足15%時(shí)，沒(méi)有氣體的通氣性。例如，可知材料粒子(氧化鋁純度99.99%)、接合材料的純度(石英純度99.99%)高，實(shí)施例14的介質(zhì)損耗正切變低，例如，可知實(shí)施例8(氧化鋁純度99%)、比較例l(接合材料含有堿金屬2%的產(chǎn)品)、比較例3(氧化鋁純度96.5%)等材料粒子、接合材料的純度越低，介質(zhì)損耗正切越高。至于頻率，可知在3GHz頻帶下，其介質(zhì)損耗正切較高，但隨純度而改變的趨勢(shì)不變，高純度制品其介質(zhì)損耗正切低。由實(shí)施例14(接合材料15、30、45、60wt%)可知，接合材料量越多，開(kāi)氣孔率、平均氣孔徑越小，壓力損失也越大。由實(shí)施例2(平均粒徑30|im)、5(平均粒徑300(im)、6(平均粒徑110|im)、7(平均粒徑6(Vm)、比較例5(原料粒徑lOOOfam)可知，原料平均粒徑越大，開(kāi)氣孔率、平均氣孔徑越大，壓力損失也越低。在實(shí)施例中，均以氣體流量lcc/min/cm2流動(dòng)時(shí)，壓力損失都是133Pa以上，氣體被均勻分散，三個(gè)紅圈均勻呈現(xiàn)陰暗，與此相反，在比較例4、5、7、9、10中，壓力損失不足133Pa，所以來(lái)自氣體噴出口的白煙濃，中央部分的紅圈與其它兩個(gè)紅圈比較，清楚呈現(xiàn)，可知?dú)怏w沒(méi)有均勻地流動(dòng)。如以上說(shuō)過(guò)的那樣，利用本發(fā)明制成的多孔質(zhì)構(gòu)件(多孔體)，介質(zhì)損耗正切低，所以沒(méi)有因微波的局部加熱而引起的破損，由于具有一定以上的壓力損失，可以均勻地分散氣體。現(xiàn)有技術(shù)不抑制介質(zhì)損耗正切，或者壓力損失低，所以難以控制氣體流量。另外，若使用本發(fā)明，例如，在使用了微波加熱的干燥工序中，就沒(méi)有氣體分散板(多孔質(zhì)部分)的局部加熱引起的破損，能夠均勻地使氣體流動(dòng)。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明的多孔質(zhì)構(gòu)件，適用于用作電子器件的千法工藝用、醫(yī)療藥品制造用、食品加工制造等要求節(jié)能、氣體流量均勻的環(huán)境下使用的零件、構(gòu)件的多孔質(zhì)構(gòu)件。權(quán)利要求1、一種多孔質(zhì)構(gòu)件，其特征在于，該多孔質(zhì)構(gòu)件由多孔質(zhì)的陶瓷形成，且微波頻帶內(nèi)的介質(zhì)損耗正切是1×10-3以下。2、根據(jù)權(quán)利要求l所述的多孔質(zhì)構(gòu)件，其特征在于，多孔質(zhì)的開(kāi)氣孔率是15~60%。3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多孔質(zhì)構(gòu)件，其特征在于，多孔質(zhì)的平均氣孔徑是100pm以下。4、根據(jù)權(quán)利要求1至3之中任一項(xiàng)所述的多孔質(zhì)構(gòu)件，其特征在于，在110cc/min/cn^流量下，多孔質(zhì)的壓力損失為133Pa以上。5、根據(jù)權(quán)利要求1至4之中任一項(xiàng)所述的多孔質(zhì)構(gòu)件，其特征在于，含有A1、Si及Y的各自氧化物中的至少一種。6、一種陶瓷構(gòu)件，其特征在于，具有具備多孔質(zhì)構(gòu)件的陶瓷燒結(jié)體，所述多孔質(zhì)構(gòu)件由多孔質(zhì)的陶瓷形成，且微波頻帶內(nèi)的介質(zhì)損耗正切為1x10—3以下。7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的陶瓷構(gòu)件，其特征在于，在所述多孔質(zhì)構(gòu)件中，多孔質(zhì)的開(kāi)氣孔率為1560%。8、根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的陶瓷構(gòu)件，其特征在于，在所述多孔質(zhì)構(gòu)件中，多孔質(zhì)的平均氣孔徑為10(Vm以下。9、根據(jù)權(quán)利要求6至8之中任一項(xiàng)所述的陶瓷構(gòu)件，其特征在于，在所述多孔質(zhì)構(gòu)件中，在110cc/min/cm"荒量下，多孔質(zhì)的壓力損失為133Pa以上。10、根據(jù)權(quán)利要求6至9之中任一項(xiàng)所述的陶瓷構(gòu)件，其特征在于，所述多孔質(zhì)構(gòu)件含有Al、Si及Y的各自氧化物之中的至少一種。11、一種多孔質(zhì)構(gòu)件的制造方法，其特征在于，以重量計(jì)按100:15~100:60的配合比來(lái)配合平均粒徑l~300jxm的陶瓷原料粉末和由玻璃構(gòu)成的接合材料，制成漿料，并以1550°C~1700°C燒成。12、根據(jù)權(quán)利要求ll所述的多孔質(zhì)構(gòu)件的制造方法，其特征在于，所述配合比為100:30跳45。13、根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的多孔質(zhì)構(gòu)件的制造方法，其特征在于，所述陶瓷原料粉末的平均粒徑為1025pm。14、根據(jù)權(quán)利要求11至13之中任一項(xiàng)所述的多孔質(zhì)構(gòu)件的制造方法，其特征在于，所述陶瓷原料粉末由Al、Si及Y的各自氧化物之中的至少一種構(gòu)成，所述接合材料由石英玻璃和無(wú)堿玻璃之中至少一種構(gòu)成。15、根據(jù)權(quán)利要求14所述的多孔質(zhì)構(gòu)件的制造方法，其特征在于，所述陶瓷原料粉末是氧化鋁或氧化釔，所述接合材料由平均粒徑110pm的石英玻璃構(gòu)成。16、一種陶瓷構(gòu)件的制造方法，其特征在于，使用了權(quán)利要求11所述的多孔質(zhì)構(gòu)件的制造方法，且將所述漿料填充到致密的陶瓷燒結(jié)體而燒成。17、根據(jù)權(quán)利要求16所述的陶瓷構(gòu)件的制造方法，其特征在于，所述配合比為跳30~跳45。18、根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的多孔制構(gòu)件的制造方法，其特征在于，所述陶瓷原料粉末的平均粒徑為1025pm。19、根據(jù)權(quán)利要求16至18之中任一項(xiàng)所述的陶瓷構(gòu)件的制造方法，其特征在于，所述陶瓷原料粉末由Al、Si及Y的各自氧化物之中的至少一種構(gòu)成，所述接合材料由石英玻璃和無(wú)堿玻璃之中的至少一種構(gòu)成。20、根據(jù)權(quán)利要求19所述的陶瓷構(gòu)件的制造方法，其特征在于，所述陶瓷原料粉末是氧化鋁或氧化釔，所述接合材料由平均粒徑110jim的石英玻璃構(gòu)成。全文摘要本發(fā)明提供一種在要求高潔凈度的領(lǐng)域內(nèi)使用時(shí)能夠抑制微波頻帶內(nèi)的能耗，而且可均勻地分散氣體的多孔質(zhì)構(gòu)件。多孔質(zhì)構(gòu)件由多孔質(zhì)陶瓷形成，微波頻帶內(nèi)的介質(zhì)損耗正切是1×10^-3以下。陶瓷構(gòu)件由局部備有該多孔質(zhì)構(gòu)件的陶瓷燒結(jié)體構(gòu)成。文檔編號(hào)C04B38/00GK101421203SQ20078001174公開(kāi)日2009年4月29日申請(qǐng)日期2007年3月29日優(yōu)先權(quán)日2006年3月31日發(fā)明者井口真仁,大見(jiàn)忠弘,小松祐介,岸幸男,市川佳孝申請(qǐng)人:國(guó)立大學(xué)法人東北大學(xué);日本陶瓷科技股份有限公司