專利名稱：：陶瓷器的制造方法、陶瓷器和電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種陶瓷器的制造方法和電子部件。
背景技術(shù)：
：在手機等高頻率電路無線機器中，作為高頻率電路過濾器例如可以使用頂部過濾器，作為送信用級間過濾器、局部過濾器、受信用級間過濾器等可以4吏用層壓型介電體過濾器。為了制造介電體層壓過濾器，制造多個構(gòu)成介電體的陶瓷粉體的成型體，通過對各成型體涂上一定的導(dǎo)體漿在各成型體上制作一定的電極圖案。然后，層壓各成型體制成層壓體，通過燒結(jié)這個層壓體，同時燒結(jié)導(dǎo)體漿層和各成型體使其細密化。這時，電極一般使用銀系導(dǎo)體、銅系導(dǎo)體、鎳系導(dǎo)體這樣的低融點金屬導(dǎo)體，但是這些的融點例如是IIOO'C以下，甚至有降低到930。C左右的情況。因此，需要在比構(gòu)成電極的低熔點金屬的熔點更低的溫度下來燒結(jié)介電體。為了降低雜散電容(straycapacitance),減少延遲時間，降低內(nèi)藏共振器和電容器的高頻率損失，希望降低低溫?zé)Y(jié)瓷器的介電常數(shù)sr，并且增加品質(zhì)系數(shù)Q。本申請人在特開2000-211969號公報中公開了具有1000。C以下的最佳燒結(jié)溫度，介電常數(shù)sr為IO以下，品質(zhì)系數(shù)Q為2500以上的低溫?zé)Y(jié)瓷器。這個瓷器是二氧化硅-氧化鋁-氧化鋇系，析出強度高的鋇長石相。另外，在特開2003-12370號公報中，通過析出硅鋇石相、鋇長石相和方英石相，來控制瓷器燒結(jié)時的燒結(jié)收縮，防止瓷器內(nèi)開裂的發(fā)生。在特開2003-40668號公報記載的低溫?zé)Y(jié)瓷器中也公開了一種在瓷器內(nèi)析出鋅尖晶石結(jié)晶相、尖晶石結(jié)晶相、針狀的鋇長石結(jié)晶相等，高強度、熱傳導(dǎo)率、高楊式模量的低溫?zé)Y(jié)瓷器。
發(fā)明內(nèi)容但是，隨著電子部件的高頻率化和小型化的進行，要求進一步加強陶瓷器的斷裂韌性。即使在上述這樣的陶瓷器中，資器的斷裂韌性的提高仍然有上限，要求在保持其他特性的同時，實現(xiàn)瓷器的斷裂韌性的進一步的提高。本發(fā)明的課題為進一步提高陶瓷器的斷裂韌性。本發(fā)明中陶瓷器的制造方法的特征為含有，相對于陶瓷粉體100重量份，添加0.5重量份以上、30重量份以下的六方晶系鋇長石粉體制成混合物的工序，和在燒結(jié)所述混合物制造陶瓷器時，在所述陶瓷器內(nèi)析出單斜晶鋇長石的工序。另外，本發(fā)明涉及一種以使用該制造方法制造為特征的陶瓷器。本發(fā)明關(guān)于一種以由所述瓷器構(gòu)成至少一部分為特征的電子部件。上述的以往技術(shù)的瓷器中也在瓷器組織內(nèi)析出鋇長石結(jié)晶相，得到一定程度的強度提高。但是，這些鋇長石相不是通過添加鋇長石原料而生成的相，是通過特定的組成和制法的組合生成的相。本發(fā)明者在制造陶瓷器時，探討了六方晶鋇長石的添加。具體地嘗試了，例如，像圖l模式中所示，通過預(yù)燒主相的原料使其精制，在混合粗粉碎的低融點玻璃的階段中添加六方晶鋇長石粉體，混合后燒結(jié)。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過在燒結(jié)前添加六方晶鋇長石，再加入BaZn2Ti4On、TiZn204、Ti02(金紅石)和低融點玻璃，析出針狀結(jié)晶的單斜晶鋇長石。針狀鋇長石結(jié)晶由于能夠阻止裂縫進展，所以能提高斷裂韌性值。即，像圖2模式所示，為了在乾器組織內(nèi)裂紋的擴展，需要移動針狀結(jié)晶，移動所必須的能量抑制裂縫進展。但是，用本發(fā)明的制法制成的瓷器的斷裂韌性的提高，與已往的析出鋇長石結(jié)晶相的瓷器中的韌性提高相比有顯著的增加。在討論這個理由時，明確了以下的事情。即，像圖3(a)中模式所示，相對于原料粉體4添加針狀的鋇長石結(jié)晶5時，針狀結(jié)晶5作為一種"刺"介于其它的結(jié)晶粉體4之間，有阻礙其它粉體4燒結(jié)進行的傾向。由于像這樣降低粉體的燒結(jié)性，添加針狀的鋇長石結(jié)晶粉體5，像圖3(b)中所示，有結(jié)晶粉體l的燒結(jié)部分受阻礙且鋇長石結(jié)晶粉體6的長度也變短的傾向。由于容易產(chǎn)生燒結(jié)不良部分，有斷裂韌性降低的傾向。進一步認為，在燒結(jié)階段，析出針狀的鋇長石結(jié)晶，縱橫比3以下的結(jié)晶6容易殘留在瓷器中。相對于此，如圖4(a)中模式所示，相對于燒結(jié)前的瓷器原料4添加六方晶鋇長石結(jié)晶粉體7來進行燒結(jié)時，該粉體7比其它更容易收容在量多的原料粉體間4的晶界中，因此，不會妨礙其它的陶瓷器粉體4的燒結(jié)。如圖4(b)中模式所示，認為隨著結(jié)晶粉體4的乾器燒結(jié)的進行，雖然粉體7變態(tài)為針狀的單斜晶體2，但是在這個過程中沿著其它的結(jié)晶相1之間的細長的晶界再排列，緊密地被填充。這個結(jié)果被認為不會產(chǎn)生燒結(jié)的不充分部分，成為能進一步發(fā)揮單斜晶體鋇長石結(jié)晶相2強度的形態(tài)。圖1表示有關(guān)本發(fā)明的實施方式的制造方法的流程圖。圖2表示由本發(fā)明制成的乾器的微觀構(gòu)造。圖3(a)為表示比較例中燒結(jié)前的原料混合物的模式圖，圖3(b)為表示圖3(a)的混合物的燒結(jié)后的狀態(tài)的模式圖。圖4(a)為表示本發(fā)明中燒結(jié)前的原料混合物的模式圖，圖4(b)為表示圖4(a)的混合物的燒結(jié)后的狀態(tài)的模式圖。圖5(a)為表示在實施例中制作的元件的生坯上的共振器圖案的平面圖，圖5(b)為該元件的筒化截面圖。圖6為瓷器的X射線衍射圖。圖7為由本發(fā)明制成的瓷器的電子顯微鏡照片。具體實施例方式本發(fā)明中的陶瓷器的制造方法包括，在陶瓷4分體中添加0.5重量％以上、30重量％以下的六方晶系鋇長石粉體制成混合物的工序，和在燒結(jié)所述混合物制造陶瓷器時，在所述陶瓷器內(nèi)析出針狀的單斜晶鋇長石的工序。在這里，瓷器的種類和陶瓷粉體的種類沒有特別地限定，可以列舉出以下組成系的瓷器BaO-Ti02、BaO-RE203-Ti02(RE為鑭系元素)、BaO-RE203-Bi203-Ti02(RE為鑭系元素)、MgO-CaO-T203系。優(yōu)選的實施方式中，陶瓷原料粉體具有BaO:9.0~26.0重量％、1102:30.0~75.0重量。/。和ZnO:0.1~38.0重量％的陶瓷組成。在由這樣的原料粉體制成的鈦酸鋇(鋅)系瓷器中，析出單斜晶鋇長石的瓷器發(fā)現(xiàn)具有特別優(yōu)異的斷裂韌性。進一步優(yōu)選的實施方式中，陶瓷原料粉體中BaO、Ti02和ZnO的合計量為100重量份時，進一步含有八1203:0.7~15.0重量份，Si〇2:0.1~15.0重量份，MnO:0.1~5.5重量份和8203:0.1~20.0重量份。鋇長石結(jié)晶相的高溫相為六方晶系，低溫相變?yōu)閱涡本w系。因此，除了瓷器原料的主相，還添加玻璃粉體到六方晶鋇長石中，在比較低溫下燒結(jié)時，能夠推斷出低溫相的單斜晶體變得容易析出。另夕卜，除了瓷器原料粉體和六方晶鋇長石粉體，優(yōu)選添加玻璃粉體。這時，作為玻璃粉體有以下的示例ZnO-Si02-B203、Si02-B203、BaO-Al2OrSiOrB203、BaO-Bi203-B203、Li20-R203-Si02-B203、Li20-RO-Si02-B203(R為堿土類金屬)。本發(fā)明的制法中，在陶瓷粉體中添加0.5重量份以上、30重量份以下的六方晶系鋇長石粉體。鋇長石粉體的重量比率以原料粉體的合計量為100重量份計算。在這里，通過使六方晶系鋇長石粉體的比率達到0.5重量份以上，能夠促進瓷器中的單斜晶鋇長石結(jié)晶的析出，因此，可以進一步提高瓷器中的斷裂韌性。由這個觀點出發(fā)，六方晶系鋇長石粉體的添加量進一步優(yōu)選為2.0重量份以上。另外，如果六方晶系鋇長石粉體的添加量超過30重量份，燒結(jié)性下降，瓷器中的缺陷增加。因此，六方晶系鋇長石粉體的添加量為30重量份以下。由這個觀點出發(fā)，其添加量進一步優(yōu)選25重量份以下。相對于構(gòu)成'堯器的各金屬原料的混合物可以添加六方晶鋇長石粉體?；蛘撸旌狭骄т^長石粉體以外的各氧化物，進行預(yù)燒制造預(yù)燒物，粉碎預(yù)燒物制成預(yù)燒粉體，相對于預(yù)燒粉體添加六方晶鋇長石粉體和玻璃粉體后混合，燒結(jié)該混合物。鋇長石粉體添加時，可以進一步添加在f;器制造時通常使用的添加劑。作為這樣的添加劑，可以舉出部分穩(wěn)定化氧化鋯和氧化鋁。在瓷器中析出的針狀鋇長石結(jié)晶相的長度沒有限定，通常為1.63.0jim。另外，該鋇長石結(jié)晶相的直徑通常為0.1~0.8(im,縱;鏡比通常為2.0~30。本發(fā)明的陶瓷器中，通過BaO的比率為9.0-26.0重量％,瓷器的氣孔率變得顯著降低，斷裂韌性提高，另外能夠抑制強介電體層的析出。通過Ti02的比率為30.0-75.0重量％,可以明顯地降低乾器的氣孔率，提高斷裂韌性，抑制開裂。通過ZnO的比率為0.1-38.0重量％,可以明顯地降低瓷器的氣孔率，提高斷裂韌性，抑制開裂。本發(fā)明中適宜地陶瓷組成中，可以進一步使入1203的比率為0.7-15.0重量份。但是，BaO、1102和ZnO的合計量為100重量份。通過添加這樣的A1203,可以控制瓷器的燒結(jié)性。本發(fā)明中適宜地陶瓷組成中，可以進一步^f吏Si02的比率為0.1~15.0重量%。但是，BaO、Ti02和ZnO的合計量為100重量份。通過添加這樣的Si02，可以控制瓷器的燒結(jié)性。本發(fā)明中適宜地陶瓷組成中，可以進一步使MnO的比率為0.1-5.5重量%。但是，BaO和ZnO的合計量為100重量份。通過添加這樣的MnO,可以控制瓷器的燒結(jié)性。本發(fā)明中適宜地陶瓷組成中，可以進一步^f吏B203的比率為0.1-20.0重量%。但是，BaO、Ti02和ZnO的合計量為100重量份。通過添加這樣的B203，可以控制瓷器的燒結(jié)性。本發(fā)明中X射線衍射圖和峰強度用以下的條件來測定。X射線衍射裝置名RIGAKU制rMultiFlex」，管球Cu管，電壓50kV，管電流30mA,單色器入射端Ge發(fā)散縫隙:l/2deg，散亂縫隙1/2deg,受光縫隙0.15mm，步長0.02deg,計數(shù)時間2.0sec。本發(fā)明的瓷器可以含有在各金屬原料中不可避免的雜質(zhì)。另外，也可以含有上述成分以外的氧化物或者金屬成分。作為這樣的氧化物或者金屬成分有例如MgO、CaO、SrO、Y203、V203、CoO、NiO、Nd203、Sm203、La203、CuO、Ag、Cu、Ni、Pd。作為本發(fā)明對象的電子部件沒有特別的限定，可以舉出例如層壓介電體過濾器、多層配線基板、介電體天線、介電體耦合器、介電體復(fù)合組件。部件沒有限定，優(yōu)選為介電體層、磁體層、壓電體層或者金屬電極。電子部件中可以使用的金屬電極沒有限定，但是優(yōu)選銀電極、銅電極、鎳電極或者他們的合金或者由它們的混合物組成的電極，更優(yōu)選銀、銀合金、銀和其它金屬和其混合物組成的電極，特別優(yōu)選銀電極。另外，在金屬電極上可以設(shè)置鍍層和/或軟焊料層。鍍層的成分可以列舉出Ni和Sn。軟焊料層的成分可以列舉出Sn-Pb、Sn-Pb-Ag、Sn-Pb-Sb、Sn-Pb-In-Sb-Ag、Sn-Pb-Ag-Cu、Sn-Zn-In、Sn畫Ag、Sn-Ag-Bi-Cu、Sn-Ag-Cu、Sn-Cu、Sn-Sb畫Ag-Cu、Sn。本發(fā)明的電子部件中可以使本發(fā)明的低溫?zé)Y(jié)瓷器與介電常數(shù)sr為10-150的其它的低溫?zé)Y(jié)瓷器一體化。這樣的瓷器的組成系沒有限定，但是優(yōu)選以下的組成系BaO-Ti02-ZnO-SiOrB203、BaO-Ti02-Bi203-Nd203-ZnO-Si02-B203、BaO-Ti02-Bi203-La203-Sm203-ZnO-Si02-B203、MgO-CaO-Ti02-ZnO-Al203-Si02-B203。構(gòu)成磁體層的磁體可以舉出以下的物質(zhì)MnO-ZnO-Fe203-CuO、MnO-ZnO-Fe2OrCuO-Si02、MnO-ZnO-Fe203-CuOTa205、MnO-ZnO-Fe203-CuO-Si02-Ta205、NiO-ZnO-Fe203、MnO-ZnO-Fe203、MnO-ZnO-Fe203-Bi203-Mo03、NiO陽CuO-ZnO。構(gòu)成壓電體層的壓電體可以舉出以下的物質(zhì)PdO-ZrOrTi02、PdO-Zr02-Ti02-Sb203、K20-Na20-Li20-Nb203-Ta203-Bi203、PbO-CoO-Nb203-Zr02-Ti20、PbO-MgO-Nb203-Yb203-Ti02-Zr02、BaO-Ti02。在制造本發(fā)明的低溫?zé)Y(jié)瓷器時，優(yōu)選在規(guī)定比率下混合各金屬成分的原料制成混合粉體，在850-1200。C預(yù)燒混合粉體，粉碎預(yù)燒體，制成陶瓷粉體。然后，優(yōu)選使用陶瓷粉體、低融點玻璃粉體和六方晶鋇長石粉體，制造生坯，在850-930。C燒結(jié)生坯。作為各金屬成分的原料可以使用各金屬的氧化物、硝酸鹽、碳酸鹽、硫酸鹽等。實施例試-險編號1-10陶瓷粉體的制造稱量碳酸鋇、氧化鈦和氧化鋅的各粉體為表1所示的規(guī)定組成。稱量氧化鋁和氧化錳的各粉體各自為0.5重量份和0.8重量份后添加。濕式混合這些混合物后，在1250。C下預(yù)燒該混合粉體制成預(yù)燒體。為了測試預(yù)燒物的結(jié)晶相和它的結(jié)晶性，進行粉體X射線衍射測定時，得到以下的結(jié)晶相BaZn2.03Ti3.93010.89相(ICSDNo.81-2380)TiZn20j(ICSDNo.77-0014)Ti02(金紅石)相(ICSDNo.73-1765)接下來，在3求磨機中粉碎該預(yù)燒粉體至一定粒度，干燥粉體，制成陶瓷原料粉體。玻璃粉體的制造稱量Si02、ZnO和B203各粉體，干式混合，在白金坩堝中熔融混合粉體，在水中投入熔融物后迅速冷卻，制成塊狀的玻璃。濕式粉碎該玻璃后制成低融點的玻璃粉體。六方晶鋇長石粉體的制造根據(jù)鋇長石的組成比率濕式混合碳酸鋇、氧化鋁和氧化硅各粉體，在1350。C預(yù)燒制成六方晶鋇長石預(yù)燒物。粗粉碎后制成預(yù)燒粉體。制成的預(yù)燒粉體的X射線衍射的譜峰與六方晶鋇長石(ICSDNo.38-1450)—致。燒結(jié)上述的陶資原料粉體、玻璃粉體和六方晶鋇長石粉體一起微粉碎。另一方面，混合有機溶劑、粘合劑、增塑劑和分散劑，添加到微粉碎的混合粉體中，使用氧化鋁罐和氧化鋁球混合，制成漿，干燥漿得到造粒粉體。用模具壓縮機將得到的造粒粉體成型為一定的形狀，在920。C下燒結(jié)制成燒結(jié)體瓷器。氣孔率的測定制成的燒結(jié)體的氣孔率用阿基米德法測定。X射線衍射峰的測定對各瓷器試料在前述的條件下測定X射線衍射峰。結(jié)果確認了以下的結(jié)晶相。斷裂韌性值前述陶瓷粉體、玻璃粉體和六方晶鋇長石粉體和有機粘合劑、增塑劑、分散劑和有機溶劑一起用氧化鋁罐和氧化鋁球濕式混合，制成生坯成型用漿。用該漿通過刮刀裝置成型為厚為0.03~2mm的各生坯。層壓一定張數(shù)的各生坯通過CIP法制成層壓體，用切粒機切斷成11mmx8mmx3mm的形狀，通過在920。C燒結(jié)制成燒結(jié)體。然后，洗凈燒結(jié)體，在鎳中進行電鍍，然后在錫中性槽中進行電鍍，洗凈制成的試料。對這個試料用JIS-R-1607壓頭壓入法(IF法)測定斷裂韌性值。斷裂發(fā)生數(shù)和上述同樣地成型為厚為0.03~2mm的各生坯。由Ag-Pt(Pt1重量％)漿在各生坯上通過絲網(wǎng)印刷形成作為模型圖案的圖5(a)和(b)的共振器電極圖案11，層壓一定張數(shù)的各生坯10、12成為圖5(b)的層壓構(gòu)造，通過CIP法制成層壓體，燒結(jié)后的尺寸用切粒機切斷成3.2mmx2.5mmxl.8mm,印刷外裝電極后，在920。C下燒結(jié)。制成的燒結(jié)體暴露在以下的熱沖擊和高濕度條件下，然后用超聲波探傷法評價裂紋的有無。裂紋有無的確認是用超聲波探傷裝置(日立建機抹式會社制「t4久3—」)由從開裂的部分起的B超反射的畫像數(shù)據(jù)來判斷。測定各自的IOOO個試料，次品的發(fā)生數(shù)表示在表中。熱沖擊條件一次循環(huán)為-55。C~+125°C，1次循環(huán)的時間為1個小時，進行33次循環(huán)。高濕度條件85°C、85%RH、240小時如果六方晶鋇長石的添加量如果為30重量份以下，開裂的發(fā)生率變高，斷裂韌性值上升。在本發(fā)明的范圍內(nèi)斷裂韌性值高，也幾乎不發(fā)生斷裂。另夕卜，對試驗編號2-9的各例中的試料進行上述的X射線衍射試驗時，確認到以下的結(jié)晶相。BaZn2TU0u相(ICSDNo.81-2380)TiZn2OdS(ICSDNo.77-0014)Ti02(金紅石)相(ICSDNo.73-1765)單斜晶鋇長石相(ICSDNo.74-1677)圖6為無添加六方晶鋇長石粉體情況的瓷器和添加六方晶鋇長石粉體(10.0重量份)的瓷器的X射線衍射圖。由添加六方晶鋇長石粉體制成的瓷器，確認到單斜晶鋇長石的衍射峰。另外，圖7為有關(guān)添加六方晶鋇長石粉體(10.0重量份)的瓷器的照片。發(fā)現(xiàn)沿晶界析出多個針狀的結(jié)晶相。例如，確認有關(guān)4個地方的針狀結(jié)晶時，長、直徑和縱橫比為以下。<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>試-驗號11-18同試驗編號1-10同樣地制造表2所示的各瓷器。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在陶瓷原料粉體中添加30重量份以下的六方晶鋇長石，在瓷器中析出單斜晶體鋇長石的情況下，斷裂韌性值顯著地提高，防止開裂。但是，如果氧化鋇超過30重量份，在瓷器中生成強介電體。試驗編號19-28同試驗號編1-10同樣地制造表3所示的各瓷器。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在陶瓷原料粉體中添加30重量份以下的六方晶鋇長石，在乾器中析出單斜晶鋇長石的情況下，斷裂韌性值顯著地提高，防止開裂。試驗編號29-37同試驗編號1-10同樣地制造表4所示的各瓷器。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在陶瓷原料粉體中添加30重量份以下的六方晶鋇長石，在瓷器中析出單斜晶鋇長石的情況下，斷裂韌性值顯著地^提高，防止開裂。試驗編號38-45同試驗編號1-10同樣地制造表5所示的各瓷器。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在陶瓷原料粉體中添加30重量份以下的六方晶鋇長石，在瓷器中析出單斜晶鋇長石的情況下，斷裂韌性值顯著地提高，防止開裂。雖然說明了本發(fā)明的特定的實施方式，但是本發(fā)明不受這些特定的實施方式限定，只要不離開權(quán)利要求的范圍，可以實施進行種種的變更或改變。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>表3<table>tableseeoriginaldocumentpage14</table<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>表5<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>權(quán)利要求1.一種陶瓷器的制造方法，其特征在于，包括，相對于陶瓷原料粉體100重量份，添加0.5重量份以上、30重量份以下的六方晶系鋇長石粉體來制造混合物的工序，和，在燒結(jié)所述混合物制造陶瓷器時，在所述陶瓷器內(nèi)析出單斜晶鋇長石的工序。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶乾器的制造方法，其特征在于，向所述混合物添加燒結(jié)助劑。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陶瓷器的制造方法，其特征在于，所述燒結(jié)時的溫度為850。C以上、1100。C以下。4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項所述的陶資器的制造方法，其特征在于，所述陶瓷原料4分體具有BaO:9.0~26.0重量％、1102:30.0~75.0重量％和ZnO:0.1-38.0重量％的陶覺組成。5.根據(jù)權(quán)利要求4中所述的陶資器的制造方法，其中，所述陶瓷原料粉體中BaO、Ti02和ZnO的合計量為100重量份時，進一步含有A1203:0.7~15.0重量份、Si02:0.1~15.0重量份、MnO:0.1~5.5重量份和B203:0.1~20.0重量份。6.用權(quán)利要求1~5中任一項權(quán)利要求所述的方法制成的陶瓷器。7.至少一部分由權(quán)利要求6所述的陶瓷器構(gòu)成的電子部件。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子部件，其中，相對于所述電子部件的其他部件連接所述陶瓷器，所述其他部件為介電體層、》茲體層、壓電體層或者金屬電極。全文摘要本發(fā)明涉及一種陶瓷器的制造方法，相對于陶瓷原料粉體100重量份添加0.5重量份以上、30重量份以下的六方晶系鋇長石粉體制成混合物。然后，燒結(jié)該混合物制造陶瓷器時，在陶瓷器內(nèi)析出針狀的單斜晶鋇長石。文檔編號C04B35/453GK101410345SQ20078001156公開日2009年4月15日申請日期2007年3月14日優(yōu)先權(quán)日2006年3月31日發(fā)明者井出良律,大渕武志,小田切正申請人:日本礙子株式會社;雙信電機株式會社