接觸環(huán)46i_N形成一層絕緣材料，這允許來自電力基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)48的其他電路(例如跡線)通過一個或多個接觸環(huán)46i_N而不會在任意特定接觸環(huán)上電短路(即，除了意于被電連接至特定接觸環(huán)的特定跡線)。其他電路可以連接至接觸環(huán)462_n。
[0067]圖11是MPS 20的一個示例性實(shí)施例(被標(biāo)識為MPS 110)的示意方框圖，參照美國專利N0.7，386，339，其通過引用包含于此，如同在此全部闡述一樣，并且一部分在下文復(fù)制，其至少部分大體描述了以色列海法的MediGuide有限公司所商業(yè)提供的而現(xiàn)在被St.Jude醫(yī)療公司擁有的MediGuide?技術(shù)系統(tǒng)。應(yīng)當(dāng)理解，變化是有可能的，例如，再參照美國專利N0.6，233，476，其通過引用包含于此，如同在此全部闡述一樣。另一示例性的基于磁場的MPS是B1sense Webster市售的Carto?系統(tǒng)，例如在美國專利N0.6, 498, 944和N0.6，788，967中大體示出和描述，其通過引用包含于此，如同在此全部闡述一樣。因此，如下描述本質(zhì)上僅僅是示例性的而非限制性的。
[0068]MPS 110包括位置和方向處理器150，發(fā)射器接口 152，多個查找表單元15七、1542和1543，多個數(shù)模轉(zhuǎn)換器￠40156^156^ 156 3，放大器158，發(fā)射器160，多個MPS傳感器162P1622、1623和162 N，多個模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC) 16七、1642、1643和164 N，以及傳感器接P 166。
[0069]發(fā)射器接口 152連接至位置和方向處理器150以及查找表單元151、1542和154 3。DAC單元156P 1562和156 3連接至查找表單元154 P 1542和154 3中相應(yīng)的一個和放大器158。放大器158進(jìn)一步連接至發(fā)射器160。發(fā)射器160還被標(biāo)記為TX。MPS傳感器162ρ1622、1623和162 1<還被分別被標(biāo)記為RX P RX2、RX3和RX Ν。模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC) 164^164^164^16\分別連接至傳感器162ρ1622、162#Ρ 162nW及傳感器接口 166。傳感器接口 166還連接至位置和方向處理器150。
[0070]查找表單元151、1542和154 3中的每一個生成循環(huán)的數(shù)字序列并且提供給相應(yīng)的DAC單元156^156^^ 156 3，相應(yīng)的DAC單元156^156#^ 156 3繼而將其轉(zhuǎn)化成相應(yīng)的模擬信號。每一個模擬信號與不同的空間軸有關(guān)。在本不例中，查找表154jP DAC單元156 1生成針對X軸的信號，查找表1542和DAC單元156 2生成針對Y軸的信號，而查找表154 3和DAC單元1563生成針對Z軸的信號。
[0071]DAC單元156^156# 156 3將它們各自的模擬信號提供給放大器158，放大器158將信號放大并且把放大的信號提供給發(fā)射器160。發(fā)射器160提供可以被MPS傳感器1621、1622、1623和162 N檢測的多軸電磁場。MPS傳感器162 ^ 1622、1623和162 的每一個檢測電磁場、產(chǎn)生相應(yīng)的電模擬信號并將其提供給連接至它的相應(yīng)的ADC單元164ρ1642、1643和164n。ADC單元161、1642、1643和164 Ν中的每一個將饋送至它的模擬信號數(shù)字化，將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字序列并且提供給傳感器接口 166，該傳感器接口 166繼而將該數(shù)字序列提供給位置和方向處理器150。位置和方向處理器150分析所接收的數(shù)字序列，從而確定MPS傳感器162^162^162#^ 162 Ν的每一個的位置和方向。位置和方向處理器150進(jìn)一步確定失真情況并相應(yīng)地更新查找表151、1542和154 3。
[0072]應(yīng)當(dāng)理解，上述系統(tǒng)10，特別是主電子控制單元12，可以包括本領(lǐng)域公知的傳統(tǒng)的處理裝置，其能夠執(zhí)行存儲在相關(guān)存儲器中的預(yù)編程指令，其全部都根據(jù)本文所述的功能實(shí)施。這種電子控制單元還可以是具有R0M、RAM兩者的類型、非易失和易失(可修改的)存儲器的組合，以使得任意的軟件可以被存儲，并且仍然允許動態(tài)生成的數(shù)據(jù)和/或信號的存儲和處理。
[0073]雖然上文僅以一定程度的特殊性描述了特定實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不背離本發(fā)明的范圍的前提下對所公開的實(shí)施例做出多種變形。連接參考(例如，附接、耦合、連接等)可以被廣義地解釋并且可以包括元件的連接之間的中間構(gòu)件和元件之間的相對移動。這樣，連接參考不必須指兩個元件直接連接/耦合以及彼此之間是固定關(guān)系。此夕卜，術(shù)語“電連接”和“通信”也意于被廣義地解釋成包含有線和無線連接和通信。包含在以上說明書中或附圖中所示出的所有事物都應(yīng)該解釋為僅示例性的而非限制性的。在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的情況下，可以作出細(xì)節(jié)或結(jié)構(gòu)的改變。
[0074]所述的通過引用包含于此的任何專利、公布或其他公開材料的全部或一部分僅以所包含的材料不與本發(fā)明所述的現(xiàn)有定義、陳述或其他公開材料沖突的程度包含在本文中。這樣，并以所需的程度，本文所明確描述的發(fā)明排除了通過引用包含在本文中的任何沖突材料。所述的通過引用包含于此但是與本文所述的現(xiàn)有定義、陳述或其他公開材料沖突的任何材料，或其一部分，僅僅以所包含的材料和現(xiàn)有的公開材料之間不會發(fā)生沖突的程度被包含。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種裝置，包括: 基底；以及 位于所述基底上的雙絞線導(dǎo)體，所述雙絞線導(dǎo)體包括: 包含導(dǎo)電材料的第一層，所述導(dǎo)電材料具有被多個間隙分隔的多個區(qū)段； 包含非導(dǎo)電材料的第二層，所述非導(dǎo)電材料位于所述間隙中并且電絕緣所述區(qū)段的位于所述間隙內(nèi)的部分；以及 包含位于所述第二層上的導(dǎo)電材料的第三層，所述第三層將一個區(qū)段的一端電連接至另一個區(qū)段的一端； 其中，所述導(dǎo)體被電隔離并且包括絞合配置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括至少一個非導(dǎo)電材料層，其中，所述雙絞線導(dǎo)體的中間部分是電絕緣的。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，還包括圍繞所述中間部分的多個導(dǎo)電材料層，以及其中，所述多個層被配置為電屏蔽所述雙絞線導(dǎo)體。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述基底是醫(yī)療設(shè)備的細(xì)長管狀構(gòu)件。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述雙絞線導(dǎo)體從所述細(xì)長管狀構(gòu)件的遠(yuǎn)端附近延伸至近端附近。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述基底是附接至醫(yī)療設(shè)備的對象。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述對象附接至所述醫(yī)療設(shè)備的腔的內(nèi)壁。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述區(qū)段具有正弦形狀。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括多個所述雙絞線導(dǎo)體。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括線圈，所述線圈包括: 包含一段螺旋纏繞的導(dǎo)電材料的線圈層，其中，所述線圈層包括一個具有第一端和第二端的連續(xù)電路，所述第一端和第二端電連接至所述雙絞線導(dǎo)體。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，還包括磁穿透材料的芯，所述線圈層延伸通過圍繞所述芯螺旋的路徑。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中，所述線圈包括多個所述線圈層，每個所述線圈層被絕緣層分隔，所述絕緣層包含被配置用于電隔離相鄰的線圈層的非導(dǎo)電墨水。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，還包括多個所述雙絞線導(dǎo)體，其中每個所述線圈層的所述第一端和第二端電連接至分離的所述雙絞線導(dǎo)體。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括多個接觸環(huán)，所述接觸環(huán)包括導(dǎo)電材料層，其中，每個接觸環(huán)電連接至所述雙絞線導(dǎo)體的電路中的一個，并且所述接觸環(huán)被配置為能夠可操作地連接至控制單元。15.一種裝置，包括: 基底；以及 位于所述基底上的電路層，所述電路層包括: 包含導(dǎo)電材料的導(dǎo)體層；以及 包含下絕緣層和上絕緣層的絕緣體，其中所述導(dǎo)體層位于所述下絕緣層和所述上絕緣層之間；以及 包含下屏蔽層和上屏蔽層的屏蔽體，其中所述電路層位于所述下屏蔽層和所述上屏蔽層之間。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，還包括多個所述電路層，所述多個所述電路層位于所述下屏蔽層和所述上屏蔽層之間。17.用于制造醫(yī)療設(shè)備的電力基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括: 在所述醫(yī)療設(shè)備的表面上以預(yù)定模式印刷包含導(dǎo)電材料的基層； 直接在所述導(dǎo)電材料的第一層的一部分上印刷包含非導(dǎo)電材料的掩蔽層；以及 直接在所述基層的一部分和所述掩蔽層的一部分上印刷包含導(dǎo)電材料的橋接層。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述基層的所述預(yù)定模式包括多個正弦形區(qū)段，其中每個正弦形區(qū)段不與其他正弦形區(qū)段接觸。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述導(dǎo)電材料的掩蔽層將一個正弦形區(qū)段的一端連接至另一正弦形區(qū)段的一端，形成絞合配置的兩個電分離的電路。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，還包括印刷上隔離層和下隔離層，其中，所述上隔離層和下隔離層圍繞包含所述基層、所述掩蔽層、和所述橋接層的雙絞線導(dǎo)體。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，還包括印刷上屏蔽層和下屏蔽層，其中所述上屏蔽層和所述下屏蔽層圍繞包含所述下隔離層、所述基層、所述掩蔽層、所述橋接層、和所述上隔離層的絕緣雙絞線導(dǎo)體。
【專利摘要】公開了一種用于傳輸電信號的裝置。所述裝置包括基底和位于所述基底上的雙絞線導(dǎo)體。所述雙絞線導(dǎo)體包括包含導(dǎo)電材料的第一層、包含非導(dǎo)電材料的第二層、以及包含導(dǎo)電材料的第三層。所述第一層具有被多個間隙分隔的多個區(qū)段。所述第二層位于所述間隙內(nèi)并且電絕緣所述區(qū)段的位于所述間隙內(nèi)的部分。所述第三層位于所述第二層上。所述第三層被配置為將一個區(qū)段的一端電連接至另一區(qū)段的一端。由三維結(jié)構(gòu)形成的所述雙絞線導(dǎo)體包括兩個彼此絞合的電隔離導(dǎo)體。
【IPC分類】H05K3/46, A61B5/0402, H05K1/02, A61B5/06, A61B6/12
【公開號】CN104918548
【申請?zhí)枴緾N201480004517
【發(fā)明人】L·索比
【申請人】麥迪蓋德有限公司
【公開日】2015年9月16日
【申請日】2014年1月27日
【公告號】EP2897525A2, US9101046, US20140209372, WO2014118686A2, WO2014118686A3