導(dǎo)電體及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及含有銀納米線的透明導(dǎo)電膜與金屬膜之間的密合性。
【背景技術(shù)】
[0002] 專利文獻(xiàn)1中公開了在基板上形成有銀納米線透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電體。
[0003] 然而，銀納米線被分散在透明導(dǎo)電膜內(nèi)（專利文獻(xiàn)1 [0053]、[0054]、[0103]、 [0104]等）。如此，為了確保分散性，銀納米線被保持在透明樹脂內(nèi)，透明導(dǎo)電膜的表面實 質(zhì)上成為有機膜。
[0004] 因此，產(chǎn)生了如下問題；在透明導(dǎo)電膜上進(jìn)行金屬膜的成膜時，透明導(dǎo)電膜與金屬 膜之間的密合性不足，金屬膜容易剝離。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)1 ;日本特開2010-507199號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[000引發(fā)明所要解決的課題
[0009] 本發(fā)明旨在解決上述現(xiàn)有的課題，目的尤其在于提供能夠提高透明導(dǎo)電膜與金屬 膜之間的密合性的導(dǎo)電體及其制造方法。
[0010] 用于解決課題的手段
[0011] 本發(fā)明的導(dǎo)電體的特征在于，具有：
[0012] 基材、
[0013] 形成于上述基材上的含有銀納米線的透明導(dǎo)電膜、和
[0014]W至少一部分重疊在上述透明導(dǎo)電膜上的方式形成的金屬膜，
[0015] 在上述透明導(dǎo)電膜與上述金屬膜重疊的部分具有緩沖膜，所述緩沖膜對上述透明 導(dǎo)電膜和上述金屬膜均具有密合性，并且不阻礙上述透明導(dǎo)電膜和上述金屬膜之間的導(dǎo) 通。
[0016] 另外，本發(fā)明的導(dǎo)電體的制造方法的特征在于，具有：
[0017] 在形成于基材上的含有銀納米線的透明導(dǎo)電膜上形成緩沖膜的工序，所述緩沖膜 具有與上述透明導(dǎo)電膜的密合性和與在下一工序中形成的金屬膜的密合性，并且不阻礙上 述透明導(dǎo)電膜和上述金屬膜之間的導(dǎo)通；和
[0018] 在上述緩沖膜上形成上述金屬膜的至少一部分的工序。
[0019] 根據(jù)本發(fā)明，通過使與透明導(dǎo)電膜和金屬膜均具有密合性且不阻礙透明導(dǎo)電膜和 金屬膜之間的導(dǎo)通的緩沖膜介于透明導(dǎo)電膜和金屬膜之間，可W維持透明導(dǎo)電膜和金屬膜 之間的良好導(dǎo)通性并且使密合性提高。
[0020] 另外，本發(fā)明中，上述緩沖膜優(yōu)選由透明金屬氧化物形成。上述透明金屬氧化物優(yōu) 選為ITO。由此，可W有效提高透明導(dǎo)電膜和金屬膜之間的密合性。
[0021] 另外，本發(fā)明中，優(yōu)選在對上述透明導(dǎo)電膜的上表面進(jìn)行逆瓣射后，在上述上表面 形成上述緩沖膜。目P，優(yōu)選上述透明導(dǎo)電膜的上表面為逆瓣射面，上述緩沖膜形成于上述逆 瓣射面上。由此，可W更有效地提高透明導(dǎo)電膜和金屬膜之間的密合性。
[0022] 或者，本發(fā)明中，上述緩沖膜優(yōu)選為具備可分別與上述透明導(dǎo)電膜和上述金屬膜 鍵合的官能團的有機物。此時，上述有機物優(yōu)選為具有烷氧基和琉基或者具有烷氧基和疊 氮基的=嗦化合物。
[0023] 另外，上述=嗦化合物優(yōu)選為化學(xué)式5或化學(xué)式6所示的結(jié)構(gòu)。
[0024][化學(xué)式引
[0025]
[002引由此，可W有效提高透明導(dǎo)電膜和金屬膜之間的密合性。
[0029] 另外，本發(fā)明中，優(yōu)選對上述緩沖膜實施熱處理工序。由此，可W更有效地提高透 明導(dǎo)電膜和金屬膜之間的密合性。
[0030] 發(fā)明效果
[0031] 根據(jù)本發(fā)明，通過使與透明導(dǎo)電膜和金屬膜均具有密合性且不阻礙透明導(dǎo)電膜和 金屬膜之間的導(dǎo)通的緩沖膜介于透明導(dǎo)電膜和金屬膜之間，可W維持透明導(dǎo)電膜和金屬膜 之間的良好導(dǎo)通性并且使密合性提高。
【附圖說明】
[003引圖1(a)化）是本實施方式中的導(dǎo)電體的縱截面圖，圖1(c)是將導(dǎo)電體的一部分放 大顯示的示意圖。
[0033] 圖2是表示本實施方式中的導(dǎo)電體的制造方法的一個工序圖（縱截面圖）。
[0034] 圖3是圖2之后進(jìn)行的一個工序圖（縱截面圖）。
[0035] 圖4是圖3之后進(jìn)行的一個工序圖（縱截面圖）。
[0036] 圖5是圖4之后進(jìn)行的一個工序圖（縱截面圖）。
[0037] 圖6是圖5之后進(jìn)行的一個工序圖（縱截面圖）。
【具體實施方式】
[003引圖1(a)是本實施方式中的導(dǎo)電體的縱截面圖。
[0039]圖1 (a)所示的導(dǎo)電體1的構(gòu)成具有逸明基材2;在透明基材2的上表面2a形成 的透明導(dǎo)電膜3;形成于透明導(dǎo)電膜3上的緩沖膜4;和形成于緩沖膜4上的金屬膜5。
[0040] 導(dǎo)電體1既可W是具備可提性的膜狀，也可W是剛性高的板狀、面板狀。
[0041] 需要說明的是，在該說明書中，"透明"、"透光性"是指可見光透光率為50%W上 (優(yōu)選為80 %W上）的狀態(tài)。
[0042] 圖1(a)中，透明導(dǎo)電膜3在透明基材2上被圖案化形成為透明電極形狀。透明導(dǎo) 電膜3既可W如圖1 (a)那樣被圖案化而局部地形成在透明基材2上，也可W形成于透明基 材2的整個上表面2a。另外，在圖1(a)所示的縱截面的位置，各透明導(dǎo)電膜3呈現(xiàn)分離的 狀態(tài)，而在未圖示的位置可W形成一體地、或者經(jīng)由其它導(dǎo)電膜進(jìn)行電連接的形態(tài)。
[0043] 圖1(a)所示的導(dǎo)電體1的用途沒有限定。例如導(dǎo)電體1可用作輸入顯示裝置的 一部分。例如在導(dǎo)電體1的下方配置液晶顯示器等，圖1(a)所示的透明導(dǎo)電膜3之中未配 置金屬膜5的中央部分為輸入顯示部分。由此，位于中央部分的透明導(dǎo)電膜3是用于使與 例如手指等操作體之間產(chǎn)生靜電容量變化的透明電極。另外，位于圖1(a)的兩側(cè)部分的在 透明導(dǎo)電膜3上重疊有金屬膜5的部分是非顯示區(qū)域，例如構(gòu)成與中央部分的透明電極電 連接的配線部。
[0044] 也可W設(shè)成在圖1(a)所示的導(dǎo)電體1的表面隔著未圖示的透明粘接層配置有顯 示面板的形態(tài)。另外，也可W將圖1(a)所示的透明基材2的下表面?zhèn)仍O(shè)為輸入操作面。
[0045] 圖1 (a)所示的透明基材2由聚對苯二甲酸己二醇醋牌T)等膜狀的透明基材、玻 璃基材等形成。透明基材2的材質(zhì)沒有特別限定。另外，圖1(a)中雖然使用了透明基材2， 但是也可W使用非透明的、例如半透明的基材。
[0046] 圖1(a)所示的透明導(dǎo)電膜3是含有銀納米線的透明導(dǎo)電膜。如圖1(c)所示，銀 納米線6是由銀或銀合金構(gòu)成的線狀結(jié)構(gòu)體。如圖1(c)所示，銀納米線6分散存在于透明 的樹脂層7中，由于銀納米線6彼此W其一部分進(jìn)行接觸，因而保持了面內(nèi)的導(dǎo)電性。
[0047] 如圖1(C)所示，銀納米線6被分散在透明的樹脂層7中。通過樹脂層7確保了銀 納米線6的分散性。對樹脂層7的材質(zhì)沒有特別限定，例如樹脂層7為聚醋樹脂、丙締酸類 樹脂、聚氨醋樹脂等。
[0048] 如圖1(a)所示，透明導(dǎo)電膜3之中，在位于透明基材2的兩側(cè)部分的透明導(dǎo)電膜 3上隔著緩沖膜4形成有金屬膜5。緩沖膜4與透明導(dǎo)電膜3和金屬膜5均具有密合性，其 是不阻礙透明導(dǎo)電膜3和金屬膜5之間的導(dǎo)通的中間膜。
[0049] 金屬膜5例如為化膜。緩沖膜4尤其能夠提高該金屬膜5和含有銀納米線的透 明導(dǎo)電膜3之間的密合性。需要說明的是，對金屬膜5的材質(zhì)沒有特別限定，除化W外還 可!^選擇41、43、411、化等。
[0050] 圖1(a)中，僅在透明導(dǎo)電膜3和金屬膜5之間設(shè)置了緩沖膜4,但是也可W如圖 1化）所示，緩沖膜4殘留于不重疊金屬膜5的透明導(dǎo)電膜3的上表面。根據(jù)后述的制造方 法，能夠經(jīng)由蝕刻工序?qū)⒉恢丿B金屬膜5的緩沖膜4的部分除去，或者也可W通過所使用的 蝕刻液等蝕刻條件使未重疊有金屬膜5的部分的緩沖膜4殘留于透明導(dǎo)電膜3的上表面。 此時，緩沖膜4是非常薄的透明膜，因此即便緩沖膜4殘留在透明導(dǎo)電膜3上，也可W確保 良好的透光性。
[0化1] 緩沖膜4優(yōu)選為透明金屬氧化物。透明金屬氧化物可W使用ITO(IndiumTin Oxide)、化0、Sn化等無機透明導(dǎo)電材料，其中特別優(yōu)選選擇ITO。由此，可W有