1.一種可降解的腦膜修復(fù)材料，其特征在：所述腦膜修復(fù)材料包括設(shè)有孔隙的細(xì)菌纖維素膜；
所述細(xì)菌纖維素膜為通過(guò)氧化處理將C6位羥基氧化為羧基的氧化細(xì)菌纖維素。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的腦膜修復(fù)材料，其特征在于：所述腦膜修復(fù)材料的厚度為0.1mm～3mm；
所述腦膜修復(fù)材料的一面孔隙的孔徑為納米級(jí)至微米級(jí)，另一面孔隙的孔徑為微米級(jí)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的腦膜修復(fù)材料，其特征在于：所述腦膜修復(fù)材料的孔隙包括多層，其孔徑大小可由所述腦膜修復(fù)材料的一面至另一面遞減。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的腦膜修復(fù)材料，其特征在于：所述腦膜修復(fù)材料一面孔隙的孔徑為0nm～10μm，但不包括0；
另一面孔隙的孔徑為50～500μm。
5.權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的腦膜修復(fù)材料的制備方法，包括如下步驟：(1)在所述細(xì)菌纖維素膜上制備所述孔隙，得到設(shè)有孔隙的細(xì)菌纖維素膜；
(2)經(jīng)步驟(1)得到的所述設(shè)有孔隙的細(xì)菌纖維素膜進(jìn)行C6位羥基基團(tuán)的氧化反應(yīng)，即得到所述可降解的腦膜修復(fù)材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于：所述孔隙采用梯度模板致孔法；
步驟(1)中還包括將所述設(shè)有孔隙的細(xì)菌纖維素膜依次經(jīng)堿液和表面活性劑中浸泡純化并洗滌的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于：所述梯度模板致孔法按照包括如下步驟：
1)將顆粒大小分別為50～500μm和0～10μm的致孔劑依次鋪展在培養(yǎng)容器的上下層或下上層，2層所述致孔劑按相同厚度鋪展，所述鋪展的總厚度為0.1～3mm；
2)將能夠合成纖維素的菌種接入到相應(yīng)的菌培養(yǎng)液中混合后加入到步驟1)處理中的容器中，培養(yǎng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于：所述致孔劑選自a)-d)中至少一種材料：a)常溫下不熔、40～100℃可熔融的材料；b)酸性條件下可溶解的材料；c)堿性條件下可溶解的材料；d)有機(jī)溶劑可溶解的材料；
所述常溫下不熔、40～100℃可熔融的材料具體包括石蠟、瓊脂和固態(tài)油脂中的至少一種；
所述酸性條件下可溶解的材料具體包括CaCO3、MgCO3、BaCO3和殼聚糖中的至少一種；
所述堿性條件下可溶解的材料具體包括石英；
所述有機(jī)溶劑可溶解的材料具體包括玉米朊；
步驟2)中，所述培養(yǎng)的溫度為10～35℃，時(shí)間為1～30d。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制備方法，其特征在于：所述方法中，步驟(1)中還包括除去所述致孔劑的步驟；
采用加熱熔融、酸溶、堿溶和有機(jī)溶劑溶解中至少一種方法除去所述致孔劑。
10.根據(jù)權(quán)利要求5-9中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于：所述堿液為NaOH、KOH、Na2CO3、K2CO3、Ca(OH)2、Mg(OH)2中至少一種的水溶液；
所述堿液的濃度為0.1～10mol/L；
在所述堿液中浸泡純化并洗滌條件為在0～35℃浸泡20min～24h；
所述表面活性劑為聚乙二醇辛基苯基醚、吐溫-80和吐溫-40中的至少一種的水溶液；
所述表面活性劑的質(zhì)量百分濃度為0.1％～10％；
在所述表面活性劑中浸泡純化并洗滌條件為：在0～35℃浸泡1～100h；
所述氧化反應(yīng)采用的試劑為氯酸鈉、溴酸鈉、亞氯酸鈉、次氯酸鹽、亞硝酸和硝酸鈉的磷酸溶液、NO2和N2O4中的至少一種。