專利名稱：薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置。
背景技術：
隨著顯示技術的不斷進步，用戶對顯示裝置的需求不斷增加，TFT-1XD(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,薄膜場效應晶體管液晶顯示器)也在手機、液晶顯示器、平板電腦等產品中得到了廣泛的應用。此外，隨著顯示裝置的不斷普及，人們對于顯示裝置的色彩質量、對比度、可視角度、響應速度、低功耗的需求也日益增長，于是，OLED (Organic Light-Emitting Diode,薄膜場效應晶體管有機發(fā)光二極管)顯示器也開始逐漸進入了用戶的視野。LTPS-TFT(Low Temperature Polycrystal line Silicon-ThinFilm Transistor,低溫多晶硅薄膜場效應晶體管)由于其低溫多晶硅的原子排列規(guī)則、遷移率高、器件尺寸小且驅動能力高等優(yōu)點，被廣泛用于高分辨率的TFT-LCD和電流型驅動的TFT-OLED中。但是，現(xiàn)有技術在制作LTPS-TFT時，由于需要準分子激光晶化、離子注入、摻雜粒子激活等工藝，通常需要進行8-12次光刻掩膜工藝才能制作完成該LTPS-TFT，因此，在研發(fā)和大規(guī)模量產上耗時時間長，并且工藝難于控制，制作成本較高。

發(fā)明內容
本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，能夠減少制作LTPS-TFT所需的光刻掩膜工藝的次數(shù)，縮短研發(fā)和大規(guī)模量產的時間，降低工藝復雜度和監(jiān)控難度，并降低制作成本。為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案:本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括:在基板上形成對應于有源層區(qū)域及存儲電容下電極區(qū)域的多晶硅層；采用一次構圖工藝和一次摻雜工藝形成有源層重摻雜區(qū)和存儲電容下電極。所述在所述多晶硅層上形成掩膜層之前，所述方法還包括: 在所述多晶硅層上形成柵絕緣層。所述在形成有源層及存儲電容下電極之后，所述方法還包括:在所述柵絕緣層上形成柵極和存儲電容上電極；在所述柵極和存儲電容上電極上形成絕緣層；處理所述基板， 以使得所述有源層及存儲電容下電極發(fā)生離子激活反應和氫化反應。所述在所述有源層及存儲電容下電極發(fā)生離子激活反應和氫化反應之后，所述方法還包括:在所述絕緣層上形成有機平坦層；
在所述有機平坦層、絕緣層和柵絕緣層內形成過孔；在所述有機平坦層上形成像素電極層。所述方法還包括: 在所述像素電極層上形成像素定義層。所述方法還包括:采用一次構圖工藝和摻雜工藝在所述有源層形成輕摻雜區(qū)域。所述在基板上形成對應于有源層區(qū)域及存儲電容下電極區(qū)域的多晶硅層的方法，具體包括:在所述基板上形成非晶硅薄膜；將所述非晶硅薄膜轉化為多晶硅薄膜；形成所述對應于有源層區(qū)域及存儲電容下電極區(qū)域的多晶硅層。將所述非晶硅薄膜轉化為多晶硅薄膜的方法，具體包括:采用準分子激光晶化工藝、金屬誘導晶化工藝、固相晶化工藝中一種或多種的組合，將所述非晶硅薄膜轉化為多晶硅薄膜。本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管，包括:基板；設置于所述基板上的有源層及電容下電極，所述有源層的重摻雜區(qū)域與所述電容下電極的材料相同。所述薄膜晶體管還包括:設置于所述多晶硅層上的柵絕緣層。所述薄膜晶體管還包括:設置于所述柵絕緣層上的柵極和存儲電容上電極；設置于所述柵極和存儲電容上電極上的絕緣層。所述薄膜晶體管還包括:設置于所述絕緣層上的有機平坦層；所述有機平坦層、絕緣層和柵絕緣層內形成有過孔； 設置于所述有機平坦層上的像素電極。所述薄膜晶體管還包括:設置于所述像素電極層上的像素定義層。所述薄膜晶體管的有源層還包括輕摻雜區(qū)域。本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括具有上述任一特征的薄膜晶體管。本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括具有上述任一特征的陣列基板。本發(fā)明實施例所提供的薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，薄膜晶體管的制作方法包括在基板上形成對應于有源層區(qū)域及存儲電容下電極區(qū)域的多晶硅層，采用一次構圖工藝和一次摻雜工藝形成有源層重摻雜區(qū)和存儲電容下電極。通過該方案，由于采用一次構圖工藝和一次摻雜工藝形成有源層重摻雜區(qū)和存儲電容下電極，與現(xiàn)有技術相比減少了制作LTPS-TFT所需的構圖工藝的次數(shù)，縮短了研發(fā)和大規(guī)模量產的時間，降低了工藝復雜度和監(jiān)控難度，并降低了制作成本。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法流程圖一；圖2為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖一；圖3為本發(fā)明實施例提供的在基板上形成對應于有源層區(qū)域及存儲電容下電極區(qū)域的多晶硅層的方法流程圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖二；圖5為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖三；圖6為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖四；圖7為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖五；圖8為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖六；圖9為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖七；圖10為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖八；圖11為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖九；圖12為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖十；圖13為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖十一；圖14為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖十二；圖15為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖十三；圖16為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法流程圖二 ；圖17為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖十四；圖18為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖十五；圖19為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖十六。
具體實施例方式下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。需要說明的是:本發(fā)明的“上” “下”只是參考附圖對本發(fā)明進行說明，不作為限定用語。本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括:在基板上形成對應于有源層區(qū)域及存儲電容下電極區(qū)域的多晶硅層；采用一次構圖工藝和一次摻雜工藝形成有源層重摻雜區(qū)和存儲電容下電極。具體包括:在多晶硅層上形成掩膜層；對掩膜層進行曝光后，去除對應于有源層區(qū)域的源極、漏極以及存儲電容下電極區(qū)域上方的掩膜層；采用離子注入等摻雜工藝，將離子注入有源層摻雜區(qū)域以及存儲電容下電極區(qū)域對應的多晶硅層中，以形成有源層及存儲電容下電極。如圖1所示，本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的制作方法，該方法包括:SlOl、在基板上沉積緩沖層。如圖2所示，在經過預先清洗的基板100上，以PECVD(PlasmaEnhancedChemical Vapor Deposition,等離子體增強化學氣相沉積)、LPCVD (LowPressure Chemical Vapor Deposition,低壓化學氣相沉積)、APCVD (AtmosphericPressure Chemical VaporDeposition,大氣壓化學氣相沉積)、ECR-CVD (ElectronCyclotronResonance-Chemical Vapor Deposition,電子回旋諧振化學氣相沉積)或者灘射等方法形成緩沖層101，以阻擋基板100中所含的雜質擴散進入有源層中，防止對TFT元件的閾值電壓和漏電流等特性產生影響。需要補充的是，緩沖層101的材料為氧化硅和/或氮化硅，即緩沖層101可以為單
層的氧化硅、氮化硅或者二者的疊層。進一步地，緩沖層101厚度可以在300埃至10000埃的范圍內，優(yōu)選地，緩沖層101的厚度可以在500埃至4000埃的范圍內，并且，沉積緩沖層101的溫度在不大于600°C，SP沉積溫度600°C或更低溫度下。需要補充的是，由于傳統(tǒng)的堿性玻璃中鋁、鋇、鈉等金屬雜質的含量較高，在高溫處理工藝中容易發(fā)生金屬雜質的擴散，因此，基板101可以優(yōu)選為無堿玻璃基板。需要說明的是，在基板上可選擇性的形成緩沖層，為避免玻璃基板中的雜質影響多晶硅層，本實施例中優(yōu)選在基板上形成緩沖層。S102、在緩沖層上形成對應于有源層區(qū)域及存儲電容下電極區(qū)域的多晶硅層。示例性的，如圖3所示，在緩沖層101上形成對應于有源層102區(qū)域及存儲電容下電極103區(qū)域的多晶硅層的方法具體可以包括S201至S203:S201、在緩沖層上形成非晶硅薄膜。如圖4所示，在緩沖層101沉積非晶硅薄膜，沉積非晶硅薄膜的方法可以為PECVD、LPCVD, APCVD, ECR-CVD或者濺射等方法，并且，沉積非晶硅薄膜的溫度在不大于600°C，SP沉積溫度600°C或更低溫度下。S202、將非晶硅薄膜轉化為多晶硅薄膜。在緩沖層101沉積非晶硅薄膜后，采用晶化工藝，將非晶硅薄膜轉化為多晶硅薄膜。其中，采用晶化工藝，將非晶硅薄膜轉化為多晶硅薄膜的方法，具體包括:采用準分子激光晶化工藝、金屬誘導晶化工藝、固相晶化工藝中一種或多種的組合，將非晶硅薄膜轉化為多晶硅薄膜。需要說明的是，采用不同的晶化工藝，在制作薄膜晶體管時的工藝過程會有所不同，需要根據(jù)具體情況增加熱處理脫氫、沉積誘導金屬、熱處理晶化、源漏區(qū)的摻雜及摻雜雜質的激活等工藝，本發(fā)明不做限制。S203、形成對應于有源層區(qū)域及存儲電容下電極區(qū)域的多晶硅層。如圖5所示，采用晶化工藝，將非晶硅薄膜轉化為多晶硅薄膜后，采用構圖工藝，形成對應于有源層102區(qū)域及存儲電容下電極103區(qū)域的多晶硅層。其中，構圖工藝具體包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕光刻膠去除等步驟，刻蝕工藝可以為等離子刻蝕、反應離子刻蝕、電感耦合等離子體刻蝕等干法刻蝕方法，刻蝕氣體可以為含氟、氯的氣體，如CF4、CHF3、SF6、CC12F2氣體，也可以為上述氣體與02的混合氣體。需要補充的是，有源層102及存儲電容下電極103的厚度可以在100埃至3000埃的范圍內，優(yōu)選地，有源層102及存儲電容下電極103的厚度可以在500埃至1000埃的范圍內。S103、在多晶硅層上形成柵絕緣層。如圖6所示，采用PECVD、LPCVD、APCVD、ECR-CVD或者濺射等方法，在多晶硅層上形成柵絕緣層104，以使得在形成源極和漏極時，不會破壞有源層102，從而影響薄膜晶體管的性能，并且，沉積柵絕緣層104的溫度在不大于600°C，即沉積溫度600°C或更低溫度下。其中，柵絕緣層104的厚度能夠根據(jù)薄膜晶體管的具體設計進行適應性改變，通常的，柵絕緣層104的厚度可以在500埃至2000埃的范圍內，優(yōu)選地，柵絕緣層104的厚度可以在600埃至1500埃的范圍內。柵絕緣層104的材料為氧化硅和/或氮化硅，即柵絕緣層104可以為單層的氧化硅、氮化硅或者二者的疊層。S104、在柵絕緣層上形成掩膜層。如圖7所示，在柵絕緣層104上，采用PECVD、LPCVD, APCVD, ECR-CVD或者濺射等方法形成掩膜層105。S105、對掩膜層進行曝光后，去除對應于有源層摻雜區(qū)域以及存儲電容下電極區(qū)域上方的掩膜層。如圖8所示，在柵絕緣層104上形成掩膜層105后，對掩膜層進行曝光后，去除對應于有源層102區(qū)域的源極1020、漏極1021以及電容下電極103區(qū)域上方的掩膜層105。S106、采用離子注入等摻雜工藝，將離子注入有源層摻雜區(qū)域以及存儲電容下電極區(qū)域對應的多晶硅層中，以形成有源層摻雜區(qū)域及存儲電容下電極。如圖9所示，采用離子注入工藝，將離子注入有源層重摻雜區(qū)域1020、1021以及存儲電容下電極103區(qū)域對應的多晶硅層中，以形成有源層102及存儲電容下電極103。其中，離子注入工藝可以采用具有質量分析儀的離子注入工藝、不具有質量分析儀的離子云式注入工藝、等離子注入工藝或者固態(tài)擴散式注入工藝。優(yōu)選地，離子注入工藝為離子云式注入工藝，對有源層重摻雜區(qū)域1020、1021以及存儲電容下電極103區(qū)域對應的多晶硅層進行重劑量注入以形成有源層重摻雜區(qū)1020、1021和存儲電容下電極103。需要補充的是，根據(jù)用戶需要，在制作薄膜晶體管時，可以采用含硼或者磷元素的氣體進行離子注入工藝，已形成P溝道型薄膜晶體管或N溝道型薄膜晶體管。例如，以重量百分比在5%至15%范圍內的B2H6和重量百分比在85%至95%范圍內的H2的混合氣體作為注入氣體，離子注入的能量為10千電子伏至200千電子伏，優(yōu)選地，離子注入的能量為40千電子伏至100千電子伏。每立方厘米的離子注入劑量為IX 1011至I X 1020個，優(yōu)選地，每立方厘米的離子注入劑量為I X 1013至8 X 1015個?；蛘撸灾亓堪俜直仍? %至15 %范圍內的PH3/H2的混合氣體作為離子注入時采用的氣體，其實施方式與上述B2H6和重量百分比在85 %至95 %范圍內的H2的混合氣體作為注入氣體，同樣可以起到形成有源層重摻雜區(qū)1020、1021和存儲電容下電極103的效果。
需要說明的是，在形成有源層重摻雜區(qū)之后，為提高TFT的性能，也可以在增加一步構圖工藝和摻雜工藝，在兩個重摻雜區(qū)內側各形成一個輕摻雜區(qū)域，形成五區(qū)的LTPS-TFT。S107、剝離掩膜層。如圖10所示，當采用離子注入工藝，將離子注入有源層重摻雜區(qū)域1020、1021以及存儲電容下電極103區(qū)域對應的多晶硅層中，以形成有源層重摻雜區(qū)102及存儲電容下電極103之后，灰化剝離掩膜層105。S108、在柵絕緣層上形成柵極和存儲電容上電極。如圖11所示，在形成有源層102及存儲電容下電極103之后，采用濺射、熱蒸發(fā)、PECVD、LPCVD、APCVD或ECR-CVD等方法，在柵絕緣層104上形成一層金屬層，采用濕法刻蝕或干法刻蝕的方法，形成柵極106和存儲電容上電極107。其中，柵極106和存儲電容上電極107的材料選用金屬、金屬合金等導電材料,柵極106和存儲電容上電極107的厚度可以在1000埃至8000埃的范圍內，優(yōu)選地，柵極106和存儲電容上電極107的厚度可以在2500埃至4000埃的范圍內。S109、在柵極和存儲電容上電極上形成絕緣層。如圖12所示，在柵極106和存儲電容上電極107上，采用濺射、PECVD、LPCVD、APCVD或ECR-CVD等方法，形成絕緣層108，其中，絕緣層108的厚度可以在3000埃至9000埃的范圍內，優(yōu)選地，絕緣層108的厚度可以在4000埃至6000埃的范圍內。需要補充的是，絕緣層108的材料為氧化硅和/或氮化硅，即絕緣層108可以為單
層的氧化硅、氮化硅或者二者的疊層。S110、處理有源層及存儲電容下電極，以使得有源層重摻雜區(qū)及存儲電容下電極發(fā)生離子激活反應和氫化反應。具體可以采用退火工藝處理有源層102及存儲電容下電極103，以使得有源層102及存儲電容下電極103發(fā)生離子激活反應和氫化反應。退火工藝可以選擇RTA(RapidThermal Annealing,快速熱退火)、ELA (Excimer Laser Annealer,準分子激光退火)或爐退火工藝。例如，采用爐退火工藝，在400至600的溫度下，退火氣氛為氮氣、氫氣或者真空中，退火0.5小時至10小時。相應的，若退火的溫度較高，則退火時間可以縮短至2小時以下。本發(fā)明提供的薄膜晶體管的制作方法，只用進行一次退火就可同時實現(xiàn)離子激活反應和氫化反應。離子激活反應和氫化能夠使源極1020、漏極1021和存儲電容下電極103內的離子從不規(guī)則排列變?yōu)橐?guī)則排列，提高了薄膜晶體管的導電性，改善了薄膜晶體管的性能。需要說明的是，SllO只要放在S107之后進行就可以達到離子激活反應和氫化反應的目的，但是由于絕緣層108的材料中含有氫元素，能夠直接為有源層102和存儲電容下電極103提供氫化反應所需的氫元素，節(jié)省了資源，所以將退火工藝放在形成絕緣層108的S109之后。Slll、在絕緣層上形成有機平坦層。如圖13所示，在絕緣層108上形成有機平坦層109。平坦層109的材料選用亞克力材料，且平坦層109的厚度可以在8000埃至20000埃的范圍內。
S112、在有機平坦層、絕緣層和柵絕緣層內形成過孔。如圖14所示，在絕緣層108上形成有機平坦層109后，在有機平坦層109、絕緣層108和柵絕緣層104內形成過孔1000。形成過孔的方法可以選擇等離子刻蝕、反應離子刻蝕、電感耦合等離子體刻蝕等干法刻蝕方法，刻蝕氣體可以選擇含氟、氯的氣體，如CF4、CHF3、SF6、CC12F2等氣體，或者上述氣體與02的混合氣體。S113、在有機平坦層上形成像素電極。如圖15所示，在有機平坦層109、絕緣層108和柵絕緣層104內形成過孔1000后，采用濺射、熱蒸發(fā)、PECVD, LPCVD, APCVD, ECR-CVD等方法，在有機平坦層109上形成一層透明導電層，采用濕法刻蝕或干法刻蝕的方法，形成像素電極110。其中，像素電極110的厚度為可以在1000埃至8000埃的范圍內，優(yōu)選地，像素電極110的厚度為可以在1500埃至4000埃的范圍內。本發(fā)明實施例所提供的薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，薄膜晶體管的制作方法包括在基板上形成對應于有源層區(qū)域及存儲電容下電極區(qū)域的多晶硅層，采用一次構圖工藝和一次摻雜工藝形成有源層重摻雜區(qū)和存儲電容下電極。通過該方案，由于采用一次構圖工藝和一次摻雜工藝形成有源層重摻雜區(qū)和存儲電容下電極，與現(xiàn)有技術相比減少了制作LTPS-TFT所需的構圖工藝的次數(shù)，縮短了研發(fā)和大規(guī)模量產的時間，降低了工藝復雜度和監(jiān)控難度，并降低了制作成本。如圖16所示，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管的制作方法，該方法包括:S301、在基板上沉積緩沖層。S302、在緩沖層上形成對應于有源層區(qū)域及存儲電容下電極區(qū)域的多晶硅層。S303、在多晶硅層上形成柵絕緣層。S304、在柵絕緣層上形成掩膜層。S305、對掩膜層進行曝光后，去除對應于有源層重摻雜區(qū)域以及存儲電容下電極區(qū)域上方的掩膜層。S306、采用離子注入工藝，將離子注入有源層重摻雜區(qū)域以及存儲電容下電極區(qū)域對應的多晶硅層中，以形成有源層重摻雜區(qū)及存儲電容下電極。S307、剝離掩膜層。S308、在柵絕緣層上形成柵極和存儲電容上電極。S309、在柵極和存儲電容上電極上形成絕緣層。S310、采用退火工藝處理有源層及存儲電容下電極，以使得有源層及存儲電容下電極發(fā)生離子激活反應和氫化反應。S311、在絕緣層上形成有機平坦層。S312、在有機平坦層、絕緣層和柵絕緣層內形成過孔。S313、在有機平坦層上形成像素電極。其中，步驟S301至S313與上述實施例中所描述的步驟SlOl至S113完全一致，此處不再贅述。S314、在像素電極上形成像素定義層。如圖17所示，若本發(fā)明實施例所描述的薄膜晶體管的制作方法制作出的薄膜晶體管用于OLED (OrganicLight-Emit ting Diode,有機發(fā)光二極管)顯示裝置,則在有機平坦層109上形成像素電極110之后，在像素電極層110上形成像素定義層111。其中，像素定義層111內有開口 1110，用以放置有機發(fā)光材料。像素定義層111的材料可以為亞克力材料、PI (Polyimide，聚酰亞胺)等材料，像素定義層111的厚度可以在8000埃至25000埃的范圍內。需要說明的是，本發(fā)明實施例所描述的薄膜晶體管的制作方法制作出的薄膜晶體管為“頂柵”結構，即有源層設置于基板與柵絕緣層之間，且柵極形成于柵絕緣層上，本發(fā)明對薄膜晶體管為“底柵”結構，即柵絕緣層覆蓋柵極，且有源層設置于柵絕緣層上也同樣適用，此處不再贅述。本發(fā)明實施例所提供的薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，薄膜晶體管的制作方法包括在基板上形成對應于有源層區(qū)域及存儲電容下電極區(qū)域的多晶硅層，采用一次構圖工藝和一次摻雜工藝形成有源層重摻雜區(qū)和存儲電容下電極。通過該方案，由于采用一次構圖工藝和一次摻雜工藝形成有源層重摻雜區(qū)和存儲電容下電極，與現(xiàn)有技術相比減少了制作LTPS-TFT所需的構圖工藝的次數(shù)，縮短了研發(fā)和大規(guī)模量產的時間，降低了工藝復雜度和監(jiān)控難度，并降低了制作成本。本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管1，如圖18所示，包括:基板100 ；設置于所述基板上的有源層及存儲電容下電極，所述有源層的重摻雜區(qū)域與所述電容下電極的材料相同。具體的，設置于基板100上的有源層102及存儲電容下電極103，有源層102及存儲電容下電極103是通過在設置于基板100上的對應于有源層102區(qū)域及存儲電容下電極103區(qū)域的多晶硅層上形成掩膜層，以及對掩膜層進行曝光后，去除對應于有源層102重摻雜區(qū)域1020、1021以及存儲電容下電極103區(qū)域上方的掩膜層，并且采用摻雜工藝(具體可以為離子注入工藝)，將離子注入有源層重摻雜區(qū)1020、1021以及存儲電容下電極103區(qū)域對應的多晶硅層中得到的。進一步地,薄膜晶體管I還包括:設置于多晶硅層上的柵絕緣層104。進一步地，薄膜晶體管I還包括:設置于柵絕緣層104上的柵極106和存儲電容上電極107 ；設置于柵極106和存儲電容上電極107上的絕緣層108。進一步地,薄膜晶體管I還包括:設置于絕緣層108上的有機平坦層109 ；有機平坦層109、絕緣層108和柵絕緣層104內形成有過孔1000 ；設置于有機平坦層109上的像素電極110。進一步地,薄膜晶體管I還包括:設置于基板100和多晶硅層之間的緩沖層101。本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括基板，設置于所述基板上的有源層及存儲電容下電極，且有源層的重摻雜區(qū)域與所述電容下電極的材料相同。通過該方案，由于在采用離子注入工藝時，一次性將離子注入有源層重摻雜區(qū)域以及存儲電容下電極區(qū)域對應的多晶硅層中，形成了有源層重摻雜區(qū)及存儲電容下電極，與現(xiàn)有技術相比減少了制作LTPS-TFT所需的光刻掩膜工藝的次數(shù)，縮短了研發(fā)和大規(guī)模量產的時間，降低了工藝復雜度和監(jiān)控難度，并降低了制作成本。本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管1，如圖19所示，包括:基板100;設置于所述基板上的有源層及電容下電極，所述有源層的重摻雜區(qū)域與所述電容下電極的材料相同。具體的，設置于基板100上的有源層102及存儲電容下電極103，有源層102及存儲電容下電極103是通過在設置于基板100上的對應于有源層102區(qū)域及存儲電容下電極103區(qū)域的多晶硅層上形成掩膜層，以及對掩膜層進行曝光后，去除對應于有源層102重摻雜區(qū)域1020、1021以及存儲電容下電極103區(qū)域上方的掩膜層，并且采用離子注入工藝，將離子注入有源層重摻雜區(qū)1020、1021以及存儲電容下電極103區(qū)域對應的多晶硅層中得到的。進一步地，薄膜晶體管I還包括:設置于多晶硅層上的柵絕緣層104。進一步地,薄膜晶體管I還包括:設置于柵絕緣層104上的柵極106和存儲電容上電極107 ；設置于柵極106和存儲電容上電極107上的絕緣層108。進一步地,薄膜晶體管I還包括:設置于絕緣層108上的有機平坦層109 ；有機平坦層109、絕緣層108和柵絕緣層104內形成有過孔1000 ；設置于有機平坦層109上的像素電極110。進一步地,薄膜晶體管I還包括:設置于像素電極層110上的像素定義層111。其中，像素定義層111內有開口 1110，用以放置有機發(fā)光材料。進一步地,薄膜晶體管I還包括:設置于基板100和多晶硅層之間的緩沖層101。更進一步地，為提高TFT的性能，薄膜晶體管I的有源層還可以包括輕摻雜區(qū)，具體可以通過在形成有源層重摻雜區(qū)之后，也可以在增加一步構圖工藝和摻雜工藝，在兩個重摻雜區(qū)內側各形成一個輕摻雜區(qū)域，形成五區(qū)的LTPS-TFT。本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括基板，設置于所述基板上的有源層及存儲電容下電極，且有源層的重摻雜區(qū)域與所述存儲電容下電極的材料相同。通過該方案，由于在采用離子注入工藝時，一次性將離子注入有源層重摻雜區(qū)域以及存儲電容下電極區(qū)域對應的多晶硅層中，形成了有源層重摻雜區(qū)及存儲電容下電極，與現(xiàn)有技術相比減少了制作LTPS-TFT所需的光刻掩膜工藝的次數(shù)，縮短了研發(fā)和大規(guī)模量產的時間，降低了工藝復雜度和監(jiān)控難度，并降低了制作成本。本發(fā)明實施例一種陣列基板，包括具有上述實施例所描述的任意特征的薄膜晶體管，該薄膜晶體管與上述實施例完全相同，此處不再贅述。本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括具有上述實施例所描述的陣列基板。該顯示裝置可以為液晶顯示裝置，包括相對平行設置的彩膜基板和上述實施例所提出的陣列基板，以及填充于彩膜基板和陣列基板之間的液晶；該顯示裝置也可以為OLED顯示裝置，包括上述實施例所提出的陣列基板，以及蒸鍍于該陣列基板之上的有機發(fā)光材料及封裝蓋板。本發(fā)明實施例提供的液晶顯示裝置，液晶顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等具有顯示功能的產品或者部本發(fā)明不做限制。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
權利要求
1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括: 在基板上形成對應于有源層區(qū)域及存儲電容下電極區(qū)域的多晶硅層； 采用一次構圖工藝和一次摻雜工藝形成有源層重摻雜區(qū)和存儲電容下電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在所述多晶硅層上形成掩膜層之前，所述方法還包括: 在所述多晶硅層上形成柵絕緣層。
3.根據(jù)權利要求2所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在形成有源層及存儲電容下電極之后，所述方法還包括: 在所述柵絕緣層上形成柵極和存儲電容上電極； 在所述柵極和存儲電容上電極上形成絕緣層； 處理所述基板，以使得所述有源層及存儲電容下電極發(fā)生離子激活反應和氫化反應。
4.根據(jù)權利要求3所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在所述有源層及存儲電容下電極發(fā)生離子激活反應和氫化反應之后，所述方法還包括: 在所述絕緣層上形成有機平坦層； 在所述有機平坦層、絕緣層和柵絕緣層內形成過孔； 在所述有機平坦層上形成像素電極。
5.根據(jù)權利要求4所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述方法還包括:` 在所述像素電極層上形成像素定義層。
6.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，還包括采用一次構圖工藝和摻雜工藝在所述有源層形成輕摻雜區(qū)域。
7.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在基板上形成對應于有源層區(qū)域及存儲電容下電極區(qū)域的多晶硅層的方法，具體包括: 在所述基板上形成非晶硅薄膜； 將所述非晶硅薄膜轉化為多晶硅薄膜； 形成所述對應于有源層區(qū)域及存儲電容下電極區(qū)域的多晶硅層。
8.根據(jù)權利要求7所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，將所述非晶硅薄膜轉化為多晶硅薄膜的方法，具體包括: 采用準分子激光晶化工藝、金屬誘導晶化工藝、固相晶化工藝中一種或多種的組合，將所述非晶硅薄膜轉化為多晶硅薄膜。
9.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括: 基板； 設置于所述基板上的有源層及存儲電容下電極，所述有源層的重摻雜區(qū)域與所述存儲電容下電極的材料相同。
10.根據(jù)權利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括: 設置于所述多晶硅層上的柵絕緣層。
11.根據(jù)權利要求10所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括: 設置于所述柵絕緣層上的柵極和存儲電容上電極； 設置于所述柵極和存儲電容上電極上的絕緣層。
12.根據(jù)權利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括:設置于所述絕緣層上的有機平坦層； 所述有機平坦層、絕緣層和柵絕緣層內形成有過孔； 設置于所述有機平坦層上的像素電極。
13.根據(jù)權利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括: 設置于所述像素電極層上的像素定義層。
14.根據(jù)權利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管的有源層還包括輕摻雜區(qū)域。
15.一種陣列基板，其特征在于，包括如權利要求9-14任意一項所述的薄膜晶體管。
16.一種顯示裝置 ，其特征在于，包括如權利要求15所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明實施例提供薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，涉及顯示技術領域，能夠減少制作LTPS-TFT所需的光刻掩膜工藝的次數(shù)，縮短研發(fā)和大規(guī)模量產的時間，降低工藝復雜度和監(jiān)控難度，并降低制作成本。本發(fā)明的薄膜晶體管包括基板；設置于所述基板上的有源層及存儲電容下電極，所述有源層的重摻雜區(qū)域與所述存儲電容下電極的材料相同。
文檔編號H01L29/786GK103107095SQ20131003053
公開日2013年5月15日 申請日期2013年1月25日 優(yōu)先權日2013年1月25日
發(fā)明者劉政, 任章淳 申請人:京東方科技集團股份有限公司