一種電路板內(nèi)層電路的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電路板內(nèi)層電路的制造方法，包括如下步驟：在基板上進(jìn)行機(jī)械鉆孔，形成雙面互連用的通孔；對機(jī)械鉆孔后的基板進(jìn)行除膠渣處理；將基板雙面的銅箔去掉；在樹脂芯板的表面進(jìn)行化學(xué)鍍銅，使樹脂芯板表面形成化學(xué)鍍銅層；在樹脂芯板表面通過光刻制作電鍍掩膜，使被光刻膠掩蔽住的區(qū)域不電鍍；在沒有被光刻膠掩蔽的區(qū)域電鍍銅；將用于電鍍掩膜的光刻膠去除，使整個電鍍的基板表面暴露出來；將被光刻膠掩蔽的化學(xué)鍍銅層腐蝕掉，形成內(nèi)層線路板。本發(fā)明在化學(xué)鍍銅的工藝中，對樹脂芯板表面只進(jìn)行蓬松處理，不經(jīng)過除膠渣處理，蓬松后的樹脂表面有更大的比表面積，可以結(jié)合更多的鈀金屬，從而提高了化學(xué)鍍銅層的結(jié)合力。
【專利說明】—種電路板內(nèi)層電路的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及印刷線路板制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種電路板內(nèi)層電路的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展，線路越來越細(xì)，22nm技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)，線路的細(xì)化，導(dǎo)致對于設(shè)備和工藝提出了前所未有的挑戰(zhàn)。為提高單位面積上的芯片密度和信號處理能力，3D封裝應(yīng)運(yùn)而生，人們提出三維封裝的概念，將芯片進(jìn)行三維集成封裝，將在將芯片進(jìn)行堆疊，形成三維封裝，以提高單位面積上的封裝密度。
[0003]當(dāng)封裝載板的線寬線距大于50um時，封裝載板普遍采用減成法制作。當(dāng)線寬線距小于50um，有兩種做法，一種是采用半加成工藝SAP制造50um以下的線路，一種是采用MSAP工藝，制造25um-50um或更寬的線路。
[0004]MSAP本身是在芯板表面銅箔減薄到l-2um，然后光刻形成電鍍掩膜圖形，經(jīng)過圖形電鍍后，將光刻膠去掉，再將光刻膠底層的超薄銅箔腐蝕掉。由于超薄銅箔為電解銅薄本身材質(zhì)比圖形電鍍的電鍍銅材質(zhì)致密,腐蝕速率相差很大,在將低銅腐蝕掉的過程中，由于是整版腐蝕，整個基板表面的銅都會被腐蝕，所以，電鍍的銅也會被腐蝕，因此，圖形電鍍的掩膜圖形設(shè)計，電鍍參數(shù)、超薄銅箔厚度，閃蝕超薄銅的參數(shù)將嚴(yán)重影響最后的線路精度，因此，MSAP工藝能有效控制線路與絕緣層的結(jié)合力。對于線寬較小的線路，閃蝕對于電鍍銅的蝕刻量較大，將嚴(yán)重影響尺寸精度，通常MASP無法加工線寬小于25un的線路。
[0005]對于SAP因?yàn)闆]有底層的超薄銅箔，只有一層很薄的化學(xué)鍍銅層，化學(xué)鍍銅層的蝕刻速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于電鍍銅和雙面覆銅板的表面的電解銅箔的蝕刻速率，從高精度控制線路尺寸來看，SAP工藝具有無可代替的圖形尺寸精度控制能力。但是現(xiàn)有的SAP方法制作內(nèi)層線路，存在的問題是線路結(jié)合力差，無法滿足電路板加工制造的技術(shù)要求。
[0006]綜上所述，內(nèi)層電路線寬小于50um線路，需要用MSAP或SAP方法實(shí)現(xiàn)，MSAP方法只能做到25um線寬，再小的線寬，已經(jīng)無法滿足線寬精度的控制要求。SAP方法可以做到更小的線寬，但是，目前的SAP方法，在芯板(core)層表面SAP工藝，得到的金屬線路圖形結(jié)合力非常小，無法滿足實(shí)際線路需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種電路板內(nèi)層電路的制造方法，能夠?qū)崿F(xiàn)線寬小于50um的精細(xì)線路的制造，線路結(jié)合力滿足電路板加工制造的技術(shù)要求。
[0008]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明實(shí)施例采用的技術(shù)方案如下:
[0009]一種電路板內(nèi)層電路的制造方法，包括如下步驟:
[0010]在基板上進(jìn)行機(jī)械鉆孔，形成雙面互連用的通孔；
[0011]對機(jī)械鉆孔后的所述基板進(jìn)行除膠渣處理；
[0012]將所述基板雙面的銅箔去掉；[0013]在所述樹脂芯板的表面進(jìn)行化學(xué)鍍銅，使所述樹脂芯板表面形成化學(xué)鍍銅層，所述化學(xué)鍍銅的過程為:蓬松一酸浸一清潔一微蝕一預(yù)浸一活化一還原一化學(xué)鍍銅；
[0014]在所述樹脂芯板表面通過光刻制作電鍍掩膜，使被光刻膠掩蔽住的區(qū)域不電鍍；
[0015]在沒有被所述光刻膠掩蔽的區(qū)域電鍍銅；
[0016]將用于電鍍掩膜的所述光刻膠去除，使整個電鍍的基板表面暴露出來；
[0017]將被光刻膠掩蔽的化學(xué)鍍銅層腐蝕掉，形成內(nèi)層線路板。
[0018]進(jìn)一步地，在所述樹脂芯板的表面進(jìn)行化學(xué)鍍銅前，還包括:對所述樹脂芯板進(jìn)行
等離子清洗活化。
[0019]進(jìn)一步地，所述電鍍銅的厚度為15um以上。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:
[0021]本發(fā)明在化學(xué)鍍銅的工藝中，對樹脂芯板表面只進(jìn)行蓬松處理，不經(jīng)過除膠渣處理，蓬松后的樹脂表面有更大的比表面積，可以結(jié)合更多的鈀金屬，從而提高了化學(xué)鍍銅層的結(jié)合力。同時，本發(fā)明在化學(xué)鍍銅前對樹脂芯板進(jìn)行等離子清洗活化，也進(jìn)一步提高化學(xué)鍍銅層的結(jié)合力。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電路板內(nèi)層電路的制造方法的工藝流程圖；
[0023]圖2-圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電路板內(nèi)層電路的制造方法的步驟示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]為了更好的理解上述技術(shù)方案，下面將結(jié)合說明書附圖以及具體的實(shí)施方式對上述技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0025]如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種電路板內(nèi)層電路的制造方法，包括如下步驟:
[0026]步驟110:在基板上進(jìn)行機(jī)械鉆孔，形成雙面互連用的通孔；
[0027]具體地,如圖2所示,所述基板為雙面覆銅板,包括樹脂芯板I和包覆在樹脂芯板I兩面的銅箔2 ;基板經(jīng)過機(jī)械鉆孔后形成雙面互連用的通孔，如圖3所示。
[0028]步驟120:對機(jī)械鉆孔后的所述基板進(jìn)行除膠渣處理；
[0029]具體地，將所述基板上在機(jī)械鉆孔過程中產(chǎn)生的樹脂和玻纖的殘渣去除；由于樹脂芯板I的表面被銅箔2保護(hù)起來，在除膠渣的過程中不被腐蝕。
[0030]步驟130:將所述基板雙面的銅箔2去掉；
[0031]具體地，如圖4所示，將所述基板雙面的銅箔2刻蝕掉，使所述基板的樹脂芯板I的表面裸露出來。
[0032]步驟140:在所述樹脂芯板I的表面進(jìn)行化學(xué)鍍銅，使所述樹脂芯板I表面形成化學(xué)鍍銅層3，所述化學(xué)鍍銅的過程為:蓬松一酸浸一清潔一微蝕一預(yù)浸一活化一還原一化學(xué)鍍銅；
[0033]具體地，如圖5所示，在基板整板表面進(jìn)行化學(xué)鍍銅，使樹脂芯板I表面均勻包裹一層銅，形成化學(xué)鍍銅層3 ;本實(shí)施例中，化學(xué)鍍銅的過程為:蓬松一酸浸一清潔一微蝕—預(yù)浸一活化一還原一化學(xué)鍍銅，與現(xiàn)有化學(xué)鍍銅工藝相比，做蓬松處理后，不做除膠渣處理，經(jīng)過蓬松后的樹脂芯片I表面有更大的比表面積，可以結(jié)合更多的鈀金屬。提高化學(xué)鍍銅的結(jié)合力。
[0034]步驟150:在所述樹脂芯板I表面通過光刻制作電鍍掩膜，使被光刻膠4掩蔽住的區(qū)域不電鍍，如圖6所示；
[0035]步驟160:在沒有被光刻膠4掩蔽的區(qū)域電鍍銅；
[0036]具體地，如圖7所示，通過電鍍加厚化學(xué)鍍銅層金屬銅的厚度，一般電鍍銅5厚度15um以上。
[0037]步驟170:將用于電鍍掩膜的光刻膠4去除，使整個電鍍的基板表面暴露出來，如圖8所示；
[0038]步驟180:將被光刻膠4掩蔽的化學(xué)鍍銅層腐蝕掉，形成內(nèi)層線路板，如圖9所示。
[0039]進(jìn)一步地，在步驟140前，還包括步驟:對所述樹脂芯板I進(jìn)行等離子清洗活化。等離子清洗活化的作用如下:(1)活化后，蓬松溶液更容易和基板表面的樹脂材料起作用；
(2)增加基板樹脂表面親水性，使得后續(xù)的化學(xué)鍍銅各步驟溶液更容易進(jìn)入樹脂的空洞，提高化學(xué)鍍銅表面均勻性；(3)清潔表面，將表面的有機(jī)沾污去除，提高化學(xué)鍍銅層的結(jié)合力。
[0040]本發(fā)明制造線路需要的表面粗糙度來自于基板表面的銅箔。由于制造細(xì)線路需要低粗糙度，因此需要雙面覆銅板的銅箔采用低粗糙度的銅箔。銅箔的粗糙度要求根據(jù)需要加工的細(xì)線路的線寬要求來選擇，越細(xì)的線路就需要越低的銅箔粗糙度。
[0041]本發(fā)明實(shí)施例利用等離子清洗去除表面的污染物，活化表面、提高樹脂表面浸潤性，使得蓬松、中和、活化試劑能夠更好地和溶液接觸，使蓬松后，樹脂形成的更大的比表面積，提高活化效果和活化鈀的分布的均勻性和結(jié)合力，從而提高化學(xué)鍍銅的結(jié)合力。
[0042]以上所述的具體實(shí)施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電路板內(nèi)層電路的制造方法，其特征在于，包括如下步驟: 在基板上進(jìn)行機(jī)械鉆孔，形成雙面互連用的通孔； 對機(jī)械鉆孔后的所述基板進(jìn)行除膠渣處理； 將所述基板雙面的銅箔去掉； 在所述樹脂芯板的表面進(jìn)行化學(xué)鍍銅，使所述樹脂芯板表面形成化學(xué)鍍銅層，所述化學(xué)鍍銅的過程為:蓬松一酸浸一清潔一微蝕一預(yù)浸一活化一還原一化學(xué)鍍銅； 在所述樹脂芯板表面通過光刻制作電鍍掩膜，使被光刻膠掩蔽住的區(qū)域不電鍍； 在沒有被所述光刻膠掩蔽的區(qū)域電鍍銅； 將用于電鍍掩膜的所述光刻膠去除，使整個電鍍的基板表面暴露出來； 將被光刻膠掩蔽的化學(xué)鍍銅層腐蝕掉，形成內(nèi)層線路板。
2.如權(quán)利要求1所述的電路板內(nèi)層電路的制造方法，其特征在于，在所述樹脂芯板的表面進(jìn)行化學(xué)鍍銅前，還包括:對所述樹脂芯板進(jìn)行等離子清洗活化。
3.如權(quán)利要求1所述的電路板內(nèi)層電路的制造方法，其特征在于，所述電鍍銅的厚度為15um以上。
【文檔編號】H05K3/02GK103929890SQ201310753292
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】于中堯, 崔志勇, 方志丹, 孫瑜 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所, 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司