專利名稱：冷卻器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
冷卻器技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種冷卻器，尤其涉及一種運(yùn)用在小型電子設(shè)備中用來降溫的冷卻器。
背景技術(shù)：
隨著社會(huì)的發(fā)展，現(xiàn)代化電子設(shè)備集成度越來越高，其體積也越來越小，特別是小型的便攜式的電子設(shè)備越來越受到人們的青睞，如掌上電腦、PSP游戲機(jī)等。而所有的電子設(shè)備都會(huì)存在長時(shí)間工作后設(shè)備溫度升高的問題，電子設(shè)備內(nèi)的元器件溫度過高時(shí)則會(huì)影響其工作性能和使用壽命。因此，一般的電子設(shè)備中都會(huì)裝設(shè)有用于冷卻其元器件的冷卻器 ，最常見的冷卻器即冷卻風(fēng)扇，冷卻風(fēng)扇向電子設(shè)備內(nèi)吹風(fēng)，以降底電子設(shè)備工作時(shí)的溫度以達(dá)到冷卻電子設(shè)備的目的。然而，相關(guān)技術(shù)的冷卻風(fēng)扇體積較大，功耗較高，不適合運(yùn)用在小型或微形的電子設(shè)備中。而且，相關(guān)技術(shù)的冷卻風(fēng)扇若長時(shí)間工作后易貼附很多灰塵，使得所述冷卻風(fēng)扇工作時(shí)發(fā)出噪聲，進(jìn)而導(dǎo)致其使用周期短。因此，實(shí)有必要提出一種新的冷卻器解決上述問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型需解決的技術(shù)問題是提供一種體積小、靜音、省電的冷卻器。本實(shí)用新型設(shè)計(jì)了一種冷卻器以解決上述問題，其目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種冷卻器，包括框架、與所述框架共同圍成收容空間的上蓋板和下蓋板以及設(shè)置在所述收容空間內(nèi)的冷卻單體。所述冷卻單體包括固定在所述框架上的振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括第一振膜、與所述第一振膜相對(duì)設(shè)置的第二振膜以及分別驅(qū)動(dòng)所述第一振膜和第二振膜振動(dòng)的第一線圈和第二線圈，所述磁路系統(tǒng)包括固定在所述框架上的磁碗和分別貼設(shè)在所述磁碗兩側(cè)的第一磁體和第二磁體，所述第一振膜、磁碗和第二振膜依次將所述收容空間分隔成第一外腔、第一內(nèi)腔、第二內(nèi)腔和第二外腔。所述框架包括側(cè)邊壁，所述側(cè)邊壁上設(shè)有若干貫穿其上的外腔通孔和內(nèi)腔通孔。其中，所述外腔通孔和內(nèi)腔通孔分別位于不同的兩個(gè)所述側(cè)邊壁上，所述外腔通孔使得所述第一外腔和第二外腔相通皆與外界相通，所述內(nèi)腔通孔使得所述第一內(nèi)腔和第二內(nèi)腔皆與外界相通。優(yōu)選的，所述第一振膜的中央靠近所述上蓋板的一面貼設(shè)有第一硬膜，所述第二振膜的中央靠近所述下蓋板的一面貼設(shè)有第二硬膜。優(yōu)選的，所述第一磁體上貼設(shè)有第一軛鐵，所述第二磁體上貼設(shè)有第二軛鐵。優(yōu)選的，所述第一振膜和第二振膜的工作頻率皆不高于200Hz。優(yōu)選的，所述磁碗上還設(shè)有貫穿其上的若干通孔道，所述通孔道使所述第一內(nèi)腔和第二內(nèi)腔相通。優(yōu)選的，所述框架內(nèi)還設(shè)有向其幾何中心方向凸出的定位部，所述磁碗的延伸壁上設(shè)有與所述定位部配合的定位槽，所述定位部卡設(shè)在所述定位槽內(nèi)。與相關(guān)技術(shù)相比，本實(shí)用新型的冷卻器體積小，靜音省電，性能優(yōu)，使用壽命長。
圖I為本實(shí)用新型冷卻器的立體結(jié)構(gòu)分解圖。圖2為本實(shí)用新型冷卻器的立體結(jié)構(gòu)圖。圖3為圖2沿A-A線剖視圖。圖4為圖2沿B-B線剖視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明?！と鐖D1-4所示，一種冷卻器10，其包括框架I、與框架I共同圍成收容空間(未標(biāo)號(hào))的上蓋板2和下蓋板3以及設(shè)置在收容空間內(nèi)的冷卻單體4。冷卻單體4包括固定在框架I上的振動(dòng)系統(tǒng)(未標(biāo)號(hào))和磁路系統(tǒng)(未標(biāo)號(hào))，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括第一振膜41、與第一振膜41相對(duì)設(shè)置的第二振膜42以及分別貼設(shè)在第一振膜41和第二振膜上42的第一線圈43和第二線圈44。所述磁路系統(tǒng)包括固定在框架I上的磁碗45和分別貼設(shè)在磁碗45兩側(cè)的磁體46。具體的，磁碗45設(shè)有底壁451，由底壁451彎折延伸的側(cè)壁452和由側(cè)壁452向靠近框架I方向彎折延伸且平行于底壁451的延伸壁453,磁體46包括貼設(shè)在底壁451上的第一磁體461和貼設(shè)在延伸壁453上的第二磁體462。第一磁體461和第二磁體462分別與側(cè)壁452形成第一磁間隙47和第二磁間隙48,第一線圈43位于第一磁間隙47內(nèi)，第二線圈44位于第二磁間隙48內(nèi)。第一振膜41、磁碗45和第二振膜42將所述收容空間依次分隔成第一外腔5、第一內(nèi)腔6、第二內(nèi)腔7和第二外腔8,即第一振膜41與上蓋板2圍成第一外腔5 ;磁碗45與第一振膜41圍成第一內(nèi)腔6 ;第二振膜42與磁碗45圍成第二內(nèi)腔7,下蓋板3與第二振膜42圍成第二外腔8。框架I包括側(cè)邊壁111，側(cè)邊壁111上設(shè)有若干貫穿其上的外腔通孔11和內(nèi)腔通孔12，外腔通孔11使得第一外腔5和第二外腔8皆與外界相通，內(nèi)腔通孔71使得第一內(nèi)腔6和第二內(nèi)腔7皆與外界相通。本實(shí)施方式中，外腔通孔11和內(nèi)腔通孔12分別位于不同的兩個(gè)側(cè)邊壁111上，所謂不同的兩個(gè)側(cè)邊壁111在本實(shí)施方式中可以是相鄰的兩個(gè)側(cè)邊壁、相隔的兩個(gè)側(cè)邊壁、相對(duì)的兩個(gè)側(cè)邊壁。當(dāng)然也可以是其它位置關(guān)系的兩個(gè)側(cè)邊壁，這都是可行的。因?yàn)橥馇煌?1和內(nèi)腔通孔12分別位于不同的兩個(gè)側(cè)邊壁111上，則冷卻器10可以向兩個(gè)不同方向吹氣，進(jìn)而使得本實(shí)用新型的冷卻器10在運(yùn)用在其它電子設(shè)備等產(chǎn)品中時(shí)可以同時(shí)對(duì)兩個(gè)不同方向進(jìn)行吹氣冷卻。當(dāng)給本實(shí)用新型冷卻器通電時(shí)，第一線圈43和第二線圈44得電后使磁路系統(tǒng)形成磁場，磁場通過第一線圈43和第二線圈44驅(qū)動(dòng)第一振膜41和第二振膜42振動(dòng),第一振膜41和第二振膜42 二者的工作頻率相同，相位相反，即分兩步動(dòng)作第一振膜41和第二振膜42分別向靠近上蓋板2和下蓋板3的方向同時(shí)振動(dòng)，即同時(shí)壓縮第一外腔5和第二外腔8,并同時(shí)擴(kuò)張第一內(nèi)腔6和第二內(nèi)腔7,此時(shí),第一外腔5和第二外腔8內(nèi)的空氣通過外腔通孔11向外壓出，形成氣流，而第一內(nèi)腔6和第二內(nèi)腔7則通過內(nèi)腔通孔12吸進(jìn)空氣；[0026]反之，第一振膜41和第二振膜42分別向遠(yuǎn)離上蓋板2和下蓋板3的方向同時(shí)振動(dòng)，即同時(shí)擴(kuò)張第一外腔5和第二外腔8,并同時(shí)壓縮第一內(nèi)腔6和第二內(nèi)腔7,此時(shí),第一內(nèi)腔6和第二內(nèi)腔7內(nèi)的空氣通過內(nèi)腔通孔12向外壓出，形成氣流，而第一外腔5和第二外腔8則通過外腔通孔11吸進(jìn)空氣。重復(fù)上述兩步動(dòng)作，則本實(shí) 用新型冷卻器10可不停的持續(xù)吹出空氣形成氣流，可以為其它小型電子設(shè)備提供散熱冷卻功能。因?yàn)楸緦?shí)施方式中，外腔通孔11和內(nèi)腔通孔12位于同一個(gè)側(cè)邊壁111上，則冷卻器10是向同一方向吹出空氣，即外腔通孔11和內(nèi)腔通孔12共同在同一個(gè)方向上為其它小型電子設(shè)備提供散熱冷卻功能，也一定程度上加強(qiáng)冷卻效
果O本實(shí)施方式中，第一振膜41的中央靠近上蓋板2的一面貼設(shè)有第一硬膜411,第二振膜42的中央靠近下蓋板3的一面貼設(shè)有第二硬膜421。所謂硬膜，在本實(shí)施方式中指剛性度較高。第一硬膜411和第二硬膜421的設(shè)置可以調(diào)整第一振膜41和第二振膜42的諧振頻率，而且，第一振膜41和第二振膜42振動(dòng)時(shí)為球面形曲面，第一硬膜411和第二硬膜421的設(shè)置則可將球面形曲面壓成球臺(tái)面，從而可增加腔體的體積變化度，提高氣流輸出量。更優(yōu)的，第一振膜41和第二振膜42的工作頻率皆不高于200Hz。因此本實(shí)用新型的冷卻器10工作時(shí)聲音很低。而又因?yàn)榈谝徽衲?1和第二振膜42的工作頻率相同，相位相反，二者產(chǎn)生的聲音相互抵消，使得冷卻器10工作時(shí)靜音效果更好。當(dāng)然，第一振膜41和第二振膜42的工作頻率不相同也是可行的。更優(yōu)的，本實(shí)施方式中，第一磁體461上貼設(shè)有第一軛鐵48，第二磁體462上貼設(shè)有第二軛鐵49。第一軛鐵48和第二軛鐵49的增設(shè)提高了磁路系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)力，進(jìn)而增強(qiáng)第一振膜41和第二振膜42的振動(dòng)力度，也即可增強(qiáng)了內(nèi)、外腔體的氣流輸出，使得本實(shí)用新型的冷卻器10具有更好的冷卻效果。本實(shí)施方式中，磁碗45上還設(shè)有貫穿其上的若干通孔道454，通孔道454使第一內(nèi)腔6和第二內(nèi)腔7相通。這種結(jié)構(gòu)可以更好的使第一內(nèi)腔6與第二內(nèi)腔7內(nèi)的氣壓平衡，保證第一振膜41和第二振膜42振動(dòng)的平衡，使得冷卻器10工作時(shí)穩(wěn)定性高?？蚣躀內(nèi)還設(shè)有向其幾何中心方向凸出的定位部13，磁碗45的延伸壁453上設(shè)有與定位部13配合的定位槽4531，定位部13卡設(shè)在定位槽4531內(nèi)。這種結(jié)構(gòu)可以使得磁路系統(tǒng)更好的固定在框架I上，增加了冷卻器10的可靠性。與相關(guān)技術(shù)相比，本實(shí)用新型的冷卻器體積小，散熱冷卻效果好，能使用在各種小型電子設(shè)備中為其散熱冷卻，冷卻器使用交流電信號(hào)，功耗小，而且工作時(shí)靜音效果更優(yōu)，使用壽命長。以上所述的僅是本實(shí)用新型的實(shí)施方式，在此應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進(jìn)，但這些均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.ー種冷卻器，包括框架、與所述框架共同圍成收容空間的上蓋板和下蓋板以及設(shè)置在所述收容空間內(nèi)的冷卻単體，所述冷卻単體包括固定在所述框架上的振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括第一振膜、與所述第一振膜相對(duì)設(shè)置的第二振膜以及分別驅(qū)動(dòng)所述第一振膜和第二振膜振動(dòng)的第一線圈和第二線圈，所述磁路系統(tǒng)包括固定在所述框架上的磁碗和分別貼設(shè)在所述磁碗兩側(cè)的第一磁體和第二磁體，所述第一振膜、磁碗和第二振膜依次將所述收容空間分隔成第一外腔、第一內(nèi)腔、第二內(nèi)腔和第二外腔，所述框架包括側(cè)邊壁，所述側(cè)邊壁上設(shè)有若干貫穿其上的外腔通孔和內(nèi)腔通孔，其特征在干所述外腔通孔和內(nèi)腔通孔分別位于不同的兩個(gè)所述側(cè)邊壁上，所述外腔通孔使得所述第一外腔和第二外腔相通皆與外界相通，所述內(nèi)腔通孔使得所述第一內(nèi)腔和第二內(nèi)腔皆與外界相通。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的冷卻器，其特征在于所述第一振膜的中央靠近所述上蓋板的一面貼設(shè)有第一硬膜，所述第二振膜的中央靠近所述下蓋板的一面貼設(shè)有第二硬膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的冷卻器，其特征在于所述第一磁體上貼設(shè)有第一軛鐵，所述 第二磁體上貼設(shè)有第二軛鐵。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的冷卻器，其特征在于所述第一振膜和第二振膜的工作頻率皆不高于200Hz。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的冷卻器，其特征在于所述磁碗上還設(shè)有貫穿其上的若干通孔道，所述通孔道使所述第一內(nèi)腔和第二內(nèi)腔相通。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的冷卻器，其特征在于所述框架內(nèi)還設(shè)有向其幾何中心方向凸出的定位部，所述磁碗的延伸壁上設(shè)有與所述定位部配合的定位槽，所述定位部卡設(shè)在所述定位槽內(nèi)。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種冷卻器，所述冷卻器包括框架、與所述框架共同圍成收容空間的上蓋板和下蓋板以及設(shè)置在所述收容空間內(nèi)的冷卻單體。所述冷卻單體包括振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)，所述振動(dòng)系統(tǒng)包括第一振膜、第二振膜。所述磁路系統(tǒng)包括磁碗和貼設(shè)在所述磁碗上的磁體。所述磁體包括第一磁體和第二磁體。所述第一振膜、磁碗和第二振膜將所述收容空間依次分隔成第一外腔、第一內(nèi)腔、第二內(nèi)腔和第二外腔，所述框架上設(shè)有若干貫穿其上的外腔通孔和內(nèi)腔通孔，所述外腔通孔分別與所述第一外腔和第二外腔相通，所述內(nèi)腔通孔分別與所述第一內(nèi)腔和第二內(nèi)腔相通。與相關(guān)技術(shù)相比，本實(shí)用新型的冷卻器體積小，靜音省電，性能更優(yōu)，使用壽命長。
文檔編號(hào)H05K7/20GK202652803SQ20122022699
公開日2013年1月2日 申請日期2012年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月18日
發(fā)明者董樂平 申請人:瑞聲光電科技(常州)有限公司