專(zhuān)利名稱(chēng)：一種SiC單晶生長(zhǎng)籽晶粘接壓盤(pán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種SiC單晶生長(zhǎng)籽晶粘接壓盤(pán)，該裝置用于在利用升華法進(jìn)行SiC單晶生長(zhǎng)中對(duì)籽晶粘接的壓接。
背景技術(shù)：
目前，在用升華法生長(zhǎng)SiC單晶的生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)中，SiC籽晶的粘接方法是單晶生長(zhǎng)的關(guān)鍵技術(shù)，一般粘接方法是將粘接劑在籽晶托上進(jìn)行加熱，將SiC籽晶置于其上，然后在籽晶上壓一個(gè)重塊，升溫至一定溫度后自然冷卻。由于重塊的重量無(wú)法進(jìn)行及時(shí)調(diào)整，并且存在粘接過(guò)程中粘接劑受壓分布不均和籽晶受力不均問(wèn)題，致使生長(zhǎng)的SiC晶體質(zhì)量較差。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型解決了在用升華法生長(zhǎng)SiC單晶的實(shí)驗(yàn)中籽晶受力不均致使生長(zhǎng)的 SiC晶體質(zhì)量較差的問(wèn)題。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種SiC單晶生長(zhǎng)籽晶粘接壓盤(pán)，包括上壓盤(pán)、下壓盤(pán)，在下壓盤(pán)的盤(pán)中設(shè)置有測(cè)溫圓盤(pán)，在測(cè)溫圓盤(pán)中設(shè)置有籽晶托圓臺(tái)，在上壓盤(pán)的下底面中部設(shè)置有氣囊，氣囊的進(jìn)氣管路通過(guò)設(shè)置在上壓盤(pán)中央的密封壓力孔與氣囊連通，上壓盤(pán)通過(guò)鎖緊螺栓與下壓盤(pán)扣接在一起，在上壓盤(pán)與下壓盤(pán)之間設(shè)置有密封圈，氣囊活動(dòng)設(shè)置在籽晶托圓臺(tái)的上表面上，在下壓盤(pán)的底盤(pán)中設(shè)置有使壓盤(pán)內(nèi)形成負(fù)壓的抽真空通路，在測(cè)溫圓盤(pán)中設(shè)置有熱電偶。鎖緊沉頭螺釘通過(guò)壓緊圓環(huán)將氣囊壓接在上壓盤(pán)的下底面上，在下壓盤(pán)的底盤(pán)中設(shè)置有測(cè)溫圓盤(pán)的定位臺(tái)，在測(cè)溫圓盤(pán)中設(shè)置有籽晶托圓臺(tái)的定位臺(tái)。本實(shí)用新型的有益效果是，保證在升溫粘接劑固化過(guò)程中，粘接劑均勻地分布在籽晶和籽晶托之間，可以有效的改善SiC單晶的生長(zhǎng)質(zhì)量。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖詳細(xì)敘述本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
一種SiC單晶生長(zhǎng)籽晶粘接壓盤(pán)，包括上壓盤(pán)2、下壓盤(pán)6，在下壓盤(pán)6的盤(pán)中設(shè)置有測(cè)溫圓盤(pán)10，在測(cè)溫圓盤(pán)10中設(shè)置有籽晶托圓臺(tái)9，在上壓盤(pán)2的下底面中部設(shè)置有氣囊5，氣囊5的進(jìn)氣管路7通過(guò)設(shè)置在上壓盤(pán)2中央的密封壓力孔與氣囊5連通，上壓盤(pán)2 通過(guò)鎖緊螺栓1與下壓盤(pán)6扣接在一起，在上壓盤(pán)2與下壓盤(pán)6之間設(shè)置有密封圈4，氣囊 5活動(dòng)設(shè)置在籽晶托圓臺(tái)9的上表面上，在下壓盤(pán)6的底盤(pán)中設(shè)置有使壓盤(pán)內(nèi)形成負(fù)壓的抽真空通路11，在測(cè)溫圓盤(pán)10中設(shè)置有熱電偶12。鎖緊沉頭螺釘8通過(guò)壓緊圓環(huán)3將氣囊5壓接在上壓盤(pán)2的下底面上，在下壓盤(pán)6的底盤(pán)中設(shè)置有測(cè)溫圓盤(pán)10的定位臺(tái)，在測(cè)溫圓盤(pán)10中設(shè)置有籽晶托圓臺(tái)9的定位臺(tái)。在上壓盤(pán)2下表面放置氣囊5，壓緊圓環(huán)3放置在氣囊5下表面上，通過(guò)鎖緊沉頭螺釘8將壓緊圓環(huán)3和氣囊5壓緊在上壓盤(pán)2的下底面上，將進(jìn)氣管路7穿過(guò)上壓盤(pán)2的密封壓力孔與氣囊5連通。在下壓盤(pán)6上放置測(cè)溫圓盤(pán)10，熱電偶12放置在測(cè)溫圓盤(pán)10 內(nèi)，將籽晶托圓臺(tái)9放置在測(cè)溫圓盤(pán)10上的定位中心，SiC籽晶通過(guò)粘接劑放置在籽晶托圓臺(tái)9表面，密封圈4放置在下壓盤(pán)6上。通過(guò)鎖緊螺栓1將上壓盤(pán)2和下壓盤(pán)6緊固在一起。通過(guò)進(jìn)氣管路7施加一定空氣壓力在氣囊5上，使得氣囊5將同等的壓力均勻地施加到籽晶托圓臺(tái)9上，通過(guò)抽真空口 11使壓盤(pán)內(nèi)形成負(fù)壓，通過(guò)熱電偶12進(jìn)行溫度控制， 開(kāi)始進(jìn)行加熱，加熱至粘接劑固化溫度后，開(kāi)始冷卻。冷卻至室溫后，關(guān)閉抽真空口 11，卸去氣囊5中的空氣壓力，松開(kāi)鎖緊螺栓1，取出粘接上SiC籽晶的籽晶圓臺(tái)托9，完成整個(gè)SiC 籽晶粘接工作。本實(shí)用新型提供一種能夠承受從室溫到300°C溫度的SiC籽晶粘接方法。該技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)柔性氣囊施加均勻壓力與SiC籽晶表面，能夠使得粘接劑在SiC籽晶和籽晶托之間均勻分布。
權(quán)利要求1.一種SiC單晶生長(zhǎng)籽晶粘接壓盤(pán)，包括上壓盤(pán)(2)、下壓盤(pán)(6)，在下壓盤(pán)(6)的盤(pán)中設(shè)置有測(cè)溫圓盤(pán)(10)，在測(cè)溫圓盤(pán)(10)中設(shè)置有籽晶托圓臺(tái)(9)，其特征在于，在上壓盤(pán) (2)的下底面中部設(shè)置有氣囊(5)，氣囊(5)的進(jìn)氣管路(7)通過(guò)設(shè)置在上壓盤(pán)(2)中央的密封壓力孔與氣囊(5)連通，上壓盤(pán)(2)通過(guò)鎖緊螺栓(1)與下壓盤(pán)(6)扣接在一起，在上壓盤(pán)(2)與下壓盤(pán)(6)之間設(shè)置有密封圈(4)，氣囊(5)活動(dòng)設(shè)置在籽晶托圓臺(tái)(9)的上表面上，在下壓盤(pán)(6)的底盤(pán)中設(shè)置有使壓盤(pán)內(nèi)形成負(fù)壓的抽真空通路(11)，在測(cè)溫圓盤(pán)(10) 中設(shè)置有熱電偶(12)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種SiC單晶生長(zhǎng)籽晶粘接壓盤(pán)，其特征在于，鎖緊沉頭螺釘 (8)通過(guò)壓緊圓環(huán)(3)將氣囊(5)壓接在上壓盤(pán)(2)的下底面上，在下壓盤(pán)(6)的底盤(pán)中設(shè)置有測(cè)溫圓盤(pán)(10)的定位臺(tái)，在測(cè)溫圓盤(pán)(10)中設(shè)置有籽晶托圓臺(tái)(9)的定位臺(tái)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種SiC單晶生長(zhǎng)籽晶粘接壓盤(pán)，解決了在用升華法生長(zhǎng)SiC單晶的實(shí)驗(yàn)中籽晶受力不均致使生長(zhǎng)的SiC晶體質(zhì)量較差的問(wèn)題。包括上壓盤(pán)(2)、下壓盤(pán)(6)，在下壓盤(pán)(6)的盤(pán)中設(shè)置有測(cè)溫圓盤(pán)(10)，在測(cè)溫圓盤(pán)(10)中設(shè)置有籽晶托圓臺(tái)(9)，在上壓盤(pán)(2)的下底面中部設(shè)置有氣囊(5)，氣囊(5)的進(jìn)氣管路(7)通過(guò)設(shè)置在上壓盤(pán)(2)中央的密封壓力孔與氣囊(5)連通，氣囊(5)活動(dòng)設(shè)置在籽晶托圓臺(tái)(9)的上表面上，在下壓盤(pán)(6)的底盤(pán)中設(shè)置有使壓盤(pán)內(nèi)形成負(fù)壓的抽真空通路(11)，在測(cè)溫圓盤(pán)(10)中設(shè)置有熱電偶(12)。本實(shí)用新型有效的改善SiC單晶的生長(zhǎng)質(zhì)量。
文檔編號(hào)C30B23/00GK202164388SQ20112021087
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2011年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月21日
發(fā)明者周立平, 姜志艷, 徐偉, 李斌, 毛開(kāi)禮, 王英民, 田牧 申請(qǐng)人:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所