專利名稱：晶體生長爐及其爐蓋的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體加工設(shè)備領(lǐng)域，特別涉及一種晶體生長爐及其爐蓋。
背景技術(shù)：
太陽能是最大的無污染的可再生資源，取之不盡、用之不竭，是今后人類能源利用的重點(diǎn)之一。自上世紀(jì)末以來，隨著全世界對能源消耗的劇增，傳統(tǒng)能源枯竭的威脅，以及多晶硅、單晶硅發(fā)電技術(shù)的發(fā)展，太陽能光伏產(chǎn)業(yè)方興未艾。晶體生長爐是生產(chǎn)單晶硅和多晶硅的主要設(shè)備，其一般包括爐體、設(shè)置于爐體底端的爐底及設(shè)置于爐體上端的爐蓋。當(dāng)爐蓋蓋于爐體時，二者之間保持密封性，以便對爐體內(nèi)部進(jìn)行抽真空處理。爐體內(nèi)部還設(shè)置有加熱器，當(dāng)加熱器進(jìn)行加熱工序時，可提供爐體內(nèi)部所需的高溫環(huán)境。為了使得該爐體具有較好的保溫特性，爐蓋的內(nèi)壁上覆有保溫材料。加熱器安裝于爐蓋的保溫材料上，且爐蓋與保溫材料設(shè)有供電極穿過的通孔，電極與該通孔保持氣密性。 電極穿過爐蓋及保溫材料，其一端與外部電纜連接，另一端與加熱器相連接。如此設(shè)置，電極可提供加熱器進(jìn)行加熱工序時所需電流。然而，現(xiàn)有技術(shù)中，爐蓋為向上凸起的圓弧狀蓋板，電極需透過蓋板及覆于蓋板的保溫材料方可與固定于爐蓋內(nèi)壁的加熱器相連接。由于爐蓋為向上凸起的圓弧狀蓋板，加熱器與爐蓋內(nèi)壁不能完全貼合，二者之間存在一定的間隙。故所需電極的長度較長，方可實(shí)現(xiàn)電極將爐體外部電纜與爐體內(nèi)部加熱器相連接。如此，造成電極材料的浪費(fèi)的同時，大電流傳輸路徑較長，進(jìn)而造成電流輸送中的損耗。此外，現(xiàn)有技術(shù)中晶體生長爐，其爐蓋為向上凸起的圓弧狀結(jié)構(gòu)，其爐底為向下凸起的圓弧狀結(jié)構(gòu)。如此，爐體內(nèi)部空間較大，當(dāng)對爐體內(nèi)部進(jìn)行抽真空工序時，所需時間較長。因此，如何規(guī)避因電極長度較長而造成的電極材料浪費(fèi)和電流損耗的問題，及爐體內(nèi)部抽真空所需時間過長的問題，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員所要解決的重要技術(shù)問題。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型提供了一種晶體生長爐爐蓋，以規(guī)避因電極長度較長而造成的電極材料浪費(fèi)和電流損耗的問題及爐體內(nèi)部抽真空時間過長的問題。本實(shí)用新型還提供了一種包括上述晶體生長爐爐蓋的晶體生長爐。本實(shí)用新型提供的一種晶體生長爐爐蓋，包括爐蓋本體、覆于所述爐蓋本體內(nèi)壁的保溫層及貫穿于其厚度方向且供電極穿過的通孔，所述晶體生長爐爐蓋為平面狀結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述爐蓋本體的外壁固定有若干加強(qiáng)筋。 優(yōu)選地，所述加強(qiáng)筋為三個。 本實(shí)用新型還提供了一種晶體生長爐，包括晶體生長爐本體、設(shè)置于所述晶體生長爐本體上端的晶體生長爐爐蓋及設(shè)置于所述晶體生長爐本體底端的底板，所述晶體生長爐爐蓋為上述任一項(xiàng)所述的晶體生長爐爐蓋。優(yōu)選地，所述底板為平面狀結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，所述晶體生長爐爐蓋包括連接端及與所述連接端相對應(yīng)的開合端，且所述連接端通過鉸軸鉸接于所述晶體生長爐本體的開口端，所述開合端設(shè)有開合支板，所述晶體生長爐還包括與所述開合支板相連接的驅(qū)動裝置。優(yōu)選地，所述驅(qū)動裝置具體為位于所述開合支板下方的液壓缸，且所述液壓缸的伸縮端與所述開合支板相連接。優(yōu)選地，所述驅(qū)動裝置具體為直線電機(jī)，且所述直線電機(jī)的伸縮端與所述開合支板相連接。優(yōu)選地，若干所述加強(qiáng)筋均與所述開合支板相連接。優(yōu)選地，還包括支撐于所述底板的多根支撐柱。本實(shí)用新型提供的一種晶體生長爐爐蓋，包括爐蓋本體及覆于該爐蓋本體內(nèi)壁的保溫層，相對于現(xiàn)有技術(shù)中爐蓋為向上凸起的圓弧狀結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型提供的爐蓋為平面狀結(jié)構(gòu)。爐蓋設(shè)有由厚度方向?qū)⑵湄灤┣夷軌蚬╇姌O穿過的通孔。如此設(shè)置，加熱器安裝于平面狀結(jié)構(gòu)的爐蓋，加熱器與爐蓋間無間隙，電極穿過上述通孔即可與加熱器直接相連。 顯然，相對于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型提供的晶體生長爐爐蓋，所需電極長度較短，進(jìn)而有效規(guī)避了因電極長度較長而造成的電極材料浪費(fèi)和電流損耗的問題。此外，相對于向上凸起的圓弧狀爐蓋，本實(shí)用新型提供的爐蓋為平面狀，進(jìn)而可使得爐體內(nèi)部空間縮小，因此，當(dāng)進(jìn)行爐體內(nèi)部的抽真空工序時，所需時間較短。本實(shí)用新型還提供了一種晶體生長爐，包括晶體生長爐本體、設(shè)置于所述晶體生長爐本體上端的晶體生長爐爐蓋及設(shè)置于所述晶體生長爐本體底端的底板，所述晶體生長爐爐蓋為上述所述的晶體生長爐爐蓋。如此設(shè)置，本實(shí)用新型提供的晶體生長爐，可有效規(guī)避因電極長度較長而造成的電極材料浪費(fèi)、電流損耗及爐體內(nèi)部抽真空所需時間過長的問題。其具體推導(dǎo)過程，與上述晶體生長爐爐蓋所帶來的有益效果的推導(dǎo)過程大體類似，本文不再贅述。本實(shí)用新型的優(yōu)選方案中，晶體生長爐的底板為平面狀結(jié)構(gòu)。需要說明的是，現(xiàn)有技術(shù)中晶體生長爐的底板為向下凸起的圓弧狀結(jié)構(gòu)，因此，現(xiàn)有技術(shù)中晶體生長爐爐體內(nèi)部空間較大，在需對爐體進(jìn)行抽真空工序時，由于爐體內(nèi)部空間大，進(jìn)而所需抽真空時間較長，導(dǎo)致生產(chǎn)效率較低。本實(shí)用新型提供的晶體生長爐，其底板也采用平面狀結(jié)構(gòu)，爐體內(nèi)部空間得到進(jìn)一步縮小，進(jìn)一步縮短了本實(shí)用新型提供的晶體生長爐抽真空所需時間。

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本實(shí)用新型具體實(shí)施方式
中晶體生長爐爐蓋結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型具體實(shí)施方式
中晶體生長爐結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型提供了一種晶體生長爐爐蓋，以規(guī)避因電極長度較長而造成的電極材料浪費(fèi)和電流損耗的問題及爐體內(nèi)部抽真空時間過長的問題。本實(shí)用新型還提供了一種包括上述晶體生長爐爐蓋的晶體生長爐。下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。請參閱圖1和圖2，圖1為本實(shí)用新型具體實(shí)施方式
中晶體生長爐爐蓋結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型具體實(shí)施方式
中晶體生長爐結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)用新型提供的一種晶體生長爐爐蓋，包括爐蓋本體11及覆于該爐蓋本體11 內(nèi)壁的保溫層(圖中未示出)，相對于現(xiàn)有技術(shù)中爐蓋為向上凸起的圓弧狀結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型提供的爐蓋為平面狀結(jié)構(gòu)。此外，爐蓋設(shè)有由厚度方向?qū)⑵湄灤┣夷軌蚬╇姌O穿過的通孔 111。需要說明的是，晶體生長爐的加熱器(圖中未示出)安裝于晶體生長爐的內(nèi)壁上。 現(xiàn)有技術(shù)中，晶體生長爐爐蓋為向上凸起的圓弧狀結(jié)構(gòu)，加熱器安裝于爐蓋內(nèi)壁時，向上凸起的圓弧狀爐蓋必然與加熱器存在一定的間隙，進(jìn)而，穿過爐蓋的電極所需長度較長，方可與加熱器相連接。如此設(shè)置，本具體實(shí)施方式
所提供的晶體生長爐爐蓋為平面狀結(jié)構(gòu)，加熱器安裝至爐蓋后，加熱器與爐蓋之間無間隙，故電極穿過通孔111后，可直接與加熱器相連。顯然，相對于現(xiàn)有技術(shù)，本具體實(shí)施方式
所提供的晶體生長爐爐蓋，所需電極長度較短，進(jìn)而有效規(guī)避了因電極長度較長而造成的電極材料浪費(fèi)和電流損耗的問題。同時相對于向上凸起的圓弧狀爐蓋，本具體實(shí)施方式
所提供的爐蓋為平面狀，進(jìn)而可使得爐體內(nèi)部空間縮小。因此，當(dāng)進(jìn)行爐體內(nèi)部的抽真空工序時，所需時間較短。此外，需要說明的是，現(xiàn)有技術(shù)中爐蓋本體11及覆于其內(nèi)壁的保溫層為向上凸起的圓弧狀結(jié)構(gòu)，其加工過程較復(fù)雜，且需特定的弧形面模具方可加工出向上凸起的圓弧狀結(jié)構(gòu)的爐蓋本體11及保溫層(圖中未示出)。采用本具體實(shí)施方式
所提供的晶體生長爐爐蓋，其爐蓋本體11及保溫層均為平面狀結(jié)構(gòu)，其加工過程較簡單。需要說明的是，由于爐蓋內(nèi)壁需安裝加熱器等裝置，且爐蓋需經(jīng)常被掀開和閉合， 故爐蓋本體11需具有一定的強(qiáng)度，以規(guī)避爐蓋本體11隨著長時間地使用發(fā)生形變，進(jìn)而導(dǎo)致其與爐體之間的氣密性較差。為了規(guī)避爐蓋本體11易變形的問題，爐蓋本體11的外壁可固定設(shè)有若干加強(qiáng)筋 112。加強(qiáng)筋112的數(shù)量可根據(jù)具體情況具體設(shè)定，比如，加強(qiáng)筋112的數(shù)量可為三個，當(dāng)然， 也可為其它數(shù)量，比如，五個、六個等。如此設(shè)置，加強(qiáng)筋112可有效增強(qiáng)爐蓋強(qiáng)度，進(jìn)而，有效避免了因爐蓋發(fā)生形變而導(dǎo)致爐蓋與爐體之間氣密性較差的問題。本具體實(shí)施方式
還提供了一種晶體生長爐，包括晶體生長爐本體12、設(shè)置于晶體生長爐本體12上端的晶體生長爐爐蓋及設(shè)置于晶體生長爐本體底端的底板13。需要說明的是，本具體實(shí)施方式
所提供的晶體生長爐，其晶體生長爐爐蓋為上述任一具體實(shí)施方式
所述的晶體生長爐爐蓋。如此設(shè)置，本實(shí)用新型提供的晶體生長爐，可有效規(guī)避因電極長度較長而而造成的電極材料浪費(fèi)和電流損耗及爐體內(nèi)部抽真空所需時間過長的問題。其具體推導(dǎo)過程，與上述晶體生長爐爐蓋所帶來的有益效果的推導(dǎo)過程大體類似，本文不再贅述。本具體實(shí)施方式
的優(yōu)選方案中，晶體生長爐的底板13為平面狀結(jié)構(gòu)。需要說明的是，現(xiàn)有技術(shù)中晶體生長爐的底板13為向下凸起的圓弧狀結(jié)構(gòu)，因此，現(xiàn)有技術(shù)中晶體生長爐爐體內(nèi)部空間較大，在需對爐體進(jìn)行抽真空工序時，由于爐體內(nèi)部空間大，進(jìn)而所需抽真空時間較長，導(dǎo)致生產(chǎn)效率較低。本實(shí)用新型提供的晶體生長爐，其底板13采用平面狀結(jié)構(gòu)，爐體內(nèi)部空間得到進(jìn)一步縮小，因此，進(jìn)一步縮短了本實(shí)用新型提供的晶體生長爐抽真空所需時間。為了方便的實(shí)現(xiàn)晶體生長爐爐蓋的掀蓋，本具體實(shí)施方式
所提供的晶體生長爐， 其爐蓋包括通過鉸軸鉸接于晶體生長爐本體的開口端的連接端，及可掀開和閉合的開合端。需要說明的是，開合端可設(shè)有開合支板113，該支板與驅(qū)動裝置14相連接。如此設(shè)置，本實(shí)用新型提供的晶體生長爐爐蓋，當(dāng)需打開時，只需控制驅(qū)動裝置14 即可將爐蓋掀開。需要說明的是，上述驅(qū)動裝置14可具體為液壓缸，當(dāng)然，也可為其它驅(qū)動裝置14，比如直線電機(jī)等。其具體設(shè)置方式可如下所述。液壓缸的底座可固定于爐體邊側(cè)， 且液壓缸的伸縮端與開合支板相連接。如此設(shè)置，向液壓缸提供壓力油時，液壓缸伸縮端逐漸伸出，進(jìn)而可將爐蓋頂開。為了增加開合支板113與爐蓋本體11之間連接的可靠性，上述三個加強(qiáng)筋112可均與開合支板113相連接，其具體可如下設(shè)置。加強(qiáng)筋112可為直線狀加強(qiáng)筋，其中一個與開合支板113相連接且經(jīng)過爐蓋中心位置，另外兩個加強(qiáng)筋112分別布置于其兩側(cè)且交匯于開合支板113上。此外，本具體實(shí)施方式
所提供的晶體生長爐還可包括支撐于底板的支撐柱15，比如，底板下面可支撐有四個支撐支柱15，當(dāng)然，也可設(shè)置其它數(shù)量的支柱，比如，五個、六個等。如此設(shè)置，晶體生長爐可通過支撐柱15支撐于地面，具有較好的穩(wěn)定性。本說明書中各個實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對這些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求1.一種晶體生長爐爐蓋，包括爐蓋本體、覆于所述爐蓋本體內(nèi)壁的保溫層及貫穿于其厚度方向且供電極穿過的通孔，其特征在于，所述晶體生長爐爐蓋為平面狀結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的晶體生長爐爐蓋，其特征在于，所述爐蓋本體的外壁固定有若干加強(qiáng)筋。
3.如權(quán)利要求2所述的晶體生長爐爐蓋，其特征在于，所述加強(qiáng)筋為三個。
4.一種晶體生長爐，包括晶體生長爐本體、設(shè)置于所述晶體生長爐本體上端的晶體生長爐爐蓋及設(shè)置于所述晶體生長爐本體底端的底板，其特征在于，所述晶體生長爐爐蓋為如權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的晶體生長爐爐蓋。
5.如權(quán)利要求4所述的晶體生長爐，其特征在于，所述底板為平面狀結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求5所述的晶體生長爐，其特征在于，所述晶體生長爐爐蓋包括連接端及與所述連接端相對應(yīng)的開合端，且所述連接端通過鉸軸鉸接于所述晶體生長爐本體的開口端，所述開合端設(shè)有開合支板，所述晶體生長爐還包括與所述開合支板相連接的驅(qū)動裝置。
7.如權(quán)利要求6所述的晶體生長爐，其特征在于，所述驅(qū)動裝置具體為位于所述開合支板下方的液壓缸，且所述液壓缸的伸縮端與所述開合支板相連接。
8.如權(quán)利要求6所述的晶體生長爐，其特征在于，所述驅(qū)動裝置具體為直線電機(jī)，且所述直線電機(jī)的伸縮端與所述開合支板相連接。
9.如權(quán)利要求6所述的晶體生長爐，其特征在于，若干所述加強(qiáng)筋均與所述開合支板相連接。
10.如權(quán)利要求9所述的晶體生長爐，其特征在于，還包括支撐于所述底板的多根支撐柱。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種晶體生長爐爐蓋，包括爐蓋本體、覆于所述爐蓋本體內(nèi)壁的保溫層及貫穿于其厚度方向且供電極穿過的通孔，所述晶體生長爐爐蓋為平面狀結(jié)構(gòu)。如此設(shè)置，本實(shí)用新型提供的晶體生長爐可有效規(guī)避因電極長度較長而造成的電極材料浪費(fèi)和電流損耗的問題及爐體內(nèi)部抽真空時間過長的問題。本實(shí)用新型還公開了一種包括上述晶體生長爐爐蓋的晶體生長爐。
文檔編號C30B29/06GK202116693SQ20112021044
公開日2012年1月18日 申請日期2011年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月20日
發(fā)明者湯旋 申請人:浙江昱輝陽光能源有限公司