一種單晶生長(zhǎng)方法及裝置制造方法
【專利摘要】一種單晶生長(zhǎng)方法及裝置，裝置包括加料部、單晶生長(zhǎng)部、加熱單元和熔料器；開(kāi)始時(shí),僅有部分籽晶或者部分籽晶和少量預(yù)加料全部熔化，在單晶生長(zhǎng)部形成熔區(qū)，生長(zhǎng)單晶的過(guò)程中，在熔區(qū)的上方以熔液的方式逐步向熔區(qū)內(nèi)添加原料，同時(shí)改變加熱器與籽晶的相對(duì)位置，使熔區(qū)相對(duì)于籽晶向上移動(dòng)，直至長(zhǎng)成所需尺寸的單晶。本發(fā)明由于采用熔液加料，便于分別控制原料熔化和熔液結(jié)晶；可以根據(jù)結(jié)晶需要的最佳條件在很大的范圍內(nèi)自由調(diào)整，有利于提高單晶生長(zhǎng)速度、改善單晶質(zhì)量并精確控制單晶成分，還有利于節(jié)能。
【專利說(shuō)明】一種單晶生長(zhǎng)方法及裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于單晶制備【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種單晶生長(zhǎng)方法及其裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]單晶體具有優(yōu)良的激光物理性能，其廣泛應(yīng)用于固體激光【技術(shù)領(lǐng)域】，如激光測(cè)距儀、激光雷達(dá)等儀器設(shè)備；高精度單晶硅也是半導(dǎo)體元件的基本材料。如何低成本地獲得大尺寸、或成分分布均勻的單晶體是本領(lǐng)域技術(shù)人員追求的目標(biāo)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明目的在于尋找一種可以得到成分分布均勻、首尾一致的大尺寸單晶的方法。通過(guò)對(duì)現(xiàn)有工藝的分析發(fā)現(xiàn):現(xiàn)有的區(qū)熔單晶生長(zhǎng)方法都是需要同時(shí)兼顧熔化固態(tài)原料和熔液結(jié)晶，因而很受局限。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了如下的技術(shù)方案:
一種單晶生長(zhǎng)裝置，包括加料部、單晶生長(zhǎng)部和加熱單元，所述加料部和單晶生長(zhǎng)部之間設(shè)置有對(duì)固相原料進(jìn)行熔化的熔料器，所述熔料器的下部或底部設(shè)置有漏液孔，由加料部落入熔料器的固相原料，經(jīng)加熱單元加熱熔化后，以熔液的形式滴入或流入單晶生長(zhǎng)部的熔區(qū)里，作為添加的原料參與單晶生長(zhǎng)。
[0004]進(jìn)一步，所述加熱單元包括加熱所述單晶生長(zhǎng)部和加熱熔料器的第一加熱器；或者包括加熱所述單晶生長(zhǎng)部的第一加熱器和加熱熔料器的第二加熱器；或者包括加熱所述單晶生長(zhǎng)部和加熱熔料器的第一加熱器和加熱熔料器的第二加熱器。
[0005]進(jìn)一步，所述單晶生長(zhǎng)部下部設(shè)置有頂桿，頂桿帶動(dòng)單晶生長(zhǎng)部上下運(yùn)動(dòng)；或/和所述第一加熱器設(shè)置有移動(dòng)裝置，帶動(dòng)加熱單元上下運(yùn)動(dòng)。
[0006]進(jìn)一步，所述單晶生長(zhǎng)部?jī)?nèi)還設(shè)置有攪拌器，通過(guò)攪拌促進(jìn)熔區(qū)組分均勻化。
[0007]進(jìn)一步，所述漏液孔為熔料器下部或底部開(kāi)設(shè)的通徑1-10毫米的一個(gè)或多個(gè)小孔；或者將底部設(shè)置為網(wǎng)狀。
[0008]進(jìn)一步，所述熔料器由高熔點(diǎn)的、相對(duì)于所述熔液不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料制成。
[0009]進(jìn)一步，所述材料為鉬、銥、鎢、鑰、鉭、鈮、石英或石墨中的一種。
[0010]本發(fā)明還提供了一種單晶生長(zhǎng)裝置實(shí)施的單晶生長(zhǎng)方法，所述方法包括以下步驟:
1)在單晶生長(zhǎng)部底部安裝籽晶；
2)將顆粒狀或者粉末狀固相原料放入加料器；
3)通過(guò)加熱單元加熱籽晶，直至所述籽晶上端部分熔化，在籽晶頂部形成熔區(qū)；
4)所述加熱單元根據(jù)單晶生長(zhǎng)速度相對(duì)于籽晶向上移動(dòng)，或者單晶生長(zhǎng)部根據(jù)單晶生長(zhǎng)速度下移，使所述熔區(qū)相對(duì)于籽晶上移，所述單晶開(kāi)始生長(zhǎng)；
5)單晶生長(zhǎng)的過(guò)程中，通過(guò)輸料器將加料器中的固相原料按所述單晶的生長(zhǎng)速度所需，輸送至下方的熔料器；
6)落入熔料器的固相原料由加熱單元加熱形成熔液，滴入或流入所述熔區(qū)，作為添加的原料參與所述單晶生長(zhǎng)；
7)長(zhǎng)成所需尺寸的單晶后，停止生長(zhǎng)過(guò)程。
[0011]進(jìn)一步，完成步驟I)后，在籽晶頂部預(yù)加適量原料，所預(yù)加的原料可以與步驟2)中的原料相同、也可不同。
[0012]進(jìn)一步，所述加熱單元設(shè)置有第一加熱器，用于加熱單晶生長(zhǎng)部和熔料器；或者增加設(shè)置有第二加熱器，所述第一加熱器，用于加熱單晶生長(zhǎng)部或者加熱單晶生長(zhǎng)部和熔料器，所述第二加熱器只加熱熔料器；所述加熱單元采用的加熱方式為感應(yīng)加熱、電阻加熱或輻射加熱的任一種，或者采用不同加熱方式組合加熱。
[0013]進(jìn)一步，生成的所述單晶為純組分單晶、摻雜的單晶和非同成分生長(zhǎng)的單晶。
[0014]進(jìn)一步，所述單晶為氧化鋁、摻雜或不摻雜的釔鋁石榴石、化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰或單晶娃的一種。
[0015]進(jìn)一步，所述熔區(qū)的上升速度為0.1毫米/小時(shí)一20毫米/小時(shí)。
[0016]由于采用熔液加料，熔區(qū)不用同時(shí)兼顧熔化固態(tài)原料和熔液結(jié)晶、可以根據(jù)結(jié)晶需要的最佳條件在很大的范圍內(nèi)自由調(diào)整，獲得更高質(zhì)量的單晶。同時(shí)，由于可以采用較薄的熔區(qū)、并且采用攪拌器，有利于改善傳質(zhì)條件；而且加熱較薄的熔區(qū)需要的加熱元件功率可以減小，熱效率得到提高，降低了生產(chǎn)中的能耗，節(jié)約大量能源；再者，采用較低功率的加熱元件，產(chǎn)生能耗少，需要的保溫材料等也會(huì)減少，有利于設(shè)備的小型化。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例共同用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。
[0018]圖1是本發(fā)明單晶生長(zhǎng)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖中:1、加料器；2、攪拌器；3、加熱器；4、熔料器；5、熔液滴；6、感應(yīng)圈；7、坩堝；8、熔區(qū)；9、單晶；10、桿晶；11、保溫材料。

【具體實(shí)施方式】
[0019]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0020]以下各實(shí)施例的裝置基本相同，在實(shí)施例中不再一一詳述。
[0021]實(shí)施例1:
如圖1所示，本實(shí)施例中，單晶生長(zhǎng)裝置包括加料器1、攪拌器2、加熱器3、熔料器4、坩堝7和形成保溫腔的保溫材料11。加料器I位于裝置的上部，加料器I的下部設(shè)置有輸料器，通過(guò)控制裝置控制固相原料輸出速度。加料器下方設(shè)置有熔料器4，加料器I與熔料器4通過(guò)輸料管連通，坩堝7上方開(kāi)口，熔料器4搭接在加熱器3的上沿；采用電阻加熱方式或其他加熱方式的時(shí)候，熔料器4架在保溫材料11形成的保溫腔的內(nèi)腔頂部。坩堝7的外部圍有加熱器3 ;?甘堝7的底部固定有籽晶10 ;裝置外表面覆蓋有保溫材料11，感應(yīng)圈6設(shè)置在保溫材料11之外、與加熱器3對(duì)應(yīng)的位置上。具體實(shí)施時(shí)，也可以不用坩堝7，只用籽晶夾持裝置。籽晶10、?甘堝7或者籽晶夾持裝置以及頂桿和頂桿拖動(dòng)機(jī)構(gòu),包括籽晶10和原料熔化生成的熔區(qū)稱為單晶生長(zhǎng)部。
[0022]裝置中熔料器4由高熔點(diǎn)的、相對(duì)于所述熔液不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料，例如鉬、銥、鎢、鑰、鉭、鈮、石英或石墨制成。
[0023]單晶生長(zhǎng)工藝按以下步驟操作:
1)鑰制坩堝7底部安裝Φ5χ30的氧化鋁單晶棒作籽晶10，籽晶10上面預(yù)加20克粒徑10毫米的固相氧化鋁原料，通過(guò)坩堝頂桿將籽晶10推至加熱器3的下沿，本實(shí)施例中加熱器3采用感應(yīng)加熱方式；加熱器3同時(shí)加熱熔料器4和熔區(qū)8 ；
2)將粒徑10毫米的固相氧化鋁原料放入加料器I;
3)抽真空并通過(guò)加熱器3加熱籽晶10，直至預(yù)加的固相氧化鋁原料和籽晶10的上端部分熔化，在籽晶頂部形成熔區(qū)8 ；
4)加熱器3固定，通過(guò)感應(yīng)圈移動(dòng)裝置(圖中未示出)以每小時(shí)5毫米的速度向上移動(dòng)感應(yīng)圈6，隨著單晶生長(zhǎng)相對(duì)于籽晶10向上移動(dòng)，使熔區(qū)8上移，單晶9開(kāi)始生長(zhǎng)；
5)鑰制熔料器4位于加熱器3的中上部，該部位溫度較高；熔區(qū)8位于熔料器4的下方，該部位溫度相對(duì)較低，單晶9生長(zhǎng)的過(guò)程中，通過(guò)輸料器將加料器中的固相原料按單晶9的生長(zhǎng)速度所需，加入熔料器4中；
6)在熔料器4中，固相原料熔化為熔液，通過(guò)熔料器4下部側(cè)壁開(kāi)設(shè)的通徑10毫米的小孔流出，形成熔液滴5，滴入或流入熔區(qū)8，作為添加的原料參與單晶生長(zhǎng)。通過(guò)控制輸料器的加料速度，使原料熔液添加速度與單晶9生長(zhǎng)速度相適配，保持熔液加料速度和單晶9生長(zhǎng)速度平衡；
7)最終生長(zhǎng)出直徑50毫米、長(zhǎng)度200毫米的氧化鋁單晶。
[0024]采用上述方法，如圖1所示，單晶生長(zhǎng)部的熔區(qū)8厚度可以保持很薄；同時(shí)，熔料器4中的原料也較少；熔化所需要的能量相應(yīng)地也減少了，熱效率得到提高，降低了生產(chǎn)中的能耗，節(jié)約大量能源。
[0025]實(shí)施例2:
本實(shí)施例中單晶生長(zhǎng)裝置與實(shí)施例1基本相同，區(qū)別為裝置還設(shè)置有攪拌器2，攪拌器2安裝在裝置的上部，扇葉伸入熔區(qū)8中對(duì)熔液進(jìn)行攪拌，為了使傳質(zhì)均勻。攪拌器的扇葉設(shè)置位置需要高于結(jié)晶面，避免對(duì)結(jié)晶過(guò)程的破壞。
[0026]I)用上口內(nèi)徑100毫米、長(zhǎng)度140毫米的銥制坩堝作為坩堝7 ;將Φ 10x30的摻釹l%mol的釔鋁石榴石單晶棒作籽晶10安裝在坩堝7的底部，籽晶10上方預(yù)加摻釹5%mol的釔鋁石榴石粉料50克，籽晶10位于加熱器3的下沿；加熱器3同時(shí)熔區(qū)8和熔料器4 ；
2)將摻釹l%mol的釔鋁石榴石顆粒狀原料預(yù)裝入加料器I;
3)抽真空并通過(guò)加熱器3加熱籽晶10和預(yù)加的少量原料，直至所述預(yù)加原料和籽晶10上端部分熔化，在籽晶頂部形成熔區(qū)8 ；
4)加熱器3固定；通過(guò)坩堝下部的頂桿以每小時(shí)I毫米的速度向下移動(dòng)坩堝7，則熔區(qū)8隨著單晶9生長(zhǎng)相對(duì)于籽晶10向上移動(dòng)，單晶9保持生長(zhǎng)；
5)銥制熔料器4為桶狀，架在保溫材料11內(nèi)腔的頂部；其底部位于加熱器3的中上部，熔料器4底部開(kāi)設(shè)有通徑I毫米的小孔；也可以采用銥制金屬網(wǎng)作為熔料器4的底部。單晶9生長(zhǎng)的過(guò)程中，通過(guò)輸料器將加料器I中的顆粒狀原料按單晶9的生長(zhǎng)速度所需，力口入熔料器4 ；
6)在熔料器4中，固相原料熔化為熔液，通過(guò)熔料器4底部的網(wǎng)孔流出，形成熔液滴5，滴入或流入熔區(qū)8，作為添加的原料參與單晶生長(zhǎng)；控制輸料器的加料速度，使原料熔液添加速度與單晶9生長(zhǎng)速度相適配，保持熔液加料速度和單晶9生長(zhǎng)速度平衡；
7)鑰制攪拌器2的扇葉伸入熔區(qū)8，對(duì)熔液攪拌，通過(guò)攪拌使熔區(qū)8內(nèi)原料成分更加均勻；
8)最終生長(zhǎng)出直徑100毫米、長(zhǎng)度100毫米的摻釹l%mol的釔鋁石榴石單晶。
[0027]本實(shí)施例也可以采用加熱器3上升帶動(dòng)熔區(qū)8上升的方式生成單晶方式。采用加熱器3上升方式時(shí)，相應(yīng)地?cái)嚢杵?配備有同步提升裝置(圖中未示出)，使攪拌器2的上升速度與加熱器3上升相同，以達(dá)到與熔區(qū)8的上升速度匹配，保證攪拌的效果。
[0028]實(shí)施例3:
本實(shí)施例中單晶生長(zhǎng)裝置與實(shí)施例2基本相同，區(qū)別為加熱器3為電阻加熱器，分為第一電阻加熱器和第二電阻加熱器。
[0029]I)用內(nèi)徑50毫米、長(zhǎng)度70毫米鉬制的坩堝作為坩堝7，將Φ 10x30的化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰單晶棒作籽晶10安裝在坩堝7的底部，籽晶10上方預(yù)加富鋰5%mol的鈮酸鋰粉料50克，籽晶10位于電阻加熱器3的下沿；
2)將化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰顆粒料預(yù)裝入加料器I;
3)單獨(dú)通過(guò)第一電阻加熱器加熱籽晶10和預(yù)加的少量原料，直至所述原料和籽晶10上半部熔化，在籽晶頂部形成熔區(qū)8 ；
4)電阻加熱器3固定；通過(guò)坩堝7下部的頂桿以每小時(shí)0.1毫米的速度向下移動(dòng)坩堝7，則熔區(qū)8相對(duì)于籽晶10向上移動(dòng)，單晶9保持生長(zhǎng)；
5)鉬制熔料器4為倒錐狀，底部位于第二電阻加熱器的中上部，單晶9生長(zhǎng)的過(guò)程中，通過(guò)輸料器將加料器I中的原料按單晶9的生長(zhǎng)速度所需，加入熔料器4 ；
6)在熔料器4中，固相原料熔化為熔液，通過(guò)熔料器4底部開(kāi)設(shè)的通徑5毫米的小孔流出，形成熔液滴5，滴入或流入熔區(qū)8，作為添加的原料參與單晶生長(zhǎng)。通過(guò)控制輸料器的加料速度，使原料熔液添加速度與單晶9生長(zhǎng)速度相適配，保持熔液加料速度和單晶9生長(zhǎng)速度平衡；
7)坩堝7內(nèi)設(shè)置有鉬制攪拌器2，通過(guò)攪拌使熔區(qū)內(nèi)原料成分更加均勻；
8)最終生長(zhǎng)出直徑50毫米、長(zhǎng)度100毫米的化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰單晶。
[0030]實(shí)施例4:
本實(shí)施例中單晶生長(zhǎng)裝置與實(shí)施例1基本相同，區(qū)別為加熱器3為輻射加熱器。
[0031]I)用石英籽晶夾固定Φ 10x20的硅單晶棒作籽晶10，籽晶10位于橢圓形強(qiáng)光輻射聚焦加熱單晶生長(zhǎng)爐的一個(gè)焦點(diǎn)上，另一個(gè)焦點(diǎn)上放一個(gè)強(qiáng)光燈作輻射加熱源；
2)將粉末狀的高純多晶硅原料裝入加料器I;
3)爐內(nèi)抽真空，通過(guò)強(qiáng)光燈輻射加熱籽晶10，直至籽晶10上端部分熔化，在籽晶頂部形成熔區(qū)8 ；
4)通過(guò)石英籽晶夾持裝置下部的頂桿以每小時(shí)20毫米的速度向下移動(dòng)籽晶10，則熔區(qū)8相對(duì)于籽晶10向上移動(dòng),單晶9開(kāi)始生長(zhǎng)；
5)單獨(dú)石墨電阻加熱的石英制熔料器4位于籽晶10上方，熔料器4下部側(cè)壁開(kāi)有若干個(gè)通徑3毫米的小孔，單晶9生長(zhǎng)的過(guò)程中，通過(guò)輸料器將加料器I中的原料按單晶9的生長(zhǎng)速度所需，加入熔料器4; 6)在熔料器4中，固相原料熔化為熔液，通過(guò)熔料器4下部側(cè)壁開(kāi)設(shè)的通徑3毫米的小孔流出，形成熔液滴5，滴入或流入熔區(qū)8，作為添加的原料參與單晶生長(zhǎng)。通過(guò)控制輸料器的加料速度，使原料熔液添加速度與單晶9生長(zhǎng)速度相適配，保持熔液加料速度和單晶9生長(zhǎng)速度平衡；
7)最終生長(zhǎng)出直徑10毫米、長(zhǎng)度100毫米的優(yōu)質(zhì)硅單晶。
[0032]本發(fā)明的單晶生長(zhǎng)方法和裝置最后應(yīng)說(shuō)明的是:按照實(shí)施例的方式，改變配料，采用對(duì)應(yīng)工藝，不僅可以用于生長(zhǎng)純組分單晶(可以不用攪拌器2)也可以用于生長(zhǎng)摻雜的單晶或非同成分生長(zhǎng)的單晶(加攪拌器2)。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種單晶生長(zhǎng)裝置，包括加料部、單晶生長(zhǎng)部和加熱單元，其特征在于:所述加料部和單晶生長(zhǎng)部之間設(shè)置有對(duì)固相原料進(jìn)行熔化的熔料器，所述熔料器的下部或底部設(shè)置有漏液孔，由加料部落入熔料器的固相原料，經(jīng)加熱單元加熱熔化后，以熔液的形式滴入或流入單晶生長(zhǎng)部的熔區(qū)里，作為添加的原料參與單晶生長(zhǎng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶生長(zhǎng)裝置，其特征在于:所述加熱單元包括加熱所述單晶生長(zhǎng)部和加熱熔料器的第一加熱器；或者包括加熱所述單晶生長(zhǎng)部的第一加熱器和加熱熔料器的第二加熱器；或者包括加熱所述單晶生長(zhǎng)部和加熱熔料器的第一加熱器和加熱熔料器的第二加熱器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶生長(zhǎng)裝置，其特征在于:所述單晶生長(zhǎng)部下部設(shè)置有頂桿，頂桿帶動(dòng)單晶生長(zhǎng)部上下運(yùn)動(dòng)；或/和所述第一加熱器設(shè)置有移動(dòng)裝置，帶動(dòng)加熱單元上下運(yùn)動(dòng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶生長(zhǎng)裝置，其特征在于:所述單晶生長(zhǎng)部?jī)?nèi)還設(shè)置有攪拌器，通過(guò)攪拌促進(jìn)熔區(qū)組分均勻化。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶生長(zhǎng)裝置，其特征在于:所述漏液孔為熔料器下部或底部開(kāi)設(shè)的通徑1-10毫米的一個(gè)或多個(gè)小孔；或者將底部設(shè)置為網(wǎng)狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶生長(zhǎng)裝置，其特征在于:所述熔料器由高熔點(diǎn)的、相對(duì)于所述熔液不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料制成。
7.采用權(quán)利要求1至6中任一種單晶生長(zhǎng)裝置實(shí)施的單晶生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟: 1)在單晶生長(zhǎng)部底部安裝籽晶； 2)將顆粒狀或者粉末狀固相原料放入加料器； 3)通過(guò)加熱單元加熱籽晶，直至所述籽晶上端部分熔化，在籽晶頂部形成熔區(qū)； 4)所述加熱單元根據(jù)單晶生長(zhǎng)速度相對(duì)于籽晶向上移動(dòng)，或者單晶生長(zhǎng)部根據(jù)單晶生長(zhǎng)速度下移，使所述熔區(qū)相對(duì)于籽晶上移，所述單晶開(kāi)始生長(zhǎng)； 5)單晶生長(zhǎng)的過(guò)程中，通過(guò)輸料器將加料器中的固相原料按所述單晶的生長(zhǎng)速度所需，輸送至下方的熔料器； 6)落入熔料器的固相原料由加熱單元加熱形成熔液，滴入或流入所述熔區(qū)，作為添加的原料參與所述單晶生長(zhǎng)； 7)長(zhǎng)成所需尺寸的單晶后，停止生長(zhǎng)過(guò)程。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的單晶生長(zhǎng)方法，其特征在于:完成步驟I)后，在籽晶頂部預(yù)加適量原料，所預(yù)加的原料可以與步驟2)中的原料相同或不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的單晶生長(zhǎng)方法，其特征在于:所述加熱單元設(shè)置有第一加熱器，用于加熱單晶生長(zhǎng)部和熔料器；或者增加設(shè)置有第二加熱器，所述第一加熱器，用于加熱單晶生長(zhǎng)部或者加熱單晶生長(zhǎng)部和熔料器，所述第二加熱器只加熱熔料器；所述加熱單元采用的加熱方式為感應(yīng)加熱、電阻加熱或輻射加熱的任一種，或者采用不同加熱方式組合加熱。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的單晶生長(zhǎng)方法，其特征在于:生成的所述單晶為純組分單晶、摻雜的單晶或非同成分生長(zhǎng)的單晶。
【文檔編號(hào)】C30B13/10GK104328483SQ201410638863
【公開(kāi)日】2015年2月4日 申請(qǐng)日期:2014年11月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月13日
【發(fā)明者】吳晟, 吳星, 倪代秦 申請(qǐng)人:吳晟, 吳星, 倪代秦