專(zhuān)利名稱(chēng)：一種單晶爐高溫熔料泄漏引導(dǎo)保護(hù)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到單晶爐高溫熔料泄漏保護(hù)裝置領(lǐng)域，特別是一種高溫熔料泄漏引導(dǎo)保護(hù)裝置。
背景技術(shù)：
在直拉單晶制備的化料和拉晶過(guò)程中，因?yàn)槭③釄遒|(zhì)量問(wèn)題或多晶料中雜質(zhì)問(wèn)題，會(huì)導(dǎo)致高溫下的液態(tài)熔料(如熔硅)穿透石英坩堝從三瓣石墨坩堝縫隙流向爐底的事故，為防止?fàn)t底以及爐底上電極、坩堝軸損壞或燒穿，目前采用爐底疊放爐底護(hù)板、爐底碳?xì)?、電極石英護(hù)套、電極石墨護(hù)套、連桿石墨護(hù)套等辦法，取得一定效果，但對(duì)于防止高溫熔料流進(jìn)爐底的坩堝軸密封腔體內(nèi)所造成的損壞，卻沒(méi)有見(jiàn)到任何應(yīng)對(duì)措施。這種損壞是很?chē)?yán)重的，從三瓣石墨坩堝縫隙流出的高溫熔料一部分沿著連桿軸流向爐底的坩堝軸密封腔體內(nèi)，使得腔體內(nèi)的波紋管因接觸溫度過(guò)高的熔料而燒穿。進(jìn)而導(dǎo)致?tīng)t內(nèi)倒吸入大量空氣， 使高溫下的石墨件嚴(yán)重氧化，這不僅損壞了波紋管還極大的縮短了熱系統(tǒng)的使用壽命。
綜上所述，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，特別需要一種單晶爐高溫熔料泄漏引導(dǎo)保護(hù)裝置，以解決以上提到的問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種單晶爐高溫熔料泄漏引導(dǎo)保護(hù)裝置，通過(guò)采用的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。
本發(fā)明所解決的技術(shù)問(wèn)題可以采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)
一種單晶爐高溫熔料泄漏引導(dǎo)保護(hù)裝置，包括石墨坩堝和設(shè)置于石墨坩堝底部的坩堝托底，其特征在于，所述坩堝托底的下表面設(shè)置有圓環(huán)凸起。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述圓環(huán)凸起直徑范圍為150-180毫米，高度范圍為 10-40毫米，厚度范圍為4-8毫米。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述圓環(huán)凸起的最佳直徑為175毫米，最佳高度為30毫米，最佳厚度為5毫米。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述圓環(huán)凸起呈柱形或上部呈柱形下部呈梯形。
本發(fā)明的有益效果在于主要用于漏料引導(dǎo)，使液態(tài)的高溫熔體不會(huì)沿著連桿軸流向波紋管，從而十分有效地減輕漏料事故造成的損失，除能挽救一個(gè)波紋管外，更能保護(hù)高溫下的熱系統(tǒng)，防止空氣進(jìn)入爐內(nèi)而嚴(yán)重氧化熱系統(tǒng)。


圖1為本發(fā)明所述的一種單晶爐高溫熔料泄漏引導(dǎo)保護(hù)裝置的示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體實(shí)施方式
，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。
如圖1所示，本發(fā)明所述的一種單晶爐高溫熔料泄漏引導(dǎo)保護(hù)裝置，包括石墨坩堝1和設(shè)置于石墨坩堝1底部的坩堝托底2，所述坩堝托底2的下表面設(shè)置有圓環(huán)凸起3。
所述圓環(huán)凸起直徑范圍為150-180毫米，高度范圍為10-40毫米，厚度范圍為4_8 毫米，本裝置中的圓環(huán)凸起最大高度的確定是以堝位最低時(shí)圓環(huán)和爐底護(hù)板不接觸為準(zhǔn)。 圓環(huán)內(nèi)徑最小尺寸應(yīng)大于爐底坩堝軸石墨保護(hù)環(huán)外徑，而且呈柱型或上部呈柱型下部呈梯型，圓環(huán)外徑最大尺寸以距離電極石墨保護(hù)環(huán)3厘米為準(zhǔn)，而且呈柱型。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述圓環(huán)凸起的最佳直徑為175毫米，最佳高度為30毫米，最佳厚度為5毫米。
這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)能讓發(fā)生漏料后高溫熔料通過(guò)石墨坩堝的縫隙流到坩堝托底，然后高溫熔料在坩堝底座下端處會(huì)遇到圓環(huán)凸起，從而會(huì)沿著圓環(huán)外壁滴向爐底護(hù)板，而不是沿連桿軸流向波紋管，可以防止漏料時(shí)候造成對(duì)波紋管的損壞，更保障了熱系統(tǒng)的安全性。
以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其等效物界定。
權(quán)利要求
1.一種單晶爐高溫熔料泄漏引導(dǎo)保護(hù)裝置，包括石墨坩堝和設(shè)置于石墨坩堝底部的坩堝托底，其特征在于，所述坩堝托底的下表面設(shè)置有圓環(huán)凸起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐高溫熔料泄漏引導(dǎo)保護(hù)裝置，其特征在于，所述圓環(huán)凸起直徑范圍為150-180毫米，高度范圍為10-40毫米，厚度范圍為4-8毫米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐高溫熔料泄漏引導(dǎo)保護(hù)裝置，其特征在于，所述圓環(huán)凸起的最佳直徑為175毫米，最佳高度為30毫米，最佳厚度為5毫米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單晶爐高溫熔料泄漏引導(dǎo)保護(hù)裝置，其特征在于，所述圓環(huán)凸起呈柱形或上部呈柱形下部呈梯形。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種單晶爐高溫熔料泄漏引導(dǎo)保護(hù)裝置，包括石墨坩堝和設(shè)置于石墨坩堝底部的坩堝托底，其特征在于，所述坩堝托底的下表面設(shè)置有圓環(huán)凸起。這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)能讓發(fā)生漏料后高溫熔料通過(guò)石墨坩堝的縫隙流到坩堝托底，然后高溫熔料在坩堝底座下端處會(huì)遇到圓環(huán)凸起，從而會(huì)沿著圓環(huán)外壁滴向爐底護(hù)板，而不是沿連桿軸流向波紋管，可以防止漏料時(shí)候造成對(duì)波紋管的損壞，更保障了熱系統(tǒng)的安全性。
文檔編號(hào)C30B15/20GK102492982SQ201110414098
公開(kāi)日2012年6月13日 申請(qǐng)日期2011年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月13日
發(fā)明者馮磊, 馮維亮 申請(qǐng)人:上海九晶電子材料股份有限公司