專利名稱：電路板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路板技術(shù)，尤其涉及一種可保存較長時間的電路板及其制作方法。
背景技術(shù)：
隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，印刷電路板在電子產(chǎn)品得到的廣泛的應(yīng)用。關(guān)于電路板的
Takahashi, A. Ooki, N. Nagai, Α. Akahoshi, H. Mukoh, Α. Wajima, Μ. Res. Lab,High density multilayer printed circuit boardfor HITAC M-880,IEEE Trans.on Components, Packaging, and ManufacturingTechnology,1992,15(4) :418_425。隨著對消費(fèi)者權(quán)益保護(hù)的日益深入，現(xiàn)有規(guī)定電子產(chǎn)品的供貨商必須對其產(chǎn)品在整個使用期限內(nèi)提供維修部件。按照一般電子產(chǎn)品的使用壽命為10年計算，意味著供貨商必須保存10年的產(chǎn)品組件。然而，現(xiàn)有的電路板在保存過程中，存在著銅面可能氧化、絕緣材料層可能吸濕等問題。即使對銅面采取了鍍金、浸銀等方法進(jìn)行保護(hù)，有效保存期限也基本僅為一年左右，而不能更長。因此，有必要提供一種可具有較長保存期限的電路板及其制作方法。

發(fā)明內(nèi)容
以下將以實施例說明一種電路板及其制作方法。一種電路板，包括基底、第一線路層、第一保護(hù)層以及碳氟膜，所述基底具有第一表面，所述第一線路層形成于所述第一表面，所述第一線路層包括多條第一導(dǎo)電線路和多個第一導(dǎo)電端子，所述第一保護(hù)層覆蓋多條第一導(dǎo)電線路以及基底自第一線路層暴露出的第一表面，所述第一保護(hù)層具有靠近基底的第一保護(hù)面和與第一保護(hù)面相對的第二保護(hù)面，所述第一保護(hù)層開設(shè)有貫穿第一保護(hù)面和第二保護(hù)面的多個第一通孔，所述多個第一通孔與多個第一導(dǎo)電端子一一對應(yīng)，以暴露出所述多個第一端子，所述碳氟膜沉積于第二保護(hù)面以及多個第一導(dǎo)電端子的表面，所述碳氟膜由碳元素與氟元素組成，且氟原子數(shù)量與碳原子數(shù)量的比值為1. 2至1. 5?！N電路板，包括電路基板及碳氟膜，所述電路基板包括基底、線路層、保護(hù)層以及電子元器件，所述基底具有第一表面，所述線路層形成于所述第一表面，所述線路層包括多條導(dǎo)電線路和多個導(dǎo)電端子，所述保護(hù)層覆蓋多條導(dǎo)電線路以及基底自線路層暴露出的第一表面，且暴露出所述多個導(dǎo)電端子，所述電子元器件具有與多個導(dǎo)電端子一一對應(yīng)的多個連接端子，所述多個連接端子與所述多個導(dǎo)電端子電連接從而使得所述電子元器件構(gòu)裝于所述電路板，所述碳氟膜沉積于所述電路基板的外表面，所述碳氟膜由碳元素與氟元素組成，且氟原子數(shù)量與碳原子數(shù)量的比值為1. 2至1. 5。一種電路板制作方法，包括步驟提供一個介質(zhì)阻擋放電反應(yīng)器及一個聚四氟乙烯膜；提供一個電路基板，所述電路基板包括基底、線路層及保護(hù)層，所述基底具有第一表面，所述線路層形成于所述第一表面，所述線路層包括多條導(dǎo)電線路和多個導(dǎo)電端子，所述保護(hù)層覆蓋多條導(dǎo)電線路以及基底自線路層暴露出的第一表面，所述第一保護(hù)層具有靠近基底的第一保護(hù)面和與第一保護(hù)面相對的第二保護(hù)面，所述第一保護(hù)層開設(shè)有貫穿第一保護(hù)面和第二保護(hù)面的多個第一通孔，所述多個第一通孔與多個導(dǎo)電端子一一對應(yīng)，以暴露出所述多個導(dǎo)電端子；以及將所述電路基板和聚四氟乙烯膜放置于介質(zhì)阻擋放電反應(yīng)器中，并使第二保護(hù)面與聚四氟乙烯膜相對，蒸發(fā)聚四氟乙烯膜以在電路基板的第二保護(hù)面以及多個導(dǎo)電端子的表面沉積碳氟膜，所述碳氟膜由碳元素與氟元素組成，且氟原子數(shù)量與碳原子數(shù)量的比值為1. 2至1. 5。本技術(shù)方案的電路板具有如下優(yōu)點由于碳氟膜具有表面能低、不吸潮、不粘異物、耐化學(xué)試劑腐蝕、耐候性好等特征，且覆蓋電路基板的主要表面或者整個外表面，從而可以充分地保護(hù)整個電路基板不受外界氣體的侵蝕，不受外界污染物的污染。如此，水氣、 酸性氣體、堿性氣體及污染物不易透過碳氟膜對電路基板造成損害，這樣使得電路基板可以長期保存。本技術(shù)方案的電路板制作方法采用共面介質(zhì)阻擋放電法制作碳氟膜，這是一種常溫“干法”工藝，制作過程中不會帶入水氣，從而碳氟膜的制作過程不會對電路基板的材料性質(zhì)造成影響。并且，制得的碳氟膜具有憎水性及耐酸堿性，可以良好的保護(hù)電路基板。


圖1為本技術(shù)方案第一實施例提供的電路板的電路基板的俯視示意圖。圖2為本技術(shù)方案第一實施例提供的電路板沿圖1的II-II線的部分剖視示意圖。圖3為本技術(shù)方案第二實施例提供的電路板的示意圖。圖4為本技術(shù)方案第三實施例提供的電路板的電路基板的俯視示意圖。圖5為本技術(shù)方案第三實施例提供的電路板沿圖4的V-V線的部分剖視示意圖。圖6為本技術(shù)方案提供的制作電路板的示意圖。主要元件符號說明電路板10、20、30電路基板 11、21、31碳氟膜19、29、39基底12、32線路層13、33保護(hù)層14、34第一表面121第二表面122第一側(cè)面123導(dǎo)電線路131、331導(dǎo)電端子132、332導(dǎo)電接頭 133第一保護(hù)面141、221第二保護(hù)面142、222第二側(cè)面143
第一通孔1401、223第二通孔1402J83第一保護(hù)層22第一線路層23第一絕緣層24膠粘層25第二絕緣層26第二線路層27第二保護(hù)層28第一導(dǎo)電線路231第一導(dǎo)電端子232第二導(dǎo)電線路271第二導(dǎo)電端子272第三保護(hù)面281第四保護(hù)面282電子元器件36底面3601頂面3602側(cè)壁3603連接端子361焊錫球362封裝底膠363介質(zhì)阻擋放電反應(yīng)器40反應(yīng)腔41載臺42介質(zhì)阻擋層43高壓電極44接地電極45腔體410聚四氟乙烯膜400承載表面似0氣體入口401氣體輸入管402質(zhì)量流量計40具體實施例方式下面將結(jié)合附圖及多個實施例，對本技術(shù)方案提供的電路板及其制作方法作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。請一并參閱圖1及圖2，本技術(shù)方案第一實施例提供的電路板10包括電路基板11
6和碳氟膜19。所述電路基板11包括依次堆疊的基底12、線路層13及保護(hù)層14。所述基底12可以為單層結(jié)構(gòu)，也可以為多層結(jié)構(gòu)。所述單層結(jié)構(gòu)是指僅包括一層絕緣層的結(jié)構(gòu)。所述多層結(jié)構(gòu)是指包括至少一層絕緣層與至少一層導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)。絕緣層可以為硬性樹脂層，如環(huán)氧樹脂、玻纖布等，也可以柔性樹脂層，如聚酰亞胺(Polyimide， PI)、聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Ter印hthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylenenaphthalate^EN)等。導(dǎo)電層是指由導(dǎo)電材料制成的已經(jīng)形成線路的或者用來形成線路的片層，其材料一般為銅。當(dāng)所述基底12為單層結(jié)構(gòu)時，所述電路板10為單面板，當(dāng)所述基底12包含一層導(dǎo)電層時，所述電路板10為雙面板，當(dāng)所述基底12包含兩層以上導(dǎo)電層時，電路板10為多層板。在本實施例中，所述基底12為單層絕緣層。所述基底12具有第一表面121、與第一表面121相對的第二表面122以及連接第一表面121和第二表面122的第一側(cè)面123。所述線路層13形成于所述第一表面121，且包括多條導(dǎo)電線路131、多個導(dǎo)電端子132以及多個導(dǎo)電接頭133。在本實施例中，所述多條導(dǎo)電線路131與多個導(dǎo)電端子 132 一一對應(yīng)，還與多個導(dǎo)電接頭133 —一對應(yīng)，每條導(dǎo)電線路131均連接在一個導(dǎo)電端子 132和一個導(dǎo)電接頭133之間。所述多條導(dǎo)電線路131的材料為銅。所述多個導(dǎo)電端子 132可以為焊盤、邊接頭、通孔或其它類似結(jié)構(gòu)，用于與其它線路或電子器件連接。每個導(dǎo)電端子132可以為由銅材料制成的單層結(jié)構(gòu)，也可以為包括銅層和沉積在銅層表面的接觸層的結(jié)構(gòu)。所述接觸層可以為化學(xué)鍍金層、化學(xué)鍍銀層、化學(xué)鍍錫層、有機(jī)保焊層(Organic Solderability Preservatives, 0SP)或者鎳金層。鎳金層是指包括沉積在銅層表面的鎳層及沉積在鎳層表面的金層的結(jié)構(gòu)。所述多個導(dǎo)電接頭133也可以為焊盤、邊接頭、通孔或其它類似結(jié)構(gòu)，也用于與其它線路或電子器件連接。每個導(dǎo)電接頭133可以為由銅材料制成的單層結(jié)構(gòu)，每個導(dǎo)電接頭133也可以為包括銅層及接觸層的結(jié)構(gòu)。所述接觸層可以為化學(xué)鍍金層、化學(xué)鍍銀層、化學(xué)鍍錫層、有機(jī)保焊層或者鎳金層。所述保護(hù)層14用于保護(hù)多條導(dǎo)電線路131。當(dāng)絕緣層為硬性樹脂時，保護(hù)層14 一般為阻焊油墨；當(dāng)絕緣層為柔性樹脂時，保護(hù)層14 一般為覆蓋膜。所述保護(hù)層14貼覆在多條導(dǎo)電線路131表面以及基底12自線路層13暴露出的第一表面121。保護(hù)層14具有靠近基底12的第一保護(hù)面141、與第一保護(hù)面141相對的第二保護(hù)面142及連接第一保護(hù)面 141與第二保護(hù)面142的第二側(cè)面143。所述第一保護(hù)面141與基底12的第一表面121接觸。保護(hù)層14開設(shè)有多個第一通孔1401和多個第二通孔1402，每個第一通孔和每個第二通孔1402均貫穿第一保護(hù)面141和第二保護(hù)面142。所述多個第一通孔1401與多個導(dǎo)電端子132 —一對應(yīng)，以暴露出所述多個導(dǎo)電端子132。所述多個第二通孔1402與多個導(dǎo)電接頭133 —一對應(yīng)，以暴露出所述多個導(dǎo)電接頭133。所述碳氟膜19用于保護(hù)電路基板11，其通過低溫共面介質(zhì)阻擋放電沉積于整個電路基板11的外表面，即沉積于第二表面122、第一側(cè)面123、第二側(cè)面143、第二保護(hù)面 142、多個導(dǎo)電端子132遠(yuǎn)離基底12的表面及多個導(dǎo)電接頭133遠(yuǎn)離基底12的表面。碳氟膜19的厚度為50納米(nm)至500nm。所述碳氟膜19由碳元素與氟元素組成，且氟原子數(shù)量與碳原子數(shù)量的比值為1. 2至1. 5。具體而言，所述碳氟膜19由共面介質(zhì)阻擋放電蒸發(fā)聚四氟乙烯膜獲得，其主要包括C-CFxft = ，C-F, C-F2幾種基團(tuán)，還包括極少量的C-F3基團(tuán)。優(yōu)選的，所述碳氟膜19中氟原子數(shù)量與碳原子數(shù)量的比值約為1. 3。
碳氟膜19具有表面能低、不吸潮、不粘異物、耐化學(xué)試劑腐蝕、耐候性好等特征， 且將整個電路基板11全部覆蓋，從而可以充分地保護(hù)整個電路基板11。雖然碳氟膜19的厚度在500nm以下，但由于其具有憎水性以及耐酸堿性，水氣和有害氣體不易透過碳氟膜 19而對電路基板11造成損害，這樣使得電路基板11可以長期保存，具有超過一年的保存期限。并且，碳氟膜19是通過共面介質(zhì)阻擋放電獲得，這是一種常溫“干法”工藝，制作過程中不會帶入水氣，從而碳氟膜19的制作過程不會對線路層13及基底12的材料性質(zhì)造成影響。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，碳氟膜19也可以僅沉積在電路基板11的主要外表面或者說大部分外表面而不是全部外表面。例如碳氟膜19可以僅沉積在第二保護(hù)面142 以及多個導(dǎo)電端子132遠(yuǎn)離基底12的表面。在這種情況下，一方面，由于側(cè)面的面積很小， 基本可以忽略側(cè)面受外界氣體侵蝕或外界污染物污染對整個電路基板11的性質(zhì)造成的影響；另一方面，第二表面122通常會與其他電路板接觸或者與載臺、托盤等治具表面接觸， 從而基本不會受到外界氣體的侵蝕或外界污染物污染；因此，雖然電路基板11的第二表面 122以及整個側(cè)面沒有被保護(hù)，但是，由于最易受外界氣體侵蝕和外界污染物污染的第二保護(hù)面142以及多個導(dǎo)電端子132遠(yuǎn)離基底12的表面已經(jīng)被保護(hù)，沒有被保護(hù)的第二表面 122和側(cè)面基本不會影響電路基板11的保存期限。再例如，碳氟膜19可以僅沉積在第二保護(hù)面142、多個導(dǎo)電端子132遠(yuǎn)離基底12 的表面、多個導(dǎo)電接頭133遠(yuǎn)離基底12的表面以及第二表面122。在這種情況下，由于電路基板11的主要外表面或者說大部分外表面已經(jīng)被碳氟膜19保護(hù)，從而阻擋了水氣、酸性氣體、堿性氣體等對電路基板11的主要外表面或者說大部分外表面的侵蝕，并且污染物也不能粘附在這些已經(jīng)被碳氟膜19保護(hù)的外表面上。雖然電路基板11可能還有少量外表面暴露在外，但是這些外表面面積比較小，受外界氣體侵蝕或者污染的可能性很小，即使受侵蝕或者污染了，對電路基板11造成的影響也基本可以忽略不計。另外，還需要說明的是，從微觀而言，通過低溫共面介質(zhì)阻擋放電所形成的碳氟膜 19可以認(rèn)為是多孔結(jié)構(gòu)，具有一定的孔隙率，從而賦予了碳氟膜19 一定的溶劑溶解性，可溶于烷烴等非極性溶劑中。這種特性使經(jīng)過碳氟膜19處理的電路基板11可以在溶解除去碳氟膜19后被重新使用。另外，碳氟膜19在高溫下也可以分解，例如，可以通過溫度高于 260攝氏度的回流焊的方法分解掉碳氟膜19，從而使電路基板11可以重新焊接器件。請參閱圖3，本技術(shù)方案第二實施例提供的電路板20包括電路基板21和碳氟膜 29。所述電路基板21為雙面板，其包括依次堆疊的第一保護(hù)層22、第一線路層23、第一絕緣層對、膠粘層25、第二絕緣層沈、第二線路層27及第二保護(hù)層觀?；蛘哒f，可以認(rèn)為第一絕緣層對、膠粘層25、第二絕緣層沈、第二線路層27及第二保護(hù)層觀構(gòu)成一個基底，所述基底包括一層導(dǎo)電層，即第二線路層27。所述第一保護(hù)層22、第一線路層23分別與第一實施例的保護(hù)層14、線路層13基本相同。第一線路層23形成在第一絕緣層M的一個表面，且包括多條第一導(dǎo)電線路231 與多個第一導(dǎo)電端子232。所述第一保護(hù)層22具有相對的第一保護(hù)面221與第二保護(hù)面 222，還開設(shè)有貫穿第一保護(hù)面221與第二保護(hù)面222的多個第一通孔223，以暴露出多個第一導(dǎo)電端子232。所述第一保護(hù)面221與第一絕緣層M及多條第一導(dǎo)電線路231接觸。 所述膠粘層25粘接在第一絕緣層M和第二絕緣層沈之間。所述第二線路層27形成在第二絕緣層26遠(yuǎn)離膠粘層25的一個表面，且包括多條第二導(dǎo)電線路271與多個第二導(dǎo)電端子272。所述第二保護(hù)層觀具有相對的第三保護(hù)面與第四保護(hù)面觀2，還開設(shè)有貫穿第三保護(hù)面281與第四保護(hù)面282的多個第二通孔觀3，以暴露出多個第二導(dǎo)電端子272。 所述第三保護(hù)面與第二絕緣層26及多條第二導(dǎo)電線路271接觸。所述碳氟膜四通過低溫共面介質(zhì)阻擋放電沉積在整個電路基板21的外表面。也就是說，碳氟膜四沉積在第二保護(hù)面222、多個第一導(dǎo)電端子232暴露出的表面、第四保護(hù)面282以及多個第二導(dǎo)電端子272暴露出的表面，碳氟膜四還沉積在電路基板21的連接在第二保護(hù)面222和第四保護(hù)面282之間的側(cè)面上。所述碳氟膜四的厚度為50nm至500nm， 主要由碳元素與氟元素組成，且氟原子數(shù)量與碳原子數(shù)量的比值為1.2至1.5。具體而言， 所述碳氟膜四由共面介質(zhì)阻擋放電蒸發(fā)聚四氟乙烯膜獲得，其主要包括C-CFxft = U^-F, C-F2幾種基團(tuán)，還包括極少量的C-F3基團(tuán)。優(yōu)選的，所述碳氟膜19中氟原子數(shù)量與碳原子數(shù)量的比值約為1.3。由于碳氟膜四具有表面能低、不吸潮、不粘異物、耐化學(xué)試劑腐蝕、耐候性好等特征，并將整個電路基板21全部覆蓋，雖然厚度在500nm以下，但由于本身的憎水性以及耐酸堿性，水氣和有害氣體不易透過碳氟膜四而對電路基板21造成損害，這樣使電路基板21 得以長期保存。當(dāng)然，所述碳氟膜四也可以僅沉積在整個電路基板21的部分外表面，而不是全部的外表面。例如，所述碳氟膜四可以僅沉積在第二保護(hù)面222以及多個第一導(dǎo)電端子232 的暴露出的表面上。再例如，所述碳氟膜四可以僅沉積在第二保護(hù)面222、多個第一導(dǎo)電端子232的暴露出的表面、第四保護(hù)面觀2以及多個第二導(dǎo)電端子272暴露出的表面上。在這些情況下，由于電路基板21易于與外界氣體或外界污染物接觸的部分外表面已經(jīng)被覆蓋， 雖然其他外表面沒有被覆蓋，也基本不會對電路基板21的保存期限造成大的影響。請一并參閱圖4及圖5，本技術(shù)方案第三實施例提供的電路板30與第一實施例提供的電路板10大致相同，電路板30也包括電路基板31和碳氟膜39，不同之處在于，電路板 30的電路基板31除包括基底32、線路層33及保護(hù)層34外，還包括一個電子元器件36。所述基底32、線路層33及保護(hù)層34分別與第一實施例的基底12、線路層13及保護(hù)層14大致相同。所述線路層33包括自保護(hù)層34暴露出的多個導(dǎo)電端子332和多條被保護(hù)層34覆蓋的導(dǎo)電線路331。所述保護(hù)層34還覆蓋了基底32自線路層33暴露出的表面。所述電子元器件36可以為主動元件，也可以為被動元件。例如，其可以為芯片、電阻、電容等。電子元器件36具有底面3601、與底面相對的頂面3602以及連接在底面3601與頂面3602之間的側(cè)壁3603。在本實施例中，電子元器件36為芯片，在底面3601設(shè)有多個連接端子361，所述多個連接端子361與多個導(dǎo)電端子332 —一對應(yīng)，且每個連接端子361 均通過一個焊錫球362與一個對應(yīng)的導(dǎo)電端子332電連接?；蛘呖梢哉f，電子元器件36通過覆晶結(jié)合于電路基板31的線路層33。通常來說，電子元器件36與線路層33之間還會填充有封裝底膠363，以牢固粘結(jié)電子元器件36與線路層33，并覆蓋焊錫球362。所述碳氟膜39通過低溫共面介質(zhì)阻擋放電沉積在整個電路基板31的外表面。也就是說，碳氟膜39沉積在基底32的外表面、保護(hù)層34的外表面、多個導(dǎo)電端子332暴露出的表面、電子元器件36的頂面3602及側(cè)壁3603。如果封裝底膠363有暴露出的外表面，則碳氟膜39還沉積在封裝底膠363暴露出的外表面上，如圖5所示。如果電子元器件36與線路層33之間沒有填充封裝底膠363，或者封裝底膠363沒有完全覆蓋焊錫球362，則碳氟膜39可能沉積在電子元器件36與線路層33之間的間隙以及暴露在外的焊錫球362的外表面。所述碳氟膜39的厚度為50nm至500nm，主要由碳元素與氟元素組成，且氟原子數(shù)量與碳原子數(shù)量的比值為1. 2至1. 5。具體而言，所述碳氟膜39由共面介質(zhì)阻擋放電蒸發(fā)聚四氟乙烯膜獲得，其主要包括C-CFxft = U，C-F, C-F2幾種基團(tuán)，還包括極少量的C-F3基團(tuán)。優(yōu)選的，所述碳氟膜19中氟原子數(shù)量與碳原子數(shù)量的比值約為1. 3。由于碳氟膜39具有表面能低、不吸潮、不粘異物、耐化學(xué)試劑腐蝕、耐候性好等特征，并將整個電路基板31全部覆蓋，雖然厚度在500nm以下，但由于本身的憎水性以及耐酸堿性，水氣和有害氣體不易透過碳氟膜39而對電路基板31造成損害，這樣使電路基板31 得以長期保存。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在某些情況下，不需要在整個電路基板31的表面沉積碳氟膜39。例如，當(dāng)基底32放置于治具時，而電路基板11和電子元器件36的厚度很小時， 碳氟膜39可以僅沉積于保護(hù)層34遠(yuǎn)離基底32的表面、電子元器件36的頂面。由于基底 32與治具接觸的表面不會與外界氣體接觸，而電路基板11的側(cè)面和電子元器件36的側(cè)壁 3603均很小，可以忽略不計。因此，即使這些表面沒有被碳氟膜39覆蓋，這些表面的暴露基本也不會對電路板30的保存期限造成影響。另外，通過低溫共面介質(zhì)阻擋放電所形成的碳氟膜39可以認(rèn)為是多孔結(jié)構(gòu)，具有一定的孔隙率，從而賦予了碳氟膜39 —定的溶劑溶解性，可溶于烷烴等非極性溶劑中。這種特性使經(jīng)過碳氟膜39處理的電路基板31可以在溶解除去碳氟膜39后被重新使用。另夕卜，碳氟膜39在高溫下也可以分解，例如，可以通過溫度高于260攝氏度的回流焊的方法分解掉碳氟膜39，從而使電路基板31可以重新焊接器件。本技術(shù)方案還提供一種電路板的制作方法，用于制作以上外表面沉積有碳氟膜的電路板。所述電路板的制作方法包括步驟第一步，請參閱圖6，提供一個介質(zhì)阻擋放電反應(yīng)器40及一個聚四氟乙烯膜400。 所述介質(zhì)阻擋放電反應(yīng)器40包括反應(yīng)腔41、載臺42、介質(zhì)阻擋層43、多個高壓電極44以及多個接地電極45。所述反應(yīng)腔41圍合形成一個腔體410，所述載臺42、介質(zhì)阻擋層43、多個高壓電極44、多個接地電極45及聚四氟乙烯膜400均放置于所述腔體410中。反應(yīng)腔 41開設(shè)有一個氣體入口 401，以通入氬氣。氬氣可經(jīng)由氣體輸入管402輸入，氬氣的輸入量可通過安裝在氣體輸入管402上的質(zhì)量流量計403控制。所述載臺42用于承載待沉積碳氟膜的電路基板，其具有一個承載表面420。所述介質(zhì)阻擋層43可以為0. 25mm厚的氧化鋁片。所述聚四氟乙烯膜400緊貼在介質(zhì)阻擋層43的放電側(cè)，且與承載表面420相對。多個接地電極45和多個高壓電極44均設(shè)置于介質(zhì)阻擋層43的另外一側(cè)，也就是說，介質(zhì)阻擋層43設(shè)置在聚四氟乙烯膜400和多個接地電極45之間，或者說，介質(zhì)阻擋層43設(shè)置在聚四氟乙烯膜400和多個高壓電極44之間。多個接地電極45和多個高壓電極44交替排列，且彼此絕緣。每兩個相鄰的接地電極45之間設(shè)置有一個高壓電極44，每兩個相鄰的高壓電極44之間設(shè)置有一個接地電極45。多個接地電極45和多個高壓電極44均可以浸置在絕緣油中，以避免電極間放電。
從而，在通交流電情況下向反應(yīng)腔41內(nèi)通入氬氣，多個電極之間將放電產(chǎn)生等離子體，從而將蒸發(fā)位于介質(zhì)阻擋層43放電側(cè)的聚四氟乙烯膜400。第二步，提供一個電路基板。所述電路基板可以為第一實施例中的電路基板11、第二實施例中的電路基板21或者第三實施例中的電路基板31。在本實施例中，以第一實施例中的電路基板11為例。如圖1及圖2所示，電路基板11具有暴露在外的第二表面122、第一側(cè)面123、第二側(cè)面143、第二保護(hù)面142、多個導(dǎo)電端子132遠(yuǎn)離基底12的表面及多個導(dǎo)電接頭133遠(yuǎn)離基底12的表面。第三步，將所述電路基板11放置于載臺42的承載表面420，使得第二保護(hù)面142 與聚四氟乙烯膜400相對，蒸發(fā)聚四氟乙烯膜400以至少在電路基板11的第二保護(hù)面142 以及多個導(dǎo)電端子132的表面沉積碳氟膜19。在本實施例中，通過翻轉(zhuǎn)電路基板11從而在電路基板11的整個外表面均沉積了所述碳氟膜19。即，在電路基板11的第二表面122、第一側(cè)面123、第二側(cè)面143、第二保護(hù)面142、多個導(dǎo)電端子132遠(yuǎn)離基底12的表面及多個導(dǎo)電接頭133遠(yuǎn)離基底12的表面均沉積了所述碳氟膜19。所述碳氟膜19由碳元素與氟元素組成，且氟原子數(shù)量與碳原子數(shù)量的比值為1. 2至1. 5，優(yōu)選為1. 3。碳氟膜19主要包括 C-CFxix = ^3)，C-F, C-F2幾種基團(tuán)，還包括極少量的C-F3基團(tuán)。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在不翻轉(zhuǎn)電路基板11的情況下，可能僅能在第一側(cè)面123、第二側(cè)面143、第二保護(hù)面142、多個導(dǎo)電端子132遠(yuǎn)離基底12的表面及多個導(dǎo)電接頭133遠(yuǎn)離基底12的表面沉積所述碳氟膜19。另外，第二實施例中的電路基板21和第三實施例中的電路基板31均可以通過以上方法制得。共面介質(zhì)阻擋放電是一種常溫“干法”工藝，制作過程中不會帶入水氣，從而碳氟膜19的制作過程不會對線路層13及基底12的材料性質(zhì)造成影響。本技術(shù)方案的電路板具有如下優(yōu)點由于碳氟膜具有表面能低、不吸潮、不粘異物、耐化學(xué)試劑腐蝕、耐候性好等特征，且覆蓋電路基板的主要表面或者整個外表面，從而可以充分地保護(hù)整個電路基板不受外界氣體的侵蝕，不受外界污染物的污染。如此，水氣、 酸性氣體、堿性氣體及污染物不易透過碳氟膜對電路基板造成損害，這樣使得電路基板可以長期保存。本技術(shù)方案的電路板制作方法采用共面介質(zhì)阻擋放電法制作碳氟膜，這是一種常溫“干法”工藝，制作過程中不會帶入水氣，從而碳氟膜的制作過程不會對電路基板的材料性質(zhì)造成影響。并且，制得的碳氟膜具有憎水性及耐酸堿性，可以良好的保護(hù)電路基板。可以理解的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做出其它各種相應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種電路板，包括基底、第一線路層、第一保護(hù)層以及碳氟膜，所述基底具有第一表面，所述第一線路層形成于所述第一表面，所述第一線路層包括多條第一導(dǎo)電線路和多個第一導(dǎo)電端子，所述第一保護(hù)層覆蓋多條第一導(dǎo)電線路以及基底自第一線路層暴露出的第一表面，所述第一保護(hù)層具有靠近基底的第一保護(hù)面和與第一保護(hù)面相對的第二保護(hù)面， 所述第一保護(hù)層開設(shè)有貫穿第一保護(hù)面和第二保護(hù)面的多個第一通孔，所述多個第一通孔與多個第一導(dǎo)電端子一一對應(yīng)，以暴露出所述多個第一導(dǎo)電端子，所述碳氟膜沉積于第二保護(hù)面以及多個第一導(dǎo)電端子的表面，所述碳氟膜由碳元素與氟元素組成，且氟原子數(shù)量與碳原子數(shù)量的比值為1. 2至1. 5。
2.如權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于，所述基底還具有與第一表面相對的第二表面以及連接第一表面和第二表面的第一側(cè)面，所述第一保護(hù)層還具有連接在第一保護(hù)面與第二保護(hù)面之間的第二側(cè)面，所述碳氟膜還沉積于所述第二表面、所述第一側(cè)面及所述第二側(cè)面。
3.如權(quán)利要求2所述的電路板，其特征在于，所述基底包括至少一層絕緣層與至少一層導(dǎo)電層。
4.如權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于，所述碳氟膜中氟原子數(shù)量與碳原子數(shù)量的比值為1.3。
5.如權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于，每個第一導(dǎo)電端子均包括銅層及接觸層， 所述銅層與第一表面接觸，所述接觸層位于銅層與碳氟膜之間，所述接觸層為有機(jī)保焊層、 金層、銀層、錫層或者鎳金層。
6.如權(quán)利要求1所述的電路板，其特征在于，所述基底包括第一絕緣層、膠粘層、第二絕緣層、第二線路層及第二保護(hù)層，所述第一絕緣層與第一線路層接觸，所述膠粘層粘接在第一絕緣層和第二絕緣層之間，所述第二線路層與第二絕緣層接觸，且具有多條第二導(dǎo)電線路及多個第二導(dǎo)電端子，所述第二保護(hù)層覆蓋所述多條第二導(dǎo)電線路以及第二絕緣層自第二線路層暴露出的表面，所述第二保護(hù)層具有靠近第二絕緣層的第三保護(hù)面和與第三保護(hù)面相對的第四保護(hù)面，所述第二保護(hù)層開設(shè)有貫穿第三保護(hù)面和第四保護(hù)面的多個第二通孔，所述多個第二通孔與多個第二導(dǎo)電端子一一對應(yīng)，以暴露出所述多個第二導(dǎo)電端子， 所述碳氟膜還沉積于所述第四保護(hù)面以及所述多個第二導(dǎo)電端子的表面。
7.一種電路板，包括電路基板及碳氟膜，所述電路基板包括基底、線路層、保護(hù)層以及電子元器件，所述基底具有第一表面，所述線路層形成于所述第一表面，所述線路層包括多條導(dǎo)電線路和多個導(dǎo)電端子，所述保護(hù)層覆蓋多條導(dǎo)電線路以及基底自線路層暴露出的第一表面，且暴露出所述多個導(dǎo)電端子，所述電子元器件具有與多個導(dǎo)電端子一一對應(yīng)的多個連接端子，所述多個連接端子與所述多個導(dǎo)電端子電連接從而使得所述電子元器件構(gòu)裝于所述電路板，所述碳氟膜沉積于所述電路基板的外表面，所述碳氟膜由碳元素與氟元素組成，且氟原子數(shù)量與碳原子數(shù)量的比值為1. 2至1. 5。
8.如權(quán)利要求7所述的電路板，其特征在于，所述基底還具有與第一表面相對的第二表面以及連接第一表面和第二表面的第一側(cè)面，所述保護(hù)層具有靠近基底的第一保護(hù)面、 與第一保護(hù)面相對的第二保護(hù)面及連接在第一保護(hù)面與第二保護(hù)面之間的第二側(cè)面，所述第一保護(hù)層開設(shè)有貫穿第一保護(hù)面和第二保護(hù)面的多個第一通孔，所述多個第一通孔與多個導(dǎo)電端子一一對應(yīng)，以暴露出所述多個導(dǎo)電端子，所述電子元器件具有底面、與底面相對的頂面以及連接在底面和頂面之間的側(cè)壁，所述多個連接端子設(shè)置于所述底面，所述底面與所述第二保護(hù)面相對，所述碳氟膜沉積于所述第二保護(hù)面、所述第二表面、所述第一側(cè)面、所述第二側(cè)面、所述頂面以及所述側(cè)壁。
9.如權(quán)利要求7所述的電路板，其特征在于，所述基底包括至少一層絕緣層與至少一層導(dǎo)電層。
10.如權(quán)利要求7所述的電路板，其特征在于，所述碳氟膜中氟原子數(shù)量與碳原子數(shù)量的比值為1.3。
11.一種電路板制作方法，包括步驟提供一個介質(zhì)阻擋放電反應(yīng)器及一個聚四氟乙烯膜；提供一個電路基板，所述電路基板包括基底、線路層及保護(hù)層，所述基底具有第一表面，所述線路層形成于所述第一表面，所述線路層包括多條導(dǎo)電線路和多個導(dǎo)電端子，所述保護(hù)層覆蓋多條導(dǎo)電線路以及基底自線路層暴露出的第一表面，所述第一保護(hù)層具有靠近基底的第一保護(hù)面和與第一保護(hù)面相對的第二保護(hù)面，所述第一保護(hù)層開設(shè)有貫穿第一保護(hù)面和第二保護(hù)面的多個第一通孔，所述多個第一通孔與多個導(dǎo)電端子一一對應(yīng)，以暴露出所述多個導(dǎo)電端子；以及將所述電路基板和聚四氟乙烯膜放置于介質(zhì)阻擋放電反應(yīng)器中，并使第二保護(hù)面與聚四氟乙烯膜相對，蒸發(fā)聚四氟乙烯膜以在電路基板的第二保護(hù)面以及多個導(dǎo)電端子的表面沉積碳氟膜，所述碳氟膜由碳元素與氟元素組成，且氟原子數(shù)量與碳原子數(shù)量的比值為1. 2 至 1. 5。
12.如權(quán)利要求11所述的電路板制作方法，其特征在于，所述介質(zhì)阻擋放電反應(yīng)器為共面介質(zhì)阻擋放電反應(yīng)器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電路板，包括基底、線路層、保護(hù)層以及碳氟膜。所述基底具有第一表面，所述線路層形成于所述第一表面。所述線路層包括多條導(dǎo)電線路和多個導(dǎo)電端子。所述保護(hù)層覆蓋多條導(dǎo)電線路以及基底自線路層暴露出的第一表面。所述第一保護(hù)層具有靠近基底的第一保護(hù)面和與第一保護(hù)面相對的第二保護(hù)面。所述第一保護(hù)層開設(shè)有貫穿第一保護(hù)面和第二保護(hù)面的多個通孔，以暴露出所述多個導(dǎo)電端子。所述碳氟膜沉積于第二保護(hù)面以及多個導(dǎo)電端子的表面。所述碳氟膜由碳元素與氟元素組成，且氟原子數(shù)量與碳原子數(shù)量的比值為1.2至1.5。本技術(shù)方案的電路板可以具有較長的保存期限。本技術(shù)方案還提供以上電路板的制作方法。
文檔編號H05K1/02GK102480849SQ201010563670
公開日2012年5月30日 申請日期2010年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月29日
發(fā)明者白耀文 申請人:宏恒勝電子科技(淮安)有限公司, 臻鼎科技股份有限公司