專利名稱：有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及降低了亮度離散的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
技術背景自發(fā)光的有機電致發(fā)光元件(以下稱為"有機發(fā)光元件，，)預期可 作成薄型顯示裝置，此外，預期可用于液晶顯示裝置的照明。一般來說，有機發(fā)光元件的上部透明電極用作共用電極。因此， 面板全部的電流流過上部透明電極，各發(fā)光元件發(fā)光。因此，在使用 了高電阻的透明導電膜作為上部透明電極的情況下，在由接近于電源 的面板外周部的有機發(fā)光元件構成的像素和由面板中心部的有機發(fā) 光元件構成的像素中，因上部透明電極的布線電阻的緣故，引起所施 加的電壓的離散，作為其結果，發(fā)生亮度的離散。在下述專利文獻l、 2中，記栽了在有機發(fā)光顯示裝置中主要在 上部透明電極的下部形成輔助布線的情況。此外，也記栽了在在上部 透明電極的上部形成輔助布線的情況。專利文獻1日本特開2001 - 230086號z〉報專利文獻2日本特開2003 - 288994號^>報 在有機發(fā)光顯示裝置中，在上部透明電極上必須連接輔助布線。 例如在與信號線平行的方向上以條紋狀形成了輔助布線的情況下，在 與掃描線平行的方向上鄰接的像素間發(fā)生亮度的離散。這是由于電壓 降根據(jù)與信號線平行的方向的像素的點亮狀態(tài)而改變。因此，有必要不是以條狀、而是以格子狀形成輔助布線。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于在使用了具有上部透明電極的有機發(fā)光元件的有機發(fā)光顯示裝置中使因上部透明電極的布線電阻引起的面板內(nèi) 的亮度離散下降、提供高圖像質量的顯示裝置。此外，本發(fā)明的目的 在于提供能容易地進行使用了精密掩模蒸鍍法的輔助布線形成方法 的像素結構。特別是提供伴隨該像素結構的驅動層的元件配置。本發(fā)明的特征在于在多個有機發(fā)光元件的上部透明電極上"i史置 在與信號線平行的方向上延伸的第l輔助布線和在與掃描線平行的方 向上延伸的第2輔助布線，將第1輔助布線和第2輔助布線形成為格 子狀，以包圍由1個有機發(fā)光元件構成的子像素或由多個有機發(fā)光元 件構成的像素。在包圍上述子像素的第l輔助布線的下側配置信號線和第1電流 供給線，在包圍上述子像素的第2輔助布線的下側配置掃描線。此外， 在上述第1電流供給線的下側配置電容的上部電極。在包圍上述像素的第l輔助布線的下側設置空間，在包圍上述像 素的第2輔助布線的下側配置掃描線。在包圍上述像素的第1輔助布線的下側配置第1電流供給線，在 包圍上述像素的第2輔助布線的下側配置掃描線和第2電流供給線， 連接第1電流供給線與第2電流供給線。此外，對于第1輔助布線和 第2輔助布線，形成電連接層。再者，在掃描線與第2電流供給線之 間配置電容的上部電極。此外，本發(fā)明的特征在于為了形成第l輔助布線和第2輔助布 線，使用條紋狀的精密蒸鍍掩模。特別是使用精密蒸鍍掩模形成第1 輔助布線、第2輔助布線和電連接層。根據(jù)以上所述，由于在本發(fā)明的有機發(fā)光顯示裝置中以格子狀形 成上部透明電極用的輔助布線，故減少了面板內(nèi)的亮度離散，可實現(xiàn) 高圖像質量的顯示。此外，由于利用采用了精密掩模的蒸鍍法來形成， 故可不使有機發(fā)光元件的性能下降。


圖l是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖(實施例l)6圖2是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖(實施例l) 圖3是沿圖1的A-A'線和B-B'線的剖面圖(實施例1) 圖4是沿圖1和圖2的C-C'線的剖面圖(實施例l) 圖5是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖(實施例2) 圖6是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖(實施例2) 圖7是沿圖5和圖6的C-C'線的剖面圖(實施例2) 圖8是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖(實施例3) 圖9是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖(實施例3) 圖IO是沿圖8和圖9的C-C'線的剖面圖(實施例3) 圖ll是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖(實施例4) 圖12是沿圖11的C-C'線的剖面圖(實施例4) 圖13是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖(實施例5) 圖14是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖(實施例6) 圖15是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖(實施例7) 圖16是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖(實施例8) 圖17是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖(實施例8) 圖18是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖(實施例9) 圖19是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖(實施例IO) 圖20是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖(實施例IO) 圖21是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的剖面圖(實施例20)具體實施方式
以下，在本發(fā)明中，所謂有機發(fā)光元件，指的是采取下述的結構 的元件。即，依次由基板/下部電極/第1注入層/第1輸送層/發(fā)光層/ 第2輸送層/第2注入層/上部電極/保護層或密封基板(對置基板)構 成。下部電極和上部電極有2種組合。首先，是下部電極是陽極、上 部電極是陰極的結構。在該情況下,第1注入層、第1輸送層分別成 為空穴注入層、空穴輸送層。此外，第2注入層、第2輸送層分別成為電子注入層、電子輸送層。另一種的組合是下部電極是陰極、上部電極是陽極的結構。在該 情況下，第1注入層、第l輸送層分別成為電子注入層、電子輸送層。此外，第2注入層、第2輸送層分別成為空穴注入層、空穴輸送層。在上述的結構中，也可考慮沒有第1注入層或第2注入層的結構。 此外，也可考慮第1輸送層或第2輸送層兼作發(fā)光層的結構。在上部電極和下部電極中，希望一個電極具有對發(fā)出的光的透射 性、另一個電極具有對發(fā)出的光的反射性的組合。在該情況下，由于 從具有透射性的電極取出光，故將該電極稱為光取出電極。另一方面， 將具有反射性的電極稱為反射電極。在上部電極成為光取出電極的情況下，稱為頂部發(fā)射結構。另一 方面，在下部電極成為光取出電極的情況下，稱為底部發(fā)射結構。這里所說的基板，只要是絕緣性的材料，就可從廣泛的范圍來選 擇。具體地說，可使用玻璃、氧化鋁燒結體等的無機材料、聚酰亞胺 膜、聚酯膜、聚乙烯膜、對聚苯硫膜、聚對二甲苯膜等的各種絕緣性 塑料等。此外，如果在表面上形成上述絕緣性的材料，則即使是金屬材料 也沒有問題。具體地說，可舉出不銹鋼、鋁、銅、包含了上述金屬的 合金，但并非限定于這些材料。這里所說的陽極，希望是提高空穴的注入效率的功函數(shù)大的導電 膜。具體地說，可舉出金、鉑，但并非限定于這些材料。此外，作為陰極，可以是氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、 氧化銦鍺等的2元系列或氧化銦錫鋅等的3元系列。此外，除了氧化 銦外，也可以是以氧化錫、氧化鋅等為主要成分的組成。此外，如果 是ITO，則可良好地使用對于氧化銦包含5 — 10wt%的氧化錫的組成。 關于氧化物半導體的制造方法，可舉出濺射法、EB蒸鍍法、離子鍍 法等。ITO膜、IZO膜的功函數(shù)分別是4.6eV、 4.6eV，利用UV臭氧 照射、氧等離子體照射等，可使其增大到約5.2eV。在ITO膜中，如果在濺射法中在將基板溫度提高到約200°C的條 件下制作，則成為多結晶狀態(tài)。在多結晶狀態(tài)下，由于因結晶粒的緣 故表面平坦性差，故希望成為研磨了表面的狀態(tài)。此外，作為其它的 方法，希望對在非晶狀態(tài)下形成了的物質進行加熱使其成為多結晶狀 態(tài)。此外，關于陽極，通過設置上述空穴注入層，沒有必要使用功函 數(shù)大的材料，是通常的導電膜即可。具體地說，希望是鋁、銦、鉬、鎳等的金屬或使用了這些金屬的 合金或多晶硅、非晶硅、錫氧化物、氧化銦、錮錫氧化物(ITO)等 的無機材料。此外，希望是使用了形成工藝簡便的涂敷法的聚苯胺、聚噻吩等 的有機材料、導電性油墨。此外，當然并非限于這些材料，也可合并 使用大于等于2種的這些材料。這里所說的空穴注入層，希望是為了降低陽極與空穴輸送層的注 入勢壘而具有適當?shù)碾x子化電位的材料。此外，希望起到填埋基底層 的表面凹凸的作用。具體地說，可舉出銅酞膂染料、樹枝狀胺化合物、 聚苯胺、聚噻吩、氧化釩、氧化鉬、氧化釕、氧化鋁等，但并非限定 于這些材料。這里所說的空穴輸送層，具有輸送空穴并注入到發(fā)光層中的作 用。因此，希望由空穴遷移高的空穴輸送性材料構成。此外，希望在 化學方面是穩(wěn)定的。此外，希望離子化電位小。此外，希望電子親和 力小。此外，希望玻璃化轉變溫度高。具體地說，希望是下述的材料 N， N'-二(3-甲基苯基)-N， N'-二苯基-1， l'-聯(lián)苯H, 4'-二胺(TPD)、 4， 4'-二[]\- (l-萘基)-N-苯基氨基I聯(lián)苯(a-NPD) 、 4， 4'， 4〃 -三(N-呼唑基)三苯基胺(TCTA) 、 1， 3， 5-三N- ( 4-二苯基氨 基苯基)苯基氨基苯(p-DPA-TDAB) 、 4， 4'， 4〃 -三(N -咔唑基) 三苯基胺(TCTA) 、 1， 3， 5-三N， N-二 (2-二曱基苯基)-氨基J-苯(o-MTDAB) 、1,3， 5-三N, N-二 ( 3-甲基苯基),氨基-苯 (m陽MTDAB ) 、 1， 3， 5-三[N, N-二 (4-甲基苯基)-氨基-苯(p畫MTDAB)、 4， 4'， 4"-三[l-萘基(苯基)氨基j三苯基胺(l-NATA、 4， 4'， 4〃 -三[2-萘基(苯基)氨基三苯基胺(2-NATA) 、 4， 4'， 4"-三聯(lián)苯-4-基-(3-甲基苯基)氨基三苯基胺(p-PMTDATA)、 4， 4'， 4〃 -三[9， 9-二曱基芴-2-基(苯基)氨基三苯基胺(TFATA)、 4， 4'， 4〃 -三(N-^唑基)三苯基胺(TCTA) 、 1， 3， 5-三-[1\-
(4-二苯基氨基苯基)苯基氨基I苯(p-DPA-TDAB ) 、 1， 3， 5-三-{4-[曱 基苯基(苯基)氨基苯基}苯(MTDAPB) 、 N， N'-二 (聯(lián)苯-4-基) -N， N'-二苯基-[l， l'-聯(lián)苯畫4， 4'陽二胺(p-BPD) 、 N， N'-二 (9， 9-二甲基藥-2-基)-N, N'-二苯基貧-2， 7曙二胺(PFFA) 、 N， N， N', N'國四(9， 9畫二甲基芴-2畫基)畫1， l畫聯(lián)苯畫4， 4'誦二胺(FFD)、 ( NDA ) pp、 4， 4'-二[N， N'-(3-曱苯基)氨基-3-3'-二甲基苯基(HMTPD)。 當然并非限于這些材料，此外也可合并使用大于等于2種的這些材料。 此外，希望空穴輸送層在上述空穴輸送材料中含有氧化劑，使與 陽極間的勢壘下降或使導電度提高。作為氧化劑的具體例，是氯化鐵、 氯化銨、氯化鉀、氯化銦、五氯化銻等的劉易斯酸化合物、三硝基貧 等的電子受容性化合物。當然并非限于這些材料，此外也可合并使用 大于等于2種的這些材料。
這里所說的發(fā)光層，指的是所注入的空穴、電子復合并以材料固 有的波長發(fā)光的層。有形成發(fā)光層的主體材料本身發(fā)光的情況和在主 體材料中微量地添加了的摻雜劑材料發(fā)光的情況。作為具體的主體材 料，以下的材料是所希望的二苯乙烯丙炔衍生物(DPVBi)、在骨 架中具有苯環(huán)的噻咯(，；口-A)衍生物(2PSP)、在兩端具有三苯
基胺結構的羰基二唑衍生物(em2 )、具有菲基的《i; 乂》衍生物(Pl )、
在兩端具有三苯基胺結構的低聚噻吩衍生物(BMA-3T) 、 二萘嵌 苯衍生物(tBu-PTC)、三(8-羥基喹啉)鋁、聚對亞苯基亞乙烯基 衍生物、聚噻吩衍生物、聚對亞苯基衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔 衍生物。此外，當然并非限于這些材料，此外也可合并使用大于等于 2種的這些材料。
其次，作為具體的摻雜劑材料，以下的材料是所希望的喹吖啶酮、香豆靈6、尼羅紅、紅熒烯、4- (二氛曱基)-2-甲基-6-(對二曱 基氨基苯乙烯)-4H-吡喃(DCM) 、 二^"唑衍生物、卟啉鉑絡合物 (PtOEP)、銦絡合物(Ir (ppy) 3)。此外，當然并非限于這些材 料，此外也可合并使用大于等于2種的這些材料。這里所說的電子輸送層，具有輸送電子并注入到發(fā)光層中的作 用。因此，希望由電子遷移率高的電子輸送性材料構成。具體地說， 以下的材料是所希望的三(8-羥基喹啉)鋁、氧化重氮衍生物、漆 咯衍生物、鋅苯并瘞唑絡合物、^乂《-:/口0 (BCP)。此外， 當然并非限于這些材料，此外也可合并使用大于等于2種的這些材料。此外，希望電子輸送層在上述電子輸送性材料中含有還原劑，使 與陽極間的勢壘下降或使導電度提高。作為還原劑的具體例，是堿金 屬、堿土類金屬、堿金屬氧化物、堿土類氧化物、稀土類氧化物、堿 金屬卣化物、堿土類卣化物、稀土類卣化物、用堿金屬與芳香族化合 物形成的絡合物。特別理想的堿金屬是Cs、 Li、 Na、 K。當然并非限 于這些材料，此外也可合并使用大于等于2種的這些材料。這里所說的電子注入層，用于提高從陰極對電子輸送層的電子注 入效率。具體地說，氟化鋰、氟化鎂、氟化鈣、氟化鍶、氟化鋇、氧 化鎂、氧化鋁是所希望的。此外，當然并非限于這些材料，此外也可 合并使用大于等于2種的這些材料。這里所說的陰極，希望是提高電子的注入效率的功函數(shù)小的導電 膜。具體地說，可舉出鎂銀合金、鋁鋰合金、鋁鈣合金、鋁鎂、金屬 鈣，但并非限定于這些材料。此外，如果設置上述的電子注入層，則作為陰極的條件，沒有必 要使用低功函數(shù)的材料，可使用一般的金屬材料。具體地說，鋁、銦、 鉬、鎳等的金屬或使用了這些金屬的合金或多晶硅、非晶硅是所希望 的。這里所說的保護層形成在上部電極上，其目的在于防止大氣內(nèi)的 H20、 02進入上部電極或其下的有機層。具體地說，可舉出Si02、 SiNx、 Al203等的無機材料或聚氯丁烯、聚乙烯對苯二甲酸乙酯、聚甲醛、聚氯乙烯、聚氟化乙烯、氰基乙基 茁霉多糖(少》，》)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚砜、聚碳酸酯、聚酰 亞胺等的有機材料，但并非限定于這些材料。
與本發(fā)明有關的有機發(fā)光顯示裝置希望將上述有機發(fā)光元件用 于像素。此外，與本發(fā)明有關的有機發(fā)光顯示裝置希望使用色變換層。
這里所說的有機發(fā)光顯示裝置，指的是將有機發(fā)光元件用于像素 的顯示裝置。在有機發(fā)光顯示裝置中有無源矩陣有機發(fā)光顯示裝置和 有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置。
對于無源矩陣有機發(fā)光顯示裝置來說，在多條陽極行與陰極行交 叉了的位置上形成了空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層等的有機層， 各像素只在1幀期間中的選擇時間內(nèi)點亮。選擇時間成為用陽極行數(shù) 除l幀期間的時間寬度。
在有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置中，將由2~4個薄膜晶體管的開 關元件和電容構成的驅動元件連接到構成各像素的有機EL (發(fā)光) 元件上，可實現(xiàn)l幀期間中的全部點亮。因此，沒有必要提高亮度， 可提高有機發(fā)光元件的壽命。
這里所說的像素，指的是在顯示裝置的畫面的縱橫配置了多個 的、在顯示區(qū)域中顯示文字或圖形的最小單位。此外，所謂子像素， 指的是在進行彩色顯示的顯示裝置中進一步分割像素的最小單位。在 彩色圖像中， 一般是用綠、紅、藍這3色的子像素構成的結構。此外， 所謂顯示區(qū)域，指的是在顯示裝置中顯示圖像的區(qū)域。
這里所說的色變換層，指的是將在成為像素或子像素的有機發(fā)光 元件中發(fā)出的光變換為其它的色的光的層。色變換層的結構可分為在 有機發(fā)光元件上層疊的結構和在對置基板上層疊的結構。
在有機發(fā)光元件上層疊的結構中，在成為像素或子像素部分的有 機發(fā)光元件上直接或隔著保護層形成色變換層。為了防止在像素或子 像素之間色變換層因來自鄰接像素或子像素的發(fā)光而發(fā)光，形成黑 底。黑底和色變換層的形成順序不作特別指定。在其上根據(jù)需要形成 保護層。在對置基板上形成色變換層的結構中，在上述的對置基板上形成黑底、色變換層、保護層，與有機EL基板貼合。此時，進行調(diào)整來 貼合，使得預定的色變換層位于像素或子像素上。在色變換層中大體可舉出濾色層和彩色變換層。濾色層指的是射 出所入射的光的光i普的一部分的層。濾色層的材料含有色素和粘合劑 樹脂。作為色素，可舉出紅色色素、藍色色素、綠色色素等。作為上述紅色色素的具體例，二萘嵌苯系列顏料、色淀顏料、偶 氮系列顏料、喹吖啶系列顏料、蒽系列顏料、>f 3/^7 F !J》系列顏料、>r 乂4》卜'i; 乂》系列顏料等是所希望的。此外，當然并非限于這些材料，此外也可合并使用大于等于2種的這些材料。作為上述藍色色素的具體例，銅酞胥系列顏料、陰丹酮系列顏料、 靛酚系列顏料、花青系列顏料、二惡漆系列顏料等是所希望的。此外， 當然并非限于這些材料，此外也可合并使用大于等于2種的這些材料。作為上述綠色色素的具體例，香豆靈系列顏料等是所希望的。作為上述粘合劑樹脂，希望是可見光區(qū)域中的透射率大于等于 50%的透明的材料。具體地說，可舉出聚曱基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸 酯、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、羥乙基纖維素、羧乙基 纖維素等。此外，當然并非限于這些材料，此外也可合并使用大于等 于2種的這些材料。在濾色層的形成方法中，可舉出染色法、顏料分散法、印刷法、 電著法，但并非特別限定于這些方法。這里所說的彩色變換層，由被入射的光激勵而發(fā)出熒光的色變換 熒光層和校正出射光鐠的校正濾色層構成。色變換熒光層包含熒光色素和粘合劑樹脂。作為熒光色素，可舉 出紅色熒光色素、綠色熒光色素等。作為紅色熒光色素的具體例，可舉出4-二氰亞甲基-2-甲基-6-(p-二甲基氨基苯乙烯基)-411-吡喃等的花青系列色素、高氯酸1-乙基 -2-14- (p-二甲基氨基苯基)-1， 3丁二烯基]-吡啶等的吡啶系列色素、 若丹明B、若丹明6G等的若丹明系列色素或惡嗪系列色素等。此外，當然并非限于這些材料，此外也可合并使用大于等于2種的這些材料。 作為綠色熒光色素的具體例，可舉出2， 3， 5， 6-lH， 4H-四 氫-8-三氟甲基喹嗪并(9， 9a, l-gh)香豆靈、3-(2'-苯并噻唑基)-7-二乙基氨基香豆靈、3- (2'-芐咪唑基)-7-N, N-二乙基氨基香豆靈等 的香豆靈色素、堿性黃等的香豆靈色素材料染料、溶劑黃等。此外， 當然并非限于這些材料，此外也可合并使用大于等于2種的這些材料。實施例1
根據(jù)

與本發(fā)明的有機發(fā)光顯示裝置的實施例1。圖1和 圖2是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖，圖3 (a)是沿圖1的A -A'線的剖面圖，圖3 (b)是沿圖1的B-B'線的剖面圖，圖4是沿 圖1和圖2的C-C'線的剖面圖。
在圖1中，在圖3、 4中表示的玻璃基板116上以固定的間隔配 置了多條掃描線106，同時在與各掃描線正交的方向上以固定的間隔 配置了用于傳送圖像信息的信號線109。即，將各掃描線和各信號線 配置成格子狀，由各掃描線和各信號線包圍的區(qū)域成為l個像素部分 或1個子像素部分的顯示區(qū)域。再者，在玻璃基板116上與信號線109 平行地配置了連接到電源上的多條第1電流供給線110。在玻璃基板 116上隔著層間絕緣膜形成了各掃描線106、信號線109和第1電流 供給線110作為屬于布線層的布線。
在該布線層的上部一側配置了構成作為彩色圖像的最小單位的 像素的多個有機發(fā)光元件。各有機發(fā)光元件作為子像素，具備包含圖 4中表示的空穴輸送層5、各色發(fā)光層6~8、電子輸送層9的有機層、 夾住該有機層的下部電極2 4和上部電極10而構成。屬于各像素的 有機發(fā)光元件的下部電極2~4經(jīng)作為驅動元件的晶體管連接到第1 電流供給線110上，屬于各像素的有機發(fā)光元件的上部電極10連接 到與電源連接的輔助布線上。
此外，在玻璃基板116上形成了用于驅動各像素的有機層的驅動 層。該驅動層具備作為驅動元件的第1晶體管101、第2晶體管102 和電容104而構成。第1晶體管101的柵電極107連接到掃描線106上，源電極112連接到信號線109上，漏電極113連接到第2晶體管 的柵電極107'和電容104的下部電極105上。第2晶體管102的漏電 極113'連接到電容104的上部電極108和第1電流供給線110上，源 電極112'連接到下部電極2~4上。
其次，說明與上述結構有關的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法。首 先，在圖3中，在玻璃基板116上使用減壓化學氣相沉積法(LPCVD 法)形成膜厚50nm的非晶硅(a-Si)膜。原料是Si2H6,將基板溫度 設定為450'C。其次，使用XeCl受激準分子激光器對整個膜進行激光 退火處理。將該激光退火處理分成2個階段來進行，第1次、第2次 的照射能量分別是188mJ/cm2、 290mJ/cm2,由此，非晶硅被結晶化， 成為多晶硅(p-Si)。其次，利用采用了 CF4的干法刻蝕對多晶硅進 行構圖，形成圖3(a)中表示的第1晶體管101的有源層103、圖3 (b)中表示的第2晶體管102的有源層103'和電容104的下部電極 105,
其次，形成膜厚100nm的Si02膜作為柵絕緣膜117。以四乙氧 基硅烷(TEOS)作為原料，用等離子增強化學氣相沉積法(PECVD 法)形成了 Si02膜。
其次，利用濺射法制作膜厚50nm的TiW膜并進行構圖作為柵 電極107、 107'。此時，同時也對掃描線106和電容104的上部電極 108進行了構圖。
其次，利用離子注入法，從柵絕緣膜117的上部起對被構圖了的 多晶硅層注入4xl0"離子/cm2、能量80keV的P離子。此時，不對在 上部柵電極107、 107'所處的區(qū)域注入P離子，成為有源區(qū)103、 103'。
其次，在惰性N2氣氛下對玻璃基板116進行300。C、 3小時的加 熱，使離子激活，以便有效地進行摻雜。多晶硅(P-Si)的被注入了 離子的區(qū)域成為2kQ/口的方塊電阻值。在其上形成氮化硅(SiNx)膜 作為第1層間絕緣膜118。其膜厚是200nm。
其次，在有源層103、 103'的兩端上部的柵絕緣膜117和第l層 間絕緣膜118中形成接觸孔(省略圖示)。再者，如圖3(a)中所示，
15在處于第2晶體管102的柵電極107'上部和電容104的上部電極108 上部的第1層間絕緣膜118中形成接觸孔(省略圖示)。
在其上用濺射法形成膜厚500nm的Al膜。利用光刻工序形成信 號線109、第1電流供給線110。此外，形成第1晶體管101的源電 極112和漏電極113、第2晶體管102的源電極112'和漏電極113'。
此外，經(jīng)柵電極107'將電容104的下部電極105與第1晶體管 101的漏電極113相連接，第1晶體管101的源電極112與信號線109 相連接。此外，將第1晶體管101的漏電極113連接到第2晶體管102 的柵電極107'上，將第2晶體管102的漏電極113'連接到第1電流供 給線110上。此外，將電容104的上部電極108連接到第1電流供給 線110上。
其次，形成SiNx膜作為第2層間絕緣膜119。其膜厚是500nm。 在第2晶體管102的漏電極112'上部形成接觸孔(省略圖示)，在其 上使用濺射法形成厚度150nm的Cr膜，使用光刻法形成像素的下部 電極2。
其次，形成丙烯酸保護膜作為第3層間絕緣膜151。在該情況下， 在用旋轉涂敷法在1000rpm/30秒的涂敷條件下成膜，在熱板上放置 玻璃基板116，在90'C/2分的條件下進行了預烘烤，
該第3層間絕緣膜151的膜厚是2nm，覆蓋了從像素的下部電 極2 4端部到3nm內(nèi)側的部分。也覆蓋了連接漏電極112'與像素的 下部電極2 ~ 4的接觸孔部分。這是為了防止像素的下部電極2 ~ 4與 上部電極10短路。
其次，根據(jù)圖4說明成為像素的有機發(fā)光元件的結構。用純水對 形成了下部電極2~4的玻璃基板116進行超聲波清洗，在使其旋轉 干燥之后，用120t的爐進行30分鐘的干燥。
其次，在下部電極2上利用真空蒸鍍法形成膜厚50nm的4， 4'-二[N- (l-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(以下稱為"a-NPD，，)膜。將a -NPD的蒸鍍速度定為0.15±0.01nm/sec。在發(fā)光區(qū)域的整個面上形 成該a-NPD膜，起到空穴輸送層5的功能。其次，關于在各子像素中的發(fā)光層的形成進行說明。下部電極2 起到紅色發(fā)光色的子像素(以下稱為"R子像素，，)的功能。在空穴輸 送層5上利用真空蒸鍍法形成共同蒸鍍了三(8-羥基喹啉)鋁(以下 稱為"Alq3")和香豆靈的膜厚30nm的膜。該Alq3、香豆靈的蒸鍍速度分別定為0.20±0.01nm/sec 、 0.0U0.005nm/sec。上述共同蒸鍍膜起到R發(fā)光層6的功能。此外， 在R發(fā)光層6中，香豆靈起到?jīng)Q定發(fā)光色的摻雜劑的功能。使用具有 與子像素為相同尺寸的開口圖案的精密掩模對Alq3和香豆靈的共同 蒸鍍膜進行構圖。其次，說明在下部電極3上形成了的綠色發(fā)光色的子像素(以下 稱為"G子像素")。在空穴輸送層5上利用真空蒸鍍法形成共同蒸鍍 了 Alq3和會吖咬酮的膜厚30nm的膜。該Alq3、會吖啶酮的蒸鍍速度分別定為0.20±0.01nm/sec、 0.01±0.005nm/sec。上述共同蒸鍍膜起到G發(fā)光層7的功能。此外， 在G發(fā)光層7中，奮吖啶酮起到?jīng)Q定發(fā)光色的摻雜劑的功能。使用具 有與子像素為相同尺寸的開口圖案的精密掩模對Alq3和喹吖啶酮的 共同蒸鍍膜進行構圖。其次，說明在下部電極4上形成了的藍色發(fā)光色的子像素(以下 稱為"B子像素")。在空穴輸送層5上利用真空蒸鍍法形成共同蒸鍍 了 BAlq3和苯乙烯胺化合物1， 4'-二N. (3-曱基苯基)-N'-苯基-4-氨基苯基亞乙烯基-2, 5-二曱氧基苯(以下稱為"DSA")的膜厚30nm 的膜。該BAlq3、 DSA的蒸鍍速度分別定為0.20±0.01nm/sec 、 0.01±0.005nm/sec。上述共同蒸鍍膜起到B發(fā)光層8的功能。此外， 在B發(fā)光層8中，DSA起到?jīng)Q定發(fā)光色的摻雜劑的功能。使用具有與 子像素為相同尺寸的開口圖案的精密掩模對Alq3和DS A的共同蒸鍍 膜進行構圖。其次，在各色發(fā)光層6~8上利用真空蒸鍍法形成蒸鍍了膜厚 30nm的Alq3的膜。Alq3的蒸鍍速度定為0.15±0.01nm/sec。在發(fā)光區(qū)域的整個面上 形成該Alq3膜，起到電子輸送層9的功能。其次，在電子輸送層9上形成Mg和Ag的混合膜作為電子注入 層。在該情況下，使用2元同時真空蒸鍍法，將蒸鍍速度分別設定為 0.14±0.05nm/s、 0.01±0.005nm/s，蒸鍍了膜厚10nm的膜。其次，利用濺射法，形成膜厚50nm的In-Zn-O膜(以下稱 為"IZO膜")。該膜起到上部電極10的功能，是非晶氧化物膜。使 用了In/(In + Zn)0.83的靶作為此時的靶。成膜條件為將Ar: 02混合氣體作為氣氛、真空度0.2Pa、將濺射輸出定為2W/cm2。 Mg: Ag/In - Zn - O層疊膜的透射率是65% 。其次，利用蒸鍍法形成膜厚100nm的Al膜。使用條紋狀的精密 掩模形成該Al蒸鍍膜，起到圖2中表示的第l輔助布線11~11'〃的 功能，該輔助布線11~11'〃成為與信號線平行的配置，位于R子像素 與G子像素之間、G子像素與B子像素之間、B子像素與R子像素 之間。其次，利用蒸鍍法形成膜厚100nm的Al膜。使用條紋狀的精密 掩模形成該Al蒸鍍膜，起到圖2中表示的第2輔助布線12 ~ 12'的功 能，該輔助布線12~12'成為與掃描線平行的配置，位于子像素之間。 如圖2中所示，希望位于沒有下部電極2 4的區(qū)域上。利用上述第l輔助布線11~11'〃和第2輔助布線12~12'，將輔 助布線配置成格子狀。按照以上所述，可在玻璃基板116上制造形成了驅動層和多個有 機發(fā)光元件的TFT基板13。其次，在不使TFT基板13暴露于大氣的情況下，使干燥氮氣循 環(huán)，將TFT基板13移動到保持了高露點的密封室中。其次，將玻璃基板導入上述密封室。該玻璃基板成為密封基板 14。使用密封劑分配裝置在由玻璃基板形成的密封基板的邊緣部分上 描畫光硬化樹脂(省略圖示)。在密 封室內(nèi)將該密封基板14與TFT基板13貼合并壓接。在密封基板14的外側放置遮光板以免UV光照射到整個發(fā)光元件上，從 密封基板14一側照射UV光，使光硬化樹脂硬化。按照以上所述，說明了頂部發(fā)射型彩色有機發(fā)光顯示裝置及其制 造方法。該有機發(fā)光顯示裝置的特征在于在上部透明電極上設置包 圍子像素的格子狀輔助布線，使其與上部透明電極電連接。利用該結 構，可抑制因面板的外周部和中心部的上部透明電極的電阻引起的電 壓降，電流值的差為3%,抑制了面板內(nèi)的亮度離散。實施例2其次，根據(jù)

本發(fā)明的有機發(fā)光顯示裝置的實施例2。圖 5和圖6是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖，圖7是沿圖5和圖 6的C-C'線的剖面圖。本實施例的特征在于加寬使用精密蒸鍍掩 模法形成的上部透明電極的輔助布線的寬度并加寬布線間距。利用該 結構，精密掩模中的形成變得容易。具體地說，在玻璃基板116上第1晶體管101、第2晶體管102、 電容104、信號線109、掃描線106、第1電流供給線110、第1層間 絕緣膜118、第2層間絕緣膜119和下部電極2~4的形成方法與實施 例l是同樣的。如圖5中所示，在R子像素2的信號線109與B子像素4的第 1電流供給線110之間設置空間200。其次，如圖7中所示，形成第3層間絕緣膜151、空穴輸送層5、 R發(fā)光層6、 G發(fā)光層7、 B發(fā)光層8、電子輸送層9和上部電極10。 這些部分的制作條件與實施例l是同樣的。在上述的空間200中設置在與信號線109平行的方向上延伸的笫 1輔助布線11、 11'(圖6、 7)。在其上形成在與掃描線106平行的 方向上延伸的第2輔助布線12、 12'(圖6)。在本實施例中，與實施 例1相比，加寬了輔助布線的寬度。此外，由于在像素間的空間200 中設置輔助布線，故也加寬輔助布線的間隔。因此，可加寬在輔助布 線的形成中使用的精密遮蔽掩模的開口部的寬度和開口部的間距，提 高了批量生產(chǎn)性。TFT基板13與密封基板14的重合的制作方法和制作條件與實 施例l是同樣的。在本實施例中，與實施例1同樣，利用在上部透明電極上設置了 的格子狀輔助布線，抑制了面板內(nèi)的亮度離散。此外，利用子像素的 配置，可加粗在與信號線平行的方向上延伸的輔助布線的布線寬度， 使用了精密掩模的蒸鍍法中的形成變得容易。實施例3其次，根據(jù)

本發(fā)明的有機發(fā)光顯示裝置的實施例3。圖 8和圖9是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖，圖IO是沿圖8和圖 9的C-C'線的剖面圖。本實施例是使像素內(nèi)的R子像素、G子像素、 B子像素的第1電流供給線110成為共用的電流供給線的結構。具體地說，在圖8中，電容104的配置位于掃描線106的上側。 此外，只有G子像素用的信號線109位于R子像素2與G子像素3 之間，此外，在G子像素3與B子像素4之間，對于像素按1條的 比例配置第1電流供給線110。在圖8中，第1電流供給線110位于 R子像素用的信號線109的左側。為了將第1電流供給線110與R子像素用、G子像素用、B子 像素用的第2晶體管102的漏電極113'相連接，設置第2電流供給線 120。使用與形成了柵電極107、 107'、掃描線106和電容104的上部 電極108的材料相同的TiW膜形成了第2電流供給線120。此外，將 第2電流供給線120連接到電容104的上部電極108上。驅動層的其它的結構與實施例2是同樣的。此外，各層的制作條 件也與實施例2是同樣的。其次，如圖10中所示，形成笫3層間絕緣膜151、空穴輸送層5、 R發(fā)光層6、 G發(fā)光層7、 B發(fā)光層8、電子輸送層9和上部電極10。 這些部分的制作條件與實施例l是同樣的。其次，在第1電流供給線110的上側，如圖9中所示，設置第1 輔助布線ll。制作方法、制作條件與實施例l是同樣的。其次r在第 1晶體管101、第2晶體管102、掃描線106、電容104和第2電流供20給線120的上側，如圖9中所示，設置第2輔助布線12。制作方法、 制作條件與實施例l是同樣的。TFT基板13與密封基板14的重合的制作方法和制作條件與實 施例l是同樣的。在本實施例中，與實施例1同樣，利用在上部透明電極上設置了 的格子狀輔助布線，抑制了面板內(nèi)的亮度離散。此外，利用電容的配 置，可加粗在與信號線和掃描線平行的方向上延伸的輔助布線的布線 寬度，在使用了精密掩模的蒸鍍法中的形成變得容易。此外，利用對 于構成像素的R、 G、 B子像素使第1電流供給線成為共用的電流供 給線的配置，可增加下部電極的面積，可實現(xiàn)高的數(shù)值孔徑(開口率)。實施例4其次，根據(jù)

本發(fā)明的有機發(fā)光顯示裝置的實施例4。圖 ll是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖，圖12是沿圖11的C-C' 線的剖面圖。本實施例的特征在于在上部透明電極與輔助布線之間 設置了電連接層15、 16。驅動層的形成方法與實施例3是同樣的。此外，如圖12中所示， 形成第3層間絕緣膜151、空穴輸送層5、 R發(fā)光層6、 G發(fā)光層7、 B發(fā)光層8、電子輸送層9和上部電極10。這些部分的制作條件與實 施例3是同樣的。其次，利用蒸鍍法，在上部透明電極10上形成膜厚30nm的Cr 膜。使用在與信號線平行的方向上延伸的條紋狀的精密掩模形成該 Cr蒸鍍膜，起到第1電連接層15的功能。其次，在第1電連接層15 上，使用相同的精密掩模，形成第l輔助布線ll。制作條件與實施例 3是同樣的。其次，利用蒸鍍法，在第1輔助布線11和上部電極10上形成膜 厚30nm的Cr膜。使用在與掃描線平行的方向上延伸的條紋狀的精 密掩模形成該Cr蒸鍍膜，起到第2電連接層16的功能。其次，在第 2電連接層16上，使用相同的精密掩模，形成笫2輔助布線12。制 作條件與實施例3是同樣的。TFT基板13與密封基板14的重合的制作方法和制作條件與實 施例l是同樣的。在本實施例中，利用在上部透明電極上設置了的格子狀輔助布 線，抑制了面板內(nèi)的亮度離散。此外，利用子像素的配置，可加粗在 與信號線和掃描線平行的方向上延伸的輔助布線的布線寬度，在^f吏用 了精密掩模的蒸鍍法中的形成變得容易。此外，利用對于構成像素的 R、 G、 B子像素使第1電流供給線成為共用的電流供給線的配置，可 增加下部電極的面積，可實現(xiàn)高的數(shù)值孔徑。此外，通過在上部透明 電極與輔助布線之間設置了電連接層，提高了電連接的可靠性。實施例5其次，根據(jù)

本發(fā)明的有機發(fā)光顯示裝置的實施例5。圖 13是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖，沿圖13的C-C'線的剖 面圖與實施例4的圖12相同。本實施例的特征在于在形成格子狀 的輔助布線的一個方向上延伸的輔助布線與上部透明電極之間設置 了電連接層15。驅動層的形成方法與實施例3是同樣的。此外，形成第3層間絕 緣膜151、空穴輸送層5、 R發(fā)光層6、 G發(fā)光層7、 B發(fā)光層8、電 子輸送層9和上部電極10。這些部分的制作條件與實施例3是同樣的。其次，利用蒸鍍法，在上部透明電極10上形成膜厚30nm的Cr 膜。使用在與信號線平行的方向上延伸的條紋狀的精密掩模形成該 Cr蒸鍍膜，起到第1電連接層15的功能。其次，在第1電連接層15 上，使用相同的精密掩模，形成第l輔助布線ll。制作條件與實施例 3是同樣的。其次，形成與掃描線平行的第2輔助布線12，制作條件與實施 例3是同樣的。TFT基板13與密封基板14的重合的制作方法和制作條件與實 施例l是同樣的。在本實ife例中，利用在上部透明電極上設置了的格子狀輔助布 線，抑制了面板內(nèi)的亮度離散。此外，利用子像素的配置，可加粗在與信號線平行的方向上延伸的輔助布線的布線寬度，在使用了精密掩模的蒸鍍法中的形成變得容易。此外，利用對于構成像素的R、 G、 B 子像素使第1電流供給線成為共用的電流供給線的配置，可增加下部 電極的面積，可實現(xiàn)高的數(shù)值孔徑。此外，通過在上部透明電極與在 與信號線平行地延伸的第l輔助布線之間設置了電連接層，提高了電 連接的可靠性。再有，在與掃描線平行地延伸的第2輔助布線上未設置電連接 層，但由于在與第l輔助布線交叉的區(qū)域中被電連接，故可減少電連 接層，可簡化工藝。實施例6其次，根據(jù)

與本發(fā)明有關的有機發(fā)光顯示裝置的實施例 6。圖14是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖。本實施例的特征在 于使用與掃描線為同一層的金屬層、第l層間絕緣膜、與信號線為 同 一層的金屬層形成在像素內(nèi)形成的電容。具體地說，如迄今為止說明了的那樣，在玻璃基板116上第1 晶體管101、第2晶體管102、電容104、信號線109、掃描線106、 第2電流供給線120、第1電流供給線110、第1層間絕緣膜118、第 2層間絕緣膜119和下部電極2 4的形成方法和在其上形成的有機發(fā) 光元件和密封方法與實施例3是同樣的。用與掃描線106為同一層的金屬層形成電容104的下部電極。為 了將該下部電極與第2晶體管的柵電極107'相連接，采用使用了與信 號線109為同一層的金屬層的布線。再有，將電容104的下部電極形 成為不與第2電流供給線120重疊。其次，使用與信號線109為同一層的金屬層形成電容104的上部 電極108。為了將第1電流供給線110與第2晶體管102的漏電極113' 相連接而使用第2電流供給線120,這一點與實施例3是同樣的。在本實施例中，與實施例3同樣，利用在上部透明電極上設置了 的格子狀輔助布線，抑制了面板內(nèi)的亮度離散，在使用了精密掩模的 蒸鍍法中的形成變得容易。此外，由于使用了與掃描線和信號線為同一層的金屬層作為電容的電極，故形成變得容易。實施例7其次，根據(jù)

本發(fā)明的有機發(fā)光顯示裝置的實施例7。圖 15是有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖。本實施例的特征在于使 與掃描線平行的第2電流供給線在厚度方向上與在像素內(nèi)形成的電容 重疊。具體地說，如迄今為止說明了的那樣，在玻璃基板116上第1 晶體管101、第2晶體管102、電容104、信號線109、掃描線106、 第2電流供給線120、第1電流供給線110、第1層間絕緣膜118、第 2層間絕緣膜119和下部電極2 ~ 4的形成方法和在其上形成的有機發(fā) 光元件和密封方法與實施例3是同樣的。使用離子化了的多晶硅層形成電容104的下部電極的方法與實 施例3是同樣的。此外，電容104的上部電極與第2電流供給線120共用。采用與 電容104的上部電極共用的第2電流供給線120連接第1電流供給線 110與第2晶體管102的漏電極113'的方法與實施例3是同樣的。在本實施例中，與實施例3同樣，利用在上部透明電極上設置了 的格子狀輔助布線，抑制了面板內(nèi)的亮度離散，在使用了精密掩模的 蒸鍍法中的形成變得容易。此外，通過共用電容104的上部電極與第 2電流供給線，寬度寬的第2電流供給線的形成變得容易。實施例8其次，根據(jù)

有機發(fā)光顯示裝置的其它實施例。圖16是 有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖。本實施例的特征在于通過并 排地配置相鄰的二個像素的電容，加寬與掃描線平行的輔助布線的布 線寬度。在圖17中表示與圖16對應的第1輔助布線11和第2輔助 布線12。具體地說，在玻璃基板116上具有第1晶體管101、第2晶體管 102、電容104、信號線109、掃描線106、第l電流供給線110、第2 電流供給線120、第1層間絕緣膜118、第2層間絕緣膜119、下部電極2~4、第3層間絕緣膜151,在其上形成有機發(fā)光元件。這些部分 的形成方法與實施例3是同樣的。此外，在上部透明電極上形成第l 輔助布線ll、 ll'和第2輔助布線12。制作條件與實施例3是同樣的。 其次，用與實施例3同樣的方法密封。如圖16中所示，在圖面的上部、下部并排地配置了二個像素。 在圖面下部的像素250中，與實施例3相同，從下側起，按下部電極 2、 3、 4、掃描線106、電容的順序來形成。另一方面，在圖面上部的 像素260中，從下側起，按電容、掃描線106'、下部電極2'、 3'、 4' 的順序來形成。如圖17中所示，在由電容和掃描線構成的區(qū)域上形成在上部電 極10上在與掃描線平行的方向上形成并配置的第2輔助布線12、12'。 通過并排地配置相鄰的二個像素的電容，因第2輔助布線的寬度加寬、 第2輔助布線的間距增大，使得在使用了精密掩模的蒸鍍法中的形成 變得容易。按照本實施例，利用在上部透明電極上設置了的格子狀輔助布 線，抑制了面板內(nèi)的亮度離散，使得在使用了精密掩模的蒸鍍法中的 形成變得容易。實施例9其次，根據(jù)

有機發(fā)光顯示裝置的其它實施例。圖18是 有機發(fā)光顯示裝置中的像素的平面圖。本實施例的特征在于通過接 近地配置相鄰的二個像素的電容，在加寬與掃描線平行的輔助布線的 布線寬度的同時，使第2電流供給線成為共用的電流供給線。具體地說，在玻璃基板116上具有第1晶體管101、第2晶體管 102、電容104、信號線109、掃描線106、第2電流供給線120、第1 電流供給線110、第1層間絕緣膜118、第2層間絕緣膜119、下部電 極2~4、第3層間絕緣膜151，在其上形成有機發(fā)光元件、第l輔助 布線和第2輔助布線。這些部分的形成方法和密封方法與實施例8是 同樣的。用第2電流供給線120連接各像素的電容與第1電流供給線110、110'。如圖18中所示，在下側的像素250中使用的電容的第2電流供 給線與在上側的像素260中使用的電容的第2電流供給線中成為共用 的電流供給線，加寬第2電流供給線120的寬度。此外，將第2電流 供給線用作各電容的上部電極。在由電容和掃描線構成的區(qū)域上形成在上部電極10上在與掃描 線平行的方向上形成并配置的第2輔助布線12、 12'。通過接近地配 置相鄰的二個像素的電容，可加寬第2輔助布線的寬度。此外，由于 第2輔助布線的間距成為每2個像素的間距，故使得在使用了精密掩 模的蒸鍍法中的形成變得容易。此外，由于第2電流供給線的寬度寬， 故降低了因布線電阻引起的電壓效應。在本發(fā)明中，與實施例3同樣，利用在上部透明電極上設置了的 格子狀輔助布線，抑制了面板內(nèi)的亮度離散，使得在使用了精密掩模 的蒸鍍法中的形成變得容易。實施例10其次，根據(jù)

本發(fā)明的有機發(fā)光顯示裝置的實施形態(tài)。圖 19是形成到信號線、第1電流供給線、源電極和漏電極為止的有機發(fā) 光顯示裝置的像素的平面圖，圖20是形成到下部電極為止的有機發(fā) 光顯示裝置的像素的平面圖。本實施形態(tài)的特征在于在相同的區(qū)域 中在上下重疊地配置了第1電流供給線和各像素的電容。在玻璃基板116上形成了第1晶體管101、第2晶體管102、信 號線109、掃描線106、第1電流供給線110、第1層間絕緣膜118， 這些部分的形成方法與實施例3是同樣的。如圖19中所示，在第1電流供給線110的下側形成各像素的電 容104。電容的結構與實施例1是同樣的。例如，在下部電極2的區(qū) 域中，將用摻雜p - Si層制作的電容下部電極由與掃描線為同一層的 TiW布線200轉換連接，再由與信號線為同一層的Al布線201轉換 連接，并經(jīng)由用摻雜p - Si層制作的布線連接到第2晶體管102的柵 電極107'上。在下部電極3的區(qū)域中，將電容下部電極由TiW布線202、 Al 布線203轉換連接，連接到第2晶體管的柵電極上。即使在下部電極 4的區(qū)域中，也將電容下部電極由TiW布線204、 Al布線205轉換連 接，連接到第2晶體管的柵電極上。在其上形成第2層間絕緣膜119、下部電極2~4、第3層間絕緣 膜151。制作條件與實施例l是同樣的。此外，在其上形成的有機發(fā) 光元件、第l輔助布線和第2輔助布線和密封方法與實施例3是同樣 的。在本發(fā)明中，與實施例3同樣，利用在上部透明電極上設置了的 格子狀輔助布線，抑制了面板內(nèi)的亮度離散，使得在使用了精密掩模 的蒸鍍法中的形成變得容易。此外，由于重疊了第1電流供給線與電 容，故數(shù)值孔徑提高了。實施例11其次，根據(jù)

與本發(fā)明有關的有機發(fā)光顯示裝置的實施形 態(tài)。圖21與本發(fā)明有關的有機發(fā)光顯示裝置的剖面圖。本實施形態(tài) 是由白色有機發(fā)光元件和在密封基板上形成了的濾色層構成的有機 發(fā)光顯示裝置，其特征在于在輔助布線上重疊了遮光層。具體地說，在玻璃基板116上具有第1晶體管101、第2晶體管 102、電容104、信號線109、掃描線106、第2電流供給線120、第1 電流供給線IIO、第1層間絕緣膜118、第2層間絕緣膜119、下部電 極2~4、第3層間絕緣膜151。下部電極2~4的形成方法、第3層 間絕緣膜151的形成方法與實施例3是同樣的。其次，在下部電極2~4上形成空穴輸送層5。制作條件與實施 例1是同樣的。在其上形成R發(fā)光層300、 B發(fā)光層301。制作條件 與實施例l是同樣的。上述發(fā)光層與空穴輸送層同樣地在發(fā)光區(qū)域的 前面形成。其次，在發(fā)光層300、 301上形成電子輸送層9、電子注入 層、上部電極IO。制作條件與實施例l是同樣的。該有機發(fā)光元件顯 示由紅色發(fā)光色和藍色發(fā)光色構成的白色發(fā)光。施例3是同樣的。其次，貼合并壓接了密封基板14與TFT基板13。在密封基板 14中形成了 R濾色器302、 G濾色器303、 B濾色器304。此外，在 各濾色器之間形成了遮光層305。光硬化樹脂的硬化條件與實施例1 是同樣的。在實施例中，與實施例3同樣，利用在上部透明電極上設置了的 格子狀輔助布線，抑制了面板內(nèi)的亮度離散，使得使用了精密掩模的 蒸鍍法中的形成變得容易。此外，用有機發(fā)光元件發(fā)出了的白色發(fā)光 通過濾色層成為紅、綠、藍發(fā)光。
權利要求
1.一種有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于在基板上依次層疊包含用于驅動有機發(fā)光元件的驅動元件的驅動層、和包含連接到上述驅動元件上的信號線和掃描線的布線層，在夾著上述有機發(fā)光元件的有機層的一對電極中的上部透明電極上設置有在與上述信號線平行的方向上延伸的第1輔助布線、和在與上述掃描線平行的方向上延伸的第2輔助布線，電連接上述第1輔助布線和第2輔助布線。
2. 如權利要求l中所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于 上述第1輔助布線和第2輔助布線中的至少一個輔助布線具有用于與上述上部透明電極電連接的電連接層。
3. 如權利要求2中所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于 上述電連接層的形狀與上述第l輔助布線或第2輔助布線的形狀相同。
4. 如權利要求2中所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于 上述電連接層形成在上述上部透明電極與第1輔助布線之間或上述上部透明電極與第2輔助布線之間。
5. 如權利要求4中所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于 具有上述電連接層的輔助布線形成在上述上部透明電極與沒有電連接層的輔助布線之間。
6. 如權利要求2中所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于 來自上述有機發(fā)光元件的發(fā)光色至少具有藍色、綠色、紅色，在上述有機發(fā)光元件的外側具有色變換層。
7. 如權利要求6中所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于 在上述第1輔助布線和第2輔助布線的上部具有遮光層。
8. —種有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于在基板上依次層疊包含用于驅動有機發(fā)光元件的驅動元件的驅 動層、和包含連接到上述驅動元件上的信號線和掃描線的布線層，在夾著上述有機發(fā)光元件的有機層的一對電極中的上部透明電 極上設置有在與上述信號線平行的方向上延伸的第l輔助布線、和在與上述掃描線平行的方向上延伸的第2輔助布線，將上述有機發(fā)光元件作為子像素，將上述第1輔助布線和第2 輔助布線配置成包圍由多個子像素構成的像素，電連接上述第1輔助布線與第2輔助布線。
9. 如權利要求8中所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于 在配置了上述第l輔助布線的區(qū)域的下側設置有空間。
10. 如權利要求9中所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于 在配置了上述第2輔助布線的區(qū)域的下側具有上述掃描線。
11. 如權利要求IO中所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于 在對上述有機發(fā)光元件供給電流的第1電流供給線的區(qū)域的下側具有電容。
12. 如權利要求8中所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于 在配置了上述第l輔助布線的區(qū)域的下側具有第1電流供給線。
13. 如權利要求12中所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于 上述第1電流供給線與上述驅動元件電連接。
14. 如權利要求13中所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于 設置有電連接上述第1電流供給線與上述驅動元件的第2電流供給線、和在上述第2電流供給線與上述掃描線之間的區(qū)域中的電容。
15. 如權利要求14中所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于 上述電容的下部電極由與上述掃描線同層的金屬層形成，上述電容的上部電極由與上述信號線同層的金屬層形成。
16. 如權利要求14中所述的有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于 與上述第2電流供給線共用上述電容的上部電極。
17. —種制造如權利要求1或8中所述的有機發(fā)光顯示裝置的方 法，其特征在于使用條紋狀的精密蒸鍍掩模用于形成上述第1輔助布線和第2 輔助布線。
18.如權利要求17中所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其 特征在于使用上述精密蒸鍍掩模形成上述第1輔助布線及其電連接層或 形成上述第2輔助布線及其電連接層。
全文摘要
本發(fā)明的課題是減少因有機發(fā)光元件中的上部透明電極的布線電阻引起的亮度的離散。在上部透明電極上利用精密掩模蒸鍍法形成在與信號線平行的方向上延伸的條紋狀的第1輔助布線(11)。其次，利用精密掩模蒸鍍法形成在與掃描線平行的方向上延伸的條紋狀的第2輔助布線(12)。
文檔編號H05B33/02GK101262723SQ20081000496
公開日2008年9月10日 申請日期2008年1月31日 優(yōu)先權日2007年3月5日
發(fā)明者景山寬, 松崎永二, 石原慎吾 申請人:株式會社日立顯示器