專利名稱：布線電路基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及布線電路基板，具體涉及安裝電子零部件的帶電路的懸掛基板等布線電路基板。
背景技術(shù)：
帶電路的懸掛基板等布線電路基板例如具備由不銹鋼箔等形成的金屬支承基板、形成于金屬支承基板上的、由聚酰亞胺樹脂等構(gòu)成的基底絕緣層，形成于基底絕緣層上的、由銅箔等構(gòu)成的導(dǎo)體布圖，以及形成于基底絕緣層上的、由聚酰亞胺樹脂構(gòu)成的被覆導(dǎo)體布圖的被覆絕緣層。該布線電路基板被廣泛地應(yīng)用于各種電器或電子設(shè)備領(lǐng)域。
為了防止在該布線電路基板上所安裝的電子零部件的靜電破壞，提出了在帶電路的懸掛基板的被覆絕緣層和基底絕緣層的表面依次層疊金屬薄膜和氧化金屬層以形成半導(dǎo)電體層，利用該半導(dǎo)電體層除去所帶靜電的技術(shù)方案(例如，參照日本專利特開2004-335700號公報(bào))。
此外，提出了在絕緣層的表面形成半導(dǎo)電體層后，形成貫通絕緣層和半導(dǎo)電體層的貫通孔使導(dǎo)體層露出，在該貫通孔形成連接端子，使半導(dǎo)電體層和連接端子接觸，藉此除去絕緣層和導(dǎo)體層所帶靜電的技術(shù)方案(例如，參照日本專利特開2003-152383號公報(bào))。

發(fā)明內(nèi)容
但是，日本專利特開2004-335700號公報(bào)中，半導(dǎo)電體層僅形成于被覆絕緣層和基底絕緣層的表面，因此導(dǎo)體層所帶靜電的除去不夠充分，無法切實(shí)防止所安裝的電子零部件的靜電破壞。
此外，日本專利特開2003-152383號公報(bào)中，半導(dǎo)電體層不是導(dǎo)體層，與連接端子接觸，連接端子未形成時(shí)，無法除去導(dǎo)體層所帶靜電。
因此，如圖12的斜線部分和圖13所示，帶電路的懸掛基板31中，半導(dǎo)電性層35在俯視下與被覆絕緣層36處于同一位置，在被覆絕緣層36和導(dǎo)體布圖34、基底絕緣層33及金屬支承基板32的各表面之間連續(xù)形成，嘗試?yán)迷摪雽?dǎo)電性層35除去導(dǎo)體布圖34所帶靜電。
但是，在形成有上述半導(dǎo)電性層35的帶電路的懸掛基板31的1對配線37間(1對配線37a及37b間或1對配線37c及37d間)，形成導(dǎo)體布圖34的導(dǎo)體材料沿著半導(dǎo)電性層35遷移(離子遷移)，結(jié)果造成1對配線37短路。
此外，導(dǎo)體布圖34通常在帶電路的懸掛基板31的前端部及后端部之間的中間區(qū)域R1內(nèi)以1對配線37a及b之間的間隔狹窄的狀態(tài)形成，在前端部和后端部的兩端區(qū)域R2內(nèi)以1對配線37a和b之間的間隔較寬的狀態(tài)形成。因此，如果被覆絕緣層36以包含第1區(qū)域R1及第2區(qū)域R2的狀態(tài)形成，半導(dǎo)電性層35形成于與該被覆絕緣層36相同的位置，則形成于第1區(qū)域R1的半導(dǎo)電性層35與第2區(qū)域R2的半導(dǎo)電性層35相比，1對配線37a和b之間的間隔狹小，導(dǎo)體布圖34出現(xiàn)早期短路。
本發(fā)明的目的是提供能夠有效地除去靜電帶電，且可防止導(dǎo)體布圖的早期短路的布線電路基板。
本發(fā)明的布線電路基板的特征在于，具備金屬支承基板，形成于前述金屬支承基板上的絕緣層，形成于前述絕緣層上的、具有隔著間隔配置的1對配線的導(dǎo)體布圖，以及形成于前述絕緣層上的、與前述金屬支承基板及前述導(dǎo)體布圖電連接的半導(dǎo)電性層；前述導(dǎo)體布圖具有1對前述配線間的間隔狹小的第1區(qū)域和1對前述配線間的間隔比前述第1區(qū)域?qū)挼牡?區(qū)域；前述半導(dǎo)電性層被設(shè)置于前述第2區(qū)域。
較好的是本發(fā)明的布線電路基板中，前述第2區(qū)域中的1對前述配線間的間隔在20μm以上。
較好的是本發(fā)明的布線電路基板中，至少1對前述配線被相對配置，且電位各異，在1對前述配線的對向區(qū)域的外側(cè)一方，前述半導(dǎo)電性層與前述金屬支承基板電連接，被覆絕緣層被形成于前述半導(dǎo)電性層上。
較好的是本發(fā)明的布線電路基板中，在1對前述配線的對向區(qū)域的外側(cè)一方，前述半導(dǎo)電性層與前述金屬支承基板接觸。
較好的是本發(fā)明的布線電路基板中，在1對前述配線的對向區(qū)域的外側(cè)一方，貫通厚度方向的開口部形成于前述絕緣層，在從前述開口部露出的前述金屬支承基板上設(shè)置有與前述金屬支承基板和前述半導(dǎo)電性層接觸的接地連接部。
本發(fā)明的布線電路基板具備與金屬支承基板和導(dǎo)體布圖電連接的半導(dǎo)電性層。因此，導(dǎo)體布圖介以半導(dǎo)電性層與金屬支承基板電連接，能夠有效除去導(dǎo)體布圖所帶靜電。而且，本發(fā)明的布線電路基板中，半導(dǎo)電性層在導(dǎo)體布圖中被設(shè)置于1對配線間的間隔較寬的第2區(qū)域。所以，在1對配線間形成導(dǎo)體布圖的導(dǎo)體材料即使沿著半導(dǎo)電性層遷移，但由于它們的間隔比第1區(qū)域的該間隔寬，因此導(dǎo)體布圖的短路被延遲，可防止導(dǎo)體布圖的早期短路。
其結(jié)果是，可切實(shí)地防止所安裝的電子零部件的靜電破壞，而且可長期實(shí)現(xiàn)布線電路基板的連接可靠性的提高。
另外，本發(fā)明的布線電路基板的其特征在于，具備金屬支承基板，形成于前述金屬支承基板上的絕緣層，形成于前述絕緣層上的、具有隔著間隔配置的1對配線的導(dǎo)體布圖，以及形成于前述絕緣層上的、與前述金屬支承基板及前述導(dǎo)體布圖電連接的半導(dǎo)電性層；前述半導(dǎo)電性層在1對前述配線間確保20μm以上的長度而形成。
本發(fā)明的布線電路基板中，半導(dǎo)電性層在1對配線間確保20μm以上的長度而形成。因此，形成導(dǎo)體布圖的導(dǎo)體材料即使沿著半導(dǎo)電性層遷移，也可延遲導(dǎo)體布圖的短路，可有效防止導(dǎo)體布圖的早期短路。
其結(jié)果是，可切實(shí)地防止所安裝的電子零部件的靜電破壞，而且可長期有效地實(shí)現(xiàn)布線電路基板的連接可靠性的提高。


圖1為表示作為本發(fā)明的布線電路基板的實(shí)施方式之一(半導(dǎo)電性層介以接地連接部與金屬支承基板電連接的形態(tài))的帶電路的懸掛基板的平面示意圖。
圖2為圖1所示的帶電路的懸掛基板的寬度方向的截面圖，左側(cè)圖為后端區(qū)域的圖1的A-A線截面圖，右側(cè)圖為中間區(qū)域的圖1的B-B線截面圖。
圖3為表示圖2所示的帶電路的懸掛基板的制造工序的截面圖，左側(cè)圖與后端區(qū)域的圖1的A-A線截面圖對應(yīng)，右側(cè)圖與中間區(qū)域的圖1的B-B線截面圖對應(yīng)，(a)為準(zhǔn)備金屬支承基板的工序，(b)為在金屬支承基板上形成基底絕緣層并形成基底開口部的工序，(c)為同時(shí)形成導(dǎo)體布圖和接地連接部的工序，(d)為在導(dǎo)體布圖、接地連接部、基底絕緣層和金屬支承基板的整個(gè)面連續(xù)形成半導(dǎo)電性層的工序。
圖4接續(xù)圖3，為表示圖2所示的帶電路的懸掛基板的制造工序的截面圖，左側(cè)圖與后端區(qū)域的圖1的A-A線截面圖對應(yīng)，右側(cè)圖與中間區(qū)域的圖1的B-B線截面圖對應(yīng)，(e)為在后端區(qū)域中，在半導(dǎo)電性層上以布圖形成第1被覆絕緣層的工序，(f)為除去從第1被覆絕緣層露出的半導(dǎo)電性層的工序，(g)為在第1被覆絕緣層及基底絕緣層上以布圖形成第2被覆絕緣層的工序。
圖5為表示作為圖3及圖4所示的帶電路的懸掛基板的制造工序的一部分的其它制造工序的截面圖，(a)為在后端區(qū)域中，在半導(dǎo)電性層上以布圖形成蝕刻保護(hù)膜的工序，(b)為除去從蝕刻保護(hù)膜露出的半導(dǎo)電性層的工序，(c)為除去蝕刻保護(hù)膜的工序，(d)為在半導(dǎo)電性層及基底絕緣層上以布圖形成被覆絕緣層的工序。
圖6為作為本發(fā)明的布線電路基板的另一實(shí)施方式(半導(dǎo)電性層與金屬支承基板直接接觸的形態(tài)，且半導(dǎo)電性層介于導(dǎo)體布圖和被覆絕緣層之間的形態(tài))的帶電路的懸掛基板的寬度方向的截面圖，左側(cè)圖為與后端區(qū)域的圖1的A-A線截面圖對應(yīng)的截面圖，右側(cè)圖為與中間區(qū)域的圖1的B-B線截面圖對應(yīng)的截面圖。
圖7為作為本發(fā)明的布線電路基板的另一實(shí)施方式(半導(dǎo)電性層與金屬支承基板直接接觸的形態(tài)，且半導(dǎo)電性層介于導(dǎo)體布圖和基底絕緣層之間的形態(tài))的帶電路的懸掛基板的寬度方向的截面圖，左側(cè)圖為與后端區(qū)域的圖1的A-A線截面圖對應(yīng)的截面圖，右側(cè)圖為與中間區(qū)域的圖1的B-B線截面圖對應(yīng)的截面圖。
圖8為表示作為本發(fā)明的布線電路基板的另一實(shí)施方式的帶電路的懸掛基板的1對配線間的半導(dǎo)電性層(呈近似V字狀配置的形態(tài))的放大平面圖。
圖9為表示作為本發(fā)明的布線電路基板的另一實(shí)施方式的帶電路的懸掛基板的1對配線間的半導(dǎo)電性層(呈近似曲折狀配置的形態(tài))的放大平面圖。
圖10為表示作為本發(fā)明的布線電路基板的另一實(shí)施方式的帶電路的懸掛基板的1對配線間的半導(dǎo)電性層(呈沿長邊方向直線狀配置的形態(tài))的放大平面圖。
圖11為作為本發(fā)明的布線電路基板的另一實(shí)施方式(1個(gè)半導(dǎo)電性層在4條配線和2個(gè)接地連接部上連續(xù)，被覆它們的形態(tài))的帶電路的懸掛基板的寬度方向的截面圖，為與后端區(qū)域的圖1的A-A線截面圖對應(yīng)的截面圖。
圖12為表示帶電路的懸掛基板(半導(dǎo)電性層在前端區(qū)域及后端區(qū)域和中間區(qū)域內(nèi)被連續(xù)配置的形態(tài))的平面示意圖。
圖13為圖12所示的帶電路的懸掛基板的寬度方向的截面圖，為后端區(qū)域的X-X線截面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1為表示作為本發(fā)明的布線電路基板的實(shí)施方式之一的帶電路的懸掛基板的平面示意圖，圖2為圖1所示的帶電路的懸掛基板的與長邊方向正交的方向(以下有時(shí)簡稱為寬度方向)的截面圖，左側(cè)圖為后端區(qū)域的圖1的A-A線截面圖，右側(cè)圖為中間區(qū)域的圖1的B-B線截面圖。圖1中，為了明確地表示相對于金屬支承基板2的導(dǎo)體布圖4的相對位置，部分省略了后述的基底絕緣層3及被覆絕緣層6。
圖1中，該帶電路的懸掛基板1被搭載于硬盤驅(qū)動(dòng)器，安裝磁頭(未圖示)，用于連接磁頭和讀寫基板(外部)的導(dǎo)體布圖4一體形成于金屬支承基板2上，該金屬支承基板2在支承該磁頭的同時(shí)，使該磁頭克服與磁盤之間相對移動(dòng)時(shí)的空氣流，與磁盤之間保持微小間隔。
導(dǎo)體布圖4連續(xù)一體地具備磁頭側(cè)連接端子部8A、外部側(cè)連接端子部8B和用于連接磁頭側(cè)連接端子部8A及外部側(cè)連接端子部8B的多條配線9。
各配線9沿金屬支承基板2的長邊方向設(shè)置多條，在金屬支承基板2的寬度方向相互隔開間隔對向并行配置。
多條配線9由在寬度方向的一側(cè)對向并行配置的一方的1對配線9a及9b和在寬度方向的另一側(cè)對向并行配置的另一方的1對配線9c及9d形成。一方的1對配線9a及9b中，一方的配線9a被配置于寬度方向外側(cè)，另一方的配線9b被配置于寬度方向內(nèi)側(cè)。此外，另一方的1對配線9c及9d中，一方的配線9c被配置于寬度方向內(nèi)側(cè)，另一方的配線9d被配置于寬度方向外側(cè)。
一方的1對配線9a及9b的電位各異，分別被輸入始終形成電位差的讀取信號或?qū)懭胄盘?。此外，另一方?對配線9c及9d的電位也各異，分別被輸入始終形成電位差的讀取信號或?qū)懭胄盘枴?br> 更具體來講，各配線9為用于讀取磁盤的數(shù)據(jù)的讀取配線或?qū)?shù)據(jù)寫入磁盤的寫入配線中的任一種，一般選擇以下的組合，即，一方的1對配線9a及9b中，一方的配線9a為讀取配線，另一方的配線9b為寫入配線，或者正好相反；另一方的1對配線9c及9d中，一方的配線9c為讀取配線，另一方的配線9d為寫入配線，或者正好相反。
磁頭側(cè)連接端子部8A被配置于金屬支承基板2的前端部，作為較寬的連接盤多條并行設(shè)置，分別連接各配線9的前端部。磁頭的端子部(未圖示)被連接于該磁頭側(cè)連接端子部8A。
外部側(cè)連接端子部8B被配置于金屬支承基板2的后端部，作為較寬的連接盤多條并行設(shè)置，分別連接各配線9的后端部。讀寫基板的端子部(未圖示)被連接于該外部側(cè)連接端子部8B。
此外，在金屬支承基板2的前端部設(shè)置有用于安裝磁頭的萬向接頭10。萬向接頭10以在長邊方向夾著磁頭側(cè)連接端子部8A的形態(tài)，通過切削金屬支承基板2而形成。
導(dǎo)體布圖4在帶電路的懸掛基板1的前端部及后端部之間具有作為第1區(qū)域的中間區(qū)域14，在帶電路的懸掛基板1的前端部及后端部具有由作為第2區(qū)域的前端區(qū)域15A及后端區(qū)域15B構(gòu)成的兩端區(qū)域15。
如圖1及圖2所示，導(dǎo)體布圖4的中間區(qū)域14中，各配線9間的間隔(沿著與并行的各配線9的長邊方向正交的方向的間隔，下同)D1，具體來講，一方的1對配線9a及9b間的間隔D1a、另一方的1對配線9c及9d間的間隔D1b以比后述的兩端區(qū)域15的間隔D2窄的狀態(tài)形成，更具體來講，各配線9間的間隔D1例如設(shè)定為10～100μm，較好為15～50μm，更好為17～40μm。
導(dǎo)體布圖4的兩端區(qū)域15中，各配線9間的間隔D2，具體來講，一方的1對配線9a及9b間的間隔D2a、另一方的1對配線9c及9d間的間隔D2b以比前述的中間區(qū)域14的間隔D1寬的狀態(tài)形成，更具體來講，各配線9間的間隔D2例如設(shè)定為20μm以上，較好為30μm以上，更好為40μm以上，通常設(shè)定在500μm以下。
此外，各配線9的寬度(與各配線9的長邊方向正交的方向的寬度，下同)例如為10～100μm，較好為15～50μm。
各端子部8(磁頭側(cè)連接端子部8A及外部側(cè)連接端子部8B)間的間隔例如為20～1000μm，較好為30～800μm，各端子部8(磁頭側(cè)連接端子部8A及外部側(cè)連接端子部8B)的寬度例如為20～1000μm，較好為30～800μm。
如圖2的左側(cè)圖所示，該帶電路的懸掛基板1具備金屬支承基板2，形成于金屬支承基板2上的作為絕緣層的基底絕緣層3，形成于基底絕緣層3上的導(dǎo)體布圖4，形成于金屬支承基板2上的接地連接部7，形成于基底絕緣層3上的被覆導(dǎo)體布圖4及接地連接部7的半導(dǎo)電性層5，以及形成于半導(dǎo)電性層5上的被覆絕緣層6。
此外，如后所述，接地連接部7和半導(dǎo)電性層5僅設(shè)置于后端區(qū)域15B。
金屬支承基板2由對應(yīng)上述帶電路的懸掛基板1的外形形狀的沿長邊方向延展的平板狀的薄板形成。
金屬支承基板2的長度(長邊方向長度，下同)和寬度(寬度方向長度，下同)可根據(jù)目的和用途適當(dāng)選擇。
基底絕緣層3以對應(yīng)于形成導(dǎo)體布圖4的部分，且形成接地連接部7的部分和金屬支承基板2的周端部露出的圖形形成在金屬支承基板2上。
此外，為了在基底絕緣層3上形成作為接地連接部7的一側(cè)的接地連接部7A，在后端區(qū)域15B的寬度方向一側(cè)(左側(cè))，形成有導(dǎo)體布圖4的寬度方向的最外一側(cè)的配線9a和在寬度方向外側(cè)隔著間隔作為貫通厚度方向開口的開口部的一側(cè)基底開口部11A。此外，為了在基底絕緣層3上形成作為接地連接部7的另一側(cè)的接地連接部7B，在后端區(qū)域15B的寬度方向另一側(cè)(右側(cè))，形成有導(dǎo)體布圖4的寬度方向的最外另一側(cè)的配線9d和在寬度方向外側(cè)隔著間隔作為貫通厚度方向開口的開口部的另一側(cè)基底開口部11B。
以下，在無需特別區(qū)分一側(cè)接地連接部7A和另一側(cè)接地連接部7B時(shí)，將兩者簡述為接地連接部7。另外，在無需特別區(qū)分一側(cè)基底開口部11A和另一側(cè)基底開口部11B時(shí)，將兩者簡述為基底開口部11。
基底開口部11如圖1的虛線所示，沿長邊方向以俯視近似矩形狀開口。
此外，基底絕緣層3的長度和寬度可根據(jù)目的和用途適當(dāng)選擇以形成為上述形狀。
導(dǎo)體布圖4作為一體具備上述互相隔著間隔對向并行配置的多條配線9(配線9a、9b、9c及9d)，以及分別與各配線9的前端部及后端部連接的磁頭側(cè)連接端子部8A及外部側(cè)連接端子部8B的布線電路圖形成在基底絕緣層3上。以下，在無需特別區(qū)分磁頭側(cè)連接端子部8A及外部側(cè)連接端子部8B時(shí)，簡述為端子部8。
另外，如上所述，導(dǎo)體布圖4具備1對配線9間的間隔D1狹小的中間區(qū)域14，以及1對配線9間的間隔D2比中間區(qū)域14中的間隔寬的、由前端區(qū)域15A和后端區(qū)域15B構(gòu)成的兩端區(qū)域15。各兩端區(qū)域15(前端區(qū)域15A和后端區(qū)域15B)從中間區(qū)域14的長邊方向兩端部開始連續(xù)形成。各兩端區(qū)域15(前端區(qū)域15A和后端區(qū)域15B)從與中間區(qū)域14的連接部分開始朝向長邊方向外側(cè)逐漸變寬(各配線9間的間隔逐漸變寬)，此外，1對配線9間的間隔隔著上述間隔(D2)并行配置而形成。
在后端區(qū)域15B的基底絕緣層3上，導(dǎo)體布圖4以確?；组_口部11形成區(qū)域的要求形成。
如圖2的左側(cè)圖所示，接地連接部7一體連續(xù)地具備被填入上述基底絕緣層3的基底開口部11內(nèi)而形成的下部12，以及從下部12的上端開始被覆基底開口部11的周圍的基底絕緣層3的表面的上部13，該上部13以向厚度方向上側(cè)、長邊方向兩側(cè)及寬度方向兩側(cè)鼓出而形成。
該接地連接部7中，其下部12的下表面與金屬支承基板2接觸。
接地連接部7的下部12的寬度例如為40～2000μm，較好為60～500μm，接地連接部7的上部13的寬度例如為70～2060μm，較好為90～560μm。此外，接地連接部7的下部12及上部13的長度可根據(jù)目的、用途及產(chǎn)品的設(shè)計(jì)適當(dāng)選擇。
雖然未圖示，但該帶電路的懸掛基板1可根據(jù)目的和用途依需要具備被覆導(dǎo)體布圖4和接地連接部7的金屬薄膜，該金屬薄膜介于導(dǎo)體布圖4及接地連接部7和半導(dǎo)電性層5之間。
未圖示的金屬薄膜根據(jù)需要形成于導(dǎo)體布圖4的表面及接地連接部7的上部13的表面，即，導(dǎo)體布圖4的各配線9的上表面及側(cè)面和接地連接部7的上部13的上表面及側(cè)面。
如圖1及圖2所示，半導(dǎo)電性層5具備被配置于一側(cè)的一側(cè)半導(dǎo)電性層5A及被配置于另一側(cè)的另一側(cè)半導(dǎo)電性層5B。此外，各半導(dǎo)電性層5呈俯視近似矩形的形狀形成以被覆各基底開口部11。以下，在無需特別區(qū)分一側(cè)半導(dǎo)電性層5A及另一側(cè)半導(dǎo)電性層5B的情況下，簡述為半導(dǎo)電性層5。
如圖2所示，半導(dǎo)電性層5形成于被以虛線表示的第1被覆絕緣層6A(后述)覆蓋的基底絕緣層3上以被覆導(dǎo)體布圖4和接地連接部7。即，半導(dǎo)電性層5介于被覆絕緣層6(第1被覆絕緣層6A)和基底絕緣層3、導(dǎo)體布圖4及接地連接部7之間而形成。
這樣，半導(dǎo)電性層5在其厚度方向下側(cè)與導(dǎo)體布圖4、接地連接部7及基底絕緣層3接觸，在厚度方向上側(cè)與被覆絕緣層6(第1被覆絕緣層6A)接觸。
此外，分別獨(dú)立地設(shè)置半導(dǎo)電性層5的一側(cè)半導(dǎo)電性層5A和另一側(cè)半導(dǎo)電性層5B。即，一側(cè)半導(dǎo)電性層5A連續(xù)被覆一側(cè)接地連接部7A和1對配線9a及9b，藉此配線9a及9b介以一側(cè)半導(dǎo)電性層5A與一側(cè)接地連接部7A電連接。
另一方面，在相對于一方的1對配線9a及9b的對向區(qū)域SA的寬度方向外側(cè)一方(左側(cè))，一側(cè)半導(dǎo)電性層5A與一側(cè)接地連接部7A的上部13接觸，介以該一側(cè)接地連接部7A與金屬支承基板2電連接。
因此，1對配線9a及9b介以一側(cè)半導(dǎo)電性層5A及一側(cè)接地連接部7A與金屬支承基板2電連接。
此外，另一側(cè)半導(dǎo)電性層5B連續(xù)被覆另一側(cè)接地連接部7B和1對配線9c及9d，藉此，配線9c及9d介以另一側(cè)半導(dǎo)電性層5B與另一側(cè)接地連接部7B電連接。
另一方面，在相對于另一方的1對配線9c及9d的對向區(qū)域SB的寬度方向外側(cè)另一方(右側(cè))，另一側(cè)半導(dǎo)電性層5B與另一側(cè)接地連接部7B的上部13接觸，介以該另一側(cè)接地連接部7B與金屬支承基板2電連接。
因此，1對配線9c及9d介以另一側(cè)半導(dǎo)電性層5B及另一側(cè)接地連接部7B與金屬支承基板2電連接。
另外，如圖1所示，一側(cè)半導(dǎo)電性層5A和另一側(cè)半導(dǎo)電性層5B以沿長邊方向俯視近似矩形狀形成，而且按照以下狀態(tài)形成，即，一側(cè)的配線9b和另一側(cè)的配線9c間的基底絕緣層3沿長邊方向露出，在寬度方向于一側(cè)的配線9b及另一側(cè)的配線9c之間隔開間隔。藉此，一側(cè)半導(dǎo)電性層5A和另一側(cè)半導(dǎo)電性層5B電絕緣。
如圖2所示，被覆絕緣層6形成于半導(dǎo)電性層5上，更具體來講，在后端區(qū)域15B中，被覆絕緣層6形成于從半導(dǎo)電性層5露出的基底絕緣層3上以覆蓋半導(dǎo)電性層5且露出基底絕緣層3的周端部，在前端區(qū)域15A及中間區(qū)域14中，被覆絕緣層6連續(xù)地形成于從導(dǎo)體布圖4露出的基底絕緣層3上以覆蓋導(dǎo)體布圖4且沿寬度方向被覆基底絕緣層3的周端部。
另外，雖然未圖示，在被覆絕緣層6上將與端子部8對應(yīng)的部分開口使導(dǎo)體布圖4的端子部8露出。
可根據(jù)目的和用途適當(dāng)選擇被覆絕緣層6的長度和寬度以形成為上述形狀。
后述的帶電路的懸掛基板1的制造工序(參照圖4(f))中，將第1被覆絕緣層6A作為蝕刻保護(hù)膜使用時(shí)，被覆絕緣層6由第1被覆絕緣層6A及第2被覆絕緣層6B形成。
圖3及圖4為表示圖2所示的帶電路的懸掛基板的制造工序的截面圖。圖3及圖4中，左側(cè)圖為對應(yīng)于后端區(qū)域的圖1的A-A線截面圖的截面圖，右側(cè)圖為對應(yīng)于中間區(qū)域的圖1的B-B線截面圖的截面圖。
參照圖3及圖4說明該帶電路的懸掛基板1的制造方法。
首先，該方法如圖3所示，準(zhǔn)備金屬支承基板2。
作為金屬支承基板2，例如可使用不銹鋼、42合金、鋁、銅、銅-鈹、磷青銅等的金屬箔，較好是使用不銹鋼箔。金屬支承基板2的厚度例如為10～51μm，較好為15～30μm。
接著，該方法如圖3(b)所示，在金屬支承基板2上以與導(dǎo)體布圖4的形成部分對應(yīng)、且形成基底開口部11的布圖形成基底絕緣層3。
基底絕緣層3例如由聚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚砜樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等樹脂形成。從耐熱性的角度來看，較好是由聚酰亞胺樹脂形成。
以上述布圖形成基底絕緣層3時(shí)，沒有特別限定，可以使用公知的方法。例如，將感光性樹脂(感光性聚酰胺酸樹脂)的清漆涂布在金屬支承基板2的表面，干燥涂布的清漆，形成基底皮膜。接著，將基底皮膜隔著光掩模曝光后，根據(jù)需要進(jìn)行加熱，再通過顯影形成上述布圖。然后，例如通過在減壓下于250℃以上加熱，使其固化(酰亞胺化)。
以上形成的基底絕緣層3的厚度例如為1～35μm，較好為8～15μm。
接著，該方法如圖3(c)所示，在基底絕緣層3上形成上述布線電路圖作為導(dǎo)體布圖4的同時(shí)，在從基底絕緣層3的基底開口部11露出的金屬支承基板2上形成接地連接部7，使該接地連接部7的下部12被填入基底絕緣層3的基底開口部11內(nèi)，且使其上部13覆蓋基底絕緣層3的基底開口部11的周圍。
導(dǎo)體布圖4和接地連接部7全部由相同的導(dǎo)體材料形成，例如可以由銅、鎳、金、焊錫或它們的合金等導(dǎo)體材料形成，較好是由銅形成。此外，通過例如加成法(additive method)、減成法(subtractive method)等公知的布圖形成法，較好是加成法，在基底絕緣層3及金屬支承基板2(包括從基底絕緣層3的基底開口部11露出的部分)的上表面以上述布圖形成導(dǎo)體布圖4和接地連接部7。
加成法中，首先在基底絕緣層3和金屬支承基板2的表面形成導(dǎo)體薄膜(種膜)。導(dǎo)體薄膜采用濺射，較好是通過濺射鉻和濺射銅依次層積鉻薄膜和銅薄膜。
接著，在該導(dǎo)體薄膜的上表面形成與導(dǎo)體布圖4及接地連接部7的布圖相反的布圖的抗蝕膜后，通過電解鍍在從抗蝕膜露出的導(dǎo)體薄膜的上表面同時(shí)形成導(dǎo)體布圖4和接地連接部7。然后將抗蝕膜和層積有該抗蝕膜的部分的導(dǎo)體薄膜除去。
以上形成的導(dǎo)體布圖4的厚度例如為3～20μm，較好是5～20μm。此外，接地連接部7的上部13的厚度例如為3～20μm，較好為5～20μm。接地連接部7的下部12的厚度與基底絕緣層3的厚度相同。
此外，雖然未圖示，該方法可根據(jù)需要在導(dǎo)體布圖4的表面和接地連接部7的表面形成金屬薄膜。
金屬薄膜例如可由鎳、金、錫、鉻、鈦、鋯或它們的合金等金屬形成，較好的是由鎳形成。
此外，金屬薄膜利用例如通過電解鍍或無電解鍍覆形成于導(dǎo)體布圖4的表面和接地連接部7的表面的方法，將上述金屬作為靶材進(jìn)行濺射的方法等形成。較好是通過無電解鍍鎳由鎳薄膜形成金屬薄膜。
無電解鍍中，例如通過在上述金屬的鍍液中浸漬圖3(c)所示的制造中途的帶電路的懸掛基板1而形成金屬薄膜。
以上根據(jù)需要而形成的金屬薄膜的厚度例如為0.01～0.5μm，較好是0.05～0.3μm。
接著，該方法如圖3(d)所示，在導(dǎo)體布圖4的表面(導(dǎo)體布圖4被金屬薄膜被覆時(shí)是指該金屬薄膜的表面)、接地連接部7的上部13的表面(接地連接部7的上部13被金屬薄膜被覆時(shí)是指該金屬薄膜的表面)、從導(dǎo)體布圖4及接地連接部7的上部13露出的基底絕緣層3的表面、從基底絕緣層3露出的金屬支承基板2的表面連續(xù)地形成半導(dǎo)電性層5。
作為形成半導(dǎo)電性層5的半導(dǎo)電性材料，可采用金屬或樹脂。
金屬例如可采用氧化金屬等，作為氧化金屬，例如可采用氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鈦、氧化鋯、氧化銦、氧化鋁、氧化鋅等金屬氧化物。較好的是使用氧化鉻。
對于由氧化金屬形成半導(dǎo)電性層5無特別限定，例如可采用將金屬作為靶材進(jìn)行濺射后根據(jù)需要通過加熱而氧化的方法；反應(yīng)性濺射的方法；將金屬氧化物作為靶材進(jìn)行濺射的方法等。
將金屬作為靶材進(jìn)行濺射后根據(jù)需要通過加熱而氧化的方法例如通過以鉻等金屬為靶材、以氬氣等惰性氣體為導(dǎo)入氣體導(dǎo)入的濺射法進(jìn)行濺射后，根據(jù)需要采用加熱爐等在大氣中于50～400℃加熱1分鐘～12小時(shí)而氧化，由氧化金屬形成半導(dǎo)電性層5。
反應(yīng)性濺射法例如通過在濺射裝置中以鉻等金屬為靶材、以含氧反應(yīng)性氣體為導(dǎo)入氣體導(dǎo)入，進(jìn)行濺射，由氧化金屬形成半導(dǎo)電性層5。
以氧化金屬為靶材進(jìn)行濺射的方法例如通過在濺射裝置中以氧化鉻等氧化金屬為靶材、以氬氣等惰性氣體為導(dǎo)入氣體導(dǎo)入，進(jìn)行濺射，由氧化金屬形成半導(dǎo)電性層5。
該半導(dǎo)電性層5例如能夠以日本專利特開2004-335700號公報(bào)記載的技術(shù)方案為基準(zhǔn)而形成。
作為樹脂，例如采用分散有導(dǎo)電性粒子的半導(dǎo)電性層樹脂組合物等。
半導(dǎo)電性樹脂組合物例如含有酰亞胺樹脂或酰亞胺樹脂前體、導(dǎo)電性粒子及溶劑。
作為酰亞胺樹脂，可采用公知的酰亞胺樹脂，例如可采用聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺等。
作為酰亞胺樹脂前體，例如可采用日本專利特開2004-35825號公報(bào)所記載的酰亞胺樹脂前體，例如可采用聚酰胺酸樹脂。
作為導(dǎo)電性粒子，例如可采用導(dǎo)電性聚合物粒子、碳粒子、金屬粒子、氧化金屬粒子等。
作為導(dǎo)電性聚合物粒子，例如可采用聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩等的粒子或它們的衍生物的粒子。較好是采用聚苯胺粒子。導(dǎo)電性聚合物粒子可通過摻雜劑的摻雜而賦予導(dǎo)電性。
作為摻雜劑，例如可采用對甲苯磺酸、月桂基苯磺酸、烷基萘磺酸、聚苯乙烯磺酸、對甲苯磺酸酚醛清漆樹脂、對苯酚磺酸酚醛清漆樹脂、β-萘磺酸甲醛縮合物等。
摻雜可以是預(yù)先在分散(溶解)導(dǎo)電性聚合物粒子的溶劑中摻入摻雜劑，也可以是在半導(dǎo)電性層5形成后，將形成有半導(dǎo)電性層5的制造中途的帶電路的懸掛基板1浸漬在摻雜劑溶液中。
作為碳粒子，例如可采用炭黑粒子、碳納纖維等。
作為金屬粒子，例如可采用鉻、鎳、銅、鈦、鋯、銦、鋁、鋅等的粒子。
作為氧化金屬粒子，例如可采用氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鈦、氧化鋯、氧化銦、氧化鋁、氧化鋅等的粒子或它們的復(fù)合氧化物粒子，具體可采用氧化銦和氧化錫的復(fù)合氧化物粒子(ITO粒子)、氧化錫和氧化磷的復(fù)合氧化物粒子(PTO粒子)等粒子。
這些導(dǎo)電性粒子可單獨(dú)使用或2種以上并用。優(yōu)選使用ITO粒子。
導(dǎo)電性粒子的平均粒徑例如為10nm～1μm，較好為10nm～400nm，更好為10nm～100nm。導(dǎo)電性粒子為碳納纖維時(shí)，其直徑例如為100～200nm，其長度例如為5～20μm。平均粒徑(直徑)如果小于上述值，則有時(shí)很難對平均粒徑(直徑)進(jìn)行調(diào)整，如果大于上述值，則有時(shí)不利于涂布。
溶劑只要能夠分散(溶解)酰亞胺樹脂或酰亞胺樹脂前體及導(dǎo)電性粒子即可，無特別限定，例如可采用N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、二甲亞砜等非質(zhì)子性極性溶劑。這些溶劑可單獨(dú)使用或2種以上并用。
通過摻合上述酰亞胺樹脂或酰亞胺樹脂前體、導(dǎo)電性粒子及溶劑可調(diào)制半導(dǎo)電性樹脂組合物。
導(dǎo)電性粒子的摻入比例相對于100重量份酰亞胺樹脂或酰亞胺樹脂前體例如為1～300重量份，優(yōu)選5～100重量份。導(dǎo)電性粒子的摻入比例如果小于上述值，則有時(shí)導(dǎo)電性不夠充分。如果大于上述值，則有時(shí)酰亞胺樹脂或酰亞胺樹脂前體的良好膜特性會受損。
溶劑按照使上述酰亞胺樹脂或酰亞胺樹脂前體及導(dǎo)電性粒子的總量相對于半導(dǎo)電性樹脂組合物達(dá)到1～40重量％(固體成分濃度)、優(yōu)選5～30重量％(固體成分濃度)而摻入。固體成分濃度如果小于上述值，則有時(shí)很難控制目的膜厚。
例如可通過輥涂法、凹版涂布法、旋涂法、棒涂法等公知的涂布方法，將以上調(diào)制的半導(dǎo)電性樹脂組合物均一地涂布于導(dǎo)體布圖4的表面、接地連接部7的上部13的表面、從導(dǎo)體布圖4及接地連接部7的上部13露出的基底絕緣層3的表面和從基底絕緣層3露出的金屬支承基板2的表面。然后，例如于60～250℃，較好是80～200℃，例如用1～30分鐘，較好是用3～15分鐘加熱干燥。
半導(dǎo)電性樹脂組合物含有酰亞胺樹脂前體時(shí)，干燥后例如在減壓下于250℃以上對該酰亞胺樹脂前體進(jìn)行加熱，藉此使其固化(酰亞胺化)。
這樣，可在導(dǎo)體布圖4的表面、接地連接部7的上部13的表面、從導(dǎo)體布圖4及接地連接部7的上部13露出的基底絕緣層3的表面和從基底絕緣層3露出的金屬支承基板2的表面連續(xù)地形成半導(dǎo)電性層5。
以上形成的半導(dǎo)電性層5的厚度例如在40μm以下，較好為3～20nm。
該半導(dǎo)電性層5的表面電阻值例如設(shè)定為105～1013Ω/□，較好設(shè)定為105～1011Ω/□，更好設(shè)定為106～109Ω/□。半導(dǎo)電性層5的表面電阻值如果小于上述值，則有時(shí)出現(xiàn)所安裝的磁頭的誤操作。半導(dǎo)電性層5的表面電阻值如果大于上述值，則有時(shí)無法防止靜電破壞。
接著，該方法如圖4(e)所示，在后端區(qū)域15B中，在俯視下與上述半導(dǎo)電性層5相同的位置以布圖形成第1被覆絕緣層6A。
第1被覆絕緣層6A由與基底絕緣層3同樣的樹脂形成，較好是由感光性合成樹脂形成，更好是由感光性聚酰亞胺形成。
對第1被覆絕緣層6A以上述布圖形成的方法無特別限定，可采用公知的方法。例如將感光性樹脂(感光性聚酰胺酸樹脂)的清漆涂布在半導(dǎo)電性層5的表面，干燥涂布的清漆，形成第1被覆皮膜。接著，將第1被覆皮膜隔著光掩模曝光后，根據(jù)需要進(jìn)行加熱，再通過顯影形成上述布圖。然后，例如通過在減壓下于250℃以上加熱，使其固化(酰亞胺化)。
以上形成的第1被覆絕緣層6A的厚度例如為2～10μm，較好為3～5μm。
接著，該方法如圖4(f)所示，通過蝕刻除去從第1被覆絕緣層6A露出的半導(dǎo)電性層5。
蝕刻例如采用氫氧化鉀水溶液等堿水溶液，通過浸漬法或噴霧法，以第1被覆絕緣層6A為蝕刻保護(hù)膜進(jìn)行濕式蝕刻。
藉此，能夠在俯視下與第1被覆絕緣層6A相同的位置以布圖形成半導(dǎo)電性層5。
1對配線9介以該半導(dǎo)電性層5和上述接地連接部7與金屬支承基板2電連接，1對配線9和金屬支承基板2間的電阻值由上述半導(dǎo)電性層5的表面電阻值和1對配線9的間隔D2決定，例如為1×104Ω～1×1012Ω，較好為1×105Ω～1×1010Ω。
接著，該方法如圖4(g)所示，在后端區(qū)域15B中，于基底絕緣層3上形成第2被覆絕緣層6B以覆蓋第1被覆絕緣層6A，在前端區(qū)域15A及中間區(qū)域14中，于基底絕緣層3上形成第2被覆絕緣層6B以覆蓋導(dǎo)體布圖4，藉此以上述布圖形成被覆絕緣層6。
第2被覆絕緣層6B由與第1被覆絕緣層6A同樣的樹脂形成，較好的是由感光性合成樹脂形成，更好的是由感光性聚酰亞胺形成。
對第2被覆絕緣層6B以上述布圖形成的方法無特別限定，可采用公知的方法。例如將感光性樹脂(感光性聚酰胺酸樹脂)的清漆涂布在第1被覆絕緣層6A、基底絕緣層3及金屬支承基板2的表面，干燥涂布的清漆，形成第2被覆皮膜。接著，將第2被覆皮膜隔著光掩模曝光后，根據(jù)需要進(jìn)行加熱，再通過顯影形成上述布圖(磁頭側(cè)連接端子部8A及外部側(cè)連接端子部8B開口的布圖)。然后，例如通過在減壓下于250℃以上加熱，使其固化(酰亞胺化)。
以上形成的第2被覆絕緣層6B的厚度例如為1～40μm，較好為1～7μm。
此外，后端區(qū)域15B中，第1被覆絕緣層6A及第2被覆絕緣層6B層積的部分中它們的合計(jì)厚度例如為3～20μm，優(yōu)選5～15μm。
通過在基底絕緣層上以上述布圖形成上述第2被覆絕緣層6B，由第1被覆絕緣層6A和第2被覆絕緣層6B形成被覆絕緣層6。
然后，如圖1所示，在通過化學(xué)蝕刻切削金屬支承基板2，形成萬向接頭10的同時(shí)，通過外形加工獲得帶電路的懸掛基板1。
該帶電路的懸掛基板1具備與金屬支承基板2和導(dǎo)體布圖4電連接的半導(dǎo)電性層5。因此，導(dǎo)體布圖4介以半導(dǎo)電性層5與金屬支承基板2電連接，所以能夠有效地除去導(dǎo)體布圖4所帶靜電。
而且，半導(dǎo)電性層5僅設(shè)置于后端區(qū)域15B，導(dǎo)體布圖4中，在該后端區(qū)域15B，一方的1對配線9a及9b間的間隔D2a和另一方的1對配線9c及9d間的間隔D2b都較寬。因此，一方的1對配線9a及9b間和另一方的1對配線9c及9d間，形成導(dǎo)體布圖4的導(dǎo)體材料即使沿著半導(dǎo)電性層5遷移，但由于這些間隔D2比中間區(qū)域14的間隔D1寬，所以導(dǎo)體布圖4的短路被延遲，可防止導(dǎo)體布圖4的早期短路。
尤其是后端區(qū)域15B中，導(dǎo)體布圖4的各配線9間的間隔D2(一方的1對配線9a及9b間的間隔D2a和另一方的1對配線9c及9d間的間隔D2b)在20μm以上。因此，形成導(dǎo)體布圖4的導(dǎo)體材料即使沿著各半導(dǎo)電性層5(一側(cè)半導(dǎo)電性層5A及另一側(cè)半導(dǎo)電性層5B)遷移，也能夠使導(dǎo)體布圖4的短路進(jìn)一步地延遲，從而更有效地防止導(dǎo)體布圖4的早期短路。
即，帶電路的懸掛基板1通常具有安裝磁頭后進(jìn)行使用的產(chǎn)品壽命，但圖12及圖13所示的帶電路的懸掛基板31在到達(dá)該產(chǎn)品壽命前，因?yàn)閷?dǎo)體布圖34的導(dǎo)體材料在1對配線37間沿著半導(dǎo)電性層35遷移，有時(shí)會出現(xiàn)導(dǎo)體布圖4的短路。但是，帶電路的懸掛基板1中，在中間區(qū)域14未形成半導(dǎo)電性層5，僅在后端區(qū)域15B形成半導(dǎo)電性層5，如上所述，導(dǎo)體布圖4的短路被延遲，這樣只要在上述產(chǎn)品壽命范圍內(nèi)，就可有效防止導(dǎo)體布圖4的短路。
其結(jié)果是，可切實(shí)地防止所安裝的磁頭的靜電破壞，而且，可長期實(shí)現(xiàn)帶電路的懸掛基板1的連接可靠性的提高。
上述說明中，在后端區(qū)域15B形成了半導(dǎo)電性層5，也可在前端區(qū)域15A形成半導(dǎo)電性層5。
此外，上述說明中各半導(dǎo)電性層5(一側(cè)半導(dǎo)電性層5A及另一側(cè)半導(dǎo)電性層5B)是獨(dú)立形成的，也可以如圖11所示，與4條配線9a、9b、9c、9d及2個(gè)接地連接部7A、7B連續(xù)而形成1個(gè)半導(dǎo)電性層5以被覆它們。
可是，如圖11所示，如果與4條配線9a、9b、9c、9d及2個(gè)接地連接部7A、7B連續(xù)而形成1個(gè)半導(dǎo)電性層5以被覆它們，則因?yàn)橐环降?對配線9a及9b間產(chǎn)出的電位差，在1對配線9a及9b的周圍會產(chǎn)生沿寬度方向的以虛線表示的環(huán)狀電場E。如果產(chǎn)生該環(huán)狀的電場E，則金屬支承基板2的金屬有時(shí)會從接地連接部7向被覆絕緣層6遷移(離子遷移)。此外，與上述同樣，因?yàn)榱硪环降?對配線9c及9d間產(chǎn)出的電位差有時(shí)也會導(dǎo)致金屬支承基板2的金屬從接地連接部7向被覆絕緣層6遷移(離子遷移)。
但是，如圖2所示，如果各半導(dǎo)電性層5如上所述分別獨(dú)立地形成為一側(cè)半導(dǎo)電性層5A和另一側(cè)半導(dǎo)電性層5B，則一側(cè)半導(dǎo)電性層5A在相對于一方的1對配線9a及9b的對向區(qū)域SA的寬度方向外側(cè)一方(左側(cè))，介以一側(cè)接地連接部7A與金屬支承基板2電連接，且在相對于一方的1對配線9a及9b的對向區(qū)域SA的寬度方向外側(cè)另一方(右側(cè))與金屬支承基板2電阻斷。此外，另一側(cè)半導(dǎo)電性層5B在相對于另一方的1對配線9c及9d的對向區(qū)域SB的寬度方向外側(cè)另一方(右側(cè))，介以另一側(cè)接地連接部7B與金屬支承基板2電連接，且在相對于另一方的1對配線9c及9d的對向區(qū)域SB的寬度方向外側(cè)一方(左側(cè))與金屬支承基板2電阻斷。因此，即使產(chǎn)生一方的1對配線9a及9b間的電位差及另一方的1對配線9c及9d間的電位差，也能夠切實(shí)地防止在一方的1對配線9a及9b的周圍及另一方的1對配線9c及9d的周圍產(chǎn)生電場，即切實(shí)地防止圖11的虛線表示的環(huán)狀電場E的產(chǎn)生。
所以，能夠切實(shí)地防止由金屬支承基板2向被覆絕緣層6的離子遷移。
上述說明中，僅在相對于一方的1對配線9a及9b的對向區(qū)域SA的寬度方向外側(cè)一方(圖2中的左側(cè))形成一側(cè)接地連接部7A，但如圖2的虛線所示，也可僅在相對于一方的1對配線9a及9b的對向區(qū)域SA的寬度方向外側(cè)另一方(右側(cè))形成一側(cè)接地連接部7A，在其表面形成一側(cè)半導(dǎo)電性層5A。
此外，另一側(cè)接地連接部7B也同樣如此，如圖2的虛線所示，僅在相對于另一方的1對配線9c及9d的對向區(qū)域SB的寬度方向外側(cè)一方(左側(cè))形成另一側(cè)接地連接部7B，在其表面形成另一側(cè)半導(dǎo)電性層5B。
上述帶電路的懸掛基板1的制造方法中，形成第1被覆絕緣層6A，以其為蝕刻保護(hù)膜形成半導(dǎo)電性層5，也可以不形成第1被覆絕緣層6A，以公知的蝕刻保護(hù)膜17為抗蝕膜來形成半導(dǎo)電性層5。
圖5為表示作為圖3及圖4所示的帶電路的懸掛基板的制造工序的一部分的其它制造工序的截面圖。
該方法如圖3(d)所示，連續(xù)地在導(dǎo)體布圖4、接地連接部7、基底絕緣層3及金屬支承基板2的各表面形成半導(dǎo)電性層5后，如圖5(a)所示，在后端區(qū)域15B中，在俯視下與上述半導(dǎo)電性層5相同的位置以上述布圖形成蝕刻保護(hù)膜17。
蝕刻保護(hù)膜17例如通過采用干膜抗蝕劑等的公知方法以上述布圖形成。
接著，該方法如圖5(b)所示，通過蝕刻(濕式蝕刻)除去從蝕刻保護(hù)膜17露出的半導(dǎo)電性層5。
接著，該方法如圖5(c)所示，例如通過濕式蝕刻等公知的蝕刻法或剝離除去蝕刻保護(hù)膜17。
接著，該方法如圖5(d)所示，與上述同樣地以上述布圖形成被覆絕緣層6。
例如，將感光性樹脂(感光性聚酰胺酸樹脂)的清漆涂布在半導(dǎo)電性層5、基底絕緣層3及金屬支承基板2的表面，干燥涂布的清漆，形成被覆皮膜。接著，將被覆皮膜隔著光掩模曝光后，根據(jù)需要進(jìn)行加熱，再通過顯影形成上述布圖。然后，例如通過在減壓下于250℃以上加熱，使其固化(酰亞胺化)。
以上形成的被覆絕緣層6的厚度例如為1～40μm，較好為1～7μm。
如上所述，不形成第1被覆絕緣層6A，以公知的蝕刻保護(hù)膜17為蝕刻保護(hù)膜形成半導(dǎo)電性層5，也能夠獲得帶電路的懸掛基板1。
利用該方法，在后端區(qū)域15B中，上述第1被覆絕緣層6A及第2被覆絕緣層6B的層積部分中兩者的厚度和第2被覆絕緣層6B的厚度不會產(chǎn)生差異，能夠形成厚度均一的被覆絕緣層6。因此，能夠獲得實(shí)現(xiàn)了更薄型化的帶電路的懸掛基板1。
此外，上述說明中，帶電路的懸掛基板1的半導(dǎo)電性層5未與金屬支承基板2直接接觸，而是在基底絕緣層3形成貫通厚度方向的基底開口部11，在從該基底開口部11露出的金屬支承基板2上形成接地連接部7，藉此，介以接地連接部7使半導(dǎo)電性層5與金屬支承基板2電連接，但是也可以如圖6所示，使帶電路的懸掛基板1的半導(dǎo)電性層5與金屬支承基板2直接接觸。
圖6中，半導(dǎo)電性層5以被覆導(dǎo)體布圖4的形態(tài)形成于被被覆絕緣層6(第1被覆絕緣層6A)覆蓋的基底絕緣層3及金屬支承基板2上。即，半導(dǎo)電性層5介于金屬支承基板2、基底絕緣層3及導(dǎo)體布圖4與被覆絕緣層6(第1被覆絕緣層6A)之間形成。
藉此，半導(dǎo)電性層5在其厚度方向下側(cè)與金屬支承基板2、基底絕緣層3及導(dǎo)體布圖4接觸，在其厚度方向上側(cè)與被覆絕緣層6(第1被覆絕緣層6A)接觸。
半導(dǎo)電性層5與金屬支承基板2的上表面的接觸部分的長度(長邊方向長度)可根據(jù)目的和用途適當(dāng)選擇，其寬度(寬度方向長度)例如為50～50000μm，較好為100～20000μm。
為了獲得該帶電路的懸掛基板1，雖然未圖示，例如首先準(zhǔn)備金屬支承基板2，然后在金屬支承基板2上以與形成導(dǎo)體布圖4的部分對應(yīng)的形態(tài)以布圖形成基底絕緣層3，接著，在基底絕緣層3上以上述布線電路圖形成導(dǎo)體布圖4，再于導(dǎo)體布圖4、基底絕緣層3和金屬支承基板2的各表面連續(xù)形成半導(dǎo)電性層5，然后，在后端區(qū)域15B中，在俯視下與上述半導(dǎo)電性層5相同的位置以布圖形成第1被覆絕緣層6A，再通過蝕刻除去從第1被覆絕緣層6A露出的半導(dǎo)電性層5，然后，在后端區(qū)域15B中，在基底絕緣層3上以覆蓋第1被覆絕緣層6A的形態(tài)形成第2被覆絕緣層6B，在前端區(qū)域15A及中間區(qū)域14中，在基底絕緣層3上以覆蓋導(dǎo)體布圖4的形態(tài)形成第2被覆絕緣層6B，藉此，以上述布圖形成被覆絕緣層6。
利用該方法，在基底絕緣層3的形成中，無需設(shè)置基底開口部11，在導(dǎo)體布圖4的形成中，無需同時(shí)設(shè)置接地連接部7，因此可以比較簡單地制造帶電路的懸掛基板1。
圖2所示的帶電路的懸掛基板1中形成有各接地連接部7(一側(cè)接地連接部7A及另一側(cè)接地連接部7B)，藉此，一方的1對配線9a及9b介以一側(cè)接地連接部7A與金屬支承基板電連接，另一方的1對配線9c及9d介以另一側(cè)接地連接部7B與金屬支承基板2電連接。
即，圖2所示的帶電路的懸掛基板1中，各半導(dǎo)電性層5(一側(cè)半導(dǎo)電性層5A及另一側(cè)半導(dǎo)電性層5B)未與金屬支承基板2直接接觸，所以能夠更切實(shí)地防止由金屬支承基板2向被覆絕緣層6的離子遷移。
此外，上述說明中，圖6中，半導(dǎo)電性層5介于導(dǎo)體布圖4和被覆絕緣層6之間，如圖7所示，也可以介于導(dǎo)體布圖4和基底絕緣層3之間。
圖7中，半導(dǎo)電性層5介于金屬支承基板2及基底絕緣層3和導(dǎo)體布圖4及被覆絕緣層6之間形成。
藉此，半導(dǎo)電性層5在其厚度方向下側(cè)與金屬支承基板2和基底絕緣層3接觸，在其厚度方向上側(cè)與導(dǎo)體布圖4及被覆絕緣層6(第1被覆絕緣層6A)接觸。
為了獲得該帶電路的懸掛基板1，雖然未圖示，例如首先準(zhǔn)備金屬支承基板2，然后在金屬支承基板2上以與形成導(dǎo)體布圖4的部分對應(yīng)的形態(tài)以布圖形成基底絕緣層3，接著，在基底絕緣層3和金屬支承基板2的各表面連續(xù)形成半導(dǎo)電性層5，然后，在半導(dǎo)電性層5上以上述布線電路圖形成導(dǎo)體布圖4，再于后端區(qū)域15B中，在俯視下與上述半導(dǎo)電性層5相同的位置以布圖形成第1被覆絕緣層6A，接著通過蝕刻除去從第1被覆絕緣層6A露出的半導(dǎo)電性層5，然后，在后端區(qū)域15B中，在基底絕緣層3上以覆蓋第1被覆絕緣層6A的形態(tài)形成第2被覆絕緣層6B，在前端區(qū)域15A及中間區(qū)域14中，在基底絕緣層3上以覆蓋導(dǎo)體布圖4的形態(tài)形成第2被覆絕緣層6B，藉此，以上述布圖形成被覆絕緣層6。
除了上述方法以外，為了獲得該帶電路的懸掛基板1，雖然未圖示，例如首先準(zhǔn)備金屬支承基板2，然后在金屬支承基板2上以與形成導(dǎo)體布圖4的部分對應(yīng)的形態(tài)以布圖形成基底絕緣層3，接著，通過濺射鉻及濺射銅在基底絕緣層3和金屬支承基板2的各表面依次層積鉻薄膜和銅薄膜而形成導(dǎo)體薄膜(種膜)，然后，通過加成法在導(dǎo)體薄膜上以上述布線電路圖形成導(dǎo)體布圖4，再通過蝕刻除去從導(dǎo)體布圖4露出的銅薄膜使鉻薄膜殘存，接著，通過加熱氧化對因?yàn)槌ャ~薄膜而露出的鉻薄膜進(jìn)行半導(dǎo)電性化處理，由氧化鉻層形成半導(dǎo)電性層5，然后，在后端區(qū)域15B中，在俯視下與上述半導(dǎo)電性層5相同的位置以布圖形成第1被覆絕緣層6A，接著通過蝕刻除去從第1被覆絕緣層6A露出的半導(dǎo)電性層5，然后，在后端區(qū)域15B中，在基底絕緣層3上以覆蓋第1被覆絕緣層6A的形態(tài)形成第2被覆絕緣層6B，在前端區(qū)域15A及中間區(qū)域14中，在基底絕緣層3上以覆蓋導(dǎo)體布圖4的形態(tài)形成第2被覆絕緣層6B，藉此，以上述布圖形成被覆絕緣層6。
如果采用上述通過半導(dǎo)電性化處理形成半導(dǎo)電性層5的帶電路的懸掛基板1的制造方法，則能夠簡便且有效地制造上述圖7所示的帶電路的懸掛基板1。
此外，上述說明中，圖1中，半導(dǎo)電性層5在兩端區(qū)域15的后端區(qū)域15B中沿寬度方向形成，但只要半導(dǎo)電性層5能夠在1對配線9間確保20μm以上的長度D3，則該半導(dǎo)電性層5也可以形成于導(dǎo)體布圖4的兩端區(qū)域15或中間區(qū)域14的任一區(qū)域。
圖8～圖10為表示作為本發(fā)明的布線電路基板的另一實(shí)施方式的帶電路的懸掛基板的1對配線間的半導(dǎo)電性層的放大平面圖，圖8表示半導(dǎo)電性層被配置為近似V字狀的形態(tài)，圖9表示半導(dǎo)電性層5被配置為近似曲折狀的形態(tài)，圖10表示半導(dǎo)電性層被配置為沿長邊方向直線狀的形態(tài)。圖8～圖10中，與上述同樣的部件被賦予相同的符號，省略其說明。
即，圖8中，例如半導(dǎo)電性層5在中間區(qū)域14的各配線9間以寬度方向中的頂部5c向長邊方向一側(cè)突出的近似V字型的形態(tài)形成。此外，半導(dǎo)電性層5向1對配線9的對向區(qū)域的外側(cè)一方突出，在其突出部分5d形成上述接地連接部7，與上述同樣，在該突出部分5d中半導(dǎo)電性層5與接地連接部7接觸。
此外，圖9中，例如半導(dǎo)電性層5在中間區(qū)域14的各配線9間以直線部5e及折返部5f交替連續(xù)的曲折狀的形態(tài)形成。此外，與上述同樣，在半導(dǎo)電性層5的突出部分5d形成有接地連接部7。
圖10中，例如半導(dǎo)電性層5在中間區(qū)域14的各配線9間以寬度方向中的直線部5e沿各配線9延長，直線部5e的兩端部向?qū)挾确较虻膬蓚€(gè)外側(cè)彎曲分別與1對配線9連接的形態(tài)連續(xù)形成。此外，與上述同樣，在半導(dǎo)電性層5的突出部分5d形成有接地連接部7。
上述圖8～圖10所示的帶電路的懸掛基板1中，半導(dǎo)電性層5在1對配線9間以確保20μm以上的長度D3而形成為上述各圖(圖8～圖10)所示的形狀，該D3優(yōu)選40μm以上，更好為50μm以上，通常在500μm以下。
這樣，由于所形成的半導(dǎo)電性層5在1對配線9間確保20μm以上的長度D3，所以形成導(dǎo)體布圖4的導(dǎo)體材料即使沿著半導(dǎo)電性層5遷移也可延遲導(dǎo)體布圖4的短路，可有效防止導(dǎo)體布圖4的早期短路。
其結(jié)果是，可切實(shí)地防止所安裝的磁頭的靜電破壞，而且，能夠長期有效地實(shí)現(xiàn)帶電路的懸掛基板1的連接可靠性的提高。
上述說明中，在各1對配線9的寬度方向一側(cè)分別設(shè)置1個(gè)接地連接部7，其實(shí)對其數(shù)目無特別限定，可根據(jù)目的及用途適當(dāng)選擇。
上述說明中，接地連接部7形成為俯視近似矩形的形狀，其實(shí)并不限定于該形狀，例如也可形成為俯視近似圓形的形狀等合適的形狀。
上述說明中，導(dǎo)體布圖4由4根配線9形成，但并不僅限于該數(shù)目，例如也可由6根配線9形成。6根配線例如包括上述4根配線9，以及被輸入用于控制磁頭和磁盤間的微小間隔的信號的TFC(熱懸浮高度控制)配線及用于TFC配線的接地配線構(gòu)成的2根配線(1對配線)。
此外，上述說明中，本發(fā)明的布線電路基板例示帶電路的懸掛基板進(jìn)行說明，但本發(fā)明的布線電路基板并不僅限于此，還可廣泛應(yīng)用于金屬支承基板2作為補(bǔ)強(qiáng)層設(shè)置的各種柔性布線電路基板等其它布線電路基板。
以下例示實(shí)施例及比較例對本發(fā)明進(jìn)行更具體地說明，但本發(fā)明并不僅限于這些實(shí)施例及比較例。
實(shí)施例1準(zhǔn)備由厚20μm的不銹鋼箔形成的金屬支承基板(參照圖3(a))。
然后，采用旋涂器在該金屬支承基板的表面均一涂布感光性聚酰胺酸樹脂的清漆，于90℃對該涂布的清漆加熱15分鐘，形成基底皮膜。接著，隔著光掩模以700mJ/cm2使該基底皮膜曝光，于190℃加熱10分鐘后采用堿性顯影液顯影。然后，以減壓至1.33Pa的狀態(tài)于385℃使其固化，在金屬支承基板上由感光性聚酰亞胺形成基底絕緣層，使所形成的基底開口部與形成導(dǎo)體布圖的部分對應(yīng)，且與其后形成的導(dǎo)體布圖的后端區(qū)域?qū)?yīng)(參照圖3(b))。該基底絕緣層的厚度為10μm。各基底開口部俯視下呈矩形，寬度為80μm，長度為300μm。
接著，在基底絕緣層的上表面，通過加成法以具有前端區(qū)域及后端區(qū)域和中間區(qū)域的布線電路圖，由銅箔形成厚10μm的導(dǎo)體布圖，同時(shí)在從基底開口部露出的金屬支承基板上由銅形成接地連接部，使該接地連接部的下部被填入基底絕緣層的基底開口部內(nèi)，且使其上部覆蓋基底絕緣層中的基底開口部的周圍(參照圖3(c))。
兩端區(qū)域(前端區(qū)域及后端區(qū)域)中的1對配線間的間隔(形成半導(dǎo)電性層的部分的間隔)為100μm，中間區(qū)域的1對配線間的間隔為20μm。此外，各接地連接部的上部及下部俯視呈矩形，下部的寬度為80μm，長度為300μm，上部的寬度為140μm，長度為360μm，厚度為10μm。
然后，在導(dǎo)體布圖的表面及接地連接部的表面通過無電解鍍鎳由鎳薄膜形成厚0.15μm的金屬薄膜。
接著，在形成于導(dǎo)體布圖的表面及接地連接部的表面的金屬薄膜、基底絕緣層和金屬支承基板的各表面，以鉻為靶材進(jìn)行濺射，由鉻薄膜形成濺射皮膜。
濺射按照以日本專利特開2004-335700號公報(bào)的記載為基準(zhǔn)的方法，在下述條件下實(shí)施。
靶材Cr極限真空度1.33×10-3Pa導(dǎo)入氣體流量(氬氣)2.0×10-3m3/h工作壓力0.16Pa接地電極溫度20℃電力DC500W濺射時(shí)間3秒濺射皮膜的厚度100nm然后，通過在125℃于大氣中加熱12小時(shí)，氧化由鉻薄膜形成的濺射皮膜的表面，形成由氧化鉻層構(gòu)成的半導(dǎo)電性層(參照圖3(d))。氧化鉻層的厚度為100nm。
另外，通過ESCA確認(rèn)由氧化鉻層形成了半導(dǎo)電性層。此外，使用表面電阻測定裝置(三菱化學(xué)株式會社制，Hiresta-up MCP-HT450)對該半導(dǎo)電性層的表面電阻值以溫度25℃、濕度15％的條件進(jìn)行了測定，結(jié)果為1×107Ω/□。
接著，采用旋涂器將上述感光性聚酰胺酸樹脂的清漆均一地涂布于半導(dǎo)電性層的表面，于90℃加熱10分鐘，形成厚4μm的第1被覆皮膜。然后，隔著光掩模使該第1被覆皮膜以700mJ/cm2曝光，于180℃加熱10分鐘，再用顯影液顯影，將第1被覆皮膜圖案化。接著，以減壓至1.33Pa的狀態(tài)于385℃使其固化，在后端區(qū)域的半導(dǎo)電性層上以上述布圖由感光性聚酰亞胺形成第1被覆絕緣層(參照圖4(e))。
然后，以第1被覆絕緣層為蝕刻保護(hù)膜，通過使用了氫氧化鉀水溶液的濕式蝕刻除去從第1被覆絕緣層露出的半導(dǎo)電性層(參照圖4(f))。藉此，形成俯視下與各第1被覆絕緣層相同形狀(矩形)的各半導(dǎo)電性層。
接著，在后端區(qū)域中，在基底絕緣層上以覆蓋第1被覆絕緣層的形態(tài)形成第2被覆絕緣層，在前端區(qū)域及中間區(qū)域中，在基底絕緣層上以覆蓋導(dǎo)體布圖的形態(tài)形成第2被覆絕緣層，藉此以上述布圖形成由第1被覆絕緣層和第2被覆絕緣層構(gòu)成的被覆絕緣層(參照圖4(g))。第2被覆絕緣層的厚度為5μm。
然后，在通過化學(xué)蝕刻切削金屬支承基板，形成萬向接頭的同時(shí)，通過外形加工獲得帶電路的懸掛基板(參照圖1)。該帶電路的懸掛基板中的1對配線和金屬支承基板間的電阻值為1×108Ω。
比較例1除了實(shí)施例1的帶電路的懸掛基板的制造中在前端區(qū)域及后端區(qū)域和中間區(qū)域連續(xù)設(shè)置第1被覆絕緣層以外，其它工序與實(shí)施例1同樣，制造帶電路的懸掛基板(參照圖12及圖13)。
即，兩端區(qū)域及中間區(qū)域中，在被覆絕緣層(第1被覆絕緣層(圖2的虛線))和導(dǎo)體布圖、基底絕緣層及金屬支承基板之間連續(xù)地形成半導(dǎo)電性層。
(評價(jià))耐久試驗(yàn)(導(dǎo)體布圖的短路及金屬支承基板的不銹鋼的離子遷移)在溫度85℃、濕度85％RH的氛圍氣中，分別對實(shí)施例1和比較例1獲得的帶電路的懸掛基板的導(dǎo)體布圖施以6V的電壓，歷時(shí)1000小時(shí)。
其結(jié)果是，實(shí)施例1的帶電路的懸掛基板即使經(jīng)過1000小時(shí)以上，也未觀測到導(dǎo)體布圖的短路。另一方面，比較例1的帶電路的懸掛基板在經(jīng)過320小時(shí)的時(shí)候，被觀測到導(dǎo)體布圖的短路。
此外，對于上述條件下的耐久試驗(yàn)中的1000小時(shí)后的實(shí)施例1及比較例1的帶電路的懸掛基板，進(jìn)行截面SEM觀察及元素分析，結(jié)果確認(rèn)實(shí)施例1未出現(xiàn)金屬支承基板的不銹鋼向被覆絕緣層的離子遷移。另一方面，確認(rèn)比較例1的帶電路懸掛基板出現(xiàn)了金屬支承基板的不銹鋼向被覆絕緣層的離子遷移。
上述說明作為本發(fā)明例示的實(shí)施方式提供，它們只是單純的示例，并不是限定性的解釋。對于本技術(shù)領(lǐng)域的從業(yè)人員顯而易見的本發(fā)明的變形例也包括在后述的權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.布線電路基板，其特征在于，具備金屬支承基板，形成于前述金屬支承基板上的絕緣層，形成于前述絕緣層上的、具有隔著間隔配置的1對配線的導(dǎo)體布圖，以及形成于前述絕緣層上的、與前述金屬支承基板及前述導(dǎo)體布圖電連接的半導(dǎo)電性層；前述導(dǎo)體布圖具有1對前述配線間的間隔狹小的第1區(qū)域和1對前述配線間的間隔比前述第1區(qū)域?qū)挼牡?區(qū)域；前述半導(dǎo)電性層被設(shè)置于前述第2區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，前述第2區(qū)域中的1對前述配線間的間隔在20μm以上。
3.如權(quán)利要求1所述的布線電路基板，其特征在于，至少1對前述配線被相對配置，且電位各異，在1對前述配線的對向區(qū)域的外側(cè)一方，前述半導(dǎo)電性層與前述金屬支承基板電連接，被覆絕緣層被形成于前述半導(dǎo)電性層上。
4.如權(quán)利要求3所述的布線電路基板，其特征在于，在1對前述配線的對向區(qū)域的外側(cè)一方，前述半導(dǎo)電性層與前述金屬支承基板接觸。
5.如權(quán)利要求3所述的布線電路基板，其特征在于，在1對前述配線的對向區(qū)域的外側(cè)一方，貫通厚度方向的開口部形成于前述絕緣層，在從前述開口部露出的前述金屬支承基板上設(shè)置有與前述金屬支承基板和前述半導(dǎo)電性層接觸的接地連接部。
6.布線電路基板，其特征在于，具備金屬支承基板，形成于前述金屬支承基板上的絕緣層，形成于前述絕緣層上的、具有隔著間隔配置的1對配線的導(dǎo)體布圖，以及形成于前述絕緣層上的、與前述金屬支承基板及前述導(dǎo)體布圖電連接的半導(dǎo)電性層；前述半導(dǎo)電性層在1對前述配線間確保20μm以上的長度而形成。
全文摘要
布線電路基板具備金屬支承基板，形成于金屬支承基板上的絕緣層，形成于絕緣層上的、具有隔著間隔配置的1對配線的導(dǎo)體布圖，以及形成于絕緣層上的、與金屬支承基板及導(dǎo)體布圖電連接的半導(dǎo)電性層；導(dǎo)體布圖具有1對配線間的間隔狹小的第1區(qū)域和1對配線間的間隔比第1區(qū)域?qū)挼牡?區(qū)域；半導(dǎo)電性層被設(shè)置于第2區(qū)域。
文檔編號H05K1/11GK101094561SQ200710128020
公開日2007年12月26日 申請日期2007年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月22日
發(fā)明者石井淳, 大藪恭也, V·塔維普斯皮波恩 申請人:日東電工株式會社