專利名稱：處理系統(tǒng)及其等離子體產(chǎn)生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體產(chǎn)生裝置，特別涉及一種無電極損耗的處理系 統(tǒng)及其等離子體產(chǎn)生裝置。
背景技術(shù)：
等離子體技術(shù)已發(fā)展多年，利用等離子體內(nèi)的高能粒子(電子及離子)與 活性物種對欲處理工件產(chǎn)生鍍膜、蝕刻與表面 文質(zhì)等效應(yīng)，其特性可應(yīng)用于光電及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、3C產(chǎn)品、汽車產(chǎn)業(yè)、民生材料業(yè)及生物醫(yī)學(xué)材料表面 處理等，因其技術(shù)應(yīng)用廣泛，各國乃投入相當(dāng)多的研發(fā)能量進(jìn)行等離子體基 礎(chǔ)研究與其應(yīng)用領(lǐng)域。然而，由于光電及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)工藝品質(zhì)的需求，等離子體技術(shù)的應(yīng)用皆 處于真空環(huán)境之下，龐大的真空設(shè)備成本限制了其技術(shù)于傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用，故諸多研究者嘗試在大氣下激發(fā)等離子體。大氣等離子體(或稱常壓等離子 體)乃指于一大氣壓或接近一大氣壓的狀態(tài)下所產(chǎn)生等離子體，相較于目前 發(fā)展已具完備的真空等離子體技術(shù)，常壓等離子體系統(tǒng)比低壓等離子體系統(tǒng) 在成本上有絕對優(yōu)勢。就設(shè)備成本，它不需使用昂貴的真空設(shè)備，若能建構(gòu) 線狀的常壓等離子體系統(tǒng)，更可提高等離子體區(qū)域而增加處理面積；而就工 藝方面，欲處理物可不受真空腔體限制并可進(jìn)行R2R(Roll-to-Roll)連續(xù)式程 序，這些技術(shù)特色皆可有效地降低產(chǎn)品的制造成本(RunningCost)。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明提供一種無電極損耗的處理系統(tǒng)及其等離子體產(chǎn)生裝 置，如此以避免電極損耗問題(亦即，等離子體不與電極接觸)，并且模塊化 的處理系統(tǒng)可提供線狀大氣等離子體處理裝置，有效的降低設(shè)備成本并提升產(chǎn)率。本發(fā)明的等離子體產(chǎn)生裝置用以對于第 一 流體進(jìn)行離子化。等離子體產(chǎn) 生裝置包括至少一導(dǎo)引組件與至少一電極組件。導(dǎo)引組件包括一路徑，第一
流體沿著路徑依序通過第 一位置與第二位置。電極組件包括第 一 電極與第二 電極，在第一電極相對于第一位置、第二電極相對于第二位置之下，第一電極、第二電極對于第一位置與第二位置之間的第一流體進(jìn)行激能(energize) 后形成了第二流體，其中，第一流體的能量狀態(tài)不同于第二流體的能量狀態(tài)。本發(fā)明的處理系統(tǒng)包括基座與等離子體產(chǎn)生裝置?；靡猿休d物件。 等離子體產(chǎn)生裝置用以對于第一流體進(jìn)行離子化。等離子體產(chǎn)生裝置包括至少一導(dǎo)引組件與至少一 電極組件。導(dǎo)引組件包 括一路徑，第一流體沿著路徑依序通過第一位置與第二位置。電極組件包括 第一電極與第二電極，在第一電極相對于第一位置、第二電極相對于第二位 置之下，第一電極、第二電極對于第一位置與第二位置之間的第一流體進(jìn)行 激能后形成了第二流體，如此以利用第二流體對于物件進(jìn)行表面處理、活化、 清潔、光致抗蝕劑灰化或蝕刻等工藝或處理。第一電極與第二電極之間存在有電位差。導(dǎo)引組件包括一中空件，路徑 位于中空件之內(nèi)部。第一電極、第二電極可具有完全相同的尺寸。第一電極 的尺寸可大于第二電極的尺寸。第一、二電極可環(huán)繞或局部環(huán)繞于導(dǎo)引組件的外側(cè)。第一電極可包括一 似C型結(jié)構(gòu)、第二電極可包括一似C型結(jié)構(gòu)。第一電極可包括一第一槽結(jié) 構(gòu)，第二電極可包括一第二槽結(jié)構(gòu)，第一槽結(jié)構(gòu)與第二槽結(jié)構(gòu)相對于路徑而 采用交錯(cuò)方式的排列。處理系統(tǒng)還可包括供應(yīng)裝置。供應(yīng)裝置可為射頻產(chǎn)生器，第一電極接收 射頻產(chǎn)生器所產(chǎn)生的信號而對于第一流體進(jìn)行激能，并且射頻產(chǎn)生器的頻率 為13.56 MHz或13.56 MHz的整數(shù)倍數(shù)的頻率。此外，供應(yīng)裝置也可為電源 供應(yīng)器，此電源供應(yīng)器具有交流電產(chǎn)生器，其中，交流電產(chǎn)生器的頻率為 lMHz 100固z。導(dǎo)引組件還可包括第三位置，第二流體通過第三位置，并且在第三位置 的第二流體于實(shí)質(zhì)上具有均勻能量分布曲線。導(dǎo)引組件由介電材料制成。第 一電極為線圈結(jié)構(gòu)。線圈結(jié)構(gòu)設(shè)置于導(dǎo)引組件的外部。導(dǎo)引組件還可包括側(cè)壁部與埠結(jié)構(gòu)，埠結(jié)構(gòu)形成于側(cè)壁部，并且第二流 體經(jīng)由埠結(jié)構(gòu)對于物件進(jìn)行處理，其中，埠結(jié)構(gòu)可為一開孔。


圖1表示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的等離子體產(chǎn)生裝置(M1)的示意圖； 圖2表示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的等離子體產(chǎn)生裝置(M2)的示意圖； 圖3表示根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的等離子體產(chǎn)生裝置(M3)的示意圖； 圖4表示根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的等離子體產(chǎn)生裝置(M4)的示意圖； 圖5A表示本發(fā)明的第一應(yīng)用例的處理系統(tǒng)(Tla)的示意圖，其中，處理系統(tǒng)(Tla)包括單一等離子體產(chǎn)生裝置(Ml);圖5B表示圖5A的處理系統(tǒng)(Tla)的變化例(Tlb);圖6表示本發(fā)明的第二應(yīng)用例的處理系統(tǒng)(T1，)的示意圖；圖7表示本發(fā)明的第三應(yīng)用例的處理系統(tǒng)(T2)的示意圖，其中，處理系統(tǒng)(T2)包括多個(gè)導(dǎo)引組件(P1);圖8A表示根據(jù)圖7中的線段(Z1-Z1)進(jìn)行剖面的放大示意圖，其中，多個(gè)導(dǎo)引組件(P 1 )采用并聯(lián)方式的排列；圖8B表示根據(jù)圖8A的多個(gè)導(dǎo)引組件(P1)的另一排列方式(交叉排列)； 圖9A表示根據(jù)圖7中的線段(Z2-Z2)對于第一電極(l-5)進(jìn)行剖面的放大示意圖，其中，位于第一電極(1-5)中的多個(gè)導(dǎo)引組件(P1)采用并聯(lián)方式的排列；以及圖9B表示根據(jù)圖9A中的多個(gè)導(dǎo)引組件(P1)的另 一排列方式(交叉排列)。 筒單符號說明l陽l、 1-2、 1-3、 1-4、 l陽5 第一電極 2-1、 2-2、 2-3、 2-4、 2-5 第二電極 3 供應(yīng)裝置 5~頭部al-al 第一位置bl-bl 第二位置cl-cl 第三位置el、 e2、 e3、 e4、 e5 電極組件gl 路徑hl 埠結(jié)構(gòu)il 輸入端i2 輸出端Ml、 M2、 M3、 M4、 M5 等離子體產(chǎn)生裝置nl、 nl' 中空4牛
Pl、 Pl' 導(dǎo)引組件
rl 物件 sl 側(cè)壁部
t0 基座
Tla、 Tlb、 Tl，、 T2 處理系統(tǒng) wl、 w2 第一、二流體 x 能量分布曲線 Z1-Z1、 Z2-Z2 線段
具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例
如圖1所示，等離子體產(chǎn)生裝置M1用以對第一流體wl(例如空氣) 進(jìn)行離子化。等離子體產(chǎn)生裝置M1包括導(dǎo)引組件P1、電極組件el與供應(yīng) 裝置3。
導(dǎo)引組件P1包括圓柱狀中空件nl、路徑gl、第一位置al-al、第二位 置bl-bl與第三位置cl-cl。路徑gl位于中空件nl的內(nèi)部，并且第一位置 al-al、第二位置bl-bl與第三位置cl-cl分別表示相對于路徑gl的三個(gè)不同 的斷面位置。在中空件nl的兩端部分別具有輸入端il與輸出端i2，其中， 第一流體wl經(jīng)由輸入端il進(jìn)入路徑gl，并且第一流體wl沿著路徑gl依 序通過第一位置al-al與第二位置bl-bl。在本實(shí)施例中，導(dǎo)引組件P1由介 電材料(例如石英玻璃、陶瓷或具有相同性質(zhì)的其它非導(dǎo)體材料)制成。
電極組件el包括第一電極1-1與第二電極2-1。第一電極l-l、第二電 極2-l分別在相對于第一位置al-al、第二位置bl-bl之下而環(huán)繞于導(dǎo)引組件 Pl的外側(cè)，供應(yīng)裝置3提供信號或能量至第一電極1-1,第二電極2-l接地， 在第一電極1-1與第二電極2-l之間存在有電位差。
在本實(shí)施例中，第一電極1-1、第二電極2-l具有完全相同的尺寸。供 應(yīng)裝置3可為射頻產(chǎn)生器(例如頻率為13.56 MHz或13.56 MHz的整數(shù)倍 數(shù)的頻率)，其中，第一電極l-l接收來自射頻產(chǎn)生器所產(chǎn)生的信號，如此以 對第一電極1-1、第二電極2-l之間所產(chǎn)生的電場便可對于第一流體wl進(jìn)行 激能。此外，供應(yīng)裝置3亦可為一電源供應(yīng)器(例如具有頻率為
lMHz 100MHz的交流電產(chǎn)生器)，此電源供應(yīng)器電性連4妄于第一電才及1-1, 如此以對于第一電極1-1、第二電極2-l之間所產(chǎn)生的電場便可對于第一流 體wl進(jìn)行激能。
在第一電極1-1相對于第一位置al-al、第二電極2-1相對于第二位置 bl-bl之下，第一電極1-1、第二電極2-1之間所形成的電場對于第一位置 al-al與第二位置bl-bl之間的第一流體wl進(jìn)行激能后形成了第二流體 w2(等離子體)，如此使得第一流體wl的能量狀態(tài)系不同于第二流體w2的 能量狀態(tài)。
隨后，第二流體w2便通過第三位置cl-cl且經(jīng)由中空件nl的輸出端i2 進(jìn)行輸出，并且在第三位置cl-cl上的第二流體w2于實(shí)質(zhì)具有均勻能量分 布曲線(如圖1左側(cè)之能量分布曲線x所示)。
第二實(shí)施例
如圖2所示，與第一實(shí)施例中的等離子體產(chǎn)生裝置M1所不同之處在于 等離子體產(chǎn)生裝置M2的電極組件e2包括了第一電極1-2與第二電極2-2， 其中，第一電極1-2的尺寸大于第二電極2-2的尺寸。
因此，在第一電極l-2相對于第一位置al-al、第二電極2-2相對于第二 位置bl-bl之下，第一電極l-2、第二電極2-2對于第一位置al-al與第二位 置bl-bl之間的第一流體wl進(jìn)行激能后形成了第二流體w2，如此使得第一 流體wl的能量狀態(tài)不同于第二流體w2的能量狀態(tài)，并且第二流體w2通過 第三位置cl-cl且經(jīng)由中空件nl的輸出端i2進(jìn)行輸出。
第三實(shí)施例
如圖3所示，與第一實(shí)施例中的等離子體產(chǎn)生裝置M1所不同之處在于 等離子體產(chǎn)生裝置M3的電極組件e3包括了具似C型結(jié)構(gòu)的第一電極1-3 與具似C型結(jié)構(gòu)的第二電極2-3，其中，第一電極l-3、第二電極2-3分別局 部環(huán)繞于導(dǎo)引組件P1的外側(cè)，并且在第一電極l-3、第二電極2-3分別包括 第一槽結(jié)構(gòu)1031、第二槽結(jié)構(gòu)2031，第一槽結(jié)構(gòu)1031與第二槽結(jié)構(gòu)2031 相對于路徑gl而采用交錯(cuò)方式的排列。
因此，在第一電極l-3相對于第一位置al-al、第二電極2-3相對于第二 位置bl-bl之下，第一電極l-3、第二電極2-3對于第一位置al-al與第二位
置b 1 -b 1之間的第 一 流體W1進(jìn)行激能后形成了第二流體W2,如此使得第一
流體wl的能量狀態(tài)不同于第二流體w2的能量狀態(tài)，并且第二流體w2通過 第三位置cl-cl且經(jīng)由中空件nl的輸出端i2進(jìn)行輸出。
第四實(shí)施例
如圖4所示，與第二實(shí)施例中的等離子體產(chǎn)生裝置M2所不同之處在于 等離子體產(chǎn)生裝置M4的電極組件e4包括了第一電極1-4與第二電極2-4, 其中，第一電極l-4為設(shè)置于導(dǎo)引組件Pl外部的線圈結(jié)構(gòu)。
因此，在第一電極l-4相對于第一位置al-al、第二電極2-4相對于第二 位置bl-bl之下，第一電極l-4、第二電極2-4對于第一位置al-al與第二位 置bl-bl之間的第一流體wl進(jìn)行激能后形成了第二流體w2,如此使得第一 流體wl的能量狀態(tài)不同于第二流體w2的能量狀態(tài)，并且第二流體w2通過 第三位置cl-cl且經(jīng)由中空件nl的輸出端i2進(jìn)行輸出。
第一應(yīng)用例
如圖5A所示，本發(fā)明處理系統(tǒng)Tla包括了單一等離子體產(chǎn)生裝置Ml 及其電極組件el，并且等離子體產(chǎn)生裝置M1也可利用其它單一等離子體產(chǎn) 生裝置M2、 M3、 M4及其電極組件e2、 e3、 e4、 e5所取代，但為方便于說 明，本例子以等離子體產(chǎn)生裝置M1及其電極組件el進(jìn)行說明。
處理系統(tǒng)Tla包括基座tO與等離子體產(chǎn)生裝置Ml,其中，基座t0用以 承載物件rl,經(jīng)由等離子體產(chǎn)生裝置M1對于第一流體wl進(jìn)行激能所形成 的第二流體w2便可對于基座t0上的物件rl進(jìn)行材料表面處理、活化、清 潔、光致抗蝕劑灰化或蝕刻等工藝或處理。在本實(shí)施例中，物件rl可由有 機(jī)材料(例如PP、 PE、 PET、 PC、 PI、 PMMA、 PTFE、 Nylon等)、無機(jī)材 料(例如玻璃及Si-基材料)或金屬材料所制成的平板構(gòu)件或具有曲面的構(gòu) 件。值得注意的是，由于第二流體具有均勻的能量分布，在處理平板構(gòu)件時(shí) 可具有相當(dāng)理想的效果。
圖5B表示圖5A的處理系統(tǒng)Tla的變化例Tlb。處理系統(tǒng)Tlb不同于 處理系統(tǒng)Tla之處在于處理系統(tǒng)Tlb中采取了兩組電極組件el,并且此 兩組電極組件el是以相互間隔的串聯(lián)方式設(shè)置于導(dǎo)引組件P1之上。在連續(xù)
的兩組電極組件el的作用下，由導(dǎo)引組件P1所輸出的第二流體w2更可達(dá)
到高密度的離子化效果。
第二應(yīng)用例
如圖6所示，處理系統(tǒng)T1，與圖5A中的處理系統(tǒng)Tla不同之處在于 處理系統(tǒng)Tr的導(dǎo)引組件Pl，的中空件nl，還包括側(cè)壁部sl、埠結(jié)構(gòu)hl與止 擋部fl，其中，埠結(jié)構(gòu)hl形成于側(cè)壁部sl之上，并且止擋部fl鄰接于埠 結(jié)構(gòu)hl的一側(cè)。其中，埠結(jié)構(gòu)hl為環(huán)繞導(dǎo)引組件Pl，外側(cè)的開孔，經(jīng)由路
如此便可對于物件r2的內(nèi)側(cè)壁面進(jìn)行材料表面處理、活化、清潔、光致抗 蝕劑灰化或蝕刻等工藝或處理。在本實(shí)施例中，物件r2為可由有機(jī)材料、 無機(jī)材料或金屬材料所制成的管狀構(gòu)件。
第三應(yīng)用例
如圖7所示，處理系統(tǒng)T2包括頭部5與等離子體產(chǎn)生裝置M5。等離子 體產(chǎn)生裝置M5包括多個(gè)導(dǎo)引組件P1與電極組件e5,其中，電極組件e5包 括第一電極1-5與第二電極2-5，頭部5用以將第一流體wl分配至各導(dǎo)引組 件P1，電極組件e5的第一電極1-5與第二電極2-5設(shè)置于多個(gè)導(dǎo)引組件Pl
的外部。
圖8A、 8B分別表示根據(jù)圖7中的線段Z1-Z1進(jìn)行剖面的示意圖，其中， 圖8A中的多個(gè)導(dǎo)引組件P1采用并聯(lián)方式的排列，而圖8B中的多個(gè)導(dǎo)引組 件P1采用交叉方式的排列。
圖9A、 9B分別表示根據(jù)圖7中的線段Z2-Z2對于第一電極1-5進(jìn)行剖 面的示意圖，其中，圖9A中的第一電極1-5中的多個(gè)導(dǎo)引組件P1采用并聯(lián) 方式的排列，而圖9B中的第一電極1-5中的多個(gè)導(dǎo)引組件P1采用交叉方式 的排列。
因此，在處理系統(tǒng)T2中的多個(gè)導(dǎo)引組件P1的并聯(lián)或交叉方式的排列方 式作用下，等離子體區(qū)的作用面積可被增加。
因此，在本發(fā)明的處理系統(tǒng)的作用下，由于等離子體、第一電極與第二 電極之間并不會(huì)相互接觸，除了無電極損耗的情況產(chǎn)生之外，模塊化的處理 系統(tǒng)還可提供線狀大氣等離子體處理裝置，有效的降低設(shè)備成本且提升生產(chǎn) 率。雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例披露如上，然其并非用以限制本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做更動(dòng)與潤飾， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種等離子體產(chǎn)生裝置，用以對于第一流體進(jìn)行離子化，該等離子體產(chǎn)生裝置包括至少一導(dǎo)引組件，包括一路徑，該第一流體沿著該路徑依序通過第一位 置與第二位置；以及至少一電極組件，包括第一電極與第二電極，在該第一電極相對于該第 一位置、該第二電極相對于該第二位置之下，該第一電極、該第二電極對于 該第一位置與該第二位置之間的該第一流體進(jìn)行激能后形成了第二流體，其 中，該第 一流體的能量狀態(tài)不同于該第二流體的能量狀態(tài)。
2. 如權(quán)利要求1所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其中，該第一電極與該第二 電極之間存在有電位差。
3. 如權(quán)利要求1所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其中，該導(dǎo)引組件包括中空 件，該^^徑位于該中空件的內(nèi)部。
4. 如權(quán)利要求1所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其中，該第一電極環(huán)繞于該 導(dǎo)引組件的外側(cè)。
5. 如權(quán)利要求1所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其中，該第二電極環(huán)繞于該 導(dǎo)引組件的外側(cè)。
6. 如權(quán)利要求1所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其中，該第一電極局部環(huán)繞 于該導(dǎo)引組件的外側(cè)。
7. 如權(quán)利要求1所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其中，該第二電極局部環(huán)繞 于該導(dǎo)引組件的外側(cè)。
8. 如權(quán)利要求1所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其中，該第一電極包括第一 槽結(jié)構(gòu)，該第二電極包括第二槽結(jié)構(gòu)，該第一槽結(jié)構(gòu)與該第二槽結(jié)構(gòu)相對于 該路徑而采用交錯(cuò)方式的排列。
9. 如權(quán)利要求1所述的等離子體產(chǎn)生裝置，還包括供應(yīng)裝置，該供應(yīng)裝 置電性連接于該第一電極。
10. 如權(quán)利要求9所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其中，該供應(yīng)裝置為射頻 產(chǎn)生器。
11. 如權(quán)利要求IO所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其中，該射頻產(chǎn)生器的頻 率為13.56 MHz或13.56 MHz的整數(shù)倍數(shù)的頻率。
12. 如權(quán)利要求9所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其中，該供應(yīng)裝置為電源供應(yīng)器。
13. 如權(quán)利要求12所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其中，該電源供應(yīng)器為交 流電產(chǎn)生器。
14. 如權(quán)利要求13所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其中，該交流電產(chǎn)生器的 頻率為lMHz 100MHz。
15. 如權(quán)利要求1所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其中，該導(dǎo)引組件還包括 第三位置，該第二流體通過該第三位置，并且在該第三位置的該第二流體于 實(shí)質(zhì)上具有均勻能量分布曲線。
16. 如權(quán)利要求1所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其中，該導(dǎo)引組件由介電 材料所制成。
17. 如權(quán)利要求1所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其中，該第一電極為線圈結(jié)構(gòu)。
18. 如權(quán)利要求17所述的等離子體產(chǎn)生裝置，其中，該線圏結(jié)構(gòu)設(shè)置于 該導(dǎo)引組件的外部。
19. 如權(quán)利要求1所述的處理系統(tǒng)，其中，該導(dǎo)引組件更包括側(cè)壁部與 埠結(jié)構(gòu)，該埠結(jié)構(gòu)形成于該側(cè)壁部，并且該第二流體經(jīng)由該埠結(jié)構(gòu)對于該物件進(jìn)行處理。
20. 如權(quán)利要求19所述的處理系統(tǒng)，其中，該埠結(jié)構(gòu)為開孔。
21. —種處理系統(tǒng)，利用第一流體對于物件進(jìn)行處理，該處理系統(tǒng)包括 基座，用以承載該物件；以及等離子體產(chǎn)生裝置，用以對于該第一流體進(jìn)行離子化，該等離子體產(chǎn)生 裝置包括至少一導(dǎo)引組件，包括一路徑，該第一流體沿著該路徑依序通過第一位 置與第二位置；以及至少一電極組件，包括第一電極與第二電極，在該第一電極相對于該第 一位置、該第二電極相對于該第二位置之下，該第一電極、該第二電極對于 該第一位置與該第二位置之間的該第 一流體進(jìn)行激能后形成了第二流體，該 第二流體對于該基座上的該物件進(jìn)行處理。
22. 如權(quán)利要求21所述的處理系統(tǒng)，其中，該第一電極與該第二電極之 間存在有電位差。
23. 如權(quán)利要求21所述的處理系統(tǒng)，其中，該導(dǎo)引組件包括中空件，該 路徑位于該中空件的內(nèi)部。
24. 如權(quán)利要求21所述的處理系統(tǒng)，其中，該第一電極環(huán)繞于該導(dǎo)引組 件的外側(cè)。
25. 如權(quán)利要求21所述的處理系統(tǒng)，其中，該第二電極環(huán)繞于該導(dǎo)引組 件的外側(cè)。
26. 如權(quán)利要求21所述的處理系統(tǒng)，其中，該第一電極局部環(huán)繞于該導(dǎo)引組件的外側(cè)。
27. 如權(quán)利要求21所述的處理系統(tǒng)，其中，該第二電極局部環(huán)繞于該導(dǎo)引組件的外側(cè)。
28. 如權(quán)利要求21所述的處理系統(tǒng)，其中，該第一電極包括第一槽結(jié)構(gòu)， 該第二電極包括第二槽結(jié)構(gòu)，該第一槽結(jié)構(gòu)與該第二槽結(jié)構(gòu)相對于該路徑而 采用交錯(cuò)方式的排列。
29. 如權(quán)利要求21所述的處理系統(tǒng)，還包括供應(yīng)裝置，該供應(yīng)裝置電性 連接于該第一電極。
30. 如權(quán)利要求29所述的處理系統(tǒng)，其中，該供應(yīng)裝置為射頻產(chǎn)生器。
31. 如權(quán)利要求30所述的處理系統(tǒng)，其中，該射頻產(chǎn)生器的頻率為13.56 MHz或13.56 MHz的整數(shù)倍數(shù)的頻率。
32. 如權(quán)利要求29所述的處理系統(tǒng)，其中，該供應(yīng)裝置為電源供應(yīng)器。
33. 如權(quán)利要求32所述的處理系統(tǒng)，其中，該電源供應(yīng)器為交流電產(chǎn)生器。
34. 如權(quán)利要求33所述的處理系統(tǒng)，其中，該交流電產(chǎn)生器的頻率為 lMHz 100MHz。
35. 如權(quán)利要求21所述的處理系統(tǒng)，其中，該導(dǎo)引組件還包括第三位置， 該第二流體通過該第三位置，并且在該第三位置的該第二流體于實(shí)質(zhì)上具有 均勻能量分布曲線。
36. 如權(quán)利要求21所述的處理系統(tǒng)，其中，該導(dǎo)引組件由介電材料所制成。
37. 如權(quán)利要求21所述的處理系統(tǒng)，其中，該第一電極為線圈結(jié)構(gòu)。
38. 如權(quán)利要求37所述的處理系統(tǒng)，其中，該線圏結(jié)構(gòu)設(shè)置于該導(dǎo)引組件的外部。
39. 如權(quán)利要求21所述的處理系統(tǒng)，其中，該導(dǎo)引組件還包括側(cè)壁部與 埠結(jié)構(gòu)，該埠結(jié)構(gòu)形成于該側(cè)壁部，并且該第二流體經(jīng)由該埠結(jié)構(gòu)對于該物件進(jìn)4于處理。
40. 如權(quán)利要求39所述的處理系統(tǒng)，其中，該埠結(jié)枸為開孔。
全文摘要
一種處理系統(tǒng)，利用第一流體對于物件進(jìn)行處理。處理系統(tǒng)包括基座與等離子體產(chǎn)生裝置。基座用以承載物件。等離子體產(chǎn)生裝置用以對于第一流體進(jìn)行離子化。等離子體產(chǎn)生裝置包括至少一導(dǎo)引組件與至少一電極組件。導(dǎo)引組件包括路徑，第一流體沿著路徑依序通過第一位置與第二位置。電極組件包括第一電極與第二電極，在第一電極相對于第一位置、第二電極相對于第二位置之下，第一電極、第二電極對于第一位置與第二位置之間的第一流體進(jìn)行激能后形成了第二流體，第二流體對于基座上的物件進(jìn)行表面處理、活化、清潔、光致抗蝕劑灰化或蝕刻處理。
文檔編號H05H1/24GK101146397SQ20061015370
公開日2008年3月19日 申請日期2006年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月14日
發(fā)明者劉志宏, 林春宏, 蘇濬賢, 蔡陳德, 謝文宗, 陳志瑋 申請人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院