專利名稱：聯(lián)苯胺衍生物，采用該聯(lián)苯胺衍生物作為空穴傳輸材料的發(fā)光裝置和電器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可以用作生產(chǎn)發(fā)光元件的材料的材料。
背景技術(shù)：
近年來，顯示器等中采用的大多數(shù)發(fā)光元件具有以下結(jié)構(gòu)，即在一對電極之間插入含有發(fā)光材料的層。在所述發(fā)光元件中，從一個電極注入的電子和從另一電極注入的空穴相互重新組合形成激發(fā)子，由此激發(fā)光，同時將激發(fā)子返回基態(tài)。
在發(fā)光元件領(lǐng)域，已經(jīng)對用于生產(chǎn)具有高發(fā)光效率、良好色度、低退化和長壽命的發(fā)光元件的材料進行了多方面的研究。
作為發(fā)光元件退化中的一個起作用因子，被認為是構(gòu)成發(fā)光元件的材料的結(jié)晶。因此，開發(fā)出了很難結(jié)晶的材料，例如WO00/27946中公開了具有高玻璃轉(zhuǎn)化溫度和良好耐熱性的有機材料。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種具有良好耐熱性而且可以用作空穴傳輸材料的材料。本發(fā)明的另一目的是提供一種易于保持在非結(jié)晶狀態(tài)而且可以用作空穴傳輸材料的材料。
本發(fā)明的一個實施方案是通式(1)表示的聯(lián)苯胺衍生物。
其中R1為氫或具有1-4個碳原子的烷基。
本發(fā)明的一個實施方案是含有通式(1)所示的聯(lián)苯胺衍生物的空穴傳輸材料。
本發(fā)明的一個實施方案是通過N，N’-二苯基聯(lián)苯胺和2-溴-螺-9，9’-聯(lián)芴或2-溴-2’，7’-二烷基-螺-9，9’-聯(lián)芴之間的偶合反應(yīng)而得到的化合物，所述化合物的熔點為323-324℃。
本發(fā)明的一個實施方案是一種含有以下化合物的空穴傳輸材料，所述化合物由N，N’-二苯基聯(lián)苯胺和2-溴-螺-9，9’-聯(lián)芴或2-溴-2’，7’-二烷基-螺-9，9’-聯(lián)芴之間的偶合反應(yīng)而得到，所述化合物的熔點為323-324℃。
本發(fā)明的一個實施方案是一種含有以下層的發(fā)光元件，所述層中含有由之前通式(I)表示的聯(lián)苯胺衍生物。
本發(fā)明的一個實施方案是具有以下層的發(fā)光元件，所述層中含有由N，N’-二苯基聯(lián)苯胺和2-溴-螺-9，9’-聯(lián)芴或2-溴-2’，7’-二烷基-螺-9，9’-聯(lián)芴的偶合反應(yīng)而得到的化合物。
根據(jù)本發(fā)明，可以得到具有良好耐熱性的聯(lián)苯胺衍生物。進一步地，根據(jù)本發(fā)明可以得到一種易于保持在非結(jié)晶狀態(tài)的聯(lián)苯胺衍生物。
根據(jù)本發(fā)明，可以得到具有良好耐熱性的空穴傳輸材料。進一步地，根據(jù)本發(fā)明可以得到一種易于保持在非結(jié)晶狀態(tài)的空穴傳輸材料。
由于根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物具有良好的耐熱性，通過采用本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物，可以得到很難由于熱而改變其性能的發(fā)光元件。由于根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物可以很容易地保持在非結(jié)晶狀態(tài)，通過采用本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物，可以得到很難由于結(jié)晶而退化的發(fā)光元件。


圖1為根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件的一個實施方案的說明圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件的說明圖；圖3為應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光裝置的說明圖；圖4為應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光裝置所包括的電路的說明圖；圖5為應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光裝置的頂視圖；圖6為應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光裝置的幀操作的說明圖；圖7A至7C為應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光裝置的橫截面圖；圖8A至8C的圖形用于顯示各種電器；圖9的圖形顯示根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物的差示掃描量熱法的測量結(jié)果；圖10為根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物的吸收光譜；圖11為根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物的發(fā)射光譜；圖12的圖形顯示了采用根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物的發(fā)光元件的電流密度-亮度特征；圖13的圖形顯示了采用根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物的發(fā)光元件的電壓-亮度特征；圖14的圖形顯示了采用根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物的發(fā)光元件的亮度-電流效率特征；圖15的圖形顯示了根據(jù)合成實施例1的步驟2合成的白粉狀固體物質(zhì)的1H-NMR圖譜結(jié)果。
具體實施例方式
下文解釋了本發(fā)明的一個實施方案。由于本發(fā)明體現(xiàn)為幾個形式，所以應(yīng)理解，不同的變化和修飾對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的，并不偏離本發(fā)明實質(zhì)特征的范圍。因此，除非所述變化和修飾偏離了下文所述的本發(fā)明的范圍，否則這些變化和修飾應(yīng)當(dāng)解釋為包括在本文中。
實施方案1本發(fā)明的一個實施方案是由結(jié)構(gòu)式(2)-(5)表示的聯(lián)苯胺衍生物。

結(jié)構(gòu)式(2)-(5)表示的聯(lián)苯胺衍生物具有高玻璃轉(zhuǎn)化溫度以及良好的耐熱性。進一步地，結(jié)構(gòu)式(2)-(5)表示的聯(lián)苯胺衍生物很難結(jié)晶。
盡管根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物的合成方法并沒有特別的限制，但是可以通過合成方案(a-1)表示的N，N’-二苯基聯(lián)苯胺和2-溴-螺-9，9’-聯(lián)芴或2-溴-2’，7’-二烷基-螺-9，9’-聯(lián)芴的偶合反應(yīng)而合成。
在合成方案(a-1)中，R10為氫或具有1-4個碳原子的烷基。此處，具有3或4個碳原子的烷基優(yōu)選為支鏈狀態(tài)。
上述根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物可以用作形成空穴傳輸層的材料，也就是空穴傳輸材料。
實施方案2參照圖1解釋采用根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物作為空穴傳輸材料的發(fā)光元件的實施方案。
圖1顯示了包括位于第一電極101和第二電極102之間的發(fā)光層113的發(fā)光元件。
在所述發(fā)光元件中，從第一電極101注入的空穴和從第二電極102注入的電子在發(fā)光層113中重新組合，從而使發(fā)光材料處于激發(fā)狀態(tài)。然后，處于激發(fā)狀態(tài)的發(fā)光層材料發(fā)出光，同時返回基態(tài)。在根據(jù)該實施方案的發(fā)光元件中，第一電極101作為陽極，第二電極102作為陰極。發(fā)光材料為具有良好發(fā)光效率的材料，而且能夠發(fā)出位于所需發(fā)射波長的光。
盡管發(fā)光層113沒有特別的限制，但是優(yōu)選將發(fā)光材料分散在由比發(fā)光材料具有更大能量間隙的材料構(gòu)成的層中，以構(gòu)成所述發(fā)光層。因此，可以防止發(fā)光材料發(fā)出的光根據(jù)密度而發(fā)生淬滅。能量間隙是指LUMO水平和HOMO水平之間的能量間隙。
發(fā)光材料沒有特別的限制?？梢圆捎镁哂辛己冒l(fā)光效率而且能夠發(fā)出所需發(fā)射波長的光的材料作為發(fā)光材料。例如，當(dāng)需要發(fā)射紅色光時，可以采用發(fā)射光譜的峰值位于600至680nm的材料，例如4-二氰亞甲基-2-異丙基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(簡寫為DCJTI)、4-二氰亞甲基-2-甲基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(簡寫為DCJT)、4-二氰亞甲基-2-叔丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(簡寫為DCJTB)、periflanthene，或2，5-二氰基-1，4-雙[2-(10-甲氧基-1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-基)乙烯基]苯。在需要發(fā)射綠光時，可以采用發(fā)射光譜的峰值位于500至550nm的材料，例如N，N’-二甲基喹吖啶酮(簡寫為DMQd)、香豆素6、香豆素545T、或三(8-羥基喹啉)鋁(簡寫為Alq3)。在需要發(fā)射藍光的情況下，可以采用發(fā)射光譜的峰值位于420至500nm的材料，例如9，10-雙(2-萘基)-叔丁基蒽(簡寫為t-BuDNA)、9，9’-biantryl、9，10-二苯基蒽(簡寫為DPA)、9，10-雙(2-萘基)蒽(縮寫為DNA)、二(2-甲基-羥基喹啉)-4-苯基苯酚合-鎵(縮寫為BGaq)、或者雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚合-鋁(縮寫為BAlq)。
用于制作分散狀態(tài)的發(fā)光材料的材料沒有特別限制，例如可以采用蒽衍生物，例如9，10-二(2-萘基)-2-叔丁基蒽(縮寫為t-BuDNA)，咔唑衍生物，例如4，4’-雙(N-咔唑基)聯(lián)苯(縮寫為CBP)，金屬配合物，例如雙[2-(2-羥苯基)嘧啶合]鋅(縮寫為Znpp2)、或雙[2-(2-羥苯基)苯并唑合]鋅(縮寫為ZnBOX)。
第一電極101沒有特別限制，但是如在該實施方案中那樣作為陽極的情況下，優(yōu)選由具有較大功函的材料制成。特別地，可以采用銦錫氧化物(ITO)、含有硅氧化物的銦錫氧化物、含有2-20％的氧化鋅的銦氧化物、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)等。進一步地，可以采用濺射法、汽相沉積法等制作第一電極101。
第二電極102沒有特別的限制，但是如在該實施方案中那樣作為陰極的情況下，優(yōu)選由具有較小功函的材料制成。特別地，優(yōu)選采用含有堿金屬、堿土金屬等(例如鋰(Li)或鎂(Mg))的鋁(Al)?；蛘撸梢圆捎们笆龅你熷a氧化物(ITO)等。進一步地，可以采用濺射法、汽相沉積法等制作第二電極102。
為了將光激發(fā)出來，第一電極101和第二電極中的一個或全部優(yōu)選為由銦鋅氧化物等制成的電極，或者厚度為幾納米至幾十納米的電極，從而可見光可以穿透。
如圖1所示，空穴傳輸材料112位于第一電極101和發(fā)光層113之間。空穴傳輸層用于將從第一電極101注入的空穴傳遞至發(fā)光層113。如上所述，提供所述空穴傳輸層112以將第一電極101和發(fā)光層113分離，其防止由于金屬導(dǎo)致的淬滅。
空穴傳輸層112沒有特別的限制，但是優(yōu)選由本發(fā)明的用通式(1)或結(jié)構(gòu)式(2)至(4)表示的聯(lián)苯胺衍生物制成。根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物具有高耐熱性。因此，采用根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物作為空穴傳輸材料，可以形成很難由于熱而改變其特征的空穴傳輸層112。此外，根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物很難結(jié)晶。因此，采用根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物作為空穴傳輸材料，可以形成很難結(jié)晶的空穴傳輸層112。
進一步地，通過疊加根據(jù)本發(fā)明的用通式(1)或結(jié)構(gòu)式(2)至(4)表示的聯(lián)苯胺衍生物制成的兩層或多層，可以形成具有多層結(jié)構(gòu)的空穴傳輸層112。
如圖1所示，電子傳輸層114可以位于第二電極102和發(fā)光層113之間。所述電子傳輸層是指將從第二電極102注入的電子傳遞至發(fā)光層113的層。如上所述，提供電子傳輸層102以將第二電極102和發(fā)光層113分離開，從而防止由于金屬導(dǎo)致的淬滅。
電子傳輸層114沒有特別的限制，優(yōu)選采用具有喹啉骨架或苯喹啉骨架的金屬配合物，例如三(8-羥基喹啉)鋁(縮寫為Alq3)、三(5-甲基-羥基喹啉)鋁(縮寫為Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]-喹啉合)鈹(縮寫為BeBq2)、或雙(2-甲基-8-羥基喹啉)4-苯基苯酚合-鋁(縮寫為Balq)?；蛘?，可以采用具有唑或噻唑系列配體的金屬配合物，例如雙[2-(2-羥苯基)-苯并唑合]鋅(縮寫為Zn(BOX)2)或雙[2-(2-羥苯基)-苯并噻唑合]鋅(縮寫為Zn(BTZ)2)除此之外，可以使用2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑(縮寫為PBD)、1，3-雙[5-(對叔丁基苯基)-1，3，4-二唑-2-基]苯(縮寫為OXD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-聯(lián)苯基)-1，2，4-三唑(縮寫為TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-聯(lián)苯基)-1，2，4-三唑(縮寫為p-EtTAZ)、紅菲繞啉(Bpen)、浴銅靈(縮寫為BCP)等。電子傳輸層114優(yōu)選由電子流動性比空穴流動性大的前述材料制成。所述電子傳輸層114更優(yōu)選由電子流動率為10-6cm2/Vs或更高的材料制成。疊加由前述材料制成的兩層或多層，可以得到具有多層結(jié)構(gòu)的電子傳輸層114。
進一步地，空穴注入層111可以位于第一電極101和空穴傳輸層112之間，如圖1所示?？昭ㄗ⑷雽邮侵赣兄趯碜宰鳛殛枠O的電極的空穴注入空穴傳輸層112的層。
空穴注入層111沒有特別的限制。作為空穴注入層111的材料，可以采用金屬氧化物，例如鉬氧化物(MoOx)、釩氧化物(VOx)、釕氧化物(RuOx)、鎢氧化物(WOx)、錳氧化物(MnOx)。此外，可以采用基于酞菁的化合物，例如酞菁(縮寫為H2Pc)或銅酞菁(CuPC)，基于芳香胺的化合物，例如4，4-雙(N-(4-(N，N-二-間甲苯基氨基)苯基)-N-苯基氨基)聯(lián)苯(縮寫為DNTPD)，或聚合物，例如聚(亞乙基二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)溶液(PEDOT/PSS)。
電子注入層可以位于第二電極102和電子傳輸層114之間，如圖1所示。電子注入層是指幫助將來自作為陰極的電極的電子注入至電子傳輸層114的層。在沒有特別提供電子傳輸層的情況下，電子注入層可以位于作為陰極的電極和發(fā)光層之間，從而幫助電子注入至發(fā)光層。
電子注入層115沒有特別的限制。作為電子注入層115的材料，可以采用堿金屬和堿土金屬化合物，例如氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、或氟化鈣(CaF2)。此外，可以采用具有高電子傳輸性能的材料例如Alq3或4，4-雙(5-甲基苯并唑-2-基)茋(BzOs)與堿金屬或堿土金屬例如鎂或鋰的混合物作為電子注入層115，在上述解釋的根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件中，空穴注入層111、空穴傳輸層112、發(fā)光層113、電子傳輸層114和電子注入層115可以分別通過汽相沉積法、噴墨法、涂覆法等形成。第一電極101或第二電極102可以通過濺射法、汽相沉積法等制成。
如上所述，采用根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物制成空穴傳輸層，可以形成這樣的發(fā)光元件，所述發(fā)光元件的特性很難因空穴傳輸層特性由于熱發(fā)生改變而改變。進一步地，采用根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物制成空穴傳輸層，可以形成這樣的發(fā)光元件，所述發(fā)光元件很難由于空穴傳輸層的結(jié)晶而發(fā)生退化。
實施方案3在實施方案2中解釋的根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件可以應(yīng)用于具有顯示功能的發(fā)光裝置的像素部分，或者應(yīng)用于具有發(fā)光功能的發(fā)光裝置的發(fā)光部分。由于根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件很難因空穴傳輸層的特性由于熱發(fā)生改變而改變特性，以及很難由于結(jié)晶化而發(fā)生退化，所以采用根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件，可以得到很難由于發(fā)光元件的退化而導(dǎo)致圖像或照明發(fā)生缺陷的發(fā)光裝置。
在該實施方案中，參見圖3至6解釋了具有顯示功能的發(fā)光裝置的電路結(jié)構(gòu)和驅(qū)動方法。
圖3為應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光裝置的頂表面的示意圖。在圖3中，在基片6500上提供了像素部分6511、源信號線驅(qū)動電路6512、用于寫入的柵信號線驅(qū)動電路6513以及用于擦除的柵信號線驅(qū)動電路6514。源信號線驅(qū)動電路6512、用于寫入的柵信號線驅(qū)動電路6513和用于擦除的柵信號線驅(qū)動電路6514分別通過配線組與FPC(柔性印刷電路)6503連接，所述FPC為外部輸入終端。源信號線驅(qū)動電路6512、用于寫入的柵信號線驅(qū)動電路6513和用于擦除的柵信號線驅(qū)動電路6514的每一個接受來自FPC6503的視頻信號、時鐘信號、起始信號、復(fù)位信號等。進一步地，F(xiàn)PC6503連接印刷線路板(PWB)6504。每個基片上并不總是要求具有驅(qū)動電路部分和像素部分6511。例如，可以在基片的外部提供TCP，所述TCP通過將IC芯片安裝在具有線路圖案的FPC中形成。
像素部分6511具有沿列延伸的多行源信號線。電流供應(yīng)線排列成行。在像素部分6511中，沿行延伸的多個柵信號線排列成列。進一步地，包括發(fā)光元件的多個電路對設(shè)置在像素部分6511中。
圖4的示意圖顯示了操作一個像素的電路。圖4所示的電路包括第一晶體管901、第二晶體管902和發(fā)光元件903。
第一晶體管901和第二晶體管902均為三端子元件，包括柵電極、漏區(qū)和源區(qū)，其中漏區(qū)和源區(qū)之間形成有溝道區(qū)。由于源區(qū)和漏區(qū)根據(jù)晶體管的結(jié)構(gòu)或運行條件而變化，很難確定源區(qū)或漏區(qū)。在該實施方案中，連接至作為源區(qū)的區(qū)域和作為漏區(qū)的區(qū)域的每個電極表示為晶體管的第一電極和晶體管的第二電極。
柵信號線911和用于寫入的柵信號線驅(qū)動電路913通過開關(guān)918電連接或斷開。進一步地，柵信號線911和用于擦除的柵信號線驅(qū)動電路914通過開關(guān)919電連接或斷開。源信號線912通過開關(guān)920與源信號線驅(qū)動電路915或電源916電連接。第一晶體管901的柵與柵信號線911電連接。第一晶體管901的第一電極與源信號線912電連接，而第一晶體管901的第二電極與第二晶體管902的柵電極電連接。第二晶體管902的第一電極與電流供應(yīng)線917電連接，而第二晶體管902的第二電極與發(fā)光元件903中包括的一個電極電連接。開關(guān)918可以包括在用于寫入的柵信號線驅(qū)動電路913中。開關(guān)919也可以包括在用于擦除的柵信號線驅(qū)動電路914中。進一步地，開關(guān)920也可以包括在源信號線驅(qū)動電路915中。
像素部分中晶體管、發(fā)光元件等的設(shè)置沒有特別的限制。例如，晶體管、發(fā)光元件等可以如圖5的頂視圖所示設(shè)置。在圖5中，第一晶體管1001的第一電極與源信號線1004連接，而第二電極與第二晶體管1002的柵電極連接。第二晶體管1002的第一電極與電流供應(yīng)線1005連接，而第二晶體管1002的第二電極與發(fā)光元件的電極1006連接。柵信號線1003的一部分作為第一晶體管1001的柵電極。
接下來解釋驅(qū)動方法。圖6為隨著時間的幀操作的說明圖。圖6中，水平方向代表時間，垂直方向表示柵信號線掃描步驟的次數(shù)。
當(dāng)采用根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置顯示圖像時，在一個顯示周期中重復(fù)一個屏幕的重寫和顯示操作。重寫的次數(shù)沒有特別的限制，但是優(yōu)選為每秒大約60次，從而觀看圖像的人不會發(fā)現(xiàn)圖像的閃爍。執(zhí)行一個圖像(一幀)的重寫和顯示操作的一個周期稱為一個幀周期。
如圖6所示，一幀按照時間分為四個子幀501，502，503和504，包括寫入周期501a、502a、503a、504a，以及保留周期501b、502b、503b、504b。給發(fā)射光提供信號的發(fā)光元件在保留周期處于發(fā)光狀態(tài)。第一子幀501、第二子幀502、第三子幀503和第四子幀504之間的各子幀的保留周期長度的比為23∶22∶21∶20＝8∶4∶2∶1。因此，可以提供4位的灰度等級。位數(shù)或等級數(shù)不限于此。例如，通過提供8個子幀可以提供8位灰度等級。
解釋一個幀中的操作。首先，在子幀501中從第一條線至最后一條線順序進行寫入操作。因此，根據(jù)不同的線，寫入周期的起始時間不同。按照完成寫入周期501a的順序，各線進入保留周期501b。在保留周期中，給發(fā)射光提供信號的發(fā)光元件處于發(fā)光狀態(tài)。按照完成保留周期501b的順序，各線進入下一子幀502，如在子幀501中的情況，從第一條線至最后一條線順序進行寫入操作。重復(fù)如上所述的操作以完成至子幀504的保留周期504b。當(dāng)完成子幀504內(nèi)的操作時，開始下一幀的操作。每個子幀中發(fā)射光的時間積分為一幀中每個發(fā)光元件的發(fā)射時間。通過改變每個發(fā)光元件的發(fā)光時間從而在一個像素中進行不同的組合，可以形成各種具有不同亮度和色度的顯示顏色。
在完成最后線進入保留周期的寫入之前完成寫入的線的保留周期將被強迫進入如子幀504的終止的情況下，優(yōu)選在保留周期504b之后提供擦除周期504c以進行控制，從而強制形成非發(fā)射狀態(tài)。強制進入非發(fā)射狀態(tài)的線保持非發(fā)射狀態(tài)一特定時間周期(該周期稱為非發(fā)射周期504d)。在完成最后一條線的寫入周期時，各線從第一條線進入下一寫入周期(或一幀)。因此，可以防止子幀504的寫入周期與下一子幀的寫入周期重疊。
在該實施方案中，子幀501至504以保留周期減少的順序排列；然而，本發(fā)明并不局限于此。例如，子幀501至504以保留周期增加的順序排列。或者，子幀501至504可以隨機排列。子幀可以進一步地分為多個幀。也就是說，在給出相同視頻信號的周期中，可以在多個時間實施柵信號線的掃描。
在寫入周期和擦除周期中解釋圖4所示電路的操作。
首先，解釋寫入周期中的操作。在寫入周期中，位于第n(n為自然數(shù))線的柵信號線911通過開關(guān)918與用于寫入的柵信號線驅(qū)動電路913電連接，但是與用于擦除的柵信號線驅(qū)動電路914斷開。源信號線912通過開關(guān)920與源信號線驅(qū)動電路電連接。信號輸入至與第n線(n為自然數(shù))的柵信號線911連接的第一晶體管901的柵電極，第一晶體管901開通。此時，同時將視頻信號輸入至第一行至最后一行的源信號線。從每行的源信號線912輸入的視頻信號相互獨立。從源信號線912輸入的視頻信號通過與每個源信號線912連接的第一晶體管901輸入至第二晶體管902的柵電極。輸入至第二晶體管902的信號控制發(fā)光元件903的發(fā)射和不發(fā)射。例如，當(dāng)?shù)诙w管為P溝道型時，通過輸入至柵電極的低水平信號，發(fā)光元件903發(fā)出光。另一方面，當(dāng)?shù)诙w管902為N溝道型時，通過輸入至第二晶體管902的柵電極的高水平信號，發(fā)光元件903發(fā)出光。
接下來解釋擦除周期的操作。在擦除周期中，第n線(n為自然數(shù))的柵信號線911通過開關(guān)919與用于擦除的柵信號線驅(qū)動電路914電連接，但是與用于寫入的柵信號線驅(qū)動電路913斷開。源信號線912通過開關(guān)920與電源916電連接。將信號輸入至與第n線的柵信號線911連接的第一晶體管901的柵電極，第一晶體管901接通。此時，同時將擦除信號輸入至從第一行至最后一行的源信號線。從源信號線912輸入的擦除信號通過與每個所述信號線連接的第一晶體管901輸入至第二晶體管902的柵電極。通過輸入至第二晶體管902的信號，停止電流供應(yīng)線917向發(fā)光元件903的電流供應(yīng)。然后，發(fā)光元件903強制進入非發(fā)射狀態(tài)。當(dāng)?shù)诙w管902為P溝道型時，通過輸入至第二晶體管902的柵電極的高水平信號，發(fā)光元件903不發(fā)光。另一方面，當(dāng)?shù)诙w管902為N溝道型時，通過輸入至第二晶體管902的柵電極的低水平信號，發(fā)光元件903不發(fā)光。
在擦除周期中，在第n線處通過上述操作輸入擦除信號。然而，存在第n線處于擦除周期而另一條(該例中為第m線，m為自然數(shù))線處于寫入周期的情況。在該例中，要求通過利用同一列中的源信號線，將用于擦除的信號輸入至第n線，將用于寫入的信號輸入第m線。因此，優(yōu)選實施如下所述的操作。
通過如上所述的處于擦除狀態(tài)的操作，使在第n線的發(fā)光元件903處于非發(fā)射狀態(tài)之后，立即使柵信號線911和用于擦除的柵信號線驅(qū)動電路914處于非發(fā)射狀態(tài)，通過開關(guān)902將源信號線912與電源916斷開，從而使源信號線912與源信號線驅(qū)動電路915連接。將源信號線912與源信號線驅(qū)動電路915連接之外，將柵信號線與用于寫入的柵信號線驅(qū)動電路913連接。將信號從用于寫入的柵信號線驅(qū)動電路913選擇性輸入第m線的源線，第一晶體管接通，同時，將用于寫入的信號從源信號線驅(qū)動電路915輸入第一列至最后一列的源信號線。通過所述信號，第m線的發(fā)光元件處于發(fā)射狀態(tài)或非發(fā)射狀態(tài)。
在如上所述完成第m線的寫入周期之后，立即使線進入第(n+1)線的擦除周期。因此，柵信號線911和用于寫入的柵信號驅(qū)動電路913斷開；同時，通過開關(guān)920將源信號線912與源信號線驅(qū)動電路915斷開，從而使源信號線912與電源916連接。進一步地，柵信號線911與用于寫入的柵信號線驅(qū)動電路913斷開連接；同時，將柵信號線911與用于擦除的柵信號線驅(qū)動電路914連接。將信號從用于擦除的柵信號線驅(qū)動電路914選擇性輸入第(n+1)線的柵信號線，接通第一晶體管901，同時從電源916輸入擦除信號。如上所述，在完成第(n+1)線的擦除周期之后，立即使線進入第m線的寫入周期。此后，可以重復(fù)進行擦除周期和寫入周期直至最后一條線的擦除周期。
在該實施方案中，解釋了以下方式，即在第n線的擦除周期和第(n+1)線的擦除周期之間提供了第m線的寫入周期(但不是排他性的)?？梢栽诘?n-1)線的擦除周期和第n線的擦除周期之間提供第m線的寫入周期。
在該實施方案中，如子幀504，在提供非發(fā)射周期504d的情況下，同時并重復(fù)進行斷開用于擦除的柵信號線驅(qū)動電路914和特定柵信號線的操作，以及進行連接用于寫入的柵信號線驅(qū)動電路和另一柵信號線的操作。所述操作可以在沒有提供非發(fā)射周期的幀中進行。
實施方案4參照圖7A至7C解釋包括根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光裝置的橫截面圖的實施方案。
在圖7A至7C中，被虛線框環(huán)繞的部分為驅(qū)動根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件12的晶體管11。發(fā)光元件12為根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件，具有位于第一電極13和第二電極14之間的發(fā)光層15。晶體管11的漏區(qū)通過滲透進入第一層間絕緣膜16a，16b和16c的線路17與第一電極13電連接。進一步地，發(fā)光元件12通過堤層18與相鄰的另一發(fā)光元件隔離。在該實施方案中，具有所述結(jié)構(gòu)的根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置位于基片10上。
圖7A至7C所示的每個晶體管為頂部柵極類型，其中柵電極位于與基片相對的一面，從而將半導(dǎo)體層插入柵電極和基片之間。晶體管11的結(jié)構(gòu)沒有特別的限制。例如，晶體管11可以為底部柵極類型。在底部柵極類型的情況下，晶體管可以為溝道保護型，其中在形成溝道區(qū)的部分半導(dǎo)體層上形成保護膜，或者為溝道蝕刻型，其中形成溝道區(qū)的半導(dǎo)體層部分形成有凹入部分。
構(gòu)成晶體管11的半導(dǎo)體層可以為晶體半導(dǎo)體層或無定形半導(dǎo)體層?；蛘?，可以采用半無定形半導(dǎo)體層。
半無定形半導(dǎo)體層的解釋如下半無定形半導(dǎo)體具有介于無定形結(jié)構(gòu)和晶體結(jié)構(gòu)(包括單晶和多晶)之間的中間結(jié)構(gòu)。所述半無定形半導(dǎo)體在自由能方面具有穩(wěn)定的第三態(tài)，并具有短程有序和晶格畸變的結(jié)晶區(qū)。至少部分半無定形半導(dǎo)體膜包括粒徑為0.5至20nm的晶粒。L-O聲子衍生的拉曼光譜峰轉(zhuǎn)移至低于520cm-1的波數(shù)。通過X線衍射，觀察到可能衍生自Si晶格的衍射峰(111)，(220)。在半無定形半導(dǎo)體中含有1原子％或更高的氫或鹵素，作為中和劑以使懸空鍵封端。這樣的半無定形半導(dǎo)體稱為微晶體半導(dǎo)體。采用由輝光放電分解(等離子體CVD)形成的硅化物氣體制成所述半無定形半導(dǎo)體。作為硅化物氣體，除SiH4之外，可以采用Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4。硅化物氣體可以經(jīng)H2稀釋，或者經(jīng)H2和一種或多種選自He、Ar、Kr和Ne的稀有氣體元素稀釋。稀釋比例為2至1000倍。施加的電壓為0.1至133Pa。電源頻率為1至120MHz，優(yōu)選13至60MHz?；訜釡囟戎炼?00℃，優(yōu)選100至250℃。作為膜中的雜質(zhì)元素，大氣組成物例如氧、氮、碳等優(yōu)選具有密度1×1020/cm3，尤其是氧密度為5×1019/cm3或更低，優(yōu)選地1×1019/cm3或更低。包括半無定形半導(dǎo)體的TFT(薄膜晶體管)的流動性為大約1至10cm2/Vsec。
作為晶體半導(dǎo)體層的一個具體例子，可以提及由單晶硅、多晶硅、硅鍺等形成的半導(dǎo)體層。這些半導(dǎo)體層可以通過激光結(jié)晶、或采用鎳等的固相生長法結(jié)晶而形成。
在由無定形材料，例如無定形硅形成半導(dǎo)體層的情況下；發(fā)光裝置優(yōu)選具有由晶體管11和其它晶體管(用于組成驅(qū)動發(fā)光元件的電路)組成的電路，每個晶體管由N-溝道型晶體管構(gòu)成。在由除無定形材料之外的材料形成半導(dǎo)體層的情況下，發(fā)光裝置可以具有由N-溝道型晶體管或P-溝道型晶體管組成的電路；或者發(fā)光裝置可以具有由N-溝道型晶體管和P-溝道型晶體管組成的電路。
第一層間絕緣膜16a至16c可以由圖7A至7C所示的多層或單層構(gòu)成。所述層間絕緣膜16a由無機材料例如氧化硅或氮化硅構(gòu)成，層間絕緣膜16b由丙烯酸、硅氧烷(硅氧烷由硅(Si)和氧(O)鍵形成的骨架形成，其中含有至少一個氫的有機基團(例如烷基或芳香烴)作為取代基。或者，氟基作為取代基。進一步地或者，氟基和含有至少一個氫的有機基團作為取代基)、能夠涂覆成膜的硅氧化物等制成，層間絕緣膜16c由含有氬(Ar)的氮化硅膜制成。構(gòu)成每層的材料沒有特別的限制，可以采用上述材料之外的材料。由上述材料之外的材料構(gòu)成的層可以疊加。如上所述，第一層間絕緣膜16a至16c可以由無機材料和有機材料構(gòu)成，或者由無機材料或有機材料中的任一種構(gòu)成。
形成的堤層18優(yōu)選具有邊緣部分，其曲率半徑連續(xù)變化。堤層18由丙烯酸、硅氧烷、抗蝕劑、氧化硅等制成。堤層18可以由無機材料或有機材料中的任一種構(gòu)成，或者由無機材料和有機材料構(gòu)成。
在圖7A和7C中，在晶體管11和發(fā)光元件12之間僅僅形成第一層間絕緣膜16a至16c?；蛘?，在晶體管11和發(fā)光元件12之間不僅形成第一層間絕緣膜16a和16b，還形成第二層間絕緣膜19a和19b。在圖7B所示的發(fā)光裝置中，第一電極13穿過第二層間絕緣膜19a和19b，連接線路17。
第二層間絕緣膜19a和19b可以象第一層間絕緣膜16a至16c那樣由多層構(gòu)成或由單層構(gòu)成。第二層間絕緣膜19a由丙烯酸、硅氧烷、能夠涂覆成膜的氧化硅等制成，第二層間絕緣膜19b由含有氬(Ar)的氮化硅膜制成。構(gòu)成每層的材料沒有特別的限制，可以采用上述材料之外的材料。由上述材料之外的材料構(gòu)成的層可以疊加。如上所述，第二層間絕緣膜19a和19b可以由無機材料和有機材料構(gòu)成，或者由無機材料或有機材料中的任一種構(gòu)成。
當(dāng)發(fā)光元件12內(nèi)第一電極13和第二電極14均由具有透光性能的材料構(gòu)成時，光可以從第一電極13側(cè)和第二電極14側(cè)射出來，如圖7A中用邊框箭頭表示。當(dāng)發(fā)光元件12內(nèi)只有第二電極14由具有透光性能的材料構(gòu)成時，光只能從第二電極14側(cè)射出來，如圖7B中的邊框箭頭表示。在該情況下，第一電極13優(yōu)選由具有高反射率的材料制成，或者優(yōu)選在第一電極13的下面提供由具有高反射率的材料制成的膜(反射膜)。當(dāng)發(fā)光元件12內(nèi)只有第一電極13由具有透光性能的材料構(gòu)成時，光只能從第一電極13側(cè)射出來，如圖7C中的邊框箭頭表示。在該情況下，第二電極14優(yōu)選由具有高反射率的材料制成，或者優(yōu)選在第二電極14的下面形成反射膜。
在發(fā)光元件12中，第一電極13可以作為陽極，而第二電極14可以作為陰極，或者，第一電極13可以作為陰極，而第二電極14可以作為陽極。在第一種情況下，晶體管11為P溝道型晶體管。在后一情況下，晶體管11為N溝道型晶體管。
實施方案5通過采用根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置，可以得到能夠長時間進行良好顯示的電器或者可以得到能夠長時間良好發(fā)光的電子設(shè)備。
圖8A至8C中顯示了具有根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置的電器的具體例子。
圖8A顯示了筆記本電腦，包括主體5521、外殼5522、顯示部分5523、鍵盤5524等，其通過采用本發(fā)明而生產(chǎn)。所述筆記本電腦通過結(jié)合具有本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光裝置作為顯示部分5523而完成。
圖8B顯示了手機，包括主體5552、顯示部分5551、聲音輸出部分5554、聲音輸入部分5555、操作鍵5556、5557、天線5553等，其通過采用本發(fā)明而生產(chǎn)。所述手機通過結(jié)合具有本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光裝置作為顯示部分5551而完成。
圖8C顯示了TV廣播收音機，包括顯示部分5531、外殼5532、揚聲器5533等，其通過采用本發(fā)明而生產(chǎn)。所述TV廣播收音機通過結(jié)合具有本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光裝置作為顯示部分5531而完成。
如上所述，本發(fā)明的發(fā)光裝置極其適合用作各種電器的顯示部分。
在該實施方案中，除了上述電器之外，具有本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光裝置可以安裝在汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、發(fā)光設(shè)備等中。
實施例1合成例1解釋了結(jié)構(gòu)式(2)所示的聯(lián)苯胺衍生物的合成方法。
步驟1合成2-溴-螺-9，9’-聯(lián)芴在100ml三頸蒸餾燒瓶中加入鎂(1.26g，0.052mol)。在系統(tǒng)中形成真空。將鎂加熱并攪拌30分鐘，進行活化。冷卻至室溫之后，在系統(tǒng)中形成氮氣流。然后，加入5ml二乙醚和幾滴二溴乙烷。之后，緩慢滴加溶解于15ml二乙醚中的2-溴聯(lián)苯(11.65g，0.050mol)。滴加之后，回流所述反應(yīng)3小時，成為格式試劑。在200ml三頸蒸餾燒瓶中加入2-溴芴酮(11.7g，0.045mol)和40ml二乙醚。合成的格式試劑緩慢滴加至反應(yīng)溶液中。滴加之后，將所述溶液回流2小時，在室溫下攪拌過夜。反應(yīng)之后，用飽和氯化銨溶液洗滌反應(yīng)溶液兩次，用乙酸乙酯萃取水層兩次，用飽和鹽溶液洗滌兩次有機層。用亞硫酸鎂干燥后，抽濾反應(yīng)后的溶液并濃縮，得到18.76g固態(tài)的9-(2-聯(lián)苯基)-2-溴-9-芴醇，產(chǎn)率為90％。
在200ml三頸蒸餾燒瓶中加入合成的9-(2-聯(lián)苯基)-2-溴-9-芴醇(18.76g，0.045mol)、100ml冰醋酸、幾滴濃鹽酸，回流2小時。反應(yīng)后，通過飽和和過濾收集沉積物，過濾并用飽和碳酸氫鈉和水洗滌。得到的棕色固體物質(zhì)從乙醇中重結(jié)晶，得到淡棕色粉末狀固體物質(zhì)10.27g，產(chǎn)率為57％。得到所述淡棕色粉末狀固體物質(zhì)的1H-NMR圖譜，證實其為2-溴-螺-9，9’-聯(lián)芴，結(jié)果如下1H-NMR(300MHz，CDCl3)δppm7.86-7.79(m，3H)，7.70(d，1H，J＝8.4Hz)，7.47-7.50(m，1H)，7.41-7.34(m，3H)，7.12(t，3H，J＝7.7Hz)，6.85(d，1H，J＝2.1Hz)，6.74-6.70(m，3H)上述解釋的合成方法的合成方案(b-1)表示如下 步驟2合成N，N’-雙(螺-9，9’-聯(lián)芴-2-基)-N，N’-二苯基聯(lián)苯胺(縮寫為BSPB)在100ml三頸蒸餾燒瓶中加入N，N’-二苯基聯(lián)苯胺(1.00g，0.0030mol)、由步驟1中解釋的合成方法合成的2-溴-螺-9，9’-聯(lián)芴(2.49g，0.0062mol)、雙(二亞芐基丙酮)鈀(170mg，0.30mmol)以及叔丁醇鈉(1.08g，0.011mol)。在系統(tǒng)中形成氮氣流之后，加入20ml無水甲苯和0.6ml三-叔丁基膦的10％己烷溶液，在80℃下攪拌6小時。反應(yīng)以后，將反應(yīng)溶液冷卻至室溫，加入水，通過吸濾收集沉積的固體物質(zhì)。然后，用二氯甲烷洗滌固體物質(zhì)，得到的白色固體物質(zhì)用釩土柱色譜(氯仿)純化，并從二氯甲烷中重結(jié)晶，得到白色粉末狀固體物質(zhì)(2.66g)，產(chǎn)率93％。
得到所述白色粉末狀固體物質(zhì)的1H-NMR圖譜，證實該產(chǎn)品為結(jié)構(gòu)式(2)表示的聯(lián)苯胺衍生物。圖15顯示了1H-NMR圖譜。1H-NMR圖譜結(jié)果如下1H-NMR(300MHz，DMSO-d6)δppm7.93-7.89(m，8H)，7.39-7.33(m，10H)，7.19-7.14(m，8H)，7.09-6.96(m，6H)，6.89-6.84(m，8H)，6.69(d，4H，J＝7.5Hz)，6.54(d，2H，J＝7.8H)，6.25(d，2H，J＝2.4Hz)如上所述，根據(jù)本發(fā)明的化合物可以通過N，N’-二苯基聯(lián)苯胺和2-溴-螺-9，9’-聯(lián)芴的偶合反應(yīng)而合成得到。上述解釋的合成方法的合成方案(b-2)顯示如下
通過PerkinElmer，Inc.生產(chǎn)的型號為Pyrisl DSC的差示掃描量熱儀(DSC)得到所述化合物的玻璃轉(zhuǎn)化溫度、結(jié)晶溫度和熔點。DSC的測量按照以下過程實施，即，以設(shè)計速率40℃/min將樣品(得到的化合物)加熱至450℃，以設(shè)計速率40℃/min冷卻樣品至玻璃態(tài)，然后以設(shè)計速率10℃/min加熱所述玻璃態(tài)樣品。因此，得到如圖9所示的測量結(jié)果。圖9中，水平軸代表溫度(℃)，而垂直軸代表熱流(向上方向表示吸熱)(mW)。根據(jù)測量結(jié)果，所得到的化合物的玻璃轉(zhuǎn)化溫度為172℃，所得到的化合物的結(jié)晶溫度為268℃。進一步地，從312℃的切線和327至328℃的切線的交叉點得到熔點為323至324℃。所得到的化合物具有172℃的高玻璃轉(zhuǎn)化溫度，以及良好的耐熱性。所得到的化合物為很難結(jié)晶化的物質(zhì)，因為圖9顯示得到的化合物的結(jié)晶的峰值較寬。
采用汽相沉積法沉積所得到的化合物。通過光電子分光計(AC-2)(RIKEN KEIKI有限公司)測量得到薄膜狀態(tài)的沉積的化合物的電離電勢為-5.3eV。進一步地，通過UV/VIS分光計(V-550)(JASCO國際有限公司)測量薄膜狀態(tài)的沉積的化合物，考慮到吸收光譜的長波長側(cè)的吸收邊沿波長為能量間隙，得到-2.5eV的LUMO水平。圖10顯示了所得到的薄膜狀態(tài)的化合物的吸收光譜。圖10中，水平軸表示吸光度(無單位)，垂直軸表示波長(nm)。圖11顯示了所得到的薄膜狀態(tài)的化合物的發(fā)射光譜。圖11中，水平軸表示發(fā)射強度(任意單位)，垂直軸表示波長(nm)。
在14Pa和350℃的條件下升華并純化所得到的化合物(4.74g)，持續(xù)24小時，收集到3.49g化合物，產(chǎn)率為74％。
實施例2參照圖2對采用根據(jù)合成例1的步驟2合成得到的玻璃轉(zhuǎn)化溫度為172℃的化合物而得到的發(fā)光元件進行解釋。
通過濺射法將含有硅的銦錫氧化物沉積在玻璃基片701上，形成厚度為110nm的第一電極702。
然后，采用真空沉積法將DNTPD沉積在第一電極702上，得到厚度為50nm的DNTPD制成的第一層703。
然后，通過真空沉積法將BSPB沉積在由DNTD制成的第一層703上，形成厚度為10nm的由BSPB制成的第二層704。
采用共蒸發(fā)法將Alq3和香豆素6沉積在由BSPB制成的第二層704上，形成含有Alq3和香豆素6的第三層705。第三層705含有的香豆素6和Alq3的質(zhì)量比為0.5質(zhì)量％。因此，香豆素6為分散在Alq3中的狀態(tài)。形成厚度為37.5nm的第三層705。共蒸發(fā)法是指同時從多個蒸發(fā)源沉積材料的汽相沉積法。
通過真空沉積法將Alq3沉積在含有Alq3和香豆素6的第三層705上，形成厚度為37.5nm的由Alq3制成的第四層706。
采用真空沉積法將氟化鈣沉積在由Alq3制成的第四層706上，形成厚度為1nm的由氟化鈣制成的第五層707。
通過真空沉積法將鋁沉積在由氟化鈣制成的第五層707上，形成第二電極708。
當(dāng)通過在如上生產(chǎn)的發(fā)光元件的第一電極和第二電極上施加電壓使電流通過第一電極702和第二電極708時，香豆素6發(fā)出光。在此情況下，第一電極702作為陽極，第二電極708作為陰極。進一步地，由DNTPD制成的層703作為空穴注入層，由BSPB制成的層704作為空穴傳輸層，含有Alq3和香豆素6的層705作為發(fā)光層，由Alq3制成的層706作為電子傳輸層，由氟化鈣制成的層707作為發(fā)光元件的電子注入層。
圖12顯示了根據(jù)該實施例的發(fā)光元件的電流密度-亮度特性。圖13顯示了其電壓-亮度特性。圖14顯示了其亮度-電流效率特性。圖12中，水平軸表示電流密度，而垂直軸表示亮度。圖13中，水平軸表示電壓，垂直軸表示亮度。圖14中，水平軸表示亮度，垂直軸表示電流效率。
根據(jù)該實施例的發(fā)光元件的發(fā)射光譜的峰值在510nm，其CIE色度坐標為x＝0.25，y＝0.66。
因此，根據(jù)該實施例的發(fā)光元件可以得到來自香豆素6的良好光發(fā)射。認為其來自這樣一個事實，即激發(fā)能量不能從作為發(fā)光層的層705移至由根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物制成的層，所述由聯(lián)苯胺衍生物制成的層還作為空穴傳輸層。因此，根據(jù)本發(fā)明的聯(lián)苯胺衍生物適合作為空穴傳輸材料。
權(quán)利要求
1.一種由通式(1)表示的聯(lián)苯胺衍生物 其中R1為氫或具有1-4個碳原子的烷基。
2.一種由結(jié)構(gòu)式(2)表示的聯(lián)苯胺衍生物
3.一種具有發(fā)光元件的發(fā)光裝置，所述發(fā)光元件具有位于一對電極之間的根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聯(lián)苯胺衍生物。
4.一種通過N，N’-二苯基聯(lián)苯胺和2-溴-螺-9，9’-聯(lián)芴的偶合反應(yīng)得到的化合物，其中所述化合物的熔點為323至324℃。
5.一種具有發(fā)光元件的發(fā)光裝置，所述發(fā)光元件具有位于一對電極之間的根據(jù)權(quán)利要求4所述的化合物。
6.一種含有由通式(1)表示的聯(lián)苯胺衍生物的空穴傳輸材料 其中R1為氫或具有1-4個碳原子的烷基。
7.一種含有由結(jié)構(gòu)式(2)表示的聯(lián)苯胺衍生物的空穴傳輸材料
8.一種空穴傳輸材料，其含有通過N，N’-二苯基聯(lián)苯胺和2-溴-螺-9，9’-聯(lián)芴的偶合反應(yīng)得到的化合物，其中所述化合物的熔點為323至324℃。
9.一種具有發(fā)光元件的發(fā)光裝置，所述發(fā)光元件具有包括如權(quán)利要求6至8任意一項所述的空穴傳輸材料的層。
10.一種在顯示部分具有如權(quán)利要求3，5和9任意一項所述的發(fā)光裝置的電器。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明，提供了可以作為空穴傳輸材料的材料。進一步地，還提供了一種易于保持在非晶體狀態(tài)并可以作為空穴傳輸材料的材料。本發(fā)明的一個實施方案為由通式(1)表示的化合物。在通式(1)中，R
文檔編號H05B33/14GK1964938SQ20058001875
公開日2007年5月16日 申請日期2005年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月10日
發(fā)明者川上祥子 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所