專利名稱：電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法，尤指一種適用于無接點式(Bumpless)電子元件封裝，可提升電性效能與散熱效益的電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法。
背景技術(shù)：
公知的電子元件構(gòu)裝方法的步驟如下所述首先，以機械式鉆孔法或激光鉆孔法于于基板11挖設(shè)復(fù)數(shù)個貫孔(圖中未示)，再將固定膠帶12貼附于基板11的表面，如圖1a所示。接著，將復(fù)數(shù)個晶片13分別置入于前述的復(fù)數(shù)個貫孔中，此等晶片13便被前述固定膠帶12吸附而固定。但是，即使被固定膠帶12吸附住，此等晶片13仍可些微移動。所以一般會再分別注入固定膠14于復(fù)數(shù)個貫孔中，以進一步地固定此等晶片13的位置。最后，再以旋鍍法或其他方式于基板11的另一未被固定膠帶12覆蓋的表面形成一由介電材質(zhì)構(gòu)成的保護層15，如圖1b所示。
由上可知，由于前述基板11的貫孔必須能容納整個晶片13于其中并且固定其位置。因此，這些貫孔的尺寸必須非常精確，且其尺寸僅可略大于晶片的尺寸。此外，由于這些貫孔必須依照所欲容置的晶片的尺寸而調(diào)整其尺寸。所以，當(dāng)必須將數(shù)個具有不同尺寸的晶片封裝于同一基板上時，公知的電子元件構(gòu)裝方法就必須包括一分別依照各個晶片的位置及其各自的尺寸分別挖設(shè)數(shù)個具有不同孔徑的貫孔于同一基板上，大幅增加整個構(gòu)裝制程的復(fù)雜度。
除此之外，由于前述貫孔尺寸仍略大于晶片13的尺寸。所以，當(dāng)將晶片13放置于貫孔時，晶月13可能傾斜地卡在貫孔中段，使晶片13而非如預(yù)期地置放于貫孔底部的固定膠帶12上。此種晶片放置位置的偏差會使得后續(xù)制程無法繼續(xù)進行，如形成金屬接點，進而影響公知的電子元件構(gòu)裝制程的良率。另外，公知的電子元件構(gòu)裝制程必須注入固定膠14于晶片13與貫孔孔壁之間的空隙中，以進一步地固定晶片13于貫孔中的位置。因此，公知的電子元件構(gòu)裝制程額外增加此一固定膠14的成本。況且，由于晶片13被固定膠14完全包覆于貫孔中，此種構(gòu)裝容易造成晶片13運作時產(chǎn)生的熱無法有效移除到外界，而導(dǎo)致晶片13的溫度過高而縮短其使用壽命。
雖然以上的公知電子構(gòu)裝制程良率偏低，但由于其具備較佳的電性效能，因此，業(yè)界亟需一種可以改善上述公知的電子元件構(gòu)裝方法所具有的缺點，且同時可簡化電子元件構(gòu)裝步驟并提升構(gòu)裝制程良率的電子元件構(gòu)裝方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的電子元件構(gòu)裝方法，包括下列步驟(A)提供一具有復(fù)數(shù)個第一通孔的基板及該等電子元件，其中該等電子元件分別具有復(fù)數(shù)個輸出入單元；(B)形成一固定膠層于該基板的一第一表面；(C)固定該等電子元件于該固定膠層，其中該等電子元件的該等輸出入單元分別對位于該等第一通孔；(D)形成復(fù)數(shù)個固定層于該等電子元件間的間隙；(E)挖設(shè)復(fù)數(shù)個第一穿孔于該固定膠層，其中該等第一穿孔分別對位于該等第一通孔；(F)形成復(fù)數(shù)個第一金屬傳導(dǎo)單元于該等第一通孔、該等第一穿孔及該基板的部分表面，且該等第一金屬傳導(dǎo)單元分別與該等輸出入單元相連接；以及(G)形成一保護層于該基板的一遠(yuǎn)離該等電子元件的第二表面。
所述的構(gòu)裝方法，其中該等第一通孔是以機械式鉆孔法形成于該基板。
所述的構(gòu)裝方法，其中該基板的材質(zhì)為玻璃纖維。
所述的構(gòu)裝方法，其中該固定膠層是以壓合法形成于該基板的該第一表面。
所述的構(gòu)裝方法，其中該方法于步驟(F)之后，還包括一步驟(G)，利用增層法于該保護層的表面形成復(fù)數(shù)個多層配線結(jié)構(gòu)。
所述的構(gòu)裝方法，其中該保護層是以溶膠凝膠法形成于該基板的該第二表面。
所述的構(gòu)裝方法，其中該構(gòu)裝方法還包括一挖設(shè)復(fù)數(shù)個第二通孔、復(fù)數(shù)個第二穿孔及復(fù)數(shù)個貫孔于該基板、該固定膠層及該固定層，且于該等第二通孔、該等第二穿孔及該等貫孔中形成復(fù)數(shù)個第二金屬傳導(dǎo)單元的步驟。
所述的構(gòu)裝方法，其中該等第二穿孔對位于該等第二通孔。
所述的構(gòu)裝方法，其中該等貫孔對位于該等第二穿孔。
本發(fā)明提供的電子元件構(gòu)裝方法，配合復(fù)數(shù)個電子元件，包括(A)提供一基板及該等電子元件，其中該等電子元件分別具有復(fù)數(shù)個輸出入單元且該基板的一第一表面具有一固定膠層；(B)固定該等電子元件于該固定膠層；(C)形成復(fù)數(shù)個固定層于該等電子元件間的間隙；(D)挖設(shè)復(fù)數(shù)個第一通孔于該基板且挖設(shè)復(fù)數(shù)個第一穿孔于該固定膠層，其中該等第一穿孔對位于該等輸出入單元，該等第一通孔對位于該等第一穿孔；(E)形成復(fù)數(shù)個第一金屬傳導(dǎo)單元于該等第一通孔、該等第一穿孔及該基板的部分表面，且該等第一金屬傳導(dǎo)單元分別與該等輸出入單元相連接；以及(F)形成一保護層于該基板的一遠(yuǎn)離該等電子元件的第二表面。
所述的構(gòu)裝方法，其中該等第一通孔是以機械式鉆孔法形成于該基板。
所述的構(gòu)裝方法，其中該基板的材質(zhì)為玻璃纖維。
所述的構(gòu)裝方法，其中該固定膠層是以壓合法形成于該基板的該第一表面。
所述的構(gòu)裝方法，其中該方法于步驟(F)后，還包括一步驟(G)，利用增層法于該保護層的表面形成復(fù)數(shù)個多層配線結(jié)構(gòu)。
所述的構(gòu)裝方法，其中該保護層是以溶膠凝膠法形成于該基板的該第二表面。
所述的構(gòu)裝方法，其中該構(gòu)裝方法還包括一挖設(shè)復(fù)數(shù)個第二通孔、復(fù)數(shù)個第二穿孔及復(fù)數(shù)個貫孔于該基板、該固定膠層及該固定層，且于該等第二通孔、該等第二穿孔及該等貫孔中形成復(fù)數(shù)個第二金屬傳導(dǎo)單元的步驟。
所述的構(gòu)裝方法，其中該等第二穿孔對位于該等第二通孔。
所述的構(gòu)裝方法，其中該等貫孔對位于該等第二穿孔。
本發(fā)明提供的電子元件構(gòu)裝，配合復(fù)數(shù)個分別具有復(fù)數(shù)個輸出入單元的電子元件，包括一具有復(fù)數(shù)個第一通孔的基板；一具有復(fù)數(shù)個第一穿孔的固定膠層，其中該等電子元件由該固定膠層結(jié)合于該基板的下表面，且該等第一通孔分別對應(yīng)于該等第一穿孔，該等第一穿孔分別對應(yīng)于該等輸出入單元；復(fù)數(shù)個位于該基板下表面的固定層，分別夾置于該等電子元件間的間隙；復(fù)數(shù)個第一金屬傳導(dǎo)單元，分別位于該等第一通孔、該等第一穿孔及該基板的部分表面，且該等第一金屬傳導(dǎo)單元分別與該等輸出入單元相連接；一覆蓋于該等第一金屬傳導(dǎo)單元的保護層；以及復(fù)數(shù)個導(dǎo)通部，分別位于未被該保護層覆蓋的該等第一金屬傳導(dǎo)單元的表面。
所述的構(gòu)裝，其中該基板的材質(zhì)為玻璃纖維。
所述的構(gòu)裝，其中該構(gòu)裝方法還包括復(fù)數(shù)個位于該基板的第二通孔、復(fù)數(shù)個位于該固定膠層的第二穿孔及復(fù)數(shù)個位于該固定層的貫孔。
所述的構(gòu)裝，其中該構(gòu)裝還包括復(fù)數(shù)個位于該等第二通孔、該等第二穿孔及該等貫孔的第二金屬傳導(dǎo)單元。
所述的構(gòu)裝，其中該等第二穿孔對位于該等第二通孔。
所述的構(gòu)裝，其中該等貫孔對位于該等第二穿孔。
所述的構(gòu)裝，其中該等第一金屬導(dǎo)通單元配合復(fù)數(shù)個具絕緣功能的絕緣部而形成復(fù)數(shù)個多層配線結(jié)構(gòu)。
所述的構(gòu)裝，其中該等導(dǎo)通部為復(fù)數(shù)個錫球。
所述的構(gòu)裝，其中該等導(dǎo)通部由一針柵陣列構(gòu)成。
本發(fā)明提供的電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法可克服公知電子元件構(gòu)裝方法所具的缺點，且可簡化電子元件構(gòu)裝步驟并提升構(gòu)裝制程良率。
本發(fā)明的電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法的基板可由任何材質(zhì)構(gòu)成，較佳為玻璃纖維或不導(dǎo)電的塑膠材質(zhì)。本發(fā)明的電子元件構(gòu)裝方法及構(gòu)裝的電子元件可為任何種類的電子元件，較佳為晶片。本發(fā)明的電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法的第一通孔可以任何適當(dāng)方式形成于基板，較佳為激光鉆孔或機械式鉆孔法。本發(fā)明的電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法的第一穿孔可以任何適當(dāng)方式形成，較佳為機械式鉆孔法或激光鉆孔。
本發(fā)明的電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法的固定膠層可由任何形式的固定膠形成于基板的表面，較佳為溶液狀的固定膠或薄膜狀的固定膠。本發(fā)明的電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法的固定膠層可由任何種類的固定膠形成于基板的表面，較佳為溶液狀的固定膠或薄膜狀的固定膠。
本發(fā)明的電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法的固定膠層可以任何方式形成于基板的表面，較佳為溶膠凝膠法、貼附法或壓合法。本發(fā)明的電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法的固定層可以任何方式形成于電子元件間的間隙，較佳為旋鍍法、溶膠凝膠法或印刷法。本發(fā)明的電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法的第一金屬傳導(dǎo)單元可為任何種類的導(dǎo)電金屬，較佳為銅或金。本發(fā)明的電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法的保護層可以任何方式形成于基板的表面，較佳為溶膠凝膠法、旋鍍法或印刷法。本發(fā)明的電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法的第二通孔可以任何適當(dāng)方式形成于基板，較佳為激光鉆孔或機械式鉆孔法。本發(fā)明的電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法的第二穿孔可以任何適當(dāng)方式形成于固定膠層，較佳為機械式鉆孔法或激光鉆孔。本發(fā)明的電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法的貫孔可以任何適當(dāng)方式形成于固定層，較佳為機械式鉆孔法或激光鉆孔。本發(fā)明的電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法的第二金屬傳導(dǎo)單元可為任何種類的導(dǎo)電金屬，較佳為銅或金。


圖1a為公知的電子元件構(gòu)裝方法所使用的基板的示意圖。
圖1b為運用公知的電子元件構(gòu)裝方法所完成的電子元件構(gòu)裝的示意圖。
圖2為本發(fā)明第一較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法的流程圖。
圖3為本發(fā)明第一較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法所使用的基板的示意圖。
圖4為本發(fā)明第一較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法于將電子元件構(gòu)裝的晶片結(jié)合于基板表面時，基板與晶片所具有的相對位置的示意圖。
圖5為本發(fā)明第一較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法于將復(fù)數(shù)個晶片固定于基板表面后，所形成的電子元件構(gòu)裝的示意圖。
圖6為本發(fā)明第一較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法于形成復(fù)數(shù)個穿孔于固定膠后，所形成的電子元件構(gòu)裝的示意圖。
圖7為本發(fā)明第一較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法于形成復(fù)數(shù)個金屬接點及一保護層后，所形成的電子元件構(gòu)裝的示意圖。
圖8為本發(fā)明第一較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法于形成復(fù)數(shù)個凸塊于保護層表面后，所形成的電子元件構(gòu)裝的示意圖。
圖9為本發(fā)明第一較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法于分別形成復(fù)數(shù)個錫球于復(fù)數(shù)個凸塊之間后，所形成的電子元件構(gòu)裝的示意圖。
圖10為本發(fā)明第二較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法的流程圖。
圖11為本發(fā)明第二較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法所使用的基板的示意圖。
圖12為本發(fā)明第二較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法于將復(fù)數(shù)個晶片放置于基板表面步驟后，所形成的電子元件構(gòu)裝的示意圖。
圖13為本發(fā)明第二較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法于將復(fù)數(shù)個晶片固定于基板表面并形成復(fù)數(shù)個固定保護層步驟后，電子元件構(gòu)裝的示意圖。
圖14為本發(fā)明第二較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法于形成復(fù)數(shù)個于固定膠后，所形成的電子元件構(gòu)裝的示意圖。
圖15為本發(fā)明第二較佳實施例電子元件構(gòu)裝方法于形成復(fù)數(shù)個金屬接點及一保護層后，所形成的電子元件構(gòu)裝的示意圖。
圖16為本發(fā)明第二較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法于形成復(fù)數(shù)個凸塊于保護層表面后，所形成的電子元件構(gòu)裝的示意圖。
圖17為本發(fā)明第二較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法于分別形成復(fù)數(shù)個錫球于復(fù)數(shù)個凸塊之間后，所形成的電子元件構(gòu)裝的示意圖。
圖18為本發(fā)明第三較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法所形成的具有復(fù)數(shù)個通孔、復(fù)數(shù)個穿孔、復(fù)數(shù)個貫通孔及復(fù)數(shù)個凹槽的電子元件構(gòu)裝的示意圖。
圖19為本發(fā)明第三較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法于形成復(fù)數(shù)個金屬接點、復(fù)數(shù)個底端金屬接點及一保護層后，所形成的電子元件構(gòu)裝的示意圖。
圖20為本發(fā)明第三較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法于形成的復(fù)數(shù)個凸塊后，所形成的電子元件構(gòu)裝的示意圖。
圖21為本發(fā)明第三較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法于分別形成復(fù)數(shù)個錫球于復(fù)數(shù)個凸塊之間后，所形成的電子元件構(gòu)裝的示意圖。
具體實施例方式
如圖2所示，本發(fā)明第一較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法的流程將配合各階段的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)圖依序敘述于下首先，提供一基板21，此基板21并事先以機械式鉆孔法或激光鉆孔法形成復(fù)數(shù)個通孔22，其中，此復(fù)數(shù)通孔22的排列是依照后續(xù)晶片上的輸出入接口的排列，如圖3所示。接著，以旋鍍法(spin-coating)形成一層固定膠23于基板21的表面，且將兩分別具有復(fù)數(shù)個輸出入接口241的晶片24對位壓置于固定膠23的表面(雖于相關(guān)圖中僅顯示兩個晶片，但本發(fā)明的范圍并不以此為限。而于后續(xù)說明中，將以兩個品片為例進行相關(guān)敘述)，使得兩晶片24的各個輸出入接口241分別對位于基板21的各個通孔22。待此兩晶片24固定于固定膠23表面以后，再于此兩晶片24間之間隙及此兩晶片24與其他晶片(圖中未示)間的間隙以印刷法形成復(fù)數(shù)個固定保護層25。需注意的是，此等固定保護層25亦可以印刷法形成于此兩晶片24的表面(圖中未示)，如圖4及圖5所示。
如圖6所示，以激光鉆孔法于前述的固定膠23形成復(fù)數(shù)個穿孔221，且此等穿孔221分別對位于基板21的復(fù)數(shù)個通孔22。接著，如圖7所示，分別形成復(fù)數(shù)個金屬接點26于前述的復(fù)數(shù)個通孔22、復(fù)數(shù)個穿孔221及基板21的部分表面，而此等金屬接點26并電連接于兩晶片24的復(fù)數(shù)個輸出入接口241，而此復(fù)數(shù)金屬接點多以電鍍方式形成。隨后，再以溶膠凝膠法(sol-gel)于基板21的遠(yuǎn)離兩晶片24的表面形成一防水保護層27，而此防水保護層27亦可覆蓋于前述的位于基板21的部分表面的金屬接點26。待完成前述的防水保護層27復(fù)，再以業(yè)界常用的圖案(pattern)形成方式(如配合曝光顯影法的干式蝕刻法或濕式蝕刻法)，依照實際的需要將防水保護層27蝕刻成特定的外型，如圖8所示的復(fù)數(shù)個凸塊271。接著，如圖9所示，進行植球的步驟，將復(fù)數(shù)個錫球28分別植入于前述的復(fù)數(shù)個凸塊271間之間隙中。如此，便形成一運用本發(fā)明第一較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法構(gòu)裝的電子元件構(gòu)裝。需要注意的是，由于不同種類的晶片24可具有不同數(shù)目的輸出入接口241，因此本發(fā)明的電子元件構(gòu)裝方法可還包括一于基板21的表面上增層(Build-up)產(chǎn)生至少一絕緣層，且形成相對應(yīng)的配線(Wiring)成為一多層配線結(jié)構(gòu)的步驟。如此，便可將晶片24的各個輸出入接口241整體布局至后續(xù)欲植入錫球的位置。
圖10是本發(fā)明第二較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法的流程圖，此另一較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法同樣將配合各階段的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)圖依序敘述于下如圖11所示，首先，提供一具有一層固定膠32于其表面的基板31，此固定膠32是事先以適當(dāng)方式，如壓合，形成于基板31的表面。接著，如圖12及圖13所示，將兩分別具有復(fù)數(shù)個輸出入接口331的晶片33壓置于固定膠32的表面(雖于相關(guān)圖中僅顯示兩個晶片，但本發(fā)明的范圍并不以此為限。而于后續(xù)說明中，將以兩個晶片為例進行相關(guān)敘述)，再于此兩晶片33間的間隙及此兩晶片33與其他晶片(圖中未示)間的間隙以印刷法形成復(fù)數(shù)個固定保護層34。需注意的是，此等固定保護層34亦可形成于此兩晶片33的表面(圖中未示)。
如圖14所示，以激光鉆孔法分別于基板31及固定膠32挖設(shè)復(fù)數(shù)個通孔351及復(fù)數(shù)個穿孔352，此等通孔351及此等穿孔352分別對位于兩晶片33的復(fù)數(shù)個輸出入接口331。接著，如圖15所示，分別形成復(fù)數(shù)個金屬接點36于前述的復(fù)數(shù)個通孔351、復(fù)數(shù)個穿孔352及基板31的部分表面，且此等金屬接點36電連接于兩晶片33的復(fù)數(shù)個輸出入接口331。隨后，再以溶膠凝膠法(sol-gel)于基板31的遠(yuǎn)離兩晶片33的表面形成一防水保護層37，而此防水保護層37亦可覆蓋于前述的位于基板31的部分表面的金屬接點36。待完成前述的防水保護層37后，再以業(yè)界常用的圖案(pattern)形成方式(如配合曝光顯影法的干式蝕刻法或濕式蝕刻法)，依照實際的需要將防水保護層37蝕刻成特定的外型，如圖16所示的復(fù)數(shù)個凸塊371。接著，如圖17所示，進行植球的步驟，將復(fù)數(shù)個錫球38分別植入于前述的復(fù)數(shù)個凸塊371間的間隙中。如此，便形成一運用本發(fā)明第二較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法構(gòu)裝的電子元件構(gòu)裝。需要注意的是，由于不同種類的晶片33可具有不同數(shù)目的輸出入接口331，因此本發(fā)明的電子元件構(gòu)裝方法可還包括一于基板31的表面上增層(Build-up)產(chǎn)生至少一絕緣層，且形成相對應(yīng)的配線(Wiring)成為一多層配線結(jié)構(gòu)的步驟。如此，便可將晶片33的各個輸出入接口331整體布局至后續(xù)欲植入錫球的位置。
本發(fā)明第三較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法則敘述如下如圖18至圖21所示，此第三較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法于前述的復(fù)數(shù)個金屬接點外，額外于此電子元件構(gòu)裝的另一端(即靠近前述的兩晶片的一端)形成復(fù)數(shù)個金屬接點，如圖19的復(fù)數(shù)個底端金屬接點361。
需注意的是，本發(fā)明第三較佳較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法的前幾步驟與上述的第一較佳實施例或第二較佳實施例大致相同，而其間的不同處僅在于于以機械式鉆孔法或激光鉆孔法于固定膠23形成復(fù)數(shù)個穿孔221的步驟時(第一較佳實施例圖6所示的步驟)或以機械式鉆孔法或激光鉆孔法于基板31及固定膠32分別形成復(fù)數(shù)個通孔351及復(fù)數(shù)個穿孔352的步驟時(第二較佳實施例圖14所示的步驟)，額外于固定保護層25(固定保護層34)、固定膠23(固定膠32)及基板21(基板31)挖設(shè)復(fù)數(shù)個貫通孔353。而除了前述的復(fù)數(shù)個貫通孔353以外，亦可于固定保護層34的底端挖設(shè)凹槽354，如圖18所示。
接著，如圖19所示，分別形成復(fù)數(shù)個金屬接點36于前述的復(fù)數(shù)個通孔351、復(fù)數(shù)個穿孔352、復(fù)數(shù)個貫通孔353及基板31的部分表面，而形成的復(fù)數(shù)個金屬接點36并電連接于兩晶片33的復(fù)數(shù)個輸出入接口331。此外，同時于前述的復(fù)數(shù)個凹槽354中，形成復(fù)數(shù)個底端金屬接點361。隨后，再以溶膠凝膠法于基板31的遠(yuǎn)離兩晶片33的表面形成一防水保護層37，而此防水保護層37亦可覆蓋于前述的位于基板31的部分表面的金屬接點36。待完成前述的防水保護層37后，再以業(yè)界常用的圖案形成方式(如配合曝光顯影法的干式蝕刻法或濕式蝕刻法)，依照實際需要將防水保護層37蝕刻成特定的外型，如圖20所示的復(fù)數(shù)個凸塊371。接著，如圖21所示，進行植球的步驟，將復(fù)數(shù)個錫球38分別植入于前述的復(fù)數(shù)個凸塊371間的間隙中。需要注意的是，由于不同種類的晶片33可具有不同數(shù)目的輸出入接口331，因此本發(fā)明的電子元件構(gòu)裝方法可還包括一于基板31的表面上增層(Build-up)產(chǎn)生至少一絕緣層，且形成相對應(yīng)的配線(Wiring)成為一多層配線結(jié)構(gòu)的步驟。如此，便可將晶片33的各個輸出入接口331整體布局至后續(xù)欲植入錫球的位置。如此，便形成一運用本發(fā)明第三較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法構(gòu)裝并具有額外復(fù)數(shù)個底端金屬接點361的電子元件構(gòu)裝。
需注意的是，雖然于前述的圖18至圖21中，相關(guān)的說明及元件標(biāo)號是以一運用本發(fā)明的第二較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法構(gòu)裝的電子元件構(gòu)裝為例，但本發(fā)明第三較佳較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法亦可應(yīng)用于一運用本發(fā)明的第一較佳實施例的電子元件構(gòu)裝方法構(gòu)裝的電子元件構(gòu)裝。
上述實施例僅為了方便說明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以申請專利范圍所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實施例。
權(quán)利要求
1.一種電子元件構(gòu)裝方法，配合復(fù)數(shù)個電子元件，包括(A)提供一具有復(fù)數(shù)個第一通孔的基板及該等電子元件，其中該等電子元件分別具有復(fù)數(shù)個輸出入單元；(B)形成一固定膠層于該基板的一第一表面；(C)固定該等電子元件于該固定膠層，其中該等電子元件的該等輸出入單元分別對位于該等第一通孔；(D)形成復(fù)數(shù)個固定層于該等電子元件間的間隙；(E)挖設(shè)復(fù)數(shù)個第一穿孔于該固定膠層，其中該等第一穿孔分別對位于該等第一通孔；(F)形成復(fù)數(shù)個第一金屬傳導(dǎo)單元于該等第一通孔、該等第一穿孔及該基板的部分表面，且該等第一金屬傳導(dǎo)單元分別與該等輸出入單元相連接；以及(G)形成一保護層于該基板的一遠(yuǎn)離該等電子元件的第二表面。
2.如權(quán)利要求1所述的構(gòu)裝方法，其特征在于，其中該等第一通孔是以機械式鉆孔法形成于該基板。
3.如權(quán)利要求1所述的構(gòu)裝方法，其特征在于，其中該基板的材質(zhì)為玻璃纖維。
4.如權(quán)利要求1所述的構(gòu)裝方法，其特征在于，其中該固定膠層是以壓合法形成于該基板的該第一表面。
5.如權(quán)利要求1所述的構(gòu)裝方法，其特征在于，其中該方法于步驟(F)之后，還包括一步驟(G)，利用增層法于該保護層的表面形成復(fù)數(shù)個多層配線結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1所述的構(gòu)裝方法，其特征在于，其中該保護層是以溶膠凝膠法形成于該基板的該第二表面。
7.如權(quán)利要求1所述的構(gòu)裝方法，其特征在于，其中該構(gòu)裝方法還包括一挖設(shè)復(fù)數(shù)個第二通孔、復(fù)數(shù)個第二穿孔及復(fù)數(shù)個貫孔于該基板、該固定膠層及該固定層，且于該等第二通孔、該等第二穿孔及該等貫孔中形成復(fù)數(shù)個第二金屬傳導(dǎo)單元的步驟。
8.如權(quán)利要求7所述的構(gòu)裝方法，其特征在于，其中該等第二穿孔對位于該等第二通孔。
9.如權(quán)利要求7所述的構(gòu)裝方法，其特征在于，其中該等貫孔對位于該等第二穿孔。
10.一種電子元件構(gòu)裝方法，配合復(fù)數(shù)個電子元件，包括(A)提供一基板及該等電子元件，其中該等電子元件分別具有復(fù)數(shù)個輸出入單元且該基板的一第一表面具有一固定膠層；(B)固定該等電子元件于該固定膠層；(C)形成復(fù)數(shù)個固定層于該等電子元件間的間隙；(D)挖設(shè)復(fù)數(shù)個第一通孔于該基板且挖設(shè)復(fù)數(shù)個第一穿孔于該固定膠層，其中該等第一穿孔對位于該等輸出入單元，該等第一通孔對位于該等第一穿孔；(E)形成復(fù)數(shù)個第一金屬傳導(dǎo)單元于該等第一通孔、該等第一穿孔及該基板的部分表面，且該等第一金屬傳導(dǎo)單元分別與該等輸出入單元相連接；以及(F)形成一保護層于該基板的一遠(yuǎn)離該等電子元件的第二表面。
11.如權(quán)利要求10所述的構(gòu)裝方法，其特征在于，其中該等第一通孔是以機械式鉆孔法形成于該基板。
12.如權(quán)利要求10所述的構(gòu)裝方法，其特征在于，其中該基板的材質(zhì)為玻璃纖維。
13.如權(quán)利要求10所述的構(gòu)裝方法，其特征在于，其中該固定膠層是以壓合法形成于該基板的該第一表面。
14.如權(quán)利要求10所述的構(gòu)裝方法，其特征在于，其中該方法于步驟(F)后，還包括一步驟(G)，利用增層法于該保護層的表面形成復(fù)數(shù)個多層配線結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求10所述的構(gòu)裝方法，其特征在于，其中該保護層是以溶膠凝膠法形成于該基板的該第二表面。
16.如權(quán)利要求10所述的構(gòu)裝方法，其特征在于，其中該構(gòu)裝方法還包括一挖設(shè)復(fù)數(shù)個第二通孔、復(fù)數(shù)個第二穿孔及復(fù)數(shù)個貫孔于該基板、該固定膠層及該固定層，且于該等第二通孔、該等第二穿孔及該等貫孔中形成復(fù)數(shù)個第二金屬傳導(dǎo)單元的步驟。
17.如權(quán)利要求16所述的構(gòu)裝方法，其特征在于，其中該等第二穿孔對位于該等第二通孔。
18.如權(quán)利要求16所述的構(gòu)裝方法，其特征在于，其中該等貫孔對位于該等第二穿孔。
19.一種電子元件構(gòu)裝，配合復(fù)數(shù)個分別具有復(fù)數(shù)個輸出入單元的電子元件，包括一具有復(fù)數(shù)個第一通孔的基板；一具有復(fù)數(shù)個第一穿孔的固定膠層，其中該等電子元件由該固定膠層結(jié)合于該基板的下表面，且該等第一通孔分別對應(yīng)于該等第一穿孔，該等第一穿孔分別對應(yīng)于該等輸出入單元；復(fù)數(shù)個位于該基板下表面的固定層，分別夾置于該等電子元件間的間隙；復(fù)數(shù)個第一金屬傳導(dǎo)單元，分別位于該等第一通孔、該等第一穿孔及該基板的部分表面，且該等第一金屬傳導(dǎo)單元分別與該等輸出入單元相連接；一覆蓋于該等第一金屬傳導(dǎo)單元的保護層；以及復(fù)數(shù)個導(dǎo)通部，分別位于未被該保護層覆蓋的該等第一金屬傳導(dǎo)單元的表面。
20.如權(quán)利要求19所述的構(gòu)裝，其特征在于，其中該基板的材質(zhì)為玻璃纖維。
21.如權(quán)利要求19所述的構(gòu)裝，其特征在于，其中該構(gòu)裝方法還包括復(fù)數(shù)個位于該基板的第二通孔、復(fù)數(shù)個位于該固定膠層的第二穿孔及復(fù)數(shù)個位于該固定層的貫孔。
22.如權(quán)利要求21所述的構(gòu)裝，其特征在于，其中該構(gòu)裝還包括復(fù)數(shù)個位于該等第二通孔、該等第二穿孔及該等貫孔的第二金屬傳導(dǎo)單元。
23.如權(quán)利要求21所述的構(gòu)裝，其特征在于，其中該等第二穿孔對位于該等第二通孔。
24.如權(quán)利要求21所述的構(gòu)裝，其特征在于，其中該等貫孔對位于該等第二穿孔。
25.如權(quán)利要求19所述的構(gòu)裝，其特征在于，其中該等第一金屬導(dǎo)通單元配合復(fù)數(shù)個具絕緣功能的絕緣部而形成復(fù)數(shù)個多層配線結(jié)構(gòu)。
26.如權(quán)利要求19所述的構(gòu)裝，其特征在于，其中該等導(dǎo)通部為復(fù)數(shù)個錫球。
27.如權(quán)利要求19所述的構(gòu)裝，其特征在于，其中該等導(dǎo)通部由一針柵陣列構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法，尤指一種無接點式(Bumpless)且可提供高效能電性需求及更佳散熱效益的電子元件構(gòu)裝及構(gòu)裝方法。此方法包括提供一具有復(fù)數(shù)個通孔的基板及復(fù)數(shù)個電子元件；形成一固定膠層于此基板表面并固定此等電子元件于此固定膠層，其中此等電子元件的復(fù)數(shù)個輸出入單元分別對位于此等通孔；形成復(fù)數(shù)個固定層于此等微電子元件的間隙；于此固定膠層挖設(shè)復(fù)數(shù)個分別對位于此等通孔的穿孔；形成復(fù)數(shù)個連接于此等輸出入單元的金屬傳導(dǎo)單元于此等通孔、此等穿孔及部分基板表面；以及，于此基板的另一表面形成一保護層。
文檔編號H05K13/04GK1809253SQ20051000465
公開日2006年7月26日 申請日期2005年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月21日
發(fā)明者陳守龍, 蕭景文, 陳裕華, 柯正達(dá), 林志榮 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院