一種高發(fā)光開口率的顯示裝置及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及0LED顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種高發(fā)光開口率的顯示裝置及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]經(jīng)過近三十年的發(fā)展,有機(jī)電致發(fā)光器件(英文全稱為Organic Light EmittingDev i c e,簡稱為OLED)作為下一代照明和顯示技術(shù),具有色域?qū)?、響?yīng)快、廣視角、無污染、高對比度、平面化等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)在照明和顯示上得到一定程度的應(yīng)用。典型的有機(jī)電致發(fā)光器件一般包括透明基板、透明陽極、陰極以及設(shè)置在兩個(gè)電極間的有機(jī)功能層。
[0003]AM0LED顯示屏由于蒸鍍的掩膜板制作精度及蒸鍍對位等因素導(dǎo)致屏體單個(gè)發(fā)光像素的開口率較低,顯示時(shí)會有顆粒感,影響顯示效果。目前三星S5的藍(lán)色0LED材料開口率為 26.74%。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]為此,本發(fā)明所要解決的是現(xiàn)有的0LED發(fā)光像素的開口率低的問題,提供一種高發(fā)光開口率的顯示裝置,其具有較高的像素發(fā)光開口率,且制備工藝簡單。
[0005]本發(fā)明還提供設(shè)置有上述高發(fā)光開口率的顯示裝置的制備方法。
[0006]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
[0007]—種高發(fā)光開口率的顯示裝置,包括0LED,所述0LED包括具有多個(gè)子像素的發(fā)光單元,在發(fā)光單元的出光方向上設(shè)有發(fā)光開口率增大結(jié)構(gòu),所述發(fā)光開口率增大結(jié)構(gòu)包括一具有第一透鏡結(jié)構(gòu)的第一透明薄膜和一具有第二凸透鏡結(jié)構(gòu)的第二透明薄膜,所述第二透明薄膜設(shè)置在所述第一透明薄膜遠(yuǎn)離所述有機(jī)電致發(fā)光單元的一側(cè),光線經(jīng)第一透明薄膜折射后,再經(jīng)第二透明薄膜折射后呈平行狀從而增大像素的發(fā)光開口率。
[0008]所述發(fā)光開口率增大結(jié)構(gòu)包括一具有凹透鏡結(jié)構(gòu)的第一透明薄膜和一具有第二凸透鏡結(jié)構(gòu)的第二透明薄膜,所述第二透明薄膜設(shè)置在所述第一透明薄膜遠(yuǎn)離所述有機(jī)電致發(fā)光單元的一側(cè),光線經(jīng)第一透明薄膜折射后呈發(fā)射狀,再經(jīng)第二透明薄膜折射后呈平行狀從而增大像素的發(fā)光開口率。
[0009]所述第一透明薄膜具有若干陣列排布的凹透鏡結(jié)構(gòu);所述的第二透明薄膜具有若干陣列排布的第二凸透鏡結(jié)構(gòu),所述凹透鏡結(jié)構(gòu)的凹陷部位與所述第二凸透鏡結(jié)構(gòu)的凸出部位相對應(yīng)。
[0010]所述凹透鏡結(jié)構(gòu)中心線和第二凸透鏡結(jié)構(gòu)中心線的間距山為所述凹透鏡結(jié)構(gòu)的焦距fi和第二凸透鏡結(jié)構(gòu)的焦距f 2之差,即d f 2-f1<3
[0011]所述發(fā)光單元距離所述凹透鏡結(jié)構(gòu)的中心線的距離d2為凹透鏡結(jié)構(gòu)焦距f 4勺1至 2 倍,即 d2= (1-2) f1D
[0012]所述發(fā)光開口率增大結(jié)構(gòu)包括一具有第一凸透鏡結(jié)構(gòu)的第一透明薄膜和一具有第二凸透鏡結(jié)構(gòu)的第二透明薄膜,所述第二透明薄膜設(shè)置在所述第一透明薄膜遠(yuǎn)離所述有機(jī)電致發(fā)光單元的一側(cè),光線經(jīng)第一透明薄膜折射后,再經(jīng)第二透明薄膜折射后呈平行狀從而增大像素的發(fā)光開口率。
[0013]所述第一透明薄膜具有若干陣列排布的第一凸透鏡結(jié)構(gòu);所述的第二透明薄膜具有若干陣列排布的第二凸透鏡結(jié)構(gòu),所述第一凸透鏡結(jié)構(gòu)的凸出部位與所述第二凸透鏡結(jié)構(gòu)的凸出部位相對應(yīng)。
[0014]所述的第一透鏡結(jié)構(gòu)和所述第二凸透鏡結(jié)構(gòu)在所述像素單元上的投影重疊且覆蓋相應(yīng)位置的子像素。
[0015]所述第一凸透鏡結(jié)構(gòu)和所述第二凸透鏡結(jié)構(gòu)的中心線的間距(13為所述兩個(gè)透鏡結(jié)構(gòu)的焦距f3和第二凸透鏡結(jié)構(gòu)的焦距f2之和,即d3= f 3+f2。
[0016]所述發(fā)光單元距離所述第一透鏡結(jié)構(gòu)的中心線的距離d4為第一透鏡結(jié)構(gòu)焦距f3的 1 至 2 倍,即 d4= (1-2) f 3o
[0017]一種高發(fā)光開口率的顯示裝置的制備方法,包括制備具有凹透鏡結(jié)構(gòu)的透明薄膜和/或具有凸透鏡結(jié)構(gòu)的透明薄膜;
[0018]S1、制備具有第二凸透鏡結(jié)構(gòu)的透明薄膜
[0019]在透明薄膜上通過曝光顯影方式間隔設(shè)置的腐蝕區(qū)和非腐蝕區(qū),在非腐蝕區(qū)及透明薄膜另一側(cè)的對應(yīng)位置分別涂覆保護(hù)層;
[0020]將腐蝕溶液滴在透明薄膜的一側(cè),刻蝕l_20min,完成半凹透鏡結(jié)構(gòu)的制備;
[0021 ] 在透明薄膜的另一側(cè)滴加腐蝕溶液,刻蝕1 _20min,完成凹透鏡結(jié)構(gòu)的制備,去除保護(hù)層后,即得具有凹透鏡結(jié)構(gòu)的透明薄膜;
[0022]S2、制備具有第二凸透鏡結(jié)構(gòu)的透明薄膜
[0023]向具有凹透鏡結(jié)構(gòu)的模具上涂覆樹脂液后,再將另一具有凹透鏡結(jié)構(gòu)的模具放置在所述樹脂液上方,在80-320°C條件下成型;
[0024]將模具打開,并去除模具得到具有第二凸透鏡結(jié)構(gòu)的透明薄膜;
[0025]S3、將具有凹透鏡結(jié)構(gòu)的透明薄膜和具有凸透鏡結(jié)構(gòu)的透明薄膜設(shè)置在0LED的出光側(cè),構(gòu)成發(fā)光開口率增大結(jié)構(gòu);或?qū)⒕哂胁煌咕嗤雇哥R結(jié)構(gòu)的透明薄膜設(shè)置在0LED的出光側(cè),構(gòu)成發(fā)光開口率增大結(jié)構(gòu)。
[0026]所述的具有第二凸透鏡結(jié)構(gòu)的透明薄膜和具有凹透鏡結(jié)構(gòu)的透明薄膜材質(zhì)相同或不同,分別為聚對苯二甲酸薄膜或聚酰亞胺薄膜,所述的腐蝕溶液為FeCl3溶液,腐蝕溶液為濃度80-95%的FeCl3溶液;保護(hù)層為光刻膠層。
[0027]本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0028]本發(fā)明高發(fā)光開口率的顯示裝置,在顯示裝置的出光方向上設(shè)有發(fā)光開口率增大結(jié)構(gòu),所述發(fā)光開口率增大結(jié)構(gòu)包括一具有第一透鏡結(jié)構(gòu)的第一透明薄膜和一具有第二凸透鏡結(jié)構(gòu)的第二透明薄膜,所述第二薄膜設(shè)置在所述第一薄膜遠(yuǎn)離所述有機(jī)電致發(fā)光單元的一側(cè),光線經(jīng)第一透明薄膜折射后呈發(fā)射狀,再經(jīng)第二透明薄膜折射后呈平行狀從而增大像素的發(fā)光開口率。采用此發(fā)光開口率增大結(jié)構(gòu)后,發(fā)光層所發(fā)出的光經(jīng)過封裝蓋(或透明薄膜)后發(fā)光的開口率大幅提升,實(shí)現(xiàn)效果可以達(dá)到90%以上的開口率效果。由圖1和圖2可以看出,發(fā)光層射出的光線經(jīng)過具有第一透鏡結(jié)構(gòu)的第一透明薄膜折射后呈發(fā)射狀,經(jīng)過具有第二凸透鏡結(jié)構(gòu)的第二透明薄膜呈平形狀,像素開口率由30 μπι增大到50 μ m,發(fā)光開口率大幅提升,最大可以提升80 %。
【附圖說明】
[0029]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解,下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖,對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明,其中
[0030]圖1是本發(fā)明顯示裝置的光線變化示意圖;
[0031]圖2是本發(fā)明第二實(shí)施方式顯示裝置的光線變化示意圖;
[0032]圖3是圖1的光路變化示意圖;
[0033]圖4是圖3的光路變化示意圖;
[0034]圖5是第一透明薄膜制備過程示意圖;
[0035]圖中附圖標(biāo)記表示為:1_發(fā)光層,2-第一透明薄膜,3-第二透明薄膜,4-子像素,5-透明薄膜,6-腐蝕溶液。
【具體實(shí)施方式】
[0036]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0037]本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施,而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實(shí)施例。相反,提供這些實(shí)施例,使得本公開將是徹底和完整的,并且將把本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員,本發(fā)明將僅由權(quán)利要求來限定。在附圖中,為了清晰起見,會夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。應(yīng)當(dāng)理解的是,當(dāng)元件例如層、區(qū)域或基板被稱作“形成在”或“設(shè)置在”另一元件“上”時(shí),該元件可以直接設(shè)置在所述另一元件上,或者也可以存在中間元件。相反,當(dāng)元件被稱作“直接形成在”或“直接設(shè)