【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明與裝置及方法有關(guān)，特別有關(guān)于電子裝置及其功率管理方法。

背景技術(shù)：

強(qiáng)固型電子裝置(如各式軍工規(guī)筆記本電腦、平板計算機(jī)或穿戴式設(shè)備)主要是被設(shè)計來用于極端環(huán)境(如沙漠或極地)中，并具備耐高溫、耐低溫、防塵、防撞及防震等特性。此外，相較于一般電子裝置(工作溫度范圍約為攝氏0度至45度)，強(qiáng)固型電子裝置所配置的電子組件(如處理器、硬盤或內(nèi)存)由于具有特殊硬件架構(gòu)(如加熱層及高效率散熱裝置)，具有更廣的工作溫度范圍(如攝氏零下40至攝氏60度)。

雖現(xiàn)有的強(qiáng)固型電子裝置已可適用于高溫環(huán)境下，然而，當(dāng)實際于高溫下運行時，現(xiàn)有的強(qiáng)固型電子裝置隨溫度增加而階梯式地以相同的處理器限制方式逐步抑制處理器的效能(如溫度每增加攝氏5度，即降低最高頻率100mhz)，通過降低處理器的效能來降低運行功率(即降低所產(chǎn)生熱能)，進(jìn)而避免熱超載。

上述抑制機(jī)制在高溫下會大幅抑制處理器效能，因而使得現(xiàn)有的強(qiáng)固型電子裝置于高溫下處理器的效能不佳。

此外，當(dāng)處于高溫下(如攝氏45度)但處理器的工作溫度未達(dá)會造成熱超載的臨界溫度(如攝氏60度)時，現(xiàn)有的強(qiáng)固型電子裝置仍會自動執(zhí)行上述抑制機(jī)制(如處理器溫度超過攝氏40度即開始逐步抑制處理器效能)，這使得處理器的效能過早被抑制而無法有效發(fā)揮完整效能。

此外，現(xiàn)有的強(qiáng)固型電子裝置于常溫或高溫下皆以相同的抑制方式(即調(diào)整相同的設(shè)定參數(shù))來控制處理器的效能，無法使處理器有效發(fā)揮完整效能。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的，在于提供一種電子裝置及其功率管理方法，可依據(jù)感測溫度使用不同的處理器限制方式來控制處理器，借此提升高溫下的處理器效能。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種電子裝置，包括：感測一感測溫度的一溫度傳感器、儲存一常溫參數(shù)組、一高溫參數(shù)組及一高溫臨界值的一內(nèi)存及電性連接該溫度傳感器及該內(nèi)存的一處理器。該常溫參數(shù)組及該高溫參數(shù)組分別對應(yīng)不同的處理器限制方式。該處理器于判斷該感測溫度不大于該高溫臨界值時，自該內(nèi)存擷取并以該常溫參數(shù)組取代當(dāng)前的參數(shù)組來以不同的處理器限制方式運行，并于判斷該感測溫度大于該高溫臨界值時，擷取并以該高溫參數(shù)組取代當(dāng)前的參數(shù)組來以不同的處理器限制方式運行，其中該處理器使用該高溫參數(shù)組運行時的一高溫運行功率大于使用該常溫參數(shù)組運行時的一常溫運行功率。

本發(fā)明還提供一種功率管理方法，運用于一電子裝置，包括：a)經(jīng)由一溫度傳感器感測一感測溫度；b)自一內(nèi)存擷取一常溫參數(shù)組及一高溫參數(shù)組，其中該常溫參數(shù)組及該高溫參數(shù)組分別對應(yīng)不同的處理器限制方式，并且該電子裝置的一處理器使用該高溫參數(shù)組運行時的一高溫運行功率大于使用該常溫參數(shù)組運行時的一常溫運行功率；c)于判斷該感測溫度不大于一高溫臨界值時，以該常溫參數(shù)組取代當(dāng)前的參數(shù)組來以不同的處理器限制方式運行該處理器；及d)于判斷該感測溫度大于該高溫臨界值時，以該高溫參數(shù)組取代當(dāng)前的參數(shù)組來以不同的處理器限制方式運行該處理器，以提升該處理器的運行功率為該高溫運行功率。

本發(fā)明可有效發(fā)揮處理器的完整效能，并可有效解決高溫下處理器效能不足的問題。

【附圖說明】

圖1為本發(fā)明第一具體實施例的電子裝置架構(gòu)圖。

圖2為本發(fā)明第二具體實施例的電子裝置架構(gòu)圖。

圖3為本發(fā)明第一具體實施例的功率控制方法流程圖。

圖4為本發(fā)明第二具體實施例的功率控制方法流程圖。

圖5為本發(fā)明第三具體實施例的功率控制方法流程圖。

【具體實施方式】

茲就本發(fā)明的一較佳實施例，配合圖式，詳細(xì)說明如后。

續(xù)請參閱圖1，為本發(fā)明第一具體實施例的電子裝置架構(gòu)圖。本發(fā)明揭露了一種電子裝置1(如筆記本電腦、個人計算機(jī)、平板計算機(jī)或穿戴式裝置)，主要包括用以感測溫度的溫度傳感器10、用以儲存數(shù)據(jù)的內(nèi)存12及電性連接上述組件并用以控制電子裝置1的處理器14。

溫度傳感器10可感測感測溫度。較佳地，溫度傳感器10可同時感測電子裝置1外部的環(huán)境溫度及內(nèi)部的處理器14的表面溫度，并依據(jù)所感測到的環(huán)境溫度及表面溫度計算感測溫度。舉例來說，溫度傳感器10可計算環(huán)境溫度及表面溫度的平均溫度或溫度差，并作為感測溫度。

于本發(fā)明的另一實施例中，電子裝置1還包括機(jī)殼16，包覆溫度傳感器10、內(nèi)存12及處理器14并提供保護(hù)。并且，溫度傳感器10設(shè)置于機(jī)殼16內(nèi)且遠(yuǎn)離處理器14的位置(如兩者分別設(shè)置于機(jī)殼16內(nèi)部對角線的兩端)。借此，可有效避免溫度傳感器10的感測動作被處理器14所產(chǎn)生熱量影響，而可更準(zhǔn)確地測得環(huán)境溫度。

內(nèi)存12儲存有若干參數(shù)組。具體而言，各參數(shù)組分別包括至少一設(shè)定參數(shù)，各設(shè)定參數(shù)用來以不同的處理器限制方式控制處理器14的效能及運行功率(前述效能通常與運行功率成正比)。因此，當(dāng)設(shè)定參數(shù)(如最高頻率)的值改變(如 自100mhz變?yōu)?00mhz)時，可使處理器14提供不同等級的效能及運行功率(處理器14提升處理速度但增加運行功率)。

舉例來說，當(dāng)設(shè)定參數(shù)為第一功率限制參數(shù)(cpupowerlimit1，pl1)時(以pl1＝2w為例)，處理器14會以限制長時間功率的方式來將處理器14的長時間(longduration)運行功率控制在2w以下，但不會限制處理器14的其他參數(shù)值(如頻率、啟動核心數(shù)、短時間運行功率或熱控制溫度)。

當(dāng)設(shè)定參數(shù)為第二功率限制參數(shù)(cpupowerlimit2，pl1)時(以pl2＝2.5w為例)，處理器14會以限制短時間功率的方式來將處理器14的短時間(shortduration)運行功率控制在2.5w以下，但不會限制處理器14的其他參數(shù)值。

當(dāng)設(shè)定參數(shù)為頻率參數(shù)(speedstep)時(以speedstep＝800mhz為例)，處理器14會以限制最高頻率的方式來將處理器14的最高頻率控制在800mhz以下，但不會限制處理器14的其他參數(shù)值。

當(dāng)設(shè)定參數(shù)為熱控制電路參數(shù)(thermalcontrolcircuit，tcc)時(以tcc＝10為例)，處理器14會以限制散熱啟動溫度的方式來將處理器14的強(qiáng)制散熱機(jī)制的啟動溫度設(shè)置為低于臨界溫度攝氏10度的溫度，但不會限制處理器14的其他參數(shù)值，其中臨界溫度不會造成處理器14熱超載的最高溫度，如攝氏100度。

值得一提的是，雖于上述說明中，僅以第一功率限制參數(shù)、第二功率限制參數(shù)、頻率參數(shù)及熱控制電路參數(shù)為例進(jìn)行說明，但不應(yīng)以此為限。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者可知悉的任何處理器的設(shè)定參數(shù)，均同理包含于本發(fā)明的范圍內(nèi)。

于本實施例中，內(nèi)存12儲存的若干參數(shù)組至少包括一組常溫參數(shù)組120及一組高溫參數(shù)組122，并且內(nèi)存12還儲存有高溫臨界值124(如攝氏40度)，其中高溫臨界值124可為出廠前預(yù)設(shè)或使用者自行設(shè)定。

處理器14自溫度傳感器10取得感測溫度，并于判斷感測溫度不大于高溫臨界值124時，自內(nèi)存12擷取常溫參數(shù)組120，并以常溫參數(shù)組120取代當(dāng)前的參數(shù)組來以不同的處理器限制方式運行。反之，處理器14判斷感測溫度大于高溫臨界值124時，自內(nèi)存12擷取高溫參數(shù)組122，并以高溫參數(shù)組122取代當(dāng)前的參數(shù)組來以不同的處理器限制方式運行。較佳地，處理器14使用高溫參數(shù)組122運行時的運行功率(下面稱為高溫運行功率)大于使用常溫參數(shù)組120運行時的運行功率(下面稱為常溫運行功率)。

值得一提的是，本發(fā)明的高溫參數(shù)組122所包括的各設(shè)定參數(shù)的值依據(jù)處理器14的散熱啟動溫度來加以規(guī)劃計算。換句話說，本發(fā)明雖于高溫下提升處理器14的運行功率，但由于設(shè)定參數(shù)的值經(jīng)過規(guī)劃計算，處理器14于執(zhí)行對應(yīng)的處理器限制方式而使運行功率提升時，可同時將處理器14的溫度控制在散熱啟動溫度內(nèi)，而可避免處理器14熱超載或燒毀。

本發(fā)明經(jīng)由于高溫下提升處理器的運行功率以提升效能，可有效發(fā)揮處理器的完整效能，并可有效解決高溫下處理器效能不足的問題。

本發(fā)明經(jīng)由以對應(yīng)不同處理器限制方式的參數(shù)組直接取代當(dāng)前的參數(shù)組，可使處理器快速地依據(jù)溫度變化來有效地調(diào)整運行功率，并可有效避免處理器因效能過早被抑制而無法發(fā)揮完整效能。

于本發(fā)明的另一實施例中，常溫參數(shù)組120的參數(shù)類型與高溫參數(shù)組122的參數(shù)類型不同。

舉例來說，常溫參數(shù)組120可同時包括第一功率限制參數(shù)及第二功率限制參數(shù)兩種設(shè)定參數(shù)，高溫參數(shù)組122可同時包括頻率參數(shù)及熱控制電路參數(shù)兩種設(shè)定參數(shù)。換句話說，常溫參數(shù)組120與高溫參數(shù)組122所包括的設(shè)定參數(shù)全部不同。借此，當(dāng)處理器14使用常溫參數(shù)組120運行時，可經(jīng)由同時限制長時間/短時間功率上限的方式來控制效能及運行功率；當(dāng)處理器14使用高溫參數(shù)組122運行時，可經(jīng)由與先前所使用的處理器限制方式不同的另一處理器限制方式(即同時限制頻率及散熱啟動溫度的方式)來控制效能及運行功率。

于另一例子中，常溫參數(shù)組120同時包括第一功率限制參數(shù)及熱控制電路參數(shù)兩種設(shè)定參數(shù)，高溫參數(shù)組122同時包括頻率參數(shù)及熱控制電路參數(shù)兩種設(shè)定參數(shù)。換句話說，常溫參數(shù)組120與高溫參數(shù)組122所包括的設(shè)定參數(shù)部分不同。借此，當(dāng)處理器14使用常溫參數(shù)組120運行時，可經(jīng)由同時限制長時間功率及散熱啟動溫度的方式來控制效能及運行功率；當(dāng)處理器14使用高溫參數(shù)組122運行時，可經(jīng)由與先前所使用的處理器限制方式不同的另一不同的處理器限制方式(即同時限制頻率及散熱啟動溫度的方式)來控制效能及運行功率。

于另一例子中，常溫參數(shù)組120僅包括第一功率限制參數(shù)一種設(shè)定參數(shù)，高溫參數(shù)組122僅包括頻率參數(shù)一種設(shè)定參數(shù)。換句話說，常溫參數(shù)組120與高溫參數(shù)組122所包括的設(shè)定參數(shù)全部不同。借此，當(dāng)處理器14使用常溫參數(shù)組120運行時，可經(jīng)由限制長時間功率的方式來控制效能及運行功率；當(dāng)處理器14使用高溫參數(shù)組122運行時，可經(jīng)由與先前所使用的處理器限制方式不同的另一不同的處理器限制方式(即限制頻率的方式)來控制效能及運行功率。

值得一提的是，于電子裝置1處于常溫環(huán)境時，用戶習(xí)慣將電子裝置1手持或放置于大腿上。于上述情境中，由于電子裝置1直接接觸用戶皮膚，電子裝置1的溫度變化(主要為處理器14的溫度變化)會影響用戶體驗(即當(dāng)電子裝置1的溫度過高或遽升時，可能燙傷使用者)。

因此，本發(fā)明的上述例子于常溫時經(jīng)由直接限制功率的方式來控制處理器14的運行功率，可有效且準(zhǔn)確地控制處理器14(及電子裝置1)的溫度，而可避免因處理器14(及電子裝置1)溫度過高或遽升而形成不佳的使用者體驗。

并且，于電子裝置1處于高溫環(huán)境時，用戶習(xí)慣將電子裝置1放置于桌上。于上述情境中，由于電子裝置1不會接觸用戶皮膚，故電子裝置1的溫度變化 不會直接影響用戶體驗。反之，此時處理器14的效能將明顯影響使用者體驗(如當(dāng)處理器14經(jīng)由抑制效能來控制溫度時，用戶將明顯感覺到電子裝置1的處理速度變慢)。

因此，本發(fā)明的上述例子于高溫時經(jīng)由直接限制頻率的方式來控制處理器14效能，可有效且準(zhǔn)確地控制處理器14的效能，而可避免因提早或過度抑制處理器14效能而形成不佳的使用者體驗。

續(xù)請參閱圖2，為本發(fā)明第二具體實施例的電子裝置架構(gòu)圖。本實施例的電子裝置2、溫度傳感器20、內(nèi)存22、處理器24、機(jī)殼26、常溫參數(shù)組220、高溫參數(shù)組222及高溫臨界值224分別與第一實施例的電子裝置1、溫度傳感器10、內(nèi)存12、處理器14、機(jī)殼16、常溫參數(shù)組120、高溫參數(shù)組122及高溫臨界值124相同或相似，于此不再贅述，下面僅對兩實施例相異的處進(jìn)行說明。

于本實施例中，內(nèi)存22進(jìn)一步儲存一組低溫啟動設(shè)定參數(shù)值226及低溫臨界值228(如攝氏0度)，其中常溫參數(shù)組220、高溫參數(shù)組222及低溫啟動參數(shù)組226分別對應(yīng)不同的處理器限制方式，低溫臨界值228小于高溫臨界值224。

并且，處理器24于判斷感測溫度小于低溫臨界值228時，自內(nèi)存22擷取低溫啟動參數(shù)組226，并以低溫啟動參數(shù)組226取代當(dāng)前的參數(shù)組來以不同的處理器限制方式運行。

較佳地，處理器24使用低溫啟動參數(shù)組226運行時的啟動功率(下面稱為低溫啟動功率)小于使用常溫參數(shù)組220運行時的常溫運行功率。

值得一提的是，于低溫環(huán)境下，電子裝置2的電池(圖未標(biāo)示)可能因放電效率低落而無法提供足夠的電壓來啟動處理器24。本發(fā)明經(jīng)由使用低溫啟動參數(shù)組226來限制處理器24的效能，以使處理器24僅需較小的低溫啟動功率即可啟動，可有效于低溫環(huán)境下啟動處理器24。

于本發(fā)明的另一實施例中，內(nèi)存22進(jìn)一步儲存一組低溫運行參數(shù)組230，其中常溫參數(shù)組220、高溫參數(shù)組220、低溫啟動參數(shù)組226及低溫運行參數(shù)組230分別對應(yīng)不同的處理器限制方式。

并且，處理器24于低溫下使用低溫啟動參數(shù)組226運行且判斷暖機(jī)完畢(如于低溫下的運行時間大于預(yù)存的暖機(jī)時間232，或者，處理器24或電池的溫度大于暖機(jī)溫度)時，自內(nèi)存22擷取低溫運行參數(shù)組230，并以低溫運行參數(shù)組230取代當(dāng)前的參數(shù)組(即低溫啟動參數(shù)組226)，來以不同的處理器限制方式運行，其中處理器24使用低溫運行參數(shù)組230運行時的運行功率(下面稱為低溫運行功率)大于使用低溫啟動參數(shù)組226運行時的低溫啟動功率。

值得一提的是，于暖機(jī)完畢后，電子裝置2的電池的放電效率已獲得提升，而可提供足夠的電壓來正常運作處理器24。本發(fā)明經(jīng)由以對應(yīng)功率較高的低溫運行參數(shù)組230取代對應(yīng)功率較低的低溫啟動參數(shù)組226，來使處理器24以不同的處理器限制方式運行，可于低溫環(huán)境下有效提升處理器24的效能。

于本發(fā)明的另一實施例中，電子裝置1還包括電性連接處理器24的繪圖處理器28。并且，處理器24于偵測處理資源不足時，可分配當(dāng)前處理工作給繪圖處理器28。

具體而言，當(dāng)處理器24以前述任一種處理器限制方式(如使用常溫參數(shù)組220、高溫參數(shù)組222、低溫啟動參數(shù)組226或低溫運行參數(shù)組230)運行，且處理器24的效能已滿載(如處理器24的使用率為80％-100％)時，處理器24可分配當(dāng)前處理中/待處理工作給繪圖處理器28。借此，本發(fā)明可有效降低處理器24的使用率，進(jìn)而降低處理器24的功率及溫度。并且，本發(fā)明經(jīng)由使用繪圖處理器28協(xié)同處理器24處理，可于不增加處理器24的功率及溫度的前提下，提升電子裝置2的整體效能。

于本發(fā)明的另一實施例中，處理器24還包括熱控制電路(tcc)模塊240。熱控制模塊240于判斷處理器24達(dá)到散熱啟動溫度時強(qiáng)制執(zhí)行散熱機(jī)制(如強(qiáng)制降低最高頻率)。

較佳地，前述各參數(shù)組分別包括不同的熱控制電路參數(shù)(以常溫?zé)峥刂齐娐穮?shù)、高溫?zé)峥刂齐娐穮?shù)、低溫啟動熱控制電路參數(shù)及低溫運行熱控制電路參數(shù)為例)。并且，當(dāng)處理器24使用不同的參數(shù)組運行時，可依據(jù)對應(yīng)的熱控制電路參數(shù)來設(shè)定散熱啟動溫度。借此，本發(fā)明可使散熱機(jī)制的散熱啟動溫度更符合當(dāng)前環(huán)境溫度，而可有效避免因散熱機(jī)制過早啟動并抑制處理器24效能而導(dǎo)致使用者體驗不佳，或因散熱機(jī)制過晚啟動而導(dǎo)致處理器24燒毀。

續(xù)請參閱圖3，為本發(fā)明第一具體實施例的功率控制方法流程圖。本發(fā)明各實施的功率控制方法主要由圖1所示的電子裝置1或圖2所示的電子裝置2來加以實現(xiàn)。為方便說明，于后續(xù)說明中，將以圖2所示的電子裝置2來進(jìn)行說明。更進(jìn)一步地，電子裝置2的內(nèi)存22還儲存有計算機(jī)程序234，計算機(jī)程序234內(nèi)儲存有處理器24可執(zhí)行的程序代碼。當(dāng)計算機(jī)程序234被處理器24執(zhí)行后，可實現(xiàn)本發(fā)明各實施的功率控制方法。具體地，本實施例的功率控制方法包括下列步驟。

步驟s10：電子裝置2經(jīng)由溫度傳感器20感測感測溫度。較佳地，電子裝置2感測電子裝置2內(nèi)部遠(yuǎn)離處理器24的位置的溫度，并作為感測溫度。

步驟s12：電子裝置2自內(nèi)存22擷取常溫參數(shù)組220及高溫參數(shù)組222，其中電子裝置2的處理器24使用高溫參數(shù)組222運行時的高溫運行功率大于使用常溫參數(shù)組220運行時的常溫運行功率。并且，常溫參數(shù)組220及高溫參數(shù)組222分別對應(yīng)不同的處理器限制方式。較佳地，常溫參數(shù)組220的參數(shù)類型與高溫參數(shù)組222的參數(shù)類型不同。具體地，常溫參數(shù)組220所包括的設(shè)定參數(shù)的參數(shù)類型與高溫參數(shù)組222所包括的設(shè)定參數(shù)的參數(shù)類型全部/部分不同。

舉例來說，常溫參數(shù)組220包括第一功率限制參數(shù)，高溫參數(shù)組222包括不同參數(shù)類型的頻率參數(shù)。

步驟s14：電子裝置2判斷感測溫度是否大于默認(rèn)的高溫臨界值224。若判斷感測溫度不大于高溫臨界值224，則執(zhí)行步驟s16。若判斷感測溫度大于高溫臨界值224，執(zhí)行步驟s18。

步驟s16：電子裝置2以常溫參數(shù)組220取代當(dāng)前的參數(shù)組來以不同的處理器限制方式(如由直接限制效能的方式變更為直接限制功率方式)運行處理器24。

步驟s18：電子裝置2以高溫參數(shù)組222取代當(dāng)前的參數(shù)組來以不同的處理器限制方式(如由直接限制功率方式變更為直接限制效能的方式)運行處理器24，以提升處理器24的運行功率為高溫運行功率，進(jìn)而提升處理器24于高溫中的效能。

步驟s20：電子裝置2偵測是否被關(guān)閉(如用戶關(guān)閉電子裝置2)。若被關(guān)閉，則結(jié)束功率控制方法。否則，再次執(zhí)行步驟s10。

續(xù)請參閱圖4，為本發(fā)明第二具體實施例的功率控制方法流程圖。本實施例的功率控制方法包括下列步驟。

步驟s300：電子裝置2感測環(huán)境溫度及處理器24的表面溫度。較佳地，電子裝置2可經(jīng)由兩組溫度傳感器20來分別感測環(huán)境溫度及表面溫度，或經(jīng)由單一溫度傳感器20來同時感測環(huán)境溫度及表面溫度。

舉例來說，電子裝置2可于啟動前或初啟動時，經(jīng)由溫度傳感器20對所在環(huán)境進(jìn)行感測以取得環(huán)境溫度。并且，于啟動一段時間后，經(jīng)由相同的溫度傳感器20對處理器24的表面進(jìn)行感測以取得表面溫度。

步驟s302：電子裝置2依據(jù)環(huán)境溫度及表面溫度計算感測溫度。較佳地，電子裝置2對環(huán)境溫度及表面溫度進(jìn)行加權(quán)平均計算，以獲得感測溫度。

步驟s304：電子裝置2自內(nèi)存22擷取常溫參數(shù)組220及高溫參數(shù)組222。

步驟s306：電子裝置2判斷感測溫度是否大于高溫臨界值224。若是，則執(zhí)行步驟s310。否則，執(zhí)行步驟s308。

步驟s308：電子裝置2使用常溫參數(shù)組220來運行處理器24。

步驟s310：電子裝置2使用高溫參數(shù)組222來運行處理器24。

步驟s312：電子裝置2偵測處理資源是否不足。具體而言，電子裝置2偵測目前處理器24的使用率是否過高，或處理器24的溫度是否過高或增加過快。若是，則判斷資源不足，并執(zhí)行步驟s314。否則，執(zhí)行步驟s316。

步驟s314：電子裝置2分配處理器24的當(dāng)前處理工作給繪圖處理器28。更進(jìn)一步地，電子裝置2還可分配處理器24的當(dāng)前處理工作給外部的處理器(如云端處理器，圖未標(biāo)示)或暫緩處理部分工作。

值得一提的是，雖于本實施例中，于使用高溫參數(shù)組222來運行處理器24時才執(zhí)行工作分配功能(步驟s312-s314)，但不以此為限。于其他實施例中，也可僅于使用常溫參數(shù)組220來運行處理器24時(步驟s308)才執(zhí)行工作分配功能，或者，于處理器24運行時常態(tài)執(zhí)行工作分配功能。

步驟s316：電子裝置2設(shè)定散熱啟動溫度。具體而言，常溫參數(shù)組220包括常溫?zé)峥刂齐娐?tcc)參數(shù)，高溫參數(shù)組222包括高溫?zé)峥刂齐娐?tcc)參數(shù)。若電子裝置2當(dāng)前使用常溫參數(shù)組220運行處理器24，則依據(jù)常溫?zé)峥刂齐娐穮?shù)設(shè)定散熱啟動溫度；若電子裝置2當(dāng)前使用高溫參數(shù)組222運行處理器24，則依據(jù)高溫?zé)峥刂齐娐穮?shù)設(shè)定散熱啟動溫度。

或者，電子裝置2也可將散熱啟動溫度直接設(shè)定為用戶預(yù)定的默認(rèn)值(如攝氏80度)。

步驟s318：電子裝置2判斷處理器24的溫度是否達(dá)到散熱啟動溫度。若是，則執(zhí)行步驟s320。否則，執(zhí)行步驟s322。

步驟s320：電子裝置2強(qiáng)制執(zhí)行散熱機(jī)制。較佳地，前述散熱機(jī)制平緩地降低處理器24的電壓，借此降低其頻率，進(jìn)而達(dá)到散熱的目的。

步驟s322：電子裝置2偵測是否被關(guān)閉(如用戶關(guān)閉電子裝置2)。若被關(guān)閉，則結(jié)束功率控制方法。否則，再次執(zhí)行步驟s300。

續(xù)請參閱圖5，為本發(fā)明第三具體實施例的功率控制方法流程圖。本實施例的功率控制方法包括下列步驟。

步驟s50：電子裝置2感測感測溫度。

步驟s52：電子裝置2自內(nèi)存22擷取多個參數(shù)組(如常溫參數(shù)組220、高溫參數(shù)組222、低溫啟動參數(shù)組224及低溫運行參數(shù)組230)。

步驟s54：電子裝置2判斷感測溫度是否大于高溫臨界值224。若是，執(zhí)行步驟s56。否則，執(zhí)行步驟s58。

步驟s56：電子裝置2于判斷感測溫度大于高溫臨界值224時，進(jìn)入高溫模式并使用高溫參數(shù)組222取代當(dāng)前的參數(shù)組以使用適用于高溫的處理器限制方式來運行處理器24。

步驟s58：電子裝置2進(jìn)一步判斷感測溫度是否小于低溫臨界值228。若是，執(zhí)行步驟s62。否則，執(zhí)行步驟s60。

步驟s60：電子裝置2于判斷感測溫度不大于高溫臨界值224且不小于低溫臨界值228時，進(jìn)入常溫模式并使用常溫參數(shù)組220取代當(dāng)前的參數(shù)組以使用適用于常溫的處理器限制方式來運行處理器24。

步驟s62：電子裝置2于判斷小于低溫臨界值228時，進(jìn)入低溫模式并使用低溫啟動參數(shù)組226取代當(dāng)前的參數(shù)組以使用適用于低溫的處理器限制方式來運行處理器24，以使用低功率方式啟動并運行處理器24。

步驟s64：電子裝置2判斷是否暖機(jī)完畢。具體而言，電子裝置2依據(jù)處理器24是否啟動達(dá)暖機(jī)時間232，或電子裝置2的電池或處理器24的溫度是否大于默認(rèn)的暖機(jī)溫度，來判斷是否暖機(jī)完畢。若是，則執(zhí)行步驟s66。否則，執(zhí)行步驟s62。

步驟s66：電子裝置2于判斷暖機(jī)完畢后，使用低溫運行參數(shù)組230取代當(dāng)前使用的低溫啟動參數(shù)組226來以不同的處理器限制方式來運行處理器24，以經(jīng)由提高功率限制來提高處理器24的效能。

步驟s68：電子裝置2偵測是否被關(guān)閉(如用戶關(guān)閉電子裝置2)。若被關(guān)閉，則結(jié)束功率控制方法。否則，再次執(zhí)行步驟s50。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳具體實例，非因此即局限本發(fā)明的專利范圍，故舉凡運用本發(fā)明內(nèi)容所為的等效變化，均同理皆包含于本發(fā)明的范圍內(nèi)，合予陳明。