本發(fā)明涉及電子產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種硅膠振膜的成型方法、硅膠振膜及發(fā)聲裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的硅膠振膜由硅膠層及嵌設(shè)在硅膠層中的高分子膜片構(gòu)成，該硅膠振膜通過注塑成型獲得。在注塑成型時，液體硅膠通過壓力注入模腔，從而包裹住模腔內(nèi)部的高分子膜片，由于壓力和液體流動的影響會對高分子膜片造成沖擊，導(dǎo)致高分子膜片變形或位置改變，而影響成型后的硅膠振膜的質(zhì)量。

另外，現(xiàn)有的硅膠振膜，其高分子膜片僅位于硅膠振膜的折環(huán)部，該高分子膜片形狀不完整，工藝過程中更易使高分子膜片變形。

再有，現(xiàn)有的硅膠振膜裸露在外的表面均為硅膠，由于硅膠的特性使得其不易與其他部件粘接，導(dǎo)致其他部件容易脫落，降低了產(chǎn)品可靠性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種硅膠振膜的成型方法，將液體硅膠與基材熱壓成型，不僅能避免基材的變形或位置改變，而且通過基材與其他部件粘接，避免了其他部件與硅膠在粘接方面易脫落的風(fēng)險。

本發(fā)明的另一目的是提供一種硅膠振膜，其硅膠層與基材熱壓成型，不僅能避免基材的變形或位置改變，而且通過基材與其他部件粘接，避免了其他部件與硅膠在粘接方面易脫落的風(fēng)險。

本發(fā)明的再一目的是提供一種發(fā)聲裝置，其硅膠振膜的硅膠層與基材熱壓成型，不僅能避免基材的變形或位置改變，而且易于與其他部件粘接，避免了其他部件與硅膠在粘接方面易脫落的風(fēng)險。

本發(fā)明的上述目的可采用下列技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：

本發(fā)明提供一種硅膠振膜的成型方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟s1：將液體硅膠涂覆在振膜模具的型腔內(nèi)壁或具有振膜形狀的基材上；

步驟s2：通過所述振膜模具對所述液體硅膠和所述基材熱壓成型，以獲得硅膠振膜。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，在所述步驟s1中，所述基材作為底層基材；所述液體硅膠通過點(diǎn)膠機(jī)涂覆在所述振膜模具的型腔的上端內(nèi)壁，或者所述液體硅膠通過點(diǎn)膠機(jī)涂覆在所述基材的上表面上。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，在所述步驟s1中，所述基材作為頂層基材；所述液體硅膠通過點(diǎn)膠機(jī)涂覆在所述振膜模具的型腔的下端內(nèi)壁，或者所述液體硅膠通過點(diǎn)膠機(jī)涂覆在所述基材的下表面上。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，在所述步驟s2中，所述熱壓成型包括：通過所述振膜模具對所述液體硅膠和所述基材施加一熱壓壓力，同時對所述液體硅膠和所述基材施加一熱壓溫度。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述熱壓溫度為100℃～280℃，所述熱壓壓力為100n～700n。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，在所述步驟s2中，在所述液體硅膠和所述基材熱壓成型的同時一體成型有盆架，所述盆架熱壓成型于所述液體硅膠的外周緣，所述基材位于所述盆架的內(nèi)側(cè)。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述基材的材料為聚醚醚酮、熱塑性彈性體、熱塑性聚氨酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚酰亞胺或聚芳酯。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述基材包括至少兩層材料層，各所述材料層的材料獨(dú)立地選自聚醚醚酮、熱塑性彈性體、熱塑性聚氨酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚酰亞胺、聚芳酯中的一種，相鄰兩所述材料層之間粘接有膠層。

本發(fā)明還提供一種硅膠振膜，其采用以上所述的硅膠振膜的成型方法制成，所述硅膠振膜包括基材及位于所述基材一側(cè)的硅膠層，所述硅膠振膜具有折環(huán)部，所述折環(huán)部的內(nèi)周緣連接有中貼部，所述折環(huán)部的外周緣連接有懸邊部。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述硅膠層具有硅膠中貼部和圍設(shè)在所述硅膠中貼部外周緣的硅膠折環(huán)部，所述硅膠折環(huán)部的外周緣連接有硅膠懸邊部；所述基材具有基材中貼部，所述基材中貼部熱壓成型于所述硅膠中貼部的上表面或下表面，所述基材中貼部和所述硅膠中貼部形成所述中貼部，所述硅膠折環(huán)部形成所述折環(huán)部，所述硅膠懸邊部形成所述懸邊部。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述硅膠層具有硅膠中貼部和圍設(shè)在所述硅膠中貼部外周緣的硅膠折環(huán)部，所述硅膠折環(huán)部的外周緣連接有硅膠懸邊部；所述基材具有基材中貼部和圍設(shè)在所述基材中貼部外周緣的基材折環(huán)部，所述基材中貼部和所述基材折環(huán)部分別熱壓成型于所述硅膠中貼部和所述硅膠折環(huán)部的上表面或下表面，所述基材中貼部和所述硅膠中貼部形成所述中貼部，所述硅膠折環(huán)部和所述基材折環(huán)部形成所述折環(huán)部，所述硅膠懸邊部形成所述懸邊部。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述硅膠層具有硅膠中貼部和圍設(shè)在所述硅膠中貼部外周緣的硅膠折環(huán)部，所述硅膠折環(huán)部的外周緣連接有硅膠懸邊部；所述基材具有基材中貼部和圍設(shè)在所述基材中貼部外周緣的基材折環(huán)部，所述基材折環(huán)部的外周緣連接有基材懸邊部，所述基材中貼部、所述基材折環(huán)部和所述基材懸邊部分別熱壓成型于所述硅膠中貼部、所述硅膠折環(huán)部和所述硅膠懸邊部的上表面或下表面，所述基材中貼部和所述硅膠中貼部形成所述中貼部，所述硅膠折環(huán)部和所述基材折環(huán)部形成所述折環(huán)部，所述硅膠懸邊部和所述基材懸邊部形成所述懸邊部。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述硅膠層的厚度為3um～200um，所述基材的厚度為3um～200um。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述基材上成型有花紋凸部。

本發(fā)明還提供一種發(fā)聲裝置，其包括：

磁鐵結(jié)構(gòu)，具有瓷碗，所述瓷碗內(nèi)粘接有磁鐵塊，所述磁鐵塊上粘接有磁鐵頂片；

盆架，其一側(cè)與所述瓷碗密封相連；

如上所述的硅膠振膜，所述硅膠振膜密封連接在所述盆架的另一側(cè)，所述硅膠振膜上連接有音圈，所述音圈位于所述瓷碗中。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述發(fā)聲裝置還包括中貼板，所述中貼板粘接在所述硅膠振膜的硅膠層上，所述音圈粘接在所述基材上。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述發(fā)聲裝置還包括中貼板，所述中貼板粘接在所述硅膠振膜的基材上，所述音圈粘接在所述中貼板上。

本發(fā)明的硅膠振膜的成型方法、硅膠振膜及發(fā)聲裝置的特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)是：

一、本發(fā)明解決了硅膠振膜成型后與其他部件不易粘接的問題，該硅膠振膜的基材可以很好實(shí)現(xiàn)與其他部件的粘接，避免了硅膠材料在粘接方面易脫落的風(fēng)險。

二、本發(fā)明的硅膠振膜10的硅膠層1能滿足硅膠振膜的防水及耐高溫耐疲勞的要求，也即保持了以往硅膠膜的防水、耐高溫和耐疲勞的特性，又通過基材的設(shè)計(jì)，提高了硅膠振膜的整體強(qiáng)度，并增加阻尼特性。

三、本發(fā)明有效抑制了硅膠振膜的聲學(xué)器件滾振效果，降低了振幅。

四、本發(fā)明通過改變基材的厚度及材料，可以在不改變模具的基礎(chǔ)上方便調(diào)整發(fā)聲裝置的共振頻率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明的硅膠振膜的成型方法的流程圖。

圖2為本發(fā)明的振膜模具的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明的基材作為底層基材時，涂覆液體硅膠的一實(shí)施例的示意圖。

圖4為本發(fā)明的基材作為底層基材時，涂覆液體硅膠的另一實(shí)施例的示意圖。

圖5為本發(fā)明的基材作為頂層基材時，涂覆液體硅膠的一實(shí)施例的示意圖。

圖6為本發(fā)明的基材作為頂層基材時，涂覆液體硅膠的另一實(shí)施例的示意圖。

圖7為本發(fā)明的硅膠振膜的實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8為本發(fā)明的硅膠振膜的實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9為本發(fā)明的硅膠振膜的實(shí)施例三的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10為本發(fā)明的硅膠振膜的實(shí)施例四的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖11為本發(fā)明的硅膠振膜的實(shí)施例五的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖12為本發(fā)明的硅膠振膜的實(shí)施例六的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖13為本發(fā)明的硅膠振膜與盆架結(jié)合的示意圖。

圖14為本發(fā)明的硅膠振膜設(shè)有花紋凸部的一實(shí)施例的立體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖15為本發(fā)明的硅膠振膜設(shè)有花紋凸部的另一實(shí)施例的仰視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖16為本發(fā)明的發(fā)聲裝置的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖17為本發(fā)明的發(fā)聲裝置的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

需要說明的是，當(dāng)元件被稱為“固定于”或“設(shè)置于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者可能存在居中元件。當(dāng)一個元件被稱為是“連接于”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能存在居中元件。

還需要說明的是，本發(fā)明中的左、右、上、下等方位用語，僅是互為相對概念或是以產(chǎn)品的正常使用狀態(tài)為參考的，而不應(yīng)該認(rèn)為是具有限制性的。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施方式的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。

實(shí)施方式一

如圖1至圖12所示，本發(fā)明提供了一種硅膠振膜的成型方法，其包括如下步驟：

步驟s1：將液體硅膠1’涂覆在振膜模具3的型腔31內(nèi)壁或具有振膜形狀的基材2上；

步驟s2：通過所述振膜模具3對所述液體硅膠1’和所述基材2熱壓成型，以獲得硅膠振膜10。

具體的，如圖2所示，振膜模具3包括能對扣在一起的上模具32和下模具33，在上模具32和下模具33對扣后形成能容納基材2和液體硅膠1’的型腔31。在本實(shí)施例中，該型腔31的結(jié)構(gòu)與要成型的硅膠振膜10的結(jié)構(gòu)一致；當(dāng)需要在基材2上涂覆液體硅膠1’時，該基材2的結(jié)構(gòu)與要成型的硅膠振膜10的結(jié)構(gòu)一致。請配合參閱圖7至圖12所示，該硅膠振膜10包括中貼部101、圍設(shè)在中貼部101外圍的折環(huán)部102、以及圍設(shè)在折環(huán)部102外圍的懸邊部103。

如圖3和圖4所示，在一可行的實(shí)施例中，在步驟s1中，基材2作為底層基材；該液體硅膠1’通過點(diǎn)膠機(jī)涂覆在振膜模具3的型腔31的上端內(nèi)壁，或者該液體硅膠1’通過點(diǎn)膠機(jī)涂覆在基材2的上表面21上。

在該實(shí)施例中，如圖3所示，液體硅膠1’通過點(diǎn)膠機(jī)涂覆在振膜模具3的上模具32的內(nèi)表面(也即，型腔31的上端內(nèi)壁)上，基材2放置在振膜模具3的下模具33的內(nèi)表面上，基材2的上表面21與上模具32的內(nèi)表面面對設(shè)置，基材2的下表面22與下模具33的內(nèi)表面貼設(shè)在一起；或者，如圖4所示，液體硅膠1’通過點(diǎn)膠機(jī)涂覆在基材2的上表面21上，基材2放置在振膜模具3的下模具33的內(nèi)表面上，液體硅膠1’與上模具32的內(nèi)表面面對設(shè)置，基材2的下表面22與下模具33的內(nèi)表面貼設(shè)在一起。

如圖5和圖6所示，在另一可行的實(shí)施例中，在步驟s1中，基材2作為頂層基材；該液體硅膠1’通過點(diǎn)膠機(jī)涂覆在振膜模具3的型腔31的下端內(nèi)壁，或者該液體硅膠1’通過點(diǎn)膠機(jī)涂覆在基材2的下表面22上。

在該實(shí)施例中，如圖5所示，液體硅膠1’通過點(diǎn)膠機(jī)涂覆在振膜模具3的下模具33的內(nèi)表面(也即，型腔31的下端內(nèi)壁)上，基材2放置在振膜模具3的上模具32的內(nèi)表面上，基材2的上表面21與上模具32的內(nèi)表面貼設(shè)在一起，基材2的下表面22與下模具33的內(nèi)表面面對設(shè)置；或者，如圖6所示，液體硅膠1’通過點(diǎn)膠機(jī)涂覆在基材2的下表面22上，基材2放置在振膜模具3的上模具32的內(nèi)表面上，基材2的上表面21與上模具32的內(nèi)表面貼設(shè)在一起，液體硅膠1’與下模具33的內(nèi)表面面對設(shè)置。

之后進(jìn)行步驟s2：將上模具32和下模具33對扣，以對型腔31內(nèi)的液體硅膠1’和基材2進(jìn)行熱壓成型，如圖7至圖12所示，成型后的硅膠振膜10包括由液體硅膠1’熱壓形成的硅膠層1以及位于硅膠層1一側(cè)的基材2。在圖7和圖8的硅膠振膜10中，基材2僅成型于硅膠振膜10的中貼部101；在圖9和圖10的硅膠振膜10中，基材2成型于硅膠振膜10的中貼部101和折環(huán)部102；在圖11和圖12的硅膠振膜10中，基材2成型于硅膠振膜10的中貼部101、折環(huán)部102和懸邊部103。

本發(fā)明通過以上兩種方式，可實(shí)現(xiàn)選擇在硅膠層1的兩側(cè)表面的任一表面成型基材2的目的。上述的基材2的上表面21為硅膠振膜10的折環(huán)部102凸出的表面，所述的基材2的下表面22為硅膠振膜10的折環(huán)部102凹陷的表面。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，基材2的材料為聚醚醚酮(poly-ether-ether-ketone，peek)、熱塑性彈性體(thermoplasticelastomer，tpe)、熱塑性聚氨酯(thermoplasticpolyurethanes，tpu)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethy2lenenaphthalate，pen)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate，pet)、聚醚酰亞胺(polyetherimide，pei)或聚芳酯(polyarylate，par)，該基材2為單層薄膜結(jié)構(gòu)?；蛘撸诹硗獾膶?shí)施例中，該基材2包括至少兩層材料層，各所述材料層的材料獨(dú)立地選自聚醚醚酮(poly-ether-ether-ketone，peek)、熱塑性彈性體(thermoplasticelastomer，tpe)、熱塑性聚氨酯(thermoplasticpolyurethanes，tpu)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethy2lenenaphthalate，pen)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate，pet)、聚醚酰亞胺(polyetherimide，pei)、聚芳酯(polyarylate，par)中的一種，相鄰兩材料層之間粘接有膠層，該膠層包括但不限于丙烯酸或硅膠，該基材2為多層復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)，各材料層的材料可選自上述材料中的同種材料，也可選自上述材料中的不同種材料，在此不做限制。

在步驟s2中，所述熱壓成型包括：通過振膜模具3對液體硅膠1’和基材2施加一熱壓壓力，同時對液體硅膠1’和基材2施加一熱壓溫度。在本實(shí)施例中，該熱壓溫度為100℃～280℃，該熱壓壓力為100n～700n。

本發(fā)明通過將液體硅膠1’與基材2熱壓成型，有效抑制了成型工藝過程中的基材2變形或位置改變，且通過硅膠層1與基材2一體成型，用基材2與其他部件進(jìn)行粘接，有效避免了硅膠層1在粘接方面易脫落的風(fēng)險。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式，如圖13所示，在步驟s2中，在液體硅膠1’和基材2熱壓成型的同時一體成型有盆架4，該盆架4熱壓成型于液體硅膠1’的外周緣，該基材2位于盆架4的內(nèi)側(cè)。

具體的，在振膜模具3的上模具32或下模具33上可設(shè)有放置盆架4的內(nèi)腔，在液體硅膠1’和基材2成型的過程中，盆架4與基材2始終處于振膜模具3的上模具32或下模具33上，當(dāng)上模具32和下模具33對扣并熱壓成型時，同時實(shí)現(xiàn)將盆架4和液體硅膠1’進(jìn)行熱壓。本發(fā)明通過整個硅膠振膜10與外側(cè)盆架4一體熱壓成型，使發(fā)聲裝置在注水側(cè)形成防護(hù)，使發(fā)聲裝置的腔體內(nèi)部無進(jìn)水。

本發(fā)明在熱壓成型硅膠振膜10的同時，一體成型盆架4，可實(shí)現(xiàn)硅膠振膜10與盆架4的密封結(jié)合，有效保證了硅膠振膜10的密封性，提高其防水性能。

實(shí)施方式二

如圖7至圖12所示，本發(fā)明還提供一種硅膠振膜10，其采用實(shí)施方式一所述的硅膠振膜的成型方法制成，其中，關(guān)于該硅膠振膜的成型方法已在實(shí)施方式一中進(jìn)行具體描述，在此不再對其選用的材料、工藝步驟和產(chǎn)生的有益效果進(jìn)行贅述。該硅膠振膜10包括基材2及位于基材2一側(cè)的硅膠層1，所述硅膠振膜10具有折環(huán)部102，該折環(huán)部102的內(nèi)周緣連接有中貼部101，該折環(huán)部102的外周緣連接有懸邊部103。其中，該折環(huán)部102為相對中貼部101的表面凸起的呈環(huán)形的結(jié)構(gòu)或其他曲線形結(jié)構(gòu)，該中帖部101為封閉無缺口或者有缺口的平板結(jié)構(gòu)，或者該中帖部101上設(shè)有凹凸形狀結(jié)構(gòu)，該懸邊部103為圍設(shè)在折環(huán)部102外周圍的平板結(jié)構(gòu)，該平板結(jié)構(gòu)可為環(huán)形平板等。

本發(fā)明的硅膠振膜10通過其基材2能實(shí)現(xiàn)硅膠振膜10與其他部件的良好粘接，膠水應(yīng)用范圍廣，粘接后不易脫落，避免了硅膠材料在粘接方面易脫落的風(fēng)險，同時該硅膠振膜10的硅膠層1也能滿足硅膠振膜的防水及耐高溫耐疲勞的要求；另外，熱壓成型于硅膠層1的基材2不僅能夠與硅膠層1達(dá)到穩(wěn)固的結(jié)合效果，同時也能夠提高硅膠層1的抗扭剛性，通過調(diào)整基材2的材料和厚度，達(dá)到容易調(diào)整發(fā)聲裝置的共振頻率的目的。

具體的，在一可行的實(shí)施例中，如圖7和圖8所示，該硅膠層1具有硅膠中貼部11和圍設(shè)在硅膠中貼部11外周緣的硅膠折環(huán)部12，該硅膠折環(huán)部12的外周緣連接有硅膠懸邊部13；該基材2具有基材中貼部23，該基材中貼部23熱壓成型于該硅膠中貼部11的上表面(如圖8所示)或下表面(如圖7所示)，該基材中貼部23和該硅膠中貼部11形成了硅膠振膜10的中貼部101，該硅膠折環(huán)部12形成了硅膠振膜10的折環(huán)部102，該硅膠懸邊部13形成了硅膠振膜10的懸邊部103。

在該實(shí)施例中，基材中貼部23熱壓成型于硅膠層1的硅膠中貼部11，該基材中貼部23能增強(qiáng)硅膠振膜10與其它部件的粘接性能，改善產(chǎn)品的可靠性。

在另一可行的實(shí)施例中，如圖9和圖10所示，該硅膠層1具有硅膠中貼部11和圍設(shè)在硅膠中貼部11外周緣的硅膠折環(huán)部12，該硅膠折環(huán)部12的外周緣連接有硅膠懸邊部13；該基材2具有基材中貼部23和圍設(shè)在基材中貼部23外周緣的基材折環(huán)部24，該基材中貼部23和基材折環(huán)部24分別熱壓成型于硅膠中貼部11和硅膠折環(huán)部12的上表面(如圖10所示)或下表面(如圖9所示)，該基材中貼部23和硅膠中貼部11形成了硅膠振膜10的中貼部101，該硅膠折環(huán)部12和基材折環(huán)部24形成了硅膠振膜10的折環(huán)部102，該硅膠懸邊部13形成了硅膠振膜10的懸邊部103。

在該實(shí)施例中，在硅膠層1的硅膠中貼部11熱壓成型基材中貼部23，同時在硅膠層1的硅膠折環(huán)部12熱壓成型基材折環(huán)部24，其相對圖7和圖8所示的實(shí)施例而言，該實(shí)施例的硅膠振膜10，能進(jìn)一步增強(qiáng)硅膠振膜10的抗扭剛性和阻尼，有效抑制硅膠振膜10在振動過程中產(chǎn)生搖擺，抑制發(fā)聲裝置的滾振，且能降低振幅。

在再一可行的實(shí)施例中，如圖11和圖12所示，該硅膠層1具有硅膠中貼部11和圍設(shè)在硅膠中貼部11外周緣的硅膠折環(huán)部12，該硅膠折環(huán)部12的外周緣連接有硅膠懸邊部13；該基材2具有基材中貼部23和圍設(shè)在基材中貼部23外周緣的基材折環(huán)部24，該基材折環(huán)部24的外周緣連接有基材懸邊部25，該基材中貼部23、基材折環(huán)部24和基材懸邊部25分別熱壓成型于硅膠中貼部11、硅膠折環(huán)部12和硅膠懸邊部13的上表面(如圖12所示)或下表面(如圖11所示)，該基材中貼部23和硅膠中貼部11形成了硅膠振膜10的中貼部101，該硅膠折環(huán)部12和基材折環(huán)部24形成了硅膠振膜10的折環(huán)部102，該硅膠懸邊部13和基材懸邊部25形成了硅膠振膜10的懸邊部103。

在該實(shí)施例中，在硅膠層1的硅膠中貼部11熱壓成型基材中貼部23，同時在硅膠層1的硅膠折環(huán)部12熱壓成型基材折環(huán)部24，且同時在硅膠層1的硅膠懸邊部13熱壓成型基材懸邊部25，其相對圖9和圖10所示的實(shí)施例而言，該實(shí)施例的硅膠振膜10，能更進(jìn)一步地增強(qiáng)硅膠振膜10的抗扭剛性和阻尼，有效抑制硅膠振膜10在振動過程中產(chǎn)生搖擺，抑制發(fā)聲裝置的滾振，且能降低振幅。另外，該實(shí)施例中的硅膠振膜10，其基材2能夠保持更好的形狀完整性，且在工藝過程中不易變形。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，該硅膠層1的厚度為3um～200um，該基材2的厚度為3um～200um。通過改變基材2的厚度和材料，能夠調(diào)整發(fā)聲裝置的共振頻率。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式，該基材2上可成型有花紋凸部26。具體的，如圖14所示，在基材2的基材折環(huán)部24上整體成型有該花紋凸部26，各花紋凸部26之間形成有凹部；或者，如圖15所示，在基材2的基材折環(huán)部24的四個角處成型有該花紋凸部26，各花紋凸部26之間形成有凹部；該花紋凸部26大體為凸設(shè)在基材折環(huán)部24上凸棱或凸塊，其形狀可以有不同設(shè)計(jì)，在此不做限制，該花紋凸部26能夠調(diào)整發(fā)聲裝置的失真，使之達(dá)到優(yōu)化。

實(shí)施方式三

如圖16和圖17所示，本發(fā)明還提供一種發(fā)聲裝置20，其包括磁鐵結(jié)構(gòu)5、盆架4和硅膠振膜10，其中該硅膠振膜10為實(shí)施方式二中所述的硅膠振膜，其具體結(jié)構(gòu)、成型工藝、工作原理以及有效效果，在此不再贅述。該磁鐵結(jié)構(gòu)5具有瓷碗51，瓷碗51內(nèi)粘接有磁鐵塊52，磁鐵塊52上粘接有磁鐵頂片53；盆架4的一側(cè)與瓷碗51密封相連；硅膠振膜10密封連接在盆架4的另一側(cè)，該硅膠振膜10上連接有音圈7，該音圈7位于瓷碗51中。

具體的，該磁鐵結(jié)構(gòu)5主要為發(fā)聲裝置20建立一個固定磁場。該磁鐵結(jié)構(gòu)5與硅膠振膜10之間通過盆架4密封連接，從而在三者之間形成一內(nèi)腔201。其中，磁鐵塊52、磁鐵頂片53和音圈7均位于該內(nèi)腔中201。

硅膠振膜10的硅膠層1朝向外側(cè)設(shè)置，其基材2朝向內(nèi)腔201設(shè)置。

音圈7是發(fā)聲裝置20的驅(qū)動單元，又稱線圈，其位于磁鐵塊52和磁鐵頂片53的外側(cè)。音圈7粘接在硅膠振膜10的基材2上，當(dāng)聲音電流信號通入音圈7后，音圈7振動帶動著硅膠振膜10振動。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，該發(fā)聲裝置20還包括中貼板6，在一可行的實(shí)施例中，如圖17所示，該中貼板6連接在硅膠振膜10的硅膠層1上，該音圈7粘接在基材2上?；蛘?，在另一可行的實(shí)施例中，如圖16所示，該中貼板6粘接在硅膠振膜10的基材2上，該音圈7粘接在中貼板6上。該中貼板6的作用為提高高頻性能。

本發(fā)明的發(fā)聲裝置20，其硅膠振膜10的硅膠層1與基材2熱壓成型，不僅能避免基材2的變形或位置改變，而且通過基材2的良好粘接性，避免了硅膠材料在粘接方面易脫落的風(fēng)險。

以上所述僅為本發(fā)明的幾個實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員依據(jù)申請文件公開的內(nèi)容可以對本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行各種改動或變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。