一種制備硅膠振膜的方法和硅膠振膜的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及電子產(chǎn)品技術領域，特別涉及一種制備硅膠振膜的方法和硅膠振膜。
【背景技術】
[0002]目前的硅膠振膜通常采用注塑的成型方式，此種成型方式不但成本較高、效率低，而且受注塑成型條件限制，振膜厚度偏厚，通常在50 μπι以上。此外注塑成型過程中，模具調(diào)整復雜，不利于產(chǎn)品的快速開發(fā)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于上述問題，提出了本發(fā)明以便提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的一種制備硅膠振膜的方法和硅膠振膜，本發(fā)明的技術方案是這樣實現(xiàn)的:
[0004]一方面，本發(fā)明實施例提供了一種制備硅膠振膜的方法，所述方法包括:
[0005]將兩層基材和液體硅膠通過壓延方式形成復合料帶，所述液體硅膠處于所述兩層基材之間；
[0006]通過振膜模座對所述復合料帶進行整版熱壓成型，所述熱壓成型的溫度高于所述液體硅膠的硫化溫度；
[0007]去除所述兩層基材，獲取整版的硅膠振膜；
[0008]對所述去除兩層基材的整版的硅膠振膜進行沖裁以制備出需要的硅膠振膜。
[0009]優(yōu)選地，所述將兩層基材和液體硅膠通過壓延方式形成復合料帶包括:
[0010]將其中一層基材置于底層作為下層基材，通過涂膠器將所述液體硅膠涂覆在該下層基材的上面；
[0011]通過厚度控制裝置調(diào)整所述液體硅膠的厚度，并將另一層基材鋪覆在所述液體硅膠的上面作為上層基材；
[0012]通過保壓軸對所述下層基材、液體硅膠和上層基材進行保壓處理，獲得所述復合料帶。
[0013]其中，在通過涂膠器將所述液體硅膠涂覆在該下層基材的上面時，使所述下層基材的邊緣留有未涂覆液體硅膠的空隙；
[0014]在通過厚度控制裝置調(diào)整所述液體硅膠的厚度后，將另一層基材覆蓋在所述液體硅膠的上面作為上層基材時，使所述上層基材與所述下層基材的邊緣對齊。
[0015]優(yōu)選地，所述液體硅膠由兩種制備硅膠的溶液按比例充分混合制成。
[0016]優(yōu)選地，所述兩層基材為聚醚醚酮PEEK材料、聚對苯二甲酸乙二醇酯PET材料、聚醚酰亞胺PEI材料或熱塑性聚氨酯彈性體橡膠TPU材料中的一種或者兩種。
[0017]另一方面，本發(fā)明實施例提供了一種硅膠振膜，采用下述方式制備而成:
[0018]將兩層基材和液體硅膠通過壓延方式形成復合料帶，所述液體硅膠處于所述兩層基材之間；
[0019]通過振膜模座對所述復合料帶進行整版熱壓成型，所述熱壓成型的溫度高于所述液體硅膠的硫化溫度；
[0020]去除所述兩層基材，獲取整版的硅膠振膜；
[0021]對所述去除兩層基材的整版的硅膠振膜進行沖裁以制備出需要的硅膠振膜。
[0022]優(yōu)選地，所述復合料帶采用下述方式形成:
[0023]將其中一層基材置于底層作為下層基材，通過涂膠器將所述液體硅膠涂覆在該下層基材的上面；
[0024]通過厚度控制裝置調(diào)整所述液體硅膠的厚度，并將另一層基材鋪覆在所述液體硅膠的上面作為上層基材；
[0025]通過保壓軸對所述下層基材、液體硅膠和上層基材進行保壓處理，獲得所述復合料帶。
[0026]其中，所述下層基材和所述上層基材的邊緣留有未涂覆液體硅膠的空隙。
[0027]優(yōu)選地，用于制備所述硅膠振膜的液體硅膠由兩種制備硅膠的溶液按比例充分混合制成。
[0028]優(yōu)選地，用于制備所述硅膠振膜的兩層基材為聚醚醚酮PEEK材料、聚對苯二甲酸乙二醇酯PET材料、聚醚酰亞胺PEI材料或熱塑性聚氨酯彈性體橡膠TPU材料中的一種或者兩種。
[0029]本發(fā)明實施例的有益效果是:本發(fā)明公開了一種制備硅膠振膜的方法和硅膠振膜，所述方法采用壓延方式對兩層基材和液體硅膠進行料帶復合處理，通過熱壓成型的方式對獲得的復合料帶進行塑形，成型后去除上下兩層基材，并對去除基材的整版硅膠振膜進行沖裁處理，從而制備出需要的硅膠振膜。相比于傳統(tǒng)的技術方案，具有成型方式簡單、振膜厚度可控，厚度最薄可達5 μ左右的優(yōu)勢，且由于本技術方案在塑形過程中采用的振膜模座相比于傳統(tǒng)技術方案的注塑模具，成本更低、振膜模座的樣式更多，因此，本技術方案還具有成本低、振膜形式多樣的優(yōu)點。
【附圖說明】
[0030]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種制備硅膠振膜的方法流程圖；
[0031]圖2為本發(fā)明實施例提供的采用壓延方式制備的復合料帶的示意圖；
[0032]圖3-a為本發(fā)明實施例提供的熱壓成型后的整版的復合料帶示意圖；
[0033]圖3-b為本發(fā)明實施例提供的熱壓成型后的AA剖線處的復合料帶側視圖；
[0034]圖4-a為發(fā)明實施例提供的硫化后的部分復合料帶示意圖；
[0035]圖4-b為發(fā)明實施例提供的去除基材后的硅膠振膜示意圖；
[0036]圖5為發(fā)明實施例提供的經(jīng)過沖裁處理后的硅膠振膜示意圖；
[0037]圖6為本實施例提供的采用壓延方式制備復合料帶的示意圖；
[0038]圖7為本發(fā)明實施例提供的液體硅膠內(nèi)收于兩層基材之間的復合料帶示意圖；
[0039]圖8為制備液體硅膠的示意圖。
【具體實施方式】
[0040]為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。
[0041]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種制備硅膠振膜的方法流程圖，該方法包括:
[0042]S100，將兩層基材和液體硅膠通過壓延方式形成復合料帶，所述液體硅膠處于所述兩層基材之間。
[0043]如圖2所示，為本發(fā)明實施例提供的采用壓延方式制備的復合料帶的示意圖，圖中的液體硅膠處于上層基材和下層基材之間。
[0044]其中，壓延是指將加熱過的混煉膠通過相對旋轉、水平設置的兩輥筒之間的輥隙，制成膠片等半成品的工藝謂之壓延。
[0045]S200，通過振膜模座對復合料帶進行整版熱壓成型，所述熱壓成型的溫度高于液體硅膠的硫化溫度。
[0046]如圖3-a與圖3-b共同所示，為本發(fā)明實施例提供的熱壓成型后的復合料帶示意圖。
[0047]本步驟中，通過熱壓成型的方式使液體硅膠硫化成型。其中，振膜模座的數(shù)量可以根據(jù)復合料帶的面積以及成型狀態(tài)調(diào)整。在實際應用中，本步驟中的振膜模座可以是單個，也可以是多個。
[0048]由于振膜模座相對于注塑模具成本更低，因此本技術方案采用振膜模座對復合料帶進行塑形的方案，不但能夠降低生成成本，而且便于獲得各種形狀的振膜。
[0049]S300，去除上述兩層基材，獲取整版的硅膠振膜。
[0050]如圖4-a與圖4-b所示共同所示，分別為硫化后的部分復合料帶和去除基材后的硅膠振膜示意圖。
[0051]本步驟利用硫化后的硅膠與基材間的不親和性，順利地揭去兩層基材，獲得完整無損的整版硅膠振膜。
[0052]S400，對去除兩層基材的整版的硅膠振膜進行沖裁以制備出需要的硅膠振膜。
[0053]如圖5所示，為本發(fā)明實施例提供的經(jīng)過沖裁處理后的硅膠振膜示意圖。
[0054]本實施例相比于傳統(tǒng)的注塑成型的硅膠振膜，具有成型方式簡單、成本低、振膜形式多樣、振膜厚度薄的優(yōu)勢。
[0055]本技術方案通過一個具體實施例詳細說明如何將傳統(tǒng)的壓延工藝應用到振膜制作中。
[0056]如圖6所示，為本實施例提供的采用壓延方式制備復合料帶的示意圖，具體采用如下方式制備上述復合料帶:
[0057]將其中一層基材置于底層作為下層基材，通過涂膠器將液體硅膠涂覆在下層基材的上面。
[0058]由于在將液體硅膠涂覆在下層基材上時，會存在液體硅膠厚度不均勻，以及所涂覆的厚度與所需要的液體硅膠厚度不符的情況。因此，本技術方案通過厚度控制裝置調(diào)整液體硅膠的厚度，解決涂覆液體硅膠時，前述的液體硅膠的厚度無法精確控制的問題；在厚度控制裝置調(diào)整液體硅膠的厚度的同時，將另一層基材鋪覆在液體硅膠的上面作為上層基材。
[0059]通過保壓軸對下層基材、液體硅膠和上層基材進行保壓處理，獲得上述復合料帶。
[0060]在實際應用中，還可以將獲得的復合料帶通過料帶卷軸卷起，便于復合料帶的存放。
[0061]本具體實施例中，為便于去除基材，以及充分利用所有的硅膠。在對兩層基材和液體硅膠進行料帶復合時，使液體硅膠內(nèi)收于兩層基材之間。
[0062]如圖7所示，為本發(fā)明實施例提供的液體硅膠內(nèi)收于兩層基材之間的復合料帶示意圖，在通過涂膠器