本發(fā)明涉及圖像采集技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種圖像采集模組。

背景技術(shù)：

圖像采集是大多數(shù)電子設(shè)備所要具備的功能，因此多數(shù)電子設(shè)備中包含圖像采集模組，通過該圖像采集模組可以實(shí)現(xiàn)拍照、攝像等圖像采集功能。隨著科技的不斷發(fā)展，人們希望電子設(shè)備的厚度越來越小，而圖像采集模組的尺寸將會(huì)直接影響電子設(shè)備的厚度。

如圖1所示，傳統(tǒng)技術(shù)中的圖像采集模組主要包括電路板10、設(shè)置于電路板10上的支撐座11、安裝于支撐座11上的鏡頭模組12以及安裝于電路板10上的CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)傳感器13。鏡頭模組12收集到的光學(xué)信號(hào)經(jīng)過CMOS傳感器13處理后，再經(jīng)過電路板10上設(shè)置的金手指輸出到電子設(shè)備的端子上。

由于上述電路板10采用FPCB(Flexible Printed Circuit Board，柔性印刷電路板)，使得電路板10與電子設(shè)備之間的連接需要采用插裝的方式，此種方式需要在電子設(shè)備上預(yù)留足夠大的裝配空間，導(dǎo)致電子設(shè)備占用的空間較大。另外，將圖像采集模組裝配到電子設(shè)備上時(shí)，需要人工將電路板10的金手指插到電子設(shè)備的端子上，導(dǎo)致電子設(shè)備的組裝效率偏低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種圖像采集模組，以減小電子設(shè)備占用的空間。

本發(fā)明提供的圖像采集模組，包括CMOS傳感器、支撐座以及支撐于所述支撐座上的鏡頭模組，所述鏡頭模組包括鏡筒及設(shè)置于所述鏡筒內(nèi)的鏡片，所述CMOS傳感器為芯片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的CMOS傳感器，所述支撐座支撐于所述CMOS傳感器上。

優(yōu)選地，所述CMOS傳感器包括主體部和錫膏，所述主體部包括靠近所述鏡筒的第一面和與所述第一面相對(duì)的第二面，所述支撐座支撐于所述第一面，所述錫膏形成于所述第二面。

優(yōu)選地，還包括遮光層，所述CMOS傳感器具有連接所述第一面與所述第二面的側(cè)壁，所述側(cè)壁由硅基材制成，所述遮光層設(shè)置于所述側(cè)壁上。

優(yōu)選地，所述遮光層為環(huán)形遮光層，所述遮光層的軸線方向與所述鏡頭模組的光軸方向相平行。

優(yōu)選地，所述遮光層自所述CMOS傳感器的側(cè)壁延伸至少部分包覆所述支撐座。

優(yōu)選地，所述遮光層為油墨層。

優(yōu)選地，所述支撐座通過一粘接層與所述CMOS傳感器固定。

優(yōu)選地，所述支撐座通過一粘接部與所述鏡筒固定。

優(yōu)選地，所述粘接層和所述粘接部中的至少一者的制造材料為環(huán)氧膠。

優(yōu)選地，所述鏡筒和所述支撐座中的至少一者的制造材料為液晶高分子聚合物。

本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以達(dá)到以下有益效果：

本發(fā)明所提供的圖像采集模組中，所述CMOS傳感器為芯片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的CMOS傳感器，采用此種結(jié)構(gòu)后，整個(gè)圖像采集模組可以直接貼裝至電子設(shè)備上的對(duì)應(yīng)部分上，進(jìn)而完成圖像采集模組在電子設(shè)備上的組裝。由于圖像采集模組的裝配方式為貼裝方式，因此不需要在電子設(shè)備上預(yù)留過大的安裝空間，使得電子設(shè)備占用的空間較小。另外，上述圖像采集模組的裝配方式改善為貼裝方式后，圖像采集模組的裝配時(shí)間有所縮短，進(jìn)而提升電子設(shè)備的裝配效率。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本發(fā)明。

附圖說明

圖1為傳統(tǒng)技術(shù)中的圖像采集模組的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例所提供的圖像采集模組的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例所提供的圖像采集模組中，CMOS傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：

10-電路板；

11-支撐座；

12-鏡頭模組；

13-CMOS傳感器；

21-支撐座；

22-鏡筒；

23-鏡片；

24-第一定位圈；

25-濾光片；

26-CMOS傳感器；

260-主體部；

260a-第一面、260b-第二面；

261-錫膏；

262-側(cè)壁；

27-第二定位圈；

28-遮光層；

29-粘接層；

30-粘接部。

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本發(fā)明的實(shí)施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。

具體實(shí)施方式

下面通過具體的實(shí)施例并結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種圖像采集模組，該圖像采集模組可以應(yīng)用于眼球追蹤等需要采集圖像的場(chǎng)景，該圖像采集模組可以是移動(dòng)終端等電子設(shè)備的一部分。此圖像采集模組具體包括支撐座21、鏡頭模組、定位圈、濾光片25及CMOS傳感器26。鏡頭模組支撐于支撐座21上，其具體包括鏡筒22以及設(shè)置于鏡筒22內(nèi)的鏡片23。

支撐座21可以采用筒狀結(jié)構(gòu)，以便于其他零部件安裝于該支撐座21的內(nèi)部。鏡筒22可以通過螺紋配合的方式固定于支撐座21上，具體地，支撐座21上具有內(nèi)螺紋，鏡筒22上具有外螺紋，該外螺紋可以與前述內(nèi)螺紋配合。鏡片23安裝于鏡筒22的內(nèi)部。定位圈用于實(shí)現(xiàn)鏡片23與鏡筒22之間的定位，或者濾光片25與鏡筒22之間的定位。為了同時(shí)實(shí)現(xiàn)鏡片23與鏡筒22之間的定位、濾光片25與鏡筒22之間的定位，本發(fā)明實(shí)施例將定位圈的數(shù)量?jī)?yōu)選為兩個(gè)，分別為圖2中的第一定位圈24和第二定位圈27，兩者分別位于濾光片25的相對(duì)兩側(cè)，進(jìn)一步地，第一定位圈24與鏡片23定位配合，第二定位圈與所述濾光片25定位配合，以充分利用該第一定位圈24。濾光片25安裝于支撐座21的內(nèi)部，其用于濾光，以保證圖像采集模組的圖像采集質(zhì)量。

上述圖像采集模組中，CMOS傳感器26經(jīng)過芯片級(jí)封裝工藝形成芯片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)的CMOS傳感器，支撐座21支撐于CMOS傳感器26上。也就是說，鏡頭模組收集到的光學(xué)信號(hào)可以被CMOS傳感器26處理。此處的芯片級(jí)封裝工藝也就是CSP(Chip Scale Package)封裝工藝，該封裝工藝的最大特點(diǎn)就是封裝后的產(chǎn)品尺寸較小。采用CSP封裝工藝后，就可以取消背景技術(shù)中所描述的圖像采集模組中的電路板，使得CMOS傳感器26可以直接貼裝于電子設(shè)備的指定位置處。

可見，采用上述CSP封裝工藝后，圖像采集模組的裝配方式可以改進(jìn)為貼裝方式，因此不需要在電子設(shè)備上預(yù)留過大的安裝空間，使得電子設(shè)備占用的空間較小。另外，上述圖像采集模組的裝配方式改善為貼裝方式后，可以使用SMT(Surface Mount Technology，表面組裝技術(shù))設(shè)備自動(dòng)抓取圖像采集模組并實(shí)施焊接，通過全自動(dòng)化的裝配方式使得圖像采集模組的裝配時(shí)間有所縮短，進(jìn)而提升電子設(shè)備的裝配效率。

如圖3所示，進(jìn)一步地，CMOS傳感器26可以包括主體部260和錫膏261，主體部260包括相對(duì)布置的第一面260a和第二面260b，支撐座21支撐于第一面260a，錫膏261形成于第二面260b。通過錫膏261就可以方便地實(shí)現(xiàn)整個(gè)圖像采集模組與電子設(shè)備的對(duì)應(yīng)部分之間的裝配。此種裝配方式可以進(jìn)一步提升電子設(shè)備的裝配效率。

上述CMOS傳感器26具有連接所述第一面260a與所述第二面260b的側(cè)壁262，由于該側(cè)壁262處的材質(zhì)可以為Si(硅)基材，但此時(shí)光線能夠通過該側(cè)壁262進(jìn)入CMOS傳感器26內(nèi)部的感光區(qū)域，會(huì)導(dǎo)致圖像采集模組的圖像采集質(zhì)量偏差。為了解決這一問題，本發(fā)明實(shí)施例提供的圖像采集模組還包括遮光層28，該遮光層28設(shè)置于前述側(cè)壁262上。如此設(shè)置后，遮光層28可以覆蓋側(cè)壁262的至少一部分，使得通過側(cè)壁262進(jìn)入CMOS傳感器26內(nèi)部的感光區(qū)域的光線有所減少，進(jìn)而提高圖像采集模組的圖像采集質(zhì)量。

可以理解地，遮光層28可以僅覆蓋側(cè)壁262的一部分，但是為了強(qiáng)化遮光層的遮光效果，可以將該遮光層28設(shè)置為環(huán)形遮光層，遮光層28的軸線方向與鏡頭模組的光軸方向相平行。此時(shí)，遮光層28可以沿著側(cè)壁262環(huán)繞一圈，使得遮光層28可以阻擋更多方向上的光線進(jìn)入CMOS傳感器26內(nèi)部的感光區(qū)域。

所述遮光層28自所述CMOS傳感器26的側(cè)壁262延伸至少部分包覆所述支撐座21，使得遮光層28可以可靠地防止光線從支撐座21與遮光層28之間的縫隙進(jìn)入CMOS傳感器26內(nèi)部的感光區(qū)域。同時(shí)，遮光層28又延伸至CMOS傳感器26上遠(yuǎn)離支撐座21的一側(cè)，可以使遮光層28在CMOS傳感器26上的覆蓋面積進(jìn)一步增大，進(jìn)而更大程度地改善遮光層28的遮光效果。

上述遮光層28的結(jié)構(gòu)形式比較多樣，例如，直接采用具有遮光效果的板件，并將該板件固定于支撐座21或者CMOS傳感器26上。但是此種方式會(huì)導(dǎo)致遮光層28與圖像采集模組中的其他部分之間的裝配效率偏低，同時(shí)也會(huì)導(dǎo)致遮光層28的厚度偏大，不利于整個(gè)圖像采集模組的微型化。為此，可以將遮光層28設(shè)置為油墨層。即，直接在CMOS傳感器26的側(cè)壁262上涂覆油墨，這些油墨固化以后就可以形成所需的遮光層28。

進(jìn)一步地，上述油墨層可以是黑色油墨層。另外，此種油墨層的耐溫可以達(dá)到350℃。

優(yōu)選地，支撐座21可以通過粘接層29與CMOS傳感器26固定，以此簡(jiǎn)化支撐座21與CMOS傳感器26之間的固定，同時(shí)減小圖像采集模組的尺寸。此處的粘接層29可以通過粘接劑形成，該粘接劑可以優(yōu)選為環(huán)氧膠，以便于優(yōu)化粘接層29的耐高溫性能。粘接層29可以優(yōu)選為環(huán)形粘接層，以提高支撐座21與CMOS傳感器26之間的固定強(qiáng)度。

同理地，支撐座21除了與鏡筒22螺紋配合以外，還可以通過粘接部30與鏡筒22固定。具體地，支撐座21可以僅通過粘接部30與鏡筒22固定，也可以同時(shí)通過螺紋配合以及粘接部30粘接的方式與鏡筒22固定，此種方式可以增加支撐座21與鏡筒22之間的固定強(qiáng)度。此處的粘接部30可以通過粘接劑形成，該粘接劑可以優(yōu)選為環(huán)氧膠，以便于優(yōu)化粘接部30的耐高溫性能。粘接部30可以優(yōu)選為環(huán)形粘接部，以提高支撐座21與鏡筒22之間的固定強(qiáng)度。

為了提高圖像采集模組的耐高溫性能，可以將鏡筒22和支撐座21中的至少一者的制造材料優(yōu)選為液晶高分子聚合物，即LCP(Liquid Crystal Polymer)材料，此種材料可以承受至少300℃的高溫。另外，基于耐高溫的需求，還可以對(duì)鏡片23的制造材料、第一定位圈24和第二定位圈27的制造材料進(jìn)行優(yōu)化，例如將鏡片23從塑料鏡片優(yōu)化為玻璃鏡片，第一定位圈24和第二定位圈27的制造材料均設(shè)置為FR4。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。