1.一種像素性能的檢測(cè)方法,其特征在于,包括:
步驟01:分別獲取不同工藝階段的像素的參數(shù);該參數(shù)包括:感光度、暗電流、量子效率、信噪比、動(dòng)態(tài)范圍以及各個(gè)像素尺寸;所述不同工藝階段的像素包括前照式像素工藝階段的像素、背照式像素工藝階段的像素和3D堆疊像素工藝階段的像素;
步驟02:根據(jù)所述參數(shù)計(jì)算出一個(gè)綜合性能指標(biāo);其中,計(jì)算所述綜合性能指標(biāo)采用的公式為:
其中,QE為量子效率,Sensitivity為感光度、DR為動(dòng)態(tài)范圍、SNR為信噪比、DC為暗電流、Pixel_Size為像素尺寸;
步驟03:根據(jù)綜合性能指標(biāo)判斷像素性能好壞;其中,綜合性能指標(biāo)越高表示像素性能越好。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法,其特征在于,所述動(dòng)態(tài)范圍包括最大輸出電壓和讀出噪聲,所述信噪比受滿井電荷和噪聲本底的影響。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)方法,其特征在于,所述動(dòng)態(tài)范圍與輸出電壓成正比,與讀出噪聲呈反比。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)方法,其特征在于,所述信噪比與滿井電荷呈正比,與噪聲本底呈反比。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法,其特征在于,所述像素包括滾筒像素和/或全局像素。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法,其特征在于,所述像素為圖像傳感器像素。