專(zhuān)利名稱(chēng)：固體拍攝裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)施方式一般涉及固體拍攝裝置。
背景技術(shù)：
有如下方法在采用多個(gè)像素共用構(gòu)造而實(shí)現(xiàn)像素的微細(xì)化的CMOS圖像傳感器中，將CMOS圖像傳感器的復(fù)位晶體管以及放大晶體管的各漏電源作為單獨(dú)電源而使像素的驅(qū)動(dòng)負(fù)荷降低。在該方法中，與將復(fù)位晶體管的漏電源與放大晶體管的漏電源設(shè)為相同驅(qū)動(dòng)的情況相比，垂直信號(hào)線(xiàn)的電容負(fù)荷變小，能夠進(jìn)行高速工作。但是，在該方法中，因?yàn)槊}沖進(jìn)入所有像素的復(fù)位晶體管、所有像素的復(fù)位晶體管同時(shí)被驅(qū)動(dòng)，所以復(fù)位晶體管的漏電源的負(fù)荷變大了。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問(wèn)題在于提供通過(guò)將復(fù)位晶體管的漏電源與放大晶體管的漏電源設(shè)為單獨(dú)電源并且在不同的行間單獨(dú)驅(qū)動(dòng)前述復(fù)位晶體管的漏來(lái)降低復(fù)位晶體管的漏電源的負(fù)荷、進(jìn)而與以往相比能夠削減布局面積的固體拍攝裝置。根據(jù)實(shí)施方式的固體拍攝裝置，其特征在于，具備設(shè)置有K(K為2以上的整數(shù))個(gè)像素的單元；放大晶體管，其在前述單元中由前述K個(gè)像素共用，且對(duì)從前述像素讀取的信號(hào)進(jìn)行放大；復(fù)位晶體管，其在前述單元中由前述K個(gè)像素共用，且對(duì)從前述像素讀取的信號(hào)進(jìn)行復(fù)位；以及行掃描電路，其將復(fù)位晶體管的漏電源與放大晶體管的漏電源設(shè)為單獨(dú)電源，并且在不同的行間單獨(dú)驅(qū)動(dòng)前述復(fù)位晶體管的漏。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的固體拍攝裝置，通過(guò)將復(fù)位晶體管的漏電源與放大晶體管的漏電源設(shè)為單獨(dú)電源，并且在不同的行間單獨(dú)驅(qū)動(dòng)上述復(fù)位晶體管的漏，來(lái)降低復(fù)位晶體管的漏電源的負(fù)荷，進(jìn)而與以往相比能夠削減布局面積。


圖I是表示第I實(shí)施方式所涉及的固體拍攝裝置的概略結(jié)構(gòu)的框圖。圖2是表示圖I的固體拍攝裝置的讀取工作的時(shí)序圖。圖3是表示圖I的固體拍攝裝置的像素陣列部的布局結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖4是表示第2實(shí)施方式所涉及的固體拍攝裝置的概略結(jié)構(gòu)的框圖。圖5是表示圖4的固體拍攝裝置的讀取工作的時(shí)序圖。圖6是表示圖4的固體拍攝裝置的像素陣列部的布局結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖7是表示第3實(shí)施方式所涉及的固體拍攝裝置的概略結(jié)構(gòu)的框圖。圖8是表示圖7的固體拍攝裝置的讀取工作的時(shí)序圖。圖9是表示圖7的固體拍攝裝置的像素陣列部的布局結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖10是表示第4實(shí)施方式所涉及的固體拍攝裝置的概略結(jié)構(gòu)的框圖。圖11是表示圖10的固體拍攝裝置的讀取工作的時(shí)序圖。圖12是表示圖10的固體拍攝裝置的像素陣列部的布局結(jié)構(gòu)的俯視圖。
具體實(shí)施例方式根據(jù)實(shí)施方式的固體拍攝裝置，設(shè)置有單元、放大晶體管、復(fù)位晶體管和行掃描電路。單元設(shè)置有K(K為2以上的整數(shù))個(gè)像素。放大晶體管在前述單元中由前述K個(gè)像素 共用，并對(duì)從前述像素讀取的信號(hào)進(jìn)行放大。復(fù)位晶體管在前述單元中由前述K個(gè)像素共用，并對(duì)從前述像素讀取的信號(hào)進(jìn)行復(fù)位。行掃描電路在不同的行間單獨(dú)驅(qū)動(dòng)前述復(fù)位晶體管的漏。下面，關(guān)于實(shí)施方式所涉及的固體拍攝裝置，參照附圖進(jìn)行說(shuō)明。此外，并不通過(guò)這些實(shí)施方式來(lái)限定本發(fā)明。(第I實(shí)施方式)圖I是表示第I實(shí)施方式所涉及的固體拍攝裝置的概略結(jié)構(gòu)的框圖。在圖I中，在該固體拍攝裝置中，單元UCl在行方向以及列方向以矩陣狀配置。這里，在各單元UCl，設(shè)置有2個(gè)光電二極管PDl和H)2、2個(gè)讀取晶體管Tdl和Td2、l個(gè)復(fù)位晶體管Tc、I個(gè)浮置擴(kuò)散部(Floating Diffusion)FD以及I個(gè)放大晶體管Tb。這里，各光電二極管roi、PD2能夠?qū)?lái)自拍攝對(duì)象的光以像素為單位變換為電信號(hào)。讀取晶體管Tdl、Td2能夠分別讀取通過(guò)光電二極管H)1、PD2進(jìn)行了光電變換的信號(hào)。復(fù)位晶體管Tc能夠由光電二極管roi、PD2共用，并對(duì)從光電二極管roi、PD2讀取的信號(hào)進(jìn)行復(fù)位。浮置擴(kuò)散部FD能夠由光電二極管pdi、pd2共用，并檢測(cè)從光電二極管roi、ro2讀取的信號(hào)。放大晶體管Tb能夠由光電二極管roi、PD2共用，并對(duì)從光電二極管roi、H)2讀取的信號(hào)進(jìn)行放大。而且，光電二極管roi、PD2在縱向并排配置，光電二極管PDl能夠配置于第M(M為正整數(shù))行，光電二極管PD2能夠配置于第M+1行。另外，浮置擴(kuò)散部FD與讀取晶體管TdU Td2的漏共用。另外，讀取晶體管Tdl、Td2的源分別連接于光電二極管H)l、PD2.復(fù)位晶體管Tc的源連接于浮置擴(kuò)散部FD。另外，單元UCl配置為在縱向的相鄰單元間成為鏡像關(guān)系。而且，單元UCl的復(fù)位晶體管Tc的漏以及放大晶體管Tb的漏在縱向的不同的相鄰單元間共用。例如，能夠使復(fù)位晶體管Tc的漏與單元UCl的上側(cè)的相鄰單元共用，能夠使放大晶體管Tb的漏與單元UCl的下側(cè)的相鄰單元共用。另外，在該固體拍攝裝置中，設(shè)置有按每行對(duì)像素進(jìn)行掃描的行掃描電路1，并且設(shè)置有按每列傳送從各像素讀取的信號(hào)的垂直信號(hào)線(xiàn)VL。而且，在行掃描電路I上連接有漏電源線(xiàn)HD、復(fù)位控制線(xiàn)HS、讀取控制線(xiàn)HR1、HR2。這里，讀取控制線(xiàn)HR1、HR2按每行而設(shè)置，分別連接于讀取晶體管Tdl、Td2的柵。復(fù)位控制線(xiàn)HS以2行對(duì)I根的比例設(shè)置，連接于復(fù)位晶體管Tc的柵。此外，復(fù)位控制線(xiàn)HS能夠按縱向的每4像素量各相鄰地配置2根。漏電源線(xiàn)HD以4行對(duì)I根的比例設(shè)置，連接于復(fù)位晶體管Tc的柵。此外，漏電源線(xiàn)HD能夠配置于相鄰地配置的2根復(fù)位控制線(xiàn)HS之間。這里，行掃描電路I能夠在不同的行間單獨(dú)驅(qū)動(dòng)復(fù)位晶體管Tc的漏。另外，行掃描電路I能夠單獨(dú)驅(qū)動(dòng)復(fù)位晶體管Tc的漏和放大晶體管Tb的漏。例如，行掃描電路I能夠按各行而驅(qū)動(dòng)復(fù)位晶體管Tc的漏。但是，在復(fù)位晶體管Tc的漏在縱向的2個(gè)相鄰像素間共用的情況下，能夠每2行地驅(qū)動(dòng)復(fù)位晶體管Tc的漏。另外，在復(fù)位晶體管Tc的 漏在縱向的4個(gè)相鄰像素間共用的情況下，能夠每4行地驅(qū)動(dòng)復(fù)位晶體管Tc的漏。放大晶體管Tb的柵連接于浮置擴(kuò)散部FD，放大晶體管Tb的源連接于垂直信號(hào)線(xiàn)VL，放大晶體管Tb的漏連接于漏電源AVDD。此外，漏電源AVDD能夠共同地連接于該固體拍攝裝置的全部單元UCl的放大晶體管Tb的漏。另外，漏電源AVDD的電壓能夠設(shè)定為固定值。圖2是表示圖I的固體拍攝裝置的讀取工作的時(shí)序圖。在圖2中，如果設(shè)為例如從第M行的像素讀取信號(hào)，則通過(guò)對(duì)復(fù)位控制線(xiàn)HS施加復(fù)位信號(hào)RESET2，復(fù)位晶體管Tc導(dǎo)通，浮置擴(kuò)散部FD的電荷被復(fù)位。接著，與浮置擴(kuò)散部FD的復(fù)位電平相應(yīng)的電壓施加于放大晶體管Tb的柵，第N(N為正整數(shù))列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL的電壓跟隨被施加于放大晶體管Tb的柵的電壓，由此復(fù)位電平的像素信號(hào)VSigl被輸出到第N列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL。此外，放大晶體管Tb能夠構(gòu)成連接于垂直信號(hào)線(xiàn)VL的負(fù)荷晶體管和源跟隨器。接下來(lái)，通過(guò)對(duì)讀取控制線(xiàn)HRl施加讀取信號(hào)READ3，讀取晶體管Tdl導(dǎo)通，由光電二極管PDl檢測(cè)到的電荷被向浮置擴(kuò)散部FD傳送。接著，與浮置擴(kuò)散部FD的信號(hào)電平相應(yīng)的電壓施加于放大晶體管Tb的柵,第N列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL的電壓跟隨被施加于放大晶體管Tb的柵的電壓，由此信號(hào)電平的像素信號(hào)VSigl被輸出到第N列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL。接下來(lái)，通過(guò)對(duì)復(fù)位控制線(xiàn)HS施加復(fù)位信號(hào)RESET2，復(fù)位晶體管Tc導(dǎo)通。此時(shí)，通過(guò)對(duì)第M行的漏電源線(xiàn)HD施加漏脈沖DRAINl，浮置擴(kuò)散部FD的電位被設(shè)定為L(zhǎng)電平。這里，如果浮置擴(kuò)散部FD的電位被設(shè)定為L(zhǎng)電平，則放大晶體管Tb截止，各像素從垂直信號(hào)線(xiàn)VL斷開(kāi)。因此，通過(guò)在從各像素讀取信號(hào)之后，將單元UCl的浮置擴(kuò)散部FD的電位設(shè)定為電源電位，能夠防止基于來(lái)自作為讀取對(duì)象的像素以外的像素的信號(hào)而驅(qū)動(dòng)垂直信號(hào)線(xiàn)VL的現(xiàn)象。這里，通過(guò)在不同的行間單獨(dú)驅(qū)動(dòng)漏電源線(xiàn)HD，能夠降低復(fù)位晶體管Tc的漏電源的負(fù)荷。另外，通過(guò)將漏電源線(xiàn)HD與漏電源AVDD分離，能夠減小垂直信號(hào)線(xiàn)VL的電容負(fù)荷，能夠?qū)崿F(xiàn)高速工作化，并且能夠固定放大晶體管Tb的漏電位，能夠減小垂直信號(hào)線(xiàn)VL的電位的擺動(dòng)而使噪音降低。另外，單元UCl的復(fù)位晶體管Tc的漏以及放大晶體管Tb的漏，在縱向的不同的相鄰單元間共用，由此能夠在橫向以及縱向上分別等間隔地配置像素，并且能夠削減布局面積。另外，通過(guò)使單元UCl的復(fù)位晶體管Tc的漏在縱向的相鄰單元間共用，能夠使漏電源線(xiàn)HD在縱向的相鄰單元間共用，能夠使漏電源線(xiàn)HD的根數(shù)減半。圖3是表示圖I的固體拍攝裝置的像素陣列部的布局結(jié)構(gòu)的俯視圖。
在圖3中，在半導(dǎo)體基板，2個(gè)光電二極管roi、H)2以單元UCl為單位在縱向并排配置。而且，浮置擴(kuò)散部FD以與光電二極管roi、PD2相鄰的方式配置。而且，在光電二極管PDl與浮置擴(kuò)散部FD之間配置有柵電極G1，在光電二極管PD2與浮置擴(kuò)散部FD之間配置有柵電極G2。此外，柵電極G1、G2能夠分別構(gòu)成讀取晶體管Tdl、Td2。另外，在與上側(cè)相鄰的單元的邊界配置有雜質(zhì)擴(kuò)散層F1，在浮置擴(kuò)散部FD與雜質(zhì)擴(kuò)散層Fl之間配置有柵電極G0。此外，柵電極GO能夠構(gòu)成復(fù)位晶體管Tc。另外，雜質(zhì)擴(kuò)散層F2以與浮置擴(kuò)散部FD在縱向相鄰的方式配置，雜質(zhì)擴(kuò)散層F3以與雜質(zhì)擴(kuò)散層F2在縱向相鄰的方式配置。而且，在雜質(zhì)擴(kuò)散層F2、F3間配置有柵電極G3。此外，柵電極G3能夠構(gòu)成放大晶體管Tb。
另外，單元UCl的復(fù)位晶體管Tc以及放大晶體管Tb配置在第N列的光電二極管PD1、PD2與第N+1列的光電二極管H)1、PD2之間。而且，浮置擴(kuò)散部FD經(jīng)由布線(xiàn)Hl連接于柵電極G3。雜質(zhì)擴(kuò)散層F2經(jīng)由布線(xiàn)H2連接于垂直信號(hào)線(xiàn)VL。漏電源線(xiàn)HD連接于雜質(zhì)擴(kuò)散層Fl。復(fù)位控制線(xiàn)HS連接于柵電極G0。讀取控制線(xiàn)HR1、HR2分別連接于柵電極G1、G2。電源線(xiàn)VD連接于雜質(zhì)擴(kuò)散層F3。該電源線(xiàn)VD能夠供給漏電源AVDD。此外，讀取晶體管Tdl、Td2、復(fù)位晶體管Tc、浮置擴(kuò)散部FD以及放大晶體管Tb能夠配置于半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)?，光電二極管roi、PD2能夠配置于半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)?。在這樣的背面照射型的情況下，能夠?qū)?fù)位控制線(xiàn)HS、讀取控制線(xiàn)HR1、HR2以及電源線(xiàn)VD等布線(xiàn)配置為與光電二極管roi、PD2重疊，能夠使布線(xiàn)的布局的自由度提高。此外，也可以與讀取晶體管Tdl、Td2、復(fù)位晶體管Tc、浮置擴(kuò)散部FD以及放大晶體管Tb —并將光電二極管roi、PD2也配置于半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)?。在這樣的表面照射型的情況下，為了不妨礙向光電二極管PDl、PD2的光的入射，能夠以避開(kāi)光電二極管PDl、PD2的方式配置復(fù)位控制線(xiàn)HS、讀取控制線(xiàn)HR1、HR2以及電源線(xiàn)VD等布線(xiàn)。這里，通過(guò)使單元UCl的復(fù)位晶體管Tc的漏擴(kuò)散層與上側(cè)的相鄰單元的復(fù)位晶體管Tc的漏擴(kuò)散層共用，并使單元UCl的放大晶體管Tb的漏擴(kuò)散層與下側(cè)的相鄰單元的放大晶體管Tb的漏擴(kuò)散層共用，能夠在橫向以及縱向上分別等間隔地配置像素，并且削減布局面積。(第2實(shí)施方式)圖4是表示第2實(shí)施方式所涉及的固體拍攝裝置的概略結(jié)構(gòu)的框圖。在圖4中，在該固體拍攝裝置中，單元UCl在行方向以及列方向以矩陣狀配置。此夕卜，圖4的單元UCl的結(jié)構(gòu)與圖I的單元UCl的結(jié)構(gòu)相同。但是，圖4的第N+1列的單元UCl,相對(duì)于第N列的單元UCl向縱向上側(cè)按I像素量偏離地配置，圖4的第N+1列的單元UCl"相對(duì)于第N列的單元UCl向縱向下側(cè)按I像素量偏離地配置。另外，在第N+1列的單元UCl'，與第N列的單元UCl的漏電源線(xiàn)HD以及復(fù)位控制線(xiàn)HS獨(dú)立地設(shè)置有漏電源線(xiàn)HD'以及復(fù)位控制線(xiàn)HS'。另外，在第N+1列的單元UCl"，與第N列的單元UCl的漏電源線(xiàn)HDl以及復(fù)位控制線(xiàn)HSl獨(dú)立地設(shè)置有漏電源線(xiàn)HD'以及復(fù)位控制線(xiàn)HS"。此外，漏電源線(xiàn)HD'在單元UCl'、UC1"間共用。這里，復(fù)位控制線(xiàn)HS'連接于第N+1列的單元UCl'的復(fù)位晶體管Tc的柵。復(fù)位控制線(xiàn)HS"連接于第N+1列的單元UCl "的復(fù)位晶體管Tc的柵。漏電源線(xiàn)HD'連接于第N+1列的單元UCl,、UCl "的復(fù)位晶體管Tc的漏。另外，在第N+1列的單元UCl'中，讀取控制線(xiàn)HRl連接于讀取晶體管Td2的柵，讀取控制線(xiàn)HR2連接于晶體管Tdl的柵。另外，在該固體拍攝裝置中，取代圖I的行掃描電路I而設(shè)置有行掃描電路2。在該行掃描電路2上，連接有漏電源線(xiàn)HD、HD'、復(fù)位控制線(xiàn)HS、HS'、HS"、讀取控制線(xiàn)HR1、HR2。這里，行掃描電路2能夠與放大晶體管Tb的漏獨(dú)立地按每行驅(qū)動(dòng)復(fù)位晶體管Tc的漏。此時(shí)，在從第M行的像素讀取信號(hào)時(shí)，能夠?qū)⒙╇娫淳€(xiàn)HD、HD'作為組進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。圖5是表示圖4的固體拍攝裝置的讀取工作的時(shí)序圖。在圖5中，如果設(shè)為例如從第N列且第M行的像素讀取信號(hào)，則通過(guò)對(duì)復(fù)位控制線(xiàn)HS施加復(fù)位信號(hào)RESET2，單元UCl的復(fù)位晶體管Tc導(dǎo)通，單元UCl的浮置擴(kuò)散部FD的電荷被復(fù)位。接著，與單元UCl的浮置擴(kuò)散部FD的復(fù)位電平相應(yīng)的電壓施加于單元UCl的放大晶體管Tb的柵，第N列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL的電壓跟隨被施加于單元UCl的放大晶體管Tb的柵的電壓，由此復(fù)位電平的像素信號(hào)VSigl被輸出到第N列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL。此時(shí)，通過(guò)對(duì)復(fù)位控制線(xiàn)HS'施加復(fù)位信號(hào)RESET3，單元UCl'的復(fù)位晶體管Tc導(dǎo)通，單元UCl'的浮置擴(kuò)散部FD的電荷被復(fù)位。接著，與單元UCl'的浮置擴(kuò)散部FD的復(fù)位電平相應(yīng)的電壓施加于單元UCl,的放大晶體管Tb的柵，第N+1列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL的電壓跟隨被施加于單元UCl,的放大晶體管Tb的柵的電壓，由此復(fù)位電平的像素信號(hào)VSig2被輸出到第N+1列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL。接下來(lái)，通過(guò)對(duì)讀取控制線(xiàn)HRl施加讀取信號(hào)READ3，單元UCl的讀取晶體管Tdl導(dǎo)通，由單元UCl的光電二極管PDl檢測(cè)到的電荷被向單元UCl的浮置擴(kuò)散部FD傳送。接著，與單元UCl的浮置擴(kuò)散部FD的信號(hào)電平相應(yīng)的電壓施加于單元UCl的放大晶體管Tb的柵，第N列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL的電壓跟隨被施加于單元UCl的放大晶體管Tb的柵的電壓，由此信號(hào)電平的像素信號(hào)VSigl被輸出到第N列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL。另外，如果對(duì)讀取控制線(xiàn)HRl施加讀取信號(hào)READ3，則單元UCl丨的讀取晶體管Td2導(dǎo)通，由單元UCl'的光電二極管PD2檢測(cè)到的電荷被向單元UCl'的浮置擴(kuò)散部FD傳送。接著，與單元UCr的浮置擴(kuò)散部FD的信號(hào)電平相應(yīng)的電壓施加于單元UCl'的放大晶體管Tb的柵，第N+1列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL的電壓跟隨被施加于單元UCl'的放大晶體管Tb的柵，由此信號(hào)電平的像素信號(hào)VSig2被輸出到第N+1列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL。接下來(lái)，通過(guò)對(duì)復(fù)位控制線(xiàn)HS施加復(fù)位信號(hào)RESET2，單元UCl的復(fù)位晶體管Tc導(dǎo)通。此時(shí)，通過(guò)對(duì)漏電源線(xiàn)HD施加漏脈沖DRAINl，單元UCl的浮置擴(kuò)散部FD的電位被設(shè)定為L(zhǎng)電平。另外，通過(guò)對(duì)復(fù)位控制線(xiàn)HS'施加復(fù)位信號(hào)RESET3，單元UCl'的復(fù)位晶體管Tc導(dǎo)通。此時(shí)，通過(guò)對(duì)漏電源線(xiàn)HD'施加漏脈沖DRAIN2，單元UCl'的浮置擴(kuò)散部FD的電位被設(shè)定為L(zhǎng)電平。接下來(lái)，如果設(shè)為從第N列且第M+1行的像素讀取信號(hào)，則通過(guò)對(duì)復(fù)位控制線(xiàn)HS施加復(fù)位信號(hào)RESET2，單元UCl的復(fù)位晶體管Tc導(dǎo)通，單元UCl的浮置擴(kuò)散部FD的電荷被復(fù)位。接著，與單元UCl的浮置擴(kuò)散部FD的復(fù)位電平相應(yīng)的電壓施加于單元UCl的放大晶體管Tb的柵，第N列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL的電壓跟隨被施加于單元UCl的放大晶體管Tb的柵的電壓，由此復(fù)位電平的像素信號(hào)VSigl被輸出到第N列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL。此時(shí)，通過(guò)對(duì)復(fù)位控制線(xiàn)HS"施加復(fù)位信號(hào)RESET4，單元UCl "的復(fù)位晶體管Tc導(dǎo)通，單元UCl"的浮置擴(kuò)散部FD的電荷被復(fù)位。接著，與單元UCl"的浮置擴(kuò)散部FD的復(fù)位電平相應(yīng)的電壓施加于單元UCl "的放大晶體管Tb的柵，第N+1列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL的電壓跟隨被施加于單元UCl "的放大晶體管Tb的柵的電壓，由此復(fù)位電平的像素信號(hào)VSig2被輸出到第N+1列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL。接下來(lái)，通過(guò)對(duì)讀取控制線(xiàn)HR2施加讀取信號(hào)READ4，單元UCl的讀取晶體管Td2導(dǎo)通，由單元UCl的光電二極管PD2檢測(cè)到的電荷被向單元UCl的浮置擴(kuò)散部FD傳送。接著，與單元UCl的浮置擴(kuò)散部FD的信號(hào)電平相應(yīng)的電壓施加于單元UCl的放大晶體管Tb的柵，第N列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL的電壓跟隨被施加于單元UCl的放大晶體管Tb的柵的電壓， 由此信號(hào)電平的像素信號(hào)VSigl被輸出到第N列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL。另外，如果對(duì)讀取控制線(xiàn)HR2施加讀取信號(hào)READ4，則單元UCl "的讀取晶體管Tdl導(dǎo)通，由單元UCl"的光電二極管PDl檢測(cè)到的電荷被向單元UCl"的浮置擴(kuò)散部FD傳送。接著，與單元UCl"的浮置擴(kuò)散部FD的信號(hào)電平相應(yīng)的電壓施加于單元UCl"的放大晶體管Tb的柵，第N+1列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL的電壓跟隨被施加于單元UCl"的放大晶體管Tb的柵的電壓，由此信號(hào)電平的像素信號(hào)VSig2被輸出到第N+1列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL。接下來(lái),通過(guò)對(duì)復(fù)位控制線(xiàn)HS施加復(fù)位信號(hào)RESET2,單元UCl的復(fù)位晶體管Tc導(dǎo)通。此時(shí)，通過(guò)對(duì)漏電源線(xiàn)HD施加漏脈沖DRAINl，單元UCl的浮置擴(kuò)散部FD的電位被設(shè)定為L(zhǎng)電平。另外，通過(guò)對(duì)復(fù)位控制線(xiàn)HS"施加復(fù)位信號(hào)RESET4，單元UCl"的復(fù)位晶體管Tc導(dǎo)通。此時(shí)，通過(guò)對(duì)漏電源線(xiàn)HD'施加漏脈沖DRAIN2，單元UCl"的浮置擴(kuò)散部FD的電位被設(shè)定為L(zhǎng)電平。以下，關(guān)于從下一行讀取信號(hào)的情況，也同樣地工作。這里，通過(guò)在第N列和第N+1列在縱向偏離地配置單元，能夠?qū)⒕G像素(G像素)彼此、即Gr像素與Gb像素的布局對(duì)稱(chēng)化，能夠使顏色的不均降低。圖6是表示圖4的固體拍攝裝置的像素陣列部的布局結(jié)構(gòu)的俯視圖。在圖6中，固體拍攝裝置的單元UCl的布局結(jié)構(gòu)與圖3的布局結(jié)構(gòu)相同。但是，第N+1列的單元UCl的復(fù)位晶體管Tc、浮置擴(kuò)散部FD以及放大晶體管Tb相對(duì)于第N列的單元UCl的復(fù)位晶體管Tc、浮置擴(kuò)散部FD以及放大晶體管Tb按2像素量在縱向偏離地配置。由此，即使在將單元UCl交錯(cuò)配置的情況下，也能夠使單元UCl的復(fù)位晶體管Tc的漏擴(kuò)散層與上側(cè)的相鄰單元的復(fù)位晶體管Tc的漏擴(kuò)散層共用，使單元UCl的放大晶體管Tb的漏擴(kuò)散層與下側(cè)的相鄰單元的放大晶體管Tb的漏擴(kuò)散層共用，能夠在橫向以及縱向上分別等間隔地配置像素，并且可以削減布局面積。此外，在圖6的例子中，舉出了背面照射型CMOS傳感器的布線(xiàn)布局為例，但是也可以應(yīng)用于表面照射型CMOS傳感器。(第3實(shí)施方式)圖7是表示第3實(shí)施方式所涉及的固體拍攝裝置的概略結(jié)構(gòu)的框圖。在圖7中，在該固體拍攝裝置中，單元UC2在行方向以及列方向以矩陣狀配置。這里，在各單元UC2，設(shè)置有4個(gè)光電二極管PDl H)4、4個(gè)讀取晶體管Tdl Td4、l個(gè)復(fù)位晶體管Tc、I個(gè)浮置擴(kuò)散部FD以及I個(gè)放大晶體管Tb。這里，各光電二極管PDl PD4能夠?qū)?lái)自拍攝對(duì)象的光以像素為單位變換成電信號(hào)。讀取晶體管Tdl Td4能夠分別讀取通過(guò)光電二極管PDl PD4進(jìn)行了光電變換的信號(hào)。復(fù)位晶體管Tc，能夠由光電二極管PDl PD4共用，并對(duì)從光電二極管PDl PD4讀取的信號(hào)進(jìn)行復(fù)位。浮置擴(kuò)散部FD能夠由光電二極管PDl PD4共用，并檢測(cè)從光電二極管PDl PD4讀取的信號(hào)。放大晶體管Tb能夠由光電二極管PDl PD4共用，并對(duì)從光電二極管PDl PD4讀取的信號(hào)進(jìn)行放大。而且，光電二極管roi PD4在縱向并排配置，光電二極管PDl能夠配置于第M行，光電二極管PD2能夠配置于第M+1行，光電二極管PD3能夠配置于第M+2行，光電二極管PD4能夠配置于第M+3行。另外，浮置擴(kuò)散部FD與讀取晶體管Tdl、Td2的漏共用。另外，讀取晶體管Tdl Td4的源分別連接于光電二極管PDl TO4。復(fù)位晶體管Tc的源連接于浮置擴(kuò)散部FD。另外，第N列的單元UC2配置為相對(duì)于第N+1列的單元UC2'成為點(diǎn)對(duì)稱(chēng)。而且，第N列的單元UC2的復(fù)位晶體管Tc的漏與第N+1列的單元UC2,的復(fù)位晶體管Tc的漏共用。另外，第N列的單元UC2的放大晶體管Tb的漏與下述單元的放大晶體管Tb的漏共用，所述單元與第N+1列的單元UC2'在縱向上相鄰。另外，在該固體拍攝裝置中，設(shè)置有按每行對(duì)像素進(jìn)行掃描的行掃描電路3，并且設(shè)置有按每列傳送從各像素讀取的信號(hào)的垂直信號(hào)線(xiàn)VL。而且，在行掃描電路3上連接有漏電源線(xiàn)HD、復(fù)位控制線(xiàn)HS1、HS2、讀取控制線(xiàn)HRl HR4。這里，讀取控制線(xiàn)HRl HR4按每行而設(shè)置，分別連接于讀取晶體管Tdl Td4的柵。復(fù)位控制線(xiàn)HS1、HS2按4行對(duì)I根的比例設(shè)置，復(fù)位控制線(xiàn)HSl連接于第N列的單元UC2的復(fù)位晶體管Tc的柵，復(fù)位控制線(xiàn)HS2連接于第N+1列的單元UC2,的復(fù)位晶體管Tc的柵。漏電源線(xiàn)HD以4行對(duì)I根的比例設(shè)置，連接于復(fù)位晶體管Tc的柵。這里，行掃描電路3能夠在不同的行間單獨(dú)驅(qū)動(dòng)復(fù)位晶體管Tc的漏。另外，行掃描電路3能夠單獨(dú)驅(qū)動(dòng)復(fù)位晶體管Tc的漏和放大晶體管Tb的漏。例如，在復(fù)位晶體管Tc的漏在縱向的4個(gè)相鄰像素間共用的情況下，能夠每4行地驅(qū)動(dòng)復(fù)位晶體管Tc的漏。另外，行掃描電路3能夠?qū)⒌贜列的單元UC2的復(fù)位控制線(xiàn)HSl與第N+1列的單元UC2,的復(fù)位控制線(xiàn)HS2作為組來(lái)驅(qū)動(dòng)。放大晶體管Tb的柵連接于浮置擴(kuò)散部FD，放大晶體管Tb的源連接于垂直信號(hào)線(xiàn)VL，放大晶體管Tb的漏連接于漏電源AVDD。此外，漏電源AVDD能夠共同地連接于該固體拍攝裝置的全部單元UC2的放大晶體管Tb的漏。另外，漏電源AVDD的電壓能夠設(shè)定為固定值。圖8是表示圖7的固體拍攝裝置的讀取工作的時(shí)序圖。在圖8中，如果設(shè)為例如從第M+2行的像素讀取信號(hào)，則通過(guò)對(duì)復(fù)位控制線(xiàn)HS1、HS2分別施加復(fù)位信號(hào)RESET1、RESET2，單元UC2、UC2,的復(fù)位晶體管Tc分別導(dǎo)通，單元UC2、UC2'的浮置擴(kuò)散部FD的電荷分別被復(fù)位。接著，與單元UC2的浮置擴(kuò)散部FD的復(fù)位電平相應(yīng)的電壓施加于單元UC2的放大晶體管Tb的柵，第N列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL的電壓跟隨被施加于單元UC2的放大晶體管Tb的柵的電壓，由此復(fù)位電平的像素信號(hào)VSigl被輸出到第N列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL。 接下來(lái)，通過(guò)對(duì)讀取控制線(xiàn)HR3施加讀取信號(hào)READ3，讀取晶體管Td3導(dǎo)通，由光電二極管PD3檢測(cè)到的電荷被向浮置擴(kuò)散部FD傳送。接著，與浮置擴(kuò)散部FD的信號(hào)電平相應(yīng)的電壓施加于放大晶體管Tb的柵,第N列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL的電壓跟隨被施加于放大晶體管Tb的柵的電壓，由此信號(hào)電平的像素信號(hào)VSigl被輸出到第N列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL。接下來(lái)，通過(guò)對(duì)復(fù)位控制線(xiàn)HS I、HS2分別施加復(fù)位信號(hào)RESET I、RESET2，單元UC2、UC2,的復(fù)位晶體管Tc分別導(dǎo)通。此時(shí)，通過(guò)對(duì)漏電源線(xiàn)HD施加漏脈沖DRAIN1，浮置擴(kuò)散部FD的電位被設(shè)定為L(zhǎng)電平。以下，關(guān)于從下一行讀取信號(hào)的情況，也同樣地工作。這里，通過(guò)在不同的行間單獨(dú)驅(qū)動(dòng)漏電源線(xiàn)HD，即使在4像素共用構(gòu)造中也能夠降低復(fù)位晶體管Tc的漏電源的負(fù)荷。另外，第N列的單元UC2，通過(guò)配置為相對(duì)于第N+1列的單元UC2'成為點(diǎn)對(duì)稱(chēng)，能 夠確?？v向以及橫向上的浮置擴(kuò)散部FD的配置的對(duì)稱(chēng)性，并且使單元UCl的復(fù)位晶體管Tc的漏以及放大晶體管Tb的漏在不同的相鄰單元間共用。因此，能夠進(jìn)行布局設(shè)定，使得浮置擴(kuò)散部FD間的寄生電容變得相互相等，能夠防止在單元UC2間產(chǎn)生階梯狀的噪音。圖9是表示圖7的固體拍攝裝置的像素陣列部的布局結(jié)構(gòu)的俯視圖。在圖9中，在半導(dǎo)體基板，4個(gè)光電二極管PDl H)4以單元UC2為單位在縱向上并排配置。而且，雜質(zhì)擴(kuò)散層F3以與光電二極管H)1、PD2相鄰的方式配置，浮置擴(kuò)散部FD以與光電二極管ro3、PD4相鄰的方式配置。而且，在光電二極管PDl與雜質(zhì)擴(kuò)散層F3之間配置有柵電極G11，在光電二極管PD2與雜質(zhì)擴(kuò)散層F3之間配置有柵電極G12，在光電二極管PD3與浮置擴(kuò)散部FD之間配置有柵電極G13，在光電二極管PD4與浮置擴(kuò)散部FD之間配置有柵電極G14。此外，柵電極Gll G14能夠分別構(gòu)成讀取晶體管Tdl Td4。另外，在與橫向相鄰的單元UC2'的邊界配置有雜質(zhì)擴(kuò)散層F1，在浮置擴(kuò)散部FD與雜質(zhì)擴(kuò)散層Fl之間配置有柵電極G10。此外，柵電極GlO能夠構(gòu)成復(fù)位晶體管Tc。雜質(zhì)擴(kuò)散層F2以與浮置擴(kuò)散部FD在縱向相鄰的方式配置，在單元UC2'與縱向相鄰的單元UC2"的邊界配置有雜質(zhì)擴(kuò)散層F4。而且，在雜質(zhì)擴(kuò)散層F2、F4間配置有柵電極G15。此外，柵電極G15能夠構(gòu)成放大晶體管Tb。這里，單元UC2的浮置擴(kuò)散部FD與單元UC2'的浮置擴(kuò)散部FD配置為，相對(duì)于雜質(zhì)擴(kuò)散層Fl相互成為點(diǎn)對(duì)稱(chēng)。另外，單元UC2的浮置擴(kuò)散部FD與單元UC2"的浮置擴(kuò)散部FD配置為，相對(duì)于雜質(zhì)擴(kuò)散層F4相互成為點(diǎn)對(duì)稱(chēng)。另外，單元UC2、UC2/、UC2"的復(fù)位晶體管Tc以及放大晶體管Tb配置于第N列的光電二極管PDl PD4與第N+1列的光電二極管PDl PD4之間。而且，浮置擴(kuò)散部FD經(jīng)由布線(xiàn)Hl I連接于雜質(zhì)擴(kuò)散層F3。另外，浮置擴(kuò)散部FD經(jīng)由布線(xiàn)H12連接于柵電極G15。雜質(zhì)擴(kuò)散層F2經(jīng)由布線(xiàn)H13連接于垂直信號(hào)線(xiàn)VL。漏電源線(xiàn)HD連接于雜質(zhì)擴(kuò)散層Fl。 復(fù)位控制線(xiàn)HSl連接于單元UC2的柵電極G10，復(fù)位控制線(xiàn)HS2連接于單元UC2'的柵電極G10。讀取控制線(xiàn)HRl HR4分別連接于柵電極Gll G14。電源線(xiàn)VD連接于雜質(zhì)擴(kuò)散層F4。該電源線(xiàn)VD能夠供給漏電源AVDD。此外，讀取晶體管Tdl Td4、復(fù)位晶體管Tc、浮置擴(kuò)散部FD以及放大晶體管Tb能夠配置于半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)龋怆姸O管PDl PD4能夠配置于半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)?。在這樣的背面照射型的情況下，能夠?qū)?fù)位控制線(xiàn)HS1、HS2、讀取控制線(xiàn)HRl HR4以及電源線(xiàn)VD等布線(xiàn)配置為與光電二極管PDl PD4重疊，能夠使布線(xiàn)的布局的自由度提高。此外，也可以與讀取晶體管Tdl Td4、復(fù)位晶體管Tc、浮置擴(kuò)散部FD以及放大晶體管Tb—并將光電二極管PDl PD4也配置于半導(dǎo)體基板的表面?zhèn)取Ｔ谶@樣的表面照射型的情況下，為了不妨礙向光電二極管PDl PD4的光的入射，能夠以避開(kāi)光電二極管PDl PD4的方式配置復(fù)位控制線(xiàn)HS1、HS2、讀取控制線(xiàn)HRl HR4以及電源線(xiàn)VD等布線(xiàn)。這里，通過(guò)在橫向相鄰的單元UC2、UC2'間分出復(fù)位控制線(xiàn)HS1、HS2，即使在使單元UCl的復(fù)位晶體管Tc的漏擴(kuò)散層以及放大晶體管Tb的漏擴(kuò)散層在不同的相鄰單元間共用了的情況下，也能夠進(jìn)行布局設(shè)定，使得浮置擴(kuò)散部FD間的寄生電容變得相互相等。(第4實(shí)施方式)圖10是表示第4實(shí)施方式所涉及的固體拍攝裝置的概略結(jié)構(gòu)的框圖。
在圖10中，在該固體拍攝裝置中，單元UC2在行方向以及列方向以矩陣狀配置。此夕卜，圖10的單元UC2的結(jié)構(gòu)與圖7的單元UC2的結(jié)構(gòu)相同。但是，圖10的第N+1列的單元UC2,相對(duì)于第N列的單元UC2向縱向上側(cè)按2像素量偏離地配置，圖10的第N+1列的單元UC2"相對(duì)于第N列的單元UC2向縱向下側(cè)按2像素量偏離地配置。在圖7的固體拍攝裝置中，復(fù)位晶體管Tc與放大晶體管Tb的縱向配置關(guān)系在第N列的單元UC2和第N+1列的單元UC2'相互相反，相對(duì)于此，在圖10的固體拍攝裝置中，復(fù)位晶體管Tc與放大晶體管Tb的縱向配置關(guān)系在第N列的單元UC2和第N+1列的單元UC2/相互相等。另外，在該固體拍攝裝置中，取代圖7的行掃描電路3而設(shè)置有行掃描電路4。在該行掃描電路4上，連接有漏電源線(xiàn)HDl、HD2、復(fù)位控制線(xiàn)HSl、HS2和讀取控制線(xiàn)HRl HR4。這里，行掃描電路4能夠在不同的行間單獨(dú)驅(qū)動(dòng)復(fù)位晶體管Tc的漏。另外，行掃描電路3能夠單獨(dú)驅(qū)動(dòng)復(fù)位晶體管Tc的漏和放大晶體管Tb的漏。例如，在復(fù)位晶體管Tc的漏在縱向的4個(gè)相鄰像素間共用的情況下，能夠按每4行驅(qū)動(dòng)復(fù)位晶體管Tc的漏。另外，行掃描電路4能夠?qū)⒌贜列的單元UC2的復(fù)位控制線(xiàn)HSl與第N+1列的單元UC2"的復(fù)位控制線(xiàn)HS2作為組來(lái)驅(qū)動(dòng)。圖11是表示圖10的固體拍攝裝置的讀取工作的時(shí)序圖。在圖11中，如果設(shè)為例如從第N列且第M+2行的像素讀取信號(hào)，則通過(guò)對(duì)復(fù)位控制線(xiàn)HSl施加復(fù)位信號(hào)RESET2，單元UC2的復(fù)位晶體管Tc導(dǎo)通，單元UC2的浮置擴(kuò)散部FD的電荷被復(fù)位。接著，與單元UC2的浮置擴(kuò)散部FD的復(fù)位電平相應(yīng)的電壓施加于單元UC2的放大晶體管Tb的柵，第N列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL的電壓跟隨被施加于單元UC2的放大晶體管Tb的柵的電壓，由此復(fù)位電平的像素信號(hào)VSigl被輸出到第N列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL。此時(shí)，通過(guò)對(duì)復(fù)位控制線(xiàn)HS2施加復(fù)位信號(hào)RESET3，單元UC2"的復(fù)位晶體管Tc導(dǎo)通，單元UC2"的浮置擴(kuò)散部FD的電荷被復(fù)位。接著，與單元UC2"的浮置擴(kuò)散部FD的復(fù)位電平相應(yīng)的電壓施加于單元UC2 "的放大晶體管Tb的柵，第N+1列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL的電壓跟隨被施加于單元UC2"的放大晶體管Tb的柵的電壓，由此復(fù)位電平的像素信號(hào)VSig2被輸出到第N+1列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL。接下來(lái)，通過(guò)對(duì)讀取控制線(xiàn)HR3施加讀取信號(hào)READ3，單元UC2的讀取晶體管Td3導(dǎo)通，由單元UC2的光電二極管PD3檢測(cè)到的電荷被向單元UC2的浮置擴(kuò)散部FD傳送。接著，與單元UC2的浮置擴(kuò)散部FD的信號(hào)電平相應(yīng)的電壓施加于單元UC2的放大晶體管Tb的柵，第N列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL的電壓跟隨被施加于單元UC2的放大晶體管Tb的柵的電壓，由此信號(hào)電平的像素信號(hào)VSigl被輸出到第N列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL。另外，如果對(duì)讀取控制線(xiàn)HR3施加讀取信號(hào)READ3，則單元UC2 "的讀取晶體管Tdl導(dǎo)通，由單元UC2"的光電二極管PDl檢測(cè)到的電荷被向單元UC2"的浮置擴(kuò)散部FD傳送。接著，與單元UC2"的浮置擴(kuò)散部FD的信號(hào)電平相應(yīng)的電壓施加于單元UC2"的放大晶體管Tb的柵，第N+1列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL的電壓跟隨被施加于單元UC2"的放大晶體管Tb的柵的電壓，由此信號(hào)電平的像素信號(hào)VSig2被輸出到第N+1列的垂直信號(hào)線(xiàn)VL。接下來(lái)，通過(guò)對(duì)復(fù)位控制線(xiàn)HSl施加復(fù)位信號(hào)RESET2，單元UC2的復(fù)位晶體管Tc導(dǎo)通。此時(shí)，通過(guò)對(duì)漏電源線(xiàn)HDl施加漏脈沖DRAINl，單元UC2的浮置擴(kuò)散部FD的電位被設(shè)定為L(zhǎng)電平。另外，通過(guò)對(duì)復(fù)位控制線(xiàn)HS2施加復(fù)位信號(hào)RESET3，單元UC2"的復(fù)位晶體管Tc 導(dǎo)通。此時(shí)，通過(guò)對(duì)漏電源線(xiàn)HD2施加漏脈沖DRAIN2，單元UC2"的浮置擴(kuò)散部FD的電位被設(shè)定為L(zhǎng)電平。以下，關(guān)于從下一行讀取信號(hào)的情況，也同樣地工作。圖12是表示圖10的固體拍攝裝置的像素陣列部的布局結(jié)構(gòu)的俯視圖。在圖12中，固體拍攝裝置的單元UC2的布局結(jié)構(gòu)與圖9的布局結(jié)構(gòu)相同。但是，將第N列的單元UC2的雜質(zhì)擴(kuò)散層F3與浮置擴(kuò)散部FD相連接的布線(xiàn)Hl I，在第N+1列按2行量在縱向偏離，由此單元UC2、UC2'、UC2"被交錯(cuò)配置。由此，即使在將單元UC2、UC2'、UC2"交錯(cuò)狀配置的情況下，也能夠確?？v向以及橫向上的浮置擴(kuò)散部FD的配置的對(duì)稱(chēng)性，并且使單元UC2的復(fù)位晶體管Tc的漏擴(kuò)散層以及放大晶體管Tb的漏擴(kuò)散層在不同的相鄰單元間共用。此外，在圖12的例子中，舉出了背面照射型CMOS傳感器的布線(xiàn)布局為例，但也可以應(yīng)用于表面照射型CMOS傳感器。雖然說(shuō)明了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式，但是這些實(shí)施方式是作為例子而提出的，而并非要限定發(fā)明的范圍。這些新的實(shí)施方式能夠以其他的各種方式來(lái)實(shí)施，能夠在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種省略、置換、改變。這些實(shí)施方式和/或其變形，包含于發(fā)明的范圍和/或主旨，并且包含于權(quán)利要求所記載的發(fā)明和其均等的范圍。
權(quán)利要求
1.一種固體拍攝裝置，其特征在于，具備 設(shè)置有K(K為2以上的整數(shù))個(gè)像素的單元； 放大晶體管，其在前述單元中由前述K個(gè)像素共用，且對(duì)從前述像素讀取的信號(hào)進(jìn)行放大； 復(fù)位晶體管，其在前述單元中由前述K個(gè)像素共用，且對(duì)從前述像素讀取的信號(hào)進(jìn)行復(fù)位；以及 行掃描電路，其將復(fù)位晶體管的漏電源與放大晶體管的漏電源設(shè)為單獨(dú)電源，并且在不同的行間單獨(dú)驅(qū)動(dòng)前述復(fù)位晶體管的漏。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的固體拍攝裝置，其特征在于， 前述復(fù)位晶體管的漏擴(kuò)散層以及前述放大晶體管的漏擴(kuò)散層在縱向的不同的相鄰單 元間共用。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的固體拍攝裝置，其特征在于， 在前述單元中設(shè)置有縱向排列的2個(gè)像素，前述單元配置為在縱向的相鄰單元間成為鏡像關(guān)系。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固體拍攝裝置，其特征在于， 奇數(shù)列的單元相對(duì)于偶數(shù)列的單元，前述放大晶體管以及前述復(fù)位晶體管按2像素量偏離。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的固體拍攝裝置，其特征在于， 在前述單元中設(shè)置有縱向排列的4個(gè)像素，奇數(shù)列的單元配置為相對(duì)于偶數(shù)列的單元成為點(diǎn)對(duì)稱(chēng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的固體拍攝裝置，其特征在于， 在前述單元中設(shè)置有縱向排列的4個(gè)像素，奇數(shù)列的第I單元的復(fù)位晶體管的漏擴(kuò)散層與橫向相鄰的偶數(shù)列的第2單元的復(fù)位晶體管的漏擴(kuò)散層共用，前述第I單元的放大晶體管的漏擴(kuò)散層與偶數(shù)列的第3單元的放大晶體管的漏擴(kuò)散層共用，所述偶數(shù)列的第3單元與前述第2單元縱向相鄰。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固體拍攝裝置，其特征在于， 前述第I單元相對(duì)于前述第2單元在縱向按2像素量偏離。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的固體拍攝裝置，其特征在于，具備 與前述復(fù)位晶體管對(duì)應(yīng)地設(shè)置的浮置擴(kuò)散部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的固體拍攝裝置，其特征在于，具備 光電二極管，其對(duì)來(lái)自拍攝對(duì)象的光以像素為單位進(jìn)行光電變換；以及 讀取晶體管，其以像素為單位讀取通過(guò)前述光電二極管進(jìn)行了光電變換的信號(hào)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的固體拍攝裝置，其特征在于， 前述光電二極管在前述單元內(nèi)在列方向上相鄰地并排配置。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的固體拍攝裝置，其特征在于， 第I單元、第2單元以及第3單元相鄰地依次配置于同一列，前述第2單元的放大晶體管與前述第I單元的放大晶體管相鄰地配置，前述第2單元的復(fù)位晶體管與前述第3單元的復(fù)位晶體管相鄰地配置。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的固體拍攝裝置，其特征在于，第N(N為正整數(shù))列的第I單元的放大晶體管與第N+1列的第2單元的放大晶體管配置于第M(M為正整數(shù))行，第N列的前述第I單元的復(fù)位晶體管與第N+1列的前述第2單元的復(fù)位晶體管配置于第M+1行。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的固體拍攝裝置，其特征在于， 第N(N為正整數(shù))列的第I單元的放大晶體管與第N+1列的第2單元的復(fù)位晶體管配置于第M(M為正整數(shù))行，第N列的前述第I單元的復(fù)位晶體管與第N+1列的前述第2單元的放大晶體管配置于第M+1行。
14.根據(jù)權(quán)利要求I所述的固體拍攝裝置，其特征在于， 第2單元與第I單元相鄰地配置于同一行，第3單元與前述第2單元相鄰地配置于同一列，前述第I單元的復(fù)位晶體管與前述第2單元的復(fù)位晶體管相鄰地配置，前述第I單元的放大晶體管與前述第3單元的放大晶體管相鄰地配置。
15.根據(jù)權(quán)利要求I所述的固體拍攝裝置，其特征在于， 第N(N為正整數(shù))列的第I單元的放大晶體管配置于第M(M為正整數(shù))+3行，第N列的前述第I單元的復(fù)位晶體管配置于第M+2行，第N+1列的第2單元的放大晶體管配置于第M行，第N+1列的前述第2單元的復(fù)位晶體管配置于第M+1行。
16.根據(jù)權(quán)利要求I所述的固體拍攝裝置，其特征在于， 前述單元設(shè)置有分別配置于第M(M為正整數(shù))行以及第M+1行的2個(gè)像素,第N (N為正整數(shù))列的單元的復(fù)位晶體管以及第N+1列的單元的復(fù)位晶體管設(shè)置于前述第M行，第N列的單元的放大晶體管以及第N+1列的單元的放大晶體管設(shè)置于前述第M+1行。
17.根據(jù)權(quán)利要求I所述的固體拍攝裝置，其特征在于， 前述單元設(shè)置有分別配置于第M(M為正整數(shù))行以及第M+1行的2個(gè)像素,第N(N為正整數(shù))列的單元的復(fù)位晶體管以及第N+1列的單元的放大晶體管設(shè)置于前述第M行，第N列的單元的放大晶體管以及第N+1列的單元的復(fù)位晶體管設(shè)置于前述第M+1行。
18.根據(jù)權(quán)利要求I所述的固體拍攝裝置，其特征在于， 前述單元設(shè)置有分別配置于第M(M為正整數(shù))行、第M+1行、第M+2行以及第M+3行的4個(gè)像素，第N(N為正整數(shù))列的第I單元的復(fù)位晶體管設(shè)置于前述第M+2行,前述第N列的前述第I單元的放大晶體管設(shè)置于前述第M+3行，前述第N+1列的第2單元的復(fù)位晶體管設(shè)置于前述第M+1行，前述第N+1列的前述第2單元的放大晶體管設(shè)置于前述第M行。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的固體拍攝裝置，其特征在于， 前述第I單元的復(fù)位晶體管配置于前述第I單元的第M+2行的像素與前述第2單元的第M+2行的像素之間，前述第I單元的放大晶體管配置于前述第I單元的第M+3行的像素與前述第2單元的第M+3行的像素之間，前述第2單元的復(fù)位晶體管配置于前述第I單元的第M+1行的像素與前述第2單元的第M+1行的像素之間，前述第2單元的放大晶體管配置于前述第I單元的第M行的像素與前述第2單元的第M行的像素之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的固體拍攝裝置，其特征在于， 設(shè)置有與前述第2單元相鄰地配置于前述第N+1列的第3單元，前述第I單元的復(fù)位晶體管配置于前述第I單元的第M+2行的像素與前述第3單元的第M+2行的像素之間，前述第I單元的放大晶體管配置于前述第I單元的第M+3行的像素與前述第3單元的第M+3行的像素之間，前述第2單元的復(fù)位晶體管配置于前述第I單元的第M+1行的像素與前述第2單元的第M+1行的像素之間，前述第2單元的放大晶體管配置于前述第I單元的第M行的像素與前述第2單 元的第M行的像素之間。
全文摘要
根據(jù)實(shí)施方式，固體拍攝裝置具備設(shè)置有K(K為2以上的整數(shù))個(gè)像素的單元；放大晶體管，其由前述K個(gè)像素共用，且對(duì)從前述像素讀取的信號(hào)進(jìn)行放大；復(fù)位晶體管，其由前述K個(gè)像素共用，且對(duì)從前述像素讀取的信號(hào)進(jìn)行復(fù)位；以及行掃描電路，其將復(fù)位晶體管的漏電源與放大晶體管的漏電源設(shè)為單獨(dú)電源，并且在不同的行間單獨(dú)驅(qū)動(dòng)前述復(fù)位晶體管的漏。
文檔編號(hào)H04N5/341GK102655573SQ20121003058
公開(kāi)日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2012年2月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月3日
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