專利名稱：固體攝像器件和電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及固體攝像器件以及例如相機(jī)等設(shè)有該固體攝像器件的電子裝置。
背景技術(shù)：
作為固體攝像器件，存在著以諸如互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor ;CM0S)等MOS型圖像傳感器為代表的放大型固體攝像器件。另外，還存在著以電荷耦合器件(Charge Coupled Device ;CCD)圖像傳感器為代表的電荷傳輸型固體攝像器件。固體攝像器件被廣泛用于數(shù)碼照相機(jī)和數(shù)碼攝像機(jī)等中。近年來，作為安裝在移動(dòng)裝置(包括配有照相機(jī)的手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(Personal Digital Assistant ；PDA)等等)上的固體攝像器件，MOS型圖像傳感器因?yàn)殡娫措妷旱鸵蚨鴱碾娏ο牡慕嵌瓤紤]而被廣泛使用。這種MOS型固體攝像器件具有包括用作光電轉(zhuǎn)換單元的光電二極管和多個(gè)像素晶體管的單位像素，并被構(gòu)造成具有像素陣列(在該像素陣列中，多個(gè)單位像素以二維陣列形狀布置著)(像素區(qū)域)和周邊電路區(qū)域。上述多個(gè)像素晶體管由MOS晶體管形成，并被配置成包括傳輸晶體管、復(fù)位晶體管、放大晶體管這三個(gè)晶體管，或者在添加了選擇晶體管之后包括四個(gè)晶體管。在相關(guān)技術(shù)的這種MOS型固體攝像器件中，已經(jīng)通過各種提案提出了這樣的固體攝像器件通過將形成有像素陣列(該像素陣列中布置有多個(gè)像素)的半導(dǎo)體芯片與形成有邏輯電路(該邏輯電路用于進(jìn)行信號(hào)處理)的半導(dǎo)體芯片電連接起來，將上述固體攝像器件配置成一個(gè)器件。例如，在日本專利申請(qǐng)公開公報(bào)特開第2006-49361號(hào)中，公開了一種半導(dǎo)體模塊，在該半導(dǎo)體模塊中，通過微凸塊(micro-bumps)使背側(cè)照射型圖像傳感器芯片(該背側(cè)照射型圖像傳感器芯片具有與每個(gè)像素單元對(duì)應(yīng)的微焊盤)與信號(hào)處理芯片 (該信號(hào)處理芯片形成有信號(hào)處理電路且具有微焊盤)相互連接。在國(guó)際申請(qǐng)公布文件第WO 2006/129762號(hào)中，公開了一種半導(dǎo)體圖像傳感器模塊，在該半導(dǎo)體圖像傳感器模塊中，設(shè)有圖像傳感器的第一半導(dǎo)體芯片、設(shè)有模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器陣列的第二半導(dǎo)體芯片以及設(shè)有存儲(chǔ)元件陣列的第三半導(dǎo)體芯片堆疊起來。第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片借助于作為導(dǎo)電性連接導(dǎo)體的凸塊而被連接起來。第二半導(dǎo)體芯片和第三半導(dǎo)體芯片借助于穿透第二半導(dǎo)體芯片的貫穿接觸件而被連接起來。如日本專利申請(qǐng)公開公報(bào)特開第2006-49361號(hào)等中所示，已經(jīng)通過各種提案提出了這樣的技術(shù)其通過混載法來安裝包括圖像傳感器芯片、用于進(jìn)行信號(hào)處理的邏輯電路等的不同類型的電路芯片。在相關(guān)技術(shù)中，在功能性芯片幾乎完成的狀態(tài)下形成貫通連接孔，該貫通連接孔將各芯片相互連接起來，或者通過凸塊使各芯片相互連接起來。本發(fā)明的申請(qǐng)人先前提出了一種固體攝像器件，在該固體攝像器件中，把設(shè)有像素陣列的半導(dǎo)體芯片單元和設(shè)有邏輯電路的半導(dǎo)體芯片單元貼合在一起，以便充分地發(fā)揮各單元的性能，從而提供高性能、大產(chǎn)量和低成本。該固體攝像器件被這樣制成將處于半成品狀態(tài)的設(shè)有像素陣列的第一半導(dǎo)體芯片單元與設(shè)有邏輯電路的第二半導(dǎo)體芯片單元貼合在一起，使第一半導(dǎo)體芯片單元變得薄膜化，并且讓像素陣列和邏輯電路彼此連接。這種連接是通過形成由連接導(dǎo)體、貫穿連接導(dǎo)體和連結(jié)導(dǎo)體構(gòu)成的連接布線來實(shí)現(xiàn)的，上述連接導(dǎo)體與第一半導(dǎo)體芯片單元的所需布線相連接，上述貫穿連接導(dǎo)體穿透第一半導(dǎo)體芯片單元并與第二半導(dǎo)體芯片單元的所需布線相連接，并且上述連結(jié)導(dǎo)體使連接導(dǎo)體和貫穿連接導(dǎo)體二者連結(jié)起來。于是，上述器件被制成為成品狀態(tài)的芯片并被配置作為背側(cè)照射型固體攝像器件。在該固體攝像器件中，連接導(dǎo)體及貫穿連接導(dǎo)體被形成得隔著絕緣膜而埋置在穿透第一半導(dǎo)體芯片單元的硅基板的通孔內(nèi)。連接導(dǎo)體和貫穿連接導(dǎo)體的橫截面面積相對(duì)較大。因此，當(dāng)難以忽略在連接導(dǎo)體與硅基板之間以及貫穿連接導(dǎo)體與硅基板之間產(chǎn)生的寄生電容時(shí)，就會(huì)發(fā)現(xiàn)該寄生電容導(dǎo)致了電路的驅(qū)動(dòng)速度下降，并且該寄生電容會(huì)妨礙固體攝像器件的高性能化。另外，在具有上述結(jié)構(gòu)(該結(jié)構(gòu)中，貼合起來的半導(dǎo)體芯片單元通過連接導(dǎo)體和貫穿連接導(dǎo)體而被連接)的固體攝像器件中，相當(dāng)于各條垂直信號(hào)線的各條布線(換言之， 引線)與上述成對(duì)導(dǎo)體(連接導(dǎo)體和貫穿連接導(dǎo)體)相連接。在這樣的情況下，會(huì)產(chǎn)生對(duì)地電容(capacity at the ground)和相鄰耦合電容這樣的寄生電容。對(duì)地電容是布線與具有例如接地電位的半導(dǎo)體基板之間的寄生電容。相鄰耦合電容是相鄰的引線之間或者相鄰的成對(duì)導(dǎo)體之間的寄生電容。如果強(qiáng)化了電源，或者通過設(shè)置緩沖電路來使電流流動(dòng)，則能夠消除上述對(duì)地電容。然而，由于相鄰的列之間存在干涉，因而不能消除上述相鄰耦合電容。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是期望提供一種抑制了至少相鄰耦合電容并具有高性能的固體攝像器件。另外，期望提供例如相機(jī)等設(shè)有這種固體攝像器件的電子裝置。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案提供了一種背側(cè)照射型固體攝像器件，其包括堆疊式半導(dǎo)體芯片，所述堆疊式半導(dǎo)體芯片以使兩個(gè)以上半導(dǎo)體芯片單元彼此貼合的方式而被形成， 至少第一半導(dǎo)體芯片單元中形成有像素陣列和第一多層布線層，并且第二半導(dǎo)體芯片單元中形成有邏輯電路和第二多層布線層。此外，本發(fā)明還包括連接布線和第一遮蔽用布線，所述連接布線將所述第一半導(dǎo)體芯片單元和所述第二半導(dǎo)體芯片單元連接起來，所述第一遮蔽用布線遮蔽著沿一個(gè)方向彼此相鄰的所述連接布線之間的間隙。所述連接布線包括連接導(dǎo)體和貫穿連接導(dǎo)體，所述連接導(dǎo)體連接至與所述第一多層布線層中所需的第一布線相連接的第一連接焊盤，所述貫穿連接導(dǎo)體穿透所述第一半導(dǎo)體芯片單元且連接至與所述第二多層布線層中所需的第二布線相連接的第二連接焊盤。另外，所述連接布線被形成為還包括連結(jié)導(dǎo)體，所述連結(jié)導(dǎo)體把所述連接導(dǎo)體與所述貫穿連接導(dǎo)體連結(jié)起來。所述第一遮蔽用布線是由所述第一多層布線層和/或所述第二多層布線層中所需層的布線形成的。本發(fā)明的固體攝像器件被構(gòu)造成背側(cè)照射型固體攝像器件。在本發(fā)明上述實(shí)施方案的固體攝像器件中，包含有所述第一遮蔽用布線，所述第一遮蔽用布線遮蔽著沿一個(gè)方向彼此相鄰的所述連接布線之間的間隙，并且所述第一遮蔽用布線是由所述第一多層布線層和/或所述第二多層布線層中所需層的布線形成的，因此能夠抑制相鄰耦合電容。另外，由于使用所述多層布線層中的布線在不增加布線工序數(shù)量的前提下形成了所述第一遮蔽用布線，因而簡(jiǎn)化了結(jié)構(gòu)并且更容易地制造出這種類型的固體攝像器件。作為本發(fā)明固體攝像器件的優(yōu)選實(shí)施方案，所述固體攝像器件可進(jìn)一步包括第二遮蔽用布線，所述第二遮蔽用布線遮蔽著所述連接布線跟與鄰接著所述連接布線的另一條連接布線相連接的所述第一布線及所述第二布線之間的間隙。所述第二遮蔽用布線可以由所述第一多層布線層和所述第二多層布線層中所需層的布線形成。在本發(fā)明上述實(shí)施方案的固體攝像器件中，所述第一遮蔽用布線抑制了相鄰的連接布線之間的相鄰耦合電容，并且第二遮蔽用布線遮蔽著連接布線跟與鄰接著所述連接布線的另一條連接布線相連接的所述第一布線及所述第二布線之間的間隙。所述第二遮蔽用布線也是由所述第一多層布線層和所述第二多層布線層中所需層的布線形成的。因此，能夠抑制相鄰的連接布線之間以及連接布線跟與之相鄰的第一布線及第二布線之間的全部相鄰耦合電容。本發(fā)明的另一實(shí)施方案提供了一種背側(cè)照射型固體攝像器件，其包括堆疊式半導(dǎo)體芯片，所述堆疊式半導(dǎo)體芯片以使兩個(gè)以上半導(dǎo)體芯片單元彼此貼合的方式而被形成， 至少第一半導(dǎo)體芯片單元中形成有像素陣列和第一多層布線層，并且第二半導(dǎo)體芯片單元中形成有邏輯電路和第二多層布線層。此外，本發(fā)明還包括連接布線和第二遮蔽用布線，所述連接布線將所述第一半導(dǎo)體芯片單元和所述第二半導(dǎo)體芯片單元連接起來，所述第二遮蔽用布線遮蔽著所述連接布線跟與鄰接著所述連接布線的另一條連接布線相連接的第一布線及第二布線之間的間隙。所述連接布線包括連接導(dǎo)體和貫穿連接導(dǎo)體，所述連接導(dǎo)體連接至與所述第一多層布線層中所需的所述第一布線相連接的第一連接焊盤，所述貫穿連接導(dǎo)體穿透所述第一半導(dǎo)體芯片單元且連接至與所述第二多層布線層中所需的所述第二布線相連接的第二連接焊盤。另外，所述連接布線被形成為還包括連結(jié)導(dǎo)體，所述連結(jié)導(dǎo)體把所述連接導(dǎo)體與所述貫穿連接導(dǎo)體連結(jié)起來。所述第二遮蔽用布線是由所述第一多層布線層和所述第二多層布線層中所需層的布線形成的。本發(fā)明的固體攝像器件被構(gòu)造成背側(cè)照射型固體攝像器件。在本發(fā)明上述實(shí)施方案的固體攝像器件中，由于包含了第二遮蔽用布線且該第二遮蔽用布線位于連接布線跟與鄰接著該連接布線的另一條連接布線相連接的第一布線及第二布線之間，因而能夠容易地抑制所述連接布線跟所述第一布線及所述第二布線之間的相鄰耦合電容。另外，由于使用所述多層布線層中的布線在不增加布線工序數(shù)量的前提下形成所述第二遮蔽用布線，因而能夠簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)并且能夠容易地制造出這種類型的固體攝像器件。本發(fā)明的又一實(shí)施方案提供了一種電子裝置，所述電子裝置包括固體攝像器件； 光學(xué)系統(tǒng)，所述光學(xué)系統(tǒng)將入射光引導(dǎo)至所述固體攝像器件的光電轉(zhuǎn)換單元；以及信號(hào)處理電路，所述信號(hào)處理電路對(duì)所述固體攝像器件的輸出信號(hào)進(jìn)行處理。所述固體攝像器件包括堆疊式半導(dǎo)體芯片，所述堆疊式半導(dǎo)體芯片以使兩個(gè)以上半導(dǎo)體芯片單元彼此貼合的方式而被形成，至少第一半導(dǎo)體芯片單元中形成有像素陣列和第一多層布線層，并且第二半導(dǎo)體芯片單元中形成有邏輯電路和第二多層布線層；連接布線，所述連接布線將所述第一半導(dǎo)體芯片單元和所述第二半導(dǎo)體芯片單元連接起來；以及第一遮蔽用布線，所述第一遮蔽用布線遮蔽著沿一個(gè)方向彼此相鄰的所述連接布線之間的間隙。其中，所述連接布線包括連接導(dǎo)體、貫穿連接導(dǎo)體和連結(jié)導(dǎo)體，所述連接導(dǎo)體連接至與所述第一多層布線層中所需的第一布線相連接的第一連接焊盤，所述貫穿連接導(dǎo)體穿透所述第一半導(dǎo)體芯片單元且連接至與所述第二多層布線層中所需的第二布線相連接的第二連接焊盤，所述連結(jié)導(dǎo)體把所述連接導(dǎo)體與所述貫穿連接導(dǎo)體連結(jié)起來；并且所述第一遮蔽用布線是由所述第一多層布線層和/或所述第二多層布線層中所需層的布線形成的。在本發(fā)明上述實(shí)施方案的電子裝置中，能夠抑制所述固體攝像器件中相鄰的連接布線之間的相鄰耦合電容和/或連接布線跟與鄰接著該連接布線的另一條連接布線相連接的所述第一布線及所述第二布線之間的相鄰耦合電容。本發(fā)明的再一實(shí)施方案提供了一種電子裝置，所述電子裝置包括固體攝像器件； 光學(xué)系統(tǒng)，所述光學(xué)系統(tǒng)將入射光引導(dǎo)至所述固體攝像器件的光電二極管；以及信號(hào)處理電路，所述信號(hào)處理電路對(duì)所述固體攝像器件的輸出信號(hào)進(jìn)行處理。所述固體攝像器件包括堆疊式半導(dǎo)體芯片，所述堆疊式半導(dǎo)體芯片以使兩個(gè)以上半導(dǎo)體芯片單元彼此貼合的方式而被形成，至少第一半導(dǎo)體芯片單元中形成有像素陣列和第一多層布線層，且第二半導(dǎo)體芯片單元中形成有邏輯電路和第二多層布線層；連接布線，所述連接布線將所述第一半導(dǎo)體芯片單元和所述第二半導(dǎo)體芯片單元連接起來；以及第二遮蔽用布線，所述第二遮蔽用布線遮蔽著所述連接布線跟與鄰接著所述連接布線的另一條連接布線相連接的第一布線及第二布線之間的間隙。其中，所述連接布線包括連接導(dǎo)體、貫穿連接導(dǎo)體和連結(jié)導(dǎo)體，所述連接導(dǎo)體連接至與所述第一多層布線層中所需的所述第一布線相連接的第一連接焊盤，所述貫穿連接導(dǎo)體穿透所述第一半導(dǎo)體芯片單元且連接至與所述第二多層布線層中所需的所述第二布線相連接的第二連接焊盤，所述連結(jié)導(dǎo)體把所述連接導(dǎo)體與所述貫穿連接導(dǎo)體連結(jié)起來；并且所述第二遮蔽用布線是由所述第一多層布線層和所述第二多層布線層中所需層的布線形成的。根據(jù)本發(fā)明各實(shí)施方案的固體攝像器件，能夠抑制相鄰的連接布線之間的耦合電容和/或連接布線跟與鄰接著該連接布線的另一條連接布線相連接的第一布線及第二布線之間的耦合電容，并能夠提供高性能的固體攝像器件。根據(jù)本發(fā)明各實(shí)施方案的電子裝置，能夠提供諸如高質(zhì)量相機(jī)等設(shè)有背側(cè)照射型固體攝像器件的電子裝置，該背側(cè)照射型固體攝像器件包括貼合起來的各個(gè)芯片并且旨在通過抑制相鄰耦合電容而得到高性能。


圖1是示出了適用于本發(fā)明的MOS固體攝像器件示例的概略結(jié)構(gòu)圖。圖2A、圖2B和圖2C是本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件和相關(guān)技術(shù)的固體攝像器件的示意圖。圖3是示出了適用于本發(fā)明實(shí)施方案的背側(cè)照射型MOS固體攝像器件的主要部分的截面圖。圖4是示出了適用于本發(fā)明實(shí)施方案中的連接焊盤的布局示例的平面圖。圖5A、圖5B和圖5C分別是示出了本發(fā)明固體攝像器件的第一實(shí)施例的主要部分的平面圖；從圖5A中的箭頭VB的方向看的截面圖；以及從圖5A中的箭頭VC的方向看的截面圖。圖6A、圖6B和圖6C分別是示出了本發(fā)明固體攝像器件的第二實(shí)施例的主要部分的平面圖；從圖6A中的箭頭VIB的方向看的截面圖；以及從圖6A中的箭頭VIC的方向看的截面圖。圖7A、圖7B和圖7C分別是示出了本發(fā)明固體攝像器件的第三實(shí)施例的主要部分的平面圖；從圖7A中的箭頭VIIB的方向看的截面圖；以及從圖7A中的箭頭VIIC的方向看的截面圖。圖8A、圖8B和圖8C分別是示出了本發(fā)明固體攝像器件的第四實(shí)施例的主要部分的平面圖；從圖8A中的箭頭VIIIB的方向看的截面圖；以及從圖8A中的箭頭VIIIC的方向看的截面圖。圖9是示出了本發(fā)明固體攝像器件的第五實(shí)施例的主要部分的平面圖。圖10是示出了本發(fā)明固體攝像器件的第六實(shí)施例的主要部分的平面圖。圖11是示出了本發(fā)明固體攝像器件的第七實(shí)施例的主要部分的平面圖。圖12是示出了本發(fā)明固體攝像器件的第八實(shí)施例的主要部分的平面圖。圖13是示出了本發(fā)明固體攝像器件的第九實(shí)施例的主要部分的平面圖。圖14是示出了本發(fā)明第十一實(shí)施例的電子裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式下面，將說明用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施方案(在下文中，稱作實(shí)施例)。將按照下面的順序進(jìn)行說明。1. MOS固體攝像器件的概略結(jié)構(gòu)示例2.適用于本發(fā)明的MOS固體攝像器件(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)3.第一實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)4.第二實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)5.第三實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)6.第四實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)7.第五實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)8.第六實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)9.第七實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)10.第八實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)11.第九實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)12.第十實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)13.第—^一實(shí)施例(電子裝置)1. MOS固體攝像器件的概略結(jié)構(gòu)示例圖1圖示了適用于本發(fā)明半導(dǎo)體裝置的MOS固體攝像器件的概略結(jié)構(gòu)。該MOS固體攝像器件適用于各實(shí)施例的固體攝像器件。如圖1所示，本示例的固體攝像器件1被配置成包括像素陣列(所謂的像素區(qū)域)3和周邊電路部，在像素陣列3中，多個(gè)包括光電轉(zhuǎn)換單元的像素2以二維陣列形狀規(guī)則地布置在例如硅基板等半導(dǎo)體基板11上。像素2中形成有作為光電轉(zhuǎn)換單元的例如光電二極管和多個(gè)像素晶體管(所謂的MOS晶體管)。上述多個(gè)像素晶體管可由例如傳輸晶體管、復(fù)位晶體管和放大晶體管這三個(gè)晶體管構(gòu)成。另夕卜，上述多個(gè)像素晶體管可以添加有選擇晶體管從而由四個(gè)晶體管構(gòu)成。由于單位像素的等效電路與通常一樣，因此將會(huì)省略對(duì)它的詳細(xì)說明。像素2可以被配置為一個(gè)單位像素。 此外，像素2也可以具有共用像素結(jié)構(gòu)。所述共用像素結(jié)構(gòu)是由多個(gè)光電二極管、多個(gè)傳輸晶體管、一個(gè)共用的浮動(dòng)擴(kuò)散部以及其他共用的像素晶體管的每一者構(gòu)成。周邊電路部由垂直驅(qū)動(dòng)電路4、列信號(hào)處理電路5、水平驅(qū)動(dòng)電路6、輸出電路7和控制電路8等構(gòu)成?？刂齐娐?接收輸入時(shí)鐘和用于指示操作模式等的數(shù)據(jù)，并輸出諸如固體攝像器件的內(nèi)部信息等數(shù)據(jù)。換句話說，控制電路8基于垂直同步信號(hào)、水平同步信號(hào)和主時(shí)鐘來生成作為垂直驅(qū)動(dòng)電路4、列信號(hào)處理電路5和水平驅(qū)動(dòng)電路6等的操作基準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào)或控制信號(hào)。另外，該控制電路將這些信號(hào)輸入至垂直驅(qū)動(dòng)電路4、列信號(hào)處理電路5和水平驅(qū)動(dòng)電路6等中。垂直驅(qū)動(dòng)電路4包括例如移位寄存器，用于選擇像素驅(qū)動(dòng)布線、向所選擇的像素驅(qū)動(dòng)布線提供用于驅(qū)動(dòng)像素的脈沖、并以行為單位對(duì)像素進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。換句話說，垂直驅(qū)動(dòng)電路4在垂直方向上以行為單位對(duì)像素陣列3的各像素2進(jìn)行依次選擇并掃描，并且通過垂直驅(qū)動(dòng)線9將基于信號(hào)電荷(該信號(hào)電荷是根據(jù)各像素2的作為光電轉(zhuǎn)換單元的例如光電二極管中的受光量而生成的)的像素信號(hào)提供給列信號(hào)處理電路5。列信號(hào)處理電路5例如與像素2的各列對(duì)應(yīng)地被布置著，并且對(duì)從各像素列的位于一行的像素2中輸出的信號(hào)進(jìn)行諸如去除噪聲等信號(hào)處理。換句話說，列信號(hào)處理電路 5進(jìn)行諸如用于去除像素2所特有的固定模式噪聲的CDS (相關(guān)雙采樣)、信號(hào)放大或AD轉(zhuǎn)換等信號(hào)處理。在列信號(hào)處理電路5的輸出級(jí)與水平信號(hào)線10之間連接并設(shè)置有水平選擇開關(guān)(圖中未示出)。水平驅(qū)動(dòng)電路6包括例如移位寄存器，用于通過依次輸出水平掃描脈沖來按順序選擇各個(gè)列信號(hào)處理電路5，并且使得像素信號(hào)從各個(gè)列信號(hào)處理電路5輸出至水平信號(hào)線10。輸出電路7對(duì)通過水平信號(hào)線10從各個(gè)列信號(hào)處理電路5依次提供的信號(hào)進(jìn)行信號(hào)處理，并輸出該經(jīng)過處理后的信號(hào)。例如，在某些情況下，僅執(zhí)行緩存；而在某些情況下，執(zhí)行黑電平調(diào)節(jié)、列差異修正或各種數(shù)字信號(hào)處理等。輸入輸出端子12與外部交換信號(hào)。圖2A至圖2C示出了本發(fā)明和相關(guān)技術(shù)的MOS固體攝像器件的基本概略結(jié)構(gòu)。如圖2A所示，相關(guān)技術(shù)的MOS固體攝像器件151是這樣構(gòu)成的在一個(gè)半導(dǎo)體芯片152內(nèi)裝配有像素陣列153、控制電路巧4和用于信號(hào)處理的邏輯電路155。通常，像素陣列153和控制電路1 構(gòu)成了圖像傳感器156。另一方面，如圖2B所示，本發(fā)明實(shí)施方案的MOS固體攝像器件21具有第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈，在第一半導(dǎo)體芯片單元22中裝配有像素陣列23和控制電路24，并且在第二半導(dǎo)體芯片單元沈中裝配有包
10括用于處理信號(hào)的信號(hào)處理電路的邏輯電路25。通過將第一半導(dǎo)體芯片單元22與第二半導(dǎo)體芯片單元沈相互電連接而使得MOS固體攝像器件21被構(gòu)造成一個(gè)半導(dǎo)體芯片。如圖 2C所示，本發(fā)明另一實(shí)施方案的MOS固體攝像器件27具有第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈，在第一半導(dǎo)體芯片單元22中裝配有像素陣列23，并且在第二半導(dǎo)體芯片單元沈中裝配有控制電路M和包括信號(hào)處理電路的邏輯電路25。通過將第一半導(dǎo)體芯片單元22與第二半導(dǎo)體芯片單元沈相互電連接而使得MOS固體攝像器件27被構(gòu)造成一個(gè)半導(dǎo)體芯片。盡管在圖中未示出，但依賴于MOS固體攝像器件的結(jié)構(gòu)，可以將兩個(gè)以上的半導(dǎo)體芯片單元貼合起來。例如，可以通過如下方式來將MOS固體攝像器件構(gòu)造成一個(gè)芯片除了具有上述第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片以外，通過添加設(shè)有存儲(chǔ)元件陣列的半導(dǎo)體芯片單元、設(shè)有其他電路元件的半導(dǎo)體芯片單元，將三個(gè)以上的半導(dǎo)體芯片單元貼合起來。2.適用于本發(fā)明的MOS固體攝像器件固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例圖3示出了適用于本發(fā)明的背側(cè)照射型MOS固體攝像器件的實(shí)施方案。本實(shí)施方案的MOS固體攝像器件觀被配置成包括堆疊式半導(dǎo)體芯片27，該堆疊式半導(dǎo)體芯片27是通過使形成有像素陣列23和控制電路M的第一半導(dǎo)體芯片單元22與形成有邏輯電路25 的第二半導(dǎo)體芯片單元26貼合起來而得到的。第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元26以使它們的多層布線層41和多層布線層55相互面對(duì)的方式而被貼合在一起。在本示例中這種貼合是通過粘接劑層57來實(shí)現(xiàn)的，該粘接劑層57與多層布線層41之間以及該粘接劑層57與多層布線層55之間分別設(shè)有保護(hù)膜42以及保護(hù)膜56。除此之外，可以通過等離子體接合來實(shí)現(xiàn)這種貼合。在本實(shí)施方案中，形成有半導(dǎo)體去除區(qū)域52，它是通過去除第一半導(dǎo)體芯片單元 22的半導(dǎo)體部的一部分而得到的，并且在半導(dǎo)體去除區(qū)域52中，形成了將第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈連接起來的連接布線67。半導(dǎo)體去除區(qū)域52是包括如下部分的整體區(qū)域在該部分中，形成有各條連接布線67 (各條連接布線67與相當(dāng)于像素陣列23中的各條垂直信號(hào)線的引線40d及引線53d相連接)，并且半導(dǎo)體去除區(qū)域52被形成在像素陣列23的外部。半導(dǎo)體去除區(qū)域52相當(dāng)于所謂的電極焊盤區(qū)域。第一半導(dǎo)體芯片單元22具有被制成為薄膜的第一半導(dǎo)體基板31，該第一半導(dǎo)體基板31形成有像素陣列23以及控制電路M，像素陣列23中包括作為光電轉(zhuǎn)換單元的光電二極管和多個(gè)像素晶體管Trl和Tr2，控制電路M中包括MOS晶體管Tr3和Tr4。像素晶體管Trl和Tr2以及MOS晶體管Tr3和Tr4分別是作為代表而被示出的。在半導(dǎo)體基板 31的表面31a側(cè)，形成有多層布線層41，在該多層布線層41中布置有被層間絕緣膜39間隔開的多層布線40 (40a,40b和40c)(本示例中例如由三層金屬M(fèi)l至M3構(gòu)成)。第二半導(dǎo)體芯片單元沈具有第二半導(dǎo)體基板45，該第二半導(dǎo)體基板45形成有包括MOS晶體管Tr6至TrS的邏輯電路25。在半導(dǎo)體基板45的表面4 側(cè)，形成有多層布線層55，在該多層布線層55中布置有被層間絕緣膜49間隔開的多層布線53(53a、5;3b和 53c)(本示例中例如由三層金屬M(fèi)ll至M13構(gòu)成)。在第一半導(dǎo)體芯片單元22的半導(dǎo)體去除區(qū)域52中，通過例如蝕刻法去除了整個(gè)第一半導(dǎo)體基板31。例如，通過將半導(dǎo)體去除區(qū)域52的底面和側(cè)面延伸至半導(dǎo)體基板的表面，形成了由例如氧化硅(Sit)》膜58和氮化硅(SiN)膜59構(gòu)成的堆疊式絕緣膜61。堆疊式絕緣膜61是對(duì)從半導(dǎo)體去除區(qū)域52的凹陷部的側(cè)面露出的半導(dǎo)體基板31進(jìn)行保護(hù)的保護(hù)用絕緣膜，并且還用作像素中的防反射膜。在半導(dǎo)體去除區(qū)域52中，形成有連接孔64，該連接孔64自氮化硅膜59起抵達(dá)第一半導(dǎo)體芯片單元22中的第一連接焊盤65，該第一連接焊盤65與多層布線層41的所需布線(在本示例中即為由第三層的金屬M(fèi)3構(gòu)成的引線40d)電連接。另外，形成有貫穿連接孔62，該貫穿連接孔62穿透第一半導(dǎo)體芯片單元22的多層布線層41并到達(dá)第二半導(dǎo)體芯片單元沈中的第二連接焊盤63，該第二連接焊盤63由多層布線層55的所需布線(在本示例中即為第一層的金屬M(fèi)il)構(gòu)成。由第一層的金屬M(fèi)ll構(gòu)成的第二連接焊盤63借助第二層的金屬M(fèi)12與由第三層的金屬M(fèi)13構(gòu)成的引線53d電連接。連接布線67由連接導(dǎo)體68、貫穿連接導(dǎo)體69和連結(jié)導(dǎo)體71形成，連接導(dǎo)體68埋置在連接孔64中且與第一連接焊盤65電連接，貫穿連接導(dǎo)體69埋置在貫穿連接孔62中且與第二連接焊盤63電連接，連結(jié)導(dǎo)體71在連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69 二者的上端處與這兩個(gè)連接導(dǎo)體電連接。在第一半導(dǎo)體芯片單元22的用作光電二極管34的光入射面的背面31b上形成有遮光膜72，該遮光膜72覆蓋著需要被遮光的區(qū)域。此外，以覆蓋住遮光膜72的方式形成了平坦化膜73，然后在平坦化膜73上與各像素對(duì)應(yīng)地形成有片上濾色器74，并且在片上濾色器74上形成有片上微透鏡75，由此構(gòu)造出了背側(cè)照射型固體攝像器件觀。向連接布線67 的外部露出的連結(jié)導(dǎo)體71用作借助于外部布線和接合布線來實(shí)現(xiàn)連接的電極焊盤。根據(jù)本實(shí)施方案的固體攝像器件觀，在第一半導(dǎo)體芯片單元22上形成有像素陣列23和控制電路M，在第二半導(dǎo)體芯片單元沈上形成有用于信號(hào)處理的邏輯電路25。由于該固體攝像器件被構(gòu)造為是在不同的芯片單元上形成像素陣列的功能和邏輯電路的功能然后將這些芯片單元貼合起來，因而能夠采用對(duì)于像素陣列23和邏輯電路25每一者而言都是最佳的工藝技術(shù)。因此，能夠良好地發(fā)揮像素陣列23和邏輯電路25各自的性能，從而提供高性能的固體攝像器件。在本實(shí)施方案中，特別地，第一半導(dǎo)體芯片單元22的一部分，即其中形成有連接導(dǎo)體和貫穿連接導(dǎo)體的那個(gè)區(qū)域的整個(gè)半導(dǎo)體部被去除了。因?yàn)樵谌コ嗽摪雽?dǎo)體部的半導(dǎo)體去除區(qū)域52中形成有連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69，所以能夠減小在連接導(dǎo)體68與半導(dǎo)體基板31之間以及在貫穿連接導(dǎo)體69與半導(dǎo)體基板31之間產(chǎn)生的寄生電容，并且能夠期待得到更高性能的固體攝像器件。如果采用圖2C所示的結(jié)構(gòu)，可以僅僅把接收光的像素陣列23形成在第一半導(dǎo)體芯片單元22上，而控制電路M和邏輯電路25可以被分離地形成在第二半導(dǎo)體芯片單元沈上。因此，在制造過程中能夠針對(duì)第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈每一者來選擇獨(dú)立且最佳的工藝技術(shù)，從而能夠減小產(chǎn)品模塊的面積。在本實(shí)施方案中，包括有像素陣列23和控制電路M的第一半導(dǎo)體基板31與包括有邏輯電路25的第二半導(dǎo)體基板45以半成品狀態(tài)相貼合，然后使第一半導(dǎo)體基板31變得薄膜化。換言之，當(dāng)將第一半導(dǎo)體基板31薄膜化時(shí)第二半導(dǎo)體基板45被用作支撐基板。因此，能夠達(dá)到節(jié)省部件并減少制造工序的目的。在本實(shí)施方案中，由于第一半導(dǎo)體基板31被薄膜化，并且在去除了半導(dǎo)體部的半導(dǎo)體去除區(qū)域52中形成有貫穿連接孔62和連接孔64，因而降低了這些孔的開口率，并能夠以高精度形成貫穿連接孔62和連接孔64。因此，能夠以高精度制造出高性能的固體攝像器件。固體攝像器件的結(jié)構(gòu)的變形例1盡管在圖中未示出，下面將說明連接布線跟第一半導(dǎo)體芯片單元中的多層布線層的布線之間以及連接布線跟第二半導(dǎo)體芯片單元中的多層布線層的布線之間的連接結(jié)構(gòu)的變形例1。在本實(shí)施方案中，連接布線67的貫穿連接導(dǎo)體69與第二半導(dǎo)體芯片單元沈側(cè)的由多層布線層陽中的第三層金屬M(fèi)13構(gòu)成的連接焊盤63相連接。連接焊盤63與相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線53d相連接，該引線53d由與連接焊盤63處于同一層中的第三層金屬M(fèi)13構(gòu)成。其他的結(jié)構(gòu)與圖3中所說明的結(jié)構(gòu)相同。固體攝像器件的結(jié)構(gòu)的變形例2盡管在圖中未示出，下面將說明連接布線跟第一半導(dǎo)體芯片單元中的多層布線層的布線之間以及連接布線跟第二半導(dǎo)體芯片單元中的多層布線層的布線之間的連接結(jié)構(gòu)的變形例2。在本實(shí)施方案中，連接布線67的連接導(dǎo)體68與第一半導(dǎo)體芯片單元22側(cè)的由多層布線層41中的第一層金屬M(fèi)l構(gòu)成的連接焊盤65相連接。當(dāng)包含如稍后所述的圖4 中示出的多條連接布線的布局時(shí)，通過適當(dāng)?shù)剡x擇第一層金屬M(fèi)l 第三層金屬M(fèi)3之一來形成相當(dāng)于與各連接焊盤65連接的垂直信號(hào)線的引線。另一方面，連接布線67的貫穿連接導(dǎo)體69與第二半導(dǎo)體芯片單元沈側(cè)的由多層布線層55中的第三層金屬M(fèi)13構(gòu)成的連接焊盤63相連接。在此情況下，還通過適當(dāng)?shù)剡x擇第一層金屬M(fèi)ll 第三層金屬M(fèi)13之一來形成相當(dāng)于與多個(gè)連接焊盤63中每一者連接的垂直信號(hào)線的引線。在本實(shí)施方案中，能夠?qū)⑦B接至所需連接焊盤的引線布置成在另一連接焊盤的下方橫切該另一連接焊盤，從而形成連接布線的致密布局。連接焊盤的布局示例1在圖4中，示出了固體攝像器件27中與相當(dāng)于像素陣列23中的各條垂直信號(hào)線的引線相連接的連接布線的布局。在本實(shí)施方案中，第一半導(dǎo)體芯片單元22的多層布線層 41的布線40由多個(gè)層形成，在本示例中這些層為三層金屬M(fèi)l至M3。第一連接焊盤65由第三層金屬M(fèi)3形成，而相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線由第三層金屬M(fèi)3形成或者由除了第三層以外的金屬M(fèi)2或Ml形成。第二半導(dǎo)體芯片單元沈中的多層布線層55的布線53由多個(gè)層形成，即在本示例中由三層金屬M(fèi)ll至M13形成。第二連接焊盤63由第三層金屬M(fèi)13形成，而相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線由第三層金屬M(fèi)13形成或者由除了第三層以外的金屬M(fèi)12 或Mll形成?？紤]到第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈的貼合過程中的位置偏差，將第二連接焊盤63的面積形成得大于第一連接焊盤65的面積。成為一對(duì)的第一連接焊盤65和第二連接焊盤63被稱為連接焊盤對(duì)99。當(dāng)從頂面看時(shí)第一連接焊盤65和第二連接焊盤63被形成為八邊形形狀，或者優(yōu)選被形成為等邊八邊形。構(gòu)成連接焊盤對(duì)99的第一連接焊盤65和第二連接焊盤63沿著垂直方向(所謂的縱長(zhǎng)方向)布置，相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線40d和引線53d在該垂直方向上延伸。連接焊盤對(duì)99沿著水平方向(引線40d和引線53d的排列方向)以多個(gè)的方式布置著，并且在垂直方向上以多級(jí)的形式布置著(在本示例中為三級(jí)布置)，從而形成連
13接焊盤陣列98。下面將說明相當(dāng)于與連接焊盤對(duì)99連接的垂直信號(hào)線的引線的其他布局。在上述圖4的示例中，在呈三級(jí)布置的連接焊盤對(duì)的兩側(cè)，具有如下結(jié)構(gòu)該兩側(cè)分別布置有連接至第一連接焊盤65的引線40d(實(shí)線)和連接至第二連接焊盤63的引線53d(虛線)。 在圖中未示出，但也能夠具有如下結(jié)構(gòu)連接至第一連接焊盤65的引線40d(實(shí)線)和連接至第二連接焊盤63的引線53d(虛線)被布置在呈三級(jí)布置的連接焊盤對(duì)99的一側(cè)。另外，還能夠?qū)⒌谝话雽?dǎo)體芯片單元22中的多層布線層41的布線和第二半導(dǎo)體芯片單元沈中的多層布線層55的布線形成得不是包括三個(gè)金屬層而是包括其他層數(shù)的多個(gè)金屬層(例如，四個(gè)金屬層)。在此情況下，優(yōu)選的是，連接焊盤和引線由不同層中的金屬形成，從而使弓I線被鋪設(shè)為與連接焊盤重疊。另外，當(dāng)?shù)诙雽?dǎo)體芯片單元沈的多層布線層55的布線53被配置成例如四層金屬時(shí)，優(yōu)選的是，第二連接焊盤63由第四層金屬形成，并且與第二連接焊盤63連接的引線 53d由第一層金屬形成。在此情況下，能夠?qū)⒁€布置成與第二連接焊盤63重疊。此外，不限于本示例，第二連接焊盤63和引線53d也可由任意層中的金屬形成。3.第一實(shí)施例固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例在圖5A至圖5C中，示出了本發(fā)明的固體攝像器件，即MOS固體攝像器件的第一實(shí)施例。特別地，在這些圖中示出了將第一半導(dǎo)體芯片單元和第二半導(dǎo)體芯片單元電連接起來的連接布線、相當(dāng)于與該連接布線相連接的垂直信號(hào)線的引線、以及遮蔽用布線部。圖5A 是平面圖，圖5B是沿圖5A中的箭頭VB方向看的截面圖，圖5C是沿圖5A中的箭頭VC方向看的截面圖。由于上述圖3和圖4中所示實(shí)施方案的結(jié)構(gòu)能夠適用于本實(shí)施例的其他結(jié)構(gòu)， 因而圖5A至圖5C中的與圖3和圖4中相對(duì)應(yīng)的部分被賦予相同的附圖標(biāo)記，并省略對(duì)它們的詳細(xì)說明。第一實(shí)施例的固體攝像器件101被配置成使得第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈彼此貼合，并且第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈二者通過具有連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69的連接布線67而連接起來。連接布線67在水平方向上以多條的方式布置著，且圖中未示出的是，連接布線67在垂直方向上以多級(jí)的形式布置著，各連接布線67中的連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69分別連接至相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線40d和引線53d。在本示例中，連接導(dǎo)體68通過第一半導(dǎo)體芯片單元22的多層布線層41中與相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線40d相連接的第一連接焊盤65而連接至該引線40d。第一連接焊盤 65以及與之連接的引線40d是由處于同一層的第三層金屬M(fèi)3形成的。另外，貫穿連接導(dǎo)體69通過第二半導(dǎo)體芯片單元沈的多層布線層55中與相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線53d相連接的第二連接焊盤63而連接至該引線53d。第二連接焊盤63是由第一層金屬M(fèi)ll形成的，而與該第二連接焊盤63連接的引線53d是由第三層金屬M(fèi)13形成的。第二連接焊盤63 通過第二層金屬M(fèi)12與由第三層金屬M(fèi)13形成的引線53d相連接。在本實(shí)施例中，其結(jié)構(gòu)包括遮蔽用布線103 (103a和10 )，該遮蔽用布線103遮蔽著連接布線67跟相當(dāng)于與鄰接著該連接布線67的另一條連接布線67相連接的垂直信號(hào)線的引線40d及引線53d之間的間隙。換言之，遮蔽用布線103a被布置成遮蔽著連接布線67的連接導(dǎo)體68跟與鄰接著該連接導(dǎo)體68的另一個(gè)連接導(dǎo)體68相連接的引線40d之間的間隙。同時(shí)，遮蔽用布線10 被布置成遮蔽著連接布線67的貫穿連接導(dǎo)體69跟與鄰接著該貫穿連接導(dǎo)體69的另一個(gè)貫穿連接導(dǎo)體69相連接的引線53d之間的間隙。遮蔽用布線103a是由第一半導(dǎo)體芯片單元22的第一多層布線層41中所需層的布線金屬形成的，遮蔽用布線10 是由第二半導(dǎo)體芯片單元沈的第二多層布線層55中所需層的布線金屬形成的。遮蔽用布線103a與連接至連接導(dǎo)體68的引線40d平行，并且由與用作引線40d的第三層金屬M(fèi)3處于同一層的第三層金屬M(fèi)3形成，使得該遮蔽用布線延伸至與連接導(dǎo)體68相對(duì)應(yīng)的位置。遮蔽用布線10 與連接至貫穿連接導(dǎo)體69的引線53d 平行，并且由與用作引線53d的第三層金屬M(fèi)13處于同一層的第三層金屬M(fèi)13形成，使得該遮蔽用布線延伸至與貫穿連接導(dǎo)體69相對(duì)應(yīng)的位置。根據(jù)引線40d和引線53d的圖形來設(shè)定遮蔽用布線103 (103a和10 )的長(zhǎng)度。遮蔽用布線103a和10 被布置在與之對(duì)應(yīng)的引線40d和引線53d的相同側(cè)。在圖5A中，遮蔽用布線103a和10 分別被布置在與之對(duì)應(yīng)的引線40d和引線53d的左側(cè)。根據(jù)第一實(shí)施例的固體攝像器件101，形成有遮蔽用布線103a和103b，遮蔽用布線103a和10 分別平行于與各連接布線67的連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69連接的引線40d和引線53d，并且分別延伸至連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69。在此情況下，這兩條遮蔽用布線103a和10 被布置在一條連接布線67跟與鄰接著這條連接布線67的另一條連接布線67相連接的引線之間。因此，能夠抑制這條連接布線67跟與鄰接著這條連接布線67的另一條連接布線67相連接的引線40d及引線53d之間的相鄰耦合電容。由于遮蔽用布線103a和10 是由不同層的金屬M(fèi)3和金屬M(fèi)13形成的，因而能夠容易地減小三維的相鄰耦合電容。因此，能夠提供高性能的固體攝像器件。使用用于構(gòu)成多層布線層41和55 的布線金屬來形成遮蔽用布線103 (103a和103b)。據(jù)此，由于是在與多層布線層41和55 的布線的圖形化處理同時(shí)進(jìn)行的工序中形成遮蔽用布線103a和103b，所以能夠以簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)制造出本實(shí)施例的固體攝像器件101并且不會(huì)增加制造工序的數(shù)量。因?yàn)槎鄬硬季€層41和55的表面在形成有遮蔽用布線103a和10 的情況下變?yōu)楦坏钠矫妫酝ㄟ^例如化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)等方法使第一半導(dǎo)體芯片單元22的硅基板變得薄膜化，然后使上述形狀穩(wěn)定化。4.第二實(shí)施例固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例在圖6A至圖6C中，示出了本發(fā)明的固體攝像器件，即MOS固體攝像器件的第二實(shí)施例。特別地，在這些圖中示出了將第一半導(dǎo)體芯片單元和第二半導(dǎo)體芯片單元電連接起來的連接布線、相當(dāng)于與該連接布線相連接的垂直信號(hào)線的引線、以及遮蔽用布線部。圖6A 是平面圖，圖6B是沿圖6A中的箭頭VIB方向看的截面圖，圖6C是沿圖6A中的箭頭VIC方向看的截面圖。由于上述圖3和圖4中所示實(shí)施方案的結(jié)構(gòu)能夠適用于本實(shí)施例的其他結(jié)構(gòu)，因而圖6A至圖6C中的與圖3和圖4中相對(duì)應(yīng)的部分被賦予相同的附圖標(biāo)記，并省略對(duì)它們的詳細(xì)說明。按照與上述相同的方式，第二實(shí)施例的固體攝像器件105被配置成使得第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈彼此貼合，并且第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈二者通過具有連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69的連接布線67而連接起來。連接布線67在水平方向上以多條的方式布置著，且圖中未示出的是，連接布線67在垂直方向上以多級(jí)的形式布置著，各連接布線67中的連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69分別連接至相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線40d和引線53d。在本示例中，連接導(dǎo)體68通過第一半導(dǎo)體芯片單元22的多層布線層41中與相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線40d相連接的第一連接焊盤65而連接至該引線40d。第一連接焊盤 65以及與之連接的引線40d是由處于同一層的第三層金屬M(fèi)3形成的。另外，貫穿連接導(dǎo)體69通過第二半導(dǎo)體芯片單元沈的多層布線層55中與相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線53d相連接的第二連接焊盤63而連接至該引線53d。第二連接焊盤63是由第一層金屬M(fèi)ll形成的，而與該第二連接焊盤63連接的引線53d是由第三層金屬M(fèi)13形成的。第二連接焊盤63 通過第二層的金屬M(fèi)12與由第三層金屬M(fèi)13形成的引線53d相連接。在本實(shí)施例中，其結(jié)構(gòu)包括遮蔽用布線103 (103a和103b)，該遮蔽用布線103遮蔽著連接布線67跟相當(dāng)于與鄰接著該連接布線67的另一條連接布線67相連接的垂直信號(hào)線的引線40d及引線53d之間的間隙。換言之，遮蔽用布線103a被布置成遮蔽著連接布線 67的連接導(dǎo)體68跟與鄰接著該連接導(dǎo)體68的另一個(gè)連接導(dǎo)體68相連接的引線40d之間的間隙。同時(shí)，遮蔽用布線10 被布置成遮蔽著連接布線67的貫穿連接導(dǎo)體69跟與鄰接著該貫穿連接導(dǎo)體69的另一個(gè)貫穿連接導(dǎo)體69相連接的引線53d之間的間隙。遮蔽用布線103a是由第一半導(dǎo)體芯片單元22的第一多層布線層41中所需層的布線金屬形成的，遮蔽用布線10 是由第二半導(dǎo)體芯片單元沈的第二多層布線層55中所需層的布線金屬形成的。遮蔽用布線103a與連接至連接導(dǎo)體68的引線40d重疊，并且由與用作引線40d的第三層金屬M(fèi)3處于不同層的第二層金屬M(fèi)2形成，使得該遮蔽用布線延伸至與連接導(dǎo)體68相對(duì)應(yīng)的位置。遮蔽用布線10 與連接至貫穿連接導(dǎo)體69的引線53d 重疊，并且由與用作引線53d的第三層金屬M(fèi)13處于不同層的第二層金屬M(fèi)12形成，使得該遮蔽用布線延伸至與貫穿連接導(dǎo)體69相對(duì)應(yīng)的位置。根據(jù)第二實(shí)施例的固體攝像器件105，形成有遮蔽用布線103a和103b，遮蔽用布線103a和103b分別與引線40d和引線53d(該引線40d和該引線53d分別連接至各連接布線67的連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69)重疊，并且遮蔽用布線103a和10 分別延伸至連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69。因此，這兩條遮蔽用布線103a和10 被布置在一條連接布線67跟與鄰接著這條連接布線67的另一條連接布線67相連接的引線之間。于是，能夠抑制這條連接布線67跟與鄰接著這條連接布線67的另一條連接布線67相連接的引線 40d及引線53d之間的相鄰耦合電容。由于遮蔽用布線103a和10 是由不同層的金屬形成的，因而能夠容易地減小三維的相鄰耦合電容。因此，能夠提供高性能的固體攝像器件。 使用用于構(gòu)成多層布線層41和55的布線金屬來形成遮蔽用布線103a和10北。據(jù)此，由于是在與多層布線層41和55的布線的圖形化處理同時(shí)進(jìn)行的工序中形成遮蔽用布線103a 和10北，所以能夠以簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)制造出本實(shí)施例的固體攝像器件105并且不會(huì)增加制造工序的數(shù)量。因?yàn)槎鄬硬季€層41和55的表面在形成有遮蔽用布線103a和10 的情況下變?yōu)楦坏钠矫妫酝ㄟ^例如CMP (化學(xué)機(jī)械研磨)等方法使第一半導(dǎo)體芯片單元22的硅基板變得薄膜化，由此使上述形狀穩(wěn)定化。5.第三實(shí)施例
固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例在圖7A至圖7C中，示出了本發(fā)明的固體攝像器件，即MOS固體攝像器件的第三實(shí)施例。特別地，在這些圖中示出了將第一半導(dǎo)體芯片單元和第二半導(dǎo)體芯片單元電連接起來的連接布線、相當(dāng)于與該連接布線相連接的垂直信號(hào)線的引線、以及遮蔽用布線部。圖7A 是平面圖，圖7B是沿圖7A中的箭頭VIIB方向看的截面圖，圖7C是沿圖7A中的箭頭VIIC 方向看的截面圖。由于上述圖3和圖4中所示實(shí)施方案的結(jié)構(gòu)能夠適用于本實(shí)施例的其他結(jié)構(gòu)，因而圖7A至圖7C中的與圖3和圖4中相對(duì)應(yīng)的部分被賦予相同的附圖標(biāo)記，并省略對(duì)它們的詳細(xì)說明。按照與上述相同的方式，第三實(shí)施例的固體攝像器件106被配置成使得第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈彼此貼合，并且第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈二者通過具有連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69的連接布線67而連接起來。 連接布線67在水平方向上以多條的方式布置著，且圖中未示出的是，連接布線67在垂直方向上以多級(jí)的形式布置著，各連接布線67中的連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69分別連接至相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線40d和引線53d。在本示例中，連接導(dǎo)體68通過第一半導(dǎo)體芯片單元22的多層布線層41中與相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線40d相連接的第一連接焊盤65而連接至該引線40d。第一連接焊盤 65以及與之連接的引線40d是由處于同一層的第三層金屬M(fèi)3形成的。另外，貫穿連接導(dǎo)體69通過第二半導(dǎo)體芯片單元沈的多層布線層55中與相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線53d相連接的第二連接焊盤63而連接至該引線53d。第二連接焊盤63是由第一層金屬M(fèi)ll形成的，而與該第二連接焊盤63連接的引線53d是由第三層金屬M(fèi)13形成的。第二連接焊盤63 通過第二層金屬M(fèi)12與由第三層金屬M(fèi)13形成的引線53d相連接。在本實(shí)施例中，其結(jié)構(gòu)包括遮蔽用布線103 (103a和10 )，該遮蔽用布線103遮蔽著連接布線67跟相當(dāng)于與鄰接著該連接布線67的另一條連接布線67相連接的垂直信號(hào)線的引線40d及引線53d之間的間隙。換言之，遮蔽用布線103a被布置成遮蔽著連接布線 67的連接導(dǎo)體68跟與鄰接著該連接導(dǎo)體68的另一個(gè)連接導(dǎo)體68相連接的引線40d之間的間隙。同時(shí)，遮蔽用布線10 被布置成遮蔽著連接布線67的貫穿連接導(dǎo)體69跟與鄰接著該貫穿連接導(dǎo)體69的另一個(gè)貫穿連接導(dǎo)體69相連接的引線53d之間的間隙。遮蔽用布線103a是由第一半導(dǎo)體芯片單元22的第一多層布線層41中所需層的布線金屬形成的，遮蔽用布線10 是由第二半導(dǎo)體芯片單元沈的第二多層布線層55中所需層的布線金屬形成的。遮蔽用布線103a與連接至連接導(dǎo)體68的引線40d平行，并且由與用作引線40d的第三層金屬M(fèi)3處于同一層的第三層金屬M(fèi)3形成，使得該遮蔽用布線延伸至與連接導(dǎo)體68相對(duì)應(yīng)的位置。遮蔽用布線10 與連接至貫穿連接導(dǎo)體69的引線53d 重疊，并且由與用作引線53d的第三層金屬M(fèi)13處于不同層的第二層金屬M(fèi)12形成，使得該遮蔽用布線延伸至與貫穿連接導(dǎo)體69相對(duì)應(yīng)的位置。根據(jù)第三實(shí)施例的固體攝像器件106，遮蔽用布線103a被形成得使該遮蔽用布線平行于與連接布線67的連接導(dǎo)體68相連接的引線40d，并且延伸至該連接導(dǎo)體68。另外， 由與引線53d處于不同層中的金屬形成的遮蔽用布線10 被形成得使該遮蔽用布線與連接至貫穿連接導(dǎo)體69的引線53d重疊，并且延伸至貫穿連接導(dǎo)體69。因此，這兩條遮蔽用布線103a和10 實(shí)質(zhì)上被布置在一條連接布線67跟與鄰接著這條連接布線67的另一條連接布線67相連接的引線40d及引線53d之間。于是，能夠抑制這條連接布線67跟與鄰接著這條連接布線67的另一條連接布線67相連接的引線40d及引線53d之間的相鄰耦合電容。由于遮蔽用布線103a和10 是由不同層中的金屬形成的，因而能夠容易地減小三維的相鄰耦合電容。因此，能夠提供高性能的固體攝像器件。使用用于構(gòu)成多層布線層41 和55的布線金屬來形成遮蔽用布線103a和10北。據(jù)此，由于是在與多層布線層41和55 的布線的圖形化處理同時(shí)進(jìn)行的工序中形成遮蔽用布線103a和103b，所以能夠在不會(huì)增加制造工序數(shù)量的前提下制造出本實(shí)施例的固體攝像器件106。因?yàn)槎鄬硬季€層41和55的表面在形成有遮蔽用布線103a和10 的情況下變?yōu)楦坏钠矫妫酝ㄟ^例如CMP (化學(xué)機(jī)械研磨)等方法使第一半導(dǎo)體芯片單元22的硅基板變得薄膜化，然后使上述形狀穩(wěn)定化。變形例還可以配置成將圖7A至圖7C中的引線40d與遮蔽用布線103a之間的關(guān)系以及引線53d與遮蔽用布線10 之間的關(guān)系反過來。換言之，與連接導(dǎo)體68相連接的連接焊盤65是由第三層金屬M(fèi)3形成的，與連接焊盤65相連接的引線40d是由第二層金屬M(fèi)2形成的，并且遮蔽用布線103a由第三層金屬M(fèi)3或者第一層金屬M(fèi)l形成并與引線40d重疊。 另外，通過連接焊盤63與貫穿連接導(dǎo)體69相連接的引線53d是由第三金屬M(fèi)13形成的，遮蔽用布線10 由第三層金屬M(fèi)13形成并與引線53d平行。在上述結(jié)構(gòu)中也能呈現(xiàn)出與第三實(shí)施例中所述的效果相同的效果。6.第四實(shí)施例固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例在圖8A至圖8C中，示出了本發(fā)明的固體攝像器件，即MOS固體攝像器件的第四實(shí)施例。特別地，在這些圖中示出了將第一半導(dǎo)體芯片單元和第二半導(dǎo)體芯片單元電連接起來的連接布線、相當(dāng)于與該連接布線相連接的垂直信號(hào)線的引線、以及遮蔽用布線部。圖 8A是平面圖，圖8B是沿圖8A中的箭頭VIIIB方向看的截面圖，圖8C是沿圖8A中的箭頭 VIIIC方向看的截面圖。由于上述圖3和圖4中所示實(shí)施方案的結(jié)構(gòu)能夠適用于本實(shí)施例的其他結(jié)構(gòu)，因而圖8A至圖8C中的與圖3和圖4中相對(duì)應(yīng)的部分被賦予相同的附圖標(biāo)記， 并省略對(duì)它們的詳細(xì)說明。按照與上述相同的方式，第四實(shí)施例的固體攝像器件107被配置成使得第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈彼此貼合，并且第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈二者通過具有連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69的連接布線67而連接起來。 連接布線67在水平方向上以多條的方式布置著，且圖中未示出的是，連接布線67在垂直方向上以多級(jí)的形式布置著，各連接布線67中的連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69分別連接至相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線40d和引線53d。在本示例中，連接導(dǎo)體68通過第一半導(dǎo)體芯片單元22的多層布線層41中與相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線40d相連接的第一連接焊盤65而連接至該引線40d。第一連接焊盤 65以及與之連接的引線40d是由處于同一層的第二層金屬M(fèi)2形成的。另外，貫穿連接導(dǎo)體69通過第二半導(dǎo)體芯片單元沈的多層布線層55中與相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線53d相連接的第二連接焊盤63而連接至該引線53d。第二連接焊盤63以及與之連接的引線53d 是由第二層金屬M(fèi)12形成的。
在本實(shí)施例中，其結(jié)構(gòu)包括遮蔽用布線103 (103a和103b)，該遮蔽用布線103遮蔽著連接布線67跟相當(dāng)于與鄰接著該連接布線67的另一條連接布線67相連接的垂直信號(hào)線的引線40d及引線53d之間的間隙。換言之，遮蔽用布線103a被布置成遮蔽著連接布線 67的連接導(dǎo)體68跟與鄰接著該連接導(dǎo)體68的另一個(gè)連接導(dǎo)體68相連接的引線40d之間的間隙。同時(shí)，遮蔽用布線10 被布置成遮蔽著連接布線67的貫穿連接導(dǎo)體69跟與鄰接著該貫穿連接導(dǎo)體69的另一個(gè)貫穿連接導(dǎo)體69相連接的引線53d之間的間隙。遮蔽用布線103a是由用第一層金屬M(fèi)l和第三層金屬M(fèi)3形成的兩條遮蔽用布線構(gòu)成的，使該兩條遮蔽用布線分別位于上側(cè)和下側(cè)從而夾著第一半導(dǎo)體芯片單元22的第一多層布線層41中的與連接導(dǎo)體68相連接的引線40d，并延伸至連接導(dǎo)體68。遮蔽用布線10 是由用第一層金屬M(fèi)ll和第三層金屬M(fèi)13形成的兩條遮蔽用布線構(gòu)成的，使這兩條遮蔽用布線分別位于上側(cè)和下側(cè)從而夾著第二半導(dǎo)體芯片單元26的多層布線層55中的與貫穿連接導(dǎo)體69相連接的引線53d，并延伸至貫穿連接導(dǎo)體69。根據(jù)第四實(shí)施例的固體攝像器件107，與連接導(dǎo)體68相連接的引線40d和與貫穿連接導(dǎo)體69相連接的引線53d分別被形成得被上側(cè)和下側(cè)的兩對(duì)遮蔽用布線103a和10 夾著。因此，這兩對(duì)遮蔽用布線103a和10 實(shí)質(zhì)上被布置在一條連接布線67跟與鄰接著這條連接布線67的另一條連接布線67相連接的引線40d及引線53d之間。于是，能夠抑制這條連接布線67跟與鄰接著這條連接布線67的另一條連接布線67相連接的引線40d 及引線53d之間的相鄰耦合電容。由于遮蔽用布線103a和10 是由不同層中的金屬形成的，因而能夠容易地減小三維的相鄰耦合電容。因此，能夠提供高性能的固體攝像器件。使用用于構(gòu)成多層布線層41和55的布線金屬來形成遮蔽用布線103a和10北。據(jù)此，由于是在與多層布線層41和55的布線的圖形化處理同時(shí)進(jìn)行的工序中形成遮蔽用布線103a和 103b，所以能夠在不會(huì)增加制造工序數(shù)量的前提下制造出本實(shí)施例的固體攝像器件107。因?yàn)槎鄬硬季€層41和55的表面在形成有遮蔽用布線103a和10 的情況下變?yōu)楦坏钠矫?，所以通過例如CMP (化學(xué)機(jī)械研磨)等方法使第一半導(dǎo)體芯片單元22的硅基板變得薄膜化，由此使上述形狀穩(wěn)定化。7.第五實(shí)施例固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例在圖9中，示出了本發(fā)明的固體攝像器件，即背側(cè)照射型MOS固體攝像器件的第五實(shí)施例。特別地，在該圖中示出了其中布置有多條連接布線的連接布線陣列以及位于相鄰的連接布線之間的遮蔽用布線部，上述多條連接布線將第一半導(dǎo)體芯片單元和第二半導(dǎo)體芯片單元電連接起來。由于上述圖3和圖4中所示實(shí)施方案的結(jié)構(gòu)能夠適用于本實(shí)施例的其他結(jié)構(gòu)，因而圖9中的與圖3和圖4中相對(duì)應(yīng)的部分被賦予相同的附圖標(biāo)記，并省略對(duì)它們的詳細(xì)說明。第五實(shí)施例的固體攝像器件111被配置成使得第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈彼此貼合，并且第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈二者通過具有連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69的連接布線67而連接起來。連接布線陣列109是由多條連接布線67構(gòu)成的。對(duì)于連接布線陣列109而言，在水平方向上以多列的方式布置 (即，在本示例中以四列的方式布置)有連接布線組110，在各連接布線組110中連接布線 67在垂直方向上以多級(jí)的形式布置著(S卩，在本示例中呈三級(jí)布置著)。各連接布線67中的連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69分別連接至相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線40d和引線53d (圖中未示出)。在該圖中，省略了引線40d和引線53d，但是按照與上述圖4中相同的圖形來連接引線40d和引線53d。引線40d和引線53d以在箭頭y方向上延伸的方式而被形成。在本示例中，在連接布線陣列109中，當(dāng)從頂面看時(shí)，與各列相對(duì)應(yīng)的連接布線組 110被連續(xù)的遮蔽用布線113劃分開。遮蔽用布線113包括遮蔽用布線部113a和遮蔽用布線部113b，遮蔽用布線部113a布置于相鄰的連接布線組110之間且在各個(gè)連接布線組110 的兩側(cè)夾著該連接布線組110，遮蔽用布線部11 將遮蔽用布線部113a連接至引線的延長(zhǎng)側(cè)的端部。換言之，遮蔽用布線113以封閉引線40d和引線53d的延長(zhǎng)側(cè)的方式而被形成為梳齒狀圖形。遮蔽用布線113可以由例如第一半導(dǎo)體芯片單元22側(cè)的多層布線層41中所需層的金屬形成?；蛘撸诒斡貌季€113可以由第二半導(dǎo)體芯片單元沈側(cè)的多層布線層55中所需層的金屬形成。亦或，遮蔽用布線113可以由第一半導(dǎo)體芯片單元22的多層布線層41 和第二半導(dǎo)體芯片單元26的多層布線層55每一者中所需層的金屬形成。在此情況下，梳齒狀圖形的遮蔽用布線113由多層布線層41中的所需金屬形成，并且梳齒狀圖形的遮蔽用布線113由多層布線層55中的所需金屬形成。遮蔽用布線113被賦予接地電位。根據(jù)第五實(shí)施例的固體攝像器件111，由于在連接布線陣列109中各個(gè)連接布線組110都被梳齒狀圖形(該梳齒狀圖形讓引線的延長(zhǎng)側(cè)的相對(duì)側(cè)敞開)的遮蔽用布線113 包圍著，因此相鄰的連接布線組110之間被遮擋了。這樣，能夠抑制在相鄰的連接布線組 110之間產(chǎn)生的相鄰耦合電容。當(dāng)梳齒狀圖形的遮蔽用布線113由多層布線層41和55中的金屬形成時(shí)，能夠容易地減小三維的相鄰耦合電容。于是，能夠提供高性能的固體攝像器件。遮蔽用布線113是使用用于構(gòu)成多層布線層41的金屬和/或用于構(gòu)成多層布線層55 的金屬來形成的。據(jù)此，由于是在與多層布線層41和55的布線的圖形化處理同時(shí)進(jìn)行的工序中形成遮蔽用布線，所以能夠在不會(huì)增加制造工序數(shù)量的前提下制造出本實(shí)施例的固體攝像器件111。因?yàn)槎鄬硬季€層41和55的表面在形成有遮蔽用布線113的情況下變?yōu)楦坏钠矫妫酝ㄟ^例如CMP(化學(xué)機(jī)械研磨)等方法使第一半導(dǎo)體芯片單元22的硅基板變得薄膜化，由此使上述形狀穩(wěn)定化。8.第六實(shí)施例固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例在圖10中，示出了本發(fā)明的固體攝像器件，即背側(cè)照射型MOS固體攝像器件的第六實(shí)施例。特別地，在該圖中示出了其中布置有多條連接布線的連接布線陣列以及位于相鄰的連接布線之間的遮蔽用布線部，上述多條連接布線將第一半導(dǎo)體芯片單元和第二半導(dǎo)體芯片單元電連接起來。由于上述圖3和圖4中所示實(shí)施方案的結(jié)構(gòu)能夠適用于本實(shí)施例的其他結(jié)構(gòu)，因而圖10中的與圖3和圖4中相對(duì)應(yīng)的部分被賦予相同的附圖標(biāo)記，并省略對(duì)它們的詳細(xì)說明。第六實(shí)施例的固體攝像器件112被配置成使得第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈彼此貼合，并且第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈二者通過具有連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69的連接布線67而連接起來。連接布線陣列109是由多條連接布線67構(gòu)成的。對(duì)于連接布線陣列109而言，在水平方向上以多列的方式布置(即，在本示例中以四列的方式布置)有連接布線組110，在各連接布線組110中連接布線 67在垂直方向上以多級(jí)的形式布置著(即，在本示例中呈三級(jí)布置著)。各連接布線67中的連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69分別連接至相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線40d和引線53d (圖中未示出)。在該圖中，省略了引線40d和引線53d，但是按照與上述圖4中相同的圖形來連接引線40d和引線53d。引線40d和引線53d以在箭頭y方向上延伸的方式而被形成。在本示例中，在連接布線陣列109中，當(dāng)從頂面看時(shí)，與各列相對(duì)應(yīng)的連接布線組 110被連續(xù)的遮蔽用布線113劃分開。通過將上述第五實(shí)施例中的梳齒狀圖形上下顛倒，將遮蔽用布線113形成為梳齒狀圖形。換言之，遮蔽用布線113包括遮蔽用布線部113a和遮蔽用布線部113c，遮蔽用布線部113a布置于相鄰的連接布線組110之間且在各個(gè)連接布線組110的兩側(cè)夾著該連接布線組110，遮蔽用布線部113c將遮蔽用布線部113a連接至引線的延長(zhǎng)側(cè)的相對(duì)側(cè)的端部。因此，遮蔽用布線113以讓引線的延長(zhǎng)側(cè)敞開的方式而被形成為梳齒狀圖形。遮蔽用布線113可以由例如第一半導(dǎo)體芯片單元22側(cè)的多層布線層41中所需層的金屬形成。或者，遮蔽用布線113可以由第二半導(dǎo)體芯片單元沈側(cè)的多層布線層55中所需層的金屬形成。亦或，遮蔽用布線113可以由第一半導(dǎo)體芯片單元22的多層布線層41 和第二半導(dǎo)體芯片單元26的多層布線層55每一者中所需層的金屬形成。在此情況下，梳齒狀圖形的遮蔽用布線113由多層布線層41中的所需金屬形成，并且梳齒狀圖形的遮蔽用布線113由多層布線層55中的所需金屬形成。遮蔽用布線113被賦予接地電位。根據(jù)第六實(shí)施例的固體攝像器件112，由于在連接布線陣列109中各個(gè)連接布線組110都被梳齒狀圖形(該梳齒狀圖形讓引線的延長(zhǎng)側(cè)敞開)的遮蔽用布線113包圍著， 因此相鄰的連接布線組110之間被遮擋了。這樣，能夠抑制在相鄰的連接布線組110之間產(chǎn)生的相鄰耦合電容。當(dāng)梳齒狀圖形的遮蔽用布線113由多層布線層41和55中的金屬形成時(shí)，能夠容易地減小三維的相鄰耦合電容。于是，能夠提供高性能的固體攝像器件。遮蔽用布線113是使用用于構(gòu)成多層布線層41的金屬和/或用于構(gòu)成多層布線層55的金屬來形成的。據(jù)此，由于是在與多層布線層41和55的布線的圖形化處理同時(shí)進(jìn)行的工序中形成遮蔽用布線，所以能夠在不會(huì)增加制造工序數(shù)量的前提下制造出本實(shí)施例的固體攝像器件 112。9.第七實(shí)施例固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例在圖11中，示出了本發(fā)明的固體攝像器件，即背側(cè)照射型MOS固體攝像器件的第七實(shí)施例。特別地，在該圖中示出了其中布置有多條接布線的連接布線陣列以及位于相鄰的連接布線之間的遮蔽用布線部，上述多條接布線將第一半導(dǎo)體芯片單元和第二半導(dǎo)體芯片單元電連接起來。由于上述圖3和圖4中所示實(shí)施方案的結(jié)構(gòu)能夠適用于本實(shí)施例的其他結(jié)構(gòu)，因而圖11中的與圖3和圖4中相對(duì)應(yīng)的部分被賦予相同的附圖標(biāo)記，并省略對(duì)它們的詳細(xì)說明。第七實(shí)施例的固體攝像器件114被配置成使得第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈彼此貼合，并且第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈二者通過具有連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69的連接布線67而連接起來。連接布線陣列109是由多條連接布線67構(gòu)成的。對(duì)于連接布線陣列109而言，在水平方向上以多列的方式布置(即，在本示例中以四列的方式布置)有連接布線組110，在各連接布線組110中連接布線 67在垂直方向上以多級(jí)的形式布置著(即，在本示例中呈三級(jí)布置著)。各連接布線67中的連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69分別連接至相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線40d和引線53d (圖中未示出)。在該圖中，省略了引線40d和引線53d，但是按照與上述圖4中相同的圖形來連接引線40d和引線53d。引線40d和引線53d以在箭頭y方向上延伸的方式而被形成。在本示例中，在連接布線陣列109中，當(dāng)從頂面看時(shí)，與各列相對(duì)應(yīng)的連接布線組 110被連續(xù)的遮蔽用布線113劃分開。遮蔽用布線113被形成為下述的形狀。遮蔽用布線 113包括遮蔽用布線部113a，遮蔽用布線部113a布置于相鄰的連接布線組110之間且在各個(gè)連接布線組110的兩側(cè)夾著該連接布線組110。另外，遮蔽用布線113還包括遮蔽用布線部113d和遮蔽用布線部113e，遮蔽用布線部113d封閉著第一列中連接布線組110的引線的延長(zhǎng)側(cè)的相對(duì)側(cè)，遮蔽用布線部11 封閉著第四列中連接布線組110的引線的延長(zhǎng)側(cè)。 此外，遮蔽用布線113還包括遮蔽用布線部113f和遮蔽用布線部113g，遮蔽用布線部113f 橫切于第二列中的連接布線組110的第一級(jí)連接布線67與第二級(jí)連接布線67之間，遮蔽用布線部113g橫切于第三列中的連接布線組110的第三級(jí)連接布線67與第四級(jí)連接布線 67之間。遮蔽用布線113可以由例如第一半導(dǎo)體芯片單元22側(cè)的多層布線層41中所需層的金屬形成?；蛘?，遮蔽用布線113可以由第二半導(dǎo)體芯片單元沈側(cè)的多層布線層55中所需層的金屬形成。亦或，遮蔽用布線113可以由第一半導(dǎo)體芯片單元22的多層布線層41 和第二半導(dǎo)體芯片單元26的多層布線層55每一者中所需層的金屬形成。在此情況下，上述圖形的遮蔽用布線113由多層布線層41中的所需金屬形成，并且上述圖形的遮蔽用布線 113由多層布線層55中的所需金屬形成。遮蔽用布線113被賦予接地電位。根據(jù)第七實(shí)施例的固體攝像器件114，圖11所示圖形的遮蔽用布線113在相鄰的連接布線組Iio之間以及在一些沿垂直方向排列的連接布線67之間進(jìn)行遮擋。因此，能夠抑制在相鄰的連接布線組110之間以及在一些沿垂直方向排列的連接布線67之間產(chǎn)生的相鄰耦合電容。當(dāng)上述圖形的遮蔽用布線113由多層布線層41和55中的金屬形成時(shí)，能夠容易地減小三維的相鄰耦合電容。于是，能夠提供高性能的固體攝像器件。遮蔽用布線113 是使用用于構(gòu)成多層布線層41的金屬和/或用于構(gòu)成多層布線層55的金屬來形成的。據(jù)此，由于是在與多層布線層41和55的布線的圖形化處理同時(shí)進(jìn)行的工序中形成遮蔽用布線113，所以能夠在不會(huì)增加制造工序數(shù)量的前提下制造出本實(shí)施例的固體攝像器件114。因?yàn)槎鄬硬季€層41和55的表面在形成有遮蔽用布線113的情況下變?yōu)楦坏钠矫?，所以通過例如CMP(化學(xué)機(jī)械研磨)等方法使第一半導(dǎo)體芯片單元22的硅基板變得薄膜化，由此使上述形狀穩(wěn)定化。10.第八實(shí)施例固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例在圖12中，示出了本發(fā)明的固體攝像器件，即背側(cè)照射型MOS固體攝像器件的第八實(shí)施例。特別地，在該圖中示出了其中布置有多條連接布線的連接布線陣列以及位于相鄰的連接布線之間的遮蔽用布線部，上述多條連接布線將第一半導(dǎo)體芯片單元和第二半導(dǎo)體芯片單元電連接起來。由于上述圖3和圖4中所示實(shí)施方案的結(jié)構(gòu)能夠適用于本實(shí)施例的其他結(jié)構(gòu)，因而圖12中的與圖3和圖4中相對(duì)應(yīng)的部分被賦予相同的附圖標(biāo)記，并省略對(duì)它們的詳細(xì)說明。第八實(shí)施例的固體攝像器件115被配置成使得第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈彼此貼合，并且第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈二者通過具有連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69的連接布線67而連接起來。連接布線陣列109是由多條連接布線67構(gòu)成的。對(duì)于連接布線陣列109而言，在水平方向上以多列的方式布置 (即，在本示例中以四列的方式布置)有連接布線組110，在各連接布線組110中連接布線 67在垂直方向上以多級(jí)的形式布置著(S卩，在本示例中呈三級(jí)布置著)。各連接布線67中的連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69分別連接至相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線40d和引線53d(圖中未示出)。在該圖中，省略了引線40d和引線53d，但是按照與上述圖4中相同的圖形來連接引線40d和引線53d。引線40d和引線53d以在箭頭y方向上延伸的方式而被形成。在本示例中，在連接布線陣列109中，當(dāng)從頂面看時(shí)，與各列相對(duì)應(yīng)的連接布線組 110被連續(xù)的遮蔽用布線113劃分開。換言之，遮蔽用布線113以在各列連接布線組110之間對(duì)連接布線組110進(jìn)行遮擋的方式而被形成為連續(xù)的Z字形。遮蔽用布線113可以由例如第一半導(dǎo)體芯片單元22側(cè)的多層布線層41中所需層的金屬形成?；蛘撸诒斡貌季€113可以由第二半導(dǎo)體芯片單元沈側(cè)的多層布線層55中所需層的金屬形成。亦或，遮蔽用布線113可以由第一半導(dǎo)體芯片單元22的多層布線層41 和第二半導(dǎo)體芯片單元26的多層布線層55每一者中所需層的金屬形成。在此情況下，Z字形的遮蔽用布線113由多層布線層41中的所需金屬形成，并且Z字形的遮蔽用布線113由多層布線層55中的所需金屬形成。遮蔽用布線113被賦予接地電位。根據(jù)第八實(shí)施例的固體攝像器件115，由于Z字形的遮蔽用布線113在相鄰的連接布線組110之間對(duì)相鄰的連接布線組110進(jìn)行遮擋，因而能夠抑制在相鄰的連接布線組 110之間產(chǎn)生的相鄰耦合電容。當(dāng)Z字形的遮蔽用布線113由多層布線層41和55中的金屬形成時(shí)，能夠容易地減小三維的相鄰耦合電容。于是，能夠提供高性能的固體攝像器件。 遮蔽用布線113是使用用于構(gòu)成多層布線層41的金屬和/或用于構(gòu)成多層布線層55的金屬來形成的。據(jù)此，由于是在與多層布線層41和55的布線的圖形化處理同時(shí)進(jìn)行的工序中形成遮蔽用布線113，所以能夠在不會(huì)增加制造工序數(shù)量的前提下制造出本實(shí)施例的固體攝像器件115。因?yàn)槎鄬硬季€層41和55的表面在形成有遮蔽用布線113的情況下變?yōu)楦坏钠矫?，所以通過例如CMP(化學(xué)機(jī)械研磨)等方法使第一半導(dǎo)體芯片單元22的硅基板變得薄膜化，由此使上述形狀穩(wěn)定化。11.第九實(shí)施例固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例在圖13中，示出了本發(fā)明的固體攝像器件，即背側(cè)照射型MOS固體攝像器件的第九實(shí)施例。特別地，在該圖中示出了其中布置有多條連接布線的連接布線陣列以及位于相鄰的連接布線之間的遮蔽用布線部，上述多條連接布線將第一半導(dǎo)體芯片單元和第二半導(dǎo)體芯片單元電連接起來。由于上述圖3和圖4中所示實(shí)施方案的結(jié)構(gòu)能夠適用于本實(shí)施例的其他結(jié)構(gòu)，因而圖13中的與圖3和圖4中相對(duì)應(yīng)的部分被賦予相同的附圖標(biāo)記，并省略對(duì)它們的詳細(xì)說明。第九實(shí)施例的固體攝像器件116被配置成使得第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈彼此貼合，并且第一半導(dǎo)體芯片單元22和第二半導(dǎo)體芯片單元沈二者通過具有連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69的連接布線67而連接起來。連接布線陣列109是由多條連接布線67構(gòu)成的。在水平方向上以多列的方式布置(即，在本示例中以五列的方式布置)有連接布線組110，在各連接布線組110中連接布線陣列109在垂直方向上以多級(jí)的形式布置著。在本示例中，奇數(shù)列(即第一列、第三列和第五列)的連接布線組110具有三級(jí)的連接布線67，而偶數(shù)列(即第二列和第四列)的連接布線組110具有兩級(jí)的連接布線67。各連接布線67中的連接導(dǎo)體68和貫穿連接導(dǎo)體69分別連接至相當(dāng)于垂直信號(hào)線的引線40d和引線53d(圖中未示出)。在該圖中，省略了引線40d和引線53d，但是按照與上述圖4中相同的圖形來連接引線40d和引線53d。引線40d和引線53d以在箭頭y方向上延伸的方式而被形成。在本示例中，在連接布線陣列109中，當(dāng)從頂面看時(shí)，與各列相對(duì)應(yīng)的連接布線組 110被連續(xù)的遮蔽用布線113劃分開。遮蔽用布線113具有如圖中所示的形狀。換言之， 遮蔽用布線113具有遮蔽用布線部113a，遮蔽用布線部113a布置于相鄰的連接布線組110 之間且夾在各個(gè)連接布線組110的兩側(cè)。另外，遮蔽用布線113還包括遮蔽用布線部11 和遮蔽用布線部113i，利用遮蔽用布線部11 封閉著第一列和第四列的連接布線組110的引線的延長(zhǎng)側(cè)的相對(duì)側(cè)，遮蔽用布線部113i與遮蔽用布線部113a —起包圍著第三列的連接布線組110。此外，遮蔽用布線113還包括遮蔽用布線部113j和遮蔽用布線部113k，遮蔽用布線部113j橫切于第二列的連接布線67之間，遮蔽用布線部113k橫切于第五列中的連接布線組110的第一級(jí)連接布線67與第二級(jí)連接布線67之間。遮蔽用布線113可以由例如第一半導(dǎo)體芯片單元22側(cè)的多層布線層41中所需層的金屬形成?；蛘撸诒斡貌季€113可以由第二半導(dǎo)體芯片單元沈側(cè)的多層布線層55中所需層的金屬形成。亦或，遮蔽用布線113可以由第一半導(dǎo)體芯片單元22的多層布線層41 和第二半導(dǎo)體芯片單元26的多層布線層55每一者中所需層的金屬形成。在此情況下，上述圖形的遮蔽用布線113由多層布線層41中的所需金屬形成，并且上述圖形的遮蔽用布線 113由多層布線層55中的所需金屬形成。遮蔽用布線113被賦予接地電位。根據(jù)第九實(shí)施例的固體攝像器件116，由于圖13所示圖形的遮蔽用布線113在相鄰的連接布線組110之間以及在一些沿垂直方向排列的連接布線67之間進(jìn)行遮擋。因此， 能夠抑制在相鄰的連接布線組110之間以及在一些沿垂直方向排列的連接布線67之間產(chǎn)生的相鄰耦合電容。當(dāng)上述圖形的遮蔽用布線113由多層布線層41和55中的金屬形成時(shí)，能夠容易地減小三維的相鄰耦合電容。于是，能夠提供高性能的固體攝像器件116。遮蔽用布線113是使用用于構(gòu)成多層布線層41的金屬和/或用于構(gòu)成多層布線層55的金屬來形成的。據(jù)此，由于是在與多層布線層41和55的布線的圖形化處理同時(shí)進(jìn)行的工序中形成遮蔽用布線113，所以能夠在不會(huì)增加制造工序數(shù)量的前提下制造出本實(shí)施例的固體攝像器件116。因?yàn)槎鄬硬季€層41和55的表面在形成有遮蔽用布線113的情況下變?yōu)楦坏钠矫妫酝ㄟ^例如CMP(化學(xué)機(jī)械研磨)等方法使第一半導(dǎo)體芯片單元22的硅基板變得薄膜化，由此使上述形狀穩(wěn)定化。表
權(quán)利要求
1.一種背側(cè)照射型固體攝像器件，其包括堆疊式半導(dǎo)體芯片，所述堆疊式半導(dǎo)體芯片以使兩個(gè)以上半導(dǎo)體芯片單元彼此貼合的方式而被形成，至少第一半導(dǎo)體芯片單元中形成有像素陣列和第一多層布線層，且第二半導(dǎo)體芯片單元中形成有邏輯電路和第二多層布線層；連接布線，所述連接布線將所述第一半導(dǎo)體芯片單元和所述第二半導(dǎo)體芯片單元連接起來；以及第一遮蔽用布線，所述第一遮蔽用布線遮蔽著沿一個(gè)方向彼此相鄰的所述連接布線之間的間隙，其中，所述連接布線包括連接導(dǎo)體、貫穿連接導(dǎo)體和連結(jié)導(dǎo)體，所述連接導(dǎo)體連接至與所述第一多層布線層中所需的第一布線相連接的第一連接焊盤，所述貫穿連接導(dǎo)體穿透所述第一半導(dǎo)體芯片單元且連接至與所述第二多層布線層中所需的第二布線相連接的第二連接焊盤，所述連結(jié)導(dǎo)體把所述連接導(dǎo)體與所述貫穿連接導(dǎo)體連結(jié)起來，并且所述第一遮蔽用布線是由所述第一多層布線層和/或所述第二多層布線層中所需層的布線形成的。
2.如權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，還包括第二遮蔽用布線，所述第二遮蔽用布線遮蔽著所述連接布線跟與鄰接著所述連接布線的另一條連接布線相連接的所述第一布線及所述第二布線之間的間隙，其中，所述第二遮蔽用布線是由所述第一多層布線層和所述第二多層布線層中所需層的布線形成的。
3.如權(quán)利要求1或2所述的固體攝像器件，其中，沿所述一個(gè)方向布置有多個(gè)連接布線組，在各個(gè)所述連接布線組中所述連接布線在另一個(gè)方向上以多條的方式布置著，并且各個(gè)所述連接布線組被連續(xù)的所述第一遮蔽用布線劃分開。
4.如權(quán)利要求3所述的固體攝像器件，其中，所述像素陣列包括以矩陣形狀排列著的多個(gè)像素，各所述像素包括光電轉(zhuǎn)換單元和多個(gè)像素晶體管，所述像素陣列還包括與各列中的所述像素共同連接的垂直信號(hào)線，并且，所述垂直信號(hào)線相當(dāng)于所述第一布線。
5.如權(quán)利要求4所述的固體攝像器件，還包括半導(dǎo)體去除區(qū)域，在所述半導(dǎo)體去除區(qū)域中去除了一部分所述第一半導(dǎo)體芯片單元中的全部半導(dǎo)體部，其中，所述連接布線被形成在所述半導(dǎo)體去除區(qū)域中。
6.一種背側(cè)照射型固體攝像器件，其包括堆疊式半導(dǎo)體芯片，所述堆疊式半導(dǎo)體芯片以使兩個(gè)以上半導(dǎo)體芯片單元彼此貼合的方式而被形成，至少第一半導(dǎo)體芯片單元中形成有像素陣列和第一多層布線層，且第二半導(dǎo)體芯片單元中形成有邏輯電路和第二多層布線層；連接布線，所述連接布線將所述第一半導(dǎo)體芯片單元和所述第二半導(dǎo)體芯片單元連接起來；以及第二遮蔽用布線，所述第二遮蔽用布線遮蔽著所述連接布線跟與鄰接著所述連接布線的另一條連接布線相連接的第一布線及第二布線之間的間隙，其中，所述連接布線包括連接導(dǎo)體、貫穿連接導(dǎo)體和連結(jié)導(dǎo)體，所述連接導(dǎo)體連接至與所述第一多層布線層中所需的所述第一布線相連接的第一連接焊盤，所述貫穿連接導(dǎo)體穿透所述第一半導(dǎo)體芯片單元且連接至與所述第二多層布線層中所需的所述第二布線相連接的第二連接焊盤，所述連結(jié)導(dǎo)體把所述連接導(dǎo)體與所述貫穿連接導(dǎo)體連結(jié)起來，并且所述第二遮蔽用布線是由所述第一多層布線層和所述第二多層布線層中所需層的布線形成的。
7.如權(quán)利要求6所述的固體攝像器件，其中，所述像素陣列包括以矩陣形狀排列著的多個(gè)像素，各所述像素包括光電轉(zhuǎn)換單元和多個(gè)像素晶體管，所述像素陣列還包括與各列中的所述像素共同連接的垂直信號(hào)線，并且，所述垂直信號(hào)線相當(dāng)于所述第一布線。
8.如權(quán)利要求6或7所述的固體攝像器件，還包括半導(dǎo)體去除區(qū)域，在所述半導(dǎo)體去除區(qū)域中去除了一部分所述第一半導(dǎo)體芯片單元中的全部半導(dǎo)體部，其中，所述連接布線被形成在所述半導(dǎo)體去除區(qū)域中。
9.一種電子裝置，其包括固體攝像器件；光學(xué)系統(tǒng)，所述光學(xué)系統(tǒng)將入射光引導(dǎo)至所述固體攝像器件的光電二極管；以及信號(hào)處理電路，所述信號(hào)處理電路對(duì)所述固體攝像器件的輸出信號(hào)進(jìn)行處理，所述固體攝像器件包括堆疊式半導(dǎo)體芯片，所述堆疊式半導(dǎo)體芯片以使兩個(gè)以上半導(dǎo)體芯片單元彼此貼合的方式而被形成，至少第一半導(dǎo)體芯片單元中形成有像素陣列和第一多層布線層，且第二半導(dǎo)體芯片單元中形成有邏輯電路和第二多層布線層；連接布線，所述連接布線將所述第一半導(dǎo)體芯片單元和所述第二半導(dǎo)體芯片單元連接起來；以及第一遮蔽用布線，所述第一遮蔽用布線遮蔽著沿一個(gè)方向彼此相鄰的所述連接布線之間的間隙，其中，所述連接布線包括連接導(dǎo)體、貫穿連接導(dǎo)體和連結(jié)導(dǎo)體，所述連接導(dǎo)體連接至與所述第一多層布線層中所需的第一布線相連接的第一連接焊盤，所述貫穿連接導(dǎo)體穿透所述第一半導(dǎo)體芯片單元且連接至與所述第二多層布線層中所需的第二布線相連接的第二連接焊盤，所述連結(jié)導(dǎo)體把所述連接導(dǎo)體與所述貫穿連接導(dǎo)體連結(jié)起來，并且所述第一遮蔽用布線是由所述第一多層布線層和/或所述第二多層布線層中所需層的布線形成的。
10.如權(quán)利要求9所述的電子裝置，其中，所述固體攝像器件還包括第二遮蔽用布線，所述第二遮蔽用布線遮蔽著所述連接布線跟與鄰接著所述連接布線的另一條連接布線相連接的所述第一布線及所述第二布線之間的間隙，并且，所述第二遮蔽用布線是由所述第一多層布線層和所述第二多層布線層中所需層的布線形成的。
11.如權(quán)利要求9或10所述的電子裝置，其中，沿所述一個(gè)方向布置有多個(gè)連接布線組，在各個(gè)所述連接布線組中所述連接布線在另一個(gè)方向上以多條的方式布置著，并且各個(gè)所述連接布線組被連續(xù)的所述第一遮蔽用布線劃分開。
12.如權(quán)利要求11所述的電子裝置，其中，所述像素陣列包括以矩陣形狀排列著的多個(gè)像素，各所述像素包括光電轉(zhuǎn)換單元和多個(gè)像素晶體管，所述像素陣列還包括與各列中的所述像素共同連接的垂直信號(hào)線， 并且，所述垂直信號(hào)線相當(dāng)于所述第一布線。
13.如權(quán)利要求12所述的電子裝置，其中，所述固體攝像器件還包括半導(dǎo)體去除區(qū)域，在所述半導(dǎo)體去除區(qū)域中去除了一部分所述第一半導(dǎo)體芯片單元中的全部半導(dǎo)體部，并且，所述連接布線被形成在所述半導(dǎo)體去除區(qū)域中。
14.一種電子裝置，其包括固體攝像器件；光學(xué)系統(tǒng)，所述光學(xué)系統(tǒng)將入射光引導(dǎo)至所述固體攝像器件的光電二極管；以及信號(hào)處理電路，所述信號(hào)處理電路對(duì)所述固體攝像器件的輸出信號(hào)進(jìn)行處理，所述固體攝像器件包括堆疊式半導(dǎo)體芯片，所述堆疊式半導(dǎo)體芯片以使兩個(gè)以上半導(dǎo)體芯片單元彼此貼合的方式而被形成，至少第一半導(dǎo)體芯片單元中形成有像素陣列和第一多層布線層，且第二半導(dǎo)體芯片單元中形成有邏輯電路和第二多層布線層；連接布線，所述連接布線將所述第一半導(dǎo)體芯片單元和所述第二半導(dǎo)體芯片單元連接起來；以及第二遮蔽用布線，所述第二遮蔽用布線遮蔽著所述連接布線跟與鄰接著所述連接布線的另一條連接布線相連接的第一布線及第二布線之間的間隙，其中，所述連接布線包括連接導(dǎo)體、貫穿連接導(dǎo)體和連結(jié)導(dǎo)體，所述連接導(dǎo)體連接至與所述第一多層布線層中所需的所述第一布線相連接的第一連接焊盤，所述貫穿連接導(dǎo)體穿透所述第一半導(dǎo)體芯片單元且連接至與所述第二多層布線層中所需的所述第二布線相連接的第二連接焊盤，所述連結(jié)導(dǎo)體把所述連接導(dǎo)體與所述貫穿連接導(dǎo)體連結(jié)起來，并且所述第二遮蔽用布線是由所述第一多層布線層和所述第二多層布線層中所需層的布線形成的。
15.如權(quán)利要求14所述的電子裝置，其中，所述像素陣列包括以矩陣形狀排列著的多個(gè)像素，各所述像素包括光電轉(zhuǎn)換單元和多個(gè)像素晶體管，所述像素陣列還包括與各列中的所述像素共同連接的垂直信號(hào)線， 并且，所述垂直信號(hào)線相當(dāng)于所述第一布線。
16.如權(quán)利要求14或15所述的電子裝置，其中，所述固體攝像器件還包括半導(dǎo)體去除區(qū)域，在所述半導(dǎo)體去除區(qū)域中去除了一部分所述第一半導(dǎo)體芯片單元中的全部半導(dǎo)體部，并且，所述連接布線被形成在所述半導(dǎo)體去除區(qū)域中。
全文摘要
本發(fā)明公開了背側(cè)照射型固體攝像器件和電子裝置。所述背側(cè)照射型固體攝像器件包括堆疊式半導(dǎo)體芯片，所述堆疊式半導(dǎo)體芯片以使兩個(gè)以上半導(dǎo)體芯片單元彼此貼合的方式而被形成，至少第一半導(dǎo)體芯片單元中形成有像素陣列和第一多層布線層，且第二半導(dǎo)體芯片單元中形成有邏輯電路和第二多層布線層；連接布線，所述連接布線將所述第一半導(dǎo)體芯片單元和所述第二半導(dǎo)體芯片單元連接起來；以及第一遮蔽用布線，所述第一遮蔽用布線遮蔽著沿一個(gè)方向彼此相鄰的所述連接布線之間的間隙。所述連接布線包括與第一連接焊盤連接的連接導(dǎo)體、與第二連接焊盤連接的貫穿連接導(dǎo)體和將上述二者連結(jié)起來的連結(jié)導(dǎo)體。本發(fā)明提供了高性能的固體攝像器件和電子裝置。
文檔編號(hào)H04N5/374GK102456700SQ20111032262
公開日2012年5月16日 申請(qǐng)日期2011年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月21日
發(fā)明者堀池真知子, 糸長(zhǎng)総一郎 申請(qǐng)人:索尼公司