專(zhuān)利名稱(chēng)：固體攝像器件和電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及固體攝像器件以及例如相機(jī)等設(shè)有該固體攝像器件的電子裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，電子相機(jī)已經(jīng)變得日益普遍應(yīng)用，并且對(duì)作為電子相機(jī)的核心部件的固體攝像器件(圖像傳感器)的需求也進(jìn)一步增長(zhǎng)。在性能方面，正在進(jìn)行技術(shù)開(kāi)發(fā)以便實(shí)現(xiàn)在圖像質(zhì)量和功能性方面的改善。同時(shí)，攝像機(jī)和便攜式照相機(jī)以及手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理 (Personal Digital Assistant, PDA) 口筆記本電腦等已經(jīng)普及。隨著這些產(chǎn)品變得日益普及，以下幾項(xiàng)努力變得尤為重要期望固體攝像器件及固體攝像器件的部件變得更小、更輕且更薄以便易于運(yùn)輸，并且期望降低成本以便推廣這些產(chǎn)品的應(yīng)用。在相關(guān)技術(shù)中，例如MOS型固體攝像器件等固體攝像器件包括在硅基板上的第一主面(受光面)側(cè)形成的光電轉(zhuǎn)換單元、放大電路和多層布線層；以及芯片，在該芯片上形成有片上微透鏡(on-chip micro-lens)或?yàn)V色器(color filter)。固體攝像器件是這樣構(gòu)造而成的借助于例如粘合劑等分隔物將覆蓋用玻璃(cover glass)粘貼到上述芯片的第一主面上，并在上述芯片的第二主面?zhèn)刃纬啥俗?。裝配有用于對(duì)輸出圖像進(jìn)行處理的信號(hào)處理電路的芯片與固體攝像器件連接。隨著固體攝像器件的功能的增多，由信號(hào)處理電路進(jìn)行的處理已經(jīng)變得多樣化。為了使這樣的多個(gè)功能和多個(gè)芯片不斷小型化，采取了很多措施。例如，通過(guò)使用硅封裝(Silicon in Package, SIP)技術(shù)將多個(gè)芯片置于一個(gè)封裝件中來(lái)實(shí)現(xiàn)小型化。在此情況下，盡管優(yōu)點(diǎn)是能夠通過(guò)結(jié)合現(xiàn)有芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)小型化，但也存在這樣的不利效果由于用于連接這些芯片的傳輸距離變長(zhǎng)且高速連接變得困難，因而難以實(shí)現(xiàn)高速工作。另一方面，在日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)公報(bào)特開(kāi)第2002-43556號(hào)中示出了這樣的固體攝像器件在該固體攝像器件中，在形成于半導(dǎo)體基板的同一平面內(nèi)的源極跟隨電路(該源極跟隨電路要成為輸出電路)與光電轉(zhuǎn)換單元之間布置有用于遮蔽出射光(該出射光是由于在輸出電路中發(fā)生的碰撞電離而引起的)的遮光部件。對(duì)于上述固體攝像器件，已經(jīng)開(kāi)始嘗試通過(guò)將多個(gè)芯片中的每一者粘貼并接合起來(lái)以實(shí)現(xiàn)信號(hào)的高速傳輸。然而，在此情況下，由于光電轉(zhuǎn)換單元和周邊電路單元被形成得非常靠近，這樣就引起了固體攝像器件所特有的問(wèn)題。由于光電轉(zhuǎn)換單元將細(xì)微的載流子 (例如，電子)作為信號(hào)進(jìn)行處理，因此來(lái)自附近電路的熱或電磁場(chǎng)的影響容易作為噪聲而混入。另外，從晶體管出射的細(xì)微的熱載流子發(fā)光(這在晶體管的通常電路工作中很少會(huì)引起問(wèn)題)也會(huì)對(duì)固體攝像器件的特性產(chǎn)生巨大影響。
熱載流子發(fā)光是通過(guò)電子(當(dāng)在源極與漏極間被加速的載流子在漏極端通過(guò)碰撞而被電離時(shí)，產(chǎn)生了這些電子)與正空穴間的生成及復(fù)合而出射的發(fā)光，或者是通過(guò)電子或正空穴的狀態(tài)躍遷而出射的發(fā)光。這樣的發(fā)光雖然只有細(xì)微的量但是會(huì)規(guī)則地出射， 即使對(duì)于晶體管，這種特性也不會(huì)造成任何問(wèn)題。由于上述發(fā)光在所有方向上散射，所以當(dāng)進(jìn)一步遠(yuǎn)離晶體管的時(shí)候該發(fā)光的影響是很小的。然而，在光電轉(zhuǎn)換單元與由晶體管構(gòu)成的電路被布置得非常近的情況下，上述發(fā)光還沒(méi)有怎么擴(kuò)散，相當(dāng)多數(shù)量的光子就被注入到光電轉(zhuǎn)換單元中。由于不充分的擴(kuò)散，因晶體管布置密度或激活率的差異所導(dǎo)致的熱載流子發(fā)光的發(fā)光分布就作為二維信息而被投射在圖像上。因此，用于將熱載流子發(fā)光向光電轉(zhuǎn)換單元中的注入量限制為處于檢測(cè)極限以下的遮光就變得很重要。另外，在周邊電路內(nèi)設(shè)置有用于保護(hù)電路元件免受浪涌電壓(surge voltage)影響的保護(hù)電路。對(duì)于構(gòu)成該保護(hù)電路的保護(hù)用二極管來(lái)說(shuō)，當(dāng)在工作中施加逆向偏置電壓時(shí)和當(dāng)處于擊穿狀態(tài)下時(shí)會(huì)出現(xiàn)發(fā)光現(xiàn)象。如果這樣的發(fā)光進(jìn)入光電轉(zhuǎn)換單元，則類(lèi)似于上面的說(shuō)明，就會(huì)對(duì)固體攝像器件的特性產(chǎn)生巨大的影響。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的是期望提供一種固體攝像器件，在該固體攝像器件中，在基板內(nèi)以在上方和下方彼此很靠近的方式設(shè)有像素區(qū)域和周邊電路，該固體攝像器件通過(guò)抑制從正在工作的例如晶體管或二極管等有源元件出射的光透射到光電轉(zhuǎn)換單元中來(lái)改善圖像質(zhì)量。本發(fā)明的另一目的是期望提供例如相機(jī)等包括上述固體攝像器件的電子裝置。本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的固體攝像器件包括像素區(qū)域，所述像素區(qū)域形成在基板的光入射側(cè)，并且在所述像素區(qū)域上布置有多個(gè)包括光電轉(zhuǎn)換單元的像素；以及周邊電路單元，所述周邊電路單元形成在所述像素區(qū)域的在所述基板深度方向上的下部處并且含有有源元件。此外，本發(fā)明實(shí)施方案的所述固體攝像器件還包括遮光部件，所述遮光部件形成在所述像素區(qū)域與所述周邊電路單元之間并且遮蔽當(dāng)所述有源元件工作時(shí)從所述有源元件出射的光使其無(wú)法入射到所述光電轉(zhuǎn)換單元上。在本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件中，所述像素區(qū)域與所述周邊電路單元是彼此上下呈三維地布置在基板內(nèi)的。由于在呈三維布置的所述像素區(qū)域與所述周邊電路單元之間設(shè)置有遮光部件，所以即使像素區(qū)域與周邊電路被布置得很靠近，當(dāng)所述周邊電路單元的有源元件工作時(shí)從所述有源元件出射的光也會(huì)被所述遮光部件遮蔽，并且抑制了光透射到所述光電轉(zhuǎn)換單元中。本發(fā)明另一實(shí)施方案的電子裝置包括固體攝像器件；將入射光引導(dǎo)至所述固體攝像器件的光電轉(zhuǎn)換單元上的光學(xué)系統(tǒng)；和對(duì)所述固體攝像器件的輸出信號(hào)進(jìn)行處理的信號(hào)處理電路。所述固體攝像器件包括像素區(qū)域，所述像素區(qū)域形成在基板的光入射側(cè)，并且在所述像素區(qū)域上布置有多個(gè)包括光電轉(zhuǎn)換單元的像素；以及周邊電路單元，所述周邊電路單元形成在所述像素區(qū)域的在所述基板深度方向上的下部處并且含有有源元件。此外，本發(fā)明實(shí)施方案的電子裝置中的所述固體攝像器件還包括遮光部件，所述遮光部件形成在所述像素區(qū)域與所述周邊電路單元之間并且遮蔽當(dāng)所述有源元件工作時(shí)從所述有源元件出射的光使其無(wú)法入射到所述光電轉(zhuǎn)換單元上。由于本發(fā)明實(shí)施方案的電子裝置包括上述本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件，所以在該固體攝像器件中，當(dāng)所述周邊電路單元的所述有源元件工作時(shí)從所述有源元件出射的光被所述遮光部件遮蔽，并且抑制了光透射到所述光電轉(zhuǎn)換單元中。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件，由于當(dāng)周邊電路單元的有源元件工作時(shí)從所述有源元件出射的光被遮光部件遮蔽，并且抑制了光透射到光電轉(zhuǎn)換單元中，因此能夠提高固體攝像器件的圖像質(zhì)量。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的電子裝置，盡管當(dāng)固體攝像器件的周邊電路單元的有源元件工作時(shí)會(huì)出射光，但由于遮光部件抑制了光透射到光電轉(zhuǎn)換單元中，所以提高了固體攝像器件的圖像質(zhì)量。以這樣的方式，能夠提供可以獲得高圖像質(zhì)量的電子裝置。


圖1是圖示了適用于本發(fā)明實(shí)施方案的MOS型固體攝像器件的示例的概略結(jié)構(gòu)示例圖。圖2A是相關(guān)技術(shù)的固體攝像器件的示意圖，圖2B和圖2C是本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件的示意圖。圖3是圖示了本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件的第一實(shí)施例的概略結(jié)構(gòu)圖。圖4A是圖示了本發(fā)明第一實(shí)施例的遮光部件的示例的概略截面圖；圖4B是圖示了本發(fā)明第一實(shí)施例的遮光部件的示例的概略平面圖。圖5A是圖示了本發(fā)明第一實(shí)施例的遮光部件的另一示例的概略平面圖；圖5B是沿著圖5A中的線VB-VB觀察到的截面圖。圖6是圖示了第一實(shí)施例的遮光部件的再一示例的概略圖。圖7是圖示了第一實(shí)施例的遮光部件的又一示例的概略圖。圖8是圖示了本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件的第二實(shí)施例的概略結(jié)構(gòu)圖。圖9是圖示了本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件的第三實(shí)施例的概略結(jié)構(gòu)圖。圖10是圖示了本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件的第四實(shí)施例的主要部分的概略結(jié)構(gòu)圖。圖11是圖示了本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件的第五實(shí)施例的主要部分的概略結(jié)構(gòu)圖。圖12是圖示了本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件的第六實(shí)施例的主要部分的概略結(jié)構(gòu)圖。圖13是圖示了本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件的第七實(shí)施例的主要部分的概略結(jié)構(gòu)圖。圖14是圖示了第二實(shí)施例的變形例的主要部分的概略結(jié)構(gòu)圖。圖15是圖示了本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件的第八實(shí)施例的概略結(jié)構(gòu)圖。圖16是圖示了本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件的第九實(shí)施例的概略結(jié)構(gòu)圖。圖17是圖示了本發(fā)明第十一實(shí)施例的電子裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
下面將參照

本發(fā)明的實(shí)施例。這里，將按照下面的順序進(jìn)行說(shuō)明。1.適用于本發(fā)明實(shí)施方案的MOS型固體攝像器件的概略結(jié)構(gòu)示例2.第一實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)3.第二實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)4.第三實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)5.第四實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)6.第五實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)7.第六實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)8.第七實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)9.第八實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)10.第九實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)11.第十實(shí)施例(固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例)12.第—^一實(shí)施例(電子裝置的結(jié)構(gòu)示例)1.適用于本發(fā)明實(shí)施方案的MOS型固體攝像器件的概略結(jié)構(gòu)示例圖1圖示了適用于本發(fā)明實(shí)施方案的MOS型固體攝像器件的概略結(jié)構(gòu)。該MOS型固體攝像器件適用于各實(shí)施例的固體攝像器件。本示例的固體攝像器件1被配置成包括像素區(qū)域(所謂的像素陣列)3和周邊電路單元，在像素區(qū)域3中，多個(gè)包括光電轉(zhuǎn)換單元的像素2以二維陣列形式規(guī)則地布置在例如硅基板等半導(dǎo)體基板(圖中未示出)上。像素2 被形成得包括作為光電轉(zhuǎn)換單元的例如光電二極管且包括多個(gè)像素晶體管(所謂的MOS晶體管)。該多個(gè)像素晶體管可由例如傳輸晶體管、復(fù)位晶體管和放大晶體管這三個(gè)晶體管構(gòu)成。另外，可以添加選擇晶體管從而構(gòu)成使用四個(gè)晶體管的多個(gè)像素晶體管。由于單位像素的等效電路與通常一樣，因此將省略對(duì)它的說(shuō)明。像素2可以被配置為一個(gè)單位像素。 此外，像素2可以具有共用像素結(jié)構(gòu)。所述共用像素結(jié)構(gòu)是這樣一種結(jié)構(gòu)在該結(jié)構(gòu)中，多個(gè)光電二極管共用構(gòu)成傳輸晶體管的浮動(dòng)擴(kuò)散部以及除了傳輸晶體管之外的其他晶體管。周邊電路單元被構(gòu)造成包括垂直驅(qū)動(dòng)電路4、列信號(hào)處理電路5、水平驅(qū)動(dòng)電路6、 輸出電路7和控制電路8。控制電路8接收輸入時(shí)鐘和用于指示工作模式等的數(shù)據(jù)，并輸出諸如固體攝像器件的內(nèi)部信息等數(shù)據(jù)。也就是說(shuō)，在控制電路8中，基于垂直同步信號(hào)、水平同步信號(hào)和主時(shí)鐘來(lái)生成作為垂直驅(qū)動(dòng)電路4、列信號(hào)處理電路5和水平驅(qū)動(dòng)電路6的操作等的基準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào)或控制信號(hào)。此外，將這些信號(hào)輸入至垂直驅(qū)動(dòng)電路4、列信號(hào)處理電路5和水平驅(qū)動(dòng)電路6等中。垂直驅(qū)動(dòng)電路4是由例如移位寄存器構(gòu)成的，垂直驅(qū)動(dòng)電路4選擇像素驅(qū)動(dòng)布線、 向所選擇的像素驅(qū)動(dòng)布線提供用于驅(qū)動(dòng)像素的脈沖、并且以行為單位驅(qū)動(dòng)像素。也就是說(shuō)， 垂直驅(qū)動(dòng)電路4在垂直方向上以行為單位依次選擇性地掃描像素區(qū)域3的各像素2，并且通過(guò)垂直驅(qū)動(dòng)線9將基于信號(hào)電荷(該信號(hào)電荷是根據(jù)各像素2的作為光電轉(zhuǎn)換單元的例如光電二極管中的受光量而生成的)的像素信號(hào)提供給列信號(hào)處理電路5。列信號(hào)處理電路5例如以像素2的列為單位而被布置著，并且對(duì)從各像素行中的相當(dāng)于一列的像素2輸出的信號(hào)進(jìn)行諸如噪聲除去等信號(hào)處理。也就是說(shuō)，列信號(hào)處理電路5進(jìn)行諸如用于去除像素2所特有的固定模式噪聲的CDS (相關(guān)雙采樣)、信號(hào)放大和AD轉(zhuǎn)換等信號(hào)處理。在列信號(hào)處理電路5的輸出級(jí)與水平信號(hào)線10之間連接并設(shè)置有水平選擇開(kāi)關(guān)(圖中未示出)。水平驅(qū)動(dòng)電路6是由例如移位寄存器構(gòu)成的，并且通過(guò)依次輸出水平掃描脈沖來(lái)按順序選擇各個(gè)列信號(hào)處理電路5，并且使得像素信號(hào)從各個(gè)列信號(hào)處理電路5輸出至水平信號(hào)線10。輸出電路7對(duì)通過(guò)水平信號(hào)線10從各個(gè)列信號(hào)處理電路5依次提供的信號(hào)進(jìn)行信號(hào)處理并輸出該經(jīng)過(guò)處理的信號(hào)。例如，在某個(gè)情況下，僅執(zhí)行緩存；而在某個(gè)情況下，執(zhí)行黑電平調(diào)節(jié)、列差異修正和各種類(lèi)型的數(shù)字信號(hào)處理等。輸入輸出端子12與外部一起處
理信號(hào)。下面，將說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方案的MOS型固體攝像器件的結(jié)構(gòu)。圖2A是圖示了相關(guān)技術(shù)的MOS型固體攝像器件的結(jié)構(gòu)的概略結(jié)構(gòu)圖，而圖2B和圖2C是圖示了本發(fā)明實(shí)施方案的MOS型固體攝像器件的結(jié)構(gòu)的概略結(jié)構(gòu)圖。相關(guān)技術(shù)的MOS型固體攝像器件151是這樣構(gòu)成的如圖2A所示，在一個(gè)半導(dǎo)體芯片152內(nèi)裝配有像素區(qū)域153、控制電路巧4和用于信號(hào)處理的邏輯電路155。通常，圖像傳感器156是由像素區(qū)域153和控制電路IM構(gòu)成的。另一方面，如圖2B所示，本實(shí)施方案示例的MOS型固體攝像器件21在第一半導(dǎo)體芯片單元22上裝配有像素區(qū)域23，并且在第二半導(dǎo)體芯片單元沈上裝配有控制電路M和包括信號(hào)處理電路的邏輯電路25。通過(guò)將第一半導(dǎo)體芯片單元22與第二半導(dǎo)體芯片單元 26相互電連接來(lái)使得MOS型固體攝像器件21構(gòu)造成為一個(gè)半導(dǎo)體芯片。如圖2C所示，本發(fā)明另一實(shí)施方案示例的MOS型固體攝像器件27在第一半導(dǎo)體芯片單元22上裝配有像素區(qū)域23和控制電路24，并且在第二半導(dǎo)體芯片單元沈上裝配有包括信號(hào)處理電路的邏輯電路25。通過(guò)將第一半導(dǎo)體芯片單元22與第二半導(dǎo)體芯片單元 26相互電連接來(lái)使得MOS型固體攝像器件27構(gòu)造成為一個(gè)半導(dǎo)體芯片。另外，盡管在圖中未示出，本發(fā)明又一實(shí)施方案示例的MOS型固體攝像器件在第一半導(dǎo)體芯片單元22上裝配有像素區(qū)域23和適于控制該像素區(qū)域的控制電路單元(其是控制電路的一部分)。此外，該MOS型固體攝像器件在第二半導(dǎo)體芯片單元沈上裝配有邏輯電路25和適于控制該邏輯電路的控制電路單元(其是控制電路的另一部分)。通過(guò)將第一半導(dǎo)體芯片單元22與第二半導(dǎo)體芯片單元沈相互電連接來(lái)使得該MOS型固體攝像器件構(gòu)造成為一個(gè)半導(dǎo)體芯片。上述各實(shí)施方案示例的MOS型固體攝像器件具有其中將不同類(lèi)型的半導(dǎo)體芯片層疊起來(lái)的結(jié)構(gòu)，并且具有下面所述的特征。2.第一實(shí)施例固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例圖3圖示了本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件，具體是MOS型固體攝像器件的第一實(shí)施例。本實(shí)施例的MOS型固體攝像器件是背側(cè)照射型固體攝像器件。盡管本實(shí)施例的 MOS型固體攝像器件采用了圖2C的結(jié)構(gòu)，但它也能夠采用圖2B的結(jié)構(gòu)或者采用其中將控制電路劃分成裝配在第一半導(dǎo)體芯片單元上的部分和裝配在第二半導(dǎo)體芯片單元上的部分的結(jié)構(gòu)。在第二實(shí)施例和后續(xù)的各實(shí)施例中，類(lèi)似地，也可以采用上述的各種結(jié)構(gòu)。第一實(shí)施例的固體攝像器件觀是由粘合在一起的第一半導(dǎo)體芯片單元31和第二半導(dǎo)體芯片單元45構(gòu)成的。在第一半導(dǎo)體芯片單元31上形成有控制電路M和由呈二維布置的多個(gè)像素構(gòu)成的像素陣列(下文中稱(chēng)為像素區(qū)域)23，每個(gè)像素是由作為光電轉(zhuǎn)換單元的光電二極管PD和多個(gè)像素晶體管構(gòu)成的。光電二極管PD被形成得包括位于半導(dǎo)體阱區(qū)域32內(nèi)的η型半導(dǎo)體區(qū)域34和位于基板正面?zhèn)鹊腜型半導(dǎo)體區(qū)域35。在用來(lái)構(gòu)成像素的基板正面上形成有柵極電極36且在該基板正面與柵極電極36之間設(shè)有柵極絕緣膜，并且均由一個(gè)柵極電極36及一對(duì)源極漏極區(qū)域33來(lái)形成像素晶體管Trl和像素晶體管Tr2。在圖3中，通過(guò)像素晶體管Trl和像素晶體管Tr2這兩個(gè)像素晶體管代表性地示出多個(gè)像素晶體管。與光電二極管PD相鄰的像素晶體管Trl相當(dāng)于傳輸晶體管，該像素晶體管的源極漏極區(qū)域相當(dāng)于浮動(dòng)擴(kuò)散部FD。 各單位像素被元件分離區(qū)域38分隔開(kāi)。另一方面，控制電路M是通過(guò)多個(gè)都被形成在半導(dǎo)體阱區(qū)域32中的MOS晶體管構(gòu)成的。在圖3中，代表性地示出了 MOS晶體管Tr3和MOS晶體管Tr4以作為構(gòu)成控制電路M的多個(gè)MOS晶體管。MOS晶體管Tr3和MOS晶體管Tr4每一者由η型源極漏極區(qū)域 33以及形成于柵極絕緣膜上的柵極電極36形成。在基板正面?zhèn)壬闲纬捎卸鄬硬季€層41，該多層布線層41是多層的被層間絕緣膜 39間隔著布置而成的布線40。布線40例如是由銅線形成的。像素晶體管和控制電路的 MOS晶體管通過(guò)貫穿第一絕緣膜43a和第二絕緣膜43b的連接導(dǎo)體44與適當(dāng)?shù)牟季€40相連接。第一絕緣膜43a例如由氧化硅膜形成，而第二絕緣膜4 例如由氮化硅膜形成且作為蝕刻停止層。在半導(dǎo)體阱區(qū)域32的背面上形成有防反射膜61。在防反射膜61上對(duì)應(yīng)于各光電二極管PD的區(qū)域中形成有由波導(dǎo)材料膜(例如SiN膜等)69形成的波導(dǎo)70。在半導(dǎo)體阱區(qū)域32背面上的由例如SiO膜制成的絕緣膜62內(nèi)形成有對(duì)適當(dāng)?shù)膮^(qū)域進(jìn)行遮光的遮光膜63。此外，在平坦化膜71上與各光電二極管PD相對(duì)應(yīng)地形成有濾色器73和片上微透鏡 74。另一方面，在第二半導(dǎo)體芯片單元45上形成有包括用于信號(hào)處理的信號(hào)處理電路的邏輯電路25。邏輯電路25被設(shè)置成具有多個(gè)MOS晶體管，該多個(gè)MOS晶體管形成在例如P型半導(dǎo)體阱區(qū)域46上且被元件分離區(qū)域50分隔開(kāi)。這里，該多個(gè)MOS晶體管由MOS晶體管Tr6、MOS晶體管iTr7和MOS晶體管1^8代表。MOS晶體管1^6、MOS晶體管iTr7和MOS 晶體管TrS中的每一者被形成得包括一對(duì)η型源極漏極區(qū)域47和形成于柵極絕緣膜上的一個(gè)柵極電極48。在半導(dǎo)體阱區(qū)域46上形成有多層布線層55，該多層布線層55包含被層間絕緣膜 49間隔著設(shè)置而成的多層布線53和一層布線57，且布線57設(shè)有阻擋金屬層58。MOS晶體管Tr6、M0S晶體管Tr7和MOS晶體管TrS中的每一者通過(guò)貫穿第一絕緣膜43a和第二絕緣膜43b的連接導(dǎo)體M與適當(dāng)?shù)牟季€53相連接。第一半導(dǎo)體芯片單元31與第二半導(dǎo)體芯片單元45例如通過(guò)粘合層60粘合起來(lái)， 且使得多層布線層41與多層布線層55相互面對(duì)。在第二半導(dǎo)體芯片單元45側(cè)的多層布線層陽(yáng)的粘合面上形成有用于減小粘合應(yīng)力的應(yīng)力補(bǔ)償膜59。或者，也可以通過(guò)等離子接合進(jìn)行上述粘合。另外，第一半導(dǎo)體芯片單元31與第二半導(dǎo)體芯片單元45通過(guò)連接導(dǎo)體68電連接。也就是說(shuō)，形成有貫穿第一半導(dǎo)體芯片單元31的半導(dǎo)體阱區(qū)域32后到達(dá)多層布線層 41的適當(dāng)布線40的連接孔。另外，形成有貫穿第一半導(dǎo)體芯片單元31的半導(dǎo)體阱區(qū)域32 和多層布線層41后到達(dá)第二半導(dǎo)體芯片單元45的多層布線層55的適當(dāng)布線57的連接孔。 通過(guò)埋置與上述兩個(gè)連接孔相互結(jié)合的連接導(dǎo)體68而使第一半導(dǎo)體芯片單元31和第二半導(dǎo)體芯片單元45電連接。在連接導(dǎo)體68的周?chē)采w有用于與半導(dǎo)體阱區(qū)域32絕緣的絕緣膜67。連接至連接導(dǎo)體68的布線40及布線57相當(dāng)于垂直信號(hào)線。連接導(dǎo)體68連接至電極焊盤(pán)(圖中未示出)，或者可以作為電極焊盤(pán)。連接導(dǎo)體68的形成是在將第一半導(dǎo)體芯片單元31與第二半導(dǎo)體芯片單元45粘合之后并且在減薄第一半導(dǎo)體芯片單元31的半導(dǎo)體阱區(qū)域32之后進(jìn)行的。隨后，形成覆蓋膜72、平坦化膜71、濾色器73和片上微透鏡74。在半導(dǎo)體阱區(qū)域32中在圍繞著連接導(dǎo)體68的區(qū)域中形成有絕緣間隔層42。本實(shí)施例的固體攝像器件觀具有在基板深度方向上按照上下布置的像素區(qū)域23 和周邊電路單元的邏輯電路25，并且還具有設(shè)置得彼此很靠近的光電二極管PD以及邏輯電路25的MOS晶體管Tr6至1^8。在某個(gè)情況下，在周邊電路單元的邏輯電路25中設(shè)置有保護(hù)用二極管。此外，在本實(shí)施例中，特別地，在像素區(qū)域與周邊電路單元之間布置有遮光部件， 該遮光部件遮蔽當(dāng)周邊電路單元的有源元件工作時(shí)從該有源元件出射的光使其無(wú)法入射到像素的光電二極管PD上。該有源元件是MOS晶體管或保護(hù)用二極管等。在本示例中，遮光部件81布置在像素區(qū)域23與構(gòu)成周邊電路單元的邏輯電路25之間。在本實(shí)施例中，遮光部件81形成在第一半導(dǎo)體芯片單元31的多層布線層41的多層布線中的適當(dāng)布線40上。在附圖所示的示例中，當(dāng)布線40有三層時(shí)，遮光部件81可以形成在靠近第二半導(dǎo)體芯片單元45的第二層和第三層布線40上。在此情況下，為了沒(méi)有間隙地覆蓋像素區(qū)域23，例如，如圖4A和圖4B所示，將遮光部件81構(gòu)造成使得第二層布線402與第三層布線403彼此部分重疊。由于布線40是由金屬形成的，因此布線402和布線403當(dāng)然也是由金屬形成的。所以，使用布線40構(gòu)造而成的遮光部件81就成為反射散射部件。在圖4A和圖4B中，第二層布線402與第三層布線403的重疊量d2是由布線間的距離dl和開(kāi)口寬度d3決定的。例如，由于熱載流子光是作為點(diǎn)光源而被生成的，所以傾斜著進(jìn)入的光也應(yīng)當(dāng)被遮蔽。因此，通過(guò)將重疊量d2保持為至少大于布線間的距離dl來(lái)遮蔽傾斜的光成分。遮光部件81的另一示例可以這樣構(gòu)造而成如圖5A和圖5B (圖5A中沿線VB-VB 的截面圖)所示，將第三層布線403形成為格子形狀，且將第二層布線402形成得塞住各個(gè)方格并且與布線403部分重疊。遮光部件81的又一示例可以這樣構(gòu)造而成如圖6所示，布置沿一個(gè)方向延伸的第三層布線403以及同樣沿這個(gè)方向延伸的第二層布線402使得它們部分地重疊。遮光部件81的再一示例可以如圖7所示構(gòu)造而成。也就是說(shuō)，遮光部件81可以這樣構(gòu)造而成布置沿一個(gè)方向延伸的第三層布線403、沿與布線403正交的另一方向延伸的第二層布線402以及塞住第二層布線402與第三層布線403未重疊處的各個(gè)開(kāi)口的第一層布線401。
遮光部件的實(shí)施例不限于上述示例，而是可以采用各種其他實(shí)施例?？梢酝ㄟ^(guò)布線的組合、或者布線與不作為布線使用的偽布線(dummy wiring)的組合、或者偽布線的組合來(lái)構(gòu)成利用多層布線40對(duì)光進(jìn)行反射和散射的遮光部件81。由上述布線形成的遮光部件81是利用第一半導(dǎo)體芯片單元31的多層布線層的布線40構(gòu)成的。另外，如圖3中的虛線所示，遮光部件81'可以如上所述通過(guò)布置第二半導(dǎo)體芯片單元45的多層布線層55的布線53構(gòu)造而成，并且對(duì)光進(jìn)行反射和散射。遮光部件可以由形成在第一半導(dǎo)體芯片單元31側(cè)的遮光部件81、或者形成在第二半導(dǎo)體芯片單元 45側(cè)的遮光部件81'、或者遮光部件81與遮光部件81'的組合構(gòu)造而成。根據(jù)第一實(shí)施例的固體攝像器件觀，在像素區(qū)域23的光電二極管PD與從光入射側(cè)看時(shí)很靠近地位于光電二極管PD下方的邏輯電路25之間布置有遮光部件81。也就是說(shuō)，布置有對(duì)光進(jìn)行反射和散射的遮光部件81。從邏輯電路25的MOS晶體管出射的熱載流子光被遮光部件81遮蔽并且不會(huì)入射到光電二極管PD上。特別地，當(dāng)以使布線部分地重疊的方式形成遮光部件81時(shí)，通過(guò)遮光部件81能夠防止光衍射的影響，并且能夠抑制熱載流子光從下方入射到光電二極管PD上。當(dāng)使用遮光部件81'或者遮光部件81與遮光部件 81'的組合時(shí)，也同樣能夠抑制熱載流子光入射到光電二極管PD上。于是，避免了熱載流子光被投射到像素區(qū)域上，并且能夠提供圖像質(zhì)量因此得以改善的固體攝像器件。還能夠抑制當(dāng)保護(hù)用二極管工作時(shí)出射的光使其無(wú)法入射到光電二極管PD上。通過(guò)由布線形成的遮光部件81，得到了讓在第二半導(dǎo)體芯片單元45處產(chǎn)生的電磁場(chǎng)衰減的功能。在本實(shí)施例的固體攝像器件觀中，像素區(qū)域23和控制電路M形成在第一半導(dǎo)體芯片單元31上，而處理信號(hào)的邏輯電路25形成在第二半導(dǎo)體芯片單元45上。這樣，由于采用的是在不同的半導(dǎo)體芯片單元上形成像素區(qū)域功能和邏輯功能并將二者接合起來(lái)的構(gòu)造，所以能夠?qū)ο袼貐^(qū)域23和邏輯電路25分別使用最適當(dāng)?shù)墓に囆纬杉夹g(shù)。因此，能夠提供可以充分發(fā)揮像素區(qū)域功能和邏輯電路功能的高性能固體攝像器件。3.第二實(shí)施例固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例圖8示出了本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件，具體是MOS型固體攝像器件的第二實(shí)施例。本實(shí)施例的MOS型固體攝像器件是背側(cè)照射型固體攝像器件。在第二實(shí)施例的固體攝像器件83中，與上述一樣，在像素區(qū)域與周邊電路單元之間布置有遮光部件，該遮光部件遮蔽當(dāng)周邊電路單元的有源元件工作時(shí)從該有源元件出射的光使得所述光無(wú)法入射到像素的光電二極管PD上。上述有源元件是MOS晶體管或保護(hù)用二極管等。在本實(shí)施例中，在像素區(qū)域23與構(gòu)成周邊電路單元的邏輯電路25之間布置了無(wú)間隙地覆蓋著像素區(qū)域23且由單個(gè)金屬膜形成的遮光部件84。在本示例中，遮光部件84 布置在第一半導(dǎo)體芯片單元31與第二半導(dǎo)體芯片單元45的接合面附近，即，位于第一半導(dǎo)體芯片單元31上的多層布線層41之上?？梢允褂面u(W)、銅(Cu)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN) 或碳(C)等作為構(gòu)成遮光部件84的金屬性材料。例如，在使用鎢(W)或鈦(Ti)的情況下， 當(dāng)膜厚度為約IOOnm時(shí)，能夠獲得約2位數(shù)的遮光特性。這里，遮光部件84可以布置在任何位置處，只要遮光部件84位于像素區(qū)域23與邏輯電路25的MOS晶體管之間即可。
上述遮光部件84布置在第一半導(dǎo)體芯片單元31側(cè)的接合面附近。此外，如圖8 中的虛線所示，也可以在第二半導(dǎo)體芯片單元45側(cè)的接合面附近布置有由單個(gè)金屬膜形成的遮光部件84'。此外，還可以通過(guò)遮光部件84與遮光部件84'的組合來(lái)構(gòu)造出總遮光部件。由單個(gè)金屬膜制成的遮光部件84和遮光部件84'成為反射散射部件。遮光部件84和遮光部件84'可以連接至光源，或者可以接地?；蛘?，遮光部件84 和遮光部件84'可以是電浮置的。在圖8中，由于其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例中所述的結(jié)構(gòu)是相同的，因此與圖3相對(duì)應(yīng)的部分使用與圖3中相同的附圖標(biāo)記，并且省略對(duì)它們的詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)第二實(shí)施例的固體攝像器件83，在像素區(qū)域23與邏輯電路25之間，例如在第一半導(dǎo)體芯片單元31與第二半導(dǎo)體芯片單元45的接合面附近布置有由單個(gè)金屬膜形成的遮光部件84。從邏輯電路25的MOS晶體管出射的熱載流子光被遮光部件84遮蔽，并且該光不會(huì)入射到光電二極管PD上。當(dāng)使用遮光部件84'或者遮光部件84與遮光部件84' 的組合時(shí)，同樣能夠抑制熱載流子光入射到光電二極管PD上。于是，避免了熱載流子光被投射到像素區(qū)域上，并且能夠提供圖像質(zhì)量因此得以改善的固體攝像器件。還能夠抑制當(dāng)保護(hù)用二極管工作時(shí)出射的光使其無(wú)法入射到光電二極管PD上。利用由單個(gè)金屬膜形成的遮光部件84，得到了如下功能作為使得從包括邏輯電路的第二半導(dǎo)體芯片單元45側(cè)產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去的散熱器的功能，以及讓在第二半導(dǎo)體芯片單元45處產(chǎn)生的電磁場(chǎng)衰減的功能。當(dāng)遮光部件84和遮光部件84'連接至電源時(shí)，該遮光部件84和84'可以作為電源穩(wěn)定電容。在本實(shí)施例的固體攝像器件83中，像素區(qū)域23和控制電路M形成在第一半導(dǎo)體芯片單元31上，而處理信號(hào)的邏輯電路25形成在第二半導(dǎo)體芯片單元45上。與上述一樣，由于采用的是在不同的半導(dǎo)體芯片單元上形成像素區(qū)域功能和邏輯功能并將二者接合起來(lái)的構(gòu)造，所以能夠?qū)ο袼貐^(qū)域23和邏輯電路25分別使用最適當(dāng)?shù)墓に囆纬杉夹g(shù)。因此，能夠提供可以充分發(fā)揮像素區(qū)域功能和邏輯電路功能的高性能固體攝像器件。變形例在第二實(shí)施例中，形成了作為單個(gè)金屬膜并且由反射散射部件構(gòu)成的遮光部件 84。此時(shí)，盡管為了使光不易于透過(guò)而期望金屬遮光部件84與連接導(dǎo)體68之間的間隔盡可能窄，但是如果間隔變窄，則寄生電容C(參見(jiàn)圖14)就會(huì)變大，這不是優(yōu)選的。在變形例中，如圖14所示，由單個(gè)金屬膜形成的遮光部件84被形成得與連接導(dǎo)體 68分離至使得寄生電容不會(huì)產(chǎn)生影響的程度。另一方面，在與連接導(dǎo)體68連接的布線57 的上層處形成另一層偽布線57'使得該偽布線57'與布線57部分地重疊且在該上層處圍繞著連接導(dǎo)體68，并且在偽布線57'與布線57之間形成用于密封的柱狀壁部件(所謂的通路)57A。利用這樣的結(jié)構(gòu)，即使加寬連接導(dǎo)體68與遮光部件84之間的間隔，來(lái)自邏輯電路側(cè)的光103也會(huì)被柱狀壁部件57A遮蔽，并且抑制了光入射到光電二極管PD上。4.第三實(shí)施例固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例圖9示出了本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件，具體是MOS型固體攝像器件的第三實(shí)施例。本實(shí)施例的MOS型固體攝像器件是背側(cè)照射型固體攝像器件。在第三實(shí)施例的固體攝像器件86中，與上述一樣，在像素區(qū)域與周邊電路單元之間布置有遮光部件，該遮光部件遮蔽當(dāng)周邊電路單元的有源元件工作時(shí)從該有源元件出射的光使得該光無(wú)法入射到像素的光電二極管PD上。上述有源元件是MOS晶體管或保護(hù)用二極管等。在本實(shí)施例中，在像素區(qū)域23與構(gòu)成周邊電路單元的邏輯電路25之間布置有由吸收光的光吸收部件形成的遮光部件87，該遮光部件87無(wú)間隙地覆蓋著像素區(qū)域23。在本示例中，遮光部件87布置在第一半導(dǎo)體芯片單元31與第二半導(dǎo)體芯片單元45的接合面附近，即，位于第一半導(dǎo)體芯片單元31上的多層布線層41之上。遮光部件87具有吸收來(lái)自邏輯電路的MOS晶體管的熱載流子光并且防止該光入射到光電二極管PD上的功能。遮光部件87具有這樣的防混色功能其防止從背面照射的光沒(méi)有被像素完全吸收，而是透過(guò)像素后被第二半導(dǎo)體芯片單元45的布線反射并且由于該光入射到其他像素的光電二極管 PD上而導(dǎo)致的混色。作為構(gòu)成遮光部件87的光吸收部件，可以使用由具有比鍺(Ge)或化合物系(例如黃銅礦型Cdr^e2)的硅等窄的帶隙的半導(dǎo)體構(gòu)成的單個(gè)膜。使用硅作為第一半導(dǎo)體芯片單元31和第二半導(dǎo)體芯片單元45中的基板。具有比硅窄的帶隙的半導(dǎo)體膜具有近紅外區(qū)域的高吸收率，并且在例如鍺(Ge)的情況下，吸收率大約是硅(Si)的吸收率的10倍。也就是說(shuō)，用大約十分之一的膜厚度可以吸收大約兩位數(shù)的光子。因此，利用膜厚度為Iym 幾個(gè)ym的Ge膜可以吸收近紅外區(qū)域的光?？梢允褂梅婪瓷淠ぷ鳛闃?gòu)成遮光部件87的光吸收部件，該防反射膜均由層疊起來(lái)的多個(gè)具有不同介電常數(shù)的介電膜構(gòu)成。例如可以使用氧化硅膜或氮化硅膜等作為具有不同介電常數(shù)的介電膜。上述遮光部件87布置在第一半導(dǎo)體芯片單元31側(cè)的接合面附近。此外，如圖9 中的虛線所示，在第二半導(dǎo)體芯片單元45側(cè)的接合面附近也可以布置有由光吸收部件形成的遮光部件87'。此外，也可以通過(guò)遮光部件87和遮光部件87'的組合來(lái)配置得到總遮光部件。遮光部件87和遮光部件87'都是光吸收部件。在圖9中，由于其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)是相同的，因此與圖3相對(duì)應(yīng)的部分使用與圖3中相同的附圖標(biāo)記，并且省略對(duì)它們的詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)第三實(shí)施例的固體攝像器件86，在像素區(qū)域23與邏輯電路25之間，例如在第一半導(dǎo)體芯片單元31與第二半導(dǎo)體芯片單元45的接合面附近，布置有由光吸收部件形成的遮光部件87。從邏輯電路25的MOS晶體管出射的熱載流子光被遮光部件87吸收，并且不會(huì)入射到光電二極管PD上。當(dāng)使用遮光部件87'或者遮光部件87與遮光部件87'的組合時(shí)，也同樣能夠抑制熱載流子光入射到光電二極管PD上。此外，還能夠抑制當(dāng)已經(jīng)布置在邏輯電路側(cè)的保護(hù)用二極管工作時(shí)出射的光使其無(wú)法入射到光電二極管PD上。于是， 避免了熱載流子光被投射到像素區(qū)域上，并且能夠提供圖像質(zhì)量因此得以改善的固體攝像器件。另一方面，雖然照射于背面上的光入射到像素上，即使擔(dān)心未被像素完全吸收而是穿透過(guò)去的長(zhǎng)波長(zhǎng)成分在第二半導(dǎo)體芯片單元45的布線上被反射并且再一次入射到其他像素上，但穿透過(guò)去的長(zhǎng)波長(zhǎng)成分也會(huì)被由光吸收部件形成的遮光部件87和遮光部件 87'吸收。以此方式，能夠抑制混色的發(fā)生。在本實(shí)施例的固體攝像器件86中，像素區(qū)域23和控制電路M形成在第一半導(dǎo)體芯片單元31上，而處理信號(hào)的邏輯電路25形成在第二半導(dǎo)體芯片單元45上。與上述一樣，由于采用的是在不同的半導(dǎo)體芯片單元上形成像素區(qū)域功能和邏輯功能并將二者接合起來(lái)的構(gòu)造，所以能夠?qū)ο袼貐^(qū)域23和邏輯電路25分別使用最適當(dāng)?shù)墓に囆纬杉夹g(shù)。因此，能夠提供可以充分發(fā)揮像素區(qū)域功能和邏輯電路功能的高性能固體攝像器件。5.第四實(shí)施例固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例圖10示出了本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件，具體是MOS型固體攝像器件的第四實(shí)施例。本實(shí)施例的MOS型固體攝像器件是背側(cè)照射型固體攝像器件。圖10僅圖示了主要部分的結(jié)構(gòu)，在該主要部分中僅示出了遮光部件的區(qū)域，并且由于其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同，因而省略對(duì)它們的詳細(xì)說(shuō)明。在第四實(shí)施例的固體攝像器件89中，與上述一樣，在像素區(qū)域與周邊電路單元之間布置有遮光部件，該遮光部件遮蔽當(dāng)周邊電路單元的有源元件工作時(shí)從該有源元件出射的光使得所述光無(wú)法入射到像素的光電二極管PD上。上述有源元件是MOS晶體管或保護(hù)
用二極管等。在本實(shí)施例中，遮光部件91和遮光部件91'分別是通過(guò)第一實(shí)施例的由多層布線層的布線形成的遮光部件81和遮光部件81'與第二實(shí)施例的由單個(gè)金屬膜形成的遮光部件84和遮光部件84'的組合構(gòu)成的。本實(shí)施例的遮光部件是由遮光部件91、或者遮光部件91'、或者遮光部件91與遮光部件91'的組合構(gòu)成的。由于其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例中所述的結(jié)構(gòu)相同，因此相對(duì)應(yīng)的部分使用相同的附圖標(biāo)記，并且省略對(duì)它們的詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)第四實(shí)施例的固體攝像器件89，作為由布線形成的遮光部件81與由單個(gè)金屬膜形成的遮光部件84的組合的遮光部件91被布置在像素區(qū)域23與邏輯電路25之間。 這樣，能夠更可靠地抑制從邏輯電路25的MOS晶體管出射的熱載流子光入射到光電二極管 PD上。當(dāng)使用遮光部件91'或者遮光部件91與遮光部件91'的組合時(shí)也能夠得到同樣的效果。此外，還能夠抑制當(dāng)已經(jīng)布置在邏輯電路側(cè)的保護(hù)用二極管工作時(shí)出射的光使其無(wú)法入射到光電二極管PD上。于是，避免了熱載流子光被投射到像素區(qū)域上，并且能夠提供圖像質(zhì)量因此得以改善的固體攝像器件。在本實(shí)施例的固體攝像器件89中，與上述一樣，像素區(qū)域23和控制電路M形成在第一半導(dǎo)體芯片單元31上，而處理信號(hào)的邏輯電路25形成在第二半導(dǎo)體芯片單元45 上。與上述一樣，由于采用的是在不同的半導(dǎo)體芯片單元上形成像素區(qū)域功能和邏輯功能并將二者接合起來(lái)的結(jié)構(gòu)，所以能夠?qū)ο袼貐^(qū)域23和邏輯電路25分別使用最適當(dāng)?shù)墓に囆纬杉夹g(shù)。因此，能夠提供可以充分發(fā)揮像素區(qū)域功能和邏輯電路功能的高性能固體攝像器件。6.第五實(shí)施例固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例圖11示出了本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件，具體是MOS型固體攝像器件的第五實(shí)施例。本實(shí)施例的MOS型固體攝像器件是背側(cè)照射型固體攝像器件。圖11僅圖示了主要部分的結(jié)構(gòu)，在該主要部分中僅示出了遮光部件的區(qū)域，并且由于其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同，因而省略對(duì)它們的詳細(xì)說(shuō)明。在第五實(shí)施例的固體攝像器件93中，與上述一樣，在像素區(qū)域與周邊電路單元之間布置有遮光部件，該遮光部件遮蔽當(dāng)周邊電路單元的有源元件工作時(shí)從該有源元件出射的光使得所述光無(wú)法入射到像素的光電二極管PD上。上述有源元件是MOS晶體管或保護(hù)
用二極管等。在本實(shí)施例中，遮光部件94和遮光部件94'分別是通過(guò)第一實(shí)施例的由多層布線層的布線形成的遮光部件81和遮光部件81'與第三實(shí)施例的由光吸收部件形成的遮光部件87和遮光部件87'的組合構(gòu)成的。本實(shí)施例的遮光部件是由遮光部件94、或者遮光部件94'、或者遮光部件94與遮光部件94'的組合構(gòu)成的。由于其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例中所述的結(jié)構(gòu)相同，因此相對(duì)應(yīng)的部分使用相同的附圖標(biāo)記，并且省略對(duì)它們的詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)第五實(shí)施例的固體攝像器件93，作為由布線形成的遮光部件81與由光吸收部件形成的遮光部件87的組合的遮光部件94被布置在像素區(qū)域23與邏輯電路25之間。 這樣，能夠更可靠地抑制從邏輯電路25的MOS晶體管出射的熱載流子光入射到光電二極管 PD上。此外，由于由光吸收部件形成的遮光部件87的存在，能夠抑制已經(jīng)透過(guò)像素的光到達(dá)第二半導(dǎo)體芯片單元45的布線53，并且能夠抑制由于被布線53反射的光而導(dǎo)致的混色。 在使用遮光部件94'或者遮光部件94與遮光部件94'的組合的情況下也能夠達(dá)到同樣的效果。此外，還能夠抑制當(dāng)已經(jīng)布置在邏輯電路側(cè)的保護(hù)用二極管工作時(shí)出射的光使其無(wú)法入射到光電二極管PD上。于是，避免了熱載流子光被投射到像素區(qū)域上，并且能夠提供圖像質(zhì)量因此得以改善的固體攝像器件。在本實(shí)施例的固體攝像器件93中，與上述一樣，像素區(qū)域23和控制電路M形成在第一半導(dǎo)體芯片單元31上，而處理信號(hào)的邏輯電路25形成在第二半導(dǎo)體芯片單元45 上。與上述一樣，由于采用的是在不同的半導(dǎo)體芯片單元上形成像素區(qū)域功能和邏輯功能并將二者接合起來(lái)的結(jié)構(gòu)，所以能夠?qū)ο袼貐^(qū)域23和邏輯電路25分別使用最適當(dāng)?shù)墓に囆纬杉夹g(shù)。因此，能夠提供可以充分發(fā)揮像素區(qū)域功能和邏輯電路功能的高性能固體攝像器件。7.第六實(shí)施例固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例圖12示出了本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件，具體是MOS型固體攝像器件的第六實(shí)施例。本實(shí)施例的MOS型固體攝像器件是背側(cè)照射型固體攝像器件。圖12僅圖示了主要部分的結(jié)構(gòu)，在該主要部分中僅示出了遮光部件的區(qū)域，并且由于其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同，因而省略對(duì)它們的詳細(xì)說(shuō)明。在第六實(shí)施例的固體攝像器件95中，與上述一樣，在像素區(qū)域與周邊電路單元之間布置有遮光部件，該遮光部件遮蔽當(dāng)周邊電路單元的有源元件工作時(shí)從該有源元件出射的光使得所述光無(wú)法入射到像素的光電二極管PD上。上述有源元件是MOS晶體管或保護(hù)
用二極管等。在本實(shí)施例中，遮光部件96和遮光部件96'分別是通過(guò)第二實(shí)施例的由單個(gè)金屬膜形成的遮光部件84和遮光部件84'與第三實(shí)施例的由光吸收部件形成的遮光部件 87和遮光部件87'的組合構(gòu)成的。本實(shí)施例的遮光部件是由遮光部件96、或者遮光部件 96'、或者遮光部件96與遮光部件96'的組合構(gòu)成的。在第一半導(dǎo)體芯片單元31側(cè)，由光吸收部件形成的遮光部件87比由單個(gè)金屬膜形成的遮光部件84布置得更靠近光電二極管PD側(cè)。由于其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例中所述的結(jié)構(gòu)相同，因此相對(duì)應(yīng)的部分使用相同的附圖標(biāo)記，并且省略對(duì)它們的詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)第六實(shí)施例的固體攝像器件95，作為由單個(gè)金屬膜形成的遮光部件84與由光吸收部件形成的遮光部件87的組合的遮光部件96被布置在像素區(qū)域23與邏輯電路25 之間。這樣，能夠更可靠地抑制從邏輯電路25的MOS晶體管出射的熱載流子光入射到光電二極管PD上。此外，由于由光吸收部件形成的遮光部件87的存在，抑制了已經(jīng)透過(guò)像素的光使其無(wú)法到達(dá)第二半導(dǎo)體芯片單元45的布線53，并且能夠抑制由于被布線53反射的光而導(dǎo)致的混色。在使用遮光部件96'或者遮光部件96與遮光部件96'的組合的情況下也能夠達(dá)到同樣的效果。此外，還能夠抑制當(dāng)已經(jīng)布置在邏輯電路側(cè)的保護(hù)用二極管工作時(shí)出射的光使其無(wú)法入射到光電二極管PD上。于是，避免了熱載流子光被投射到像素區(qū)域上，并且能夠提供圖像質(zhì)量因此得以改善的固體攝像器件。例如，即使當(dāng)熱載流子的光子被反射時(shí)，由于在邏輯電路25側(cè)不存在會(huì)影響邏輯電路的工作的光子量，所以沒(méi)有必要形成光吸收部件87'，盡管如此，為了提高光吸收特性仍可以形成光吸收部件87'。在本實(shí)施例的固體攝像器件95中，與上述一樣，像素區(qū)域23和控制電路M形成在第一半導(dǎo)體芯片單元31上，而處理信號(hào)的邏輯電路25形成在第二半導(dǎo)體芯片單元45 上。與上述一樣，由于采用的是在不同的半導(dǎo)體芯片單元上形成像素區(qū)域功能和邏輯功能并將二者接合起來(lái)的結(jié)構(gòu)，所以能夠?qū)ο袼貐^(qū)域23和邏輯電路25分別使用最適當(dāng)?shù)墓に囆纬杉夹g(shù)。因此，能夠提供可以充分發(fā)揮像素區(qū)域功能和邏輯電路功能的高性能固體攝像器件。8.第七實(shí)施例固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例圖13示出了本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件，具體是MOS型固體攝像器件的第七實(shí)施例。本實(shí)施例的MOS型固體攝像器件是背側(cè)照射型固體攝像器件。圖13僅圖示了主要部分的結(jié)構(gòu)，在該主要部分中僅示出了遮光部件的區(qū)域，并且由于其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同，因而省略對(duì)它們的詳細(xì)說(shuō)明。在第七實(shí)施例的固體攝像器件97中，與上述一樣，在像素區(qū)域與周邊電路單元之間布置有遮光部件，該遮光部件遮蔽當(dāng)周邊電路單元的有源元件工作時(shí)從該有源元件出射的光使得所述光無(wú)法入射到像素的光電二極管PD上。上述有源元件是MOS晶體管或保護(hù)
用二極管等。在上述第二實(shí)施例中，遮光部件84是由單個(gè)金屬膜形成的。如果考慮到步驟的數(shù)量，則期望將單個(gè)膜作為遮光部件。然而，如果考慮到金屬膜的孔洞缺陷或者考慮到第一半導(dǎo)體芯片單元與第二半導(dǎo)體芯片單元的粘合面的平坦化，可能難以將遮光部件形成為單層膜。在本實(shí)施例中，在第一半導(dǎo)體芯片單元31與第二半導(dǎo)體芯片單元45的接合面附近布置有由兩層單個(gè)金屬膜形成的第一遮光部件99和第二遮光部件101，并且在本示例中，第一遮光部件99和第二遮光部件101位于第二半導(dǎo)體芯片單元45側(cè)。遮光部件99和遮光部件101分別被形成為這樣的圖形該兩個(gè)圖形在不同的位置處分別具有開(kāi)口 99A和開(kāi)口 101A。此外，在第一遮光部件99與第二遮光部件101之間，以圍繞著開(kāi)口 99A和開(kāi)口 IOlA的周?chē)姆绞叫纬捎杏糜诿芊獾闹鶢畋诓考?所謂的通路)102。在本實(shí)施例中，如虛線所示，可以在第一半導(dǎo)體芯片單元31側(cè)布置同樣結(jié)構(gòu)的遮光部件98'。在遮光部件98'中，布置有由兩層單個(gè)金屬膜形成的第一遮光部件99'和第二遮光部件101'。遮光部件99'和遮光部件101'分別被形為這樣的圖形這兩個(gè)圖形在不同的位置處分別具有開(kāi)口 99A'和開(kāi)口 IOlA'。此外，在第一遮光部件99'與第二遮光部件101'之間，以圍繞著開(kāi)口 99A'和開(kāi)口 IOlA'的周?chē)姆绞叫纬捎杏糜诿芊獾闹鶢畋诓考?所謂的通路)102'。本實(shí)施例的遮光部件可以由遮光部件98、或者遮光部件98'、或者遮光部件98與遮光部件98'的組合構(gòu)成。由于其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例中所述的結(jié)構(gòu)相同，因此相對(duì)應(yīng)的部分使用相同的附圖標(biāo)記，并且省略對(duì)它們的詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)第七實(shí)施例的固體攝像器件97，遮光部件98包括由具有不同開(kāi)口位置的兩層單個(gè)金屬膜形成的第一遮光部件99和第二遮光部件101 ；以及柱狀壁部件102，該柱狀壁部件102與圍繞著上述開(kāi)口周邊的并且相互面對(duì)的第一遮光部件99及第二遮光部件101 相連接。即使在遮光部件99和遮光部件101中存在孔洞缺陷，但是遮光部件98具有雙層結(jié)構(gòu)并且還設(shè)置有柱狀壁部件102，所以能夠可靠地遮擋如圖13中虛線所示的來(lái)自下方的光 103，并且抑制該光103入射到光電二極管PD上。在使用遮光部件98'或者遮光部件98與遮光部件98'的組合的情況下也能夠達(dá)到同樣的效果。此外，還能夠抑制當(dāng)已經(jīng)布置在邏輯電路側(cè)的保護(hù)用二極管工作時(shí)出射的光使其無(wú)法入射到光電二極管PD上。于是，避免了熱載流子光被投射到像素區(qū)域上，并且能夠提供圖像質(zhì)量因此得以改善的固體攝像器件。在本實(shí)施例的固體攝像器件97中，與上述一樣，像素區(qū)域23和控制電路M形成在第一半導(dǎo)體芯片單元31上，而處理信號(hào)的邏輯電路25形成在第二半導(dǎo)體芯片單元45 上。與上述一樣，由于采用的是在不同的半導(dǎo)體芯片單元上形成像素區(qū)域功能和邏輯功能并將二者接合起來(lái)的結(jié)構(gòu)，所以能夠?qū)ο袼貐^(qū)域23和邏輯電路25分別使用最適當(dāng)?shù)墓に囆纬杉夹g(shù)。因此，能夠提供可以充分發(fā)揮像素區(qū)域功能和邏輯電路功能的高性能固體攝像器件。9.第八實(shí)施例固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例圖15示出了本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件，具體是MOS型固體攝像器件的第八實(shí)施例。第八實(shí)施例的固體攝像器件104是通過(guò)如上所述將包括像素區(qū)域23的第一半導(dǎo)體芯片單元22、包括邏輯電路25的第二半導(dǎo)體芯片單元26、以及位于第一半導(dǎo)體芯片單元22與第二半導(dǎo)體芯片單元沈之間且起到吸收光的遮光部件作用的第三半導(dǎo)體芯片單元 105接合起來(lái)而構(gòu)成的。第三半導(dǎo)體芯片單元105例如是由具有窄帶隙的諸如Ge等半導(dǎo)體形成的，并被形成為薄膜形式。在固體攝像器件104中，在將固體攝像器件104配置成背面照射型的情況下，第一半導(dǎo)體芯片單元22與第二半導(dǎo)體芯片單元沈在使它們二者的多層布線層相互面對(duì)的狀態(tài)下被接合為一體，并且在第一半導(dǎo)體芯片單元22與第二半導(dǎo)體芯片單元沈之間夾著第三半導(dǎo)體芯片單元105。在固體攝像器件104中，在將固體攝像器件104配置成正面照射型的情況下，第一半導(dǎo)體芯片單元22的背面與第二半導(dǎo)體芯片單元沈的多層布線層相互面對(duì)并且被接合為一體，且在第一半導(dǎo)體芯片單元22與第二半導(dǎo)體芯片單元沈之間夾著第三半導(dǎo)體芯片單元105。根據(jù)第八實(shí)施例的固體攝像器件104，至少包括像素區(qū)域的第一半導(dǎo)體芯片單元 22與至少包括構(gòu)成周邊電路的邏輯電路的第二半導(dǎo)體芯片單元沈相接合，且在第一半導(dǎo)體芯片單元22與第二半導(dǎo)體芯片單元沈之間夾著吸收光的第三半導(dǎo)體芯片單元105。通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，即使熱載流子光從第二半導(dǎo)體芯片單元26側(cè)出射，該熱載流子光也會(huì)被第三半導(dǎo)體芯片單元105遮蔽并且不會(huì)入射到第一半導(dǎo)體芯片單元22的光電二極管PD上。 于是，避免了熱載流子光被投射到像素區(qū)域上，并且能夠提供圖像質(zhì)量因此得以改善的固體攝像器件。對(duì)于當(dāng)保護(hù)用二極管工作時(shí)出射的光，也能夠抑制該光入射到光電二極管PD 上。10.第九實(shí)施例固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例圖16示出了本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件，具體是MOS型固體攝像器件的第九實(shí)施例。本實(shí)施例的MOS型固體攝像器件是背側(cè)照射型固體攝像器件。第一實(shí)施例具有這樣的結(jié)構(gòu)通過(guò)接合第一半導(dǎo)體芯片單元31與第二半導(dǎo)體芯片單元45，將像素區(qū)域和構(gòu)成周邊電路的邏輯電路分別布置在基板深度方向的上方和下方。而在第九實(shí)施例中，示出了具有如下結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施例該結(jié)構(gòu)中，像素區(qū)域和周邊電路分別布置在基板深度方向的上方和下方，即呈三維地布置像素區(qū)域和周邊電路。第九實(shí)施例的固體攝像器件107具有形成在硅半導(dǎo)體基板108上的如下部件構(gòu)成周邊電路的控制電路109 ；進(jìn)行信號(hào)處理的邏輯電路110 ；以及像素晶體管組111。在半導(dǎo)體基板108上形成有多層布線層112，在多層布線層112中布置有多層布線且這些層的布線之間設(shè)有層間絕緣膜。此外，在多層布線層112上形成有硅外延層113，并且通過(guò)形成如下的像素區(qū)域114來(lái)構(gòu)造出固體攝像器件107 在該像素區(qū)域114中，只有要成為多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元的光電二極管PD呈二維地以成排的方式布置在外延層113上。像素是由外延層內(nèi)的光電二極管和半導(dǎo)體基板108內(nèi)的多個(gè)像素晶體管構(gòu)成的。另外，在本實(shí)施例中，由上述任意遮光部件構(gòu)成的遮光部件115被布置在像素區(qū)域114與用于構(gòu)成至少周邊電路單元的邏輯電路110之間。遮光部件115被形成在多層布線層112上。根據(jù)第九實(shí)施例的固體攝像器件107，遮光部件115被布置在具有如下結(jié)構(gòu)的像素區(qū)域114與周邊電路之間該結(jié)構(gòu)中，像素區(qū)域114、構(gòu)成周邊電路單元的邏輯電路110、 以及控制電路109分別布置在基板內(nèi)的上方和下方。通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，即使熱載流子光從周邊電路單元出射，該熱載流子光也會(huì)被遮光部件115遮蔽并且不會(huì)入射到位于上方的像素區(qū)域114的光電二極管PD上。于是，避免了熱載流子光被投射到像素區(qū)域上，并且能夠提供圖像質(zhì)量因此得以改善的固體攝像器件。對(duì)于當(dāng)保護(hù)用二極管工作時(shí)出射的光，也能夠抑制該光入射到光電二極管PD上。11.第十實(shí)施例固體攝像器件的結(jié)構(gòu)示例下面說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方案的固體攝像器件，具體是第十實(shí)施例的MOS型固體攝像器件。本實(shí)施例的MOS型固體攝像器件是正面照射型固體攝像器件。盡管在附圖中沒(méi)有示出第十實(shí)施例的固體攝像器件，但它是由接合為一體的第一半導(dǎo)體芯片單元和第二半導(dǎo)體芯片單元構(gòu)成的。第一半導(dǎo)體芯片單元具有這樣的像素區(qū)域在該像素區(qū)域中，多個(gè)由光電二極管和多個(gè)像素晶體管構(gòu)成的像素以成排的方式布置在薄膜硅半導(dǎo)體層上，并且第一半導(dǎo)體芯片單元包括形成在該半導(dǎo)體層的正面上的多層布線層、濾色器和片上微透鏡。第二半導(dǎo)體芯片單元具有形成在硅基板上的包括用于信號(hào)處理的邏輯電路和控制電路的周邊電路單元，并且第二半導(dǎo)體芯片單元包括位于該半導(dǎo)體基板上的多層布線層。邏輯電路和控制電路是由諸如MOS晶體管等元件構(gòu)成的。第一半導(dǎo)體芯片單元與第二半導(dǎo)體芯片單元是這樣接合起來(lái)的第一半導(dǎo)體芯片單元的半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體芯片單元的多層布線層相互面對(duì)著。第一半導(dǎo)體芯片單元與第二半導(dǎo)體芯片單元通過(guò)與上述的連接導(dǎo)體相同的連接導(dǎo)體而被電連接起來(lái)。在本實(shí)施例中，在像素區(qū)域與周邊電路單元之間可以布置有任何上述的遮光部件。該遮光部件形成在第一半導(dǎo)體芯片單元與第二半導(dǎo)體芯片單元的接合面附近的第二半導(dǎo)體芯片單元側(cè)。根據(jù)第十實(shí)施例的正面照射型固體攝像器件，遮光部件被布置在分別位于上方和下方很靠近布置著的像素區(qū)域與周邊電路單元之間。通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，即使熱載流子光從周邊電路單元的邏輯電路出射，該熱載流子光也會(huì)被遮光部件遮蔽并且不會(huì)入射到位于上方的像素區(qū)域的光電二極管PD上。于是，避免了熱載流子光被投射到像素區(qū)域上，并且能夠提供圖像質(zhì)量因此得以改善的固體攝像器件。對(duì)于當(dāng)保護(hù)用二極管工作時(shí)出射的光，也能夠抑制該光入射到光電二極管PD上。在本實(shí)施例的固體攝像器件中，與上述一樣，像素區(qū)域形成在第一半導(dǎo)體芯片單元上，而周邊電路單元形成在第二半導(dǎo)體芯片單元上。與上述一樣，由于采用的是在不同的半導(dǎo)體芯片單元上形成像素區(qū)域功能和周邊電路單元功能并將二者接合起來(lái)的結(jié)構(gòu)，所以能夠?qū)ο袼貐^(qū)域和周邊電路單元分別使用最適當(dāng)?shù)墓に囆纬杉夹g(shù)。因此，能夠提供可以充分發(fā)揮像素區(qū)域功能和邏輯電路功能的高性能固體攝像器件。12.第—^一實(shí)施例電子裝置的結(jié)構(gòu)示例上述的本發(fā)明各實(shí)施例的固體攝像器件例如能夠應(yīng)用于下列電子裝置諸如數(shù)碼相機(jī)或攝像機(jī)等相機(jī)系統(tǒng)、具有攝像功能的手機(jī)、或者包含攝像功能的其他裝置等。圖17示出了應(yīng)用于相機(jī)的第十一實(shí)施例，其作為本發(fā)明實(shí)施方案的電子裝置的一個(gè)示例。第十一實(shí)施例的相機(jī)是能夠拍攝靜止圖像或移動(dòng)圖像的攝像機(jī)的示例。本實(shí)施例的相機(jī)121包括固體攝像器件122和光學(xué)系統(tǒng)123，該光學(xué)系統(tǒng)123將入射光引導(dǎo)至固體攝像器件122的受光傳感器單元。此外，相機(jī)121包括快門(mén)裝置124、驅(qū)動(dòng)固體攝像器件 122的驅(qū)動(dòng)電路125和對(duì)固體攝像器件122的輸出信號(hào)進(jìn)行處理的信號(hào)處理電路126?？梢圆捎蒙鲜鋈魏我粋€(gè)實(shí)施例的固體攝像器件作為固體攝像器件122。光學(xué)系統(tǒng) (光學(xué)透鏡)123把來(lái)自被拍攝物體的成像光(入射光)作為圖像形成在固體攝像器件122 的攝像面上。這樣，在一定的時(shí)間期間內(nèi)在固體攝像器件122內(nèi)累積信號(hào)電荷。光學(xué)系統(tǒng) 123可以是由多個(gè)光學(xué)透鏡構(gòu)成的光學(xué)透鏡系統(tǒng)。快門(mén)裝置IM控制固體攝像器件122的光照射期間和遮光期間。驅(qū)動(dòng)電路125提供對(duì)固體攝像器件122的傳輸操作和快門(mén)裝置124的快門(mén)操作進(jìn)行控制的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。利用從驅(qū)動(dòng)電路125提供的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(時(shí)序信號(hào)) 來(lái)進(jìn)行固體攝像器件122的信號(hào)傳輸。信號(hào)處理電路1 進(jìn)行各種類(lèi)型的信號(hào)處理。經(jīng)過(guò)信號(hào)處理后的成像信號(hào)被存儲(chǔ)在例如存儲(chǔ)器等存儲(chǔ)介質(zhì)中或者被輸出到監(jiān)控器上。根據(jù)第十一實(shí)施例的電子裝置，能夠抑制當(dāng)周邊電路單元的例如MOS晶體管或二極管等有源元件工作時(shí)來(lái)自該有源元件的諸如熱載流子光等光入射到光電二極管上。于是，能夠提供具有高圖像質(zhì)量的電子裝置。例如，能夠提供圖像質(zhì)量因此得以改善的相機(jī)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依據(jù)設(shè)計(jì)要求和其他因素，可以在本發(fā)明所附的權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)進(jìn)行各種修改、組合、次組合以及改變。
權(quán)利要求
1.一種固體攝像器件，其包括像素區(qū)域，所述像素區(qū)域形成于基板的光入射側(cè)，并且在所述像素區(qū)域上布置有多個(gè)包括光電轉(zhuǎn)換單元的像素；周邊電路單元，所述周邊電路單元形成于所述像素區(qū)域的在所述基板深度方向上的下部處，并且所述周邊電路單元含有有源元件；以及遮光部件，所述遮光部件形成于所述像素區(qū)域與所述周邊電路單元之間，并且所述遮光部件遮蔽當(dāng)所述有源元件工作時(shí)從所述有源元件出射的光使其無(wú)法入射到所述光電轉(zhuǎn)換單元上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像器件，其中，所述像素被形成得包括所述光電轉(zhuǎn)換單元和多個(gè)像素晶體管，并且所述周邊電路單元的所述有源元件由MOS晶體管和/或二極管形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固體攝像器件，其中，所述基板是通過(guò)將第一半導(dǎo)體芯片單元和第二半導(dǎo)體芯片單元粘合起來(lái)而構(gòu)成的，所述第一半導(dǎo)體芯片單元包括多層布線層和所述像素區(qū)域，所述第二半導(dǎo)體芯片單元包括多層布線層和所述周邊電路單元，所述周邊電路單元包括邏輯電路，并且所述第一半導(dǎo)體芯片單元和所述第二半導(dǎo)體芯片單元通過(guò)貫穿所述第一半導(dǎo)體芯片單元的連接導(dǎo)體彼此電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固體攝像器件，其中，在所述第一半導(dǎo)體芯片單元的所述多層布線層和所述第二半導(dǎo)體芯片單元的所述多層布線層相互面對(duì)的狀態(tài)下，所述第一半導(dǎo)體芯片單元和所述第二半導(dǎo)體芯片單元粘合起來(lái)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的固體攝像器件，其中，所述遮光部件由對(duì)光進(jìn)行反射和散射的反射散射部件形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的固體攝像器件，其中，所述遮光部件由對(duì)光進(jìn)行吸收的光吸收部件形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的固體攝像器件，其中，所述遮光部件由對(duì)光進(jìn)行反射和散射的反射散射部件與對(duì)光進(jìn)行吸收的光吸收部件的組合形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的固體攝像器件，其中，所述反射散射部件由單個(gè)金屬膜形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的固體攝像器件，其中，所述反射散射部件由所述多層布線層的彼此部分重疊的如下構(gòu)成部分形成多層布線、或者多層偽布線、或者多層布線與偽布線的組合。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的固體攝像器件，其中，所述反射散射部件由單個(gè)金屬膜與所述多層布線層的如下構(gòu)成部分的組合形成多層布線、或者多層偽布線、或者多層布線與偽布線的組合。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固體攝像器件，其中，所述光吸收部件由單個(gè)膜形成，所述單個(gè)膜是利用具有小帶隙的半導(dǎo)體形成的。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的固體攝像器件，其中，所述反射散射部件由單個(gè)金屬膜形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的固體攝像器件，其中，所述反射散射部件由所述多層布線層的彼此部分重疊的如下構(gòu)成部分形成多層布線、或者多層偽布線、或者多層布線與偽布線的組合。
14. 一種電子裝置，其包括 固體攝像器件；光學(xué)系統(tǒng)，所述光學(xué)系統(tǒng)將入射光引導(dǎo)至所述固體攝像器件的光電轉(zhuǎn)換單元；以及信號(hào)處理電路，所述信號(hào)處理電路對(duì)所述固體攝像器件的輸出信號(hào)進(jìn)行處理， 其中，所述固體攝像器件是由根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的固體攝像器件構(gòu)成的。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了固體攝像器件和電子裝置。所述固體攝像器件包括像素區(qū)域，所述像素區(qū)域形成在基板的光入射側(cè)并且在所述像素區(qū)域上布置有多個(gè)包括光電轉(zhuǎn)換單元的像素；周邊電路單元，所述周邊電路單元形成在所述像素區(qū)域的所述基板深度方向的下部中并且含有有源元件；以及遮光部件，所述遮光部件形成在所述像素區(qū)域與所述周邊電路單元之間并且遮蔽當(dāng)所述有源元件工作時(shí)從所述有源元件出射的光使其無(wú)法入射到所述光電轉(zhuǎn)換單元上。所述電子裝置包括光學(xué)系統(tǒng)、信號(hào)處理電路以及上述固體攝像器件。本發(fā)明能夠抑制從有源元件出射的光透射到光電轉(zhuǎn)換單元中，從而固體攝像器件的提高圖像質(zhì)量。
文檔編號(hào)H04N5/335GK102404514SQ20111026339
公開(kāi)日2012年4月4日 申請(qǐng)日期2011年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月15日
發(fā)明者佐野拓也, 小林正治, 工藤義治 申請(qǐng)人:索尼公司