拆卸件包含物理氣相沉積群組單元，所述物理氣相沉積群組單元螺紋鎖定地堆疊連接在所述外罩上，且所述物理氣相沉積群組單元通過濺鍍法在所述基材上成膜。
6.如權(quán)利要求5所述的模塊化的等離子體處理裝置，其特征在于，所述外罩包含罩底與罩環(huán)側(cè)壁，所述物理氣相沉積群組單元包含: 絕緣塊，其鎖接于所述罩底； 共極板，其堆疊鎖接于所述絕緣塊上； 磁鐵座，其堆疊鎖接于所述共極板上； 多個(gè)磁鐵，每個(gè)所述磁鐵堆疊吸附于所述磁鐵座上； 靶材座，其堆疊鎖接于所述磁鐵座上且所述多個(gè)磁鐵鑲埋于所述靶材座； 靶材，其堆疊放置于所述靶材座上； 靶材蓋，其蓋壓于所述靶材上且鎖接于所述靶材座上，所述靶材座、所述靶材及所述靶材蓋呈二明治結(jié)構(gòu)； 墊高環(huán)，其環(huán)設(shè)于所述靶材座與所述靶材的周圍，且所述墊高環(huán)堆疊鎖接于所述罩環(huán)側(cè)壁上；以及 導(dǎo)氣蓋，其堆疊鎖接于所述墊高環(huán)上。
7.如權(quán)利要求1所述的模塊化的等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子體處理裝置用以放置基材，其中一個(gè)所述上可拆卸件包含載片，所述載片放置在所述載座上，且所述基材放置在所述載片上，而所述下可拆卸件包含化學(xué)氣相沉積群組單元，所述化學(xué)氣相沉積群組單元螺紋鎖定地堆疊連接在所述外罩上，且所述化學(xué)氣相沉積群組單元通過化學(xué)氣相沉積法在所述基材上成膜。
8.如權(quán)利要求7所述的模塊化的等離子體處理裝置，其特征在于，所述外罩包含罩底與罩環(huán)側(cè)壁，所述化學(xué)氣相沉積群組單元包含: 絕緣塊，其鎖接于所述罩底； 共極板，其堆疊鎖接于所述絕緣塊上； 氣體分配中環(huán)，其堆疊鎖接于所述共極板上； 氣體分配座，其堆疊鎖接于所述氣體分配中環(huán)上； 氣體分配板，其堆疊放置于所述氣體分配座上； 氣體分配罩，其蓋壓于所述氣體分配板上且鎖接于所述氣體分配座，所述氣體分配座、所述氣體分配板及所述氣體分配罩呈三明治結(jié)構(gòu)；以及 墊高環(huán)，其環(huán)設(shè)于所述氣體分配座與所述氣體分配罩的周圍，且所述墊高環(huán)堆疊鎖接于所述罩環(huán)側(cè)壁上。
9.如權(quán)利要求1所述的模塊化的等離子體處理裝置，其特征在于，所述上可拆卸件鎖接、嵌接、卡接、扣接、粘接、貼接、組接或套接于所述上基載具，所述下可拆卸件鎖接、嵌接、卡接、扣接、粘接、貼接、組接或套接于所述下基載具。
10.—種模塊化的等離子體處理裝置，其設(shè)置在真空腔體內(nèi)，其特征在于，所述模塊化的等離子體處理裝置包含: 多個(gè)等離子體模塊，每個(gè)所述等離子體模塊包含上可拆卸件與下可拆卸件，且每個(gè)所述等離子體模塊具備一個(gè)功能，這些功能彼此相異； 上基載具，其包含: 上固定座，其鎖接所述真空腔體； 基軸，其具有上軸接端與下軸接端，所述上軸接端連接所述上固定座；及載座，其能夠拆卸地連接所述基軸的所述下軸接端，且任一所述上可拆卸件能夠依據(jù)其中一個(gè)所述功能連接所述載座；以及 下基載具，其對應(yīng)于所述上基載具，所述下基載具包含: 下固定座，其鎖接所述真空腔體且對應(yīng)所述上固定座； 固定頸，所述固定頸的一端鎖接所述下固定座； 外罩，其呈凹槽狀，且所述外罩能夠拆卸地連接所述固定頸的另一端，任一所述下可拆卸件能夠依據(jù)其中一個(gè)所述功能連接所述外罩；及 氣體導(dǎo)管，其具有罩接端與固接端，所述罩接端連接所述外罩，所述固接端連接所述下固定座； 其中，所述多個(gè)等離子體模塊能夠依據(jù)所述功能的變換而彼此置換。
11.如權(quán)利要求10所述的模塊化的等離子體處理裝置，其特征在于，一個(gè)所述上可拆卸件放置在所述載座上，所述載座能夠拆卸地連接所述真空腔體，而所述下可拆卸件包含清潔蝕刻群組單元，所述清潔蝕刻群組單元螺紋鎖定地堆疊連接在所述外罩上。
12.如權(quán)利要求11所述的模塊化的等離子體處理裝置，其特征在于，該等離子體處理裝置中放置有基材，其中所述外罩包含罩底與罩環(huán)側(cè)壁，所述清潔蝕刻群組單元包含: 絕緣塊，其鎖接于所述罩底； 共極板，其堆疊鎖接于所述絕緣塊上； 電極板，其堆疊鎖接于所述共極板上； 載片，其堆疊鎖接于所述電極板上，所述基材放置于所述載片上；以及 導(dǎo)氣蓋，其堆疊鎖接于所述罩環(huán)側(cè)壁上，且所述導(dǎo)氣蓋環(huán)繞所述載片。
13.如權(quán)利要求12所述的模塊化的等離子體處理裝置，其特征在于，所述絕緣塊具有多面絕緣側(cè)壁、上絕緣端及下絕緣端，所述下絕緣端鎖接于所述罩底，且所述罩環(huán)側(cè)壁環(huán)繞所述多面絕緣側(cè)壁；所述共極板具有共極側(cè)壁、上共極端及下共極端，所述下共極端鎖接于所述上絕緣端，所述罩環(huán)側(cè)壁環(huán)繞所述共極側(cè)壁；所述電極板具有電極側(cè)壁、上電極端及下電極端，所述下電極端鎖接于所述上共極端，所述罩環(huán)側(cè)壁環(huán)繞所述電極側(cè)壁；所述載片堆疊鎖接于所述上電極端。
14.如權(quán)利要求10所述的模塊化的等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子體處理裝置用以放置基材，其中一個(gè)所述上可拆卸件包含載片，所述載片放置在所述載座上，且所述基材放置在所述載片上，所述下可拆卸件包含物理氣相沉積群組單元，所述物理氣相沉積群組單元螺紋鎖定地堆疊連接在所述外罩上，且所述物理氣相沉積群組單元通過濺鍍法在所述基材上成膜。
15.如權(quán)利要求14所述的模塊化的等離子體處理裝置，其特征在于，所述外罩包含罩底與罩環(huán)側(cè)壁，所述物理氣相沉積群組單元包含: 絕緣塊，其鎖接于所述罩底； 共極板，其堆疊鎖接于所述絕緣塊上； 磁鐵座，其堆疊鎖接于所述共極板上； 多個(gè)磁鐵，每個(gè)所述磁鐵堆疊吸附于所述磁鐵座上； 靶材座，其堆疊鎖接于所述磁鐵座上且所述多個(gè)磁鐵鑲埋于所述靶材座； 靶材，其堆疊放置于所述靶材座上； 靶材蓋，其蓋壓于所述靶材上且鎖接于所述靶材座上，所述靶材座、所述靶材及所述靶材蓋呈二明治結(jié)構(gòu)； 墊高環(huán)，其環(huán)設(shè)于所述靶材座與所述靶材的周圍，且所述墊高環(huán)堆疊鎖接于所述罩環(huán)側(cè)壁上；以及 導(dǎo)氣蓋，其堆疊鎖接于所述墊高環(huán)上。
16.如權(quán)利要求10所述的模塊化的等離子體處理裝置，其特征在于，所述等離子體處理裝置中放置有基材，其中一個(gè)所述上可拆卸件包含載片，所述載片放置在所述載座上，且所述基材放置在所述載片上，所述下可拆卸件包含化學(xué)氣相沉積群組單元，所述化學(xué)氣相沉積群組單元螺紋鎖定地堆疊連接在所述外罩上，且所述化學(xué)氣相沉積群組單元通過化學(xué)氣相沉積法在所述基材上成膜。
17.如權(quán)利要求16所述的模塊化的等離子體處理裝置，其特征在于，所述外罩包含罩底與罩環(huán)側(cè)壁，所述化學(xué)氣相沉積群組單元包含: 絕緣塊，其鎖接于所述罩底； 共極板，其堆疊鎖接于所述絕緣塊上； 氣體分配中環(huán)，其堆疊鎖接于所述共極板上； 氣體分配座，其堆疊鎖接于所述氣體分配中環(huán)上； 氣體分配板，其堆疊放置于所述氣體分配座上； 氣體分配罩，其蓋壓于所述氣體分配板上且鎖接于所述氣體分配座，所述氣體分配座、所述氣體分配板及所述氣體分配罩呈三明治結(jié)構(gòu)；以及 墊高環(huán)，其環(huán)設(shè)于所述氣體分配座與所述氣體分配罩的周圍，且所述墊高環(huán)堆疊鎖接于所述罩環(huán)側(cè)壁上。
18.如權(quán)利要求10所述的模塊化的等離子體處理裝置，其特征在于，所述上可拆卸件鎖接、嵌接、卡接、扣接、粘接、貼接、組接或套接于所述上基載具，所述下可拆卸件鎖接、嵌接、卡接、扣接、粘接、貼接、組接或套接于所述下基載具。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種模塊化的等離子體處理裝置，其設(shè)置于真空腔體內(nèi)，其包含多個(gè)等離子體模塊、上基載具及下基載具。每個(gè)等離子體模塊包含上可拆卸件與下可拆卸件，且每個(gè)等離子體模塊具備一個(gè)功能，這些功能彼此相異。上基載具包含載座，上基載具連接真空腔體，且上可拆卸件能夠依據(jù)其中一個(gè)功能連接載座。下基載具包含外罩，下基載具連接真空腔體且對應(yīng)于上基載具，下可拆卸件能夠依據(jù)其中一個(gè)功能連接外罩。此外，這些等離子體模塊能夠依據(jù)功能變換而彼此置換。借此，通過置換不同功能的等離子體模塊來實(shí)現(xiàn)共用單一載具及多重功能，可發(fā)揮等離子體清潔、等離子體蝕刻、PVD鍍膜或CVD鍍膜功能。
【IPC分類】H05H1-00
【公開號】CN204559994
【申請?zhí)枴緾N201520299212
【發(fā)明人】李晉昭, 王世雄, 劉育杰
【申請人】俊尚科技股份有限公司
【公開日】2015年8月12日
【申請日】2015年5月11日